JPH0375943B2

JPH0375943B2 -

Info

Publication number: JPH0375943B2
Application number: JP1196319A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ishiguro; Ariake Shin; Emiko Hamada; Juji Arai
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-07-30
Filing date: 1989-07-28
Publication date: 1991-12-03
Also published as: JPH02132657A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、レーザ光を照射し、その反射光によ
り記録データを再生する光情報記録媒体とこれを
用いた光情報記録方法に関する。

〔従来の技術〕

レーザ光の照射により、データを記録すること
ができる、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒
体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニン、メ
ロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記
録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段
で、ピツトを形成し、データを記録する。この記
録層を有する光情報記録媒体では、ピツトを形成
する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を
容易にするため、記録層の背後に空隙を設けるこ
とが一般に行なわれている。具体的には例えば、
空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆる
エアサンドイツチ構造と呼ばれる積層構造がとら
れる。

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する
基板１側からレーザ光を照射し、ピツトを形成す
る。そして、記録したデータを再生するときは、
上記基板１側から記録時よりパワーの弱いレーザ
光を照射し、上記ピツトとそれ以外の部分との反
射光の違いにより、信号を読みとる。

一方、予めデータが記録され、その後のデータ
の書き込みや消去ができない、いわゆるROM型
光情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く
実用化されている。この種の光情報記録媒体は、
上記のような記録層を持たず、記録データを再生
するためのピツトを予めプレス等の手段でポリカ
ーボネート製の基板の上に形成し、この上にAu、
Ag、Cu、Al等の金属膜からなる光反射層を形成
し、さらにこの上を保護層で覆つたものである。

このROM型光情報記録媒体で最も代表的なも
のが音響部門や情報処理部門等で広く実用化され
ているコンパクトデイスク、いわゆるCDであり、
このCDの記録、再生信号の仕様は、いわゆるCD
フオーマツトとして規格化され、これに準拠する
再生装置は、コンパクトデイスクプレヤー（CD
プレーヤ）として極めて広く普及している。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記書き込み可能な光情報記録媒体は、再生に
際し、既に広く普及したCDとの互換性を有し、
CDプレーヤでそのまま再生できることが強く望
まれる。

しかしながら、前者の書き込み可能な光情報記
録媒体は、CDには無い記録層を有し、基板にで
はなく、この記録層にピツトを形成して記録する
手段がとられる。さらに、この記録層にピツトを
形成するのを容易にするための空隙層等を有する
ことから、再生信号が自ずとCDと異なつてくる。
このため、いわゆるCDについての規格を定めた
上記CDフオーマツトを満足することが困難であ
る。従つて、従来においては、CDに適合する書
き込み可能な光情報記録媒体を提供することがで
きなかつた。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためな
されたもので、その目的は、データの再生に際
し、CD規格に規定する範囲内のブロツクエラー
レートの出力信号が得られる書き込みが可能な光
情報記録媒体およびこの光情報記録媒体を用いた
光情報記録方法を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

すなわち、上記目的を達成するため、本発明に
おいて採用した手段の要旨は、第一に、レーザ光
入射側に設けられた透光性基板と、該透光性基板
の上に直接または他の層を介して設けられたレー
ザ光を吸収する光吸収層と、該光吸収層の上に直
接または他の層を介して設けられたレーザ光を反
射する光反射層を少なくとも有し、上記光吸収層
より透光性基板側には、同透光性基板を通して入
射したレーザ光が上記光吸収層で吸収されること
により発生したエネルギにより変形される層を有
し、上記光吸収層より上記光反射層に硬質層を有
し、この硬質層の硬度が上記変形される層よりも
高い光情報記録媒体である。

第二に、上記硬質層がロツクウエル硬度
ASTMD785においてM75以上、または、熱変形
温度ASTM P648（4.6Kg／cm²）において80℃以上
である光情報記録媒体である。

上記光情報記録媒体においては、硬質層が光吸
収層と反射層との間、または光吸収層に対して光
反射層の背後側に或はその双方に形成されている
場合を含む。

また、上記光情報記録媒体は、光吸収層が透光
性基板上の一部の領域に形成され、同光吸収層の
無い領域に予め信号再生用のピツトが形成された
ROM領域を有する光情報記録媒体であつてもよ
い。

第三に、レーザ光入射側に設けられた透光性基
板と、該透光性基板の上に直接または他の層を介
して設けられたレーザ光を吸収する有機色素から
なる光吸収層と、該光吸収層の上に直接または他
の層を介して設けられたレーザ光を反射する光反
射層を少なくとも有する光情報記録媒体に情報を
記録する方法において、上記光吸収層より透光性
基板側に変形される層を有し、上記光吸収層より
上記光反射層側に硬質層を有し、この硬質層の硬
度が上記変形される層よりも高い光情報記録媒体
を用い、基板側からレーザ光を照射することによ
り光吸収層にエネルギを与え、基板側の層を変形
させて情報を記録する光情報記録方法である。

〔作用〕

本発明による光情報記録媒体及び光情報記録方
法によれば、光吸収層にレーザを照射することに
より与えられたエネルギは、基板側の層の変形を
引き起こす。そのとき、光吸収層の背後側に上記
基板よりも硬い硬質層を有すると、基板側の層の
変形作用が反射層側の層には影響を与えないた
め、基板側の層にのみ、ピツトが形成されること
になる。基板側の層のみにピツトが形成された場
合には、反射層側に形成された変形部分を原因と
する二次的な反射光が生じないため、再生波形の
歪がなく、ブロツクエラーレートを低く抑えるこ
とができる。

光吸収層は、レーザ光の照射により発生するエ
ネルギは、熱エネルギを伴うため、硬質層が熱変
形温度の高い層である場合も上記と同様の作用を
有する。

本発明者らは、実験の結果、CD規格に準拠し
た再生信号を得るためには、硬質層がロツクウエ
ル硬度ASTMD785においてM75以上または、熱
変形温度ASTM D648（4.6Kg／cm²）において80℃
である必要があることを見出だした。硬質層の硬
度とブロツクエラーレートとの関係は、具体的に
は第９図のように示される。

さらに、熱変形温度ASTM D648（4.6Kg／cm²）
において80℃であると、耐熱試験を行つたときの
記録されたピツト形状の保存性が非常に高いこと
がわかつた。第１０図にその結果の一例をグラフ
として示すが、このグラフは、温度70℃、湿度25
％RHの下でのブロツクエラーレートの再生時の
経時変化を示したものである。このグラフからわ
かるように、熱変形温度が高ければ高いほどブロ
ツクエラーレートの劣化が少ないことがわかる。

硬質層を光吸収層と光反射層の間に設けた場合
において、反射層が金属である場合は、硬質層に
エンハンス層として、あるいは結着層としての機
能を持たせることができる。また、硬質層を光反
射層の背面に設けた場合は、その硬質層を保護層
として、或は反射層の酸化防止層として機能させ
ることができる。

さらに、透光性基板上の一部の領域に上記光吸
収層が形成され、同光吸収層の無い領域に予め信
号再生用のピツトが形成されたROM領域を有す
る光情報記録媒体では、ROM領域に予めプレス
等で大量に画一的なデータを記録しておくことが
でき、しかもここに光吸収層が無いため、誤消去
や別なデータの誤記録のおそれが無い。また、光
吸収層を有する領域では、使用者独自のデータを
任意に記録することができる。そして、この記録
されたデータがCD規格に準じた信号をもつて再
生できるため、上記ROM領域の情報と同様に、
市販のCDプレーヤで再生することができる。

〔実施例〕次に、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の
例を、第１図〜第３図及び第４図〜第６図に示
す。同図において、１は、透光性を有する基板、
２は、その上に形成された光吸収層で、照射され
たレーザ光を吸収して基板１側の層の表面にピツ
トを形成する作用を有する層である。また３は、
その上に形成された光反射層、４は、その外側に
設けられた保護層を示す。

第１図〜第３図で示した実施例は、光吸収層２
と光反射層３との間に、硬質層６が介在されてい
る場合である。これに対し、第４図〜第６図で示
した実施例は、光反射層３の背後に硬質層６を配
置してある場合である。なお、図示してはいない
が、保護層４そのものを硬質層として用いること
ができる。

また、第１図〜第３図で示した実施例では、光
吸収層２が基板１のほぼ全面に形成されている
が、第４図〜第６図で示した実施例では、透光性
基板１の外周寄りの一部にのみ光吸収層２が形成
され、ここが記録可能領域１１となつており、そ
れより内周側の部分にROM領域１０が形成され
ている。

第２図と第５図は、レーザ光よる記録前の状態
を、第３図と第６図は、記録後の状態、すなわ
ち、光ピツクアツプ８からの記録用のレーザ光を
照射したとき、その照射部分が凸状に変形され、
ピツト５が形成された状態を模式的に示す。

第７図は、透光性基板１の表面に形成されたト
ラツキング表示手段であるところのプリグルーブ
１２に沿つてピツト５を形成するため、上記プリ
グルーブ１に沿つて光吸収層２にEFM信号に変
調されたレーザスポツトを照射した後、保護層４
と光反射層３を透光性基板１から剥離し、さらに
同基板１から光吸収層２を除去した状態を模式的
に示している。

さらに、STM（Scanning Tunneling
Microscope）を用い、上記プリグルーブ１２に
沿つて透光性基板の表面の状態を観察した例を、
第８図に示す。同図では、チツプ（探針）ａのプ
リグルーブ１２に沿う方向、つまりトラツキング
方向の移動距離を横軸にとり、透光性基板１の表
面の高度を縦軸にとつて示してある。同図ａは、
ピツトの長さが10000オングストロームと比較的
短い場合であり、ここでは高さ約200オングスト
ロームの凸状の明瞭な変形が形成されていること
が理解できる。また、同図ｂは、ピツトの長さが
40000オングストロームと比較的長い場合であり、
ここでは高さ約200の凸状の変形が認められるが、
この変形の中間部がやや低くなつており、変形の
峰が２つに分かれていることが分かる。

上記光情報記録媒体の層構造及び、その記録方
法の具体例について、以下に説明する。

透光性基板１の材料は、レーザ光に対する屈折
率が1.4〜1.6の範囲の透明度の高い材料で、耐衝
撃性に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリ
カーボネート、アクリル等が例示できるが、これ
らに限られるわけではない。このような材料を用
いて、基板は例えば射出成形等の手段により成形
される。

透光性基板１には、スパイラル状にプリグルー
ブ１２が形成されていてもよい。プリグルーブ
は、通常考えられる条件のものであればどのよう
な条件のものでもよいが、50〜250nmの深さが好
適である。

プリグルーブ１２は、基板の射出成形時のスタ
ンパを押し当てることにより形成されるのが通常
であるが、レーザによつてカツテイングすること
や2P法によつて作られるものでもよい。

透光性基板１とレーザ吸収層との間に、SiO₂
等の耐溶剤層やエンハンス層をコーテイングして
おいてもよい。

光吸収層２の材料は、光吸収層の有機色素が望
ましく、シアニン色素、ポリメチレン色素、トリ
アリールメタン色素、ピリリウム色素、フエナン
スレン色素、テトラデヒドロコリン色素、トリア
リールアミン色素、スクアリリウム色素、クロコ
ニツクメンチ色素、フタロシアニン色素、アズレ
ニウム色素等が例示できるが、これらに限定され
るものではなく、低融点金属等、公知の記録層材
料を用いても本発明の効果を得ることが可能であ
る。

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例え
ぱニトロセルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性
エラストマー）、液ゴム等を含んでいても良い。

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤
を公知の有機溶媒（たとえばアルコール、アセチ
ルアセトン、メチルセロソロブ、トルエン等）で
溶解したものをプリグルーブが形成された透光性
基板、またはさらに基板上に他の層をコーテイン
グした基板の表面に形成される。

この場合の形成手段としては、蒸着法、LB法、
スピンコート法等が挙げられるが、光吸収層の濃
度、粘度、溶剤の乾燥速度を調節することにより
層厚を制御できるために、スピンコート法が望ま
しい。

なお、第４図〜第６図のようなROM領域１０
を有する光情報記録媒体は、透光性基板１の表面
のROM領域１０となる部分に信号再生用のピツ
ト９（第５図参照）をスタンパ等で予め形成して
おき、その外側の記録可能領域１１にのみ上記材
料をコーテイングして光吸収層２を形成すること
により得られる。

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、
銀、アルミニウムあるいはこれらを含む合金を、
蒸着法、スパツタ法等の手段により形成される。
反射率が70％以上を有することが必要であるた
め、金または金を含む合金を主体とする金属で形
成することが望ましい。さらに、反射層の酸化を
防止するための耐酸化層等の他の層を介在させて
もよい。

保護層４は耐衝撃性の優れた樹脂によつて形成
されることが望ましい。たとえば紫外線硬化樹脂
をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射し
て硬化させることにより形成する。また、ウレタ
ン等の弾性材で形成してもよく、以下に述べる硬
質層の機能を有するものでもよい。

硬質層６は、メチルエチルケトン、アルコール
等の溶剤に溶けてスピンコート法により塗布する
ことができ、物理的変化（熱、光等）によつて硬
化するものが製造上望ましい。また、硬質層６が
光吸収層２と反射層３の間にある場合には、透光
性の高い材料が望ましい。硬質層６が反射層３の
背面にある場合には、硬質層３の透光性は記録、
再生時のレーザ光の透過に影響を与えないため、
その透光性は問わない。

硬質層６の硬度は、ASTM75以上が望ましく、
ASTM110〜200がいつそう望ましい。また、硬
質層の熱変形温度は、吸収層と反射層の間にある
場合には、100℃以上が望ましく、120℃以上がい
つそう望ましい。反射層の背面にある場合には、
80℃以上が望ましく、100℃以上がいつそう望し
く、特に110℃以上が最良である。

硬質層６の厚みは、任意に設定できるが、5μm
〜10μmの範囲が望ましい。

本発明による光情報記録媒体は、レーザ吸収層
２にレーザ光を照射することにより、光吸収層を
基準として反射層側の層を基板１側の層に比べて
熱変形し難い層で形成しているため、レーザ光に
より引き起こされたレーザ吸収層２のエネルギは
透光性基板１側の層に主として与えられ、その結
果、透光性基板１側の層に凸状、波状もしくは凹
状のピツトを形成するものである。

本実施例の場合においては、第３図及び第６図
に模式的に示すように、記録後の光デイスクの上
記基板１のレーザ吸収層２と接する表面部分に、
吸収層側に突出したピツト５が確認でき、このよ
うにして形成されたピツト５の再生波形は、CD
のそれと同様のものである。

記録信号の再生は、透光性基板１側から読取り
用のレーザ光を照射することにより、ピツト部分
の反射光とピツト以外の部分の反射光の光学的位
相差を読み取ることにより行われる。

本発明のさらに具体的な実施例について、以下
に説明する。

実施例１直径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μm、深
0.08μm、ピツチ1.6μmのスパイラル状のプリグル
ープが形成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径
15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法に
より成形した。このポリカーボネート基板１のロ
ツクウエル硬度ASTMD D785は、M75であり、
熱変形温度ASTMD D648は、132℃であつた。

光吸収層を形成するための有機色素として、
0.65gの１，1′ジブチル３，３，3′，3′テトラメチ
ル４，５，4′，5′ジベンゾインドジカーシアニン
パークロレート（日本感光色素(株)製、品番
NK3219）を、ジアセトンアルコール溶剤10c.c.に
溶解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコ
ート法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層２を
形成した。

次に、このデイスクの直径45〜118mmφの領域
の全面にスパツタリング法により、膜厚50nmの
Au膜を成膜し、光反射層３を形成した。さらに、
この光反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜
厚10μmの保護層４を形成した。この保護層４の
硬化後のロツクウエル硬度ASTMD785はM90で
あり、熱変形温度ASTMD648は、150℃であつ
た。

こうして得られた光デイスクの上記記録可能領
域１１に、波長780nmの半導体レーザを線速
1.2m／sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM
信号を記録した。そして、この光デイスクを、市
販のCDプレーヤ（Aurex XR−V73、再生光の
波長λ＝780nm）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率が72％、I11／Itopが0.65、I3／Itopが
0.35、ブロツクエラーレートBLERが3.4×10^-3で
あつた。

CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが
0.6以上、I3／Itopが0.3〜0.7、ブロツクエラーレ
ートBLERが３×10^-2以下と定められており、こ
の実施例による光デイスクは、この規格を満足し
ている。

さらに、上記記録後の光デイスクの保護層４と
光反射層４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄
し、透光性基板１の剥離面をSTM（Scanning
Tunneling Microgcope）で観察したところ、ピ
ツト部分に凸状の変形が見られた。

なお、この実施例は、保護層４を硬質層として
利用した場合の実施例である。

実施例２上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリカーボネート（帝人化学製、パンライ
ト）基板の上に、上記と同様にして光吸収層を形
成した後、この上に硬質層６として、膜厚50nm
のシリコンアクリル層を形成し、その上に光反射
層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAg膜
を形成し、さらにその上に上記実施例１と同様の
保護層４を形成した。なお、上記基板のロツクウ
エル硬度ASTMD785はM75であり、熱変形温度
ASTMD648は、135℃であつた。これに対し、
上記硬質層６のロツクウエル硬度ASTMD785は
M100であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃
であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が71％、I11／Itopが0.63、
I3／Itopが0.33、ブロツクエラーレートBLERが
3.5×10^-3であつた。

また、上記実施例と同様にして、記録後の光デ
イスクの透光性基板１の表面をSTM（Scanning
Tunneling Microscope）で観察したところ、ピ
ツトの部分に凸状の変形が認められた。この変形
の中間部はやや低くなつており、変形６の峰が２
つに分かれていることが確認された。

実施例３上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリカーボネート（三菱ガス化学製、ユー
ピロン）基板の上に、上記と同様にして光吸収層
２を形成した後、この上に硬質層６として、膜厚
50nmのエポキシ樹脂層を形成し、その上に光反
射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu
膜を形成し、さらにその上に上記実施例１と同様
の保護層４を形成した。なお、上記基板のロツク
ウエル硬度ASTMD785はM75であり、熱変形温
度ASTMD648は、132℃であつた。これに対し、
上記硬質層６のロツクウエル硬度ASTMD785は
M90であり、熱変形温度ASTMD648は、140℃
であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが0.62、
I3／Itopが0.32、ブロツクエラーレートBLERが
2.4×10^-3であつた。

実施例４上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリスチレン基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６と
して、膜厚50nmのアクリル樹脂層を形成し、こ
の上に結着性を高めるためエポキシ樹脂をスピン
コートしてから、光反射層３として、真空蒸着法
により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらにこの上
に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。な
お、上記基板のロツクウエル硬度ASTMD785は
M80であり、熱変形温度ASTMD648は、89℃で
あつた。これに対し、上記硬質層６のロツクウエ
ル硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、100℃であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが0.62、
I3／Itopが0.31、ブロツクエラーレートBLERが
7.0×10^-3であつた。

実施例５上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリメチルメタクリレート基板の上に、上
記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に硬質層６として、膜厚50nmのポリエステル樹
脂層を形成し、その上に光反射層３として、真空
蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さらに
この上に、結着性を高めるためエポキシ樹脂をス
ピンコートしてから、上記実施例１と同様の保護
層４を形成した。なお、上記基板のロツクウエル
硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、110℃であつた。これに対し、
上記硬質層６のロツクウエル硬度ASTMD785は
M110であり、熱変形温度ASTMD648は、115℃
であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが0.64、
I3／Itopが0.34、ブロツクエラーレートBLERが
8.0×10^-3であつた。

実施例６上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリオレフイン基板の上に、１，1′ジブチ
ル３，３，3′，3′テトラメチル５，5′ジエトキシ
インドジカーボシアニンパークロレートを用い
て、上記実施例１と同様の方法で光吸収層２を形
成した後、この上に硬質層６として、膜厚50nm
のシリコンアクリル樹脂層を形成し、その上に光
反射層３として、真空蒸着法により膜厚50nmの
Au膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高め
るためエポキシ樹脂をスピンコートしてから、上
記実施例１と同様の保護層４を形成した。なお、
上記基板のロツクウエル硬度ASTMD785はM75
であり、熱変形温度ASTMD648は、140℃であ
つた。これに対し、上記硬質層６のロツクウエル
硬度ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、200℃であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が74％、I11／Itopが0.61、
I3／Itopが0.33、ブロツクエラーレートBLERが
2.3×10^-3であつた。

実施例７上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するエポキシ樹脂基板の上に１，1′ジブチル
３，３，3′，3′テトラメチル５，5′ジエトキシイ
ンドジカーボシアニンパークロレートを用いて、
上記実施例１と同様の方法で光吸収層２を形成し
た後、この上に硬質層６として、膜厚50nmのシ
リコン樹脂層を形成し、その上に光反射層３とし
て、真空蒸着法により膜厚50nmのAl膜を形成
し、さらにこの上に、上記実施例１と同様の保護
層４を形成した。なお、上記基板のロツクウエル
硬度ASTMD785はM90であり、熱変形温度
ASTMD648は、135℃であつた。これに対し、
上記硬質層６のロツクウエル硬度ASTMD785は
M100であり、熱変形温度ASTMD648は、180℃
であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が73％、I11／Itopが0.61、
I3／Itopが0.30、ブロツクエラーレートBLERが
2.0×10^-3であつた。

実施例８上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリカーボネート（帝人化学製、パンライ
ト）基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸
着法により膜厚50nmのAg膜を形成し、この上に
硬質層６として、膜厚50nmのシリコンアクリル
層を形成し、さらにこの上に上記実施例１と同様
の保護層４を形成した。なお、上記基板のロツク
ウエル硬度ASTMD785はM75であり、熱変形温
度ASTMD648は、135℃であつた。これに対し、
上記硬質層６のロツクウエル硬度ASTMD785は
M100であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃
であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が71％、I11／Itopが0.64、
I3／Itopが0.34、ブロツクエラーレートBLERが
3.7×10^-3であつた。

実施例９上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリカーボネート（三菱ガス化学製、ユー
ピロン）基板の上に、上記と同様にして光吸収層
２を形成した後、その上に光反射層３として、真
空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さら
にこの上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚
7μmのエポキシ樹脂を形成した。なお、上記基板
のロツクウエル硬度ASTMD785はM75であり、
熱変形温度ASTMD648は、135℃であつた。こ
れに対し、上記硬質層６のロツクウエル硬度
ASTMD785はM90であり、熱変形温度
ASTMDD648は、140℃であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが0.63、
I3／Itopが0.33、ブロツクエラーレートBLERが
2.7×10^-3であつた。

実施例 10 上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリスチレン基板の上に、上記と同様にし
て光吸収層２を形成した後、この上に光反射層３
として、真空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形
成し、この上に保護層を兼ねる硬質層６として、
膜厚10μmのアクリル樹脂層を形成した。なお、
上記基板のロツクウエル硬度ASTMD785はM80
であり、熱変形温度ASTMD648は、89℃であつ
た。これに対し、上記硬質層６のロツクウエル硬
度ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、100℃であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが0.63、
I3／Itopが0.32、ブロツクエラーレートBLERが
7.1×10^-3であつた。

実施例 11 上記実施例１と同様に形状及びプリグルーブを
有するポリメチルメタクリレート基板の上に、上
記と同様にして光吸収層２を形成した後、その上
に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚
50nmのAu膜を形成し、さらにこの上に、結着性
を高めるエポキシ樹脂をスピンコートしてから、
保護層を兼ね硬質層６として、膜厚10μmのポリ
エステル樹脂層を形成した。なお、上記基板のロ
ツクウエル硬度ASTMD785はM100であり、熱
変形温度ASTMD648は、110℃であつた。これ
に対し、上記硬質層６のロツクウエル硬度
ASTMD785はM110であり、熱変形温度
ASTMD648は、115℃であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にしてデータを記録し、これを再生したところ、
半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが0.65、
I3／Itopが0.34、ブロツクエラーレートBLERが
8.3×10^-3であつた。

実施例 12 直径46〜100mmφの範囲に（ROM領域１０）
に、幅0.6μm、深0.10μm、ピツチ1.6μmのスパイ
ラル状のCDフオーマツト信号が再生できるプレ
ピツト８が形成され、その直径100〜117mmφの範
囲（記録可能領域１１）に、幅0.7μm、深さ
0.07μm、ピツチ1.6μmのスパイラル状のプリグル
ーブが形成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径
15mmφのポリオレフイン基板１を射出成形法によ
り成形した。

上記基板の直径100mmφより外周側の部分、つ
まり記録可能領域１１の上にのみ、１，1′ジブチ
ル３，３，3′，3′テトラメチル５，5′ジエトキシ
インドジカーボシアニンパークロレートをスピン
コート法により塗布し、光吸収層２を形成した
後、基板１の全面にわたり光反射層３として、真
空蒸着法により膜厚50nmのAu膜を形成し、さら
にこの上に、結合を高めるためエポキシ樹脂をス
ピンコートしてから、保護層を兼ねる硬質層６と
して、膜厚7μmのシリコンアクリル樹脂層を形成
した。なお、上記基板のロツクウエル硬度
ASTMD785はM75であり、熱変形温度
ASTMD648は、140℃であつた。これに対し、
上記硬質層６のロツクウエル硬度ASTMD785は
M100であり、熱変形温度ASTMD648は、200℃
であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にして上記記録可能領域１１にデータを記録し、
ROM領域及び記録可能領域について再生したと
ころ、記録可能領域での半導体レーザの反射率が
71％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.34、ブロツ
クエラーレートBLERが2.4×10^-3であり、ROM
領域での半導体レーザの反射率が90％、I11／
Itopが0.80、I3／Itopが0.50、ブロツクエラーレ
ートBLERが1.0×10^-3であつた。

実施例 13 直径46〜100mmφの範囲に（ROM領域１０）
に、幅0.6μm、深0.10μm、ピツチ1.6μmのスパイ
ラル状のCDフオーマツト信号が再生できるプレ
ピツト８が形成され、その外側の直径100〜117mm
φの範囲（記録可能領域１１）に、幅0.7μm、深
さ0.07μm、ピツチ1.6μmのスパイラル状のプリグ
ルーブが形成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内
径15mmφのエポキシ樹脂基板１を射出成形法によ
り成形した。

上記基板の直径100mmφより外周側の部分、つ
まり記録可能領域１１の上にのみ、１，1′ジブチ
ル３，３，3′，3′テトラメチル５，5′ジエトキシ
インドジカーボシアニンパークロレートをスピン
コート法により塗布し、光吸収層２を形成した
後、基板１の全面にわたり光反射層３として、真
空蒸着法により膜厚50nmのAl膜を形成し、この
上に保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚7μmの
シリコン樹脂層を形成した。なお、上記透光性基
板１のロツクウエル硬度ASTMD785はM90であ
り、熱変形温度ASTMD648は、135℃であつた。
これに対し、上記硬質層６のロツクウエル硬度
ASTMD785はM100であり、熱変形温度
ASTMD648は、180℃であつた。

この光デイスクについて、上記実施例１と同様
にして上記記録可能領域１１にデータを記録し、
ROM領域及び記録可能領域について再生したと
ころ、記録可能領域での半導体レーザの反射率が
72％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.32、ブロツ
クエラーレートBLERが2.1×10^-3であり、ROM
領域での半導体レーザの反射率、I11／Itop、
I3／Itop、ブロツクエラーレートは上記実施例12
と同様であつた。

（比較例）上記実施例において、紫外線硬化性樹脂により
形成された保護層４の硬化後のロツクウエル硬度
ASTMD785を、M60、熱変形温度ASTMD648
（4.6Kg／cm²）を90℃としたこと以外は、同実施例
と同様にして、光デイスクを製作した。

この光デイスクに、上記実施例と同様にして波
長780nmの半導体レーザを線速1.2m／secで照射
し、EFM信号を記録したところ、基板１の板面
側には、十分明瞭なピツトが確認できなかつた。
そして、この光デイスクを、上記実施例１で用い
たのと同じCDプレーヤで再生したところ、光デ
イスクの反射率が71％、I11／Itopが0.7、I3／
Itopが0.37であつたが、ブロツクエラーレート
BLERが1.5×10^-3であり、上述したCD規格を満
足することができなかつた。

〔発明の効果〕

以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体と
その記録方法によれば、硬質層を設けたことによ
りCD規格に規定されたブロツクエラーレートの
範囲内の再生信号を得ることができ、さらに、そ
の記録された記録信号を長期にわたつて安定して
維持する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す
模式半断面斜視図、第２図は、第１図の光記録前
のトラツキング方向に断面した拡大断面図、第３
図は、第１図の光記録後のトラツキング方向に断
面した拡大断面図、第４図は、光情報記録媒体の
構造の他の例を示す模式半断面斜視図、第５図
は、第４図のＡ部拡大断面図、第６図は、第４図
のＢ部拡大断面図、第７図は、記録後の光情報記
録媒体の透光性基板の表面を示す要部拡大斜視
図、第８図は、上記透光性基板の表面をSTM
（Scannig Tunnelig Microscope）で観察したと
きのチツプのトラツキング方向に沿う移動距離と
高度の関係を示すグラフの例、第９図は、硬質層
の硬度とブロツクエラーレートとの関係の例を示
すグラフ、第１０図は、再生時のブロツクエラー
レートの経時変化を示したグラフである。１……基板、２……光吸収層、３……光反射
層、４……保護層、６……硬質層、９……ピツ
ト、１０……ROM領域、１１……記録可能領
域、１２……プリグルーブ。

Claims

【特許請求の範囲】１レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、
該透光性基板の上に直接または他の層を介して設
けられたレーザ光を吸収する光吸収層と、該光吸
収層の上に直接または他の層を介して設けられた
レーザ光を反射する光反射層を少なくとも有し、
上記光吸収層より透光性基板側には、同透光性基
板を通して入射したレーザ光が上記光吸収層で吸
収されることにより発生したエネルギにより変形
される層を有し、上記光吸収層より上記光反射層
側に硬質層を有し、この硬質層の硬度が上記変形
される層よりも高いことを特徴とする光情報記録
媒体。２レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、
該透光性基板の上に直接または他の層を介して設
けられたレーザ光を吸収する光吸収層と、該光吸
収層の上に直接または他の層を介して設けられた
レーザ光を反射する光反射層を少なくとも有し、
上記光吸収層より透光性基板側には、同透光性基
板を通して入射したレーザ光が上記光吸収層で吸
収されることにより発生したエネルギにより変形
される層を有し、上記光吸収層より上記光反射層
側にロツクウエル硬度ASTMD785においてM75
以上の硬質層を有することを特徴とする光情報記
録媒体。３レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、
該透光性基板の上に直接または他の層を介して設
けられたレーザ光を吸収する光吸収層と、該光吸
収層の上に直接または他の層を介して設けられた
レーザ光を反射する光反射層を少なくとも有し、
上記光吸収層より透光性基板側には、同透光性基
板を通して入射したレーザ光が上記光吸収層で吸
収されることにより発生したエネルギにより変形
される層を有し、上記光吸収層より上記光反射層
側に熱変形温度ASTM D648（4.6Kg／cm²）におい
て80℃以上の硬質層を有することを特徴とする光
情報記録媒体。４特許請求の範囲第１〜３請求項の何れかにお
いて、硬質層が、紫外線硬化性樹脂のスピンコー
ト膜により形成されている光情報記録媒体。５特許請求の範囲第１〜４請求項の何れかにお
いて、硬質層が、光吸収層と光反射層との間に形
成されている光情報記録媒体。６特許請求の範囲第１〜５請求項の何れかにお
いて、硬質層が、光吸収層に対して光反射層の背
後に形成されている光情報記録媒体。７特許請求の範囲第１〜６請求項の何れかにお
いて、上記光吸収層が透光性基板上の一部の領域
に形成され、同光吸収層の無い領域に予め信号再
生用ピツトが形成されたROM領域を有する光情
報記録媒体。８レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、
該透光性基板の上に直接または他の層を介して設
けられたレーザ光を吸収する有機色素からなる光
吸収層と、該光吸収層の上に直接または他の層を
介して設けられたレーザ光を反射する光反射層を
少なくとも有する光情報記録媒体に情報を記録す
る方法において、上記光吸収層より透光性基板側
に変形される層を有し、上記光吸収層より上記光
反射層側に硬質層を有し、この硬質層の硬度が上
記変形される層よりも高い光情報記録媒体を用
い、基板側からレーザ光を照射することにより光
吸収層にエネルギを与え、透光性基板側の層を変
形させて情報を記録することを特徴とする光情報
記録方法。