JPH02168448A

JPH02168448A - 光情報記録媒体

Info

Publication number: JPH02168448A
Application number: JP1227162A
Authority: JP
Inventors: Yuji Arai; 新井　雄治; Emiko Hamada; 浜田　恵美子; Ariake Shin; 有明辛; Takashi Ishiguro; 隆石黒
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-09-01
Filing date: 1989-09-01
Publication date: 1990-06-28
Anticipated expiration: 2013-12-24
Also published as: JP2840643B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野コ本発明は、レーザ光により記録されたビットを有する光
情報記録媒体に関する。

［従来の技術］レーザ光の照射により、データを記録することができる
光情報記録媒体は、Ｔｏｌ　８１％　Ｍｎ等の金属層や
、シアニン、メロシアニン、フタロシアニン等の色素層
等からなる記録層を有し、Ｖ−ザ光の照射により、上記
記録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段で、
ビットを形成し、データを記録する。この記録層を育す
る光情報記録媒体では、ビットを形成する際の記録層の
変形、昇華、蒸発或は変性等を容易にするため、記録層
の背後に空隙を設けることが一般に行なわれている。具
体的には例えば、空間部を挟んで２枚の基板を積層する
、いわゆるエアサンドイッチ構造と呼ばれる積層構造が
とられる。

この光情報記録媒体では、上記透光性を育する基板１側
からレーザ光を照射し、ビットを形成する。そして、記
録したデータを再生するときは、上記基板ｌ側から記録
時よりパワーの弱いレーザ光を照射し、上記ビットとそ
れ以外の部分との反射光の違いにより、信号を読みとる
。

一方、予めデータが記録され、その後のデータの書き込
みや消去ができない、いわゆるＲＯＭ型光情報記録媒体
が情報処理や音響部門で既に広（実用化されている。こ
の種の光情報記録媒体は、上記のような記録層を持たず
、記録データを再生するためのビットを予めプレス等の
手段で透光性基板の上に形成し、この上にＡｕｓＡｇｓ
ＣｕｓＡＩ等の金属膜からなる反射層を形成し、さらに
この上を保護層で覆ったものである。

このＲＯＭ型光情報記録媒体で最も代表的なものが音響
部門や情報処理部門等で広く実用化されているコンパク
トディスク、いわゆるＣＤであり、このＣＤの記録、再
生信号の仕様は、いわゆるＣＤ規格として規格化され、
これに準拠する再生装置は、コンパクトディスクプレー
ヤ（ＣＤプレーヤ）として極めて広く普及している。

［発明が解決しようとする課題］上記光情報記録媒体の再生については、既に広（普及し
たＣＤと互換性を育し、ＣＤプレーヤで再生できること
が強く望まれる。

しかしながら、上記の光情報記録媒体は、ＣＤには無い
記録層を存し、基板にではなく、記録層にビットを形成
して記録する手段がとられる。さらに、この記録層にビ
ットを形成するのを容易にするための空隙層等を有する
ことから、ＣＤ規格に規定する全厚（上表面から下表面
までの厚みをいう。）に収めることが困難であり、レー
ザ光の反射率、再生信号の変調度等の点で再生信号がＣ
Ｄと異なって（る。このため、いわゆる上記ＣＤ規格を
満足することが困難であり、これまでＣＤプレーヤで再
生可能な光ディスクを提供することができなかった。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためなされたも
ので、その目的は、ＣＤ規格に適合することができる全
厚と再生信号の変調度が得られる光情報記録媒体を提供
することにある。

［課題を解決するための手段］すなわち、上記目的を達成するため、本発明において採
用された手段の要旨は、透光性基板の上に直接または他
の層を介してレーザ光を吸収する光吸収層が設けられ、
前記光吸収層の上に直接または他の層を介してレーザ光
を反射する光反射層とが設けられ、透光性基板側からレ
ーザ光を照射することによって光吸収層と隣接する基板
側の層が変形している光情報記録媒体において、基板側
の層の変形の変位ΔｄがｌＯｎｍ以上である光情報記録
媒体である。

この場合において、上記変形は、光吸収層側に凸状であ
る場合もあり、また凹状である場合もある。

さらに、これらの場合において、上記変形している部分
の光吸収層およびまたは光吸収層と隣接する基板側の層
に、局部的に光学特性が変わった光学特性変性部を存し
ていたり、変形している部分の光吸収層と同層に隣接す
る他の層との界面部分に空隙が形成されていたり、変形
している部分の光吸収層に微細な気泡が分散していたり
、或は、変形している部分の光吸収層に隣接する基板側
の層に、光吸収層の分解成分が拡散して形成されている
場合がある。

［作　　　用］上記本発明の光情報記録媒体では、レーザ光を照射する
ことによって光吸収層と隣接する基板側の層が局部的に
変形しており、その変位Δｄが１０ｎｍ以上であること
により、ビット部分とビット部分以外との間に位相差が
生じ、かつ、入射したレーザスポットが散乱され、レー
ザ光の反射光量に大きな違いが生じる。そのため、再生
信号の変調度を大きくとることができる。

本発明において、変位Δｄは、光吸収層とそれに隣接す
る基板側の層との界面の記録前後の変位を表し、変形部
分の巾をトラッキングピッチに置き換えて換算した値で
表される。具体的には、第１Ｏ図で示すように、変形し
た部分の頂点を通るように半径方向に断面を見た場合の
変形部分の巾を９、光吸収層とそれに隣接する基板側と
の界面の変形しない部分を基準とじた変形した部分の頂
点までの高さをｄｍａｘｌ　トラッキングピッチをｌ１
ｔｒ（ＣＤ規格においては１゜５〜１．　７μｍ）とし
た場合に、 Δｄ＝ｄｍａｘ　Ｘｆｆ／ｆｆｔｒで表される。

本発明者らは、上記変位Δｄと再生信号の変調度の関係
について着目し、透光性基板上に光吸収層を形成し、さ
らに反射層および保護層を設けた光情報記録媒体を用い
て実験およびシミニレーシロンを行った結果、変位Δｄ
がＩｏｎｍ以上なければＣＤ規格に規定する変調度を満
足することができないことが分かった。

変位Δｄが１０ｎｍよりも小さいと、変形のみを要因と
して得られる信号の変調度を十分にとることができず、
信号の変調度を高くするためには、著しい光学的特性の
変化等、他の要因が必要である。

さらに、変位Δｄは、大きいほど高い変調度を得るのに
育利になる。その上限は規定することが困難であるが、
少なくとも基板と光吸収層と反射層を存し、ＣＤ規格に
規定した範囲の全厚を有する光情報記録媒体の試作品で
確認された範囲においては、変位ΔｄがｌｏＯｎｍ以上
の変形をみることができなかった。

この場合において、ビット部分の基板側の変形は、光吸
収層またはその光吸収層側に凸状であることが望ましい
が、凹状である場合や、その複合の変形が一般にあり得
る。

さらに、ビット部分に上記のような変形に加えて、基板
側の層もしくは光吸収層に局部的に光学特性が変わった
光学特性変性部ををしていたり、光吸収層と同層に隣接
する他の層との界面部分に空隙が形成されていたり、ビ
ットの部分の光吸収層に微細な気泡が分散していたり、
上記変形している部分の光吸収層に隣接する基板側の層
に、光吸収層の分解成分が拡散して形成されていたりす
ると、これらによるレーザスポットの位相差、吸収、散
乱等の作用により、ビットの部分とビット以外の部分と
のレーザ光の反射光量により大きな違いが生じ、再生信
号の変調度をより太き（とることができる。

このように光吸収層に隣接する基板側の層を変形成は変
化させてビットを形成する光情報記録媒体では、光吸収
層の背後に密着して反射層を設けることができることか
ら、形態的にもＣＤに近似した層構造を有する光情報記
録媒体が得られる。特に、データを読みとる際の再生信
号、特に変調度がＣＤ規格に適合する記録可能な光情報
記録媒体が容易に得られる［実　施　例］次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の例を、第
１図〜第３図に示す。同図において、■は、透光性を有
する基板、２は、その上に形成された光吸収層で、後述
するように、照射されたレーザ光を吸収して発熱すると
共に、融解、蒸発、昇華、変形または変性し、レーザス
ポットが照射された位置にビット５を形成するための層
である。第２図は、レーザ光による記録前の状態を、第
３図は、記録後の状態、すなわち、光学ピックアップ８
からレーザ光７を光吸収層２に収束して照射した時に、
透光性基板ｌの表面が一部変形及び／または変化し、ビ
ット５が形成された状態を模式的に示す。

たとえば、光吸収Ｊｉ２にレーザ光７を照射したとき、
その照射部分がレーザ光７を吸収して発熱すると共に、
同照射部分が融解、分解し、同時にこれに隣接する層も
軟化、融解する。このとき、光吸収Ｊｌｉ２がレーザ光
を吸収して熱発生して体積増加を伴わない変化を起こし
、かつ基板等の光吸収層に隣接する層に成形時の残留応
力があると、基板等の光吸収層に隣接する層が光吸収層
側に変形する。

これに伴って、光吸収層２と隣接する層の表面に凸状の
変形部分６が形成される。こうした現象は、例えば、光
吸収ＭＪ２と隣接する一方の層が金属層からなる光反射
層３であり、隣接する他方の層が樹脂層からなる透光性
基板１である場合には、主として透光性基板１側で起こ
り易いが、光吸収層２との界面側の変形は、光反射Ｈ３
側にも生じることがある。

透光性基板１は、レーザ光に対する透明度の高い材料で
、耐衝撃性に優れた主として樹脂により形成されたもの
、例えばポリカーボネート板、アクリル板、エポキシ板
等が用いられる。

また、同基板１は、プレス成形手段、たとえば射出成形
によって成形されたものが望ましい。

光吸収Ｂ２は、上記透光性基板１側から入射したレーザ
光を吸収して発熱すると共に、融解、分解するもので、
例えば、インドシカ−ポジアニン等のシアニン系色素を
、上記基板１の上またはその上に形成された他の層を介
してスピンコード法等により形成することにより形成で
きるが、このような手段により形成されたものに限られ
ない。

反射層３は、反射率の高い金Ｉｉ１膜により形成するの
が望ましく、例えば、金、銀、銅、アルミニウムあるい
はこれらを含む合金膜等により形成される。

保護層４は、透光性基板１と同様の耐衝撃性に優れた樹
脂により形成され、最も一般的には紫外線硬化性樹脂を
スピンコード法により塗布し、これに紫外線を照射して
硬化させることにより形成される。この他、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、シリコーン系ハードコート樹脂等が
一般に使用される。

なお、変位Δｄを大きくするための手段としては、光吸
収層よりも反射層側の層、たとえば保護層に基板側の層
よりも硬い物質を用いる、基板側の層に反射層側の層よ
りも柔らかい物質を用いる、基板の成形密度を高くする
こと等が挙げられる。

なお、この発明による光情報記録媒体において、上記光
吸収層２の複素屈折率の実数部ｎａｂＳとその膜厚ｄ　
ａｂｓと再生光の波長λとで与えられるρ＝ｎａｂｓ　
ｄａｂｓ　／λが０．０５≦ρ≦０．６であり、かつ上
記複素屈折率の虚部ｋａｂＳが０．　３以下であるのが
望ましい。これは、上記再生光に対する反射率を高くす
るためであり、上記の条件を満足する光情報記録媒体は
、高い反射率が得られ、反射率７０％以上というＣＤ規
格に定められた規格特性を十分確保できる。

第４図〜第８図にレーザ光を照射して形成された上述の
ビット５の状態の例を模式的に示している。

第４図は、ビット５の部分において、レーザ光７のスポ
ットを光吸収層２に照射する事により、光吸収層２と隣
接する基板ｌに変形６が生じた状態を模式的に示してい
る。

これをより具体的に説明すると、第４図（ａ）は、光吸
収層２にレーザスポットを照射したとき、同層２の成分
が融解、分解されると共に、透光性基板ｌの上記光吸収
層２との界面側が軟化し、変形６が形成された場合を模
式的に示している。この変形６の部分は、同時に、光吸
収層２の成分が透光性基板１を構成する材料と局部的に
混合し、部分的に化合することにより、光吸収層２や透
光性基板ｌと光学的特性が異なるようになった光学特性
変性部１２が生じることがある。例えば、光吸収ＷＩ２
をシアニン系色素で形成し、透光性基板１をポリカーボ
ネートにより形成した場合、上記光学特性変性部１２の
光学的特性は、透光性基板１と若干界なった値となる。

ビット５を形成するため、そこの光吸収層２にレーザス
ポットを照射すると、その部分で光吸収層２を形成する
成分が局部的に発熱し、融解、分解するため、光吸収１
ｉ！！２の光学特性も局部的に変化する場合が多い。さ
らに、こうした現象に伴い、物理的には第４図（ｂ）で
示すように、光吸収層２とこれに隣接する他の層、例え
ば光反射層３との界面が剥離し、そこに空隙部１０が形
成されたり、或は光吸収Ｊ！！Ｉ２の中に気泡が発生し
、これが冷却後にも残存していることがある。

上記のような空隙１０は、光吸収層２のレーザ光７の入
射する側に隣接する層、例えば基板ｉ側が、光吸収１１
２の背後側の層、例えば光反射層３及び保護層４側より
比較的熱変形しやすく、光吸収層２との結着性が、後者
が前者に比べて悪い場合に形成できる。すなわち、この
ような光情報記録媒体では、光吸収層２のレーザ光７を
照射したとき、既に述べたようにして光吸収Ｊ！２にエ
ネルギーが発生し、基板ｌが変形６されると同時に、光
吸収層２の中にガスが発生し、これによって結着性の悪
い光吸収層２とそれに隣接する光反射層３との界面が剥
離し、そこにガスが溜ることによって生じるものと考え
られる。また、光吸収層２の内部で発生したガスは、気
泡１１となって残存する。

第４図（Ｃ）と（ｄ）は、透光性基板ｌ側の変形６の他
の形状を示すもので、　（Ｃ）は、凸状の変形６の頂部
が２つに割れた状態を示しており、　（ｄ）は、凹凸が
交互に繰り返される波状の変形６を示している。これら
の場合にも、上記のような空隙部１０、気泡１１１　　
光学的変性部１２が形成されることがあり得る。

第８図は、透光性基板ｌの表面に形成されたトラッキン
グ手段であるところのプリグループ１３に沿ってビット
５を形成するため、上記プリグループ１３に沿って光吸
収層２にＣＤ信号に変調されたレーザスポットを照射し
た後、保護層４と光反射層３を透光性基板１から剥離し
、さらに同基板ｌの表面から光吸収層２を除去した状態
を模式的に示している。

さらに、Ｓ　ＴＭ　（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔｕｎｎｅｌ
ｉｎｇ　Ｍｉｃｒ。

５ｃｏｐｅ　）を用いて、上記プリグループ１３に沿う
透光性基板ｌの表面の状態を観察した例を、第９図に示
す。同図では、チップ（探針）１４のプリグループ１３
に沿う方向、つまりトラッキング方向の移動距離を横軸
にとり、透光性基板ｌの表面の高度を縦軸にとって示し
である。

同図（ａ）は、ビットの距離がｔｏｏｏｏオングストロ
ームと比較的短い場合であり、ここでは高さ約２００オ
ングストロームの凸状の明瞭な変形６が形成されている
ことが理解できる。

また、同図（ｂ）は、ビットの距離が４００００オング
ストロームと比較的長い場合であり、ここでは高さ約２
００オングストロームの凸状の変形６が認められるが、
この変形の中間部がやや低くなっており、変形６の峰が
２つに分かれていることが分かる。

第５図は、ビット５の部分における、光吸収層２と隣接
する透光性基板ｌの変形６が、光吸収層２に対し、凹状
に形成されている場合を模式的に示す。

第５図（ａ）は、光吸収層２と光反射層３との境界に空
隙ｌＯが形成された場合を示しており、空隙１０は、基
板１の硬度が低く、光吸収層２がレーザによって与えら
れたエネルギにより体積膨張し、その後冷却されて光吸
収層２が収縮したときに、光吸収層２と反射層３との結
着力が、基板ｌと光吸収層２との結着力よりも弱い場合
に生じる。同図（ｂ）は、上記空隙ｌＯが形成されるの
と同時に、光吸収層２がガス発生を伴って、光吸収層２
の中に微細な気泡１Ｌｌｌ・・・が分散し、さらに変形
６が形成された透光性基板１に、光吸収層２の分解成分
が拡散し、この成分と透光性基板１を構成する成分とが
混合して、部分的に化合し、光学特性変性部１２が形成
されている場合を示している。さらに、同図（Ｃ）は、
上記空隙１０が形成されるのと同時に、基板ｌと光吸収
層２との間にも空隙１０′が形成された場合を示してお
り、こうした状態は、光吸収層２と反射色３との結着力
が、基板１と光吸収層２との結着力と同等に極めて弱い
場合に生じやすい。

第６図は、ビット５における変形６．６′が、光吸収層
２に隣接する双方の層に及んでいる場合を示している。

こうしたビットは、光吸収層２を挟む両側の層、例えば
基板１と光反射層３及び保護層４との熱変形温度または
硬度がともに小さく、かつほぼ同等である場合に形成さ
れることが多い。

第６図（ａ）では、上記ビット５において、基板１と光
吸収層２との結着力が弱いために、光吸収層２と基板１
との間に空隙１０′が形成された場合を、同図（ｂ）は
、光反射Ｉｉ！ｉ３と光吸収層２および基板ｌと光吸収
層２の両方の結着力が弱いために、光吸収層２と隣接す
る基板１及び光反射層３との間の双方に空隙部１０．１
０′が形成された場合を、同図（Ｃ）は、反射ｒｒＢＳ
と光吸収層２および基板ｌと光吸収層２の両方の結着力
が強く、光吸収Ｊｉｌｔ　２が膨脹する際にガス発生を
伴い、かつ光吸収層２の中に微細な気泡１１．１１・・
・が分散している場合を各々示している。第６図（ｄ）
には、光吸収層が熱収縮性であり、反射層３および基板
ｌの両方の硬度が低（、かつ結着力が強いために、透光
性基板１と光反射層３側の変形６．６′が、何れも光吸
収層２側に向かって凸状に形成されている状態を示して
いる。

さらに第７図は、光吸収層２に対して、レーザ光７が入
射される側の層に、ビット５の部分において他の部分と
光学的特性の変わった光学特性変性部１３を有する場合
である。この変性部１３は、必ずレーザ光７の入射側に
あり、これが光吸収層２の内部に及ぶことが多い。この
場合、光吸収層２に隣接する層の変形６がみられること
があるが、光学特性変性部１３の存在により、変形が不
明瞭であるのが一般的である。

第７図（ａ）は、光吸収層２が熱により分解、変性し、
光吸収層２に隣接する、例えば基板１の部分に光学特性
変性部１３が形成された状態を示し、同図（ｂ）は、光
吸収１ｍ　２の分解、変性が不完全なために、上記基板
１から光吸収層２に至って、その厚み方向に光学特性が
漸次変化する状態を示している。

こうした各層の変性は、光吸収層２にレーザ光７が照射
されたときに発生する熱の作用により、光吸収層２や他
の層が分解、反応、相互拡散することにより形成される
。従って、このようなビット５は、光吸収層２とこれに
隣接する層とに、こうした作用を有する材料を選択した
ときに形成される。

さらに、本発明の具体的な実施例について、以下に説明
する。

（実施例１）表面に幅０．８μｍ１　　深さ０．０８μｍ１　　ピッ
チ１．６μｍのスパイラル状のプリグループ８が形成さ
れた厚さ１−　２ｍｍｚ　　外径１２０ｍｍφ、内径１
５ｍｍφのポリカーボネート基板ｌを射出成形法により
成形した。このポリカーボネート基板１のロックウェル
硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ２Ｓ（鉛筆硬度ＨＢと同等）
であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８は４．６ｋｇ
／ｃｍ２１２１″Ｃであった。

光吸収層２を形成するための有機色素として、０．６５
ｇの１，１′ジブチル３．　３．　３’３′テトラメチ
ル４．　５．　４’、　　５’　ジベンゾインドジカー
ポシアニンパークロレート（日本感光色素研究新製、品
番ＮＫ３２１９）を、ジアセトンアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板ｌの表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１３０ｎｍの光吸収層２を形成
した。

次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚８０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射層３
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの保護層４を形成
した。この保護層４の硬化後のロックウェル硬度ＡＳＴ
Ｍ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度ＡＳＴＭ　
　Ｄ６４８は４．６ｋｇ／ｃｍ２１３５℃であった。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／ｓｅｃ。

記録パワー６．０ｍＷで照射し、ＥＦＭ信号を記録した
。その後、この光ディスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａ
ｕ　ｒ　ｅ　ｘ　　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長λ−７
８０ｎｍ）で再生したところ、半導体レーザの反射率が
７２％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．　８８、Ｉ　３
　／　Ｉ　ｔｏｐが０．３５、ブロックエラーレートＢ
ＬＥＲが１．２Ｘ１０−２であった。

ＣＤ規格では、反射率が７０％以上、１１１／Ｉ　ｔｏ
ｐが０．　８以上、１３／Ｉｔｏｐが０．３〜０．７、
ブロックエラーレ−）ＢＬＥＲが３×１０−２以下と定
められており、この実施例による光ディスクは、この規
格を満足している。

さらにこの記録後の光ディスクの上記保護層４と光反射
Ｎ３とを剥離し、光吸収層２を溶剤で洗浄、除去して、
透光性基板ｌの表面をＳＴＭ　（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、ビットの部分に凸状の変形が見られた。さ
らに、基板１の記録部分と未記録部分を分光４匣計で測
定したところ、記録部分では未記録部分で見られた樹脂
のピーク以外にピークが見られた。

この場合において、さらにＳＴＭにてビット部分の凸状
の変形の高さ及びグループ形状を測定し、ビットの変位
Δｄを求めたところ、ｌｌｎｍであった。

（実施例２）上記実施例１において、光吸収層２と光反射ＷＪ３との
間に、エポキシ樹脂をスピンコードし、膜厚１１００ｎ
の硬質層を設けたこと以外は、上記実施例１と同様にし
て、光ディスクを製作した。なお、このエポキシ樹脂硬
化後のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭ２Ｏ
であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８は４．６ｋｇ
／ｃｍ２１３５℃であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
市販のＣＤプレーヤで再生したところ、上記実施例１と
同様の半導体レーザの反射率、再生信号出力特性が得ら
れ、さらにブロックエラーレートＢＬＥＲは３．０Ｘ１
０−３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、凸状の変形部分６が認められた。この変形
部分６の中間はやや低くなっており、変形の峰が２つに
分かれていることが確認された。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、１５％ｍであった。

（実施例３）上記実施例１において、光吸収層２と光反射層３との間
であって、光吸収層２の上面に形成するエポキシ樹脂に
代えて膜厚１１００ｎのシリコンアクリル樹脂の硬質層
を設け、この硬質層の上面にエポキシ樹脂からなる２０
％ｍの結９層をそれぞれスピンコード法により形成した
こと以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを
製作した。なお、シリコンアクリル樹脂層の硬化後のロ
ックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５はＭｌｏｏであり
、熱変形温度ＡＳＴＭＤ６４８は４．６ｋｇ／ｃｍ２１
００℃であった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−Ｖ７３、再生光の波長７８０ｎ
ｍで再生したところ、半導体レーザの反射率が７５％、
１１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６３．１３／Ｉｔｏｐが０
．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．５×１０
−３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板１０表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、１２％ｍであった。

（実施例４）上記実施例１において、光吸収ｒｒＩＪ２の上に、光反
射層３として金とアンチモンとの９：　ｌの割合の合金
膜を真空蒸着法で形成したこと、及びこの反射層３の上
に、エポキシ樹脂からなる２０　ｎｍの結着Ｍを介して
紫外線硬化樹脂からなる保護層４を形成したこと以外は
、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度としてｒＨＪ以上の
硬度を存する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
して記録パワー８．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、そ
の後、この光ディスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤ
で再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％、Ｉ
　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．　６２）Ｉ　３　／　Ｉ　
ｔｏｐが０．３２）ブロックエラーレートＢＬＥＲが３
．５Ｘ１０−３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　丁
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、ｌｌｎｍであった。

（実施例５）上記実施例１において、ポリカーボネート基板ｌの光入
射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコード
し、厚さ１μｍの基板保護層を設け、プリグループを設
けた面上に光吸収層２を形成したこと、及びこの光吸収
層２の上に、光反射層３としてイリジウムと金との３：
１の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスクを製
作した。なお、上記光反射層３は、鉛筆硬度として「５
Ｈ」以上の硬度を有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が７０％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐ
が０．６２．１３／Ｉ　ｔｏｐが０．３７、ブロックエ
ラーレートＢＬＥＲが３．７ＸＩＯ−３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

（実施例６）上記実施例１において、光反射層３を厚さ６０％ｍの銀
膜で形成したこと、その上にシリコーン系ハードコート
剤をスピンコードし、これを加熱、硬化させて厚み３μ
ｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記実施例１と同
様にして、光ディスクを製作した。なお、上記保護層４
は、鉛筆硬度としてｒＨＢＪ以上の硬度を有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７１％、１１１／Ｉｔｏｐが０．６３
、［３／Ｉｔ。

ρが０゜　３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．
８ＸｌＯ−’であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板１の表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、１０％ｍであった。

（実施例７）上記実施例１において、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜を真空蒸
着した光反射層３の上に、ジグリシジルエーテルで希釈
したポリサルファイド添加エポキシ樹脂をスピンコード
して形成された３０％ｍの結着層を介してシリコーン系
ハードコート剤をスピンコードし、これを加熱、硬化さ
せて厚み３μｍの硬質保護層４を形成した以外は、上記
実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７２％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐが０
．　６５．１３／Ｉｔ。

ｐが０．３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．５
Ｘ１０−”であった。

（実施例８）上記実施例１において、１．　１’　ジプチル３．３．
３′　３′テトラメチル５．５′ジエトキシインドジカ
ーボシアニンアイオダイドを用いて光吸収層２を形成し
たこと、光反射層３の上にエポキシ樹脂からなる１１０
０ｎの硬質層を形成し、さらにこの上に紫外線硬化樹脂
を１０８ｍ設けて、保護層４を形成した以外は、上記実
施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半導体
レーザの反射率が７４％、Ｉｌｌ、／　Ｉ　ｔｏｐが０
．　６８、［３／Ｉｔ。

ｐが０．３４、ブロックエラーレートＢＬＥＲが８．３
Ｘ１０−３であった。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところＸ　　１４％ｍであった。

（実施例９）上記実施例１において、ポリカーボネート基板１の光入
射側上に紫外線硬化型ハードコート樹脂をスピンコード
し、厚さ１μｍの基板保護層を設けたこと以外は、上記
実施例１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が７０％、Ｉｌｌ／Ｉｔｏｐが０．
６２．１３／Ｉ　ｔｏｐが０．３７、ブロックエラーレ
ー）ＢＬＥＲが１．３Ｘ１０−２であった。

（実施例１０）上記実施例１において、光吸収ＮＪ２と反射層３との間
に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジェン樹脂をス
ピンコードし、厚さ１０％ｍのポリブタジェン樹脂層を
設けたこと以外は、上記実施例１と同様にして、光ディ
スクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１と同様に
してＥＦＭ信号を記録し、その後、この光ディスクを、
上記実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したところ、半
導体レーザの反射率が７２％、Ｉ　１１／　Ｉ　ｔｏｐ
が０．６５．１３／Ｉ　ｔｏｐが０．３５、ブロックエ
ラーレー）ＢＬＥＲがｓ、ｅｘｔｏ−ｓであった。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、１０％ｍであった。

（実施例１１）上記実施例１において使用したのと同じポリカーボネー
ト基板１の表面にジイソブチルケトンで溶解したアクリ
ル樹脂をスピンコードし、厚み４０　ｎｍの樹脂層（図
示せず）を形成した。

この樹脂層のロックウェル硬度ＡＳＴＭ　　Ｄ７８５は
ＭＢ２であり、熱変形温度ＡＳＴＭ　　Ｄ６４８は４．
６ｋｇ／ｃｍ２１００℃であった。

光吸収層２を形成するための「機色素として、０．６ｇ
の１，１′　ジプロピル、　　３．　３．　３’３′テ
トラメチル５，５′　ジメトキシインドジカーポシアニ
ンアイオダイドを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃ
ｃに溶解し、これを上記の基板ｌの表面に、スピンコー
ド法により塗布し、膜厚１２０ｎｍの光吸収層２を形成
した。

この光吸収層２の複素屈折率の実数部ｎ　ａｂｓとその
膜厚ｄ　ａｂｓと再生光の波長λとで与えられるｐ　＝
　ｎａｂｓ　ｄ　ａｂｓ　／λは０．４１であり、かつ
上記複素屈折率の虚部ｋ　ａｂｓは０．０２であった。

次に、この上にシクロヘキサンに溶解したシリコンアク
リル樹脂をスピンコードし、厚さｌＱＯｎｍの硬質層を
形成した。この硬質層は鉛筆硬度２Ｈ，熱変形温度ＡＳ
ＴＭ　　Ｄ８４８は４．６ｋｇ／ｃｍ２１２０℃であっ
た。硬質層の上にスパッタリング法により、膜厚５０ｎ
ｍのＡｕ膜を成膜し、反射層３を形成した。さらに、こ
の反射ＪＷ３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし
、これに紫外線を照射して硬化させ、膜厚１０μｍの保
護層４を形成した。この保護層４の硬化後のロックウェ
ル硬度ＡＳＴＭＤ７８５はＭ２Ｏであり、熱変形温度Ａ
ＳＴＭ　　Ｄ６４８は４．８ｋｇ／ｃｍ２１３５℃であ
った。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅｃｚ記録パワー７．５ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、実施例１と同じＣＤプレーヤで再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７４％、Ｅ　ＩＩ／　Ｉ　
ｔｏｐが０゜６２）ｌ　３　／　Ｉ　ｔｏｐが０．３１
．　　ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが４．０ＸＩＯ−
３であった。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、ｌｌｎｍであった。

（実施例１２）上記実施例１１において、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト居を設け、その上に光吸収層２を形成したこと以外は
、−上記実施例１１と同様にして、光ディスクを製作し
た。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７３％
、Ｉ１１／１ｔｏｐが０．６２．１３／Ｉｔｏｐが０．
３１．　　ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３．４Ｘ１
０−３であった。

（実施例１３）上記実施例１１において、基板１としてガラス基板を用
いたこと、及び反射層の上に、トルエンとメチルエチル
ケトンのｌ：　１の溶剤で溶解したイソシアネート樹脂
をスピンコード法にて形成された厚さ２０％ｍの結着層
を形成したこと以外は、上記実施例１１と同様にして、
光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例！■と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％
、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６５．１３／Ｉｔｏｐが０．
３３、ブロックエ５−Ｌ／−）ＢＬＥＲが３．６Ｘ１０
−ｓであった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｌｎｇ　Ｔ
ｕｎｒ＋ｅｌＪｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観
察したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、１４％ｍであった。

（実施例１４）上記実施例ＩＩにおいて、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、及び
光反射層３の上に、ポリブタジェンをスピンコード法に
て形成した厚さ２０％ｍの結着層を形成したこと以外は
、上記実施例１１と同様にして、光ディスクを製作した
。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％
、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６６、Ｉ３／Ｉｔｏｐが０．
３５、ブロックエラーレー）ＢＬＥＲが３．５Ｘ１０”
であった。

（実施例１５）上記実施例１１において、樹脂層の厚みを２０％ｍとし
たこと、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反
射層３（！−してイリジウムと金との１＝９の割合の合
金膜をスパッタリング法により形成したこと以外は、上
記実施例１１と同様にして、光ディスクを製作した。な
お、前記合金膜の鉛筆硬度は２Ｈであった。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％
、１１１／１ｔｏｐが０．　６３、Ｉ　３　／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３２）ブＣ１ツクＪ−５−Ｌ／　−トＢ　Ｌ
　Ｅ　Ｒが３．３ＸｌＯ−３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｌｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、ｌＯｎｍであった。

（実施例１６）上記実施例１１において、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収Ｗ！Ｊ２を形成したこと、
シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射Ｊｌ！
３としてイリジウムと金とのｌ：９の割合の合金膜をス
パッタリング法により形成したこと以外は、上記実施例
１１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７１％
、ＩＩＩ／ＩｔｏｐがＯ−６４、Ｉ　３　／　ｌ　ｔｏ
ｐが０．３２）ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．８
ＸｌＯ”であった。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、１３％ｍであった。

（実施例１７）上記実施例１１において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３としてイリジウムと食とのｌ二
〇の割合の合金膜をスパッタリング法により形成したこ
と、及、び光反射層の上に、ポリイソプレンをスピンコ
ードして、厚さ２０％ｍの結着層を形成し、この上に紫
外線硬化性樹脂製の保護層４を形成したこと以外は、上
記実施例１１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７２％
、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．８４、Ｉ　３　／　Ｉ　ｔｏ
ｐが０．３２）ブロックエラーレートＢＬＥＲが４．ｌ
Ｘ１０”であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が＃認された。

（実施例１８）上記実施例１１において、シリコンアクリル樹脂層を設
けないこと及び反射層３として厚さ５０％ｍの銅膜を形
成したこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテル
溶剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂をス
ピンコードして厚さ５μｍのエポキシ樹脂層を形成した
こと以外は、上記実施例１１と同様にして、光ディスク
を製作した。なお、上記保護層はロックウェル硬度ＡＳ
ＴＭ　　Ｄ７８５がＭｌｌｏであることから硬質層とし
ての機能を有する。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１．！−同じＣＤ
プレーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７
５％、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６４．１３／Ｉｔｏｐが
０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．９Ｘ１
０”であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｌｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

（実施例１９）上記実施例１１において、樹脂層の上に、シリコンコー
ト剤をスピンコードして、厚み０゜０１μｍのシリケー
ト層を設け、その上に光吸収層２を形成したこと、シリ
コンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射層３として
厚さ６０％ｍの銅膜を形成したこと、及び保護層４とし
てジグリシジルエーテル溶剤に希釈したビスフェノール
硬化型エポキシ樹脂をスピンコードして厚さ５μｍのエ
ポキシ樹脂層を形成したこと以外は、上記実施例１１と
同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％
、ＩＩＩ／１ｔｏｐが０．　６４、Ｉ　３　／　Ｉ　ｔ
ｏｐが０．３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．
５Ｘ１０弓であった。

（実施例２０）上記実施例１１において、アクリル樹脂に発砲剤を混入
し、シリコンアクリル樹脂層を設けないこと及び反射Ｍ
３として厚さ５０％ｍの銅膜を真空蒸着法で形成したこ
と、反射層の上に、トルエンとメチルエチルケトンの６
：４の溶剤で溶解したポリ酢酸ビニル樹脂をスピンコー
ドて形成した厚さ２０％ｍの結着層を介して保護層４を
形成したこと、及び保護層４としてジグリシジルエーテ
ル溶剤に希釈したビスフェノール硬化型エポキシ樹脂を
スピンコードして厚さ５μｍのエポキシ樹脂層を形成し
たこと以外は、上記実施例１１と同様にして、光ディス
クを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例１１と同様
にして記録パワー７．４ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例１１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％
、１１１／１ｔｏｐが０．６４．１３／Ｉｔｏｐが０．
３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．８ＸｌＯ−
３であった。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、１３％ｍであった。

（実施例２１）表面に幅０．８μｍ１　深さ０．０８μｍ１　　ピッチ
１．６μｍのスパイラル状のプリグループ８が形成され
た厚さ１．２ｍｍ５　外径！２０ｍｍφ、内径１５ｍｍ
φのポリカーボネート基板１を射出成形した。光吸収層
２を形成するための有機色素として、０．５ｇの１．１
’、　　ジプロピル３．　３．　３’、　　３’テトラ
メチル５，６′ジエトキシインドジカーボシアニンパー
クロレートを、イソプロピルアルコール溶剤１０ｃｃに
溶解し、これを上記の基板Ｉの表面に、スピンコード法
により塗布し、膜厚１１００ｎの光吸収層２を形成した
。さらに、この光吸収層２上に５ｉＯ２ｆｌｌｉを４０
　ｎｍの厚みにスパッタリング法で成膜した。

次に、このディスクの直径４５〜１１８ｍｍφの領域の
全面にスパッタリング法により、膜厚５０ｎｍのＡｕ膜
を成膜し、反射層３を形成した。さらに、この反射層３
の上にメチルエチルケトンで溶解したウレタン樹脂をｌ
ｏｏｎｍの厚みにスピンコードし、緩衝層を形成し、こ
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコードし、これに紫外
線を照射して硬化させ、膜厚ｌＯμｍの保護層４を形成
した。

こうして得られた光ディスクに、波長７８０ｎｍの半導
体レーザを線速１．２ｍ／５ｅｃｓ記録パワー６．８ｍ
Ｗで照射し、ＥＦＭ信号を記録した。その後、この光デ
ィスクを、市販のＣＤプレーヤ（Ａｕｒｅｘ　　ＸＲ−
Ｖ７３、再生光の波長λ＝７８０ｎｍ）で再生したとこ
ろ、半導体レーザの反射率が７７％、Ｉ　１１／　Ｉ　
ｔｏｐが０．６６．１３／Ｉｔｏｐが０．３６、ブロッ
クエラーレー）ＢＬＥＲが３．５Ｘ１０−”であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板ｌの表面をＳＴＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例２と同様の状態が確認された。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、１５％ｍであった。

（実施例２２）上記実施例２１において、５１０２膜をＬＰＤ法により
形成したこと、及び光吸収層２を形成する際のコーティ
ング剤の溶剤としてジオキサン溶剤を用いたこと以外は
、上記実施例２１と同様にして、光ディスクを製作した
。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７７％
、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６６．１３／Ｉｔｏｐが０．
３５、プｏ−７クエラーレートＢＬＥＲが４．０ＸＩＯ
−３であった。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、１５膜ｍであった。

（実施例２３）上記実施例２１において、５ｉＯｚｌｌｉに代え・て、
ジグリシジルエーテルに溶解したエポキシ樹脂をスピン
コードして、厚さ１１００ｎのエポキシ樹脂層を形成し
たこと、反射層３として金とチタンの９：　１の割合に
よる合金８８層を形成したこと、及び光吸収層２と反射
層３との間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジェ
ン樹脂をスピンコードシ、厚さ１２０膜ｍのポリブタジ
ェン樹脂層を設けたこと以外は、上記実施例２１と同様
にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー７．０ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％
、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６４．１３／Ｉｔｏｐが０．
３３、ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．５Ｘ１０−
”であった。

また、実施例１と同様にしてビットの変位Δｄを求めた
ところ、１３膜ｍであった。

（実施例２４）上記実施例２１において、Ｓ　ｉ　０２膜に代えて、ジ
グリシジルエーテルに溶解したエポキシ樹脂をスピンコ
ードして、厚さｌｏｏｎｍのエポキシ樹脂層を形成した
こと、反射層３として金とチタンの９：　ｌの割合によ
る合金薄膜層を形成したこと、光吸収層２と反射層３と
の間に、シクロヘキサンに溶解したポリブタジェン樹脂
をスピンコードし、厚さ１２０　ｎｍのポリブタジェン
樹脂層を設けたこと、及び光反射層と保護Ｂ４との結着
性を高めるため、その間にビスフェノール硬化型エポキ
シ樹脂を２０膜ｍの厚みにスピンコードしたこと以外は
、上記実施例２１と同様にして、光ディスクを製作した
。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％
、Ｉｌｌ／１ｔｏｐが０．６４．１３／１ｔＯｐが０．
３３、ブロックエラーレ−）ＢＬＥＲが３．０Ｘ１０−
３であった。

また、上記実施例１と同様にして、記録後の光ディスク
の透光性基板１の表面をＳＴＭＣ５ｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したところ、実施例１と同様の状態が確認された。

（実施例２５）上記実施例２１において、Ｓ　ｔ　０２Ｈに代えて、ジ
グリシジルエーテルに溶解したエポキシ樹脂をスピンコ
ードして、厚さ１１００ｎのエポキシ樹脂層を形成した
こと、このエポキシ樹脂層と反射層３との間に、シクロ
ヘキサンに溶解したポリブタジェン樹脂をスピンコード
し、厚さ１２０膜ｍのポリブタジェン樹脂層を設けたこ
と、及び保護層の膜厚を５μｍとしたこと以外は、上記
実施例２１と同様にして、光ディスクを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％
、Ｉ１１／１ｔｏｐが０．６４．１３／ＩｔＯ１）が０
．３２）ブロックエラーレートＢＬＥＲが３．３Ｘ１０
−３であった。

（実施例２６）上記実施例２１において、ＳｉＯ２膜を形成しないこと
、光吸収ｒｒｉ２と反射層３との間に、シクロヘキサン
に溶解したポリブタジェン樹脂をスピンコードし、厚さ
１２０ｎｍのポリブタジェン樹脂層を設けたこと、反射
層と保護層４との結着性を高めるため、その間にビスフ
ェノール硬化型エポキシ樹脂を２０　ｎｍの厚みにスピ
ンコードしたこと、及び保護層の膜厚を５μｍとしたこ
と以外は、上記実施例２１と同様にして、光ディスクを
製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７４％
、ＩＩＩ／１ｔｏｐが０．６３．１３／Ｉｔｏｐが０．
３２）ブロックエラーレートＢＬＥＲが２．８Ｘ１０弓
であった。

（実施例２７）上記実施例２１において、上記５ｉｎ２膜を形成しない
こと以外は、上記実施例２１と同様にして、光ディスク
を製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー７．２ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７７％
、Ｉ１１／［ｔｏｐが０．６６．１３／Ｉｔｏｐが０．
３５、ブロックエラーレートＢＬＥＲが１．０ＸＩＯ−
２であった。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、１２％ｍであった。

（実施例２８）上記実施例！において、巾０．　４μｍ１　　深さ０．
１３μｍ１　　ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプリ
グループが形成されたポリカーボネート基板を用いたこ
とこと以外は、上記実施例１と同様にして、光ディスク
を製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー６．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７３．
５％、ＩＩＩ／　Ｉ　ｔｏｐが０．７８、Ｉ３／Ｉｔｏ
ｐが０．４５、ブロックエラーレートＢ　ＬＥＲが２．
０ＸＩＯ−３であった。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、２５％ｍであった。

（実施例２９）上記実施例２？こおいて、巾０．　４μｍ１　　深さ０
．１８μｍ１　　ピッチ１．６μｍのスパイラル状のプ
リグループが形成されたポリカーボネート基板を用いた
ことこと以外は、上記実施例２と同様にして、光ディス
クを製作した。

こうして得られた光ディスクに、上記実施例２１と同様
にして記録パワー６．８ｍＷにてＥＦＭ信号を記録し、
その後、この光ディスクを、実施例２１と同じＣＤプレ
ーヤで再生したところ、半導体レーザの反射率が７７．
５％、ｒ１１／　Ｉ　ｔｏｐが０．６５．１３／Ｉｔｏ
ｐが０．４０、ブロックエラーレートＢＬＥＲが５．２
Ｘ１０−３であった。

また、実施例１と同様にしてピットの変位Δｄを求めた
ところ、２８ｎｍであった。

なお、上述の実施例１〜２９において得られた光ディス
クの全厚は、何れも１．２ｍｍであった。

［発明の効果コ以上説明した通り、本発明の光情報記録媒体によれば、
変調度の高い再生信号が得られるビットが形成できる。

これにより、ＣＤ規格に適合した光情報記録媒体が容易
に得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す模式半断
面斜視図、第２図は、第１図の光情報記録媒体の光記録
前のトラックに沿って断面した部分拡大図、第３図は、
第１図の光情報記録媒体の光記録後のトラックに沿って
断面した部分拡大図、第４図〜第７図は、光情報記録媒
体ピットの各個を示すためトラックに沿って断面した要
部断面拡大図、第８図は、記録後の光情報記録媒体の透
光性基板の表面を示す要部拡大斜視図、第９図は、上記
透光性基板の表面をＳ　ＴＭ　（Ｓｃａｎｎｉｎｇ　Ｔ
ｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）　　で観察
したときのチップのトラッキング方向に沿う移動距離と
高度の関係を示すグラフの例、第１０図は、ビットの寸
法関係を示すトラックと直交する方向に沿う要部断面拡
大図である。ｌ・・・基板　２・・・光吸収層　３・・・光反射層　
４・・・保護１１！５・・・ピットｅ、ｅ’・・・変形
部分　１Ｏ１ＩＯ′・・・空隙部　１１・・・微細な気
泡　１２．１３・・・光学特性変性部

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透光性基板の上に直接または他の層を介してレー
ザ光を吸収する光吸収層が設けられ、前記光吸収層の上
に直接または他の層を介してレーザ光を反射する光反射
層とが設けられ、透光性基板側からレーザ光を照射する
ことによって光吸収層と隣接する基板側の層が変形して
いる光情報記録媒体において、基板側の層の変形の変位
Δｄが１０ｎｍ以上であることを特徴とする光情報記録
媒体。
（２）特許請求の範囲第１項において、上記光吸収層と
隣接する基板側の層の変形が、光吸収層側に凸状の変形
である光情報記録媒体。
（３）特許請求の範囲第１項において、上記光吸収層と
隣接する基板側の層の変形が、光吸収層側に凹状の変形
である光情報記録媒体。
（４）特許請求の範囲第１項〜第３項の何れかにおいて
、上記変形している部分の光吸収層およびまたは光吸収
層と隣接する基板側の層に、局部的に光学特性が変わっ
た光学特性変性部を有する光情報記録媒体。
（５）特許請求の範囲第１項〜第４項の何れかにおいて
、上記変形している部分の光吸収層と同層に隣接する他
の層との界面部分に空隙が形成されている光情報記録媒
体。
（６）特許請求の範囲第１項〜第５項の何れかにおいて
、上記変形している部分の光吸収層に微細な気泡が分散
している光情報記録媒体。
（７）特許請求の範囲第１項〜第６項の何れかにおいて
、上記変形している部分の光吸収層に隣接する基板側の
層に、光吸収層の分解成分が拡散して形成されている光
情報記録媒体。