JPH03231891A - 光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH03231891A JPH03231891A JP2265549A JP26554990A JPH03231891A JP H03231891 A JPH03231891 A JP H03231891A JP 2265549 A JP2265549 A JP 2265549A JP 26554990 A JP26554990 A JP 26554990A JP H03231891 A JPH03231891 A JP H03231891A
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板上に設けた記録層にレーザ光を照射し、
照射部分に反射率変化を生じさせ、情報を記録すること
のできる光情報記録媒体（以下光記録媒体という）およ
びその製造方法に関する。
照射部分に反射率変化を生じさせ、情報を記録すること
のできる光情報記録媒体（以下光記録媒体という）およ
びその製造方法に関する。
レーザを光源として用いる光記録媒体は、従来の磁気記
録媒体に比べ、高密度、大容量、長寿命などの特徴を有
し、実用化が望まれている。この光記録媒体は用途に応
じて、再生専用型、追記型書き換え型の３種類に大別す
ることができる。これらのうち書き換え型は、情報の記
録再生と、さらに消去が可能であり記憶装置としての利
用が有望視されている。
録媒体に比べ、高密度、大容量、長寿命などの特徴を有
し、実用化が望まれている。この光記録媒体は用途に応
じて、再生専用型、追記型書き換え型の３種類に大別す
ることができる。これらのうち書き換え型は、情報の記
録再生と、さらに消去が可能であり記憶装置としての利
用が有望視されている。
書き換え型の光記録媒体の一つに相変化方式がある。こ
の相変化方式はレーザ光照射により記録材料の相変化、
すなわち結晶状態から非結晶状態への移行、または相転
移などによる光学特性の変化によって生じる反射率の変
化を利用して、情報の記録と消去を行うものである。
の相変化方式はレーザ光照射により記録材料の相変化、
すなわち結晶状態から非結晶状態への移行、または相転
移などによる光学特性の変化によって生じる反射率の変
化を利用して、情報の記録と消去を行うものである。
第５図に相変化方式の光記録媒体構造を説明するための
模式断面図を示す。第５図においてこの光記録媒体は、
ガラスやプラスチックなどの基板１の上にＳｉｎ、 Ｓ
ｉＮなどからなる下地保護層２゜記録層３が積層され、
さらにその上にセラミックなどからなる保護層４ 、
Ａｆｆ、 Ｃｒ、 Ａｕなどの金属からなる反射冷却層
５が形成されており、表面を有機物の表面保護層６で覆
い、これら各層を順次堆積した構造としである。そして
レーザ光は基板１の積層膜を有する側と反対の面から入
射させるのが普通である。
模式断面図を示す。第５図においてこの光記録媒体は、
ガラスやプラスチックなどの基板１の上にＳｉｎ、 Ｓ
ｉＮなどからなる下地保護層２゜記録層３が積層され、
さらにその上にセラミックなどからなる保護層４ 、
Ａｆｆ、 Ｃｒ、 Ａｕなどの金属からなる反射冷却層
５が形成されており、表面を有機物の表面保護層６で覆
い、これら各層を順次堆積した構造としである。そして
レーザ光は基板１の積層膜を有する側と反対の面から入
射させるのが普通である。
このような光記録媒体の最も困難な課題の一つは速い消
去速度と長いデータ保存時間との両方を持ち、しかも量
産性に優れた光学記録要素を開発することであり、高速
の消去速度を有するためには、非結晶状態から結晶状態
への記録媒体の遷移速度、即ち、レーザパルスによって
生じる高温下での結晶化速度が速いことが必要となる。
去速度と長いデータ保存時間との両方を持ち、しかも量
産性に優れた光学記録要素を開発することであり、高速
の消去速度を有するためには、非結晶状態から結晶状態
への記録媒体の遷移速度、即ち、レーザパルスによって
生じる高温下での結晶化速度が速いことが必要となる。
一方、記録状態（非結晶状態）の長期安定な保存に対し
ては、室温付近で維持する場合の結晶化速度が遅いこと
が必要である。したがって、光記録媒体はこれら両方の
特性が最適となるように定めなければならない。
ては、室温付近で維持する場合の結晶化速度が遅いこと
が必要である。したがって、光記録媒体はこれら両方の
特性が最適となるように定めなければならない。
これらの特性を有する光記録媒体の記録層３の材料とし
ては、Ｇｅ５ｂＴｅ系が有望とされており、なかでもＧ
ｅ、 Ｓｂが１９原子％から２５原子％の範囲にある組
成のものでは、０．１ＡＩＳ以下の短い消去時間と高い
信号強度を有する光記録媒体が得られることが知られて
いる。
ては、Ｇｅ５ｂＴｅ系が有望とされており、なかでもＧ
ｅ、 Ｓｂが１９原子％から２５原子％の範囲にある組
成のものでは、０．１ＡＩＳ以下の短い消去時間と高い
信号強度を有する光記録媒体が得られることが知られて
いる。
しかしながら、上記の組成を有する光記録媒体の記録層
を蒸着法またはスパッタ法により成膜するとき、次のよ
うな問題が生ずる。第１表は９５０℃における記録層構
成元素の蒸気圧の概略の数値を示したものである。
を蒸着法またはスパッタ法により成膜するとき、次のよ
うな問題が生ずる。第１表は９５０℃における記録層構
成元素の蒸気圧の概略の数値を示したものである。
第 １ 表
第１表かられかるように、これら各元素の間には蒸気圧
に差があり、そのため三元合金のソースを用いて、Ｇｅ
５ｂＴｅ合金の組成比率を安定に再現性よく成膜するこ
とは、蒸着法とスパッタ法のいずれの場合も極めて難し
い。
に差があり、そのため三元合金のソースを用いて、Ｇｅ
５ｂＴｅ合金の組成比率を安定に再現性よく成膜するこ
とは、蒸着法とスパッタ法のいずれの場合も極めて難し
い。
例えば、原子組成比率がＧｅ１ｇＳｂ＋、Ｔｅ５２の記
録層を一元蒸着する場合、従来法のようにして行ってい
る。まずＧｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅをこの組成となるように
配合して、石英ガラス製のアンプル内に封入した後、こ
れを外部から加熱溶融しＧｅ５ｂＴｅ合金とし、次にこ
の合金をアンプルから取り出して粒径０．１ｍｍ以下に
粉砕し、これを真空蒸着原料粉として石英ボートに入れ
、加熱温度９５０℃の抵抗加熱方法による一元蒸着を行
う。このときの蒸着速度は６００人／ ｍ ｉ ｎであ
る。
録層を一元蒸着する場合、従来法のようにして行ってい
る。まずＧｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅをこの組成となるように
配合して、石英ガラス製のアンプル内に封入した後、こ
れを外部から加熱溶融しＧｅ５ｂＴｅ合金とし、次にこ
の合金をアンプルから取り出して粒径０．１ｍｍ以下に
粉砕し、これを真空蒸着原料粉として石英ボートに入れ
、加熱温度９５０℃の抵抗加熱方法による一元蒸着を行
う。このときの蒸着速度は６００人／ ｍ ｉ ｎであ
る。
このようにして得られた記録層の組成を分析調査した結
果は、Ｇｅ ：Ｓｂ ：Ｔｅが１０：１３ニア７と所期
の組成から大きくずれている。
果は、Ｇｅ ：Ｓｂ ：Ｔｅが１０：１３ニア７と所期
の組成から大きくずれている。
同様にして、Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅｓ。の組成を持つよ
うに、−元蒸着を行うと、得られる記録層の組成はＧｅ
：Ｓｂ ：Ｔｅが１７ ：２０ ：６３となり、コレ
も大キくスれてしまう。
うに、−元蒸着を行うと、得られる記録層の組成はＧｅ
：Ｓｂ ：Ｔｅが１７ ：２０ ：６３となり、コレ
も大キくスれてしまう。
以上の結果は、−元蒸着では各元素の９５０℃における
蒸気圧が、第１表のようにかなり異なり、Ｔｅが最も蒸
発しやすく、次にＳｂ、 Ｇｅの順に蒸発するので、Ｔ
ｅとｓｂのリッチな蒸着膜となるからである。このこと
は、Ｇｅ５ｂＴｅ合金をターゲットとするスパッタ法を
用いても同様である。
蒸気圧が、第１表のようにかなり異なり、Ｔｅが最も蒸
発しやすく、次にＳｂ、 Ｇｅの順に蒸発するので、Ｔ
ｅとｓｂのリッチな蒸着膜となるからである。このこと
は、Ｇｅ５ｂＴｅ合金をターゲットとするスパッタ法を
用いても同様である。
したがって、この場合Ｇｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅの各元素を
別々に蒸気圧制御して蒸発させる多元蒸着法も考えられ
るが、多元蒸着法は高価な装置を必要とする上に、量産
性が劣るという点で好ましくない。
別々に蒸気圧制御して蒸発させる多元蒸着法も考えられ
るが、多元蒸着法は高価な装置を必要とする上に、量産
性が劣るという点で好ましくない。
本発明は上述の点に鑑みてなされたものであり、その目
的は、−元蒸着法により組成制御された記録層を有し、
速い消去速度と長いデータ保存時間との双方を満足する
光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
的は、−元蒸着法により組成制御された記録層を有し、
速い消去速度と長いデータ保存時間との双方を満足する
光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。
上記の課題を解決するために、本発明は、Ｇｅ。
Ｓ１］ｘＴｅ＋ｏｎ−ｚｘ の組成におけるＸの値が１
９≦ｘ≦２５の範囲にある記録層を持つ光記録媒体の製
造方法において、記録層を（Ｇｅ＋＋５ｂｘＴｅｌｏｏ
−ｚｘ） ｔｏｏ−ｙＣｕｙまたは（ＧｅｘＳｔｌｘＴ
ｅＩｎｏ−ｚｘ） ＋０Ｏ−ＹＡｕＹで表されｙの値が
３≦ｙく１２とする合金粉を蒸着源材料に用いて一元蒸
着するものである。
９≦ｘ≦２５の範囲にある記録層を持つ光記録媒体の製
造方法において、記録層を（Ｇｅ＋＋５ｂｘＴｅｌｏｏ
−ｚｘ） ｔｏｏ−ｙＣｕｙまたは（ＧｅｘＳｔｌｘＴ
ｅＩｎｏ−ｚｘ） ＋０Ｏ−ＹＡｕＹで表されｙの値が
３≦ｙく１２とする合金粉を蒸着源材料に用いて一元蒸
着するものである。
また、この方法により製造する光記録媒体としては、基
板上に、下地保護層、上記記録層、保護層１反射冷却層
および表面保護層をこの順に積層するのがよい。
板上に、下地保護層、上記記録層、保護層１反射冷却層
および表面保護層をこの順に積層するのがよい。
ＧｅｘＳｂｘ丁ｅ１００−２Ｘ （１９≦ｘ≦２５）の
組成を有する三元系合金にＣｕまたはＡｕを添加し、（
ＧｅＸＳｂＸＴｅｌＱＯ−２Ｘ） ＋ａｏ−’ｙＣｕｙ
または（ＧｅｘＳｂｘＴｅ１００−２Ｘ） ｔＧｏ−ｙ
＾Ｕ、なる四元系合金粉を用いて一元蒸着することによ
り、記録層を形成する本発明の光記録媒体の製造方法は
、ＣｕまたはＡｕの９５０℃における蒸気圧が１Ｏ−３
Ｐａであり、ＣｕまたはＡｕは３≦ｙ〈１２の範囲では
、記録層の蒸着時にＧｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅと金属間化合
物のような挙動を示すことにより、Ｇｅ、 Ｓｂ、 Ｔ
ｅ間の蒸気圧差を制御してその蒸着のタイミングを調整
し、記録層形成後はＣｕまたはＡｕは蒸発源容器に残る
ようになる。このことにより、組成比率の均一な記録層
を形成することができるのである。
組成を有する三元系合金にＣｕまたはＡｕを添加し、（
ＧｅＸＳｂＸＴｅｌＱＯ−２Ｘ） ＋ａｏ−’ｙＣｕｙ
または（ＧｅｘＳｂｘＴｅ１００−２Ｘ） ｔＧｏ−ｙ
＾Ｕ、なる四元系合金粉を用いて一元蒸着することによ
り、記録層を形成する本発明の光記録媒体の製造方法は
、ＣｕまたはＡｕの９５０℃における蒸気圧が１Ｏ−３
Ｐａであり、ＣｕまたはＡｕは３≦ｙ〈１２の範囲では
、記録層の蒸着時にＧｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅと金属間化合
物のような挙動を示すことにより、Ｇｅ、 Ｓｂ、 Ｔ
ｅ間の蒸気圧差を制御してその蒸着のタイミングを調整
し、記録層形成後はＣｕまたはＡｕは蒸発源容器に残る
ようになる。このことにより、組成比率の均一な記録層
を形成することができるのである。
以下、本発明を実施例に基づき説明する。
本発明により得られる光記録媒体の構造は、第５図に示
したものと同じであり、また−元蒸着についても前途と
同じ方法を用いているのでそれらの説明は省略し、ここ
では第５図の記録層３を一元蒸着により形成する際に添
加するＣｕまたはＡｕの量を種々変えた場合について述
べる。
したものと同じであり、また−元蒸着についても前途と
同じ方法を用いているのでそれらの説明は省略し、ここ
では第５図の記録層３を一元蒸着により形成する際に添
加するＣｕまたはＡｕの量を種々変えた場合について述
べる。
実施例１
原子組成比率を（Ｇｅｔ９Ｓｂ１ｓＴｅ６２） ｔｏｏ
−ｙｃｕＹとする真空蒸着原料粉を用いて、ｙの値を０
から２０まで変え、それぞれ加熱温度９５０ ｔの一元
蒸着を行った。
−ｙｃｕＹとする真空蒸着原料粉を用いて、ｙの値を０
から２０まで変え、それぞれ加熱温度９５０ ｔの一元
蒸着を行った。
第１図はＣｕ添加量ｙの値と得られた記録層の組成比率
との関係を各元素をパラメータとして示した線図である
。第１図中の○はＴｅ、△はＳｂ１口はＧｅ、◇はＣｕ
を表す。第１図からｙ≦３の範囲ではＣｕ添加の効果が
なく 、Ｇｅ＋ｓＳＩ］＋９Ｔｅ６２合金のみで蒸着原
料粉を作製した場合と同様、原料組成と記録層の組成と
の大きなずれが見られ、またｙ〉１２になると記録層中
にＣｕが１％以以上型れるようになり、記録層の結晶化
特性が劣化してしまう。
との関係を各元素をパラメータとして示した線図である
。第１図中の○はＴｅ、△はＳｂ１口はＧｅ、◇はＣｕ
を表す。第１図からｙ≦３の範囲ではＣｕ添加の効果が
なく 、Ｇｅ＋ｓＳＩ］＋９Ｔｅ６２合金のみで蒸着原
料粉を作製した場合と同様、原料組成と記録層の組成と
の大きなずれが見られ、またｙ〉１２になると記録層中
にＣｕが１％以以上型れるようになり、記録層の結晶化
特性が劣化してしまう。
したがッテ、（Ｇｅ＋ｓＳｂ＋５Ｔｅｓ２） ｔｏｏ−
ｙＣｕｙの組成を有する記録層蒸着源材料の特に好まし
いｙの範囲は３≦ｙく１２である。
ｙＣｕｙの組成を有する記録層蒸着源材料の特に好まし
いｙの範囲は３≦ｙく１２である。
実施例２
（Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅｓｏ） ｔｏｏ−ｙＣ’ｙの組
成を持つ蒸着原料粉を用い、実施例１と同様にして、ｙ
の値を０から２０まで変えて一元蒸着したときのＣｕ添
加量ｙの値と、得られた記録層の組成比率との関係線図
を第２図に示す。第２図中のＯはＴｅ、△はＳｂ１口は
Ｇｅ、ＱはＣｕを表す。この場合も、第２図からｙの範
囲は、５≦ｙ〈１２とすることにより、原料組成と記録
層の組成とがほぼ同じになることがわかる。
成を持つ蒸着原料粉を用い、実施例１と同様にして、ｙ
の値を０から２０まで変えて一元蒸着したときのＣｕ添
加量ｙの値と、得られた記録層の組成比率との関係線図
を第２図に示す。第２図中のＯはＴｅ、△はＳｂ１口は
Ｇｅ、ＱはＣｕを表す。この場合も、第２図からｙの範
囲は、５≦ｙ〈１２とすることにより、原料組成と記録
層の組成とがほぼ同じになることがわかる。
実施例３
組成比率を（Ｇｅ＋ｓＳｂ＋５Ｔｅｓ２） １００−Ｙ
＾ｕｙとする真空蒸着原料粉を用いて、実施例１ないし
実施例２と同様に、ｙの値を０から１７まで変え、それ
ぞれの−元蒸着を行った。Ａｕの添加ｍｙＯ値と、得ら
れた記録層の組成比率との関係線図は第３図に示す。
＾ｕｙとする真空蒸着原料粉を用いて、実施例１ないし
実施例２と同様に、ｙの値を０から１７まで変え、それ
ぞれの−元蒸着を行った。Ａｕの添加ｍｙＯ値と、得ら
れた記録層の組成比率との関係線図は第３図に示す。
第３図中の○はＴｅ、△はＳｂ１口はＧｅ、◇はＡｕを
表す。第３図からＡｕの添加量は、実施例１のＣｕ添加
の場合と同様、３≦ｙ〈１２の範囲で原料組成と記録層
の組成とがほぼ同じになることがわかる。
表す。第３図からＡｕの添加量は、実施例１のＣｕ添加
の場合と同様、３≦ｙ〈１２の範囲で原料組成と記録層
の組成とがほぼ同じになることがわかる。
実施例４
（Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅｓｏ） １００−ｙＡｕｙの組
成を持つ蒸着原料粉を用い、実施例１ないし実施例３と
同様にして、ｙの値を０から１７まで変えて一元蒸着し
たときのＡｕ添加１ｙの値と、得られた記録層の組成比
率との関係線図を第４図に示す。第４図中の○はＴｅ。
成を持つ蒸着原料粉を用い、実施例１ないし実施例３と
同様にして、ｙの値を０から１７まで変えて一元蒸着し
たときのＡｕ添加１ｙの値と、得られた記録層の組成比
率との関係線図を第４図に示す。第４図中の○はＴｅ。
△はＳｂ９口はＧｅ、◇はＡｕを表す。第４図かられか
るように、このときもＡｕの添加量は、実施例２のＣｕ
添加の場合と同様、５≦ｙく１２の範囲で原料組成と記
録層の組成がほぼ同じになる。
るように、このときもＡｕの添加量は、実施例２のＣｕ
添加の場合と同様、５≦ｙく１２の範囲で原料組成と記
録層の組成がほぼ同じになる。
以上の結果からＧｅｘＳｂｘＴｅｌｏｏ−２ｘの組成に
おけるＸの値が１９≦ｘ≦２５の範囲にある記録層を一
元蒸着するとき、蒸着原料にＣｕまたは八〇を加えて四
元系とし、その添加量を３〜１２原子％とすることによ
り、蒸着原料と記録層の組成がほぼ一致する。
おけるＸの値が１９≦ｘ≦２５の範囲にある記録層を一
元蒸着するとき、蒸着原料にＣｕまたは八〇を加えて四
元系とし、その添加量を３〜１２原子％とすることによ
り、蒸着原料と記録層の組成がほぼ一致する。
これはＣｕまたはＡｕが金属間化合物のような挙動を示
すことにより、互いに異なる蒸気圧を持つＧｅ。
すことにより、互いに異なる蒸気圧を持つＧｅ。
Ｓｂ、 Ｔｅ間の蒸気圧差を制御し、蒸着タイミングを
調整する役割を果たし、ＣｕまたはＡｕ自体は記録層中
に含まれることなく、蒸着源容器に残存するようになる
からである。即ち本発明では三元合金の記録層を一元蒸
着するための蒸着源材料として四元合金を用いた点に特
徴を有する。
調整する役割を果たし、ＣｕまたはＡｕ自体は記録層中
に含まれることなく、蒸着源容器に残存するようになる
からである。即ち本発明では三元合金の記録層を一元蒸
着するための蒸着源材料として四元合金を用いた点に特
徴を有する。
ＧｅｘＳｂｘＴｅ１００−ｚｘの組成を持ち、Ｘの値が
１９≦ｘ≦２５の範囲にある光記録媒体の記録層を一元
蒸着するとき、この組成のものを蒸着源材料としたので
はＧｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅの各元素間の大きな蒸気圧差に
起因して、得られる記録層は所期の組成範囲からずれて
しまい、光記録媒体の特性を損ねていたのに対し、本発
明によれば実施例で述べたように、（ＧｅｘＳｂｘＴｅ
１００−ｚｘ） ｔｏｏ−ＹｃｕＹまたは（ＧｅｘＳｂ
ｙＴｅｌＧＯ−２Ｘ） ｔｏｏ−ＹＡＵＹで表され、ｙ
の値を３≦ｙく１２とする四元合金粉を真空蒸着原料と
して用いたために、従来の蒸着原料をＧｅｘＳｂｘＴｅ
１００−ｚｘ単独で行う一元蒸着法や、ターゲットにＧ
ｅｘＳｂｘＴｅ１００−２ｘを用いるスパッタ法に比べ
て、記録層の組成を容易に制御することができ、−元蒸
着法であるから量産性も非常に高く、得られる光記録媒
体に高速消去特性と、記録されたデータの長期間保存性
能を付与することができた。
１９≦ｘ≦２５の範囲にある光記録媒体の記録層を一元
蒸着するとき、この組成のものを蒸着源材料としたので
はＧｅ、 Ｓｂ、 Ｔｅの各元素間の大きな蒸気圧差に
起因して、得られる記録層は所期の組成範囲からずれて
しまい、光記録媒体の特性を損ねていたのに対し、本発
明によれば実施例で述べたように、（ＧｅｘＳｂｘＴｅ
１００−ｚｘ） ｔｏｏ−ＹｃｕＹまたは（ＧｅｘＳｂ
ｙＴｅｌＧＯ−２Ｘ） ｔｏｏ−ＹＡＵＹで表され、ｙ
の値を３≦ｙく１２とする四元合金粉を真空蒸着原料と
して用いたために、従来の蒸着原料をＧｅｘＳｂｘＴｅ
１００−ｚｘ単独で行う一元蒸着法や、ターゲットにＧ
ｅｘＳｂｘＴｅ１００−２ｘを用いるスパッタ法に比べ
て、記録層の組成を容易に制御することができ、−元蒸
着法であるから量産性も非常に高く、得られる光記録媒
体に高速消去特性と、記録されたデータの長期間保存性
能を付与することができた。
第１図は本発明に用いられ（Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅｓｏ
） ＋０Ｏ−７Ｃｕｙの組成を持つ蒸着原料のｙの値と
、得られる記録層組成との関係線図、第２図は同じ＜
（Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅｓｏ） ＋０Ｏ−Ｙｃｕｙの
組成を持つ蒸着原料のｙの値と、得られる記録層組成と
の関係線図、第３図は同じ＜ （Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅ
ｓｏ） ｔｏｏ−ｙＡｕ、の組成を持つ蒸着原料のｙの
値と、得られる記録層組成との関係線図、第４図は同じ
＜ （ＧｅｚｓＳｂｚｓＴｅｓｏ） １００−ｙＡＬＩ
ｙの組成を持つ蒸着原料のｙの値と、得られる記録層組
成との関係線図、第５図は光記録媒体の構造を示す模式
断面図である。 基板、 下地保護層、 記録層、 保護層、 反射冷却層、 表面保護層。 Ｃｕ 体力０量ｙ 第 ■ Ｃｕ シトカ０１曜１ｙ Ｃｕ ；に加ｔｙ Ｃｕ滲加ｔｙ 第 図 第 図
） ＋０Ｏ−７Ｃｕｙの組成を持つ蒸着原料のｙの値と
、得られる記録層組成との関係線図、第２図は同じ＜
（Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅｓｏ） ＋０Ｏ−Ｙｃｕｙの
組成を持つ蒸着原料のｙの値と、得られる記録層組成と
の関係線図、第３図は同じ＜ （Ｇｅ２ｓＳｂ２ｓＴｅ
ｓｏ） ｔｏｏ−ｙＡｕ、の組成を持つ蒸着原料のｙの
値と、得られる記録層組成との関係線図、第４図は同じ
＜ （ＧｅｚｓＳｂｚｓＴｅｓｏ） １００−ｙＡＬＩ
ｙの組成を持つ蒸着原料のｙの値と、得られる記録層組
成との関係線図、第５図は光記録媒体の構造を示す模式
断面図である。 基板、 下地保護層、 記録層、 保護層、 反射冷却層、 表面保護層。 Ｃｕ 体力０量ｙ 第 ■ Ｃｕ シトカ０１曜１ｙ Ｃｕ ；に加ｔｙ Ｃｕ滲加ｔｙ 第 図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｘＴｅ＿１＿０＿０＿−＿２＿ｘの
組成を有しｘの値が１９≦ｘ≦２５の範囲にある記録層
を有する光情報記録媒体の製造方法において、蒸着源材
料として（Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｘＴｅ＿１＿０＿０＿−＿２
＿ｘ）＿１＿０＿０＿−＿ｙＣｕ＿ｙで表されｙの値が
３≦ｙ＜１２なる合金粉を用い、前記記録層を一元蒸着
することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 ２）Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｘＴｅ＿１＿０＿０＿−＿２＿ｘの
組成を有しｘの値が１９≦ｘ≦２５の範囲にある記録層
を有する光情報記録媒体の製造方法において、蒸着源材
料として（Ｇｅ＿ｘＳｂ＿ｘＴｅ＿１＿０＿０＿−＿２
＿ｘ）＿１＿０＿０＿−＿ｙＡｕ＿ｙで表されｙの値が
３≦ｙ＜１２なる合金粉を用い、前記記録層を一元蒸着
することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 ３）基板上に、下地保護層、前記記録層、保護層、反射
冷却層および表面保護層をこの順に積層してなることを
特徴とする請求項１または２記載の方法により製造した
光情報記録媒体。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32808589 | 1989-12-18 | ||
| JP1-328085 | 1989-12-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03231891A true JPH03231891A (ja) | 1991-10-15 |
Family
ID=18206341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2265549A Pending JPH03231891A (ja) | 1989-12-18 | 1990-10-03 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03231891A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
-
1990
- 1990-10-03 JP JP2265549A patent/JPH03231891A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999006220A1 (fr) * | 1997-08-01 | 1999-02-11 | Hitachi, Ltd. | Support d'enregistrement d'informations |
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