JPH11288526A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】良好な記録・再生・書き換え特性を保持する。 【解決手段】記録膜と反射層との間の中間層が，Ｚｎ−
Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭがＭｇ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなる。 【効果】１０万回書き換え時の反射率レベル変化が７％
以下になった。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクに用い
られる情報記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情
報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜
材料の相転移（相変化とも呼ばれる）やフォトダークニ
ングなど、レーザ光の照射による原子配列変化を利用す
るものは、薄膜の変形をほとんど伴わないため、２枚の
ディスク部材を直接貼り合わせて両面ディスク構造の情
報記録媒体が得られるという長所を持つ。また、ＧｅＳ
ｂＴｅ系等の記録膜、記録膜に接する保護層にはＺｎＳ
−ＳｉＯ２系等の材料では、情報の書き換えを行なうこ
とができる利点がある。

【０００３】しかし、この種の保護層では、高密度化を
行なうための、マークエッジ記録など行うと１０⁴回を
越える多数回の書き換えにより、保護層材料中のＳが記
録膜中へ拡散し、再生信号の反射率レベルの変動を引き
起こす。例えば、文献１『N. Yamada et al. "Phase-ch
ange optical disk for DVD-RAM having an interfacel
ayer " Joint Moris/Isom '97 p.294(1997)』には、int
erface layerを記録膜と基板の間に設ける事により、反
射率変化を抑制する方法が開示されている。また、文献
２『音羽他３名“記録膜の両側に窒化物層を有する相変
化ディスク”第４５回応用物理学関係連合講演会講演予
稿集(1998.3.東京工科大学)、第１１２８頁、29p-ZK-1
3』には、ポリカーボネート基板/ZnS-SiO2/GeN/GeSbTe/
GeN/Al合金が記載されている。これらは、保護層材料中
のＳの拡散をinterface layerやGeNで防止している。

【０００４】なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相
変化ばかりでなく、融解（液相への変化）と再結晶化、
結晶状態−結晶状態間の相変化も含むものとして「相変
化」という用語を使用する。記録膜の流動は、記録時の
レーザ照射により、記録膜が流動し、保護層や中間層の
熱膨張による変形により、記録膜が少しずつ押されて生
じる。マークエッジ記録とは、記録マークのエッジ部分
を信号の“１”に、マーク間およびマーク内を信号の
“０”に対応させた記録方式のことをいう。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】さて、上記文献１及び
２においては、窒化物相の熱伝導率が高いため記録感度
が下がり、製膜速度が遅いため製膜時間が長くなるとい
う欠点がある。また、従来の情報記録用媒体はいずれ
も、マークエッジ記録を用いた高密度の書き換え可能な
相転移型の情報記録用媒体として用いる場合、多数回書
き換え時のジッター上昇、反射率レベルの変動が生じる
という問題を有している。

【０００６】そこで、この発明の目的は、記録感度や製
膜性も良好かつ、書き換え、多数回の書き換えを行って
も良好な記録・再生特性を保持し、従来より反射率レベ
ルの変動が少ない情報記録用媒体を提供することに有
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】（１）情報記録媒体にお
いて、基板上に形成された、光の照射を受けて生じる原
子配列変化によって情報を記録および／または再生する
情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ少なくとも１
層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入射側に
有り、その次に少なくとも１層の中間層を介して少なく
とも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ前記中
間層が，Ｚｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭ
がＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓ
ｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，
Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒ
ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも
１つからなることを特徴とする。

【０００８】（２）情報記録媒体において、基板上に形
成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によっ
て情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を
記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備
え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、その次に
少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射
層が積層された構造を持ち、かつ前記中間層が，Ｚｎ−
Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎからなり、かつＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなることを
特徴とする。

【０００９】（３）（１）に記載の情報記録媒体におい
て、前記中間層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
す範囲にあることを特徴とする。

【００１０】（４）情報記録媒体において、基板上に形
成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によっ
て情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜を
記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備
え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、その次に
少なくとも１層の保護層を介して少なくとも１層の反射
層が積層された構造を持ち、かつ前記保護層が，Ｚｎ−
Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭがＭｇ，Ａｌ，
Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃ
ｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，
Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなることを
特徴とする。

【００１１】（５）情報記録媒体において、 基板上に
形成された、光の照射を受けて生じる原子配列変化によ
って情報を記録および／または再生する情報記録用薄膜
を記録層として備え、かつ少なくとも１層の保護層を備
え、かつ保護層は記録膜より光入射側に有り、その次に
少なくとも１層の中間層を介して少なくとも１層の反射
層が積層された構造を持ち、かつ前記保護層が，Ｚｎ−
Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎからなり、かつＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓ
ｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉ
ｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓ
ｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つからなることを
特徴とする。

【００１２】（６）（４）に記載の情報記録媒体におい
て、前記保護層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
す範囲にあることを特徴とする。

【００１３】（７）情報記録媒体において、１〜３のい
ずれか１つに記載の中間層と４〜６のいずれか１つに記
載の保護層を有すること特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明を実施例によって
詳細に説明する。

【００１５】（１）実施例１ （構成、製法）図１は、この発明の第１実施例のディス
ク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次の
ようにして製作された。

【００１６】まず、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍｍで
表面にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基
板１上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１
保護層２を膜厚約１００ｎｍ形成した。次に、 Ｃｒ₂Ｏ
₃膜よりなる第2保護層３を膜厚約１０ｎｍ、Ａｇ₃Ｇｅ
₂₀Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅記録膜４を膜厚約１５ｎｍ 、Ｚｎ₃₄Ｓ
ｉ₇Ｚｎ₅Ａｇ₂Ｓ₃₅Ｎ₃Ｏ₁₄（（Ｚｎ-Ｓ）−（Ｓｉ-Ｏ）
−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａｇ-Ｓ））膜よりなる中間層５を膜
厚約１８ｎｍ 、Ａｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜からなる第１反射層６
を膜厚約７７ｎｍ 、Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射
層７を膜厚約２３ｎｍに順次形成した。積層膜の形成は
マグネトロン・スパッタリング装置により行った。こう
して第１のディスク部材を得た。

【００１７】他方、全く同様の方法により、第１のディ
スク部材と同じ構成を持つ第２のディスク部材を得た。
第２のディスク部材は、直径１２ｃｍ 、厚さ０．６ｍ
ｍの基板１’上に順に膜厚約１００ｎｍの（ＺｎＳ）₈₀
（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保護層２’、膜厚約１０
ｎｍのＣｒ₂Ｏ₃膜よりなる第2保護層３’ 、膜厚約１８
ｎｍのＡｇ₃Ｇｅ₂₀Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅膜よりなる記録膜
４’、膜厚約２０ｎｍのＺｎ₃₄Ｓｉ₇Ｚｎ₅Ａｇ₂Ｓ₃₅Ｎ₃
Ｏ₁₄膜よりなる中間層５’、膜厚約７７ｎｍのＡｌ₉₄Ｃ
ｒ₆ 膜よりなる第１反射層６’、膜厚約２３ｎｍのＡｌ
₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７’を積層した。

【００１８】その後、前記第１および第２のディスク部
材の第２反射層７，７’上にそれぞれ紫外線硬化樹脂を
厚さ約１０μｍ塗布して硬化してオーバーコート層８，
８‘を設けた。それぞれのオーバーコート層８、８’同
士を接着剤層９を介して貼り合わせ、図１に示すディス
ク状情報記録媒体を得た。

【００１９】本発明の中間層では、中間層製膜時のスパ
ッタレートが従来ディスクに比べて大きくなったので、
製膜時間は約１/５となった。

【００２０】（初期結晶化）前記のようにして製作した
媒体の記録膜４、４’に次のようにして初期結晶化を行
った。なお、記録膜４’についてもまったく同様である
から、以下の説明では記録膜４についてのみ述べること
とする。

【００２１】媒体を記録トラック上の点の線速度が８m/
sであるように回転させ、スポット形状が媒体の半径方
向に長い長円形の半導体レーザ（波長約８１０ｎｍ）の
レーザ光パワーを８５０ｍＷにして基板１を通して記録
膜４に照射した。スポットの移動は、媒体の半径方向の
スポット長の１／4ずつずらした。こうして、初期結晶
化を行った。この初期結晶化は１回でもよいが３回繰り
返すと初期結晶化によるノイズ上昇を少し低減できた。
この初期結晶化は高速で行える利点がある。

【００２２】（記録・消去・再生）次に、以上のように
して初期結晶化が完了した記録膜４の記録領域にトラッ
キングと自動焦点合わせを行いながら、記録用レーザ光
のパワーを中間パワーレベルＰｍ（５ｍＷ）と高パワー
レベルＰｈ（１１ｍＷ）との間で変化させて情報の記録
を行った。記録トラックの線速度は６m/s、半導体レー
ザ波長は６６０ｎｍ、レンズの開口数（ＮＡ）は０.６
である。記録用レーザ光により記録領域に形成される非
晶質またはそれに近い部分が記録点となる。

【００２３】記録用レーザ光の高レベルと中間レベルと
のパワ−比は１：０.３〜１：０.６の範囲が特に好まし
い。また、この他に短時間ずつ他のパワーレベルにして
もよい。図３に示したように，１つの記録マークの形成
中にウインドウ幅の半分（Ｔｗ／２）ずつ中間パワーレ
ベルより低いレベルまでパワーを繰り返し下げ，かつ、
記録マーク形成の最後にパワーを下げるクーリングパル
スの時間幅Ｔｃを１Ｔｗとした記録波形を生成する手段
を持った装置で記録・再生を行うと，再生信号波形の特
に低いジッター値およびエラーレートが得られた。この
図では３Ｔｗ，４Ｔｗ，１１Ｔｗの記録波形しか示して
いないが，５Ｔｗ〜１０Ｔｗは４Ｔｗの波形のＴｃの前
に，高いパワーレベルと低いパワーレベルにそれぞれＴ
ｗ／２ずつ保つ組み合わせの波形が１組ずつ追加されて
いく。７組追加されたものが１１Ｔｗである。３Ｔｗに
対応する最短記録マーク長を０．６２μmとした。記録
すべき部分を通り過ぎると、レーザ光パワーを再生（読
み出し）用レーザ光の低パワーレベルＰｒ（１ｍＷ）に
下げるようにした。記録信号には、情報信号の始端部に
５５Ｂｙｔｅ 、終端部に５５Ｂｙｔｅの４Ｔマークと
４Ｔスペースの繰り返しのダミーデータが含まれてい
る。始端部に５５Ｂｙｔｅには３５ＢｙｔｅのＶＦＯが
含まれている。

【００２４】このような記録方法では、既に情報が記録
されている部分に対して消去することなく、重ね書きに
よって新たな情報を記録すれば、新たな情報に書き換え
られる。すなわち、単一のほぼ円形の光スポットによる
オーバーライトが可能である。

【００２５】しかし、書き換え時の最初のディスク１回
転または複数回転で、前記のパワー変調した記録用レー
ザ光の中間パワーレベル（５ｍＷ）またはそれに近いパ
ワーの連続光を照射して、記録されている情報を一たん
消去し、その後、次の１回転で低パワーレベル（１ｍ
Ｗ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）の間で、または中間
パワーレベル（５ｍＷ）と高パワーレベル（１１ｍＷ）
との間で、情報信号に従ってパワー変調したレーザ光を
照射して記録するようにしてもよい。このように、情報
を消去してから記録するようにすれば、前に書かれてい
た情報の消え残りが少ない。従って、線速度を２倍に上
げた場合の書き換えも、容易になる。

【００２６】これらの方法は、この発明の媒体に用いら
れる記録膜ばかりでなく他の媒体の記録膜にも有効であ
る。

【００２７】本実施例の情報記録媒体では、記録・消去
を繰り返した時に、図４に示すように，書き換え１０万
回で、１１Ｔ−Ｈｉｇｈ（１１Ｔ信号の結晶化レベル）
の反射光量低下は７％未満である。一方、後述する比較
例の情報記録媒体では図５に示すように、１１Ｔ−Ｈｉ
ｇｈの反射光量低下は１万回後で４％，１０万回後では
１５％と大きかった。

【００２８】ようになった。変調度（Ｍｏｄ）の計算式
は以下の通りである。

【００２９】Ｍｏｄ（％）＝１００×（Ｉｃ−Ｉａ）／
Ｉｃ Ｉｃ：１１Ｔ信号記録時の結晶（消去）状態の反射率レ
ベル（１１Ｔ−Ｈｉｇｈ） Ｉａ：１１Ｔ信号記録時の非晶質（記録）状態の反射率
レベル（１１Ｔ−Ｌｏｗ） また、本実施例の情報記録媒体では、記録・消去を繰り
返した時に、図２に示すように，初回から１０万回まで
の書き換え時のジッター（σ／Ｔｗ）も１０％以下と小
さく良好な特性を示した。ジッターとは記録マークのエ
ッジ部の位置を再生した際、再生信号がウインドウ幅
（Ｔｗ）に対してどの程度ゆらいでいるかを示す指標で
ある。ジッターの値が約１５％になると、エッジ部の検
出位置がウインドウ幅をほぼ占めるため、ジッター値が
大きくなると記録信号を正確に再生できなくなる。装置
によるジッター増加分のマージンをとるため、情報記録
媒体ではジッターを１２％以下に押さえることが好まし
い。さらにジッターを小さく１０％以下にできれば装置
によるジッター増加分のジッターマージンが大きくな
り、より好ましい。情報記録媒体に情報を記録する場
合、一般に１つの情報記録媒体において１箇所あたりへ
の記録回数は約１０万回程度必要と言われている。その
ため、本実施例においても初回記録から１０万回書き換
え後までの記録・再生特性を調べた。

【００３０】ジッター測定におけるウインド幅（Ｔｗ）
は３４ｎｓ、最短記録信号は３Ｔｗ、最長記録信号は１
１Ｔｗでこれらをランダムに記録している。これらの測
定には再生等化回路を使用した。また、記録膜が流動し
て記録始端部で膜材料が不足し、終端部で蓄積すること
による再生信号波形の大きなひずみが起こる領域の幅
（流動幅）を、始端部で１５Ｂｙｔｅ相当以下、終端部
で５Ｂｙｔｅ相当以下にすることができた。従来ディス
クでは、それぞれ２５Ｂｙｔｅ，３０Ｂｙｔｅとなっ
た。

【００３１】（中間層）本実施例で中間層５、５’に用
いた中間層の組成をＡｇ−Ｓ，Ｚｎ−Ｎ量を一定にし、
Ｚｎ−ＳとＳｉ−Ｏの比を変化させ、ノイズ上昇と製膜
時のスパッタレートより製膜時間比を測定したところ次
のようになった。

【００３２】 中間層組成 ノイズ上昇（ｄＢ） 製膜時間比 Ｚｎ₄₄Ｓ₄₅（Ｚｎ，Ａｇ）₈Ｎ₃ ５ − Ｚｎ₄₀Ｓ₄₁Ｓｉ₂Ｏ₅（Ｚｎ，Ａｇ）₇Ｎ₃ ２ − Ｚｎ₃₇Ｓ₃₈Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₇Ｎ₃ ０ １ Ｚｎ₃₃Ｓ₃₅Ｓｉ₇Ｏ₁₄（Ｚｎ，Ａｇ）₈Ｎ₃ ０ １ Ｚｎ₂₇Ｓ₂₉Ｓｉ₁₁Ｏ₂₃（Ｚｎ，Ａｇ）₇Ｎ₃ − １ Ｚｎ₂₂Ｓ₂₃Ｓｉ₁₅Ｏ₃₁（Ｚｎ，Ａｇ）₆Ｎ₃ − ２ Ｚｎ₁₇Ｓ₁₈Ｓｉ₁₉Ｏ₃₇（Ｚｎ，Ａｇ）₆Ｎ₃ − ３ これより、Ｚｎ，Ｓ量を増加させると結晶粒径のばらつ
きが大きくなりノイズが上昇し、 Ｚｎ，Ｓ量を低下さ
せるとスパッタレートが下がり製膜に時間がかかること
がわかった。従って、これらが良好な特性を示すｘ、
ｔ、ｙ、ｖの範囲は０．２２≦x≦０．４０、０．２３
≦ｔ≦０．４１、０．０２≦ｙ≦０．１５、０．０５≦
ｖ≦０．３１で、より良好な特性を示す範囲は０．２７
≦x≦０．３７、０．２９≦ｔ≦０．３８、０．０５≦
ｙ≦０．１１、０．１０≦ｖ≦０．２３である。

【００３３】本実施例で中間層５、５’に用いた中間層
の組成をＳｉ−Ｏ、Ａｇ−Ｓ 量を一定にし，Ｚｎ−Ｎ
量を増加させ、アーカイバルオーバーライト（Ａ−Ｏ
Ｗ）時のジッターと記録感度を測定したところ次のよう
になった。

【００３４】 中間層組成 Ａ−ＯＷジッター（％） 記録感 度（％） Ｚｎ₄₁Ｓ₄₂Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₂ ２０ − Ｚｎ₄₀Ｓ₄₁Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₃Ｎ₁ １５ − Ｚｎ₃₉Ｓ₄₀Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₄Ｎ₂ １２ ０ Ｚｎ₃₇Ｓ₃₈Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₇Ｎ₃ １１ −３ Ｚｎ₂₈Ｓ₂₉Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₂₀Ｎ₁₀ − −５ Ｚｎ₂₃Ｓ₂₅Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₂₃Ｎ₁₄ − −１ ０ Ｚｎ₁₈Ｓ₂₀Ｓｉ₅Ｏ₁₀（Ｚｎ，Ａｇ）₂₉Ｎ₁₈ − −１ ５ これより、（Ｚｎ，Ａｇ），Ｎ量を増加させるとアーカ
イバルオーバーライト時のジッターを小さくできる。一
方で、記録感度が悪くなることがわかった。従って、こ
れらが良好な特性を示すｚ、ｕの範囲は０．０３≦ｚ≦
０．２３、０．０１≦ｕ≦０．１４で、より良好な特性
を示す範囲は０．０４≦ｚ≦０．２０、０．０２≦ｕ≦
０．１０である。

【００３５】ただし，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１であ
る。

【００３６】本実施例で中間層５、５’に用いた中間層
Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−ＯのＺｎの一部とＡｇをＭ
ｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓ
ｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，
Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つに
変えても同様の効果が得られた。これらのなかで、Ａ
ｇ，Ｃｏ，Ｓｉはジッターも小さく、より好ましかっ
た。

【００３７】また、中間層Ｚｎ−Ａｇ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−
Ｏが、（Ｚｎ-Ｓ）−（ ＳｉＯ₂）−（Ｚｎ-Ｎ）−（Ａ
ｇ-Ｓ）のように硫化物、酸化物、窒化物からなると熱
に対して安定なため、多数回書き換え時のジッターが１
３％以下と低くなり好ましい。これらの化合物、単体の
融点が８００℃以上だと多数回書き換え時のジッターが
１０％以下となりより好ましかった。

【００３８】前記中間層の代わりの材料としては、（Ｚ
ｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｓｉ-Ｎ）,（ＺｎＳ）−（Ｓ
ｉ−Ｏ）−（Ｇｅ-Ｎ）,（ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−
（Ｔａ-Ｎ）, （ＺｎＳ）−（ＳｉＯ₂）−（Ｃｒ-
Ｎ）,（ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｃｏ-Ｎ）, （Ｚｎ
Ｓ）−（ＳｉＯ₂）−（Ｍｏ-Ｎ）,（ＺｎＳ）−（Ｓｉ
−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｃｏ−Ｓ）,（ＺｎＳ）−
（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｍｏ―Ｓ）、等が多数
回書き換え時のジッターが低くより好ましかった。

【００３９】 （ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ａｇ） （ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｃｏ）、
（ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）―（Ｍｏ）、
（ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｓｉ）、
（ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｇｅ）、
（ＺｎＳ）−（Ｓｉ−Ｏ）−（Ｚｎ−Ｎ）−（Ｔｉ）、
等はスパッタレート比が大きく製膜時間が短くでき、よ
り好ましかった。中間層５および中間層５の代わりの材
料は，各中間層全原子数の９５％以上であることが好ま
しい。上記材料以外の不純物が５原子％以上になると，
書き換え回数が５割以上減る等，書き換え特性の劣化が
見られた。

【００４０】中間層の膜厚が１０ｎｍより薄いと記録感
度が１０％以上、１５ｎｍの時に比べて低下する。さら
に、記録膜の流動を抑えるためには、４０ｎｍ以下とす
ることが好ましく、１０万回書き換え時の後エッジのジ
ッターを１３％以下に抑制できた。３０ｎｍ以下では１
０％以下に抑制できた。これより，中間層膜厚を１０〜
４０ｎｍとすると記録・再生特性が良くなり，好まし
く、３０ｎｍ以下だとより好ましい。これら化合物にお
ける元素比は，例えば酸化物，硫化物において金属元素
と酸素元素の比，または金属元素と硫黄元素、Ａｌ
₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，ＳｉＯ₂ ，Ｚｒ
Ｏ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，ＺｎＳは
１：１という化学量論組成比をとるかその比に近いこと
が好ましいが，その比から外れていても同様の効果は得
られる。各化合物における化学量論組成比から外れてい
る場合、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺｎＳから
Ｚｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ量が多く
なる方向には５原子％以下が好ましい。これ以上ずれる
と、光学特性が変化するため、変調度が５％以上低下し
た。ずれが、 Ｚｎ量が多くなる方向には５原子％以
下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場合、変調
度低下は３％以下となり、特に好ましい。

【００４１】窒化物については、上記ずれは大きくても
変調度低下は小さい。例えば、Ｚｎ₃Ｎ₂のような窒化物
の場合、金属元素が多くなる方向には３０原子％以下、
窒素元素が多くなる方向には５原子％以下のずれであれ
ば、変調度低下が５％以下に押さえられ好ましい。

【００４２】（記録膜）本実施例の記録膜以外に組成比
の異なるＡｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜においても、
また、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録膜においても同様の効果
が得られた。その他の記録膜に対しても本中間層の反射
率レベル変化の抑制は有効である。

【００４３】本実施例で記録膜４、４’に用いた記録膜
の膜厚を変化させ、１０回書き換え後および１０万回書
き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）を測定したところ次の
ようになった。記録膜膜厚（ｎｍ）に対し、１０回書き
換え後については前エッジまたは後エッジのジッターの
悪い方の値（％）を、１０万回書き換え後については前
エッジのジッター値（％）を示した。

【００４４】 記録膜膜厚 １０回書き換え後のジッター １０万回書き換え後のジッター ８ １６ − １０ １２ − １２ １０ １０ １５ ９ １０ １８ １０ １０ ２６ − １３ ４０ − ２０ これより、記録膜膜厚を薄くすると記録膜流動や偏析に
よる、１０回書き換え後のジッターが増加し、また厚く
すると、１０万回書き換え後のジッターが増加すること
がわかった。これより、記録膜膜厚は１０ｎｍ以上、２
６ｎｍ以下が好ましく、１２ｎｍ以上、１８ｎｍ以下で
あればより好ましい。

【００４５】（保護層）本実施例では、第１保護層２を
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀および第２保護層３をＣｒ₂
Ｏ₃により形成している。

【００４６】第１保護層２の（ＺｎＳ）−（ＳｉＯ₂）
におけるＺｎＳのｍｏｌ比は７０ｍｏｌ％以上、９０ｍ
ｏｌ％以下が好ましい。ＺｎＳが９０ｍｏｌ％を超える
と結晶粒径のばらつきによるノイズが発生し、１０万回
の書き換えを行った場合ジッターが４％以上増加するた
めである。また，また，ＺｎＳはスパッタレートが大き
く、ＺｎＳが多いと製膜時間を短縮でき、第１保護層全
体の７０ｍｏｌ％以上がＺｎＳからなるとこの層の製膜
時間を１／２以下に低減することができる。

【００４７】第１保護層２の（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）
₂₀に代わる材料としては，Ｓｉ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ｏ−
Ｎ系材料，ＳｉＯ₂，ＳｉＯ，ＴｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂
Ｏ₃，ＣｅＯ₂，Ｌａ₂Ｏ₃，Ｉｎ₂Ｏ₃，ＧｅＯ，Ｇｅ
Ｏ₂，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ₂，ＢｅＯ，Ｂｉ₂Ｏ₃，Ｔ
ｅＯ₂，ＷＯ₂，ＷＯ₃，Ｓｃ₂Ｏ₃，Ｔａ₂Ｏ₅，ＺｒＯ₂，
Ｃｕ₂Ｏ，ＭｇＯ などの酸化物，ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｂ
Ｎ，Ｓｉ₃Ｎ₄，ＧｅＮ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えば
ＡｌＳｉＮ₂）などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ₂Ｓ₃，Ｃｄ
Ｓ，Ｉｎ₂Ｓ₃，Ｇａ₂Ｓ₃，ＧｅＳ，ＳｎＳ₂，ＰｂＳ，
Ｂｉ₂Ｓ₃などの硫化物、ＳｎＳｅ₂，Ｓｂ₂Ｓｅ₃，Ｃｄ
Ｓｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ₂Ｓｅ₃，Ｇａ₂Ｓｅ₃，ＧｅＳｅ，
ＧｅＳｅ₂，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ₂Ｓｅ₃などのセ
レン化物、ＣｅＦ₃，ＭｇＦ₂，ＣａＦ₂などの弗化物、
あるいはＳｉ，Ｇｅ，ＴｉＢ₂，Ｂ₄Ｃ，Ｂ，Ｃ，また
は、上記の材料に近い組成のものを用いてもよい。ま
た、これらの混合材料の層やこれらの多重層でもよい。

【００４８】第２保護層３のＣｒ−Ｏに代わる材料とし
ては， Ｃｒ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂ またはＡｌ₂Ｏ_3、 Ａｌ₂Ｏ₃
との混合物_、 Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂Ｏ₃とＳｉＯ₂
の混合物、が好ましい。ＳｉＯ₂ またはＡｌ₂Ｏ₃が７０
ｍｏｌ％以上含まれていると、１０万回書き換えによる
反射率レベル低下が小さく５％以下に抑制できた。９０
ｍｏｌ％以上含まれている際は３％以下に抑制できた。
第２保護層３に代わる材料としては，次いで、Ｔａ
₂Ｏ₅，その次にＺｒＯ₂−Ｙ₂Ｏ₃，が好ましい。反射率
レベルが変化すると、再生信号レベルにオフセットが生
じ、オフセット分のジッター増加が加わり、ジッターが
増加する。そのため、反射率レベルの変動が小さい方が
よい。また、Ｃｏ₂Ｏ₃、 ＣｏＯ、などのＣｏ−Ｏ系材
料，あるいはこれらに近い組成の材料、あるいはこれら
の混合材料を用いると保護層と記録膜の間の接着力が強
くなり好ましかった。またＮｉ−Ｏ系材料、あるいはこ
れらの混合材料でもよい。

【００４９】また、この他にＧｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｎ，Ａｌ
−Ｎ系材料等窒化物を用いると、結晶化速度が大きくな
り、６ｍ／ｓより大きい高線速において消え残りが小さ
くなる効果があった。記録膜材料に窒素を添加して形成
した場合も結晶化速度が大きくなった。Ｔａ−Ｎは結晶
化速度も大きく接着性も良好である。

【００５０】第１保護層が無い場合、記録時に基板の表
面温度が高くなり基板の変形による、消去不可能な信号
成分の発生とノイズの上昇が起きる。

【００５１】第２保護層は記録膜中に第１保護層の材料
が拡散するのを防止する効果を持っており，１０万回書
き換えによる反射率レベル低下を３％以下に抑制でき
た。一方、第２保護層が無い場合の１０万回書き換えに
よる反射率レベル低下は２５％生じた。

【００５２】このように保護層が材料の異なる２つ以上
の層からなる場合、作製行程数は増えるが、ノイズ上昇
を防ぎ、かつ記録膜への保護層材料拡散を防止するとい
う両方の効果を合わせもつことができ好ましい。

【００５３】第１保護層２および第２保護層３の組み合
わせとしては，（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＡｌ₂
Ｏ₃は，書き換え時の反射率レベル変化が３％以下と小
さく、好ましい。（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀およびＳ
ｉＯ₂はＤＣ消去比が３０ｄＢと消去特性が良好であ
る。ＺｎＳおよびＳｉＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃ ，Ｔａ₂Ｏ₅，のい
ずれか１つの組み合わせは変調度が５３％以上とれ，大
きいことから好ましい。

【００５４】これら化合物における元素比は，例えば酸
化物，硫化物、窒化物において金属元素と酸素元素の
比，または金属元素と硫黄元素、金属元素と窒素元素に
ついては，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｙ₂Ｏ₃，Ｌａ₂Ｏ₃は２：３，Ｓｉ
Ｏ₂ ，ＺｒＯ₂，ＧｅＯ₂は１：２，Ｔａ₂Ｏ₅は２：５，
ＺｎＳは１：１という化学量論組成比をとるかその比に
近いことが好ましいが，その比から外れていても同様の
効果は得られる。各化合物における化学量論組成比から
外れている場合、例えばＺｎ−ＳはＺｎとＳの比率がＺ
ｎＳからＺｎ量が多くなる方向には１０原子％以下，Ｓ
量が多くなる方向には５原子％以下が好ましい。これ以
上ずれると、光学特性が変化するため、変調度が５％以
上低下した。ずれが、 Ｚｎ量が多くなる方向には５原
子％以下，Ｓ量が多くなる方向には２原子％以下の場
合、変調度低下は３％以下となり、特に好ましい。

【００５５】第１保護層２および第１保護層の代わりの
材料、第２保護層３および第２保護層の代わりの材料
は，各保護層全原子数の９０％以上であることが好まし
い。上記材料以外の不純物が１０原子％以上になると，
書き換え回数が１／２以下になる等，書き換え特性の劣
化が見られた。

【００５６】また，このような保護層の場合，第２保護
層膜厚は２〜３０ｎｍが上記の効果が得られ、記録感度
の低下を１０％未満に抑制できるため，好ましい。３ｎ
ｍ以上１５ｎｍ以下であるとさらに好ましい。

【００５７】本実施例で用いた保護層全体（第１保護層
および第２保護層）の膜厚を変化させ、変調度を測定し
たところ次のようになった。

【００５８】また、記録膜の流動による始端部および終
端部の劣化幅（流動幅）で測定し、両者の大きい方の値
と保護層膜厚の関係を調べた。

【００５９】 保護層膜厚（ｎｍ） 変調度（％） 流動幅（Ｂｙｔｅ ） ５０ ３４ ２５ ７０ ４７ ２０ ９０ ５２ １５ １１０ ４８ １５ １２０ ４７ １５ １３０ ４３ １３ １６０ ３５ １０ 保護層全体（第１保護層および第２保護層）の膜厚は７
０〜１３０ｎｍが記録時の変調度を４３％以上と大きく
することができかつ流動による記録膜始端終端部の劣化
が２０Ｂｙｔｅ以下と好ましく、９０〜１２０ｎｍがよ
り好ましい。

【００６０】また，本発明に示した構造のディスクだけ
でなく，従来構造のディスク，その他に保護層を有する
相変化ディスクにおいても，保護層材料を本実施例に記
載した第１保護層と第２保護層に置き換えても，多数回
書き換え時に生じる反射率レベルの変化を低減する効果
が見られる。

【００６１】（反射層）本実施例で第１反射層６に用い
たＡｌ−Ｃｒの代わりの第１反射層の材料としては、Ａ
ｌ-Ｔｉ，Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分と
するものが書き換え時のジッターを低くできるため好ま
しい。

【００６２】第１反射層６に用いた第１反射層の組成を
変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）
を測定したところ次のようになった。

【００６３】 第１反射層組成 前エッジのジッター（％） 後エッジのジッター（％） Ａｌ₉₉Ｃｒ₁ １８ − Ａｌ₉₇Ｃｒ₃ １２ − Ａｌ₉₅Ｃｒ₅ １０ − Ａｌ₉₄Ｃｒ₆ １０ １０ Ａｌ₈₅Ｃｒ₁₅ １０ １０ Ａｌ₇₀Ｃｒ₃₀ １０ １０ Ａｌ₆₀Ｃｒ₄₀ １３ １３ Ａｌ₅₀Ｃｒ₅₀ １８ １９ これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は５原
子％以上３０原子％以下の範囲にすると、多数回書き換
え時の特性が良好になることがわかった。また，上記以
外のＡｌ合金でも同様の特性が得られた。

【００６４】次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｆｅ，
Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｓ
ｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、ま
たはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ合
金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを主
成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる層
を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用いて
もよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合層，
これらと他の金属などの他の物質との複合層などを用い
てもよい。

【００６５】この中で、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ａｕ合
金，等のように、反射率が大きいものは、変調度が大き
くなり、再生特性が良好である。Ａｇ合金，等も同様な
特性が見られる。この場合の主成分以外の元素の含有量
はＡｌ合金と同様に５原子％以上３０原子％以下の範囲
にすると、書き換え特性がより良好になる。

【００６６】本実施例で第２反射層７に用いたＡｌ−Ｔ
ｉの代わりの第２反射層の材料としては、Ａｌ-Ａｇ，
Ａｌ-Ｃｕ，Ａｌ−Ｃｒ等Ａｌ合金を主成分とするもの
が好ましい。Ａｌも使用可能である。

【００６７】第２反射層７に用いた第２反射層の組成を
変化させ、１０万回書き換え後のジッター（σ／Ｔｗ）
および加速試験による寿命を測定したところ次のように
なった。１０万回書き換え後のジッターは前エッジの値
と後エッジの値の増加した方の値を示した。また、加速
試験は各ディスクを８０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽内
に１０００時間入れた前後のビットエラーレート（ＢＥ
Ｒ）の変化を調べた。

【００６８】 第２反射層組成 １０万回書き換え後のジッター（％） ＢＥＲ Ａｌ − ５倍 Ａｌ_99.5Ｔｉ_0.5 １２ ３倍 Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ １０ ２倍 Ａｌ_98.5Ｔｉ_1.5 １０ １．５倍 Ａｌ₉₈Ｔｉ₂ １０ １．５倍 Ａｌ₉₆Ｔｉ₄ １３ １．２倍 Ａｌ₉₄Ｔｉ₆ １７ − これより、Ａｌ合金中のＡｌ以外の元素の含有量は０．
５原子％以上４原子％以下の範囲にすると、多数回書き
換え時の特性およびビットエラーレートが良好になり、
１原子％以上２原子％以下の範囲ではより良好になるこ
とがわかった。上記以外のＡｌ合金でも同様の特性が得
られた。

【００６９】次いで，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ， Ｎｉ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔａ，Ｍｏ，
Ｓｂ，Ｂｉ，Ｄｙ，Ｃｄ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖの元素単体、
またはＡｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，Ｐｄ合金，Ｐｔ
合金，Ｓｂ-Ｂｉ、ＳＵＳ，Ｎｉ−Ｃｒ，などこれらを
主成分とする合金、あるいはこれら同志の合金よりなる
層を用いてもよいし、それらの層よりなる多重層を用い
てもよいし、これらと酸化物などの他の物質との複合
層，これらと他の金属などの他の物質との複合層などを
用いてもよい。

【００７０】この中で、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ合金、
Ａｌ合金、Ａｕ合金，等のように、熱伝導率が大きいも
のは、ディスクが急冷されやすく書き換え特性が良好で
ある。Ａｇ，Ａｇ合金，等も同様な特性が見られる。こ
の場合の主成分となるＣｕ，Ａｕ，Ａｇ等以外の元素の
含有量はＡｌ合金同様に、０．５原子％以上４原子％以
下の範囲にすると、多数回書き換え時の特性およびビッ
トエラーレートが良くなり、１原子％以上２原子％以下
の範囲ではより良くなった。

【００７１】また、第１反射層材料と第２反射層材料の
屈折率（ｎ）および消衰係数（ｋ）を調べたところ、ど
ちらかが異なる材料からなる組み合わせの場合、１０回
書き換え時のジッター増加を４％以下に抑制できた。さ
らに、第１反射層のｎが第２反射層のｎより大きく、第
１反射層のｋが第２反射層のｋより小さいと１０万回書
き換え時のジッター増加を４％以内に抑制できた。

【００７２】第１反射層および第２反射層の材料は，各
反射層全原子数の９５％以上であることが好ましい。上
記材料以外の不純物が５原子％以上になると，書き換え
回数が１／２以下になる等、書き換え特性の劣化が見ら
れた。

【００７３】（第１反射層と第２反射層の膜厚）第１反
射層または第２反射層膜厚が薄い場合、強度が弱く、熱
拡散が小さく記録膜流動が起きやすいため，１０万回書
き換え後の前エッジまたは後エッジのジッターが１２％
より大きくなる。また、第１反射層または第２反射層膜
厚が厚い場合、それぞれの反射層を作製する時間が長く
なり、２行程以上に分ける、またはスパッタリング用の
真空室を２室以上設ける等、形成時間が倍増した。

【００７４】これより、第１反射層の膜厚は３０ｎｍ以
上、１５０ｎｍ以下が好ましい。

【００７５】第２反射層の膜厚は１０ｎｍ以上、１００
ｎｍ以下が好ましい。

【００７６】また，反射層全体の膜厚は、上記と同様に
強度と形成時間の点から、３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下
が好ましい。反射層全体の膜厚とは、第１反射層と第２
反射層の膜厚の合計である。また、どちらか一層がない
場合については残っている層の膜厚をいう。

【００７７】（第１反射層材料と第２反射層材料の組み
合わせ）第１反射層材料、第２反射層材料については本
実施例に述べた材料が使用できるが、これらの組み合わ
せを選ぶことによって、１０万回書き換え時のジッター
増加を４％以下に抑制でき、書き換え特性が向上するこ
とがわかった。好ましい組み合わせは、例えば第１反射
層がＡｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜 および第２反射層がＡｌ₉₉Ｔｉ₁，
第１反射層がＡｌ₉₀Ｔｉ₁₀ 膜 および第２反射層がＡｌ
₉₈Ｔｉ₂，第１反射層がＡｌ₇₅Ｔｉ₂₅膜 および第２反射
層がＡｌ₉₉Ｔｉ₁，等第１反射層と第２反射層膜中に含
有される主成分元素が同じで，主成分元素のＡｌ以外の
元素について、第２反射層の含有量が第１反射層の含有
量より多い場合である。 Ａｌ-ＴｉとＡｌ-Ｔｉの組み
合わせ、Ａｌ−ＣｒとＡｌ−Ｃｒの組み合わせでも、ま
た、Ａｌ-Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｒ以外にも、Ａｌ-Ａｇ，Ａｌ
-Ｃｕ等Ａｌ合金を主成分とするもので同様の特性が得
られた。次いで、Ａｕ合金，Ａｇ合金，Ｃｕ合金，また
はこれに近い組成で多数回書き換え時の書き換え特性の
向上が見られた。

【００７８】（基板材料等）本実施例では、表面に直
接、トラッキング用の溝を有するポリカ−ボネ−ト基板
１を用いているが、その代わりに、ポリオレフィン、エ
ポキシ、アクリル樹脂、紫外線硬化樹脂層を表面に形成
した化学強化ガラスなどを用いてもよい。

【００７９】また、トラッキング用の溝を有する基板と
は、基板表面全てまたは一部に、深さが記録・再生波長
をλとしたとき、λ／１０ｎ‘（ｎ’は基板材料の屈折
率）以上ある溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に
形成されていても、途中分割されていてもよい。また、
その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部の存在
しない、サンプルサーボフォーマットの基板、他のトラ
ッキング方式、その他のフォーマットによる基板等でも
良い。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォ
ーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行う
フォーマットの基板でも良い。ディスクサイズも１２ｃ
ｍに限らず，１３ｃｍ，３．５‘，２．５‘等，他のサ
イズでも良い。ディスク厚さも０．６ｍｍに限らず，
１．２ｍｍ，０．８ｍｍ等，他の厚さでも良い。

【００８０】本実施例では、まったく同様の方法によ
り、２つのディスク部材を作製し、接着剤層を介して、
前記第１および第２のディスク部材のオーバーコート層
８，８’同士を貼り合わせているが、第２のディスク部
材の代わりに別の構成のディスク部材、または保護用の
基板などを用いてもよい。貼り合わせに用いるディスク
部材または保護用の基板の紫外線波長領域における透過
率が大きい場合，紫外線硬化樹脂によって貼り合わせを
行うこともできる。その他の方法で貼り合わせを行って
もよい。

【００８１】本実施例では、オーバーコート層を設けて
いるが、この層なしに直接貼り合わせを行うと，エラー
レートがより高くなるが、作製時間およびコストを低減
できる。

【００８２】（各層の膜厚，材料）各層の膜厚，材料に
ついてはそれぞれ単独の好ましい範囲をとるだけでも記
録・再生特性等が向上するが，それぞれの好ましい範囲
を組み合わせることにより，さらに効果が上がる。

【００８３】（２）比較例 （構成、製法）中間層が（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜
からなる、ディスク状情報記録媒体を作製した。この媒
体は作製方法実施例１と同様で、ポリカーボネイト基板
１上に、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる第１保
護層２を膜厚約１００ｎｍ形成した。次に、 Ｃｒ₂Ｏ₃
膜よりなる第2保護層３を膜厚約１０ｎｍ、Ａｇ₃Ｇｅ₂₀
Ｓｂ₂₂Ｔｅ₅₅記録膜４を膜厚約１５ｎｍ 、 （ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜よりなる中間層５を膜厚約１８ｎｍ
、Ａｌ₉₄Ｃｒ₆ 膜からなる第１反射層６を膜厚約７７
ｎｍ 、Ａｌ₉₉Ｔｉ₁ 膜からなる第２反射層７を膜厚約
２３ｎｍに順次形成した。積層膜の形成はマグネトロン
・スパッタリング装置により行った。

【００８４】（記録・再生特性）初期結晶化、記録・消
去・再生等については、実施例１と同様の方法で行っ
た。本実施例の従来構造の情報記録媒体では、記録・消
去を繰り返した時に、図５に示すように，書き換え１０
万回で実施例１に記載の情報記録媒体に比べて反射率変
化が１５％以上と非常に大きく特性がわるかった。

【００８５】（３）実施例２ （構成、製法）実施例１の第2保護層３、において Ｃｒ
₂Ｏ₃をＺｎ₃₄Ｓｉ₇Ｚｎ₅Ａｇ₂Ｓ₃₅Ｎ₃Ｏ₁₄に変えた以外
は実施例１と同様にして、情報記録媒体を作成した。比
較として、比較例の第2保護層３、において Ｃｒ₂Ｏ₃を
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀膜に変えた情報記録媒体を
作製した。

【００８６】（記録・再生特性）記録・再生特性を実施
例１と同様の方法で調べたところ，実施例１と同様に、
従来構造ディスクに比べて反射率レベル変化を低くでき
るなどの効果がみられることがわかった。実施例２の第
２保護層をＺｎ₃₄Ｓｉ₇Ｚｎ₅Ａｇ₂Ｓ₃₅Ｎ₃Ｏ₁₄に変えた
情報記録媒体では、１０万回書き換え時の反射率レベル
の変化は７％以下になったが、従来構造ディスクは反射
率レベルの変化は２０％と大きかった。

【００８７】Ｚｎ₃₄Ｓｉ₇Ｚｎ₅Ａｇ₂Ｓ₃₅Ｎ₃Ｏ₁₄に変わ
る、第２保護層材料は、実施例１に記載した中間層材料
が使用可である。

【００８８】また、実施例１の中間層と組み合わせるこ
とにより、反射率レベル変化の抑制効果はより大きくな
り、反射率レベルの変化は５％以下になった。

【００８９】本実施例に記載していない事項は実施例１
と同様である。

【００９０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の情報記
録媒体によれば、良好な記録・再生・書き換え特性を保
持することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の情報記録媒体の構造断面図
を示した。

【図２】本発明の実施例１の情報記録媒体の書き換え特
性を示した。

【図３】本発明の情報記録媒体の記録・再生特性評価に
用いた記録波形を示した。

【図４】本発明の実施例１における情報記録媒体の書き
換え時の反射光量の変化を示した。

【図５】比較例の情報記録媒体における書き換え時の反
射光量の変化を示した。

【符号の説明】

１，１’： ポリカーボネイト基板、 ２，２’： 第１保護層、 ３，３’： 第２保護層、 ４，４’： 記録膜、 ５，５’： 中間層、 ６，６’： 第１反射層、 ７，７’： 第２反射層、 ８，８‘：オーバーコート層、 ９： 接着剤層、 Ｔ： ウインド幅（Ｔｗ）、 Ｐｒ： 低パワーレベル、 Ｐｍ： 中間パワーレベル、 Ｐｈ： 高パワーレベル、 Ｔｃ： 記録パルスの最後に下げる時間。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 靖 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 碇 喜博 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 白井 寛 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に形成された、光の照射を受けて生
   じる原子配列変化によって情報を記録および／または再
   生する情報記録用薄膜を記録膜として備え、かつ少なく
   とも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入
   射側に有り、その次に少なくとも１層の中間層を介して
   少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ
   前記中間層が，Ｚｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、
   かつＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
   ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇ
   ｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，
   Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔ
   ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，
   Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくと
   も１つからなることを特徴とする情報記録媒体。
2. 【請求項２】基板上に形成された、光の照射を受けて生
   じる原子配列変化によって情報を記録および／または再
   生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なく
   とも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入
   射側に有り、その次に少なくとも１層の中間層を介して
   少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ
   前記中間層が，Ｚｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎからなり、かつ
   ＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
   Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓ
   ｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
   Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，
   Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒ
   ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも
   １つからなることを特徴とする情報記録媒体。
3. 【請求項３】前記中間層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
   ０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
   ≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
   ５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
   す範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の情報記
   録媒体。
4. 【請求項４】基板上に形成された、光の照射を受けて生
   じる原子配列変化によって情報を記録および／または再
   生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なく
   とも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入
   射側に有り、その次に少なくとも１層の中間層を介して
   少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ
   前記保護層が，Ｚｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、
   かつＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
   ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇ
   ｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，
   Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔ
   ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，
   Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくと
   も１つからなることを特徴とする情報記録媒体。
5. 【請求項５】基板上に形成された、光の照射を受けて生
   じる原子配列変化によって情報を記録および／または再
   生する情報記録用薄膜を記録層として備え、かつ少なく
   とも１層の保護層を備え、かつ保護層は記録膜より光入
   射側に有り、その次に少なくとも１層の中間層を介して
   少なくとも１層の反射層が積層された構造を持ち、かつ
   前記保護層が，Ｚｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎからなり、かつ
   ＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，
   Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓ
   ｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
   Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，
   Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒ
   ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも
   １つからなることを特徴とする情報記録媒体。
6. 【請求項６】前記保護層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
   ０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
   ≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
   ５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
   す範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の情報記
   録媒体。
7. 【請求項７】請求項１〜３のいずれか１項に記載の中間
   層と請求項４〜６のいずれか１項に記載の保護層を有す
   ること特徴とする情報記録媒体。
8. 【請求項８】光の照射により情報を書き換え可能な情報
   記録用薄膜と、少なくとも１層の反射層と、上記情報記
   録用薄膜と上記反射層との間に設けられた少なくとも１
   層の中間層とを有し、 上記中間層はＺｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、か
   つ、ＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
   ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇ
   ｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，
   Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔ
   ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，
   Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくと
   も１つからなることを特徴とする情報記録媒体。
9. 【請求項９】光の照射により情報を書き換え可能な情報
   記録用薄膜と、少なくとも１層の反射層と、上記情報記
   録用薄膜と上記反射層との間に設けられた少なくとも１
   層の中間層とを有し、 上記中間層はＺｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎからなり、かつＭ
   がＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
   ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓ
   ｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
   Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，
   Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒ
   ａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも
   １つからなることを特徴とする情報記録媒体。
10. 【請求項１０】前記中間層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
    ０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
    ≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
    ５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
    す範囲にあることを特徴とする請求項８に記載の情報記
    録媒体。
11. 【請求項１１】少なくとも１層の保護層と、少なくとも
    １層の反射層と、上記保護層と上記反射層との間に設け
    られた光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情
    報を書き換え可能な情報記録用薄膜とを有し、前記保護
    層がＺｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、かつＭがＭ
    ｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，
    Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓ
    ｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，
    Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
    ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌ
    ａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つか
    らなることを特徴とする情報記録媒体。
12. 【請求項１２】少なくとも１層の保護層と、少なくとも
    １層の反射層と、上記保護層と上記反射層との間に設け
    られた光の照射を受けて生じる原子配列変化によって情
    報を書き換え可能な情報記録用薄膜とを有し、前記保護
    層がＺｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎからなり、かつＭがＭｇ，
    Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆ
    ｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓ
    ｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，
    Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒ
    ｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｒａ，Ｌ
    ａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくとも１つか
    らなることを特徴とする情報記録媒体。
13. 【請求項１３】前記保護層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
    ０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
    ≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
    ５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
    す範囲にあることを特徴とする請求項１１に記載の情報
    記録媒体。
14. 【請求項１４】少なくとも１層の保護層と、少なくとも
    １層の反射層と、上記保護層と上記反射層との間に設け
    られた光の照射により情報を書き換え可能な情報記録用
    薄膜と、上記情報記録用薄膜と上記反射層との間に設け
    られた少なくとも１層の中間層とを有し、 上記保護層及び上記中間層のそれぞれはＺｎ−Ｍ−Ｓｉ
    −Ｓ−Ｎ又はＺｎ−Ｍ−Ｓｉ−Ｓ−Ｎ−Ｏからなり、か
    つ、ＭがＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
    ｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇ
    ｅ，Ｓｅ，Ｓｒ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，
    Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｅ，Ｂａ，Ｈｆ，Ｔ
    ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，
    Ｒａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｓｍ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙの少なくと
    も１つからなることを特徴とする情報記録媒体。
15. 【請求項１５】前記保護層又は／及び前記中間層が Ｚｎ_xＳｉ_yＭ_zＳ_tＮ_uＯ_v を満たし、０．２２≦x≦０．４０，かつ０．０２≦y≦
    ０．１５，かつ０．０２≦z≦０．２１，０．２２≦ｔ
    ≦０．４０，かつ０．０１≦ｕ≦０．１４，かつ０．０
    ５≦ｖ≦０．３０，ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＝１を満た
    す範囲にあることを特徴とする請求項１４に記載の情報
    記録媒体。