JPH02132657A

JPH02132657A - 光情報記録媒体とそれを用いた光情報記録方法

Info

Publication number: JPH02132657A
Application number: JP1196319A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ishiguro; 隆石黒; Ariake Shin; 有明辛; Emiko Hamada; 浜田　恵美子; Yuji Arai; 新井　雄治
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-07-30
Filing date: 1989-07-28
Publication date: 1990-05-22
Also published as: JPH0375943B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録デ
ータを再生する光情報記録媒体とこれを用いた光情報記
録方法に関する。

［従来の技術］レーザ光の照射により、データを記録することができる
、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒体は、Ｔ　８％
　　Ｂ　１％　　Ｍ　ｎ等の金属層や、シアニン、メロ
シアニン、フタロシアニン等の色素層等からなる記録層
を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を変形、昇
華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを形成し、
データを記録する。この記録層を有する光情報記録媒体
では、ピットを形成する際の記録層の変形、昇華、蒸発
或は変性等を容易にするため、記録層の背後に空隙を設
けることが一般に行なわれている。具体的には例えば、
空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆるエアサ
ンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられる。

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板ｌ側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板１側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのピットを予めプレス等の
手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上
にＡ　ｕｓ　　Ａ　ｇｚ　　Ｃ　ｕｓ　　Ａ　Ｉ　”ｆ
Ｆの金属膜からなる光反射層を形成し、さらにこの上を
保護層で覆ったものである。

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及して
いる。

［発明が解決しようとする課題コ上記書き込み可能な光情報記録媒体は、再生に際し、既
に広く普及したＣＤとの互換性を有し、ＣＤプレーヤで
そのまま再生できることが強く望まれる。

しかしながら、前者の書き込み可能な光情報記録媒体は
、ＣＤには無い記録層を有し、基板にではなく、この記
録層にピットを形成して記録する手段がとられる。さら
に、この記録層にピットを形成するのを容易にするため
の空ＦＭｆＱ等を有することから、再生信号が自ずとＣ
Ｄと異なってくる。このため、いわゆるＣＤについての
規格を定めた上記ＣＤフォーマットを満足することが困
難である。従って、従来においては、ＣＤに適合する書
き込み可能な光情報記録媒体を提供することができなか
った。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、データの再生に際し、ＣＤ規格に規
定する範囲内のブロックエラーレートの出力信号が得ら
れる書き込みが可能な光情報記録媒体およびこの光情報
記録媒体を用いた光情報記録方法を提供することにある
。

［課題を解決するための手段コすなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用した手段の要旨は、第一に、レーザ光入射側に設けら
れた透光性基板と、該透光性基板の上に直接または他の
層を介して設けられたレーザ光を吸収する光吸収層と、
該光吸収層の上に直接または他の層を介して設けられた
レーザ光を反射する光反射層を少なくとも有し、上記光
吸収層より透光性基板側には、同透光性基板を通して入
射したレーザ光が上記光吸収層で吸収されることにより
発生したエネルギにより変形される層を有し、上記光吸
収層より上記光反射層側に硬質層を有し、この硬質層の
硬度が上記変形される層よりも高い光情報記録媒体であ
る。

第二に、上記硬質層が、ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７
８５においてＭ７５以上、または、熱変形温度ＡＳＴＭ
　　Ｄ６４８　（４．ｅ３ｋｇ／ｃｍ２）において８０
℃以上である光情報記録媒体である。

上記光情報記録媒体においては、硬質層が光吸収層と反
射層との間、または光吸収層に対して光反射層の背後側
に或はその双方に形成されている場合を含む。

また、上記光情報記録媒体は、光吸収層が透光性基板上
の一部の領域に形成され、同光吸収層の無い領域に予め
信号再生用のピットが形成されたＲＯＭ領域を有する光
情報記録媒体であってもよい。

第三に、レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、該
透光性基板の上に直接または他の層を介して設けられた
レーザ光を吸収する有機色素からなる光吸収層と、該光
吸収層の上に直接または他の層を介して設けられたレー
ザ光を反射する光反射層を少なくとも有する光情報記録
媒体に情報を記録する方法において、上記光吸収層より
透光性基板側に変形される層を有し、上記光吸収層より
上記光反射層側に硬質層を有し、この硬質層の硬度が上
記変形される層よりも高い光情報記録媒体を用い、基板
側からレーザ光を照射することにより光吸収層にエネル
ギを与え、基板側の層を変形させて情報を記録する光情
報記録方法である。

［作　　　用コ本発明による光情報記録媒体及び光情報記録方法によれ
ば、光吸収層にレーザを照射することにより与えられた
エネルギは、基板側の層の変形を引き起こす。そのとき
、光吸収層の背後側に上記基板よりも硬い硬質層を存す
ると、基板側の層の変形作用が反射層側の層には影響を
与えないため、基板側の層にのみ、ピットが形成される
ことになる。基板ｆｉｌｑの層のみにピットが形成され
た場合には、反射層側に形成された変形部分を原因とす
る二次的な反射光が生じないため、再生波形の歪がなく
、ブロックエラーレートを低く抑えることができる。

光吸収層は、レーザ光の照射により発生するエネルギは
、熱エネルギを伴うため、硬質層が熱変形温度の高い層
である場合も上記と同様の作用を有する。

本発明者らは、実験の結果、ＣＤ規格に準拠した再生信
号を得るためには、硬質層がロックウェル硬度ＡＳＴＭ
Ｄ７８５においてＭ７５以上または、熱変形温度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ６４８　（４．Ｅ３ｋｇ／ｃｍ２）において８
０℃である必要があることを見出だした。硬質層の硬度
とブロックエラーレートとの関係は、具体的には第９図
のように示される。

さらに、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８　（４．６ｋ
ｇ／ｃｍ２）において８０℃であると、耐熱試験を行っ
たときの記録されたピット形状の保存性が非常に高いこ
とがわかった。第ｌＯ図にその結果の一例をグラフとし
て示すが、このグラフは、温度７０℃、湿度２５％ＲＨ
の下でのブロックエラーレートの再生時の経時変化を示
したものである。このグラフからわかるように、熱変形
温度が高ければ高いほどブロックエラーレートの劣化が
少ないことがわかる。

硬質層を光吸収層と光反射層の間に設けた場合において
、反射層が金屈である場合は、硬質層にエンハンス層と
して、あるいは結着層としての機能を持たせることがで
きる。また、硬質層を光反射層の背面に設けた場合は、
その硬質層を保護層として、或は反射層の酸化防止層と
して機能させることができる。

さらに、透光性基板上の一部の領域に上記光吸収層が形
成され、同光吸収層の無い領域に予め信号再生用のピッ
１・が形成されたＲＯＭ領域を仔する光情報記録媒体で
は、ＲＯＭ領域に予めプレス等で大徂に画一的なデータ
を記録しておくことができ、しかもここには光吸収層が
無いため、誤消去や別なデータの誤記録のおそれが無い
。また、光吸収層を有する領域では、使用者独自のテ゛
一夕を任意に記録することができる。そして、この記録
されたデータがＣＤ規格に準じた信号をもって再生でき
るため、上記ＲＯＭ領域の情報と同様に、市販のＣＤプ
レーヤで再生することができる。

［実　施　例コ次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的なｔＴＩＩｆｆ造
の例を、第１図〜第３図及び第４図〜第６図に示す。同
図において、１は、透光性を有する基板、２は、その上
に形成された光吸収層で、！！ｑ射されたレーザ光を吸
収して基板ｌ側の層の表面にピットを形成する作用を有
する層である。

また３は、その上に形成された光反射層、４は、その外
側に設けられた保護層を示す。

第１図〜第３図で示した実施例は、光吸収層２と光反射
層３との間に、硬質層６が介在されている場合である。

これに対し、第４図〜第６図で示した実施例は、光反射
層３の背後に硬質層６を配置してある場合である。なお
、図示してはいないが、保護層４そのものを硬質層とし
て用いることができる。

また、第１図〜第３図で示した実施例では、光吸収層２
が基板ｌのほぼ全面に形成されていが、第４図〜第６図
で示した実施例では、透光性基板ｌの外周寄りの一部に
のみ光吸収層２が形成され、ここが記録可能領域１１と
なっており、それより内周側の部分にＲＯＭ領域１０が
形成されている。

第２図と第５図は、レーザ光による記録前の状態を、第
３図と第６図は、記録後の状態、すなわち、光ピックア
ップ８からの記録用のレーザ光を照射したとき、その照
射部分が凸状に変形され、ピット５が形成された状態を
模式的に示す。

第７図は、透光性基板１の表面に形成されたトラッキン
グ表示手段であるところのプリグループ１２に沿ってピ
ット５を形成するため、上記ブリグループ１２に沿って
光吸収層２にＥＦＭ信号に変調されたレーザスポットを
照射した後、保護層４と光反射層３を透光性基板１がら
ψノ離し、さらに同基板Ｉの表面から光吸収／ｉ？Ｊ２
を除去した状態を模式的に示している。

さらに、Ｓ　Ｔ　Ｍ　（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｕｎｎｅ
ｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　を用い、上記ブ
リグループ１２に沿って透光性基板ｌの表面の状態を観
察した例を、第８図に示す。同図では、チップ（探針）
ａのプリグループｌ２に沿う方向、つまりトラッキング
方向の移動距離を横軸にとり、透光性基板ｌの表面の高
度を縦軸にとって示してある。同図（ａ）は、ピットの
長さが１００００オングストロームと比較的短い場合で
あり、ここでは島さ約２００オングストロームの凸状の
明瞭な変形が形成されていることが理解できる。また、
同図（ｂ）は、ピットの長さが４００００オングストロ
ームと比較的長い場合であり、ここでは高さ約２００オ
ングストロームの凸状の変形が認められるが、この変形
の中間部がやや低《なっており、変形の峰が２つに分か
れていることが分かる。

上記光情報記録媒体の層構造及び、その記録方法の具体
例について、以下に説明する。

透光性基板１の材料は、レーザ光に対する屈折率が１．
４〜１．　　６の範囲の透明度の高い材料で、耐衝撃性
に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリカーボネー
ト、アクリル等が例示できるが、これらに限られるわけ
ではない。このような材料を用いて、基板は例えば射出
成形等の手段により成形される。

透光性基板１には、スバイラル状にブリグルーブ１２が
形成されていてもよい。プリグループは、通常考えられ
る条件のものであればどのような条件のものでもよいが
、５０〜２５００ｍの深さが好適である。

プリグループｌ２は、基板の射出成形時のスタンパを押
し当てることにより形成されるのが通常であるが、レー
ザによってカッティングすることや２Ｐ法によって作ら
れるものでもよい。

透光性基板ｌとレーザ吸収層との間に、８１０２等の耐
溶剤層やエンハンス層をコーティングしておいてもよい
。

光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素が望ましく、
シアニン色素、ポリメチン色素、トリアリールメタン色
素、ビリリウム色素、フェナンスレン色素、テトラデヒ
ドロコリン色素、トリアリールアミン色素、スクアリリ
ウム色素、クロコニックメチン色素、フタロシアニン色
禦、アズレニウム色素等が例示できるが、これらに限定
されるものではな《、低融点金属等、公知の記録層材料
を用いても本発明の効果を得ることが可能である。

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例えばニトロ
セルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性エラストマー）
、液ゴム等を含んでいても良い。

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤を公知の
佇機溶媒（たとえばアルコール、アセチルアセトン、メ
チルセロソロブ、ｌ−ルエン等）で溶解したものをブリ
グループが形成された透光性基板、またはさらに基板上
に他の層をコーティングした基板の表面に形成される。

この場合の形成手段としては、蒸若法、ＬＢ法、スピン
コート法等が挙げられるが、光吸収層の濃度、粘度、溶
剤の乾燥速度を調節することにより層厚を制御できるた
めに、スピンコート法が望ましい。

なお、第４図〜第６図のようなＲＯＭ領域ｌＯを有する
光情報記録媒体は、透光性基板ｌの表面のＲＯＭ領域１
０となる部分に信号再生用のピット９（第５図参照）を
スタンパ等で予め形成しておき、その外側の記録可能領
域１１にのみ上記材料をコーティングして光吸収層２を
形成することにより得られる。

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、銀、アル
ミニウムあるいはこれらを含む合金を、蒸着法、スパッ
タ法等の手段により形成される。

反射率が７０％以上を有することが必要であるため、金
または金を含む合金を主体とする金属で形成することが
望ましい。さらに、反射而の酸化を防止するための耐酸
化層等の他の層を介在させてもよい。

保護層４は耐衝撃性の優れた樹脂によって形成されるこ
とが望ましい。たとえば紫外線硬化性樹脂をスピンコー
ト法により塗布し、紫外線を照射して硬化・させること
により形成する。また、ウレタン等の弾性材で形成して
もよく、以下に述べる硬質層の機能を有するものでもよ
い。

硬質層６は、メチルエチルケトン、アルコール等−の溶
剤に溶けてスピンコート法により塗布することができ、
物理的変化（熱、光等）によって硬化するものが製造上
望ましい。また、硬質層６が光吸収層２と反射層３の間
にある場合には、透光性の高い材料が望ましい。硬質層
６が反射層３の背面にある場合には、硬質層３の透光性
は記録、再生時のレーザ光の透過に影響を与えないため
、その透光性は問わない。

硬質層６の硬度は、ＡＳＴＭ７５以上が望まし＜、ＡＳ
ＴＭＩＩＯ〜２００がいっそう望ましい。また、硬質層
の熱変形温度は、吸収層と反射層の間にある場合には、
１００”Ｃ以上が望まし＜、１２０゜Ｃ以上がいっそう
望ましい。反射層の背面にある場合には、８０℃以上が
望ましく、１００゜Ｃ以上がいっそう望しく、特に１１
０℃以上が最良である。

硬質層６の厚みは、任意に設定できるが、５μｍ−１０
μｍの範囲が望ましい。

本発明による光情報記録媒体は、レーザ吸収層２にレー
ザ光を照射することにより、光吸収層を基準として反射
層側の層を基板１側の層に比べて熱変形し難い層で形成
しているため、レーザ光により引き起こされたレーザ吸
収層２のエネルギは透光性基板１側の層に主として与え
られ、その結果、透光性基板１　（ＩＩＱの層に凸状、
波状もしくは凹状のピットを形成するものである。

本実施例の場合においては、第３図及び第６図に模式的
に示すように、記録後の光ディスクの上記基板１のレー
ザ吸収層２と接する表面部分に、吸収層側に突出したピ
ット５が確認でき、このようにして形成されたピット５
の再生波形は、ＣＤのそれと同様のものである。

記録信号の再生は、透光性基板ｌ側から読取り用のレー
ザ光を照射することにより、ピッ１・部分の反射光とピ
ット以外の部分の反射光の光学的位相差を読み取ること
により行われる。

本発明のさらに具体的な実施例について、以下に説明す
る。

（実施例１）直径４Ｅｉ　〜１１７ｍｍφの範囲に、幅０，　　８ｔ
Ｌ　ｆｆｈ　　深さ０．０８μｍ％　　ビツチｌ．Ｓμ
ｍのスバイラル状のプリグループが形成された厚さ１．
　　２ｍｍｓ　　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍφの
ポリカーボネート基板ｌを射出成形法により成形した。

このポリヵーボネート基板１のロックウェル硬度ＡＳＴ
ＭＤ　　Ｄ７８５は、Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴ
ＭＤ　　Ｄ６４８は、１３２℃であった。

光吸収層を形成するための有機色素として、０．６５ｇ
の１，１′ジブチル３，　　３．　　３’３′テトラメ
チル４，　　５．　　４’，　　５’　ジベンゾインド
ジカーボシアニンパークロレーＩ・（日本感光色素１（
１）製、品番ＮＫ３２１９）を、ジアセトンアルコール
溶剤１０ｃｃに溶解し、これを上記の基板ｌの表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光吸収
層２を形成した。

次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、光反射層３を形成した。さらに、この光反射
層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに
紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの保護層４を
形成した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度Ａ
ＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ
６４８は、１５０゜Ｃであった。

こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域１ｌに
、波長７８０ｎｍの半導体レーザを線Ｎ　１　，２　ｍ
　／　ｓ　ｅ　ｅ，　　記録パフー６．０ｍＷで照射し
、ＥＦＭ信号を記録した。そして、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤ（ＡｕｒｅｘＸＲ−Ｖ７３、再生光
の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生したところ、半導体レー
ザの反射率が７２％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６
５、１３／Ｉ　ｔｏｐが０．３５、プロックエラーレ−
１−　Ｂ　ＬＥＲが３．４ＸＩＯ弓であった。

ＣＤ規格では、反射率が７０％以上、ＩＩＩ／Ｉ　ｔｏ
ｐが０．６以上、１３／ｌｔｏｐが０．３〜０．７、ブ
ロックエラーレ−１−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが３×１０−２
以下と定められており、この実施例による光ディスクは
、この規格を満足している。

さらに、上記記録後の光ディスクの保護層４と光反射層
４を剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄し、透光性基板ｌ
の剥離面をＳ　Ｔ　Ｍ　（　Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｕｎ
ｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ　）で観察したと
ころ、ピットの部分に凸状の変形が見られた。

なお、この実施例は、保ｒ！！！層４を硬質層として利
用した場合の実施例である。

（実施例２）上記実施例ｌと同様の形状及びプリグループを有するポ
リカーボネート（帝人化学製、パンライト）基板の上に
、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上に
硬質層ｅ．＝ｔ，て、膜Ｗ　５　０　ｎ　ｍのシリコン
アクリル層を形成し、その上に光反射層３として、真空
蒸若法により膜厚５０　ｎｍのＡｇ膜を形成し、さらに
その上に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３５
℃であった。これに対し、上記硬質層６のロツクウェル
硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ１００であり、熱変形温度Ａ
ＳＴＭＤ６４８は、２００℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６３、Ｉ　３
　／　Ｉ　ｔｏｐが０．３３、ブロックエラーレートＢ
ＬＥＲが３．５Ｘ１０−３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ　）で観察し
たところ、ピットの部分に凸状の変形が認められた。

この変形の中間部はやや低くなっており、変形６の峰が
２つに分かれていることが確認された。

（実施例３）上記実施例ｌと同様の形状及びブリグループを有するポ
リカーボネート（三菱ガス化学製、ユーピロン）基板の
上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この
上に硬質層６として、膜厚５０ｎｍのエポキシ樹脂層を
形成し、その上に光反射層３として、真空蒸着法にょり
膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにその上に上記実
施例ｌと同様の保護層４を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、ｌ３２
゜Ｃであった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱変形温度Ａ
ＳＴＭＤ［３４８は、　１４０゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、１１１／［ｔｏｐが０．６２、１３／
Ｉｔｏｐが０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．４Ｘ１０−”であった。

（実施例４）上記実施例１と同様の形状及びブリグループを有するボ
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に硬質層６として、膜厚６０ｎｍの
アクリル樹脂層を形成し、この上？こ結若性を高めるた
めエポキシ樹脂をスピンコートしてから、光反射層３と
して、真空蒸若法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し
、さらにこの上に上記実施例ｌと同様の保護層４を形成
した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７
８５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ８４８は、
８９゜Ｃであった。これに対し、上記硬質層６のロック
ウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形
温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１００゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６２、Ｉ３／
Ｉｔｏｐが０．３１、ブロックエラーレ−１−　Ｂ　Ｌ
　Ｅ　Ｒが７．ＯＸＩＯ−３であった。

（実施例５）上記実施例１と同様の形状及びブリグループを有するポ
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６−として、
膜厚５０ｎｍのポリエステル樹脂層を形成し、その上に
光反射層３として、真突蒸着法により膜厚５０ｎｍのＡ
ｕ膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高めるためエ
ボキシ樹脂をスピンコートしてから、上記実施例ｌと同
様の保護層４を形成した。なお、上記基板のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温度
ＡＳＴＭＤ６４８は、ｌｌＯ゜Ｃであった。これに対し
、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ１１０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、　１
　１　５℃であった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６４、１３／
Ｉｔｏｐが０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
８．ＯＸ１０−３であった。

（実施例６）上記実施例ｌと同様の形状及びプリグループを有するポ
リオレフィン基板の上に、Ｌｌ’ジブチル３、３、３′
　　３′テｌ・ラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパーク口レートを用いて、上記実施例１と
同様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層
６として、膜厚５０ｎｍのシリコンアクリル樹脂層を形
成し、その上に光反射層３として、真空蒸若法によりＭ
厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの上に、結若性
を高めるためエボキシ樹脂をスピンコートしてから、上
記実施例１と同様の保獲層４を形成した。なお、上記基
板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ７５であり
、熱変形温度ＡＳＴＭＤ８４８は、１４０゜Ｃであった
。これに対し、上記硬質層６のロックウェル硬度ＡＳＴ
ＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６
４８は、２００゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７４％、ＩＩＩ／１ｔｏｐが０．６１、Ｉ３／
Ｉｔｏｐが０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
２．３Ｘ１０−３であった。

（実施例７）上記実施例１と同様の形状及びプリグループを存するエ
ボキシ樹脂基板の上に１１　１′ジブチル３、３、３’
３’　テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカーボ
シアニンバークロレ−１・を用いて、上記実施例ｌと同
様の方法で光吸収層２を形成した後、この上に硬質層６
として、膜厚５０ｎｍのシリコン樹脂層を形成し、その
上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍ
のＡ１膜を形成し、さらにこの上に、上記実施例１と同
様の保護層４を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３５
゜Ｃであった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭｌ　００であり、熱変形温
度ＡＳＴＭＤ６４８は、　１８０゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７３％、ＩＩ１／１ｔｏｐが０．　　６　１．
　　１３　／　Ｉｔｏｐが０．３０、ブロックエラーレ
−１−　Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが２．ＯＸ１０−３であった。

（実施例８）上記実施例１と同様の形状及びプリグループを有するポ
リカーボネー１・（帝人化学製、パンライト）基板の上
に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、この上
に光反射Ｊ？ｉｌ３として、真空蒸着法により膜厚５０
ｎｍのＡｇ膜を形成し、この上に硬質層６として、膜厚
５０　ｎｍのシリコンアクリル層を形成し、さらにこの
上に上記実施例１と同様の保護層４を形成した。なお、
上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ７５
であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、　ｌ３５゜Ｃ
であった。これに対し、−１二記硬質層６のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ１００であり、熱変形温度
ＡＳＴＭＤ６４８は、２００゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例１と同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７１％、Ｉｌ１／１ｔｏｐが０．６４、１３／
Ｉｔｏｐが０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
３．７Ｘ１０−３であった。

（実施例９）上記実施例ｌと同様の形状及びブリグループを有するポ
リカーボネート（三菱ガス化学製、ユービロン）基板の
上に、上記と同様にして光吸収層２を形成した後、その
上に光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍ
のＡｕ膜を形成し、さらにこの上に保護層を兼ねる硬質
層６として、膜厚７μｍのエボキシ樹脂層を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳ　ＴＭＤ　７　
８　５はＭ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は
、ｌ３５゜Ｃであった。これに対し、上記硬質層６のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ９０であり、熱変
形温度ＡＳＴＭＤＤ８４８は、１４０゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生し゛たところ、半導体レーザ
の反射率が７２％、ＩＩ＋／１ｔｏｐが０．６３、１３
／Ｉｔｏｐが０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲ
が２．７Ｘ１０−３であった。

（実施例１０）上記実施例ｌと同様の形状及びプリグループを有するボ
リスチレン基板の上に、上記と同様にして光吸収層２を
形成した後、この上に光反射層３として、真空蒸着法に
より膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、この上に保護層を
兼ねる硬質層６として、膜厚１０μｍのアクリル樹脂層
を形成した。なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴ
ＭＤ７８５はＭ８０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４
８は、８９゜Ｃであった。これに対し、上記硬質層６の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、
熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、　ｌＯＯ゜Ｃであった
。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、ＩＩ１／１ｔｏｐが０．６３、１３／
Ｉｔｏｐが０．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
７．　　１ＸＩＯ−３であった。

（実施例１１）上記実施例ｌと同様の形状及びプリグループを存するポ
リメチルメタクリレート基板の上に、上記と同様にして
光吸収層２を形成した後、その上に光反射層３として、
真空蒸若法により膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を形成し、さら
にこの上に、結若性を高めるためエボキシ樹脂をスピン
コートしてから、保護層を兼ねる硬質層６として、膜厚
１０μｍのポリエステル樹脂層を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ１００であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１１
０℃であった。これに対し、上記硬質層６のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭｌ　ｔｏであり、熱変形温
度ＡＳＴＭＤ６４８は、　１　１５゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にしてデ
ータを記録し、これを再生したところ、半導体レーザの
反射率が７２％、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６５、１３／
Ｉｔｏｐが０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが
８．３ＸＩＯ−３であった。

（実施例１２）直径４６〜１００ｍｍφの範囲（ＲＯＭ領域１０）に、
幅０．６μｒｒ＋ｘ　　深さ０．１０μｍ、ピッチ１．
　　６μｍのスパイラル状のＣＤフォーマット信号が再
生できるプレピット８が形成され、その外側の直径１０
０〜１１７ｍｍφの範囲（記録可能領域１１）に、幅０
．　　７μｍ１　　深さ０．０７μｍ１　　ピッチ１．
　　６μｍのスパイラル状のプリグループが形成された
厚さ１．２ｍｍ１　　外径１２０ｍｍφ、内径１５ｍｍ
φのポリオレフィン基板ｌを射出成形法により成形した
。

上記基板の直径１００ｍｍφより外周側の部分、つまり
記録可能領域１ｌの上にのみ、１、１′ジブチル３、３
、３’　　３’テトラメチル５、５′　ジエトキシイン
ドジカーボシアニンパークロレートをスピンコート法に
より塗布し、光吸収層２を形成した後、基板ｌの全面に
わたり光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎ
ｍのＡｕ膜を形成し、さらにこの上に、結着性を高める
ためエボキシ樹脂をスピンコートしてから、保護層を兼
ねる硬質層６として、膜厚７μｍのシリコンアクリル樹
脂層を形成した。

なお、上記基板のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は
Ｍ７５であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１４０
℃であった。これに対し、上記硬質ｒｒＩＪ６のロック
ウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭｌ　００であり、熱変
形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、２００゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例ｌと同様にして上
記記録可能領域ＩＩにデータを記録し、ＲＯＭ領域及び
記録可能領域について再生したところ、記録可能領域で
の半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ　Ｉｆ／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．６２、Ｉ３　／　Ｉ　ｔｏｐが０．３４、ブ
ロックエラーレートＢＬＥＲが２．４ＸｌＯ−３であり
、ＲＯＭ領域での半尋体レーザの反射率が９０％、ＩＩ
＋／１ｔｏｐが０．８　０、Ｉ　３　／　Ｉ　ｔｏｐが
０．５０、ブロックエラーレートＢＬＥＲが１．ＯＸＩ
Ｏ−３であった。

（実施例１３）直径４６〜１００ｍｍφの範囲（ＲＯＭ領域１０）に、
幅０−　　６ｔｔｍ１　　深さＯ．ｌ　Ｏ　ａ　ｒｒｈ
ビッチ１．６μｍのスパイラル状のＣＤフォーマット信
号が再生できるプレピット８が形成され、その外側の直
径１００〜１１７ｍｍφの範囲（記録可能領域１１）に
、幅０．　　７μｍ１　　深さ０．０７μｍ１　　ピッ
チ１．　　６μｍのスパイラル状のブリグループが形成
された厚さ１．２ｍｍ１　外径１２０ｍｍφ、内径１５
ｍｍφのエボキシ樹脂基板１を射出成形法により成形し
た。

上記基板の直径１００ｍｍφより外周側の部分、つまり
記録可能領域１１の上にのみ、１、１′ジブチル３、３
、３′　３′テトラメチル５、５′　ジエトキシインド
ジカーボシアニンパーク口レートをスピンコート法によ
り塗布し、光吸収層２を形成した後、基板ｌの全面にわ
たり光反射層３として、真空蒸着法により膜厚５０ｎｍ
のＡＩ膜を形成し、この上に保護層を兼ねる硬質層６と
して、膜厚７μｍのシリコン樹脂層を形成した。なお、
上記透光性基板１０口ックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５
はＭ９０であり、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、１３
５゜Ｃであった。これに対し、上記硬質層６のロックウ
ェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭＩＯＯであり、熱変形温
度ＡＳＴＭＤ６４８は、１８０゜Ｃであった。

この光ディスクについて、上記実施例Ｉと同様にして上
記記録可能領域１１にデータを記録し、ＲＯＭ領域及び
記録可能領域について再生したところ、記録可能領域で
の半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ　ＩＩ／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．６２、Ｉ３　／　Ｉ　ｔｏｐが０．３２、ブ
ロ−７クエラーレ−１・ＢＬＥＲが２．１ＸＩＯ−”で
あり、ＲＯＭ領域での半導体レーザの反射率、Ｉ　ＩＩ
／　Ｉ　ｔｏｐ，　Ｉ　３／　Ｉ　ｔｏｐ　ｓ　　ブロ
ックエラーレートは上記実施例１２と同様であった。

（比較例）上記実施例において、紫外線硬化性樹脂により形成され
た保護層４の硬化後のロックウエル硬度ＡＳＴＭＤ７８
５を、Ｍｈｏ、〃！変形温度ＡＳＴＭＤ８４８　（４．
６１＜ｇ／ｃｍ２）を９０℃としたこと以外は、同実施
例と同様にして、光ディスクを製作した。

この光ディスクに、上記実施例と同様にして波長７８０
ｎｍの半導体レーザを線速１．２ｍ／ｓ　ｅｃで照射し
、ＥＦＭ信号を記録したところ、基板ｌの板而側には、
十分明瞭なビッ１・が俯認できなかった。そして、この
光ディスクを、上記実施例１で用いたのと同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、光ディスクの反射率が７１％、
１　１１／　［　ｔｏｐが０．７、１３／Ｉｔｏｐが０
．３７であったが、ブロックエラーレートＢＬＥＲが１
．５ＸＩＯ−１あり、上述したＣＤ規格を満足すること
ができなかった。

［発明の効果コ以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記録
方法によれば、硬質層を設けたことによりＣＤ規格に規
定されたブロックエラーレートの範囲内の再生信号を得
ることができ、さらに、その記録された記録信号を長期
にわたって安定して維持する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のトラッキング
方向に断面した拡大断面図、第３図は、第１図の光記録
後のトラッキング方向に断而した拡大断面図、第４図は
、光情報記録媒体の構造の他の例を示す模式半断面斜視
図、第５図は、第４図のＡ部拡大断面図、第６図は、第
４図のＢ部拡大断面図、第７図は、記録後の光情報記録
媒体の透光性基板の表面を示す要部拡大斜視図、第８図
は、上記透光性基板の表面をＳ　ＴＭ　（Ｓｃａｎｎｉ
ｇ　Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観
察したときのチップのトラッキング方向に沿う移動距離
と高度の関係を示すグラフの例、第９図は、硬質層の硬
度とブロックエラーレートとの関係の例を示すグラフ、
第１０図は、再生時のブロックエラーレートの経時変化
を示したグラフである。 ■・・・基板　２・・・光吸収層　３・・・光反射層　
４・・・保護層　６・・・硬質層　９・・・ピッ１・　
ＩＯ・・・ＲＯＭ領域　Ｉｆ・・・記録可能領域　１２
・・・プリグループ

Claims

【特許請求の範囲】

（１）レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、該透
光性基板の上に直接または他の層を介して設けられたレ
ーザ光を吸収する光吸収層と、該光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介して設けられたレーザ光を反射する光反
射層を少なくとも有し、上記光吸収層より透光性基板側
には、同透光性基板を通して入射したレーザ光が上記光
吸収層で吸収されることにより発生したエネルギにより
変形される層を有し、上記光吸収層より上記光反射層側
に硬質層を有し、この硬質層の硬度が上記変形される層
よりも高いことを特徴とする光情報記録媒体。
（２）レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、該透
光性基板の上に直接または他の層を介して設けられたレ
ーザ光を吸収する光吸収層と、該光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介して設けられたレーザ光を反射する光反
射層を少なくとも有し、上記光吸収層より透光性基板側
には、同透光性基板を通して入射したレーザ光が上記光
吸収層で吸収されることにより発生したエネルギにより
変形される層を有し、上記光吸収層より上記光反射層側
にロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５においてＭ７５以
上の硬質層を有することを特徴とする光情報記録媒体
（３）レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、該透
光性基板の上に直接または他の面を介して設けられたレ
ーザ光を吸収する光吸収層と、該光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介して設けられたレーザ光を反射する光反
射層を少なくとも有し、上記光吸収層より透光性基板側
には、同透光性基板を通して入射したレーザ光が上記光
吸収層で吸収されることにより発生したエネルギにより
変形される層を有し、上記光吸収層より上記光反射層側
に熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８（４．６ｋｇ／ｃｍ＾２
）において８０℃以上の硬質層を有することを特徴とす
る光情報記録媒体
（４）特許請求の範囲第１〜３請求項の何れかにおいて
、硬質層が、紫外線硬化性樹脂のスピンコート膜により
形成されている光情報記録媒体。
（５）特許請求の範囲第１〜４請求項の何れかにおいて
、硬質層が、光吸収層と光反射層との間に形成されてい
る光情報記録媒体。
（６）特許請求の範囲第１〜５請求項の何れかにおいて
、硬質層が、光吸収層に対して光反射層の背後に形成さ
れている光情報記録媒体。
（７）特許請求の範囲第１〜６請求項の何れかにおいて
、上記光吸収層が透光性基板上の一部の領域に形成され
、同光吸収層の無い領域に予め信号再生用のピットが形
成されたＲＯＭ領域を有する光情報記録媒体。
（８）レーザ光入射側に設けられた透光性基板と、該透
光性基板の上に直接または他の層を介して設けられたレ
ーザ光を吸収する有機色素からなる光吸収層と、該光吸
収層の上に直接または他の層を介して設けられたレーザ
光を反射する光反射層を少なくとも有する光情報記録媒
体に情報を記録する方法において、上記光吸収層より透
光性基板側に変形される層を有し、上記光吸収層より上
記光反射層側に硬質層を有し、この硬質層の硬度が上記
変形される層よりも高い光情報記録媒体を用い、基板側
からレーザ光を照射することにより光吸収層にエネルギ
を与え、透光性基板側の層を変形させて情報を記録する
ことを特徴とする光情報記録方法。