JPS60154097A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPS60154097A JPS60154097A JP59009841A JP984184A JPS60154097A JP S60154097 A JPS60154097 A JP S60154097A JP 59009841 A JP59009841 A JP 59009841A JP 984184 A JP984184 A JP 984184A JP S60154097 A JPS60154097 A JP S60154097A
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、情報記録材料としてキナクリドン系顔料を担
持させた情報記録媒体に関する。
持させた情報記録媒体に関する。
近年、フンビューターで取り扱われる情報量が増大する
につれて情報を蓄積するメモリ（記録媒体）は大容量化
しつつあり、その／っとして光デイスクメモリが脚光を
浴びている。
につれて情報を蓄積するメモリ（記録媒体）は大容量化
しつつあり、その／っとして光デイスクメモリが脚光を
浴びている。
従来、追記型光デイスク用の記録材料として、８、 Ｓ
ｅ 、 Ｔｏ等のカルコゲンを利用したものや、田、Ｓ
ｂ 、 Ｓｈ 、 Ｐｂ 、 Ｉｎ等の低融点の金属を
用いたものが主流をなしている。
ｅ 、 Ｔｏ等のカルコゲンを利用したものや、田、Ｓ
ｂ 、 Ｓｈ 、 Ｐｂ 、 Ｉｎ等の低融点の金属を
用いたものが主流をなしている。
しかし、これらのカルコゲンは一般に前件が強く、更に
金属は一般に非常に酸化され易い欠点を有している。
金属は一般に非常に酸化され易い欠点を有している。
一般に、情報記録材料に金属あるいは半金属を使用した
場合、その原子が高酸化状態にない限り酸化を防止する
ことは難しく、たとえ、酸化され易い金属あるいは半金
属をＡ１２０ｉ、Ｔｉ０ｚ 、Ｃｒ０ｔ 、Ｇｅ０ｚ、
Ｓｉｎ、、Ｂｉ２０Ｂ、５ｂｚＯ３、Ｔａ２０５等の酸
化物によりサンドインチ状にして酸化を防止できても、
逆に製造工程が増加するという欠点を持つことになる。
場合、その原子が高酸化状態にない限り酸化を防止する
ことは難しく、たとえ、酸化され易い金属あるいは半金
属をＡ１２０ｉ、Ｔｉ０ｚ 、Ｃｒ０ｔ 、Ｇｅ０ｚ、
Ｓｉｎ、、Ｂｉ２０Ｂ、５ｂｚＯ３、Ｔａ２０５等の酸
化物によりサンドインチ状にして酸化を防止できても、
逆に製造工程が増加するという欠点を持つことになる。
このような欠点を有する金属あるいは半金属を使用する
以外に、化学的性質上安定な有機色素、染料及び顔料を
情報記録材料として利用することが好ましいと類推され
るが、実用化に満足しうる有機化合物は見い出されてい
ない。
以外に、化学的性質上安定な有機色素、染料及び顔料を
情報記録材料として利用することが好ましいと類推され
るが、実用化に満足しうる有機化合物は見い出されてい
ない。
本発明者は、上記従来技術に鑑みて鋭意研究を重ねた結
果、化学的に安定なキナクリドン系顔料を情報記録材料
として使用することによって上記欠点を解消し、かつ高
密度、高感度で情報記録できることを見い出し本発明の
完成に至った。
果、化学的に安定なキナクリドン系顔料を情報記録材料
として使用することによって上記欠点を解消し、かつ高
密度、高感度で情報記録できることを見い出し本発明の
完成に至った。
本発明の情報記録材料に使用されるキナクリドン系顔料
の化学構造は下記の一般式により示され。
の化学構造は下記の一般式により示され。
シス体とトランス体がある。
シス体 トランス体
但し、ＸはＣＨ２，ＮＨ％Ｓ及びＮ−フルキルイミノ基
を示し、ＲはＨ，ハロゲン、アルキル、アルケニル、ヒ
ドロキシ、アルコキシ、アミン、Ｎ−フルキルアミノ基
、その他芳香族項、縮合多項、縮合複素環等を含む。ま
た、ｎは／〜グの整数である。
を示し、ＲはＨ，ハロゲン、アルキル、アルケニル、ヒ
ドロキシ、アルコキシ、アミン、Ｎ−フルキルアミノ基
、その他芳香族項、縮合多項、縮合複素環等を含む。ま
た、ｎは／〜グの整数である。
具体的な例としては、無置換キナクリドン、２゜９−ジ
クロロキナクリドン、３１１０−ジクロロキナクリドン
、４’、／／−ジクロロキナクリドン、２１デージメチ
ルキナクリドン、コ、？−ジメトキシキナクリドン１．
２．ｌＩ、り、／／−テトラメチルキナクリドン、 ／
、 ２．４’、ざ、９．／／−へキサクロロキナクリド
ン、Ａ、７．３−ジヒドロキナクリドン、ペンゾビスチ
アクｐモン等が挙げられる。
クロロキナクリドン、３１１０−ジクロロキナクリドン
、４’、／／−ジクロロキナクリドン、２１デージメチ
ルキナクリドン、コ、？−ジメトキシキナクリドン１．
２．ｌＩ、り、／／−テトラメチルキナクリドン、 ／
、 ２．４’、ざ、９．／／−へキサクロロキナクリド
ン、Ａ、７．３−ジヒドロキナクリドン、ペンゾビスチ
アクｐモン等が挙げられる。
以下に本発明の情報記録媒体の構成について添付図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図は基板／と情報記録層−からなり保護層のない場
合であり、第一図は保護層３のある場合である。保護層
の存在は必須ではないが望ましい。
合であり、第一図は保護層３のある場合である。保護層
の存在は必須ではないが望ましい。
第３図は基板／と情報記録層コの間に金属反射層グを設
けた場合であり、第グ図は更に保護層３のある場合であ
る。保護層の存在は必須ではないが望ましい。第Ｓ図は
第１図の例に加えて金属反射層グのある場合で、第６図
は第Ｓ図の例に加えて保瞳層３のある場合である。保護
層の存在は必須ではないが望ましい。第７図は第Ｓ図に
加えて基板／と情報記録層コの間に金属反射層ダを設け
た場合であり、第３図は第７図に加えて保護層３を設け
た層構成を示す。第９図は第３図に加えて情報記録層−
と金属反射層ｑの間に中間層５を設けた場合であり、第
１Ｏ図は第７図に保護層Ｊを設けた場合である。
けた場合であり、第グ図は更に保護層３のある場合であ
る。保護層の存在は必須ではないが望ましい。第Ｓ図は
第１図の例に加えて金属反射層グのある場合で、第６図
は第Ｓ図の例に加えて保瞳層３のある場合である。保護
層の存在は必須ではないが望ましい。第７図は第Ｓ図に
加えて基板／と情報記録層コの間に金属反射層ダを設け
た場合であり、第３図は第７図に加えて保護層３を設け
た層構成を示す。第９図は第３図に加えて情報記録層−
と金属反射層ｑの間に中間層５を設けた場合であり、第
１Ｏ図は第７図に保護層Ｊを設けた場合である。
本発明において使用される基板材料は当業者には既知の
ものであり、透明または不透明のいずれでもよい。基板
材料の材質としては、ガラス、マイカ、アルミニウム等
の無機材料とポリエステル、ポリプロピレン、ポリカー
ボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、ポリメチルメタクリレート等のポリマー、あるいはこ
れらの変性ポリマー、コポリマー、ブレンド物等の有機
材料が挙げられ、形状としてフィルムまたは板を挙げる
ことができる。特に好ましく用いられる基板としては、
ポリエステル、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレー
ト及びポリカーボネートからなる板及びフィルムが挙げ
られる。
ものであり、透明または不透明のいずれでもよい。基板
材料の材質としては、ガラス、マイカ、アルミニウム等
の無機材料とポリエステル、ポリプロピレン、ポリカー
ボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン
、ポリメチルメタクリレート等のポリマー、あるいはこ
れらの変性ポリマー、コポリマー、ブレンド物等の有機
材料が挙げられ、形状としてフィルムまたは板を挙げる
ことができる。特に好ましく用いられる基板としては、
ポリエステル、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレー
ト及びポリカーボネートからなる板及びフィルムが挙げ
られる。
本発明の情報記録媒体におけるキナクリドン系の膜厚は
１０θλ〜３μｍ、好ましくは３００１〜３μｍ であ
り、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等の一般に行なわ
れている薄膜形成法で成膜することができる。また、必
要に応じてバインダーと混合して成膜することができる
。
１０θλ〜３μｍ、好ましくは３００１〜３μｍ であ
り、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレード
法、キャスト法、スピナー法、浸漬法等の一般に行なわ
れている薄膜形成法で成膜することができる。また、必
要に応じてバインダーと混合して成膜することができる
。
保護層の存在は必須ではないが必要に応じて使用しても
よい。使用する場合は、機械的強度が大で記録層と反応
しにくく、皮膜性が良いものであればどのようなもので
あってもよい。代表的な例としでは、Ａｌ２Ｏ，、Ｚｒ
Ｏ２、Ｃｒ２０１、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｔｉ ０２、
Ｂｉ２Ｏ５、Ａｓ２Ｏ３，５ｂ２０３、Ｔａ２０５、Ｓ
ｍ２０Ｂ、Ｙ２Ｏ３等の無機材料及びポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、フッ素
ゴム、ポリビニルブチラール、ポリエステル、善ボキシ
樹脂、ポリウレタン、バラシクロファンの開環重合体等
の有機材料が挙げられる。膜厚は３０λ〜！；ｐｍ、好
ましくはｓｏＡ〜コμｍとし、成膜法は真空蒸着法、ス
パッタリング法、グロー放電法、溶剤塗布法、気相成長
法等の一般に行なわれている薄膜形成法でよい。
よい。使用する場合は、機械的強度が大で記録層と反応
しにくく、皮膜性が良いものであればどのようなもので
あってもよい。代表的な例としでは、Ａｌ２Ｏ，、Ｚｒ
Ｏ２、Ｃｒ２０１、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２、Ｔｉ ０２、
Ｂｉ２Ｏ５、Ａｓ２Ｏ３，５ｂ２０３、Ｔａ２０５、Ｓ
ｍ２０Ｂ、Ｙ２Ｏ３等の無機材料及びポリ塩化ビニリデ
ン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、フッ素
ゴム、ポリビニルブチラール、ポリエステル、善ボキシ
樹脂、ポリウレタン、バラシクロファンの開環重合体等
の有機材料が挙げられる。膜厚は３０λ〜！；ｐｍ、好
ましくはｓｏＡ〜コμｍとし、成膜法は真空蒸着法、ス
パッタリング法、グロー放電法、溶剤塗布法、気相成長
法等の一般に行なわれている薄膜形成法でよい。
本発明で使用される金属反射層としては、Ａ１、Ａｇ
、 Ａｕ 、 Ｃｒ 、 Ｂｉ 、 ＰＬ 、 Ｃｕ
１Ｎｉ 、 Ｆｅ 、 Ｃｏ 、 論、 Ｔｅ 、 Ｓ
ｂ 、 Ｓｎ 、 Ｇｅ 、Ｉｎ等の単元素以外にもＢ
ｉ２Ｔｅ３ 、ＩｎＳｂ等の金属間化合物も挙げられる
。特にＡＩ 、 Ｂｌ 、Ｃｒ 、 Ｐｔが好ましい。
、 Ａｕ 、 Ｃｒ 、 Ｂｉ 、 ＰＬ 、 Ｃｕ
１Ｎｉ 、 Ｆｅ 、 Ｃｏ 、 論、 Ｔｅ 、 Ｓ
ｂ 、 Ｓｎ 、 Ｇｅ 、Ｉｎ等の単元素以外にもＢ
ｉ２Ｔｅ３ 、ＩｎＳｂ等の金属間化合物も挙げられる
。特にＡＩ 、 Ｂｌ 、Ｃｒ 、 Ｐｔが好ましい。
膜厚は１００又〜３μｍが好ましく、ｌＳＯ＾〜ｔｏｏ
ｏ’ｈが最も望ましい。成膜法は真空蒸着、スパッタリ
ング法等の公知の薄膜形成技術で行なうことができる。
ｏ’ｈが最も望ましい。成膜法は真空蒸着、スパッタリ
ング法等の公知の薄膜形成技術で行なうことができる。
中間層の存在は必須ではないが必要に応じて使用しても
よい。中間層としてはＡ１．０３、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ
３、−０２，５ｉｏ２、ＴｉＯ２、Ｂｉ２０３、Ａ３２
０３．５ｂ２０３、ＴａｚＯ５、Ｓｍ２Ｏ３、’％Ｏｓ
等の無機材料やポリ塩化ビニリデン、ポリエステル、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、フッ素ゴム、
ポリウレタン、エポキシ樹脂、バラシクロファンの開環
重合体等の有機材料が挙げられる。膜厚は、２Ｓλ〜３
μｍ、好ましくはＳＯλ〜／μｍであり、真空蒸着法、
スパッタリング法、グロー放電法、溶剤塗布法等で成膜
することができる。
よい。中間層としてはＡ１．０３、ＺｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ
３、−０２，５ｉｏ２、ＴｉＯ２、Ｂｉ２０３、Ａ３２
０３．５ｂ２０３、ＴａｚＯ５、Ｓｍ２Ｏ３、’％Ｏｓ
等の無機材料やポリ塩化ビニリデン、ポリエステル、ポ
リスチレン、ポリメチルメタクリレート、フッ素ゴム、
ポリウレタン、エポキシ樹脂、バラシクロファンの開環
重合体等の有機材料が挙げられる。膜厚は、２Ｓλ〜３
μｍ、好ましくはＳＯλ〜／μｍであり、真空蒸着法、
スパッタリング法、グロー放電法、溶剤塗布法等で成膜
することができる。
本発明において情報記録時に使用されるエネルギーとし
ては、熱ペン等によるヒートエネルギー、キセノンフラ
ッシュ光及びレーザー光等が挙げられるが、高密度高速
記録という面からレーザー光が望ましい。なお、使用レ
ーザー光としてはＮ２、Ｈｅ−Ｎｅ、 Ｈｅ−Ｃｄ、Ａ
ｒ、ルビー、半導体、色素レーザー等を挙げることがで
きるが、特に軽量性、取り扱いの容易さ、コンパクト性
等の点から半導体レーザーが望ましい。
ては、熱ペン等によるヒートエネルギー、キセノンフラ
ッシュ光及びレーザー光等が挙げられるが、高密度高速
記録という面からレーザー光が望ましい。なお、使用レ
ーザー光としてはＮ２、Ｈｅ−Ｎｅ、 Ｈｅ−Ｃｄ、Ａ
ｒ、ルビー、半導体、色素レーザー等を挙げることがで
きるが、特に軽量性、取り扱いの容易さ、コンパクト性
等の点から半導体レーザーが望ましい。
次に、本発明を更に詳細に説明するために実施例を挙げ
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
るが、本発明はこれに限定されるものではない。
実施例１
ジエチルサクシニルコハク酸とアニリンとの縮合を行な
い、コ、Ｓ−ジアリルアミノー３，６−シヒドロテレフ
タル酸ジエチルエステルを生成後、酸化、加水分解する
ことによって一１Ｓ−ビス（フェニルアミノ）テレフタ
ル酸とし、ポリリン酸で脱水閉環して無置換キナクリド
ン（以下キナクリドンと記載する）を得た。
い、コ、Ｓ−ジアリルアミノー３，６−シヒドロテレフ
タル酸ジエチルエステルを生成後、酸化、加水分解する
ことによって一１Ｓ−ビス（フェニルアミノ）テレフタ
ル酸とし、ポリリン酸で脱水閉環して無置換キナクリド
ン（以下キナクリドンと記載する）を得た。
得られたキナクリドンを／ ｏ ｏ ｒｐ＝の回転速度
で回転させている厚さｉ ｓ ｍｔ 、直径１コＯｃｍ
のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ ）基板にＥ×
１０−’鵡珈、基板温度を室温で蒸着させ、７θ０１１
０００人の膜厚としたサンプルを作製した。
で回転させている厚さｉ ｓ ｍｔ 、直径１コＯｃｍ
のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ ）基板にＥ×
１０−’鵡珈、基板温度を室温で蒸着させ、７θ０１１
０００人の膜厚としたサンプルを作製した。
これらのサンプルを４００ ｒＰｌで回転させ、発振波
長ｇ３θＯ＾ の半導体レーザー光をＰ ＭＭＡ基板越
しに情報記録面上にレンズでビーム径１μｍまで集光さ
せて、レーザー出力パワーの情報記録面での強度を／コ
ｍＷまで変化させなから左００ ｙｌｓＢのパルス幅に
変調し記録を行なった。再生は、レーザー出カバワーフ
４ｔｍＷでの反射光により行ない、Ｃ／Ｎ（ｃａｒｒｉ
ｅｒ ／ ｎｏｉｓｅ ）比はスペクトルアナライザー
でキャリア信号について測定した。各サンプルについて
得られたＣ／Ｎ比を第１表に示す。
長ｇ３θＯ＾ の半導体レーザー光をＰ ＭＭＡ基板越
しに情報記録面上にレンズでビーム径１μｍまで集光さ
せて、レーザー出力パワーの情報記録面での強度を／コ
ｍＷまで変化させなから左００ ｙｌｓＢのパルス幅に
変調し記録を行なった。再生は、レーザー出カバワーフ
４ｔｍＷでの反射光により行ない、Ｃ／Ｎ（ｃａｒｒｉ
ｅｒ ／ ｎｏｉｓｅ ）比はスペクトルアナライザー
でキャリア信号について測定した。各サンプルについて
得られたＣ／Ｎ比を第１表に示す。
実施例コ
厚さｌコ■、直径：１０ｃｍのＰＭＭＡ基板上に、実施
例／と同様にして、キナクリドンを６０９、ｇｏｏ。
例／と同様にして、キナクリドンを６０９、ｇｏｏ。
１０００＾の膜厚に形成後、膜厚ＳＯＯ＾のＡｌ薄膜を
設けたサンプルを作製した。各サンプルについて実施例
／と同様の評価を行なった。各サンプルについて得られ
たＣハ比を第−表に示す。
設けたサンプルを作製した。各サンプルについて実施例
／と同様の評価を行なった。各サンプルについて得られ
たＣハ比を第−表に示す。
（以下余白）
実施例３
ジエチルサクシニルコノ＼り酸とｐ−クロロアニリンと
の縮合を行ない、！、、ｔ−ジアリルアミノー３．６−
シヒドロテレフタル酸ジエチルエステルを生成後、酸化
、加水分解及び脱水閉環してコ、９−ジクロロキナクリ
ドンを得た。
の縮合を行ない、！、、ｔ−ジアリルアミノー３．６−
シヒドロテレフタル酸ジエチルエステルを生成後、酸化
、加水分解及び脱水閉環してコ、９−ジクロロキナクリ
ドンを得た。
厚さ／：ｌ １ｍ＋１．直径−〇錦のＰＭＭＡ基板上に
、実施例／と同様にして、コ、９−ジクｐロキナク１ノ
ドンを／ ００．０人の膜厚に形成後、膜厚５ｏｏＸの
Ａｌ薄膜を設けたサンプルを作製した。このサンプルに
ついて実施例／と同様の評価を行なった結果、Ｃ／Ｎ比
としてｊ！；ｄＢ得られた。
、実施例／と同様にして、コ、９−ジクｐロキナク１ノ
ドンを／ ００．０人の膜厚に形成後、膜厚５ｏｏＸの
Ａｌ薄膜を設けたサンプルを作製した。このサンプルに
ついて実施例／と同様の評価を行なった結果、Ｃ／Ｎ比
としてｊ！；ｄＢ得られた。
第１図にいし第１Ｏ図は、本発明の情報記録媒体に関連
する種々の情報記録媒体の構造例を示す断面図である。 図中、／は基板、コは情報記録層、３は保静層、弘は金
属反射層、左は無機あるいは有機物からなる中間層であ
る。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人弁理士 星 野 透
する種々の情報記録媒体の構造例を示す断面図である。 図中、／は基板、コは情報記録層、３は保静層、弘は金
属反射層、左は無機あるいは有機物からなる中間層であ
る。 特許出願人 旭化成工業株式会社 代理人弁理士 星 野 透
Claims (1)
- （１）、基板にキナクリドン系顔料を担持せしめたこと
を特徴とする情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009841A JPS60154097A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59009841A JPS60154097A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154097A true JPS60154097A (ja) | 1985-08-13 |
Family
ID=11731345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59009841A Pending JPS60154097A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154097A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320742A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH01143870A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-06-06 | Basf Ag | ジヒドロキナクリドン、キナクリドン及びキナクリドンキノンの製法 |
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