JPH03136895A - 光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH03136895A JPH03136895A JP1275223A JP27522389A JPH03136895A JP H03136895 A JPH03136895 A JP H03136895A JP 1275223 A JP1275223 A JP 1275223A JP 27522389 A JP27522389 A JP 27522389A JP H03136895 A JPH03136895 A JP H03136895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- composition
- vapor deposition
- raw material
- vapor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 45
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 235000013616 tea Nutrition 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＴｅあるいはＳｅとＧｏ、 Ｉｎあるいはｓ
ｂとの化合物からなる記録層を基板上に有し、その記録
層にレーザ光を照射し、照射部分に反射率変化を生じさ
せ、情報を記録することのできる光情報記録媒体の製造
方法に関する。
ｂとの化合物からなる記録層を基板上に有し、その記録
層にレーザ光を照射し、照射部分に反射率変化を生じさ
せ、情報を記録することのできる光情報記録媒体の製造
方法に関する。
レーザを光源として用いる光ディスクは、従来の磁気記
録媒体に比べ、高密度、大容量、長寿命などの特徴を有
し、実用化が望まれている。この光ディスクは、再生専
用型、追記型、書き換え型の３種類に大別することがで
きる。このうち書き換え型は、情報の記録再生と、さら
に消去が可能であり、記憶装置としての利用が有望視さ
れている。
録媒体に比べ、高密度、大容量、長寿命などの特徴を有
し、実用化が望まれている。この光ディスクは、再生専
用型、追記型、書き換え型の３種類に大別することがで
きる。このうち書き換え型は、情報の記録再生と、さら
に消去が可能であり、記憶装置としての利用が有望視さ
れている。
書換え型の光ディスクの一つに相変化方式がある。この
相変化方式は、レーザ光照射により記録材の相変化、す
なわち結晶状態から非結晶状態への移行、または相転移
などによる光学特性の変化によって生じる反射率の変化
を利用して、情報の記録と消去を行うものである。この
光ディスクの最も困難な課題の一つは、速い消去速度と
長いデ−タ保存時間との両方を持つ量産性に優れた光記
録要素を開発することである。高速の消去速度を持つた
めには、非結晶状態から結晶状態への記録媒体の遷移速
度、即ち、レーザパルスによって生じる高温下での結晶
化速度の著しく速いことが必要となる。一方、記録状態
（非結晶状ＰＭ）の長期安定な保存にとっては、室温付
近で維持する場合の結晶化速度の著しく遅いことが必要
となり、両方の特性を最適化する必要がある。
相変化方式は、レーザ光照射により記録材の相変化、す
なわち結晶状態から非結晶状態への移行、または相転移
などによる光学特性の変化によって生じる反射率の変化
を利用して、情報の記録と消去を行うものである。この
光ディスクの最も困難な課題の一つは、速い消去速度と
長いデ−タ保存時間との両方を持つ量産性に優れた光記
録要素を開発することである。高速の消去速度を持つた
めには、非結晶状態から結晶状態への記録媒体の遷移速
度、即ち、レーザパルスによって生じる高温下での結晶
化速度の著しく速いことが必要となる。一方、記録状態
（非結晶状ＰＭ）の長期安定な保存にとっては、室温付
近で維持する場合の結晶化速度の著しく遅いことが必要
となり、両方の特性を最適化する必要がある。
これらの特性を有する記録媒体の記録層の材料としては
、ＧｅＴｅ系＋ ＩｎＴｅ系、 ＩｎＳｅ系、 ５
ｂＴｅ系。
、ＧｅＴｅ系＋ ＩｎＴｅ系、 ＩｎＳｅ系、 ５
ｂＴｅ系。
５ｂＳｅ系が注目されており、なかでもＧｅあるいはＩ
ｎが４０原子％から５０原子％までの組成を有するもの
、もしくはｓｂが３６原子％から４４原子％までの組成
を有するものを用いると０．１＃ａ以下の短い消去時間
が得られることが知られている。
ｎが４０原子％から５０原子％までの組成を有するもの
、もしくはｓｂが３６原子％から４４原子％までの組成
を有するものを用いると０．１＃ａ以下の短い消去時間
が得られることが知られている。
しかし、上記のような材料からなる記録層を蒸着あるい
はスパツクで形成するときには次のような問題が生ずる
。第１表は蒸着温度９５０℃における各元素の蒸気圧の
概略の数値を示す。
はスパツクで形成するときには次のような問題が生ずる
。第１表は蒸着温度９５０℃における各元素の蒸気圧の
概略の数値を示す。
第１表
第１表かられかるように、Ｇｏ、 Ｉｎあるいはｓｂと
ＴｏあるいはＳｏの間には蒸気圧に差があり、そのため
各材料の組成比率を安定に再現性よく成膜することは、
蒸着法でもスパッタ法でも極めて難しかった。
ＴｏあるいはＳｏの間には蒸気圧に差があり、そのため
各材料の組成比率を安定に再現性よく成膜することは、
蒸着法でもスパッタ法でも極めて難しかった。
本発明の目的は、速い消去速度と長いデータ保存時間の
双方を満足する光情報記録媒体の再現性のよい製造方法
を提供することにある。
双方を満足する光情報記録媒体の再現性のよい製造方法
を提供することにある。
（Ｉｌａｌを解決するための手段〕
上記の目的を達成するために、本発明は、（Ｇｅ。
丁＠１６＠−ＩＩ）ｌ＠＠−１＾、で表わされ、ＡはＣ
ｕあるいはＡｕであり、４０≦ｘ≦５０．３≦ｙく１２
を満足する合金粉を原料として記録層を一元蒸着するも
のとする。また、本発明は、（Ｉｎ ＊ Ｂ Ｉ＠＠−
ｆｆｉ ）ｔ＠＋ｓ−ｙ＾。
ｕあるいはＡｕであり、４０≦ｘ≦５０．３≦ｙく１２
を満足する合金粉を原料として記録層を一元蒸着するも
のとする。また、本発明は、（Ｉｎ ＊ Ｂ Ｉ＠＠−
ｆｆｉ ）ｔ＠＋ｓ−ｙ＾。
で表わされ、ＢはＴｏあるいはＳｅであり、ＡはＣｕあ
るいはＡｕであり、４０≦ｘ≦５０．３≦ｙ〈１２を満
足する合金粉を原料として記録層を一元蒸着するものと
する。あるいはまた、本発明は、（Ｓｂ。
るいはＡｕであり、４０≦ｘ≦５０．３≦ｙ〈１２を満
足する合金粉を原料として記録層を一元蒸着するものと
する。あるいはまた、本発明は、（Ｓｂ。
Ｂ ＋ｅｏ−＊ Ｌｅｅ−ｙ Ａｔで表わされ、ＢはＴ
ｅあるいはＳｅであり、ＡはＣｕあるいはＡｕであり、
３６≦ｘ≦４４゜３≦ｙ〈１２を満足する合金粉を用い
て一元蒸着するものとする。
ｅあるいはＳｅであり、ＡはＣｕあるいはＡｕであり、
３６≦ｘ≦４４゜３≦ｙ〈１２を満足する合金粉を用い
て一元蒸着するものとする。
ＣｕおよびＡｕの９５０℃における蒸気圧は約１０−”
Ｐａであり、第１表に示すＴｅあるいはＳｅの蒸気圧と
Ｇｅ。
Ｐａであり、第１表に示すＴｅあるいはＳｅの蒸気圧と
Ｇｅ。
Ｉｎあるいはｓｂの蒸気圧との中間にある。このＣｕあ
るいは＾Ｕが蒸着時に、Ｇｅ＋ Ｉｎ＋ Ｓｂ、 Ｔｅ
、 Ｓｅと金属間化合物のような挙動を示すことにより
、蒸気圧差を調整し、Ｇｏ、 ＩｎあるいはｓｂとＴｅ
あるいはＳｅの蒸着タイミングの調整をはたす、これに
より組成比率の均一な記録層が形成できる。ただし、Ｃ
ｕあるいはＡｕが少ないと効果がなく、多すぎると記録
層に残留し、結晶特性が劣化してしまう、また、−元著
着を行うことにより、二元蒸着にくらべて装置が簡単に
なり量産的である。
るいは＾Ｕが蒸着時に、Ｇｅ＋ Ｉｎ＋ Ｓｂ、 Ｔｅ
、 Ｓｅと金属間化合物のような挙動を示すことにより
、蒸気圧差を調整し、Ｇｏ、 ＩｎあるいはｓｂとＴｅ
あるいはＳｅの蒸着タイミングの調整をはたす、これに
より組成比率の均一な記録層が形成できる。ただし、Ｃ
ｕあるいはＡｕが少ないと効果がなく、多すぎると記録
層に残留し、結晶特性が劣化してしまう、また、−元著
着を行うことにより、二元蒸着にくらべて装置が簡単に
なり量産的である。
第１図は、相変化方式光情報記録媒体の構成断面図であ
り、ガラスあるいはプラスチックよりなる基［１の上に
ＳＩＯ，ＳＩＮなどのセラミック等よりなる下地保護層
２．記録層３が積層されている。
り、ガラスあるいはプラスチックよりなる基［１の上に
ＳＩＯ，ＳＩＮなどのセラミック等よりなる下地保護層
２．記録層３が積層されている。
さらに、その上にセラミック等よりなる保護層４゜Ｍ
＋ Ｃｒ＊ Ａ ｇ等の金属よりなる反射冷却層５が形
成されており、表面を有機物の表面保護層６が覆ってい
る。この記録層３の材料を種々変化させた実施例につい
て述べる。
＋ Ｃｒ＊ Ａ ｇ等の金属よりなる反射冷却層５が形
成されており、表面を有機物の表面保護層６が覆ってい
る。この記録層３の材料を種々変化させた実施例につい
て述べる。
実施例１
原子組成比率が（ＧｅｓｓＴｅ＋＊）＋＊ｓ−ｙ Ｃｕ
ｖで、そのｙをＯから１７に変えてＧｅ、 Ｔｏおよ
びＣｏを石英ガラス製のアンプル内に封入し、これを外
部より加熱溶融し、ＧｅＴｅＣｕ合金とした。つぎにこ
れを取り出し、粉砕して粒径０．１ ｆｉ以下の真空蒸
着原料粉とし、石英ボートに入れて加熱温度１０５０℃
の抵抗加熱方法による一元蒸着を行った。第２図はＣｕ
添添加量色分析によって得られた蒸着膜の組成との関係
を示す、第２図より分かるように、Ｃｏを添加しないと
きは蒸着膜組成のＧｏ ： Ｔｅは３５ ： ６５と大
きくずれ、ｙが３より小さいときにも原料と膜組成がず
れる。また、ｙが１２以上になると蒸着膜中にＣ。
ｖで、そのｙをＯから１７に変えてＧｅ、 Ｔｏおよ
びＣｏを石英ガラス製のアンプル内に封入し、これを外
部より加熱溶融し、ＧｅＴｅＣｕ合金とした。つぎにこ
れを取り出し、粉砕して粒径０．１ ｆｉ以下の真空蒸
着原料粉とし、石英ボートに入れて加熱温度１０５０℃
の抵抗加熱方法による一元蒸着を行った。第２図はＣｕ
添添加量色分析によって得られた蒸着膜の組成との関係
を示す、第２図より分かるように、Ｃｏを添加しないと
きは蒸着膜組成のＧｏ ： Ｔｅは３５ ： ６５と大
きくずれ、ｙが３より小さいときにも原料と膜組成がず
れる。また、ｙが１２以上になると蒸着膜中にＣ。
が１％以上含まれてしまい、記録層の結晶化特性が劣化
してしまう、そして、特に望ましいのは４≦ｙ≦１０で
ある。このときの蒸着速度は６５０人／ｓｉｎであった
。
してしまう、そして、特に望ましいのは４≦ｙ≦１０で
ある。このときの蒸着速度は６５０人／ｓｉｎであった
。
実施例２
（ＧｅｎｅＴｅ＊＊）ｔｏｅ−ｙ Ｃｕｙで表わされ、
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用いて
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原料粉
の組成と蒸着膜の組成の関係を第３図に示す、 Ｃｕを
添加しないときには蒸着膜組成のＧｅ ： Ｔｅは２８
ニア２となり、３≦７＜１２の範囲でＧｅ ： Ｔｅが
ほぼ４０：６０でＣｕが残留しない記録層が得られたｅ
Ｇｅ ： Ｔｅを４０ ｊ ６０にするにはｙが５以
上であることが望ましい。
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用いて
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原料粉
の組成と蒸着膜の組成の関係を第３図に示す、 Ｃｕを
添加しないときには蒸着膜組成のＧｅ ： Ｔｅは２８
ニア２となり、３≦７＜１２の範囲でＧｅ ： Ｔｅが
ほぼ４０：６０でＣｕが残留しない記録層が得られたｅ
Ｇｅ ： Ｔｅを４０ ｊ ６０にするにはｙが５以
上であることが望ましい。
実施例３
（Ｇｅｓ＊Ｔｅ５ｓ） ＩＩＩ ｅ−ｙ＾Ｕ、で表わさ
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原
料粉の組成と蒸着膜の組成の関係を第４図に示す、＾鶴
を添加しないときは蒸着膜組成のＧｏ ＋ Ｔｏは３５
： ６５となり、３≦ｙく１２の範囲でＧｅ ： Ｔ
ｏがほぼｓｏ ： ｓ。
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原
料粉の組成と蒸着膜の組成の関係を第４図に示す、＾鶴
を添加しないときは蒸着膜組成のＧｏ ＋ Ｔｏは３５
： ６５となり、３≦ｙく１２の範囲でＧｅ ： Ｔ
ｏがほぼｓｏ ： ｓ。
で＾Ｕが残留しない記録層が得られた。
実施例４
（Ｇｅａ＊Ｔｅ＊ｅ）＋ｓ＊−ｙ＾Ｏ１で表わされ、そ
のｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、実
施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。１着原料粉の
組成と蒸着膜の組成の関係を第５図に示す、 Ａｕを添
加しないときには蒸着膜組成のＧｅ ： Ｔｅは２８ニ
ア２となり、３≦ｙ＜１２の範囲でＧｅ：Ｔｅがほぼ４
０：６０で＾Ｕが残留しない記録層が得られた。
のｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、実
施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。１着原料粉の
組成と蒸着膜の組成の関係を第５図に示す、 Ａｕを添
加しないときには蒸着膜組成のＧｅ ： Ｔｅは２８ニ
ア２となり、３≦ｙ＜１２の範囲でＧｅ：Ｔｅがほぼ４
０：６０で＾Ｕが残留しない記録層が得られた。
実施例５
（夏ｎｓｅＴｅｓ＊）＋＊＊−，Ｃｕ、で表わされ、そ
のｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、実
施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第２図
と同様の関係を得た。
のｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、実
施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第２図
と同様の関係を得た。
実施例６
（Ｉｎ４＊Ｔｅａｅ）＋５ｅ−ｙ ＣＩＩＦで表わされ
、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
３図と同様の関係を得た。
、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
３図と同様の関係を得た。
実施例７
（Ｉｎ４＊Ｔｅａｅ） ＩＩ ｅ−ｙ＾Ｕ、で表わされ
、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
４図と同様の関係を得た。
、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
４図と同様の関係を得た。
実施例８
（ＩｎａｅＴｅａ＊） ＋＊ ＊−ｙ＾Ｕ、で表わされ
、そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
５図と同様の関係を得た。
、そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
５図と同様の関係を得た。
実施例９
（Ｉｎ５ｏＳｅｓｓ）＋＊ｏ−ｙ Ｃｕｙで表わされ、
そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第２
図と同様の関係を得た。
そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第２
図と同様の関係を得た。
実施例１０
（１ｎ＊＊５ｅａｅ）＋ｓ＊−ｙ Ｃｕｙで表わされ、
そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第３
図と同様の関係を得た。
そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第３
図と同様の関係を得た。
実施例１１
（夏ｎ５ｓｓｅｓ＊）＋＊ｅ−ｔ＾Ｕ、で表わされ、そ
のｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、実
施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第４図
と同様の関係を得た。
のｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、実
施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第４図
と同様の関係を得た。
実施例１２
（ＩＩｌ＃＠Ｓ＠６＠） ｔｏ ｅ−ｖ＾Ｕ、で表わさ
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、
第５図と同様の関係を得た。
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、
第５図と同様の関係を得た。
実施例１３
（Ｓｂ＊ｅＴＩｓｉ）＋＊ｅ−ｙ ｃｕ、で表わされ、
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原料粉
の組成と蒸着膜の組成の関係を第６図に示す、Ｃａを添
加しないときは蒸着膜組成のＳｂ ： Ｔｏは３０ ：
７０と太き（ずれ、３≦ｙ＜１２の範囲でＳｂ ｔ
Ｔｅはほぼ４４ ： ５６でＣｕが残留しない記録層が
得られた。そして、特に望ましいのは４≦ｙ≦ｌＯであ
る。このときの蒸着速度は６５０人／ａｉｍであった。
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原料粉
の組成と蒸着膜の組成の関係を第６図に示す、Ｃａを添
加しないときは蒸着膜組成のＳｂ ： Ｔｏは３０ ：
７０と太き（ずれ、３≦ｙ＜１２の範囲でＳｂ ｔ
Ｔｅはほぼ４４ ： ５６でＣｕが残留しない記録層が
得られた。そして、特に望ましいのは４≦ｙ≦ｌＯであ
る。このときの蒸着速度は６５０人／ａｉｍであった。
実施例１４
（Ｓｂｓａｒｅａ＋） ｒｅ ｅ−ｙ Ｃｕｙで表わさ
れ、そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
いて実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原
料粉の組成と蒸着膜の組成の関係を第７図に示す、 Ｃ
ｕを添加しないときには蒸着膜組成のＳｂ：Ｔｅは２５
ニア５となり、３≦ｙ＜１２の範囲でＳｂ ： Ｔｅが
ほぼ３６：６４でＣｕが残留しない記録層が得られた。
れ、そのｙがＯから１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
いて実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原
料粉の組成と蒸着膜の組成の関係を第７図に示す、 Ｃ
ｕを添加しないときには蒸着膜組成のＳｂ：Ｔｅは２５
ニア５となり、３≦ｙ＜１２の範囲でＳｂ ： Ｔｅが
ほぼ３６：６４でＣｕが残留しない記録層が得られた。
Ｓｂ：Ｔｅを３６ ： ６４にするにはｙが５以上であ
ることが望ましい、実施例１５ （Ｓｂｅａ４ｅｓｉ）＋＊＊−ｙ Ａｕｙで表わされ、
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原料粉
の組成と蒸着膜の組成の関係を第８図に示す、＾Ｕを添
加しないときの蒸着膜組成のＳｂ ： Ｔｅは３０ ：
Ｔｅとなり、３≦ｙ〈１２の範囲でＳｂ：Ｔｅがほぼ
４４ ＋ ５６で＾Ｕが残留しない記録層が得られた。
ることが望ましい、実施例１５ （Ｓｂｅａ４ｅｓｉ）＋＊＊−ｙ Ａｕｙで表わされ、
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原料粉
の組成と蒸着膜の組成の関係を第８図に示す、＾Ｕを添
加しないときの蒸着膜組成のＳｂ ： Ｔｅは３０ ：
Ｔｅとなり、３≦ｙ〈１２の範囲でＳｂ：Ｔｅがほぼ
４４ ＋ ５６で＾Ｕが残留しない記録層が得られた。
実施例１６
（Ｓｂｓｊ？ｅａｅ’） ｌ’ｌ 卜ｙ＾Ｕ、で表わさ
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原
料粉の組成と蒸着膜の組成の関係を第９図に示す、Ａｕ
を添加しないときには蒸着膜組成のＳｂ ： Ｔｏは２
５ニア５となり、３≦７＜１２の範囲でＳｂ ： Ｔｅ
がほぼ３６：６４で＾Ｕが残留しない記録層が得られた
。
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行った。蒸着原
料粉の組成と蒸着膜の組成の関係を第９図に示す、Ａｕ
を添加しないときには蒸着膜組成のＳｂ ： Ｔｏは２
５ニア５となり、３≦７＜１２の範囲でＳｂ ： Ｔｅ
がほぼ３６：６４で＾Ｕが残留しない記録層が得られた
。
実施例１７
（Ｓｂ＊ｔＳｅｓ＊）＋＊＊−ｙ Ｃｕｙで表わされ、
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行９たところ、第６
図と同様の関係を得た。
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行９たところ、第６
図と同様の関係を得た。
実施例１８
（ＳｂｓｉＳ（ｌｉｅ）＋＊＊−ｙ Ｃｕｙで表わされ
、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
７、図と同様の関係を得た。
、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い
、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第
７、図と同様の関係を得た。
実施例１９
（Ｓｂａ＊Ｓｌ！ｓ＊） ＩＩ ＠−Ｆ＾Ｕ、で表わさ
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、
第８図と同様の関係を得た。
れ、そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用
い、実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、
第８図と同様の関係を得た。
実施例２０
（Ｓｂ＊ａＳｅｉ＊）＋＊ｅ−ｙ Ａｕｙで表わされ、
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第９
図と同様の関係を得た。
そのｙが０から１７の範囲の組成の蒸着原料粉を用い、
実施例１と同様に記録層３の蒸着を行ったところ、第９
図と同様の関係を得た。
なお、組成比率が（Ｇｅ＊、ｓＴ＠ｊｉｌ＋ （Ｉｎ＆
５Ｔａｓｓ）および（ＩｎｌＳｅ□）である蒸着原料粉
を実施例１と同様な方法で作成し、実施例１と同様に蒸
着したところ、石英ボート内にＧｏあるいはＩｎが残留
し、ＧｅあるいはＩｎとＴｅあるいはＳｅとの組成比率
はすべて３６：６４となった。また、組成比率が（Ｓｂ
□７ｅｅｓ）および（ＳｂｓｓＳｅ＊ｓ）である蒸着原
料粉を用いて実施例１と同様に蒸着したところ、石英ボ
ート内にｓｂが残留し、蒸着膜の組成は、それぞれＳｂ
： Ｔｅが３１ ＋ ６９゜Ｓｂ ： Ｓｅが３２
： ６Ｂとなった。
５Ｔａｓｓ）および（ＩｎｌＳｅ□）である蒸着原料粉
を実施例１と同様な方法で作成し、実施例１と同様に蒸
着したところ、石英ボート内にＧｏあるいはＩｎが残留
し、ＧｅあるいはＩｎとＴｅあるいはＳｅとの組成比率
はすべて３６：６４となった。また、組成比率が（Ｓｂ
□７ｅｅｓ）および（ＳｂｓｓＳｅ＊ｓ）である蒸着原
料粉を用いて実施例１と同様に蒸着したところ、石英ボ
ート内にｓｂが残留し、蒸着膜の組成は、それぞれＳｂ
： Ｔｅが３１ ＋ ６９゜Ｓｂ ： Ｓｅが３２
： ６Ｂとなった。
本発明は、４０≦ｘ≦５０の範囲にあるＧ＠ｍ Ｔｅａ
ｓｅ−＋＋ ＋Ｉｎ ＊ Ｔｅｔ＊＊−’ｍあるいはＩ
ｎ ｍ ５ｅｘｅｓ−＋ｗ、３６≦ｘ≦４４の範囲にあ
るＳｂ ｘ Ｔｅｒａｍ−＊あるいはＳｂ ｘ Ｓｅ１
ｍｍ−ｇからなる光記録層の蒸着の際に、蒸着原料粉に
蒸着膜には残留しない程度のＣｕあるいはＡｕを添加し
、−元蒸着することにより従来のＣｕあるいは＾Ｕを添
加しない金属間化合物粉を用いた蒸着方法や金属間化合
物ターゲットを用いたスパッタ成膜方法にくらべて、記
録層の組成の制御が容易になり、均一な所期の組成の特
性のすぐれた記録層を成膜することができた。しかも、
−元蒸着であるために、非常に高い量産性で光情報記録
媒体を製造することができた。
ｓｅ−＋＋ ＋Ｉｎ ＊ Ｔｅｔ＊＊−’ｍあるいはＩ
ｎ ｍ ５ｅｘｅｓ−＋ｗ、３６≦ｘ≦４４の範囲にあ
るＳｂ ｘ Ｔｅｒａｍ−＊あるいはＳｂ ｘ Ｓｅ１
ｍｍ−ｇからなる光記録層の蒸着の際に、蒸着原料粉に
蒸着膜には残留しない程度のＣｕあるいはＡｕを添加し
、−元蒸着することにより従来のＣｕあるいは＾Ｕを添
加しない金属間化合物粉を用いた蒸着方法や金属間化合
物ターゲットを用いたスパッタ成膜方法にくらべて、記
録層の組成の制御が容易になり、均一な所期の組成の特
性のすぐれた記録層を成膜することができた。しかも、
−元蒸着であるために、非常に高い量産性で光情報記録
媒体を製造することができた。
第１図は、本発明の実施例により製造される光情報記録
媒体の構成断面図、第２図、第３図は組成がそれぞれ（
ＧｅｓｅＴｅｓ＊） ｌ＠ ＠−ｙ Ｃｕｙおよび（Ｇ
ｅ４＊Ｔｅａｓ）１００−ｙ Ｃｕ ｔである蒸着原料
粉のｙと蒸着膜の組成との関係線図、第４図、第５図は
組成がそれぞれ（Ｇｅ４＊Ｔｅａｓ） ｒｅ ｅ−ｙ＾
Ｕ、および（Ｇｅ＊Ｔｅａｓ）、、。−、Ａｕ、である
蒸着原料粉のｙと蒸着膜の組成との関係線図、第６図、
第７図は組成がそれぞれＣ５ｂａａＴｅｓｈ）ｒ＊＊−
ｙ Ｃｕｙおよび（Ｓｂ３６Ｔｅｉ＊）＋ａｅ−ｙ Ｃ
ｕ。 である蒸着原料粉のｙと蒸着膜の組成との関係線図、第
８図、第９図は組成がそれぞれ（Ａｂオａ４ａｓａ）＋
ａｏ−ｙ Ａｕｙおよび（ＳｂｓｉＴｅｉａ） ｌ＠
Ｉ−ｖ＾ｕ、である蒸着原料粉のｙと蒸着膜の組成との
関係線図である。 １：基板、２：下地保護層、３：記録層、４：保護層、
５：反射冷却層、６：表面保護層。 ＣＬＪま加量り 第２図 第１図 第３図 Ａｕ ｆ、加を才 第６図 Ａｕみ、−１″Ｊ− 第７図
媒体の構成断面図、第２図、第３図は組成がそれぞれ（
ＧｅｓｅＴｅｓ＊） ｌ＠ ＠−ｙ Ｃｕｙおよび（Ｇ
ｅ４＊Ｔｅａｓ）１００−ｙ Ｃｕ ｔである蒸着原料
粉のｙと蒸着膜の組成との関係線図、第４図、第５図は
組成がそれぞれ（Ｇｅ４＊Ｔｅａｓ） ｒｅ ｅ−ｙ＾
Ｕ、および（Ｇｅ＊Ｔｅａｓ）、、。−、Ａｕ、である
蒸着原料粉のｙと蒸着膜の組成との関係線図、第６図、
第７図は組成がそれぞれＣ５ｂａａＴｅｓｈ）ｒ＊＊−
ｙ Ｃｕｙおよび（Ｓｂ３６Ｔｅｉ＊）＋ａｅ−ｙ Ｃ
ｕ。 である蒸着原料粉のｙと蒸着膜の組成との関係線図、第
８図、第９図は組成がそれぞれ（Ａｂオａ４ａｓａ）＋
ａｏ−ｙ Ａｕｙおよび（ＳｂｓｉＴｅｉａ） ｌ＠
Ｉ−ｖ＾ｕ、である蒸着原料粉のｙと蒸着膜の組成との
関係線図である。 １：基板、２：下地保護層、３：記録層、４：保護層、
５：反射冷却層、６：表面保護層。 ＣＬＪま加量り 第２図 第１図 第３図 Ａｕ ｆ、加を才 第６図 Ａｕみ、−１″Ｊ− 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）（Ｇｅ＿ｘＴｅ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿
０＿−＿ｙＡ＿ｙで表わされ、ＡはＣｕあるいはＡｕで
あり、４０≦ｘ≦５０、３≦ｙ＜１２を満足する合金粉
を原料として記録層を一元蒸着することを特徴とする光
情報記録媒体の製造方法。 ２）（Ｉｎ＿ｘＢ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿０
＿−＿ｙＡ＿ｙで表わされ、ＢはＴｅあるいはＳｅであ
り、ＡはＣｕあるいはＡｕであり、４０≦ｘ≦５０、３
≦ｙ＜１２を満足する合金粉を原料として記録層を一元
蒸着することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。 ３）（Ｓｂ＿ｘＢ＿１＿０＿０＿−＿ｘ）＿１＿０＿０
＿−＿ｙＡ＿ｙで表わされ、ＢはＴｅあるいはＳｅであ
り、ＡはＣｕあるいはＡｕであり、３６≦ｘ≦４４、３
≦ｙ＜１２を満足する合金粉を原料として記録層を一元
蒸着することを特徴とする光情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1275223A JPH03136895A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1275223A JPH03136895A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03136895A true JPH03136895A (ja) | 1991-06-11 |
Family
ID=17552421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1275223A Pending JPH03136895A (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03136895A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012117773A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 固体メモリ |
| US9474733B2 (en) | 2000-10-30 | 2016-10-25 | Biohit Oyj | Method and preparation for binding acetaldehyde in saliva, stomach and large intestine |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP1275223A patent/JPH03136895A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9474733B2 (en) | 2000-10-30 | 2016-10-25 | Biohit Oyj | Method and preparation for binding acetaldehyde in saliva, stomach and large intestine |
| WO2012117773A1 (ja) * | 2011-02-28 | 2012-09-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 固体メモリ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3185890B2 (ja) | 光学情報記録媒体の製造方法、およびこの方法で製造された光学情報記録媒体 | |
| JPS63225935A (ja) | 光学的情報記録媒体 | |
| JP2001322357A (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH03136895A (ja) | 光情報記録媒体の製造方法 | |
| JP2553736B2 (ja) | 光記録媒体と光記録媒体の製造方法 | |
| JP2001067722A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3444037B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP3379256B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPS63142542A (ja) | 情報記録薄膜形成用スパツタリングタ−ゲツト | |
| JP2850713B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2947942B2 (ja) | 光学情報記録媒体、その製造方法、その製造に使用されるターゲット | |
| JP2937296B2 (ja) | 書き替え可能な相変化型光メモリ媒体の製造方法 | |
| JP2766276B2 (ja) | 書き替え可能な相変化型光メモリ媒体 | |
| JP3246244B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPH11328730A (ja) | 光学的情報記録用媒体およびその製造方法 | |
| JPH03231891A (ja) | 光情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JPH053983B2 (ja) | ||
| JPH0253239A (ja) | 光記録媒体の製造方法 | |
| JPH05144084A (ja) | 光記録媒体とその製造方法 | |
| JP3365457B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP3601168B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPH09282713A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP3246350B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPH0441293A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JPH09204687A (ja) | 光学式情報媒体及びその製造方法 |