JPH01143870A - ジヒドロキナクリドン、キナクリドン及びキナクリドンキノンの製法 - Google Patents
ジヒドロキナクリドン、キナクリドン及びキナクリドンキノンの製法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、2,5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレ
フタル酸誘導体又は2.5−ジアニリノテレフタル酸誘
導体を環化することによる、ジヒドロキナクリドン、キ
ナクリドン及びキナクリドンキノンの新規な製法に関す
る。
フタル酸誘導体又は2.5−ジアニリノテレフタル酸誘
導体を環化することによる、ジヒドロキナクリドン、キ
ナクリドン及びキナクリドンキノンの新規な製法に関す
る。
米国特許2821529号明細書によれば、2.5−ジ
アニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸エステル又は
その核置換誘導体を環化してジヒドロキナクリドンにす
ることが知られている。
アニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸エステル又は
その核置換誘導体を環化してジヒドロキナクリドンにす
ることが知られている。
この反応は溶液中で攪拌しながら約250℃の温度で行
われ、溶剤としてはビフェニル/ジフェニルオキシド混
合物が用いられる。反応時間は長く、60〜90分を要
する。生成したジヒドロキナクリドンを後続反応におい
て、溶液中で環流加熱しながら、酸化剤としてのニトロ
ペンゾールスルホン酸を用いてキナクリドンに酸化する
。
われ、溶剤としてはビフェニル/ジフェニルオキシド混
合物が用いられる。反応時間は長く、60〜90分を要
する。生成したジヒドロキナクリドンを後続反応におい
て、溶液中で環流加熱しながら、酸化剤としてのニトロ
ペンゾールスルホン酸を用いてキナクリドンに酸化する
。
米国特許3907805号明細書によれば、ジヒドロキ
ナクリドンを気相中で600〜660℃の温度で加熱脱
水素することによるキナクリドンの製法゛が知られてい
る。これに関して出発物質として用いられるジヒドロキ
ナクリドンの製造については、何も示されていない。
ナクリドンを気相中で600〜660℃の温度で加熱脱
水素することによるキナクリドンの製法゛が知られてい
る。これに関して出発物質として用いられるジヒドロキ
ナクリドンの製造については、何も示されていない。
特開昭50−40562号公報にもジヒドロ−キナクリ
ドンの製法が示されて〜・る。この場合定法、流動床又
は噴霧反応器の中弁啼囃で、260〜300℃の温度で
2〜30分間接触反応させることにより、ジヒドロキナ
クリドンが得られる。出発物質として用いられるアクリ
ダノンハ、 2.5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロ
テレフタル酸エステルを溶液中で環化することにより製
造される。
ドンの製法が示されて〜・る。この場合定法、流動床又
は噴霧反応器の中弁啼囃で、260〜300℃の温度で
2〜30分間接触反応させることにより、ジヒドロキナ
クリドンが得られる。出発物質として用いられるアクリ
ダノンハ、 2.5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロ
テレフタル酸エステルを溶液中で環化することにより製
造される。
本発明の課題は、2,5−ジアニリノ−3,6−ジヒド
ロテレフタル酸化合物又は2,5−ジアニリノ−テレフ
タル酸化合物を、簡単な方法で直接にジヒドロキナクリ
ドン、キナクリドン又はキナクリドンキノンに変えうる
方法を開発することであった。
ロテレフタル酸化合物又は2,5−ジアニリノ−テレフ
タル酸化合物を、簡単な方法で直接にジヒドロキナクリ
ドン、キナクリドン又はキナクリドンキノンに変えうる
方法を開発することであった。
本発明はこの課題を解決するもので、(a)後記式Iの
ジヒドロキナクリドンを製造するため、次式 (R1及びR2は後記の意味を有し、R3及びR4は同
一でも異なってもよく、互いに無関係にC1〜CtO−
アルコキシ基、アミノ基、C1〜C10−モノ−又はジ
アルキルアミノ基又はハロゲン原子を意味する)の2,
5−ジアニリノ−6,6−ジヒドロテレフタル酸誘導体
を、液状又は固形の凝集状態で又は溶液として、それぞ
れ微細な形で、又は気相中で、350〜500℃の温度
で環化するか、(b)後記式■のキナクリドンを製造す
るため、前記式■の2,5−ジアニリノ−3,6−シヒ
ドロテレシタル酸誘導体を、液状又は固形の凝集状態で
又は溶液として、それぞれ微細な形で、又は気相中で、
400〜700℃の温度で環化しかつ脱水素するか、あ
るいは次式 (R1及びR2は後記の意味を有し、R3及びR4は前
記の意味を有する)の2,5−ジアニリノテレフタル酸
誘導体を、液状又は固形の凝集状態で、又は溶液として
、それぞれ微細な形で、又は気相中で、300〜700
℃の温度で環化し、あるいは(c)後記式■のキナクリ
ドンキノンを製造するため、式■の2,5−ジアニリノ
−3,6−ジヒドロテレフタル酸誘導体又は式■の2,
5−ジアニリノテレフタル酸誘導体を、液状又は固形の
凝集状態で又は溶液として、それぞれ微細な形で、又は
気相中で、300〜700℃の温度で酸化剤の存在下に
環化することを特徴とする、次式 のジヒドロキナクリドン、次式 のキナクリドン又は次式 のキナクリドンキノン(これらの式中、R1及びR2は
同一でも異なってもよく、互いに無関係に水素原子、塩
素原子、臭素原子、01〜Cl0−アルコキシ基、01
〜Cl0−アルキル基又は置換されていてもよいフェニ
ル基を意味する)又はこれらの混合物の製法である。
ジヒドロキナクリドンを製造するため、次式 (R1及びR2は後記の意味を有し、R3及びR4は同
一でも異なってもよく、互いに無関係にC1〜CtO−
アルコキシ基、アミノ基、C1〜C10−モノ−又はジ
アルキルアミノ基又はハロゲン原子を意味する)の2,
5−ジアニリノ−6,6−ジヒドロテレフタル酸誘導体
を、液状又は固形の凝集状態で又は溶液として、それぞ
れ微細な形で、又は気相中で、350〜500℃の温度
で環化するか、(b)後記式■のキナクリドンを製造す
るため、前記式■の2,5−ジアニリノ−3,6−シヒ
ドロテレシタル酸誘導体を、液状又は固形の凝集状態で
又は溶液として、それぞれ微細な形で、又は気相中で、
400〜700℃の温度で環化しかつ脱水素するか、あ
るいは次式 (R1及びR2は後記の意味を有し、R3及びR4は前
記の意味を有する)の2,5−ジアニリノテレフタル酸
誘導体を、液状又は固形の凝集状態で、又は溶液として
、それぞれ微細な形で、又は気相中で、300〜700
℃の温度で環化し、あるいは(c)後記式■のキナクリ
ドンキノンを製造するため、式■の2,5−ジアニリノ
−3,6−ジヒドロテレフタル酸誘導体又は式■の2,
5−ジアニリノテレフタル酸誘導体を、液状又は固形の
凝集状態で又は溶液として、それぞれ微細な形で、又は
気相中で、300〜700℃の温度で酸化剤の存在下に
環化することを特徴とする、次式 のジヒドロキナクリドン、次式 のキナクリドン又は次式 のキナクリドンキノン(これらの式中、R1及びR2は
同一でも異なってもよく、互いに無関係に水素原子、塩
素原子、臭素原子、01〜Cl0−アルコキシ基、01
〜Cl0−アルキル基又は置換されていてもよいフェニ
ル基を意味する)又はこれらの混合物の製法である。
式IなイシvニオイテR1、R2、R3及ヒR’ ハ、
例えば次の基を意味する。メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、インプロポキシ、ブトキシ、インブトキシ、二級
ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオ
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、イソへキシルオキシ
、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルへキシ
ルオキシ、ノニルオキシ又はデシルオキシ。
例えば次の基を意味する。メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、インプロポキシ、ブトキシ、インブトキシ、二級
ブトキシ、ペンチルオキシ、イソペンチルオキシ、ネオ
ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、イソへキシルオキシ
、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、2−エチルへキシ
ルオキシ、ノニルオキシ又はデシルオキシ。
そのほか式■ないしVにおいてR′及びR2は、例えば
次の基を意味する。メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、二級ブチル、ペンチル、
イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル
、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ノニル、
テシル、フェニル、又は例えばC1〜C4−アルキル、
C8〜C4−アルコキシ又はハロゲン特に01又はBr
により置換されたフェニル、例えば4−メチルフェニル
、2,4−もしくは2,6−シメチルフエニル、2−エ
チルフェニル、4−エチルフェニル、4−プロピルフェ
ニル、4−イソ7”ロピルフェニル、4−7”チルフェ
ニル、2−メトキシフェニル、4−メトキシフェニル、
4−エトキシフェニル、4−7’ロポキシフエニル、4
−メトキシフェニル、2−クロルフェニル、4−クロル
フェニル、2,4−又ハ2,6−シクロルフエニル、4
−ブロムフェニル又は2−メチル−4−クロルフェニル
。
次の基を意味する。メチル、エチル、プロピル、イソプ
ロピル、ブチル、イソブチル、二級ブチル、ペンチル、
イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、イソヘキシル
、ヘプチル、オクチル、2−エチルヘキシル、ノニル、
テシル、フェニル、又は例えばC1〜C4−アルキル、
C8〜C4−アルコキシ又はハロゲン特に01又はBr
により置換されたフェニル、例えば4−メチルフェニル
、2,4−もしくは2,6−シメチルフエニル、2−エ
チルフェニル、4−エチルフェニル、4−プロピルフェ
ニル、4−イソ7”ロピルフェニル、4−7”チルフェ
ニル、2−メトキシフェニル、4−メトキシフェニル、
4−エトキシフェニル、4−7’ロポキシフエニル、4
−メトキシフェニル、2−クロルフェニル、4−クロル
フェニル、2,4−又ハ2,6−シクロルフエニル、4
−ブロムフェニル又は2−メチル−4−クロルフェニル
。
そのほか式■及びVにおいて、R3及びR4は、例えば
次の基又は原子を意味する。モノ−又はジメチルアミノ
、モノ−又はジエチルアミン、モノ−又はジプロピルア
ミノ、モノ−又はジイソプロピルアミノ、モノ−又はジ
ブチルアミノ、モノ−又はジオクチルアミノ、モノ−又
はジエチルアミン、モノ−又はジエチルアミン、モノ−
又はジオクチルアミノ、モノ−又はジ(2−エチルヘキ
シル)アミノ、モノ−又はジノニルアミノ、モノ−又は
ジデシルアミノ、N −メチル−N−二チルアミノ、F
、C1又はBr 0式■又はVにおいて、R3及びR4
がそれぞれ01〜C1゜−アルコキシ基を意味する2、
5−ジアニリ/ −3,6−ジヒドロテレフタル酸誘導
体又は2゜5−ジアニリノテレフタル酸誘導体を使用す
ることが好ましい。
次の基又は原子を意味する。モノ−又はジメチルアミノ
、モノ−又はジエチルアミン、モノ−又はジプロピルア
ミノ、モノ−又はジイソプロピルアミノ、モノ−又はジ
ブチルアミノ、モノ−又はジオクチルアミノ、モノ−又
はジエチルアミン、モノ−又はジエチルアミン、モノ−
又はジオクチルアミノ、モノ−又はジ(2−エチルヘキ
シル)アミノ、モノ−又はジノニルアミノ、モノ−又は
ジデシルアミノ、N −メチル−N−二チルアミノ、F
、C1又はBr 0式■又はVにおいて、R3及びR4
がそれぞれ01〜C1゜−アルコキシ基を意味する2、
5−ジアニリ/ −3,6−ジヒドロテレフタル酸誘導
体又は2゜5−ジアニリノテレフタル酸誘導体を使用す
ることが好ましい。
特に好ましい操作法においては、反応(a)の環化を3
50〜450℃の温度で実施する。同様に反応(b)に
おける2、5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタ
ル酸誘導体の環化及び脱水素を、450〜650℃の温
度で実施する。また2、5−ジアニリノテレフタル酸誘
導体の環化を、350〜550℃の温度で実施する。同
様に反応(c)の環化を400〜650℃の温度で実施
する。
50〜450℃の温度で実施する。同様に反応(b)に
おける2、5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタ
ル酸誘導体の環化及び脱水素を、450〜650℃の温
度で実施する。また2、5−ジアニリノテレフタル酸誘
導体の環化を、350〜550℃の温度で実施する。同
様に反応(c)の環化を400〜650℃の温度で実施
する。
環化温度を前記温度より高くすることもできるが、特に
利益はない。
利益はない。
本発明の方法は任意の流通装置によって実施することが
できるが、流動床又は固定床の反応器を使用することが
好ましく、その場合は管状反応器又は噴射反応器が優れ
ている。中空管状反応器中で反応を行うことが特に好ま
しい。
できるが、流動床又は固定床の反応器を使用することが
好ましく、その場合は管状反応器又は噴射反応器が優れ
ている。中空管状反応器中で反応を行うことが特に好ま
しい。
流動床反応器中で反応を行う場合は、不活性固体物質例
えば触媒としても作用する固体物質としてのシリカゲル
を、流動物として使用することができる。触媒としては
、例えば活性炭、コークス、白土、アルミナ又はゼオラ
イトを使用することができる。白土及びアルミナには、
アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物又は周期律表第8
族の金属の酸化物を添加することができる。
えば触媒としても作用する固体物質としてのシリカゲル
を、流動物として使用することができる。触媒としては
、例えば活性炭、コークス、白土、アルミナ又はゼオラ
イトを使用することができる。白土及びアルミナには、
アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物又は周期律表第8
族の金属の酸化物を添加することができる。
式IVのジヒドロテレフタル酸誘導体又は式Vのテレフ
タル酸誘導体が、式■のキナクリドンキノンに環化され
る反応(c)は、酸化剤の存在下で行われる。酸化剤と
しては、例えば酸素、過酸化水素、ヨウ素酸アルカリ又
は過マンガン酸アルカリが用いられ、空気の形の酸素の
使用が特に好ましい。環化される物質(■又は■)の1
モルに対し、0.5〜100モル好ましくは5〜50モ
ルの酸化剤が用いられる。
タル酸誘導体が、式■のキナクリドンキノンに環化され
る反応(c)は、酸化剤の存在下で行われる。酸化剤と
しては、例えば酸素、過酸化水素、ヨウ素酸アルカリ又
は過マンガン酸アルカリが用いられ、空気の形の酸素の
使用が特に好ましい。環化される物質(■又は■)の1
モルに対し、0.5〜100モル好ましくは5〜50モ
ルの酸化剤が用いられる。
前記のように酸化剤の存在は、式■のジヒドロテレフタ
ル酸誘導体のジヒドロキナクリドン(1)又はキナクリ
ドン(II)への環化に、不利な影響を与えることはな
い。これは予想外であった。
ル酸誘導体のジヒドロキナクリドン(1)又はキナクリ
ドン(II)への環化に、不利な影響を与えることはな
い。これは予想外であった。
なぜならば溶剤中でのジヒドロテレフタル酸誘導体のジ
ヒドロキナクリドンへの環化を記載する前記米国特許2
821529号明細書によれば、この反応工程は酸素の
不在で行われるべきことが知られているからである。
ヒドロキナクリドンへの環化を記載する前記米国特許2
821529号明細書によれば、この反応工程は酸素の
不在で行われるべきことが知られているからである。
多くの場合に■→I又は■→■の環化工程は、酸化剤特
に空気の形の酸素の存在下で行うことがむしろ有利であ
る。この場合は環化される化合物の1当量に対し、1〜
100当量の酸化剤が用いられる。
に空気の形の酸素の存在下で行うことがむしろ有利であ
る。この場合は環化される化合物の1当量に対し、1〜
100当量の酸化剤が用いられる。
本発明の方法は、連続的にも非連続的にも実施できる。
好ましくは次のように操作する。出発物質■又はVを固
形又は液状の凝集状態で、溶液として、あるいは気相で
反応帯域に供給する。環化な流動反応器中で行うときは
、出発物質を直接に流動床に供給してもよく、その上の
ガス室に供給してもよい。
形又は液状の凝集状態で、溶液として、あるいは気相で
反応帯域に供給する。環化な流動反応器中で行うときは
、出発物質を直接に流動床に供給してもよく、その上の
ガス室に供給してもよい。
出発物質を液状又は固形の凝集状態で又は溶液として供
給するときは、それが反応帯域中で微細分散状で存在す
ることが重要である。このことは例えばそれが固形で供
給されるときは、まず粉砕器で処理し、続いて適当な輸
送装置により反応帯域に送ることにより行われる。分散
器中で得られた出発物質の懸濁液を、反応帯域に供給す
ることもできる。
給するときは、それが反応帯域中で微細分散状で存在す
ることが重要である。このことは例えばそれが固形で供
給されるときは、まず粉砕器で処理し、続いて適当な輸
送装置により反応帯域に送ることにより行われる。分散
器中で得られた出発物質の懸濁液を、反応帯域に供給す
ることもできる。
出発物質を液状の凝集状態で又は溶液状で供給するとき
は、これを反応帯域に噴入することができる。適当な希
釈剤又は溶剤は、例えば水、N、N−ジメチルホルムア
ミド、N−メチルピロリジノン、C1〜C8−アルカノ
ール、ドルオール、キジロール、メチルナフタリン又は
アセトンである。
は、これを反応帯域に噴入することができる。適当な希
釈剤又は溶剤は、例えば水、N、N−ジメチルホルムア
ミド、N−メチルピロリジノン、C1〜C8−アルカノ
ール、ドルオール、キジロール、メチルナフタリン又は
アセトンである。
出発物質を気相で反応させるときは、これを反応帯域へ
の導入前に気化することが好ましい。
の導入前に気化することが好ましい。
出発物質は同時に液状及び固形の凝集状態でも溶液とし
ても気相中に存在しうる。出発物質を圧力勾配を生じさ
せて反応帯域に吸収することもできる。
ても気相中に存在しうる。出発物質を圧力勾配を生じさ
せて反応帯域に吸収することもできる。
いずれの場合にも出発物質の供給は、ガス流の存在下で
行いうる。担体ガスとしては反応条件下で不活性なガス
、例えば希ガス、二酸化炭素、窒素、あるいは気化した
不活性の標準状態では液状の希釈剤、例えばアセトン、
N、N−ジメチルホルムアミド、ペンゾール、メチルナ
フタリン又はそれらの混合物が用いられる。担体ガス成
分として空気も使用できる。
行いうる。担体ガスとしては反応条件下で不活性なガス
、例えば希ガス、二酸化炭素、窒素、あるいは気化した
不活性の標準状態では液状の希釈剤、例えばアセトン、
N、N−ジメチルホルムアミド、ペンゾール、メチルナ
フタリン又はそれらの混合物が用いられる。担体ガス成
分として空気も使用できる。
本発明の方法では、前記ガス流が存在するか否かにはか
かわらず、常に弱いガス流が存在する。これは分解生成
した水素及び/又は分解した成分であるR’H又はR’
H(R”及びR4は前記の意味を有する)から成る。こ
れらの成分は、対応する出発物質■又はVの環化の際に
必然的に生成するものである。
かわらず、常に弱いガス流が存在する。これは分解生成
した水素及び/又は分解した成分であるR’H又はR’
H(R”及びR4は前記の意味を有する)から成る。こ
れらの成分は、対応する出発物質■又はVの環化の際に
必然的に生成するものである。
管状反応器又は噴入反応器を使用して、出発物質■又は
Vの水性懸濁液を直接に反応室に噴入し又は噴霧する操
作法では、担体ガスと一緒に噴入することが好ましい。
Vの水性懸濁液を直接に反応室に噴入し又は噴霧する操
作法では、担体ガスと一緒に噴入することが好ましい。
出発物質■又はVを懸濁液として反応帯域に供給すると
きは、希釈剤を反応帯域の入口部分で直接に気化するこ
とが好ましい。これは好ましくは照射エネルギーにより
、例えば赤熱管中で操作することにより、あるいは極性
溶剤の場合はマイクロ波により行われる。
きは、希釈剤を反応帯域の入口部分で直接に気化するこ
とが好ましい。これは好ましくは照射エネルギーにより
、例えば赤熱管中で操作することにより、あるいは極性
溶剤の場合はマイクロ波により行われる。
本発明の操作のためのエネルギーの供給も、好ましくは
照射エネルギー例えばマイクロ波により又は特に赤熱管
中での操作により行われる。
照射エネルギー例えばマイクロ波により又は特に赤熱管
中での操作により行われる。
そのほかエネルギー供給は、例えば熱ガス流又はプラズ
マを用いても行われる。
マを用いても行われる。
反応器中の反応混合物の滞留時間は、反応(a)の場合
は、一般に0.1〜5秒好ましくは0.1〜1秒特に0
.5秒であり、反応(b)の場合は、一般に0.1〜1
0秒好ましくは1〜5秒特に1秒(式■のジヒドロテレ
フタル酸誘導体の場合)又は0.1〜5秒好ましくは0
.1〜1秒特に0.5秒(式Vのテレフタル酸誘導体の
場合)であり、反応(c)の場合は、0.5〜10秒好
ましくは1〜5秒特に3秒である。
は、一般に0.1〜5秒好ましくは0.1〜1秒特に0
.5秒であり、反応(b)の場合は、一般に0.1〜1
0秒好ましくは1〜5秒特に1秒(式■のジヒドロテレ
フタル酸誘導体の場合)又は0.1〜5秒好ましくは0
.1〜1秒特に0.5秒(式Vのテレフタル酸誘導体の
場合)であり、反応(c)の場合は、0.5〜10秒好
ましくは1〜5秒特に3秒である。
反応温度を変更し、かつ反応器中の反応混合物の滞留時
間を変更することによって、目的生成物■、■又は■を
それぞれ純粋な形で、あるいはその混合物として製造す
ることができる。
間を変更することによって、目的生成物■、■又は■を
それぞれ純粋な形で、あるいはその混合物として製造す
ることができる。
目的物質の分離は既知方法により、例えばサイクロンを
使用して、湿時析出及び冷却沈殿により、機械的及び電
気的ガスフィルターにより、あるいはこれらの手段を組
合わせることにより行われる。米国特許2460538
号により既知の選択的脱昇華法も利用できる。
使用して、湿時析出及び冷却沈殿により、機械的及び電
気的ガスフィルターにより、あるいはこれらの手段を組
合わせることにより行われる。米国特許2460538
号により既知の選択的脱昇華法も利用できる。
新規方法の利点は、式■のジヒドロテレフタル酸誘導体
又は式Vのテレフタル酸誘導体から出発して、1段階で
直接に目的物質が得られ、その際反応時間が著しく短い
ことにある。出発物質が溶液又は懸濁液として供給され
る場合を除くと、本発明の方法には溶剤も不必要である
。
又は式Vのテレフタル酸誘導体から出発して、1段階で
直接に目的物質が得られ、その際反応時間が著しく短い
ことにある。出発物質が溶液又は懸濁液として供給され
る場合を除くと、本発明の方法には溶剤も不必要である
。
これに対し既知方法では溶剤の存在が常に必要であって
、その場合は多くの方法が多段階で進行するので、各操
作工程のために異なる溶剤を使用せねばならない。
、その場合は多くの方法が多段階で進行するので、各操
作工程のために異なる溶剤を使用せねばならない。
本発明の方法により得られる式Iのジヒドロキナクリド
ン誘導体は、顔料を合成するための価値ある中間体であ
る。式■のキナクリドン誘導体及び式■のキナクリドン
キノン誘導体は、それ自体が顔料である。
ン誘導体は、顔料を合成するための価値ある中間体であ
る。式■のキナクリドン誘導体及び式■のキナクリドン
キノン誘導体は、それ自体が顔料である。
実施例1
水12中の2,5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレ
フタル酸ジエチルエステル2509の懸濁液を、1物質
ノズルを用いて窒素気流(1,5m3)中で、管状反応
器(直径501111.、長さ30010K)に650
℃で1時間かけて1110方向に供給した。
フタル酸ジエチルエステル2509の懸濁液を、1物質
ノズルを用いて窒素気流(1,5m3)中で、管状反応
器(直径501111.、長さ30010K)に650
℃で1時間かけて1110方向に供給した。
湿式分離器によりキナクリドン183gが分離された。
実施例2
微粉砕した2、5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレ
フタル酸ジプロピルエステル200gを、ブラシ供給(
ガス流:窒素2m37時及び空気0゜5m3/時)によ
り、管状反応器(直径40朋、長さ750mm)に57
5℃で1時間かけて導通した。湿式分離器により純粋な
キナクリドンが160g分離された。
フタル酸ジプロピルエステル200gを、ブラシ供給(
ガス流:窒素2m37時及び空気0゜5m3/時)によ
り、管状反応器(直径40朋、長さ750mm)に57
5℃で1時間かけて導通した。湿式分離器により純粋な
キナクリドンが160g分離された。
実施例3
微粉砕した2、5−ジアニリノ−6,6−ジヒドロテレ
フタル酸ジブチルエステル(粒径1〜100μm)1s
ogを、固形物質供給により反応器(直径40 mm
s長さ1500mm)に620ドロキナクリドンとキナ
クリドンからの1〜1混合物であった。
フタル酸ジブチルエステル(粒径1〜100μm)1s
ogを、固形物質供給により反応器(直径40 mm
s長さ1500mm)に620ドロキナクリドンとキナ
クリドンからの1〜1混合物であった。
実施例4
2.5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジ
イソブチルエステル350Iの溶融物ヲ、1物質ノズル
により実施例1に記載の装置に1時間かけて噴入した。
イソブチルエステル350Iの溶融物ヲ、1物質ノズル
により実施例1に記載の装置に1時間かけて噴入した。
反応器は電流により赤熱加熱された。ガス室の温度を熱
電対を用いて測定すると650℃であった。ガスフィル
ターを用いて純度95%の粗キナクリドンが216g得
られた。
電対を用いて測定すると650℃であった。ガスフィル
ターを用いて純度95%の粗キナクリドンが216g得
られた。
実施例5
水5001nt中の微粉砕した2、5−ジアニリノ−6
,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチルエステル100I
を、850℃に予熱された窒素103/時及び空気2m
3/時から成るガス流と共に、実験用噴霧乾燥器に1時
間かけて噴入した。ベンチュリ洗浄器により純粋なキナ
クリドンが72g得られた。
,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチルエステル100I
を、850℃に予熱された窒素103/時及び空気2m
3/時から成るガス流と共に、実験用噴霧乾燥器に1時
間かけて噴入した。ベンチュリ洗浄器により純粋なキナ
クリドンが72g得られた。
実施例6
粒径0.2〜0.4 mxの酸化アルミニウムを入れた
流動床反応器(直径60朋、長さ100(]+m)に、
550℃で毎時メチルナフタリン500 mlに溶解し
た2、5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸
ジメチルエステル100gの溶液を供給した。流動ガス
としては、それぞれ500℃に予熱された窒素5001
3/時及び空気501/時を使用した。反応生成物の分
離は、サイクロン及びそれに続く水洗により行った。毎
時609の赤色固形物質が得られ、これは紫外線スペク
トル及びレントゲン分析によると、純度96%のキナク
リドンであった。
流動床反応器(直径60朋、長さ100(]+m)に、
550℃で毎時メチルナフタリン500 mlに溶解し
た2、5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸
ジメチルエステル100gの溶液を供給した。流動ガス
としては、それぞれ500℃に予熱された窒素5001
3/時及び空気501/時を使用した。反応生成物の分
離は、サイクロン及びそれに続く水洗により行った。毎
時609の赤色固形物質が得られ、これは紫外線スペク
トル及びレントゲン分析によると、純度96%のキナク
リドンであった。
同様にして第1表に示す化合物が得られた。
出発物質としては次式のジヒドロチルフタル酸誘導体が
用いられた。
用いられた。
第 1 表
7 CH,5707598
8C15508293
9H5256885
実施例10
毎時N−メチルピロリドン350 mlに溶解した2、
5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチ
ルエステル125gを、流動床蒸発器(直径50朋、長
さ6001m、流動物はシリカゲル)中で窒素気流(1
001/時)を用いて気化し、480℃の温度で陶土棒
状体(直径60tnvi1長さ300mm)から成る固
定床に導通した。仕上げ処理及び特性検査は実施例6と
同様如行った。キナクリドン80%及びジヒドロキナク
リドン20%から成る生成物が毎時71g得られた。
5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチ
ルエステル125gを、流動床蒸発器(直径50朋、長
さ6001m、流動物はシリカゲル)中で窒素気流(1
001/時)を用いて気化し、480℃の温度で陶土棒
状体(直径60tnvi1長さ300mm)から成る固
定床に導通した。仕上げ処理及び特性検査は実施例6と
同様如行った。キナクリドン80%及びジヒドロキナク
リドン20%から成る生成物が毎時71g得られた。
実施例11
毎時2,5−ジアニリノ−6,6−シヒドロテレノズル
を用いて窒素1.2 m3/時及び空気3001/時か
ら成る500℃に予熱されたガス流中に噴入した。この
ガス−液体混合物を575℃で、環状反応器(直径50
朋、長さ40C1m)に接線方向に導入した。常法によ
り仕上げ処理実施例12 2.5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジ
メチルエステル400g及び水11からの懸濁液を、2
物質ノズルを用いて窒素1.5 m3と共に、管状反応
器に590℃で噴入した。さらに空気4001及び窒素
6001からの混合ガスを側方から導入した。純度が9
7%以上のキナクリドンが3009得られた。
を用いて窒素1.2 m3/時及び空気3001/時か
ら成る500℃に予熱されたガス流中に噴入した。この
ガス−液体混合物を575℃で、環状反応器(直径50
朋、長さ40C1m)に接線方向に導入した。常法によ
り仕上げ処理実施例12 2.5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジ
メチルエステル400g及び水11からの懸濁液を、2
物質ノズルを用いて窒素1.5 m3と共に、管状反応
器に590℃で噴入した。さらに空気4001及び窒素
6001からの混合ガスを側方から導入した。純度が9
7%以上のキナクリドンが3009得られた。
実施例13
実施例6と同様にして、毎時100gの2,5−ジアニ
リノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジ埋すると、ジヒ
ドロキナクリドンが毎時58.、!i2得られた。
リノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジ埋すると、ジヒ
ドロキナクリドンが毎時58.、!i2得られた。
実施例14
実施例12に記載の装置に680℃で、2,5−ジアニ
リノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチルエステル
400gを、窒素1 mB及び空気1m3からのガス流
と共に噴入した。純度90%のキナクリドンキノンが3
109得られた。
リノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチルエステル
400gを、窒素1 mB及び空気1m3からのガス流
と共に噴入した。純度90%のキナクリドンキノンが3
109得られた。
実施例15
実施例12に記載の装置に、毎時600gの2.5−ジ
アニリノテレフタル酸ジメチルエステルを、窒素1m3
/時と共に475℃で噴入した。空気フィルターにより
高純度のキナクリドンが毎時250I得られた。
アニリノテレフタル酸ジメチルエステルを、窒素1m3
/時と共に475℃で噴入した。空気フィルターにより
高純度のキナクリドンが毎時250I得られた。
実施例16
実施例11に記載の装置で、毎時N−メチルピロリドン
11中の2,5−ジアニリノテレフタル酸ジエチルエス
テル200gの溶液を、1m3/時の窒素気流中で47
5℃で反応させた。空気フィルターにより析出させたの
ち、紫外線スペクトルにより測定した純度が90%のキ
ナクリドンが毎時150g得られた。
11中の2,5−ジアニリノテレフタル酸ジエチルエス
テル200gの溶液を、1m3/時の窒素気流中で47
5℃で反応させた。空気フィルターにより析出させたの
ち、紫外線スペクトルにより測定した純度が90%のキ
ナクリドンが毎時150g得られた。
実施例17
毎時N−メチルピロリドン250 m/に溶解した2、
5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチ
ルエステル100gを、1001/時の窒素気流中で気
化した。このガス流を375℃で、固定床(直径50龍
、長さ500mm、流動物は酸化銅を付着させた酸化ア
ルミニウム棒状体)上に導通した。湿式絞り及び固形物
フィルターを用いて、赤色固形物質が毎時80g得られ
、これは紫外線スペクトル及びX線スペクトルによると
純粋なジヒドロキナクリドンであった。
5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテレフタル酸ジメチ
ルエステル100gを、1001/時の窒素気流中で気
化した。このガス流を375℃で、固定床(直径50龍
、長さ500mm、流動物は酸化銅を付着させた酸化ア
ルミニウム棒状体)上に導通した。湿式絞り及び固形物
フィルターを用いて、赤色固形物質が毎時80g得られ
、これは紫外線スペクトル及びX線スペクトルによると
純粋なジヒドロキナクリドンであった。
実施例18
水111中の2,5−ジアニリノ−3,6−ジヒドロテ
レフタル酸ジメチルエステル200yの懸濁液を、2物
質ノズルにより窒素1.5 m3と共に管状反応器(直
径50m+a、長さ300mm)に395℃で噴入した
。固形物質フィルターにより、ジヒドロキナクリドン(
純度95%、ほかにキナクリドン約3%)が170g得
られた。
レフタル酸ジメチルエステル200yの懸濁液を、2物
質ノズルにより窒素1.5 m3と共に管状反応器(直
径50m+a、長さ300mm)に395℃で噴入した
。固形物質フィルターにより、ジヒドロキナクリドン(
純度95%、ほかにキナクリドン約3%)が170g得
られた。
実施例18と同様にして、第2表に示す化合物が得られ
た。出発物質としては次式 のジヒドロテレフタル酸誘導体が用いられ、生成物は対
応するジヒドロキナクリドンであった。
た。出発物質としては次式 のジヒドロテレフタル酸誘導体が用いられ、生成物は対
応するジヒドロキナクリドンであった。
第 2 表
19 3−CH,CH33307585204−CH5
CH33507793 213−CI CH,4258089 224−CI CH33857388
CH33507793 213−CI CH,4258089 224−CI CH33857388
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(a)後記式 I のジヒドロキナクリドンを製造す
るため、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼(IV) (R^1及びR^2は後記の意味を有し、R^3及びR
^4は同一でも異なつてもよく、互いに無関係にC_1
〜C_1_0−アルコキシ基、アミノ基、C_1〜C_
1_0−モノ−又はジアルキルアミノ基又はハロゲン原
子を意味する)の2、5−ジアニリノ−3、6−ジヒド
ロテレフタル酸誘導体を、液状又は固形の凝集状態で又
は溶液として、それぞれ微細な形で、又は気相中で、3
50〜500℃の温度で環化するか、 (b)後記式IIのキナクリドンを製造するため、前記式
IVの2、5−ジアニリノ−3、6−ジヒドロテレフタル
酸誘導体を、液状又は固形の凝集状態で又は溶液として
、それぞれ微細な形で、又は気相中で、400〜700
℃の温度で環化しかつ脱水素するか、あるいは次式 ▲数式、化学式、表等があります▼(V) (R^1及びR^2は後記の意味を有し、R^3及びR
^4は前記の意味を有する)の2、5−ジアニリノテレ
フタル酸誘導体を、液状又は固形の凝集状態で又は溶液
として、それぞれ微細な形で、又は気相中で、300〜
700℃の温度で環化し、あるいは (c)後記式IIIのキナクリドンキノンを製造するため
、式IVの2、5−ジアニリノ−3、6−ジヒドロテレフ
タル酸誘導体又は式Vの2、5−ジアニリノテレフタル
酸誘導体を、液状又は固形の凝集状態で又は溶液として
、それぞれ微細な形で、又は気相中で、300〜700
℃の温度で酸化剤の存在下に環化することを特徴とする
、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) のジヒドロキナクリドン、次式 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) のキナクリドン又は次式 ▲数式、化学式、表等があります▼(III) のキナクリドンキノン(これらの式中、R^1及びR^
2は同一でも異なつていてもよく、互いに無関係に水素
原子、塩素原子、臭素原子、C_1〜C_1_0−アル
コキシ基、C_1〜C_1_0−アルキル基又は置換さ
れていてもよいフェニル基を意味する)又はこれらの混
合物の製法。 2、式IV及びVにおいてR^3及びR^4がそれぞれC
_1〜C_1_0−アルコキシ基を意味することを特徴
とする、第1請求項に記載の方法。 3、環化を管状反応器中で行うことを特徴とする、第1
請求項に記載の方法。 4、反応(a)において、環化を350〜450℃の温
度で行うことを特徴とする、第1請求項に記載の方法。 5、反応(b)において、2、5−ジアニリノ−3、6
−ジヒドロテレフタル酸誘導体の環化及び脱水素を45
0〜650℃の温度で行うことを特徴とする、第1請求
項に記載の方法。 6、反応(b)において、2、5−ジアニリノテレフタ
ル酸誘導体の環化を350〜550℃の温度で行うこと
を特徴とする、第1請求項に記載の方法。 7、反応(c)において、環化を400〜650℃の温
度で行うことを特徴とする、第1請求項に記載の方法。 8、反応(c)において、酸化剤として空気を使用する
ことを特徴とする、第1請求項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3736261.5 | 1987-10-27 | ||
DE19873736261 DE3736261A1 (de) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Verfahren zur herstellung von dihydrochinacridonen, chinacridonen und chinacridonchinonen in der gasphase |
DE19883813625 DE3813625A1 (de) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | Verfahren zur herstellung von dihydrochinacridonen, chinacridonen und chinacridonchinonen |
DE3813625.2 | 1988-04-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01143870A true JPH01143870A (ja) | 1989-06-06 |
Family
ID=25861136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63268360A Pending JPH01143870A (ja) | 1987-10-27 | 1988-10-26 | ジヒドロキナクリドン、キナクリドン及びキナクリドンキノンの製法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4956464A (ja) |
EP (1) | EP0313965B1 (ja) |
JP (1) | JPH01143870A (ja) |
DE (1) | DE3888443D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11172137A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-29 | Bayer Corp | キナクリドン類、6,13−ジヒドロキナクリドン類および6,13−キナクリドンキノン類のマイクロ波合成 |
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AT401515B (de) * | 1993-10-19 | 1996-09-25 | Chemie Linz Gmbh | Verfahren zur umesterung von dimethylsuccinylsuccinat |
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-
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- 1988-10-18 DE DE88117317T patent/DE3888443D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-18 EP EP88117317A patent/EP0313965B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-10-26 JP JP63268360A patent/JPH01143870A/ja active Pending
- 1988-10-27 US US07/263,355 patent/US4956464A/en not_active Expired - Fee Related
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