JPH09120536A

JPH09120536A - 光記録媒体への記録方法

Info

Publication number: JPH09120536A
Application number: JP8128259A
Authority: JP
Inventors: Kunihisa Nagino; 邦久薙野; Hitoshi Nobumasa; 均信正; Gentaro Obayashi; 元太郎大林
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1995-08-23
Filing date: 1996-05-23
Publication date: 1997-05-06

Abstract

(57)【要約】【課題】エッジ記録において、ジッタ特性を向上させ
る。【解決手段】相変化記録媒体に、複数のパルス列で構成
される記録パルスの後に、消去パワーよりも小さいパワ
ーを照射するパルスを設けて、エッジ記録を行うことを
特徴とする記録方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体の
記録方法に関するものである。特に本発明は、書換可能
相変化型光記録媒体の高密度記録方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来の書換可能型相変化光記録媒体への
記録方法技術は、以下のごときものである。

【０００３】これらの光記録媒体は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ
の合金などを主成分とする記録層を有している。記録時
は結晶状態の記録層に集束したレーザ光パルスを短時間
照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱
拡散により急冷され、固化し、非晶状態の記録マークが
形成される。この記録マークの光線反射率は、結晶状態
より低く、光学的に記録信号として再生可能である。

【０００４】さらに消去時には、記録マーク部分にレー
ザ光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温
度に加熱することによって非晶状態の記録マークを結晶
化し、もとの未記録状態に戻す。

【０００５】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを記録マークを書
き込むいわゆる記録パワーと、前記録マークを消去する
いわゆる消去パワーに変調するだけで、円形のビームに
よる高速のオーバーライトが可能である（T.Ohta et a
l, Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1989 p49-50
）。これらの、記録層を有した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
設け、記録時に記録層の変形、開口が発生することを防
いでいる。さらに光ビームが入射する反対方向に、Ａｌ
などの光反射性を有する金属反射層を設け、光学的な干
渉効果により、再生時の信号コントラストを改善すると
共に、記録層を冷却する効果により非晶状態の記録マー
クの形成を容易にし、かつ、消去特性、繰り返し特性を
改善する技術が知られている。

【０００６】特に、記録層および記録層と反射層との間
の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄くしたいわゆる「急
冷構成」は、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした「除
冷構成」に比べ、書き替えの繰り返しによる、記録特性
の劣化が少なく、また、消去パワーマージンが広い点で
優れている。

【０００７】以上の書換可能型相変化光記録媒体とし
て、光ディスクが例にあげられる。

【０００８】このような光ディスクには従来、ピットポ
ジション記録が用いられていた。ところが、近年、ます
ます記録媒体の高密度化が要求され、ピットポジション
記録にかわり、マークのエッジで情報を記録する、より
高密度記録が可能な、エッジ記録が用いられようとして
いる。

【０００９】ところで、エッジ記録では、ピットポジシ
ョン記録に比べ、長い記録マークを形成しなければなら
ないが、長いマークの後ろの部分では、記録膜の余熱効
果により記録マークの幅が広くなり、記録マークの前後
対象性が崩れ、いわゆる、涙状に歪む問題点がある。こ
の様な、記録マークの歪みは、再生信号の歪みとなり、
結果的に、ジッタ増大の原因となる。

【００１０】このような問題点を解決する手段として、
１つの記録パルスを複数の記録パルスに分割する方法
（以下パルストレインと呼ぶ）が（特開平３−３５４２
５号公報など）提案されている。また、パルストレイン
において記録パルス列最後のパルスの後に、ウィンドウ
幅の半分の幅（最後のパルスと同じ幅）で、消去パワー
よりも小さいパルスを照射する技術が知られている（第
５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集、８６
ｐ、１９９３）。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一般
に、相変化光記録媒体では記録した非晶状態のマークの
方の反射率が低く、記録されていない結晶状態との反射
率差があるため、記録膜の光吸収量差が大きくなる。そ
のため、オーバーライト記録前の状態が、結晶状態であ
るか、非晶状態のマークであるかによって、記録時の昇
温状態に差が生じる。パルストレインを用いエッジ記録
を行っても、長い記録マーク終端では、記録時の到達温
度が高くなるために、この現象は起きやすい。特に、記
録線速度が速くなると顕著に現れ、オーバーライト前の
状態により、最高到達温度に差が生じ、記録膜の冷却速
度が変わる。このため、新しい記録マークが前の記録マ
ークの変調を受け、マーク終端のジッタ特性、さらには
消去特性を制限する要因となる。つまり、パルストレイ
ンを用いてもオーバーライト時の記録マークの歪みを押
さえることはできない。

【００１２】また、パルストレイン最後のパルスの後
に、ウィンドウ幅の半分の、消去パワーよりも小さいパ
ルスを加えても、オーバーライト時の、記録マーク終端
部分のジッタ特性は十分には良くならない。

【００１３】本発明の目的は、上記の様なマークの終端
の歪みをなくし、ジッタ特性に優れたエッジ記録の記録
方法を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、情報の記録お
よび消去が、非晶相と結晶相の間の相変化によって行れ
る光記録媒体に、パルス列で構成される記録パルスで記
録パワーを照射し、記録マークを形成してエッジ記録を
行う記録方法であって、前記記録パルス列の最後のパル
スの後に、消去パワーよりも小さいパワーを照射するパ
ルスを設け、このパルス幅が、ウィンドウ幅の０．５５
倍以上、３倍以下であることを特徴とする記録方法であ
る。

【００１５】また本発明は、情報の記録および消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化によって行れる光記録媒体
に、パルス列で構成される記録パルスで記録パワーを照
射し、記録マークを形成してエッジ記録を行う記録方法
であって、前記記録パルス列の最後のパルスの後に、消
去パワーよりも小さいパワーを照射するパルスを設け、
このパルス幅が、前記記録パルス列の最後のパルス幅の
１．１倍以上、６倍以下であることを特徴とする記録方
法である。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の記録方法では、記録マー
クをパルス列で構成される記録パルス（パルストレイ
ン）で、記録パワーを照射した後に、いったん、消去パ
ワーよりも小さいパワーのパルスを照射し、その後に、
消去パワーに戻すことで形成する。この方法を用いるこ
とにより、記録マークの終端のジッタを低減する。つま
り、消去パワーよりも小さいパワーを照射するパルスを
新たに設けることにより、記録時に始端に比較して温度
が上昇する記録マーク終端の、冷却速度を上げることが
できる。したがって、オーバーライトした際に、マーク
の終端部分が、オーバーライトを行う前の状態、つまり
結晶状態か、非晶状態であるかによって、到達温度が変
わろうとも、冷却速度を速く一定にできる。そのため、
記録時に、レーザーが照射され溶融した領域の外側に形
成される粗大結晶粒が余り成長せず、なおかつ一定の大
きさとでき、終端のエッジを正確に記録することができ
る。消去パワーよりも小さいパワーを照射するパルスの
幅は、ウィンドウ幅の０．５５倍以上、３倍以下、もし
くは、パルストレイン最後のパルス幅の１．１倍以上、
６倍以下であることが必要である。これより短いパルス
幅であると、その効果が余り得られず、これより長いパ
ルス幅であると、結晶化温度以上に温度が上がらない部
分が発生し、消去特性が悪くなり、結果的にジッタが悪
化する。好ましくは、このパルス幅は、ウィンドウ幅の
０．７倍以上、１．８倍以下、もしくは、パルストレイ
ン最後のパルスの幅の１．４倍以上、３．６倍以下であ
る。さらに、このパルスの幅としては、変調方式が
（１，７）ＲＬＬ符号の場合は、ウィンドウ幅の０．７
倍以上、１．５倍以下が特に好ましく、変調方式が８／
１５変調、８／１６変調（ＥＦＭプラス）の場合は、こ
のパルスの幅は、ウィンドウ幅の０．７倍以上、２倍以
下が特に好ましい。

【００１７】前記の効果は、消去パワーよりも小さいパ
ワーを照射するパルスを設けることによって得られるた
めに、パルストレインの最後のパルスが終了した時間か
ら、このパルスを照射するまでの時間は、ウィンドウ幅
以下であることが好ましい。この時間がこれより長い
と、上記のパルスの効果が得難くなる。特に、パルスト
レインの最後のパルスが終了した直後に、このパルスを
照射することが好ましい。

【００１８】また、パルストレインの先頭パルスの幅
は、マークの始端が加熱不足で、マークの形状が先細り
になるのを防ぐために、ウィンドウ幅の０．７倍以上、
２倍以下であることが好ましい。（１，７）ＲＬＬ符号
のように、最短記録マークが２Ｔ（Ｔはウィンドウ幅）
である変調方式では、先頭パルスの幅がウィンドウ幅で
あることが特に好ましい。８／１５変調、８／１６変調
のように、最短記録マークが３Ｔである変調方式では、
先頭パルスの幅がウィンドウ幅の１．５倍であることが
特に好ましい。

【００１９】また、パルストレインの先頭パルス以外の
パルスのパルス幅としては、ウィンドウ幅の１／４倍以
上、３／４倍以下が好ましい。これより短いパルス幅で
あると記録する際、熱量が不足してマークが小さくなる
ことにより、ジッタが増大する恐れがある。また、それ
より長いパルス幅であると、記録する際の熱量が多くな
りすぎ、マークが涙上に歪むことにより、ジッタが増大
する恐れがある。装置を簡単にするためには、パルスト
レインの先頭パルス以外のパルス幅が同じであることが
好ましい。

【００２０】また、パルストレインの先頭パルスや先頭
パルス以外のパルスのパワーは、必ずしも同じである必
要はない。

【００２１】また、記録マークを形成するパルス列の先
頭パルスの位置を、該記録マークの長さおよび、該記録
マークと該記録マーク直前の記録マークとの間隔（該記
録マーク直前のスペース部分の長さ）、の２つのパラメ
ータにより変化させ、または／および、記録パルスの最
後のパルスの位置を、該記録マークの長さおよび、該記
録マークと直後の記録マークとの間隔（該記録マーク直
後のスペース部分の長さ）、の２つのパラメータにより
変化させる記録方法は、オーバーライト時のジッタ特性
がさらに改善されるので好ましい。

【００２２】すなわち、記録マークと該記録マーク直前
のスペース部分の長さに応じて、該記録パルスの先頭パ
ルスの位置を最適化することにより、記録マーク始端エ
ッジ部の正しい位置からのずれ量（エッジシフト）を低
減できる。同様に、記録マークと該記録マーク直後のス
ペース部分の長さに応じて、該記録パルスの最後のパル
スの位置を最適化することにより、記録マーク終端エッ
ジ部の正しい位置からのずれ量（エッジシフト）を低減
できる。このため、特にランダムパターンのオーバーラ
イト時のジッタが低減できる。さらに、消去パワーより
も小さいパワーを照射するパルスを加えているので、オ
ーバーライト時に新しいマークが古いマークの変調を受
けにくくなり、よりオーバーライト時のジッタを低減す
ることができる。

【００２３】上記の先頭パルス位置の決定のしかたとし
ては、例えば、以下の様に決定される。まず、最長記録
マークと最長スペースの単一パターンを基準とする。こ
のパターン中に、基準マークよりも短い被測定マークを
基準マーク数個に一個の割合で加えたパターンを作り、
このパターンを光記録媒体上に記録する。なお、記録の
際には、パルストレインとその後に消去パワーよりも小
さいパワーを照射するパルスを加えた一連のパルス列を
用いる。このパターンの再生信号から、被測定マーク始
端エッジと直前の基準マーク始端エッジとの間隔を測
る。この測定を被測定マークの先頭パルスの位置を変え
ながら繰返し、被測定マーク始端エッジと直前の基準マ
ーク始端エッジとの間隔が、最適値に最も近くなるよう
に、被測定マークの先頭パルスの位置を決める。この測
定を被測定マークの長さと被測定マーク直前のスペース
部の長さを２次元的に変えて行い、各々の記録マークの
長さおよび直前のスペース部分の長さにおける先頭パル
ス位置の最適値を決定する。

【００２４】記録マークの最後のパルス位置も、上記と
同様なパターンとパルス列を用い、再生信号から、被測
定マーク終端エッジと直後の基準マーク終端エッジとの
間隔を測り、各々の記録マークの長さおよび直後のスペ
ース部分の長さにおける最後のパルス位置の最適値を決
定する。

【００２５】消去パワーよりも小さいパワーのパルスを
照射する際の、レーザーパワーとしては、消去パワーの
１／２以下であることが好ましく、０（すなわち、この
間レーザーを照射しない）でも良い。この理由として
は、消去パワーの１／２よりも大きいレーザーパワーで
あると、記録マーク終端での冷却速度が上がらず、効果
が得難くなるためである。

【００２６】また、本発明を行うにあたり、記録マーク
を光記録媒体のグルーブのみに形成しても、ランドのみ
に形成しても良く、さらに、同一の光記録媒体のランド
とグルーブの両方に記録マークを形成し、いわゆるラン
ド・グルーブ記録を行っても良い。

【００２７】本発明では、記録再生を行うレーザー波長
は特に限定しない。

【００２８】このような、記録方法で記録を行う光記録
媒体としては、第２誘電体層の厚さが、１ｎｍ以上、５
０ｎｍ以下であり、なおかつ、反射層の厚さが、３０ｎ
ｍ以上であることが好ましい。第２誘電体層の厚さが、
５０ｎｍよりも厚いと急冷構成のメリットが得られな
い。また、それの厚さが、１ｎｍ以下であると、繰り返
し記録の際の、記録特性の劣化が著しい。さらに、反射
層の厚さとしては２０ｎｍ以上である。これ以下である
と、記録時の記録層の冷却度が不十分で急冷構成になら
ず、そのメリットが得られない。好ましくは、３０ｎｍ
以上である。

【００２９】本発明において誘電体層は、記録時に基
板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化する
ことを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効
果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラス
トを改善する効果がある。この誘電体層としては、Ｚｎ
Ｓ、ＳｉＯ₂、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの
無機薄膜があげられる。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属の酸化物の薄
膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ
などの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の膜が、耐熱性
が高いことから好ましい。これら上記の薄膜の屈折率は
１．５以上２．４以下である。また、これらに炭素や、
ＭｇＦ₂などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応
力が小さいことから好ましく使用される。特にＺｎＳと
ＳｉＯ₂の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉＯ₂と炭素の
混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）および消去率（記録
後と消去後の再生キャリア信号強度の差）などの劣化が
起きにくいことから好ましい。カルコゲン化合物と酸化
物と炭素の組成比は、特に限定されないが、誘電体層の
内部応力の低減効果の大きい点からは、ＳｉＯ₂１５〜
３５モル％、炭素１〜１５モル％であることが、さらに
好ましい。

【００３０】本発明の記録層の材料は、結晶状態と非晶
状態の少なくとも２つの状態をとり得るＴｅを主成分と
するカルコゲン化合物である。本発明の記録層として、
特に限定するものではないが、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉ
ｎ−Ｓｅ合金などがある。多数回の記録の書換が可能で
あることから、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が好ましい。特にＰｄ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の
繰り返しが可能であり、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性
に優れることから好ましく、とりわけ、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金が、前述の特性に優れることからよ
り好ましい。以下の式のように記録層を設定することに
よって、多数回の記録の書換えが可能になることから好
ましい。

【００３１】式Ｍ_a（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-a（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_y ０．４≦ｘ≦０．６０．３≦ｙ≦０．５０ ≦ａ≦０．０５（ここで、ｘ、ｙ、ａはモル比を表す。ＭはＰｄ、Ｎ
ｂ、Ｐｔの少なくとも１種を含む。）さらに、ｙの値が０．３以上、０．４以下が書換時の繰
り返し耐久性が高く、非晶状態の熱安定性が高いことか
らより好ましい。ａの値としては、０．００１以上０．
０１以下が、結晶化速度が速く、繰り返し耐久性が高
く、非晶状態の熱安定性が高いことからより好ましい。

【００３２】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなど
の金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金
属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなど
があげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主
成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高
くでき、記録時の熱を素早く拡散できるため好ましい。
前述の合金の例としては、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なく
とも１種の元素を合計で５原子％以下、１原子％以上加
えたもの、あるいは、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１種の元素を合計で１原子
％以上２０原子％以下加えたものなどがあげられる。特
に、材料の価格が安いことから、ＡｌもしくはＡｌを主
成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食性が良好
なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍ
ｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金属を合計
で０．５原子％以上５原子％以下添加した合金が好まし
い。さらに、耐腐食性が良好でかつヒロックなどの発生
が起こりにくいことから、添加元素を合計で０．５原子
％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ
−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、
Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合
金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分と
する合金で構成することが好ましい。これらＡｌ合金の
うちでも、次式で表される組成を有するＡｌ−Ｈｆ−Ｐ
ｄ合金は、特に優れた熱安定性を有するため、多数回の
記録、消去を繰り返しにおいて、記録特性の劣化を少な
くすることができる。

【００３３】Ｐｄ_jＨｆ_kＡｌ_1-j-k ０．００１＜ｊ＜０．０１０．００５＜ｋ＜０．１０ここで、ｊ、ｋは各元素の原子の数（各元素のモル数）
を表す。

【００３４】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね２０ｎｍ以上であり、好
ましくは、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。これ以
下であると、急冷構成のメリットが得られない。さらに
好ましくは５０〜２００ｎｍとするのが好ましい。

【００３５】また、第２誘電体層と反射層との間に、光
吸収層を設けると、オーバーライト時のジッタをより低
減できるので好ましい。この材料としては、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、
Ｎｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、
ランタニド、Ｔｅから選ばれた少なくとも１種以上の金
属、もしくは、これらの合金が耐熱性、強度、耐腐食性
に優れていることから好ましい。

【００３６】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

【００３７】（分析，測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。またＣ／Ｎおよび消去率はスペクトラムア
ナライザにより測定した。ジッタは、ＡＣカップリング
した再生信号のゼロクロス点をタイムインターバルアナ
ライザで測定し、それの標準偏差と定義した。

【００３８】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。

【００３９】（実施例１）厚さ０．６ｍｍ、溝深さ７２
ｎｍ、直径１２ｃｍ、１．４μｍピッチのスパイラルグ
ルーブ付き（グル−ブ幅０．７μｍ）ポリカーボネート
製基板を毎分３０回転で回転させながら、高周波スパッ
タ法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した。

【００４０】まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス零囲気中でＳｉＯ
₂を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚８５ｎｍの第１誘電体層を形成した。続いて、Ｐ
ｄ、Ｎｂ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲットを
スパッタして、組成Ｎｂ_0.45Ｐｄ_0.05Ｇｅ_19.0Ｓｂ₂₅ _.5
Ｔｅ_55.0の膜厚２５ｎｍの記録層を形成した。さらに前
述の第２誘電体層を１５ｎｍ形成し、この上に、Ａｌ
_98.1Ｈｆ_1.7Ｐｄ_0.2合金をスパッタして膜厚１５０ｎ
ｍの反射層を形成した。

【００４１】このディスクを真空容器から取り出した
後、反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本イン
キ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外線を
照射して硬化させ、厚さ１０μｍの樹脂層を形成し本発
明の光記録媒体を得た。さらに、同様に作成したディス
クとホットメルト接着剤（東亜合成化学工業（株）製Ｘ
Ｗ３０）で張り合わせ両面ディスクを作成した。

【００４２】この光記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。

【００４３】本実施例では、記録信号としては、（１，
７）ＲＬＬ符号を用いた。（１，７）ＲＬＬは、２Ｔか
ら８Ｔまでの、パルス幅の異なる信号である。ここでＴ
は、ウィンドウ幅である。本実施例では、線速度を６．
２ｍ／ｓ、最短マーク長（２Ｔのマークの長さである）
を０．５３μｍの条件で行ったので、Ｔ＝４２．５ｎｓ
とした。また、評価には、対物レンズの開口数０．６、
半導体レーザの波長６８０ｎｍの光学ヘッドを使用し
た。

【００４４】以下に、レーザーのパルス形状の具体的な
説明を行う。

【００４５】最短マークである、２Ｔは、パルス幅Ｔ
（４２．５ｎｓ）の記録パルスと、この記録パルスの直
後に、パルス幅Ｔで直接消去パワー以下にレーザーの出
力を落とすパルス（以下オフパルス）で構成されたパル
ス列で記録される。

【００４６】２番目に短いマークである３Ｔは以下のよ
うに記録される。すなわち、最短マークである２Ｔのパ
ルス（先頭パルス）からＴ／２後に幅Ｔ／２の記録パル
スを加え、さらにこのパルスの直後に、パルス幅Ｔで直
接消去パワー以下にレーザー出力を落とすオフパルスを
加えた一連のパルスで記録される。

【００４７】このように、記録マークがＴだけ長くなる
度にＴ／２のパルスを加え、さらに、その直後にオフパ
ルスを加えて、目的の長さの記録マークを形成する。最
長マークである８Ｔの記録マークは、幅がＴである先頭
パルスと、幅がＴ／２、周期Ｔである６個の後続パルス
との計７個の記録パルス、および、後続パルスの直後に
設けられたパルス幅Ｔのオフパルスとで構成された、一
連のパルス列で記録される。

【００４８】具体的な測定は以下のように行った。オフ
パルスを照射する際のパワーは再生パワー（１．２ｍ
Ｗ）とした。さらに、上記のパルスで、２Ｔの記録マー
クを（再生時の周波数５．９ＭＨｚ）消去パワーを４．
５ｍＷに固定して、記録パワーを６〜１５ｍＷの各条件
に変調した半導体レーザを用い、１００回、グルーブ
（溝部分）にオーバーライト記録した後、再生パワー
１．２ｍＷの半導体レーザを照射してバンド幅３０ｋＨ
ｚの条件でＣ／Ｎを測定した。そのところ、記録パワー
８ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得ら
れた。

【００４９】さらに記録パワーを９．５ｍＷに固定し
て、消去パワーを３〜７ｍＷに変調した、半導体レーザ
ーを用い、２Ｔの記録マークを１００回オーバーライト
した後、この部分を７Ｔ（１．７ＭＨｚ）で、先と同様
に変調した半導体レーザを照射し、１回オーバーライト
を行い、この時の２Ｔの消去率（２Ｔを１００回オーバ
ーライトした時の２Ｔのキャリアと、７Ｔを１回オーバ
ーライトした時の２Ｔの残存キャリアの差）、および、
７Ｔのジッタを測定した。

【００５０】そのところ、消去パワー３．５〜５．５ｍ
Ｗで、２８ｄＢ以上、最大３３ｄＢの消去率が得られ
た。また、７Ｔのマークの始端、終端ジッタに関して
も、上記と同じ消去パワー範囲で、４ｎｓ以下、最小
２．２ｎｓのジッタが得られた。

【００５１】始端、終端のどちらのジッタとも、ウィン
ドウ（Ｔ＝４２．５ｎｓ）の１０％以下であるので、実
用上十分小さいことが分かった。

【００５２】（実施例２）実施例１の光記録媒体の第２
誘電体層を１０ｎｍ、反射層を１００ｎｍとした他は同
一の光記録媒体を用いた。変調方式としては８／１５変
調を用い実施例１と同様の測定を行った。８／１５変調
は、（２，１２）ＲＬＬであるから、３Ｔから１３Ｔま
でのパルス幅の異なる信号である。ここでＴは、ウィン
ドウ幅である。本実施例では、線速度を６．５ｍ／ｓ、
最短マーク長（３Ｔのマークの長さである）を０．７４
μｍの条件で行ったので、Ｔ＝３８．０ｎｓとした。

【００５３】最短マークである、３Ｔ（再生時の周波
数、４．４ＭＨｚ）は、パルス幅Ｔ（先頭パルスと）か
らＴ／２後に幅Ｔ／２の記録パルスを加え、その直後
に、パルス幅Ｔのオフパルスを加えた、一連のパルスで
記録される。

【００５４】実施例１と同様に、記録マークがＴだけ長
くなる度にＴ／２の記録パルスを加え、さらに、その直
後にオフパルスを加えた一連のパルス列で記録マークを
形成する。最長マークである１３Ｔの記録マーク（再生
時の周波数、１．０ＭＨｚ）は、幅がＴである先頭パル
スと、幅がＴ／２、周期Ｔである１１個の後続パルスと
の計１２個の記録パルス、および、後続パルスの最後の
パルスの直後に設けられたパルス幅Ｔのオフパルスとで
記録される。オフパルスを照射する際のパワーは０ｍＷ
とした。

【００５５】測定は、ランドとグルーブの両方で行っ
た。Ｃ／Ｎの測定は、３Ｔの記録マークを用いた他は実
施例１と同様に行った。また、消去率の測定は、３Ｔを
１００回オーバーライトした後、１３Ｔを１回オーバラ
イトし、３Ｔの消去率を測定した。また、この時の１３
Ｔのジッタを測定した。

【００５６】そのところ、ランド、グルーブとも記録パ
ワー８ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上、最大５７
ｄＢのＣ／Ｎが得られた。また、記録パワー１０ｍＷに
おいて、消去パワー３．５〜５．５ｍＷで、ランド、グ
ルーブとも、３０ｄＢ以上、最大３６ｄＢの消去率が得
られた。また、１３Ｔのマークの始端、終端ジッタに関
しても、上記と同じ消去パワー範囲で、３．５ｎｓ以
下、最小２．５ｎｓのジッタが得られた。

【００５７】ランド、グルーブの両方において、始端、
終端のどちらのジッタとも、ウィンドウ（Ｔ＝３８．０
ｎｓ）の１０％以下であるので、実用上十分小さいこと
が分かった。

【００５８】（実施例３）光記録媒体を第１誘電体層の
厚みを２５０ｎｍ、記録層の厚みを２５ｎｍ、第２誘電
体層の厚みを１２ｎｍ、反射層の厚みを１２０ｎｍ、記
録層の組成をＰｄ_0.1Ｇｅ_19.0Ｓｂ_26.0Ｔｅ_54.9とした
以外は、実施例１と同一の光記録媒体を用い、変調方式
としては８／１６変調（ＥＦＭプラス）を用いた。８／
１６変調は、最短記録マークが３Ｔの変調方式である。
ここでＴは、ウィンドウ幅である。本実施例では、線速
度を５．８ｍ／ｓ、Ｔ＝３５．６ｎｓとした。

【００５９】最短記録マークである、３Ｔ（再生時の周
波数、４．７ＭＨｚ）は、パルス幅１．５Ｔ（先頭パル
ス）の記録パルスと、その直後のパルス幅１．５Ｔのオ
フパルスとの、一連のパルス列で記録される。

【００６０】実施例１と同様に、記録マークがＴだけ長
くなる度にＴ／２の記録パルスを加え、さらに、その直
後にオフパルスを加えた一連のパルス列で記録マークを
形成する。最長マークである１４Ｔの記録マーク（再生
時の周波数、１．０ＭＨｚ）は、幅が１．５Ｔである先
頭パルスと、幅がＴ／２、周期Ｔである１１個の後続パ
ルスとの計１２個の記録パルス、および、後続パルスの
最後のパルスの直後に設けられたパルス幅１．５Ｔのオ
フパルスとで記録される。オフパルスを照射する際のパ
ワーは０．５ｍＷとした。

【００６１】測定は、ランドとグルーブの両方で行っ
た。Ｃ／Ｎの測定は、実施例２と同様に行った。また、
消去率の測定は以下のように行った。すなわち、記録パ
ワーを１１ｍＷに固定して、消去パワー３〜６ｍＷに変
調した半導体レーザーを用い、３Ｔを１００回オーバー
ライトした後、１１Ｔを１回オーバライトし、３Ｔの消
去率を測定した。また、この時の１１Ｔのジッタを測定
した。

【００６２】そのところ、ランド、グルーブとも記録パ
ワー８ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上、最大５７
ｄＢのＣ／Ｎが得られた。また、記録パワー１１ｍＷに
おいて、消去パワー３．５〜５．５ｍＷで、ランド、グ
ルーブとも、３０ｄＢ以上、最大３５ｄＢの消去率が得
られた。また、１１Ｔのマークの始端、終端ジッタに関
しても、上記と同じ消去パワー範囲で、３．５ｎｓ以
下、最小２．０ｎｓのジッタが得られた。

【００６３】ランド、グルーブの両方において、始端、
終端のどちらのジッタとも、ウィンドウ（Ｔ＝３５．６
ｎｓ）の１０％以下であるので、実用上十分小さいこと
が分かった。

【００６４】（実施例４）光記録媒体、変調方式などの
実験条件は実施例３と同一にした。

【００６５】次に、本実施例で用いた記録パルスについ
て述べる。基本的なパルスパターンとしては、以下の様
になっている。すなわち、最短マークである、３Ｔ（再
生時の周波数、４．７ＭＨｚ）は、パルス幅Ｔ（先頭パ
ルス）と、それからＴ／２後に幅Ｔ／２の記録パルスを
加え、その直後に、パルス幅１．５Ｔのオフパルスを加
えた一連の記録パルスで構成される。

【００６６】また、記録マークがＴだけ長くなるたび
に、Ｔ／２後に幅Ｔ／２の記録パルスを加え、さらに、
その直後に幅１．５Ｔのオフパルスを加えた、一連の記
録パルス列で記録マークを形成する。

【００６７】本実施例では、上記の記録パルスを基に、
先頭パルスの位置を、該記録マークの長さ、および、該
記録マークと直前の記録マークとの間隔、の２つのパラ
メーターで最適化した。

【００６８】具体的には、該記録マークと直前の記録マ
ークとの間隔（以下Ｔｓｂと表す）が３Ｔ、該記録マー
クの長さ（以下Ｔｍｋと表す）が３Ｔの時には、先頭パ
ルスの位置を３２ｎｓだけ遅延させした。同様に、Ｔｓ
ｂが３Ｔ、Ｔｍｋが４Ｔの時には２６ｎｓ、Ｔｓｂが３
Ｔ、Ｔｍｋが５Ｔ以上の時には２４ｎｓ、Ｔｓｂが４
Ｔ、Ｔｍｋが３Ｔの時には２８ｎｓ、Ｔｓｂが４Ｔ、Ｔ
ｍｋが４Ｔの時には２４ｎｓ、Ｔｓｂが４Ｔ、Ｔｍｋが
５Ｔ以上の時には２４ｎｓ、Ｔｓｂが５Ｔ以上、Ｔｍｋ
が３Ｔの時には２４ｎｓ、Ｔｓｂが５Ｔ以上、Ｔｍｋが
４Ｔの時には２４ｎｓ、Ｔｓｂ、Ｔｍｋとも５Ｔ以上の
時には１８ｎｓ、だけ先頭パルスの位置を遅延させた。

【００６９】上記の記録パルスを用い、ランドおよびグ
ルーブに記録パワー１１ｍＷ、消去パワー４．５ｍＷの
条件で、ランダムパターンを１００回オーバーライト
し、この時の、トータルジッタを測定した。なお、オフ
パルスを照射する際のパワーは、０．５ｍＷとした。

【００７０】そのところ、ランドの先頭ジッタ、終端ジ
ッタの値は、それぞれ、２．９４ｎｓ、２．９３ｎｓ、
グルーブの先頭ジッタ、終端ジッタの値は、それぞれ、
２．９４ｎｓ、２．５４ｎｓの値が得られた。上記の全
てのジッタは、ウィンドウ幅の１０％以下であり、実用
上十分小さいと確認できた。

【００７１】（実施例５）光記録媒体を第１誘電体層の
厚みを１００ｎｍ、記録層の厚みを２５ｎｍ、第２誘電
体層の厚みを１０ｎｍ、光吸収層としてＴｉを３０ｎ
ｍ、反射層の厚みを７０ｎｍとしたほかは、実施例１と
同一の光記録媒体を用い実施例１と同様な測定を行っ
た。

【００７２】そのところ、ランド、グルーブとも８ｍＷ
以上の記録パワーで実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ
が得られた。

【００７３】さらに、記録パワーを１０ｍＷに固定して
実施例１と同様に消去率を測定したところ、実施例１と
同様な消去率が得られた。

【００７４】実施例１と同様にジッタを測定したとこと
ろ、始端、終端両ジッタとも実施例１と同様なパワー範
囲で４ｎｓ以下、最小２．０ｎｓのジッタが得られた。
始端、終端のどちらのジッタともウィンドウ幅の１０％
以下であるので実用上十分小さいとわかった。

【００７５】（比較例１）実施例１と同じ光記録媒体を
用い、実施例のパルスのオフパルスを除いたパルスで記
録し、実施例１と同じ測定を行った。

【００７６】Ｃ／Ｎに関しては実施例１と同様な特性が
得られた。消去率に関しては、実施例１と同様な消去パ
ワー範囲で２５ｄＢ以上の消去率が得られたが、最大の
消去率は２８ｄＢと、実施例に比べ劣っていた。

【００７７】また、ジッタに関しては、以下の通りにな
った。すなわち、７Ｔの始端部のジッタは、消去パワー
３．５〜５．５ｍＷで、４ｎｓ以下、最小２．８ｎｓの
ジッタが得られたが、終端のジッタは、いずれの消去パ
ワーの時も、４ｎｓ以下にはならず、最小でも５．８ｎ
ｓしか得られなかった。

【００７８】終端のジッタは、いずれの消去パワーにお
いても、検出ウィンドウ１３％以下にはならず、実用的
ではなく、実施例１に比べて劣っていることが分かっ
た。

【００７９】（比較例２）実施例１と同じ光記録媒体を
用い、実施例１のオフパルスの幅をＴ／２とし、実施例
と同じ測定を行った。

【００８０】Ｃ／Ｎに関しては実施例と同様な特性が得
られた。消去率に関しては、実施例１と同様な消去パワ
ー範囲で２５ｄＢ以上の消去率が得られたが、最大の消
去率は２９ｄＢと、実施例１に比べ劣っていた。

【００８１】また、ジッタに関しては、以下の通りにな
った。すなわち、７Ｔの始端部のジッタは、消去パワー
３．５〜５．５ｍＷで、４ｎｓ以下、最小２．９ｎｓの
ジッタが得られた。また、終端のジッタは、３．０〜
４．０ｍＷで、４ｎｓ以下のジッタが得られたが、最小
でも３．４ｎｓであり、また、４ｎｓ以下のジッタが得
られる消去パワーの範囲も、１ｍＷと実施例１に比べ劣
っていた。

【００８２】（比較例３）実施例２と同じ光記録媒体を
用い、実施例２のオフパルスを除いた一連のパルス列で
記録し、ランド、グルーブの両方で実施例２と同様の測
定を行った。

【００８３】Ｃ／Ｎに関しては実施例と同様な特性が得
られた。消去率に関しては、実施例２と同様な消去パワ
ー範囲で２５ｄＢ以上の消去率が得られたが、最大の消
去率は２９ｄＢと、実施例に比べ劣っていた。

【００８４】また、ジッタに関しては、以下の通りにな
った。すなわち、１３Ｔの始端部のジッタは、消去パワ
ー３．５〜５．５ｍＷで、３．５ｎｓ以下、最小３．０
ｎｓのジッタが得られたが、終端のジッタは、いずれの
消去パワーの時も、４ｎｓ以下にはならず、最小でも
５．０ｎｓしか得られなかった。

【００８５】終端のジッタは、いずれの消去パワーにお
いても、検出ウィンドウ１３％以下にはならず、実用的
ではなく、実施例２に比べて劣っていることが分かっ
た。

【００８６】（比較例４）実施例４と同じ光記録媒体を
用い、実施例４の記録パルスからオフパルスを除き、ま
た、先頭パルス位置の最適化もしていないパルス列を用
いた。実施例４と同様にランダムパターンをランド、グ
ルーブの両方に記録し、測定を行った。

【００８７】ランドの先頭ジッタ、終端ジッタの値は、
それぞれ、４．７８ｎｓ、４．９０ｎｓ、グルーブの先
頭ジッタ、終端ジッタの値は、それぞれ、５．２０ｎ
ｓ、４．８９ｎｓであった。

【００８８】上記のジッタの値は、ウィンドウ幅の１０
％以上であり、実施例４に比べ劣っていた。

【００８９】（比較例５）実施例４と同じ光記録媒体を
用い、実施例４の記録パルスからオフパルスを除いたパ
ルス列を用いた。実施例４と同様にランダムパターンを
ランド、グルーブの両方に記録し、測定を行った。

【００９０】ランドの先頭ジッタ、終端ジッタの値は、
それぞれ、３．０５ｎｓ、４．８６ｎｓ、グルーブの先
頭ジッタ、終端ジッタの値は、それぞれ、３．０６ｎ
ｓ、４．７８ｎｓの値が得られた。

【００９１】先頭ジッタの値は、実施例４とほぼ近い値
が得られたが、終端ジッタの値は、ウィンドウ幅の１０
％以上であり、実施例４に比べ劣っていた。

【００９２】

【発明の効果】本発明の記録方法によれば、以下の効果
が得られた。 (1) エッジ記録においてジッタを低減できる。 (2) 消去特性を向上できる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】情報の記録および消去が、非晶相と結晶相
の間の相変化によって行れる光記録媒体に、パルス列で
構成される記録パルスで記録パワーを照射し、記録マー
クを形成してエッジ記録を行う記録方法であって、前記
記録パルス列の最後のパルスの後に、消去パワーよりも
小さいパワーを照射するパルスを設け、このパルス幅
が、ウィンドウ幅の０．５５倍以上、３倍以下であるこ
とを特徴とする記録方法。
【請求項２】情報の記録および消去が、非晶相と結晶相
の間の相変化によって行れる光記録媒体に、パルス列で
構成される記録パルスで記録パワーを照射し、記録マー
クを形成してエッジ記録を行う記録方法であって、前記
記録パルス列の最後のパルスの後に、消去パワーよりも
小さいパワーを照射するパルスを設け、このパルス幅
が、前記記録パルス列の最後のパルス幅の１．１倍以
上、６倍以下であることを特徴とする記録方法。
【請求項３】記録パルスの先頭パルスの位置を、該記録
マークの長さ、および該記録マークと直前の記録マーク
との間隔の２つのパラメーターにより変化させ、または
／および、記録パルスの最後のパルスの位置を該記録マ
ークの長さ、および該記録マークと直後の記録マークと
の間隔の２つのパラメータにより変化させることを特徴
とする請求項１または請求項２記載の記録方法。
【請求項４】光記録媒体が、少なくとも、記録層、誘電
体層、反射層を有し、少なくとも、基板／第１誘電体層
／記録層／第２誘電体層／反射層の順に積層され、かつ
第２誘電体層の厚さが１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であ
り、なおかつ、反射層の厚さが２０ｎｍ以上であること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の記録方法。
【請求項５】光記録媒体が、少なくとも、記録層、誘電
体層、光吸収層、反射層を有し、少なくとも、基板／第
１誘電体層／記録層／第２誘電体層／光吸収層／反射層
の順に積層され、第２誘電体層の厚さが１ｎｍ以上、５
０ｎｍ以下、なおかつ、反射層の厚さが２０ｎｍ以上で
あり、光吸収層の材質が、実質的にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｃｒ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｎｂ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｆ
ｅ、Ｙ、Ｖ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔｅ、ラ
ンタニドから選ばれた少なくとも１種類以上の金属、も
しくはこれらを含む合金であることを特徴とする請求項
１または請求項２記載の記録方法。
【請求項６】記録層の組成がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素
合金もしくはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素とＰｄ、Ｎｂ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種と
の合金であり、反射層がＡｌもしくは、Ａｌ合金である
ことを特徴とする請求項４または請求項５記載の記録方
法。
【請求項７】記録層の組成が下記の式（１）で表され、
反射層がＡｌもしくは、Ａｌ合金であることを特徴とす
る請求項４または請求項５記載の記録方法。式（１）Ｍ_a（Ｓｂ_xＴｅ_1-x）_1-y-a（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_y ０．４≦ｘ≦０．６０．３≦ｙ≦０．５０ ≦ａ≦０．０５ここで、ｘ、ｙ、ａはモル比を表し、ＭはＰｄ、Ｎｂ、
Ｐｔから選ばれた少なくとも１種を表す。
【請求項８】記録パルス列の最後のパルスの終了した時
間から、消去パワーよりも小さいパワーを照射するまで
の時間が、ウィンドウ幅以下であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の記録方法。
【請求項９】記録パルス列の先頭パルス幅が、ウィンド
ウ幅の０．７倍以上、２倍以下であることを特徴とする
請求項１または請求項２記載の記録方法。
【請求項１０】消去パワーよりも小さいパワーを照射す
る際のパワーが消去パワーの１／２以下であることを特
徴とする請求項１または請求項２記載の記録方法。
【請求項１１】記録パルス列のパルス幅が、先頭パルス
および消去パワーよりも小さいパワーを照射するパルス
を除き、ウィンドウ幅の１／４倍以上、３／４倍以下で
あることを特徴とする請求項１または請求項２記載の記
録方法。