JP2710041B2 - 光情報記録媒体とその記録方法 - Google Patents

光情報記録媒体とその記録方法

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JP2710041B2
JP2710041B2 JP1007512A JP751289A JP2710041B2 JP 2710041 B2 JP2710041 B2 JP 2710041B2 JP 1007512 A JP1007512 A JP 1007512A JP 751289 A JP751289 A JP 751289A JP 2710041 B2 JP2710041 B2 JP 2710041B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、レーザ光によりデータを記録し、前記レー
ザ光と異なるレーザ光により記録データを再生する光情
報記録媒体とその記録方法に関する。
［従来の技術］ レーザ光の照射により、データを記録することができ
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性される等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。このような従来の光情報記
録媒体の反射率は30〜40％、変調度は20〜50％程度であ
った。また、前記のような記録層を有する光情報記録媒
体では、ピットを形成する際の記録層の変形、昇華、蒸
発或は変性等を容易にするため、記録層の背後に空隙を
設けることが一般に行なわれている。具体的に例えば、
空間部を挟んで２枚の基板を積層する、いわゆるエアサ
ンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとられる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板１
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録したデータを再生するときは、上記基板１側から記
録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピットと
それ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みと
る。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわるROM型光情報記録媒体が
情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。この
種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず、
記録データを再生するためのピットを予めプレス等の手
段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上に
Au、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成し、さ
らにこの上を保護層で覆ったものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ（CDプレーヤ）として極めて広く普及している。
［発明が解決しようとする課題］ 上記光情報記録媒体は、やはりCDと同じレーザ光を用
いる記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広く
普及したCDに準拠することが強く望まれる。
しかしながら、上記の光情報記録媒体は、CDには無い
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にピットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にピットを形成するのを容易にするための空隙層等を有
することから、再生信号が自ずとCDと異なってくる。こ
のため、いわゆるCDについての規格を定めた上記CDフォ
ーマットを満足することが困難であった。特に、透光性
基板側から入射したレーザ光の反射率が低いことによ
り、CDフォーマットに準拠した再生信号が得られないの
が現状である。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、その第一の目的は、反射率及び変調度の高い再
生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録媒体を提
供することにある。さらに、本発明の第二の目的は、変
調度の高い上記光情報記録媒体の製造に適した光情報記
録方法を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ すなわち、上記第一の目的を達成するため、本発明に
おいて採用した手段の要旨は、透光性基板の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前
記光吸収層の上に直接または他の層を介してレーザ光を
反射する光反射層が設けられた光情報記録媒体におい
て、上記光吸収層より透光性基板側に、当該光吸収層に
おけるレーザ光の吸収により発生したエネルギーによ
り、変形される層を有し、上記光吸収層２の複素屈折率
の実数部nabsとその膜厚dabsと再生光の波長λとで与え
られるρ＝nabsdabs／λが0.05≦ρ≦0.6であり、かつ
上記複素屈折率の虚部kabsが0.3以下である光情報記録
媒体である。
さらに、上記第二の目的を達成するため、本発明にお
いて採用した手段は、透光性基板の上に直接または他の
層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収
層の上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する
光反射層が設けられた光情報記録媒体を用い、上記基板
側から入射させたレーザ光を光吸収層で熱、圧力等のエ
ネルギーに変換し、このエネルギーにより、上記光吸収
層より透光性基板側にある他の層を局部的に変形、例え
ば凸状、波状もしくは凹状に変形させて、ピットを形成
する光情報記録方法である。
［作用］ この光情報記録媒体では、光吸収層にレーザ光を照射
したとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると
共に、同光吸収層が融解、蒸発、昇華、反応、分解或は
変性する等してガス発生もしくは膨張し、局部的に、圧
力増大がもたらされる。すなわち、レーザ光のエネルギ
ーにより、光吸収層から熱的、機械的なエネルギーが変
換或は誘起される。このとき、上記レーザ光を上記光吸
収層に収束して照射した時は、上記エネルギーが局部的
に発生する。こうして発生したエネルギーは、光吸収層
に隣接する他の層に及び、そこを局部的に変形させ、光
学的変性部分（ピット）を形成する。すなわち、光学的
変性部分は、発熱により、隣接する他の層が変形すると
同時に、融解、蒸発、昇華、反応、分解或いは変形した
光吸収層の成分が、上記変形領域に混入して形成され
る。
こうして、基板などの表面に形成された光学的変性部
分は、記録層に形成されるのと異なり、予めプレス等の
手段によって基板の表面に形成されるピットに近似する
ものである。また、このような構造の記録可能な光情報
記録媒体では、光吸収層の背後に密着して反射層を設け
ることができる。従って、形態的にもCDに近似した光情
報記録媒体が得られ、詳しくはデータを読みとる際のレ
ーザ光の反射率、再生信号の変調度、ブロックエラーレ
ット等の点で、例えばCDフォーマットに準拠した記録可
能型光情報記録媒体が容易に得られる。
［実施例］ 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造に例を、
第１図〜第７図に示す。同図において、１は、透光性を
有する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照
射されたレーザ光を吸収して発熱すると共に、融解、蒸
発、昇華、変形または変性する層である。第４図〜第７
図においてのみ示された６の符号は、上記透光性基板１
と光吸収層２との間に存在する樹脂層、耐溶剤層等の中
間層で、これが存在する場合は、レーザ光の照射時にお
ける上記光吸収層２の発熱、圧力増大等により、第５図
で示すように同層６が変形し、光学的に変性したピット
５が形成される。また、これら中間層６の膜厚が30nm以
下というように、比較的薄い場合は、第７図で示すよう
に、同層６の変形が基板１にも及ぶことがある。こうし
た中間層６が存在しないときは、第３図で示すように基
板１の界面が変形され、光学的に変性したピット５が形
成される。３は、その上に形成された光反射層、４は、
その外側に設けられた保護層を示す。
第２図、第４図及び第６図は、レーザ光による記録前
の状態を、第３図、第５図及び第７図は、記録後の状
態、すなわち、光学ピックアップ８からレーザ光７を光
吸収層２に収束して照射した時に、同層２で発生する熱
や圧力増大等のエネルギーにより、基板１の表面が一部
変形され、光学的に変性したピット５が形成された状態
を模式的に示す。
透光性基板１は、レーザ光に対する透明度の高い材料
で、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形成されたも
の、例えばポリカーボネート板、アクリル板、エポキシ
板等が用いられる。光吸収層２は、上記透光性基板１側
から入射したレーザ光を吸収して発熱すると共に、融
解、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等してガス発
生もしくは膨張し、局部的に圧力増大がもたらされるも
ので、インドジカーボシアニン等のシアニン系色素を上
記基板１の上またはその上に形成された他の層を介して
スピンコート法等により形成する。反射層３は金属膜に
より形成され、例えば、金、銀、銅、アルミニウムある
いはこれらを含む合金膜等により形成される。保護層４
は、透光性基板１と同様の耐衝撃性に優れた樹脂により
形成され、最も一般的には紫外線硬化樹脂をスピンコー
ト法により塗布し、これに紫外線を照射して硬化させる
ことにより形成される。この他、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、シリコーン系ハードコート樹脂等が一般に使用
されるが、緩衝作用を持たせるため、ウレタン樹脂等の
弾性材で形成されることもある。
なお、この発明による光情報記録媒体において、光吸
収層２の複素屈折率の実数部nabsとその膜厚dabsと再生
光の波長λとで与えられるρ＝nabsdabs／λが0.05≦ρ
≦0.6であり、かつ上記複素屈折率の虚部kabsが0.3以下
である。第８図は、光ディスクの２つの例について、再
生光として波長λ＝780nmの半導体レーザを用いた場合
に、上記光ディスクの光吸収層２の複素屈折率の実数部
nabs、膜厚dabs及び再生光の波長λで与えられるρ＝n
absdabs／λと、基板側から入射された光の反射率との
関係を示すグラフである。また、第９図は、反射層にAu
膜を用いた光ディスクにおいて、シアニン系色素からな
る光吸収層の透光性を変え、その複素屈折率の実数部を
nabs＝2.4と一定にしながら、その虚部kabsを０に近い
値から2.0まで変化させたときの反射率を示している。
これらからρ＝nabsdabs／λとkabsとが、上記の条件を
満足する場合は、高い反射率が得られることが理解さ
れ、反射率70％以上というCDフォーマットに定められた
規格特性を容易に確保できるようになる。
また、この発明による光情報記録媒体では、透光性基
板１に対して光吸収層２の背後側の層、例えば光反射層
３や保護層４等を、上記ピット５が形成される層に比べ
て熱変形温度が高く、かつ硬度が高いもので形成するの
が望ましい。背後側の層を硬度の高い層で形成すること
は、記録信号のブロックエラーレートの低減に効果が認
められ、ブロックエラーレートBLERが３×10-2以下とい
うCDフォーマットに定められた規格特性を十分確保でき
る。
さらに、本発明の具体的な実施例について、以下に説
明する。
（実施例１） 表面に幅0.8μｍ、深さ0.08μｍ、ピット1.6μｍのス
パイラル状のプレグループ８が形成された厚さ1.2mm、
外径120mmφ、内径15mmφのポリカーボネート基板１を
射出成形法により成形した。このポリカーボネート基板
１のロックウェル硬度ASTM D785は、M75鉛筆硬度HBと同
等であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2、121℃
であった。
光吸収層２を形成するための有機色素として、0.65g
の1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′
ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレート（日本
感光色素研究所製、品番NK3219）を、ジアセトンアルコ
ール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板１の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚130nmの感光色素膜
からなる光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素
屈折率の実数部（nabsとその膜厚dabsとの再生光の波長
λとで与えられるρ＝nabsdabs／λは、0.45であり、か
つ上記複素屈折率の虚部kabsは0.05であった。
次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の全面
にスパッタリング法により、膜厚80nmのAu膜を成膜し、
反射層３を形成した。さらに、この反射層３の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、膜厚10μｍの保護層４を形成した。この保
護層４の硬化後のロックウェル硬度ASTM D785はM90であ
り、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃であっ
た。
こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導体
レーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM
信号を記録した。その後、この光ディスクを、市販のCD
プレーヤ（Aurex XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で
再生したところ、半導体レーザの反射率が72％、I11／I
topが0.68、I3／Itopが0.35、ブロックエラーレートBLE
Rが1.2×10-2であった。
CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが0.6以
上、I3／Itopが0.3〜0.7、ブロックエラーレートBLERが
３×10-2以下と定められており、この実施例による光デ
ィスクは、この規格を満足している。
さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反
射層３とを剥離し、光吸収層２の表面を観察したところ
ピットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。
また、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去して、基板１の表
面を観察したところ、そこに光学的に変性したピット５
が形成されているのが確認された。
この光ディスクの層構造を第２図に模式的に示し、そ
の光記録後の状態を第３図に模式的に示す。
（実施例２） 上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との
間に、エポキシ樹脂をスピンコートし、膜厚100nmの硬
質層を設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして、
光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化後
のロックウェル硬度はASTM D785はM90であり、熱変形温
度ASTM D648は、4.6kg/cm2、135℃であった。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、上記実施例１と同
様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性、がえら
れ、さらにブロックエラーレートBLERは、3.0×10-3で
あった。また、上記実施例１と同様にして、記録後の光
ディスクの基板１の表面を観察したところ、そこにピッ
ト５が形成されているのが確認された。
（実施例３） 上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との
間であって、光吸収層２の上面に形成するエポキシ樹脂
に代えて膜厚100nmのシリコンアクリル樹脂の硬質層を
設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる20nmの
結着層をそれぞれスピンコート法により形成したこと以
外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製作し
た。なお、このシリコンアクリル樹脂層の硬化後のロッ
クウェル硬度ASTM D785はM100であり、熱変形温度ASTM
D648は、4.6kg/cm2）、100℃であった。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例１と同じCDプレーヤ（Aurex
XR−V73、再生光の波長780nmで再生したところ、半導体
レーザの反射率が75％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが
0.35、ブロックエラーレートBLERが2.5×10-3であっ
た。また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板１の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。
（実施例４） 上記実施例１において、光吸収層２の上に、光反射層
３として金とアンチモンとの9:1の割合の合金膜を真空
蒸着法で形成したこと、及びこの反射層３の上に、エポ
キシ樹脂からなる20nmの結着層を介して紫外線硬化樹脂
からなる保護層４を形成したこと以外は、上記実施例１
と同様にして、光ディスクを製作した。なお、上記光反
射層３は、鉛筆硬度として「Ｈ」以上の硬度を有する。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にして記録パワー6.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例１と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが
0.62、I3／Itopが0.32、ブロックエラーレートBLERが3.
5×10-3であった。また、上記実施例１と同様にして、
記録後の光ディスクの基板１の表面を観察したところ、
そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例５） 上記実施例１において、ポリカーボネート基板１の光
入射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコー
トし、厚さ１μｍの基板保護層を設け、プリグループを
設けた面上に光吸収層２を形成したこと、及びこの光吸
収層２の上に、光反射層３としてイリジウムと金との3:
1の割合の合金膜をスッパタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度として「5
H」以上の硬度を有する。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導
体レーザの反射率が70％、I11／Itopが0.62、I3／Itop
が0.37、ブロックエラーレートBLERが3.7×10-3であっ
た。また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板１の表面を観察したところ、そこにピット５
が形成されているのが確認された。
（実施例６） 上記実施例１において、光反射層３を厚さ60nmの銀膜
で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート剤
をスピンコートし、これを加熱、硬化させて厚み３μｍ
の硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１と同様
にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層４
は、鉛筆硬度として「HB」以上の硬度を有する。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レ
ーザの反射率が71％、I11／Itopが0.63、I3／Itopが0.3
5、ブロックエラーレートBLERが2.8×10-3であった。ま
た、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの
基板１の表面を観察したところ、そこにピット５が形成
されているのが確認された。
（実施例７） 上記実施例１において、膜厚50nmのAu膜を真空蒸着し
た光反射層３の上に、ジクリシジルエーテルで希釈した
ポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコートして
形成された30nmの結着層を介してシリコーン系ハードコ
ート剤をスピンコートし、これを加熱、硬化させて厚み
３μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１
と同様にして、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レ
ーザの反射率が72％、I11／Itopが0.65、I3／Itopが0.3
5、ブロックエラーレートBLERが2.5×10-3であった。ま
た、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの
基板１の表面を観察したところ、そこにピット５が形成
されているのが確認された。
（実施例８） 上記実施例１において、１、１′ジブチル３、３、
３′、３′テトラメチル５、５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンパークロレートを用いて光吸収層２を形成
したこと、光反射層３の上にエポキシ樹脂からなる100n
mの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬化樹脂を1
0μｍ設けて、保護層４を形成した以外は、上記実施例
１と同様にして、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レ
ーザの反射率が74％、I11／Itopが0.68、I3／Itopが0.3
4、ブロックエラーレートBLERが8.3×10-3であった。ま
た、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの
基板１の表面を観察したところ、そこにピット５が形成
されているのが確認された。
（実施例９） 上記実施例１において使用したのと同じポリカーボネ
ート基板１の表面にジイソブチルケトンで溶解したアク
リル樹脂をスピンコートし、厚み40nmの中間層６を形成
した。この中間層６のロックウェル硬度ASTM D785は、M
85であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2、100℃
であった。
光吸収層２を形成するための有機色素として、0.6gの
1,1′ジプロピル、3,3,3′,3′テトラメチル5,5′ジメ
トキシインドジカーボシアニンアイオダイドを、イソプ
ロピルアルコール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板
１の表面に、スピンコート法により塗布し、膜厚120nm
の感光色素膜からなる光吸収層２を形成した。この光吸
収層２の複素屈折率の実数部nabsとその膜厚dabsと再生
光の波長λとで与えられるρ＝nabsdabs／λは、0.41で
あり、かつ上記複素屈折率の虚部kabsは0.02であった。
次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンア
クリル樹脂をスピンコートし、厚さ100nm、鉛筆硬度2
H、熱変形温度ASTM D648 4.6kg/cm2、120℃のシリコン
アクリル樹脂層を形成し、その上にスパッタリング法に
より、膜厚50nmのAu膜を成膜し、反射層３を形成した。
さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピン
コートし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚10μ
ｍの保護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロッ
クウェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温度ASTM D
648は、4.6kg/cm2、135℃であった。
こうして得られた光ディスクに、波長780nmの半導体
レーザを線速1.2m/sec、記録パワー7.5mWで照射し、EFM
信号を記録した。その後、この光ディスクを、実施例１
と同じCDプレーヤで再生したところ、半導体レーザの反
射率が74％、I11／Itopが0.62、I3／Itopが0.31、ブロ
ックエラーレートBLERが4.0×10-3であった。
さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反
射層３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、
中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５が形
成されているのが確認された。
（実施例10） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと以外は、
上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が73％、I11／Itopが
0.62、I3／Itopが0.31、ブロックエラーレートBLERが3.
4×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例11） 上記実施例９において、基板１としてガラス基板を用
いたこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチル
ケトンの1:1の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂をス
ピンコート法にて形成された厚さ20nmの結着層を形成し
たこと以外は、上記実施例９と同様にして、光ディスク
を製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが
0.65、I3／Itopが0.33、ブロックエラーレートBLERが3.
6×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例12） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、及び反
射層の上に、ポリブタジエンをスピンコート法にて形成
した厚さ20nmの結着層を形成したこと以外は、上記実施
例９と同様にして、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.2mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが
0.66、I3／Itopが0.35、ブロックエラーレートBLERが3.
5×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例13） 上記実施例９において、中間層６の厚みを20nmとした
こと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射
層３としてイリジウムと金との1:9の割合の合金膜をス
パッタリング法により形成したこと以外は、上記実施例
９と同様にして、光ディスクを製作した。なお、前記合
金膜の鉛筆硬度は2Hであった。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が71％、I11／Itopが
0.63、I3／Itopが0.32、ブロックエラーレートBLERが3.
3×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
このピット５は、中間層６の膜厚が薄いため、基板の表
面にまで達して形成されている。
この光ディスクの層構造を第６図に模式的に示し、そ
の光記録後の状態を第７図に模式的に示す。
（実施例14） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01nmのシリケート層
を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリコン
アクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３としてイリ
ジウムと金との1:9の割合の合金膜をスパッタリング法
により形成したこと以外は、上記実施例９と同様にし
て、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.8mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が71％、I11／Itopが
0.64、I3／Itopが0.32、ブロックエラーレートBLERが2.
8×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例15） 上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３としてイリジウムと金との1:9
の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と、及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコー
トして、厚さ20nmの結着層を形成し、この上に紫外線硬
化性樹脂製の保護層４を形成したこと以外は、上記実施
例９と同様にして、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が72％、I11／Itopが
0.64、I3／Itopが0.32、ブロックエラーレートBLERが4.
1×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例16） 上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３として厚さ50nmの銅膜を形成し
たこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル溶剤
に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピン
コートして厚さ50nmのエポキシ樹脂層を形成したこと以
外は、上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作し
た。なお、上記保護層はロックウェル硬度ASTM D785がM
110であることから硬質層としての機能を有する。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が75％、I11／Itopが
0.64、I3／Itopが0.33、ブロックエラーレートBLERが2.
9×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例17） 上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコ
ート剤をスピンコートして、厚み0.01μｍのシリケート
層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリコ
ンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として厚
さ50nmの銅膜を形成したこと、及び保護層４としてジグ
リシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬化型
エポキシ樹脂をスピンコートして厚さ50nmのエポキシ樹
脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と同様にし
て、光ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.0mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が74％、I11／Itopが
0.64、I3／Itopが0.33、ブロックエラーレートBLERが3.
5×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
（実施例18） 上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３として厚さ50nmの銅膜を真空蒸
着法で形成したこと、反射層の上に、トルエンとメチル
エチルケトンの6:4の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニル樹
脂をスピンコートで形成した厚さ20nmの結着層を介して
保護層４を形成したこと、及び保護層４としてジグリシ
ジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬化型エポ
キシ樹脂をスピンコートして厚さ50nmのエポキシ樹脂層
を形成したこと以外は、上記実施例９と同様にして、光
ディスクを製作した。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様
にして記録パワー7.4mWにてEFM信号を記録し、その後、
この光ディスクを、実施例９と同じCDプレーヤで再生し
たところ、半導体レーザの反射率が74％、I11／Itopが
0.64、I3／Itopが0.33、ブロックエラーレートBLERが3.
6×10-3であった。また、上記実施例９と同様にして、
記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したとこ
ろ、そこにピット５が形成されているのが確認された。
［発明の効果］ 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記
録方法によれば、反射率及び変調度の高い再生信号が得
られる書き込みが可能な光情報記録媒体が容易に得られ
るという効果がある。さらに、変調度の高い上記光情報
記録媒体の製造に適した光情報記録方法が容易に得られ
るという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のトラックに沿
って断面した部分拡大図、第３図は、第１図の光記録後
のトラックに沿って断面した部分拡大図、第４図は、光
情報記録媒体の他の実施例を示すトラックに沿って断面
した要部断面拡大図、第５図は同実施例における記録後
の状態を示すトラックに沿って断面した要部断面拡大
図、第６図は、光情報記録媒体の他の実施例を示すトラ
ックに沿って断面した要部断面拡大図、第７図は同実施
例における記録後の状態を示すトラックに沿って断面し
た要部断面拡大図、第８図は、光ディスクの光吸収層の
複素屈折率の実数部nabs、膜厚dabs及び再生光の波長λ
で与えられるρ＝nabsdabs／λの値とレーザ光の反射率
との関係の例を示すグラフ、第９図は、光ディスクの光
吸収層の複素屈折率の虚部kabsの値とレーザ光の反射率
との関係を示すグラフである。 １…基板、２…光吸収層、３…光反射層、４…保護層
フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽 誘電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭57−55540（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−281133（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−168446（ＪＰ，Ａ)

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】透光性基板の上に直接または他の層を介し
    てレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に
    直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射層
    が設けられた光情報記録媒体において、上記光吸収層よ
    り透光性基板側に、当該光吸収層におけるレーザ光の吸
    収により発生したエネルギーにより、変形される層を有
    し、上記光吸収層２の複素屈折率の実数部nabsとその膜
    厚dabsと再生光の波長λとで与えられるρ＝nabsdabs／
    λが0.05≦ρ≦0.6であり、かつ上記複素屈折率の虚部k
    absが0.3以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
  2. 【請求項２】透光性基板の上に直接または他の層を介し
    てレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に
    直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射層
    が設けられた光情報記録媒体を用い、上記基板側から入
    射させたレーザ光を光吸収層で熱、圧力等のエネルギー
    に変換し、このエネルギーにより、上記光吸収層より透
    光性基板側にある他の層を局部的に変形させて、ピット
    を形成することを特徴とする光情報記録方法。
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