JPH0827976B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPH0827976B2
JPH0827976B2 JP63231820A JP23182088A JPH0827976B2 JP H0827976 B2 JPH0827976 B2 JP H0827976B2 JP 63231820 A JP63231820 A JP 63231820A JP 23182088 A JP23182088 A JP 23182088A JP H0827976 B2 JPH0827976 B2 JP H0827976B2
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【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、レーザ光を照射し、その反射光により記録
データを再生する光情報記録媒体に関する。
[従来の技術] レーザ光の照射により、データを記録することができ
る光情報記録媒体は、Te、Bi、Mn等の金属層や、シアニ
ン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記録層を
変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、ピットを
形成し、データを記録する。このような記録層を有する
光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録層の変
形、昇華、蒸発或は変性等を容易にすため、記録層の背
後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具体的
には例えば、空間部を挟んで2枚の基板を積層する、い
わゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造がとら
れる。
この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板1
側からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、
記録されたデータを再生するときは、上記基板1側から
記録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピット
とそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読み
とる。
一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き
込みや消去ができない、いわゆるROM型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持た
す、記録データを再生するためのピットを予めプレス等
の手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この
上にAu、Ag、Cu、Al等の金属膜からなる反射層を形成
し、さらにこの上を保護層で覆ったものである。
このROM型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるCDであり、このCDの記録、再生信
号の仕様は、いわゆるCDフォーマットとして規格化さ
れ、これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプ
レーヤ(CDプレーヤ)として極めて広く普及している。
[発明が解決しようとする課題] 上記光情報記録媒体は、やはりCDと同じレーザ光を用
いる記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広く
普及したCDに準拠することが強く望まれる。
しかしながら、上記の光情報記録媒体は、CDには無い
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にピットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にピットを形成するのを容易にするための空隙等を有す
ることから、再生信号が自ずとCDと異なってくる。この
ため、いわゆるCDについての規格を定めた上記CDフォー
マットを満足することが困難であった。特に、再生信号
の変調度が低いことにより、CDフォーマットに準拠した
再生信号が得られないのが現状である。
本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされた
もので、その目的は、CDフォーマットに準拠した変調度
の高い再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録
媒体を提供することにある。
[課題を解決するための手段] すなわち、上記目的を達成するため、本発明において
採用した手段の要旨は、透光性基板1の上に直接または
他の層を介して設けられたレーザ光を吸収する光吸収層
2と、光吸収層2の上に直接または他の層を介して設け
られたレーザ光を反射する光反射層3とを有する光情報
記録媒体において、上記光吸収層2がレーザ光を吸収す
ることにより、発熱と圧力増大を伴い、そのエネルギー
により透光性基板を局部的に変形させる材料を含有し、
上記透光性基板1の熱変形温度がASTM D648 4.6kg/cm2
で85〜200℃または1及びロックウェル硬度がASTM D785
でM200〜75の範囲であることを特徴とする光情報記録媒
体である。
[作用] この光情報記録媒体では、光吸収層2にレーザ光を照
射したとき、同光吸収層2がレーザ光を吸収して発熱
し、溶融、蒸発、昇華、反応、分解或は変性する等し
て、熱や圧力増大として局部的なエネルギーの変換がな
されるが、このとき、透光性基板1の熱変形温度がASTM
D648 4.6Kg/cm2で85〜200℃の範囲であり、あるいはロ
ックウェル硬度がASTM D785でM200〜75の範囲であるこ
とから、上記光吸収層2で発生したエネルギーが透光性
基板1の表面の局部的な変形によって吸収される。この
ため、同基板1の表面に上記変形によるピット5が形成
される。
こうして、透光性基板1の表面に形成されるピット5
は、予めプレス等の手段によって透光性基板の表面に形
成されるピットに近似するものである。また、光吸収層
2の背後に密着して他の層、例えば金属層による光反射
層3を設けることができる。従って、形態的にもCDに近
似した光情報記録媒体が得られ、CDフォーマットに準拠
した記録可能な光情報記録媒体が容易に得られる。
ここで、透光性基板1の熱変形温度、或は硬度を前記
の範囲に限定したのは、次の理由による。すなわち、透
光性基板1の熱変形温度が上記範囲に満たないときは、
一旦形成したピット5がその後受ける熱によって容易に
変形してしまうため、記録されたデータの安定性が悪
い。また、透光性基板1の熱変形温度が上記範囲を越え
るときは、光吸収層2で発生したエネルギーを、透光性
基板1の変形という形で吸収しにくいため、明瞭なピッ
ト5が形成できず、変調度の大きな再生信号が得られな
い。硬度についても同様で、透光性基板1の硬度が上記
範囲に満たないときは、一旦形成したピット5が小さな
外力によって容易に変形されてしまうため、記録された
データの安定性が悪い。また、透光性基板1の硬度が上
記範囲を越えるときは、光吸収層2で発生したエネルギ
ーを、透光性基板1の変形という形で吸収しにくいた
め、明瞭なピット5が形成できず、変調度の大きな再生
信号が得られない。
[実施例] 次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について
詳細に説明する。
本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、
第1図〜第3図に示す。同図において、1は、透光性を
有する基板、2は、その上に形成された光吸収層で、照
射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸発、昇
華、変形または変性し、上記透光性基板1の表面にピッ
トを形成する作用を有する層である。
既に述べた通り、本発明においては、上記透光性基板
1の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/cm2で85〜200℃、或
はロックウェル硬度がASTM D785でM200〜75の範囲であ
ることが必要である。より望ましくは熱変形温度が85〜
150℃であるか、或はロックウェル硬度がM100〜75の透
光性基板1を用いる。さらには、熱変形温度とロックウ
ェル硬度が各々上記範囲を共に満足することが最も望ま
しい。他方、光吸収層2の背後側、例えば、保護層4
は、この透光性基板1より熱変形温度が高く、かつ硬度
が高いものがよい。
3は、その上に形成されたレーザ光を反射する光反射
層、4は、その外側に設けられた保護層を示す。なお、
第2図は、レーザ光による記録前の状態を、第3図は、
記録後の状態、すなわち、レーザ光の照射時の光吸収層
2の局部的な熱変形により、基板1の表面が一部変形さ
れ、ピット5が形成された状態を模式的に示す。
この光情報記録媒体の具体例について、以下に説明す
る。
(実施例1) 透光性基板1として、射出成型法により形成された直
径46〜117mmφの範囲に、幅0.8μm、深さ0.08μm、ピ
ッチ1.6μmのスパイラル状のプレグルーブ8を有する
厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15mmφのポリカーボネー
ト製円板(帝人化成(株)製、商品名:パンライト)を
用いた。このポリカーボネート基板1のロックウェル硬
度ASTM D785は、M75であり、熱変形温度ASTM D648は、
4.6kg/cm2で135℃であった。
光吸収層2を形成するための有機色素として、0.65g
の1,1′ジブチル3,3,3′,3′テトラメチル4,5,4′,5′
ジベンゾインドジカーボシアニンパークロレート(日本
感光色素(株)製、品番NK3219)を、ジアセトンアルコ
ール溶剤10ccに溶解し、これを上記の基板1の表面に、
スピンコート法により塗布し、膜厚130nmの光吸収層2
を形成した。
次に、このディスクの直径45〜118mmφの領域の全面
にスパッタリング法により、膜厚50nmのAg膜を成膜し、
反射層3を形成した。さらに、この反射層3の上に紫外
線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、膜厚10μmの保護層4を形成した。なお、
この保護層4を形成する紫外線硬化樹脂の硬化後のロッ
クウェル硬度ASTM D785はM90であり、熱変形温度ASTM D
648は、4.6kg/cm2で150℃であった。
こうして得られた光ディスクに波長780nmの半導体レ
ーザを線速1.2m/sec、記録パワー6.0mWで照射し、EFM信
号を記録した。そして、この光ディスクを、市販のCDプ
レーヤ(Aurex XR−V73、再生光の波長λ=780nm)で再
生したところ、再生信号のアイパターンから得られるI
11/Itopが0.63、I3/Itopが0.32であった。
CD規格では、I11/Itopが0.6以上、I3/Itopが0.3〜
0.7と定められており、この実施例による光ディスク
は、この規格を満足している。
さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層4と光反
射層3とを剥離し、光吸収層2の表面を観察したところ
ピットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。
また、光吸収層2を溶剤で洗浄し、除去し、基板1の表
面を観察したところ、そこに光学的に変性した凸状のピ
ット5が形成されているのが確認された。
この光ディスクの層構造を第2図に模式的に示し、そ
の光記録後の状態を第3図に模式的に示す。
(実施例2) 上記実施例1において、透光性基板1として、射出成
型法により形成された、直径46〜80mmφの範囲に、幅0.
6μm、深さ0.08μm、ピッチ1.6μmのスパイラル状の
CDフォーマット信号が再生できるプレピット8が形成さ
れ、その外側の直径80〜117mmφの範囲に、0.8μm、深
さ0.08μm、ピッチ1.6μmのスパイラル状のプレグル
ーブ9が形成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内形15mm
φのポリカーボネート円板であって、ロックウェル硬度
ASTM D785がM75、熱変形温度ASTM D648が4.6kg/cm2、1
32℃のポリカーボネート円板(三菱ガス化学(株)製、
商品名:ユーピロン)を用いたこと、光反射層3として
Au膜を形成したこと、この光反射層3と紫外線硬化樹脂
製の保護層4との間に厚さ2μmのエポキシ樹脂層をス
ピンコート法により形成したこと以外は、上記実施例1
と同様にして光ディスクを製作した。なお、このエポキ
シ樹脂層のロックウェル硬度ASTM D785はM90であり、熱
変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2で140℃である。ま
た、この光ディスクの内側の直径46〜80mmφの範囲は、
いわゆるROM領域であり、その外側の直径80〜117mmφの
範囲は記録可能領域である。
こうして得られた光ディスクの上記記録可能領域に、上
記実施例1と同様にしてEFM信号を記録し、その後、こ
の光ディスクを、市販のCDプレーヤで再生したところ、
再生信号のアイパターンから得られるI11/Itopが0.6
2、I3/Itopが0.32であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(実施例3) 上記実施例1において、透光性基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM80、熱変形温度ASTM D648が4.6kg
/cm2、89℃のポリスチレン円板を用い、この円板上のプ
レグルーブを30nmの振幅により、22.1lHzのウエブリン
グさせたこと、光吸収層2と光反射層3との間に厚さ40
nmのシリコンアクリル樹脂層をスピンコート法により形
成し、この層と光吸収層との間に厚さ10nmのエポキシ樹
脂層をスピンコート法により形成したこと、光反射層3
といてAu膜を形成したこと以外は、上記実施例1と同様
にして光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂
層のロックウェル硬度ASTM D785はM100であり、熱変形
温度ASTM D648は、4.6kg/cm2で200℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.33
であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(実施例4) 上記実施例1において、透光性基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM80、熱変形温度ASTM D648が4.6kg
/cm2、89℃のポリスチレン円板を用いたこと、光吸収層
2と光反射層3との間に厚さ40nmのシリコンアクリル樹
脂層をスピンコート法により形成したこと、光反射層3
としてAu膜を形成したこと、この光反射層3と紫外線硬
化樹脂製の保護層4との間に厚さ10nmのエポキシ樹脂層
をスピンコート法により形成したこと以外は、上記実施
例1と同様にして光ディスクを製作した。なお、このエ
ポキシ樹脂層のロックウェル硬度ASTM D785はM100であ
り、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2で200℃であ
る。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.63、I3/Itopが0.33
であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(実施例5) 上記実施例1において、透光製基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM75、熱変形温度ASTM D648が4.6kg
/cm2、140℃のポリスオレフィン円板(三井石化(株)
製)を用いたこと、光吸収層2を1、1′ジブチル3、
3、3′、3′テトラメチル5、5′ジエトキシインド
ジカーボシアニンパークロレートにより形成したこと、
光吸収層2と光反射層3との間に厚さ40nmのシリコンア
クリル樹脂層をスピンコート法により形成したこと、光
反射層3としてAu膜を形成したこと、この光反射層3と
紫外線効果樹脂製の保護層4との間に厚さ10nmのエポキ
シ樹脂層をスピンコート法により形成したこと以外は、
上記実施例1と同様にして光ディスクを製作した。な
お、このエポキシ樹脂層のロックウェル硬度ASTM D785
はM100であり、熱変形温度ASTM D648は、4.6kg/cm2で20
0℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.61、I3/Itopが0.30
であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(実施例6) 上記実施例1において、透光製基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM90、熱変形温度ASTM D648が4.6kg
/cm2、135℃のエポキシ円板を用いたこと、光吸収層2
を1、1′ジブチル3、3、3′、3′テトラメチル
5、5′ジエトキシインドジカーボシアニンパークロレ
ートにより形成したこと、光反射層3としてAl膜を形成
したこと、光吸収層2と光反射層3との間に厚さ40nmの
シリコンアクリル樹脂層をスピンコート法により形成し
たこと以外は、上記実施例1と同様にして光ディスクを
製作した。なお、このエポキシ樹脂層のロックウェル硬
度ASTM D785はM100であり、熱変形温度ASTM D648は、4.
6kg/cm2で200℃である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.60、I3/Itopが0.31
であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た(実施例7) 上記実施例1において、透光性基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM100、熱変形温度ASTM D648が4.6k
g/cm2、100℃のポリメチルメタクリレート円板(三菱レ
ーヨン(株)製、商品名:アクリペット)を用いたこ
と、光吸収層2を1、1′ジブチル3、3、3′、3′
テトラメチル5、5′ジエトキシインドジカーボシアニ
ンパークロレートにより形成したこと、光反射層3とし
てAuとSbとの9:1の合金膜を形成したこと、この光反射
層3と紫外線硬化樹脂製の保護層4との間に厚さ10nmの
イソシアネート層をスピンコート法により形成したこと
以外は、上記実施例1同様にして光ディスクを製作し
た。なお、上記合金膜の鉛筆硬度は、H以上である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパタ
ーンから得られるI11/Itopが0.64、I3/Itopが0.33で
あった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(実施例8) 上記実施例1において、透光性基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM95、熱変形温度ASTM D648が4.6kg
/cm2、86℃のポリメチルメタクリレート円板(協和ガス
化学(株)製、商品名:パラペット)を用いたこと、光
吸収層2を1、1′ジブチル3、3、3′、3′テトラ
メチル5、5′ジエトキシインドジカーボシアニンパー
クロレートにより形成したこと、光反射層3としてAuと
Sbとの8:2の合金膜を形成したこと、この光反射層3と
紫外線硬化樹脂製の保護層4との間に厚さ10nmのポリイ
ソプレン層をスピンコート法により形成したこと以外
は、上記実施例1と同様にして光ディスクを製作した。
なお、上記合金膜の鉛筆硬度は、H以上である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.66、I3/Itopが0.34
であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(実施例9) 上記実施例1において、透光性基板1としてロックウ
ェル硬度ASTM D785がM102、熱変形温度ASTM D648が4.6k
g/cm2、95℃のポリメチルメタクリレート円板(協和ガ
ス化学(株)製、商品名:パラペット)を用いたこと、
光吸収層2を1、1′ジブチル3、3、3′、3′テト
ラメチル5、5′ジエトキシインドジカーボシアニンパ
ークロレートにより形成したこと、光反射層3としてAu
とSbとの8:2の合金膜を形成したこと以外は、上記実施
例1と同様にして光ディスクを製作した。なお、上記合
金膜の鉛筆硬度は、H以上である。
こうして得られた光ディスクに、上記実施例1と同様
にしてEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパ
ターンから得られるI11/Itopが0.65、I3/Itopが0.33
であった。
さらに、上記実施例1と同様にして、記録後の光ディ
スクの基板1の表面を観察したところ、そこに光学的に
変性した凸状のピット5が形成されているのが確認され
た。
(比較例) 上記実施例1において、透光製基板1として、熱変形
温度ASTM D648が4.6kg/cm2で210℃、ロックウェル硬度A
STMがD785でM205の紫外線硬化性樹脂により2P法にて形
成したこと以外は、上記実施例1と同様にして光ディス
クを製作した。
こうして得られた光ディクに、上記実施例1と同様に
してEFM信号を記録し、その後、この光ディスクを、市
販のCDプレーヤで再生したところ、再生信号のアイパタ
ーンから得られるI11/Itopが0.56、I3/Itopが0.30で
あった。
この光ディスクは、上記CDフォーマットを満足するこ
とができない。
[発明の効果] 以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記
録方法によれば、レーザ光の照射により、基板の表面に
CDに近似した凹状にピットを形成できると共に、光吸収
層の背後に反射層を密着することもできることから、CD
に近似する層構造をとることができる。特に、透光性基
板1として比較的熱変形温度が低いか、或は硬度の低い
ものを用いていることから、レーザ光の照射により光吸
収層2に発生するエネルギーにより、透光性基板1の表
面に明瞭なピットを形成することができ、これによって
変調度の高い再生信号が得られる。この点から、CDフォ
ーマットに準拠した記録可能な光情報記録媒体が容易に
得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第2図は、第1図の光記録前のA部拡大図、
第3図は、第1図の光記録後のA部拡大図である。 1……基板、2……光吸収層、3……反射層、4……保
護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 隆 東京都台東区上野6丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−26853(JP,A)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透光性基板1の上に直接または他の層を介
    して設けられたレーザ光を吸収する光吸収層2と、光吸
    収層2の上に直接または他の層を介して設けられたレー
    ザ光を反射する光反射層3とを有する光情報記録媒体に
    おいて、上記光吸収層2がレーザ光を吸収することによ
    り、発熱と圧力増大を伴い、そのエネルギーにより透光
    性基板を局部的に変形させる材料を含有し、上記透光性
    基板1の熱変形温度がASTM D648 4.6kg/cm2で85〜200℃
    の範囲であることを特徴とする光情報記録媒体。
  2. 【請求項2】透光性基板1の上に直接または他の層を介
    して設けられたレーザ光を吸収する光吸収層2と、光吸
    収層2の上に直接または他の層を介して設けられたレー
    ザ光を反射する光反射層3とを有する光情報記録媒体に
    おいて、上記光吸収層2がレーザ光を吸収することによ
    り、発熱と圧力増大を伴い、そのエネルギーにより透光
    性基板を局部的に変形させる材料を含有し、上記透光性
    基板1のロックウェル硬度がASTM D785でM200〜75の範
    囲であることを特徴とする光情報記録媒体。
  3. 【請求項3】透光性基板1の上に直接または他の層を介
    して設けられたレーザ光を吸収する光吸収層2と、光吸
    収層2の上に直接または他の層を介して設けられたレー
    ザ光を反射する光反射層3とを有する光情報記録媒体に
    おいて、上記光吸収層2がレーザ光を吸収することによ
    り、発熱と圧力増大を伴い、そのエネルギーにより透光
    性基板を局部的に変形させる材料を含有し、上記透光性
    基板1の熱変形温度がASTM D648 4.6Kg/cm2で85〜200℃
    であり、かつロックウェル硬度がASTM D785でM200〜75
    の範囲であることを特徴とする光情報記録媒体。
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