JPH02139732A

JPH02139732A - 光情報記録媒体とその記録方法

Info

Publication number: JPH02139732A
Application number: JP1007512A
Authority: JP
Inventors: Emiko Hamada; 浜田　恵美子; Yuji Arai; 新井　雄治; Ariake Shin; 有明辛; Takashi Ishiguro; 隆石黒
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-08-26
Filing date: 1989-01-14
Publication date: 1990-05-29
Anticipated expiration: 2013-02-10
Also published as: JP2710041B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は、レーザ光によりデータを記録し、前記レーザ
光七異なるレーザ光により記録データを再生する光情報
記録媒体とその記録方法に関する。

［従来の技術］レーザ光の照射により、データを記録することができる
光情報記録媒体は、Ｔｅ、　　Ｂｉｓ　　Ｍｎ等の金属
層や、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン等の色
素層等からなる記録層を有し、レーザ光の照射により、
上記記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段
で、ピットを形成し、データを記録する。この記録層を
有する光情報記録媒体では、ピットを形成する際の記録
層の変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記
録層の背後に空隙を設けること・が一般に行なわれてい
る。具体的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積
層する、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層
構造がとられる。

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する基板ｌ側
からレーザ光を照射し、ピットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板１６１！Ｉか
ら記録時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ピッ
トとそれ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読
みとる。

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広く実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのピットを予めプレス等の
手段でポリカーボネート製の基板の上に形成し、この上
にＡｕｓ　　Ａｇｓ　　Ｃｕｓ　　Ａｔ等の金属膜から
なる反射層を形成し、さらにこの上を保護層で覆ったも
のである。

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤフォーマットとして規格
化され、これに準拠する再生装置は、コンパクトディス
クプレーヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広（普及して
いる。

［発明が解決しようとする課題］上記光情報記録媒体は、やはりＣＤと同じレーザ光を用
いる記録、再生手段であるため、再生に際し、既に広（
普及したＣＤに準拠することが強く望まれる。

しかしながら、上記の光情報記録媒体は、ＣＤには無い
記録層を有し、基板にではなく、この記録層にピットを
形成して記録する手段がとられる。さらに、この記録層
にピットを形成するのを容易にするための空隙層等を有
することから、再生信号が自ずとＣＤと異なってくる。

このため、いわゆるＣＤについての規格を定めた上記Ｃ
Ｄフォーマットを満足することが困難であった。特に、
透光性基板側から入射したレーザ光の反射率が低いこと
により、ＣＤフォーマットに準拠した再生信号が得られ
ないのが現状である。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その第一の目的は、ＣＤフォーマットに準拠する
再生信号が得られる書き込みが可能な光情報記録媒体を
提供することにある。さらに、本発明の第二の目的は、
上記光情報記録媒体に適した光情報記録方法を提供する
ことにある。

［課題を解決するための手段］すなわち、」：記第−の目的を達成するため、本発明に
おいて採用した手段の要旨は、透光性基板の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前
記光吸収層の上に直接または他の層を介してレーザ光を
反射する光反射層が設けられた光情報記録媒体において
、上記光吸収層より透光性基板側に、当該光吸収層にお
けるレーザ光の吸収により発生したエネルギーにより、
変形される層を存する光情報記録媒体である。

さらに、上記第二の目的を達成するため、本発明におい
て採用した手段は、透光性基板の上に直接または他の層
を介してレーザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層
の上に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光
反射層が設けられた光情報記録媒体を用い、上記基板側
から入射させたレーザ光を光吸収層で熱、圧力等のエネ
ルギーに変換し、このエネルギーにより、上記光吸収層
より透光性基板側にある他の層を局部的に変形、例えば
凸状、波状もしくは凹状に変形させて、ピットを形成す
る光情報記録方法である。

［作　　　用］この光情報記録媒体では、光吸収層にレーザ光を照射し
たとき、同光吸収層がレーザ光を吸収して発熱すると共
に、同光吸収層が融解、蒸発、昇華、反応、分解或は変
性する等してガス発生もしくは膨張し、局部的に、圧力
増大がもたらされる。すなわち、レーザ光のエネルギー
により、光吸収層から熱的、機械的なエネルギーが変換
或は誘起される。このとき、上記レーザ光を上記光吸収
層に収束して照射した時は、上記エネルギーが局部的に
発生する。こうして発生したエネルギーは、光吸収層に
隣接する他の層に及び、そこを局部的に変形させ、光学
的変性部分（ピット）を形成する。すなわち、光学的変
性部分は、発熱により、隣接する他の層が変形すると同
時に、融解、蒸発、昇華、反応、分解或いは変形した光
吸収層の成分が、上記変形領域に混入して形成される。

こうして、基板などの表面に形成された光学的変性部分
は、記録層に形成されるのと異なり、予めプレス等の手
段によって基板の表面に形成されるピットに近似するも
のである。また、このような構造の記録可能な光情報記
録媒体では、光吸収層の背後に密着して反射層を設ける
ことができる。従って、形態的にもＣＤに近似した光情
報記録媒体が得られ、特に、データを読みとる際のレー
ザ光の反射率、再生信号の変調度、ブロックエラーレー
ト等の点で、ＣＤフＡ−マットに準拠した記録可能型光
情報記録媒体が容易に得られる。

［実　施　例コ次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第７図に示す。同図において、■は、透光性を有
する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、照射
されたレーザ光を吸収して発熱すると共に、融ｊ稈、蒸
発、昇華、変形または変性する層である。第４図〜第７
図においてのみ示された６の符号は、上記透光性基板１
と光吸収層２との間に存在する樹脂層、耐溶剤層等の中
間層で、これが存在する場合は、レーザ光の照射時にお
ける上記光吸収層２の発熱、圧力増大等により、第５図
で示すように同層６が変形し、光学的に変性したピット
５が形成される。また、これら中間層６の膜厚が３０ｎ
ｍ以下というように、比較的薄い場合は、第７図で示す
ように、同層６の変形が基板ｌにも及ぶことがある。こ
うした中間層６が存在しないときは、第３図で示すよう
に基板■の界面が変形され、光学的に変性したピット５
が形成される。３は、その上に形成された光反射層、４
は、その外側に設けられた保護層を示す。

第２図、第４図及び第６図は、レーザ光による記録前の
状態を、第３図、第５図及び第７図は、記録後の状態、
すなわち、光学ピックアップ８からレーザ光７を光吸収
層２に収束して照射した時に、同層２で発生する熱や圧
力増大等のエネルギーにより、基板ｌの表面が一部変形
され、光学的に変性したピット５が形成された状態を模
式的に示す。

透光性基板１は、レーザ光に対する透明度の高い材料で
、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形成されたもの
、例えばポリカーボネート板、アクリル板、エポキシ板
等が用いられる。

光吸収層２は、上記透光性基板１側から入射したレーザ
光を吸収して発熱すると共に、融解、蒸発、昇華、反応
、分解或は変性する等してガス発生もしくは膨張し、局
部的に圧力増大がもたらされるもので、インドシカ−ポ
ジアニン等のシアニン系色素を上記基板ｌの上またはそ
の上に形成された他の層を介してスピンコード法等によ
り形成する。反射層３は金属膜により形成され、例えば
、金、銀、銅、アルミニウムあるいはこれらを含む合金
膜等により形成される。

保護層４は、透光性基板１と同様の耐衝撃性に優れた樹
脂により形成され、最も一般的には紫外線硬化樹脂をス
ピンコード法により塗布し、これに紫外線を照射して硬
化させることにより形成される。この他、エポキシ樹脂
、アクリル樹脂、シリコーン系ハードフート樹脂等が一
般に使用されるが、緩衝作用を持たせるため、ウレタン
樹脂等の弾性材で形成されることもある。

なお、この発明による光情報記録媒体において、光吸収
層２の複素屈折率の実数部ｎａｂｓ　とその膜厚ｄ　ｍ
ｂｓ　と再生光の波長λ七で与えられるρ”　ｎ　ａｂ
ｓ　ｄ　ａｂｓ／λが０．０５≦ρ≦０．６であり、か
つ上記複素屈折率の虚部１＜６ｂｓ　が０゜３以下であ
るのが望ましい。第８図は、光ディスクの２つの例につ
いて、再生光として波長λ”７８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた場合に、上記光ディスクの光吸収層２の複素屈
折率の実数部ｎ１３、膜厚ｄ　ａｂｓ及び再生光の波長
λで与えられるρ＝ｎａｂｓｄａｂｓ／入と、基板側か
ら入射させた光の反射率との関係を示すグラフである。

また、第９図は、反射層にＡｕ１ｌ！を用いた光ディス
クにおいて、シアニン系色素からなる光吸収層の透光性
を変え、その複素屈折率の実数部を　ｎａｂｓ＝２．４
と一定にしながら、その虚部ｌ＜。ｂ３をＯに近い値か
ら２．０まで変化させたときの反射率を示している。こ
れらからρ＝ｎａｂｓｄａｂｓ／λとｋ　ａｂｓ　とが
、上記の条件を満足する場合は、高い反射率が得られる
ことが理解され、反射率７０％以上というＣＤフ４−マ
ットに定められた規格特性を容易に確保できるようにな
る。

また、この発明による光情報記録媒体では、透光性基板
１に対して光吸収層２の背後側の層、例えば光反射層３
や保護層４′４を、上記ビット５が形成される層に比べ
て熱変形温度が高（、かつ硬度が高いもので形成するの
が望ましい。

背後側の層を硬度の高い層で形成することは、記録信号
のブロックエラーレートの低減に効果が認められ、ブロ
ックエラーレートＢＬＥＲが３ＸＩＯ−２以下というＣ
Ｄフォーマットに定められた規格特性を十分確保できる
。

さらに、本発明の具体的な実施例について、以下に説明
する。

（実施例１）表面に幅０．−　８　ｕ　ｒｒｈ　　深さ０．０８μｍ
、　　ピッチ１．　６μｍのスパイラル状のプレグルー
ブ８が形成された厚さｌ、　　２ｍｍｖ　外径１２０ｍ
ｍφ、内径１５ｍｍφのポリカーボネー１−１板ｌを射
出成形法により成形した。このポリカーボネート基板ｌ
のロックウェル硬度ＡＳＴＭＤ７８５は、Ｍ７５鉛筆硬
度ＨＢと同等であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８
は、４．Ｅｉｋｇ／ｃｍ２、ｌ　２　ｔ　”ｃであった
。

光吸収層２を形成するための有機色素として、０．８５
ｇの１，１′ジブチル３．　３．　３’３′テトラメチ
ル４．　５．　４″、５′ジベンゾインドジカーボシア
ニンパークロレ−１・（日本感光色素研究所製、品番Ｎ
Ｋ３２１９）を、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃｃに
溶解し、これを上記の基板１の表面に、スピンコ−１・
法により塗布し、Ｍ厚１３０　ｎｍの感光色素ＩＭから
なる光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折
率の実数部ｎａｂｓ　とその膜厚ｄ　ａｂｓと再生光の
波長λとで与えられるρ”　ｎ　ａｂｓ　ｄ　ａｂｓ／
λは、０．４５であり、かつ上記複素屈折率の虚部ｋ　
ａｂｓは０．０５であった。

次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚８０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射層３
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの保護層４を形成
した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度ＡＳＴＭ　
　Ｄ６４８は、４．Ｅ３ｋｇ／ａｍ２．１３５℃であっ
た。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．　２　ｍ／　ｓ　ｅ　ｃ％記録パワ
ーＥ３．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その
後、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅ
ｘ　　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で
再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ　
、１／　Ｉ　Ｌｏ。

が０．６８．１３／Ｉｔｏｐが０，３５、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが１．　２　Ｘ　１０−２テアッＣＤ
規格では、反射率が７０％以上、１１１／１１゜、が０
゜６以上、Ｉａ／Ｌ。、が０．３〜０゜７、ブロックエ
ラーレー）ＢＬＥＲが３×１０−２以下と定められてお
り、この実施例による光ディスクは、この規格を満足し
ている。

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反射
層３とを剥離し、光吸収層２の表面を観察したところピ
ットの輪郭と思われる線状の微小な凹凸が見られた。ま
た、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、基板ｌの表面を
観察したところ、そこに、光学的に変性したピット５が
形成されているのが確認された。

この光ディスクの層構造を第２図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第３図に模式的に示す。

（実施例２）上記実施例■において、光吸収層２と光反射層３との間
に、エポキシ樹脂をスビンコートシ、膜厚１１００ｎの
硬質層を設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして
、光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬化
後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏで
あり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８は、４．８ｋｇ
／ｃｍ２．１３５℃であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、上記実施例１と
同様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性、かえ
られ、さらにブロックエラーレ−１−Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒは
、３．０ＸＩＯ−３であった。また、上記実施例Ｉ上回
様にして、記録後の光ディスクの基板１の表面を観察し
たところ、そこにピット５が形成されているのが確認さ
れた。

（実施例３）上記実施例Ｉにおいて、光吸収層２と光反射層３との間
であって、光吸収層２の」二面に形成するエポキシ樹脂
に代えて膜厚１１００ｎのシリコンアクリル樹脂の硬質
層を設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる２
０％ｍの結着層をそれぞれスピンコード法により形成し
たこと以外は、上記実施例１と同様にしで、光ディスク
を製作した。なお、シリコンアクリル樹脂層の硬化後の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ夏００であ
り、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は、　４．　６ｋｇ／
ｃｍ２．１００℃であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長７８０ｎ
ｍで再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、
１目／Ｉｔ０−が０．６３．Ｉ３／Ｉｔ。、が０．３５
、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが２．５Ｘ１０−３で
あった。また、上記実施例１と同様にして、記録後の光
ディスクの基板ｌの表面を観察したところ、そこにピッ
ト５が形成されているのが確認された。

（実施例４）上記実施例１において、光吸収層２の１−に、光反射層
３として金とアンチモンとの９＝　１の割合の合金膜を
真空蒸着法で形成したこと、及びこの反射層３の上に、
エポキシ樹脂からなる２０％ｍの結着層を介して紫外線
硬化樹脂からなる保護層４を形成したこと以外は、上記
実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。なお、
上記光反射層３は、鉛筆硬度としてｒＨＪ以上の硬度を
有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワーＥｉ、２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレー
ヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、
Ｉ＋＋／Ｉｔ。。

が０．６２、Ｉｓ／Ｌ。。が０．３２、ブロックエラー
レートＢＬＥＲが３．５Ｘ１０−３であった。また、上
記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの基板ｌ
の表面を観察したところ、そこにピット５が形成されて
いるのが確認され（実施例５）上記実施例１において、ポリカーボネート基板１の光入
射側上に紫外線硬化型ノ１−ドコート樹脂をスピンコー
ドし、厚さ１．ｃＬｍの基板保護層を設け、プリグルー
プを設けた面上に光吸収層２を形成したこと、及びこの
光吸収層２の上に、光反射層３としてイリジウムと金と
の３：ｌの割合の合金膜をスッパタリング法により形成
したこと以外は、上記実施例１と同様にして、光ディス
クを製作した。なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度とし
て「５Ｈ」以上の硬度を存する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が７０％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。、が０，
６２．１．、／１ｔｏｐが０．３７、ブロツクエラーレ
−１−Ｂ　Ｌ　ＥＲが３．７Ｘ１０−３であった。また
、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの基
板１の表面を観察したところ、そこにピット５が形成さ
れているのが確認された。

（実施例６）上記実施例１において、光反射層３を厚さ６０ｎｍの銀
膜で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート
剤をスピンコーＩ・シ、これを加熱、硬化させて厚み３
μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１と
同様にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護ｊ
α１４は、鉛筆硬度としてｒＨＢＪ以上の硬度を有する
。

こうして得られた光ディスクに、」１記実施例１と同様
にしてＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを
、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導
体レーザの反射率が７１％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。、が０．　
６３、Ｉｓ／Ｉｔ。。

が０．３５、ブロックエラーレ−１−Ｂ　Ｌ　Ｅ　Ｒが
２．８Ｘ１０−３であった。また、上記実施例１と同様
にして、記録後の光ディスクの基板ｌの表面を観察した
ところ、そこにピット５が形成されているのが確認され
た。

（実施例７）上記実施例１において、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を真空蒸
着した光反射層３の上に、ジクリシジルエーテルで希釈
したポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコード
して形成された３０ｎｍの結着層を介してシリコーン系
ハードコート剤をスピンコードシ、これを加熱、硬化さ
せて厚み３μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記
実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７２％、Ｉ＋＋／Ｉｔ。、が０．　６
５、Ｉ３／Ｉｔ。。

が０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．５Ｘ
１０−”であった。また、上記実施例１と同様にして、
記録後の光ディスクの基板１の表面を観察したところ、
そこにピット５が形成されているのが確認された。

（実施例８）上記実施例１において、Ｌ　　１’　ジブチル３．３．
３′　　３′テトラメチル５．５′ジエｉ・キシインド
シカ−ポジアニンパークロレートを用いて光吸収層２を
形成したこと、光反射層３の上にエポキシ樹脂からなる
１１００ｎの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬
化樹脂を１０μｍ設けて、保護層４を形成した以外は、
上記実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７４％、Ｉ＋＋／１．１゜、が０．　
６８．１３／　Ｉｔｏｐが０．３４、ブロックエラーレ
ートＢＬＥＲが８．３Ｘ１０−”であった。また、上記
実施例１と同様にして、記録後の光ディスクの基板１の
表面を観察したところ、そこにピット５が形成されてい
るのが確認された。

（実施例９）上記実施例１において使用したのと同じポリカーボネー
ト基板１の表面にジイソブチルケトンで溶解したアクリ
ル樹脂をスピンコードし、厚み４０　ｎｍの中間層６を
形成した。この中間層６のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　
　Ｄ７８５は、ＭＢ２であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　
Ｄ６４８は、４．６ｋｇ／Ｃｍ２．１００°Ｃであった
。

光吸収層２を形成するための有機色素として、０．６ｇ
の１，１′　ジプロピル、　　３．　３．　３’３′テ
トラメチル５，５′　ジメトキシインドジカーボシアニ
ンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板ｌの表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１２０ｎｍの感光色素膜からな
る光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
の実数部ｎａｂｓ　とその膜厚ｄ　ａｂｓ　と再生光の
波長λとで与えられるρ”　ｎ　ａｂｓ　ｄ　ａｂｓ／
λは、０８４１であり、かつ上記複素屈折率の虚部に１
１．は０，０２であった。

次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンアク
リル樹脂をスピンコードし、厚さ１００　ｎ　ｆｆｈ　
　鉛筆硬度２Ｈ，熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８　４．６
ｋｇ／ａｍ２，１２０°Ｃのシリコンアクリル樹脂層を
形成し、その上にスパッタリング法により、膜厚５０ｎ
ｍのＡ　ｕ　Ｉ’ｌＡを成ｊ模し、反射層３を形成した
。さらに、この反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピ
ンコードし、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１
０μｍの保護層４を形成した。この保護層４の硬化後の
ロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり
、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ８４８は、４．６ｋｇ／ａ
ｍ’、１３５℃であった。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅｅｓ記録パワー７．５ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ目／Ｉｔ−＝が
０１６２、Ｉ３／Ｉｔ。、が０．３１．　　ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが４．０Ｘ１０−３であった。

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反射
層３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去し、中
間層６の表面を観察したところ、そこにピット５が形成
されているのが確認された。

（実施例１０）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと以外は
、上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７３％、Ｉ
＋＋／Ｉｔ、。

が０．６２．１３／Ｉｔ、ｐが０．３１．　　ブロック
エラーレートＢＬＥＲが３．４Ｘ１０−３であつた。ま
た、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディスクの
中間層６の表面を観察したところ、そこにピット５が形
成されているのが確認された。

（実施例１１）上記実施例９において、基板１としてガラス基板を用い
たこと、及び反射層の上に、ｌ−ルエンとメチルエチル
ケトンの１：　１の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂
をスピンコード法にて形成された厚さ２０ｎｍの結着層
を形成したこと以外は、上記実施例９と同様にして、光
ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
＋＋／’Ｉｔ。。

が０．６５、Ｉｓ／Ｉｔ０ｐが０．３３、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが３．６Ｘ１０−３であった。また、
上記実施例９と同様にして、記録後の光ディスクの中間
層６の表面を観察したところ、そこにビット５が形成さ
れているのが確認された。

（実施例１２）上記実施例９において、中間層６の一ヒに、シリコンコ
ート剤をスピンコードして、厚み０゜０１８ｍのシリケ
ート層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、及
び反射層の上に、ポリブタジェンをスピンコード法にて
形成した厚さ２０ｎｍの結着層を形成したこと以外は、
上記実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
＋＋／Ｉｉ０゜がＯ，ＥｉＥｌ、Ｉ３／Ｉｔ。、が０．
３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．５Ｘ１０−
３であった。また、上記実施例９と同様にして、記録後
の光ディスクの中間層６の表面を観察したところ、そこ
にビット５が形成されているのが確認された。

（実施例１３）上記実施例９において、中間層６の厚みを２０ｎｍとし
たこと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反
射層３としてイリジウムと金とのｌ：　９の割合の合金
膜をスパッタリング法により形成したこと以外は、上記
実施例９と同様にして、光ディスクを製作した。なお、
前記合金膜の鉛筆硬度は２Ｈであった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ
　ｚ／　Ｉ　ｔｏｐが０．　８３　、Ｉ　ｓ／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３２、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３゜
３Ｘ１０−３であった。また、上記実施例９と同様にし
て、記録後の光ディスクの中間層６の表面を観察したと
ころ、そこにビット５が形成されているのが確認された
。このビット５は、中間層６の膜厚が薄いため、基板の
表面にまで達して形成されている。

この光ディスクの層構造を第６図に模式的に示し、その
光記録後の状態を第７図に模式的に示す。

（実施例１４）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１８ｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
イリジウムと金とのｌ：９の割合の合金膜をスパッタリ
ング法により形成したこと以外は、上記実施例９と同様
にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％、Ｉ
　、、／　Ｉ　ｔｏｐが０．６４．１３／Ｉｔ。、が０
．３２、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２，８Ｘ１０
−３であった。また、上記実施例９と同様にして、記録
後の光ディスクの中間層６の表面を観察したところ、そ
こにビット５が形成されているのが確認された。

（実施例１５）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３としてイリジウムと金とのに〇の
割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこと、
及び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコートシ
て、厚さ２０ｎｍの結着層を形成し、この上に紫外線硬
化性樹脂製の保護層４を形成したこと以外は、上記実施
例９と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
＋＋／Ｉｔ。。

が０，６４．１３／Ｉｔ０ｅが０．３２、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが４．ｌＸ１０−３であった。また、
上記実施例９と同様にして、記録後の光ディスクの中間
層６の表面を観察したところ、そこにビット５が形成さ
れているのが確認された。

（実施例１６）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０ｎｍの銅膜を形成
したこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル溶
剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をスピ
ンコードして厚さ５０ｎｍのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、上記実施例９と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、上記保護層はロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５がＭＩＩＯであることから硬質層として
の機能を存する。

こうして得られた光ディスクに、−上記実施例９と同様
にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレー
ヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、
！＋＋／Ｉｔ。。

が０．　６４、Ｉ３／Ｉｔ。、が０．３３、ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが２．９Ｘ１０弓であった。また、
上記実施例９と同様にして、記録後の光ディスクの中間
層６の表面を観察したところ、そこにビット５が形成さ
れているのが確認された。

（実施例１７）上記実施例９において、中間層６の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
厚さ５゜ｎｍの銅膜を形成したこと、及び保護層４とし
てジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール
硬化型エポキシ樹脂をスピンコードしてｆｆさ５０ｎｍ
のエポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例９
と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ
ｚ／Ｉｔ。。

が０．６４．１３／Ｉｔ０ｐが０．３３、ブロックエラ
ーレートＢＬＥＲが３．５Ｘ１０−３であった。また、
上記実施例９と同様にして、記録後の光ディスクの中間
層６の表面を観察したところ、そこにビット５が形成さ
れているのが確認された。

（実施例１８）上記実施例９において、シリコンアクリル樹脂層を設け
ないこと及び反射層３として厚さ５０ｎｍの銅膜を真空
蒸着法で形成したこと、反射層の上に、トルエンとメチ
ルエチルケトンの６＝４の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニ
ル樹脂をスピンコードで形成した厚さ２０ｎｍの結Ｎ層
を介して保護層４を形成したこと、及び保護層４として
ジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール硬
化型エポキシ樹脂をスピンコードして厚さ５０ｎｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例９と同
様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例９と同様に
して記録パフ−７，４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例９と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｉ
　＋＋／　Ｉ　ｔｏ。

カ０．６４　、Ｉ　ｓ／　Ｉ　ｔｏｅが０．３３、ブロ
ックエラーレートＢＬＥＲが３．６Ｘ１０１であった。

また、上記実施例９と同様にして、記録後の光ディスク
の中間層６の表面を観察したところ、そこにビット５が
形成されているのが確認された。

［発明の効果コ以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体とその記録
方法によれば、レーザ光の照射にょリ、光学的にＣＤに
近似したピットを形成できると共に、光吸収の背後に反
射層を密着することもできることから、ＣＤに近似する
層構造をとることができる。これによって、ＣＤフォー
マットに準拠した記録可能な光情報記録媒体が容易に得
られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光記録前のトラックに沿
って断面した部分拡大図、第３図は、第１図の光記録後
のトラックに沿って断面した部分拡大図、第４図は、光
情報記録媒体の他の実施例を示すトラックに沿って断面
した要部断面拡大図、第５図は同実施例における記録後
の状態を示すトラックに沿って断面した要部断面拡大図
、第６図は、光情報記録媒体の他の実施例を示すトラッ
クに沿って断面した要部断面拡大図、第７図は同実施例
における記録後の状態を示すトラックに沿って断面した
要部断面拡大図、第８図は、光ディスクの光吸収層の複
素屈折率の実数部ｎ、ｂ、、膜厚ｄ　ａｂヨ及び再生光
の波長λで与えられるρ”　ｎ　ｓｂｓ　ｄ　ａｂｓ／
λの値とレーザ光の反射率との関係の例を示すグラフ、
第９図は、光ディスクの光吸収層の複素屈折率の虚部に
、、３の値とレーザ光の反射率との関係を示すグラフで
ある。ｌ・・・基板　２・・・光吸収層　３・・・光反射層　
４・・・保護層

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を反射する光反射層が設け
られた光情報記録媒体において、上記光吸収層より透光
性基板側に、当該光吸収層におけるレーザ光の吸収によ
り発生したエネルギーにより、変形される層を有するこ
とを特徴とする光情報記録媒体。
（２）上記特許請求の範囲第１項において、光吸収層２
の複素屈折率の実数部ｎ＿ａ＿ｂ＿ｓとその膜厚ｄ＿ａ
＿ｂ＿ｓと再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎ＿ａ＿
ｂ＿ｓｄ＿ａ＿ｂ＿ｓ／λが０．０５≦ρ≦０．６であ
り、かつ上記複素屈折率の虚部ｋ＿ａ＿ｂ＿ｓが０．３
以下であることを特徴とする光情報記録媒体。
（３）透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層と、前記光吸収層の上に直接ま
たは他の層を介してレーザ光を反射する光反射層が設け
られた光情報記録媒体を用い、上記基板側から入射させ
たレーザ光を光吸収層で熱、圧力等のエネルギーに変換
し、このエネルギーにより、上記光吸収層より透光性基
板側にある他の層を局部的に変形させて、ピットを形成
することを特徴とする光情報記録方法。