JPH11339316A

JPH11339316A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH11339316A
Application number: JP10214534A
Authority: JP
Inventors: Hideo Nakakuki; 英夫中久喜; Kunihisa Nagino; 邦久薙野; Gentaro Obayashi; 元太郎大林; Hitoshi Nobumasa; 均信正
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1997-07-29
Filing date: 1998-07-29
Publication date: 1999-12-10

Abstract

(57)【要約】【課題】ジッタ特性の悪化、セクター記録の開始端、
終了端の記録波形の劣化、信号の振幅の低下、バースト
欠陥の発生などの繰り返しオーバーライトによる劣化が
少なく、保存耐久性に優れ、高線速、高密度の記録条件
においても良好な消去特性が得られる書換可能相変化光
記録媒体を提供すること。【解決手段】基板上に少なくとも記録層および反射層
がこの順で積層されている光記録媒体であって、記録層
に接するようにその片側もしくは両側に窒化物よりなる
層を設けたことを特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。

【０００２】特に、本発明は、記録情報の消去、書換機
能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光
ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相変化型
光記録媒体に関するものである。

【０００３】

【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技
術は、以下のごときものである。

【０００４】これらの光記録媒体は、テルルなどを主成
分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に
集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部
分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷さ
れ、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成され
る。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低
く、光学的に記録信号として再生可能である。

【０００５】また、消去時には、記録マーク部分にレー
ザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の
温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録
マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。

【０００６】これらの書換可能相変化型光記録媒体の記
録層の材料としては、Ｇｅ₂ Ｓｂ₂Ｔｅ₅ などの合金
（N.Yamada et al.Proc.Int.Symp.on Optical Memory 1
987 p61-66）が知られている。

【０００７】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
それぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変形、開口が
発生することを防いでいる。さらに、光ビーム入射方向
と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなどの金属反射
層を積層して設け、光学的な干渉効果により再生時の信
号コントラストを改善する技術が知られている。

【０００８】前述の従来の書換可能相変化型光記録媒体
における課題は、以下のようなものである。

【０００９】すなわち、従来のディスク構造では、オー
バーライトの繰り返しに伴い、ジッタ特性の悪化、セク
ター記録の開始端、終了端の記録波形の劣化、信号の振
幅の低下（コントラストの低下）などが生じる。この原
因として記録層の物質移動による記録層の膜厚の変化
や、保護層中の硫黄が記録層中に拡散し光学特性に変化
をもたらすことなどが考えられている。また、保護層の
クラックの成長によるバースト欠陥が生じることもあ
る。

【００１０】また、すでに信号が記録してあるディスク
を長時間放置した後オーバーライトを行うと（以降オー
バーライトシェルフと呼ぶ）、ジッタ特性が悪化しエラ
ーとなってしまう問題があった。このためディスクの保
存耐久性に難点があった。

【００１１】さらには、より一層の高密度化、高速化が
求められる中で、相変化型光記録媒体においても高密度
化や高速化が検討されているが、これに伴い消去特性の
低下という問題が生じる。このことがマーク長記録にお
いては安定した記録、再生の障害となり、高密度化、高
線速化の達成を困難にしている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第１
にジッタ特性の悪化、セクターの始終端劣化、コントラ
ストの低下、バースト欠陥の発生などの、繰り返しオー
バーライトによる劣化が少ないこと、第２にオーバーラ
イトシェルフ特性に優れていること、第３に高線速、高
密度の記録条件においても消去特性が良好であることを
特徴とする書換可能相変化型光記録媒体を提供すること
にある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された記録層に光を照射することによって、情報の記
録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、
非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板上に少
なくとも記録層および反射層がこの順で積層されている
光記録媒体であって、記録層に接するようにその両側も
しくは片側に窒化物よりなる層を設けたことを特徴とす
る光記録媒体に関するものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明が解決しようとする課題で
ある繰り返しオーバーライトによる劣化、すなわちジッ
タ特性の悪化、セクタ始終端の劣化、振幅の低下は記録
層材料の物質移動や、誘電体層中の硫黄の記録層中への
拡散などが原因であると考えられている。また、オーバ
ーライトシェルフ特性の悪化は、消去特性の劣化が原因
である。これは、記録マーク（非晶層）を長時間放置す
ることにより、原子配列等の状態が変化するか、もしく
は誘電体層と記録層が反応するなどの理由が考えられ
る。さらにまた、高線速化、高密度化を実現するにあた
り、消去特性の低下という問題が生じるのは、記録層が
結晶化温度以上に保持される時間が短くなることなどが
原因であると考えられる。

【００１５】本発明者らは鋭意実験を行うことにより、
窒化物層を記録層に接するように設けると、繰り返しオ
ーバーライトによる劣化、オーバーライトシェルフ特性
の悪化、高線速、高密度における消去特性の低下などの
問題が改良できることを見出した。

【００１６】すなわち、本発明の光記録媒体の構成部材
の代表的な層構成は、透明基板上に第１誘電体層、窒化
物層、記録層、第２誘電体層、反射層をこの順に積層し
たものである。但しこれに限定するものではない。

【００１７】本発明の光記録媒体では、窒化物層を記録
層に接して形成する必要がある。これには以下のような
効果がある。

【００１８】第１に、記録層の物質移動を抑制し、また
誘電体層から記録層への硫黄の拡散を防ぐことにより繰
り返しオーバーライトによる劣化を改良することができ
る。第２に、オーバーライトシェルフ特性の悪化を改良
できる。これは、長時間放置しても、記録マーク（非晶
質）の原子配列が変化したり誘電体層と記録層が反応し
たりすることを防ぐ効果があるためであると考えられ
る。

【００１９】第３に、高線速、高密度の記録条件におけ
る消去特性の低下を改善する。これは窒化物層が結晶化
を促進し、記録層が短時間で結晶化できるようになるた
めであると考えられる。

【００２０】窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化
ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化チタン等が好まし
く、これらの材料を２種以上含む混合物でも良い。ただ
し硫化物は含まないことが好ましい。また、より好まし
い材料としては窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウムが
挙げられ、他の材料との混合物であっても良いが、良好
な特性を得るためには６０ｍｏｌ％以上の割合でこれら
の材料を含んでいることが好ましい。

【００２１】窒化物層の厚さとしては、剥離しがたいこ
とや光学的な条件を考慮して、０．５ｎｍ以上３００ｎ
ｍ以下が好ましい。生産性や成膜の容易さの点から、よ
り好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

【００２２】第１誘電体層の材質としては、記録光波長
において実質的に透明であり、かつその屈折率が、透明
基板の屈折率より大きく、記録層の屈折率より小さいも
のが好ましい。具体的にはＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂ、などの金属の酸化物の薄膜、
Ｓｉ、Ｇｅなどの窒化物の薄膜、Ｚｒ、Ｈｆなどの窒化
物の薄膜、およびこれらの化合物の混合物の膜が耐熱性
が高いことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混
合物からなる膜は、繰り返しオーバーライトによる劣化
が起きにくいことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ
２と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対
ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいこ
とからも好ましい。膜の厚さは光学的な条件や生産性の
点から、１０〜５００ｎｍが好ましい。

【００２３】本発明の記録層としては、特に限定するも
のではないが、Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｉ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｇ
ｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金などがある。

【００２４】特にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
合金は、消去時間が短く、かつ多数回の記録、消去の繰
り返しが可能であり、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、
消去率などの記録特性に優れることから好ましい。

【００２５】本発明の記録層の厚さとしては、５ｎｍ以
上４０ｎｍ以下であることが好ましい。記録層の厚さが
上記よりも薄い場合は、繰返しオーバーライトによる記
録特性の劣化が著しく、また、記録層の厚さが上記より
も厚い場合は、繰返しオーバーライトによる記録層の移
動が起りやすくジッタが悪化が激しくなる。特に、マー
ク長記録を採用する場合は、ピットポジション記録の場
合に比べ、記録、消去による記録層の移動が起こりやす
く、これを防ぐため、記録時の記録層の冷却をより大き
くする必要があり、記録層の厚さは１０ｎｍ〜３５ｎｍ
がより好ましく、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去
率などの記録特性に優れることから、より好ましくは１
０ｎｍ〜２４ｎｍである。

【００２６】本発明の第２誘電体層の材質は、第１誘電
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。厚さは、３ｎｍ以上５０ｎ
ｍ以下が好ましい。第２誘電体層の厚さが上記より薄い
と、クラック等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低下す
るために好ましくない。また、第２誘電体層の厚さが、
上記より厚いと記録層の冷却度が低くなるために好まし
くない。第２誘電体層の厚さは記録層の冷却に関し、よ
り直接的に影響が大きく、より良好な消去特性や、繰り
返し耐久性を得るために、また、特にマーク長記録の場
合に良好な記録・消去特性を得るために、３０ｎｍ以下
がより効果的である。光を吸収し、記録、消去に効率的
に熱エネルギーとして用いることができることから、透
明でない材料から形成されることも好ましい。例えば、
ＺｎＳとＳｉＯ２と炭素の混合物は、膜の残留応力が
小さいこと、記録、消去の繰り返しによっても、記録感
度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化
が起きにくいことからも好ましい。

【００２７】反射層の材質としては、光反射性を有する
金属、合金、および金属と金属化合物の混合物などがあ
げられる。具体的には、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕなどの
高反射率の金属や、それを主成分とした合金、Ａｌ、Ｓ
ｉなどの窒化物、酸化物、カルコゲン化物などの金属化
合物が好ましい。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを
主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を
高くできることから特に好ましい。反射層の厚さとして
は、通常、おおむね１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であ
る。記録感度を高く、再生信号強度が大きくできること
から３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましい。

【００２８】本発明の基板の材料としては、透明な各種
の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基
板の傷などの影響をさける目的で、透明基板を用い、集
束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好まし
く、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカー
ボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィ
ン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられ
る。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成
形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモル
ファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。また耐熱性が
要求される場合には、エポキシ樹脂が好ましい。

【００２９】基板の厚さは特に限定するものではない
が、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍ
ｍ未満では、基板側から集束した光ビ−ムで記録する場
合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、
対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照
射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度
をあげることが困難になる。

【００３０】次に、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて述べる。第１誘電体層、窒化物層、記録層、第２誘
電体層、反射層などを基板上に形成する方法としては、
真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレ
ーティング法、スパッタリング法などがあげられる。特
に組成、膜厚のコントロールが容易であることから、ス
パッタリング法が好ましい。形成する記録層などの厚さ
の制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタ
リングすることで、容易に行える。

【００３１】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂ 、ＺｎＳとＳｉＯ₂ の混合物
などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層な
どを必要に応じて設けてもよい。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。

【００３３】（分析，測定方法）反射層、記録層の組成
は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）によ
り確認した。

【００３４】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚
は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の
厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察
することにより測定した。

【００３５】スパッタリングにより成膜した光記録媒体
は、記録を行う前にあらかじめ波長８３０ｎｍの半導体
レーザのビームでディスク全面の記録層を結晶化し初期
化した。

【００３６】次に、記録トラックに線速度６ｍ／秒の条
件で、対物レンズの開口数０．６、半導体レーザの波長
６８０ｎｍの光学ヘッドを有する光ディスク評価装置を
使用して、８／１６変調のランダムパターンをマーク長
記録によって１０万回オーバーライトした。この時、記
録レーザー波形は、マルチパルスを用いた。また、この
時のウィンドウ幅は、３４ｎｓとした。記録パワー、消
去パワーは各ディスクで最適なパワーにした。

【００３７】なお、オーバーライトの際にはデータ群
（記録マーク）の書き始めと書き終わりを、ディスク上
の一つの点に固定した。また、データの書き始め部分と
書き終わり部分の間の距離は１ｃｍとし、この部分のみ
をオーバーライトした。

【００３８】ジッタはタイムインターバルアナライザに
より測定した。記録領域部の始終端の劣化距離（波形の
潰れ）、信号波形の振幅の低下、バースト欠陥の有無は
オシロスコープにより観察した。

【００３９】続いて別のトラックに１回記録を行いその
時のバイトエラーレートを測定し、その状態のまま８０
℃の乾燥オーブンに１００時間放置した。この後同じ部
分のバイトエラーレートを測定し、さらにこの部分を１
回オーバーライトし再度バイトエラーレートを測定する
ことによって、オーバーライトシェルフ特性を評価し
た。

【００４０】また、消去特性については、対物レンズの
開口数０．６、半導体レーザーの波長６３８ｎｍの光学
ヘッドを有する光ディスク評価装置を使用して、記録ト
ラックに次の条件で記録を行い評価した。

【００４１】(条件ａ)線速度６ｍ／秒で、記録周波数ｆ
１=１．１ＭＨｚ（長記録マーク）で１０回記録を行
い、ｆ２=４．９ＭＨｚ（短記録マーク）で１回オーバ
ーライトを行った。デューティ５０％、ウィンドウ幅は
３４ｎｓとした。短記録マークをオーバーライトする前
後の長記録マークの信号のキャリアの比を消去率、短記
録マークのキャリアとオーバーライトされたあとの長記
録マークのキャリアの比を有効消去率として、バンド幅
３０ｋＨｚの条件でスペクトラムアナライザーにより測
定した。

【００４２】(条件ｂ)線速度９ｍ／秒で、記録周波数ｆ
３=２．４ＭＨｚ（長記録マーク）で１０回記録を行
い、ｆ４=１０．６ＭＨｚ（短記録マーク）で１回オー
バーライトを行った。デューティ５０％、ウィンドウ幅
は１６ｎｓとした。（条件ａ）の時と同様にして、消去
率、有効消去率を測定した。

【００４３】(条件ａ)、(条件ｂ)いずれの場合も長記録
マーク、短記録マークの長さはそれぞれウィンドウ幅の
１３倍、３倍であり、(条件ｂ)の場合の記録の線密度は
(条件ａ)の場合の約１．５倍になっている。また、記録
パワー、消去パワーは各ディスクで最適なパワーにし
た。

【００４４】（実施例１）毎分３０回転で回転させてい
る、厚さ０．６ｍｍ、直径１２ｃｍ、１．４８μｍピッ
チの案内溝付きのポリカーボネート製基板（ランド幅
０．７４μｍ、グルーブ幅０．７４μｍ）上に、以下の
スパッタリング成膜を行った。

【００４５】まず、真空容器内を１×１０^-3Ｐａまで排
気した後、２×１０^-1ＰａのＡｒガス零囲気中でＳｉＯ
₂ を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタし、基板上
に膜厚９５ｎｍの第１誘電体層を形成した。次に窒化ア
ルミニウムをスパッタし、厚さ５ｎｍの窒化物層を形成
した。続いて、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅからなる合金ターゲッ
トをスパッタして、厚さ２０ｎｍの記録層を得た。さら
に第２誘電体層として第１誘電体層と同じＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ₂を１６ｎｍ形成し、この上にＡｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金
をスパッタして膜厚１５０ｎｍの反射層を形成し、本発
明の光記録媒体を得た。

【００４６】１０万回オーバーライト後の、データの書
き始め部分と、書き終わり部分の波形の潰れを観察した
ところ、それぞれ、１０μｍ、５μｍであり実用上問題
がないと確認できた。さらに、この部分のジッタを測定
したところ、ウインドウ幅の１１％と実用上十分小さい
と確認できた。信号の振幅は、１０回オーバーライト後
の信号の振幅と比べてほとんど変化がなく、バースト欠
陥も見られなかった。

【００４７】また、このディスクに１回記録を行った時
のバイトエラーレートは４．０×１０^-5であった。乾燥
オーブンに放置した後再度同じ部分を測定したところ、
３．５×１０^-5でほとんど変化がなかった。この部分を
１回オーバーライトしてバイトエラーレートを測定した
ところ、４．５×１０^-5でほとんど変化が無く、良好な
オーバーライトシェルフ特性を示した。この時のジッタ
はウインドウ幅の９％と良好な値であった。

【００４８】さらに、１．２μｍピッチ（ランド幅０．
６μｍ、グルーブ幅０．６μｍ）のポリカーボネート基
板上に上と同様のスパッタリング成膜を行い、消去特性
を評価した。

【００４９】（条件ａ）での消去率を測定したところ４
２ｄＢ、有効消去率は３２ｄＢであった。次いで（条件
ｂ）での消去率を測定したところ３９ｄＢ、有効消去率
は２７ｄＢであり、高線速、高密度の記録条件下におい
ても実用上十分な消去特性が得られた。

【００５０】（実施例２）窒化物層として窒化ゲルマニ
ウムを５ｎｍ形成した他は、実施例１と同様のディスク
を作製した。

【００５１】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後の書き始め部分と書き終わり部
分の波形の潰れは、それぞれ、５μｍ、１０μｍであり
実用上十分小さいと確認できた。また、この部分のジ
ッタは、ウィンドウ幅の１１％と実用上十分に小さいと
確認できた。信号の振幅は１０回オーバーライト後の信
号の振幅と比べてほとんど変化がなく、バースト欠陥も
発生しなかった。

【００５２】また、このディスクに１回記録を行った時
のバイトエラーレートは５．０×１０^-5であった。実施
例１と同様の条件で乾燥オーブンに放置した後再度同じ
部分を測定したところ、４．２×１０^-5でほとんど変化
がなかった。この部分を１回オーバーライトしてバイト
エラーレートを測定したところ、５．３×１０^-5であり
ほとんど変化が無く、良好なオーバーライトシェルフ特
性を示した。この時のジッタはウインドウ幅の１０％と
良好な値であった。

【００５３】実施例１と同様にして（条件ａ）での消去
率を測定したところ４０ｄＢ、有効消去率は３０ｄＢで
あった。次いで（条件ｂ）での消去率を測定したところ
３７ｄＢ、有効消去率は２６ｄＢであり、いずれの条件
においても実用上十分な消去特性が得られた。

【００５４】（実施例３）窒化物層として窒化シリコン
を５ｎｍ形成した他は、実施例１と同様のディスクを作
製した。

【００５５】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後の書き始め部分と書き終わり部
分の波形の潰れは、それぞれ、１０μｍ、５μｍであり
実用上十分小さいと確認できた。また、この部分のジ
ッタは、ウィンドウ幅の１１％と実用上十分に小さいと
確認できた。信号の振幅は１０回オーバーライト後の振
幅の約９０％で実用上問題ないレベルである。また、バ
ースト欠陥も発生しなかった。

【００５６】また、このディスクに１回記録を行った時
のバイトエラーレートは３．５×１０^-5であった。実施
例１と同様の条件で乾燥オーブンに放置した後再度同じ
部分を測定したところ、４．０×１０^-5でほとんど変化
がなかった。この部分を１回オーバーライトしてバイト
エラーレートを測定したところ、４．５×１０^-5であり
ほとんど変化が無く、良好なオーバーライトシェルフ特
性を示した。この時のジッタはウインドウ幅の１０％と
良好な値であった。

【００５７】実施例１と同様にして（条件ａ）での消去
率を測定したところ３８ｄＢ、有効消去率は２５ｄＢで
あった。次いで（条件ｂ）での消去率を測定したところ
３５ｄＢ、有効消去率は２２ｄＢであり、いずれの条件
においても実用上十分な消去特性が得られた。

【００５８】（実施例４）窒化物層として窒化チタンを
５ｎｍ形成した他は、実施例１と同様のディスクを作製
した。

【００５９】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後の書き始め部分と書き終わり部
分の波形の潰れは、それぞれ、１０μｍ、１２μｍであ
り実用上十分小さいと確認できた。また、この部分の
ジッタは、ウィンドウ幅の１１％と実用上十分に小さい
と確認できた。信号の振幅は１０回オーバーライト後の
振幅の約９０％で実用上問題ないレベルである。また、
バースト欠陥も発生しなかった。

【００６０】また、このディスクに１回記録を行った時
のバイトエラーレートは５．０×１０^-5であった。実施
例１と同様の条件で乾燥オーブンに放置した後再度同じ
部分を測定したところ、４．２×１０^-5でほとんど変化
がなかった。この部分を１回オーバーライトしてバイト
エラーレートを測定したところ、５．３×１０^-5であり
ほとんど変化が無く、良好なオーバーライトシェルフ特
性を示した。この時のジッタはウインドウ幅の１０％と
良好な値であった。

【００６１】実施例１と同様にして（条件ａ）での消去
率を測定したところ３７ｄＢ、有効消去率は２８ｄＢで
あった。次いで（条件ｂ）での消去率を測定したところ
３５ｄＢ、有効消去率は２２ｄＢであり、いずれの条件
においても実用上十分な消去特性が得られた。

【００６２】（実施例５）窒化物層として窒化ゲルマニ
ウムを５ｎｍ形成し、第２保護層のかわりに窒化ゲルマ
ニウム層を２０ｎｍを設けた他は、実施例１と同様のデ
ィスクを作製した。

【００６３】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後の書き始め部分と書き終わり部
分の波形の潰れは、それぞれ、１４μｍ、１５μｍであ
り実用上十分小さいと確認できた。また、この部分の
ジッタは、ウィンドウ幅の１２％と実用上十分に小さい
と確認できた。信号の振幅は１０回オーバーライト後の
振幅の約９０％で実用上問題ないレベルである。また、
バースト欠陥も発生しなかった。

【００６４】また、このディスクに１回記録を行った時
のバイトエラーレートは５．３×１０^-5であった。実施
例１と同様の条件で乾燥オーブンに放置した後再度同じ
部分を測定したところ、４．５×１０^-5でほとんど変化
がなかった。この部分を１回オーバーライトしてバイト
エラーレートを測定したところ、６．０×１０^-5であり
ほとんど変化が無く、良好なオーバーライトシェルフ特
性を示した。この時のジッタはウインドウ幅の１０％と
良好な値であった。

【００６５】実施例１と同様にして（条件ａ）での消去
率を測定したところ４０ｄＢ、有効消去率は３２ｄＢで
あった。次いで（条件ｂ）での消去率を測定したところ
３８ｄＢ、有効消去率は２８ｄＢであり、いずれの条件
においても実用上十分な消去特性が得られた。

【００６６】（比較例１）窒化物層を省いた他は、実施
例１と同様のディスクを得た。

【００６７】実施例１と同様な測定を行ったところ、１
０万回オーバーライト後のジッタはウィンドウ幅の１４
％と大きく、さらに、書き始め部分と、書き終わり部分
の波形の潰れを観察したところ、それぞれ２００μｍ、
５０μｍと大きく、正確なデータの再生が困難であるこ
とがわかった。また、信号の振幅は１０回オーバーライ
ト後の振幅の７５％であり、コントラストが低下してい
た。

【００６８】また、このディスクに１回記録を行った時
のバイトエラーレートは４．０×１０^-5であった。実施
例１と同様の条件で乾燥オーブンに放置した後再度同じ
部分を測定したところ、３．５×１０^-5でほとんど変化
がなかったが、この部分を１回オーバーライトしてバイ
トエラーレートを測定したところエラーとなり、バイト
エラーレートが測れないほどオーバーライトシェルフ特
性が劣化していた。エラーの原因はジッタの悪化による
もので、この時のジッタはウインドウ幅の１８％程度で
あった。

【００６９】実施例１と同様にして（条件ａ）での消去
率を測定したところ３８ｄＢ、有効消去率は２４ｄＢで
あり、消去特性は良好であった。しかし、（条件ｂ）で
の消去率を測定したところ２８ｄＢ、有効消去率は１４
ｄＢであり、高線速、高密度の記録条件では消去特性が
低下した。

【００７０】

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られた。

【００７１】(１) 多数回の記録・消去を行っても信号
の振幅の低下が少ない。

【００７２】(２) 多数回の記録・消去を行ってもセク
ター始端部分、終端部分の劣化が少ない。(３) 多数回
の記録・消去を行っても良好なジッタ特性を得ることが
できる。

【００７３】(４) 多数回の記録・消去を行ってもバー
スト欠陥が発生しない。

【００７４】(５) 保存耐久性が良好である。

【００７５】(６) 高線速、高密度の記録条件でも、良
好な消去特性を得ることができる。

【００７６】(７) スパッタ法により容易に製作でき
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者信正均滋賀県大津市園山１丁目１番１号東レ株式会社滋賀事業場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録層に光を照射することによって、情
報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消
去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われ、基板
上に少なくとも記録層および反射層がこの順で積層され
ている光記録媒体であって、記録層に接するようにその
片側もしくは両側に窒化物よりなる層を設けたことを特
徴とする光記録媒体。
【請求項２】窒化物よりなる層を基板と記録層の間に
設けたことを特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項３】基板と記録層の間、記録層と反射層の間
の少なくとも一方に、ＺｎＳとＳｉＯ２を含む誘電体層
を設けたことを特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項４】窒化物よりなる層の平均膜厚が、０．５
ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項
１の光記録媒体。
【請求項５】窒化物よりなる層が、窒化アルミニウ
ム、窒化ゲルマニウム、窒化シリコン、窒化チタンから
選ばれた１種または１種以上を主成分とする混合物であ
ることを特徴とする請求項１の光記録媒体。
【請求項６】窒化物よりなる層が、窒化アルミニウム
を主成分とする混合物であることを特徴とする請求項１
の光記録媒体。
【請求項７】窒化物よりなる層が、窒化ゲルマニウム
を主成分とする混合物であることを特徴とする請求項１
の光記録媒体。