CZ20022767A3 - Optické informační médium a jeho použití - Google Patents

Optické informační médium a jeho použití Download PDF

Info

Publication number
CZ20022767A3
CZ20022767A3 CZ20022767A CZ20022767A CZ20022767A3 CZ 20022767 A3 CZ20022767 A3 CZ 20022767A3 CZ 20022767 A CZ20022767 A CZ 20022767A CZ 20022767 A CZ20022767 A CZ 20022767A CZ 20022767 A3 CZ20022767 A3 CZ 20022767A3
Authority
CZ
Czechia
Prior art keywords
layer
dielectric layer
recording
optical information
information medium
Prior art date
Application number
CZ20022767A
Other languages
English (en)
Inventor
Gou-Fu Zhou
Johannes C. N. Rijpers
Original Assignee
Koninklijke Philips Electronics N. V.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninklijke Philips Electronics N. V. filed Critical Koninklijke Philips Electronics N. V.
Publication of CZ20022767A3 publication Critical patent/CZ20022767A3/cs

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25708—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 13 elements (B, Al, Ga)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/2571—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing group 14 elements except carbon (Si, Ge, Sn, Pb)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25711—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing carbon
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25713—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0055—Erasing
    • G11B7/00557—Erasing involving phase-change media
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Description

Optické informační médium a jeho použití
Oblast techniky
Vynález se týká optického informačního média pro mazatelný záznam pomocí laserového svazku majícího vlnovou délku laserového záření, přičemž uvedené médium má substrát a na něm uložené souvrství vrstev, které obsahuje první dielektrickou vrstvu a druhou dielektrickou vrstvu, záznamovou vrstvu způsobilou změny mezi amorfním a krystalickým stavem, umístěnou mezi první dielektrickou vrstvou a druhou dielektrickou vrstvou, a odrazivou vrstvu. Vynález se také týká použití takového optického informačního média pro zaznamenávání vysokou rychlostí.
Dosavadní stav techniky
Optické informační médium typu popsaného v úvodním odstavci je známé z článku M.Chena, K.A.Rubina a R.W.Bartona, publikovaného v Applied Physics Letters 49 (1986) 502.
Optické záznamové médium pro záznam dat, založené na principu změny fáze, je atraktivním protože kombinuje možnosti přímého přepisování (DOW) a vysoké hustoty záznamu se snadnou kompatibilitou se optickými záznamovými systémy typu pouze pro čtení. Optické zaznamenávání se změnou fáze spočívá v tvorbě amorfních záznamových značek podmikrometrové velikosti v krystalické záznamové vrstvě použitím zaostřeného laserového svazku s relativně vysokým výkonem. Během zaznamenávání informace se médium pohybuje vzhledem k zaostřenému laserovému svazku, který se moduluje v souladu se zaznamenávanou informací. Značky se vytvářejí, když laserový svazek o vysokém výkonu roztaví krystalickou záznamovou vrstvu. Když se laserový svazek vypne a/nebo se po té relativně po• ·
hybuje vzhledem k záznamové vrstvě, dochází v záznamové vrstvě k rychlému ochlazení roztavených značek, takže v exponovaných oblastech záznamové vrstvy, která zůstává krystalická v neexponovaných oblastech, se zanechá amorfní informační značka.
Mazání zaznamenaných amorfních značek se provádí rekrystalizací ohřevem stejným laserem při nižší výkonové úrovni bez tavení záznamové vrstvy. Amorfní značky reprezentují datové bity, které mohou být čteny, například přes substrát, zaostřeným laserovým svazkem s relativně nízkým výkonem. Rozdíly odrazu amorfních značek vzhledem ke krystalické záznamové vrstvě vyvolávají modulování laserového svazku, který se převádí detektorem na fotoelektrický proud, modulovaný v souladu se zaznamenanou informací.
Jedním z nejdůležitějších požadavků na optický záznam se změnou fáze je vysoká datová rychlost, což znamená, že data mohou být zapisována a přepisována na médiu rychlostí nejméně 30 Mbit/s. Taková vysoká datová rychlost vyžaduje, aby záznamová vrstva měla vysokou rychlost krystalizace, t.j. krátkou dobu krystalizace. Pro zajištění, že před tím zaznamenané amorfní značky mohou být při přímém přepisování rekrystalizovány, musí mít záznamová vrstva náležitou rychlost rekrystalizace, která by odpovídala rychlosti média vzhledem k laserovému svazku. Není-li rychlost rekrystalizace dostatečně vysoká, nemohou být amorfní značky z předchozího záznamu, reprezentující stará data, zcela vymazány, neboli rekrystalizovány během DOW. To bude mít za následek vysokou úroveň šumu.
Vysoká rychlost krystalizace se požaduje obzvláště
-3při záznamu s vysokou hustotou a optických záznamových médií s vysokou datovou rychlostí, jako jsou diskovíté VDD+RW, DVR-red a blue, což jsou zkratky pro vysokohustotní Digital Versatile Disc+RW, kde RW znamená přepisovátelnost takových disků, a optické záznamové disky Digital Video Recording, kde red (červený) a blue (modrý) znamená použitou vlnovou délku laseru. Pro tyto disky musí být doba úplného vymazání (CRT, complete erasure time) nanejvýše 60 ns. CET je definována jako minimální doba trvání vymazávacího pulzu pro celou rekrystalizaci zapsané amorfní značky v krystalickém okolí, která je měřena staticky. Pro DVD+RW, který má hustotu záznamu 4,7 GB na disk 120 mm, je zapotřebí bitová rychlost dat 33 Mbitů/s, a pro DVR-red je uvedená rychlost 35 Mbitů/s. Pro přepisovatelné optické záznamové systémy se změnou fáze, jako je DVR-blue, jsou zapotřebí bitové rychlosti uživatelských dat vyšší než 50 Mbit/s.
Známé médium typu se změnou fáze obsahuje substrát, nesoucí souvrství vrstev, které obsahuje ve sledu první dielektrikum, záznamovou vrstvu z dobře známé sloučeniny GeTe se změnou fáze, druhou dielektrickou vrstvu a odrazivou vrstvu. Takové souvrství vrstev může být označeno jako IPIM-struktura, kde M znamená odrazivou nebo zrcadlovou vrstvu, I značí první nebo druhou dielektrickou vrstvu, a P značí záznamovou vrstvu se změnou fáze. Záznamová vrstva ze sloučeniny Ge a Te má relativně velký rozdíl odrazu mezi amorfní a krystalickou fází při vlnové délce laserového záření 350-700 nm. Přídavně k tomu má záznamová vrstva ze sloučeniny Ge a Te dobrou tepelnou stabilitu vzhledem k relativně vysoké teplotě krystalizace okolo 180°C. Vysoká tepelná stabilita vede k vysoké archivovací životnosti, což je zpravidla požadavkem u záznamových médií.
• · · ·
-4Nevýhodou známého média je, že CET záznamové vrstvy ze sloučeniny Ge a Te je mimořádně citlivá na poměr složení. Pouze přesný poměr 50:50 poskytuje přijatelně krátkou dobu CET. To je nevýhodné, protože tato citlivost vede ke špatné výrobní opakovatelnosti.
Vynález si klade za úkol vytvořit optické záznamové médium typu uvedeného v úvodním odstavci, které by bylo vhodné pro optický záznam s vysokou datovou rychlostí, jako je DVR-blue, které by mělo hodnotu CET 50 ns nebo kratší, a které by se dalo snadno vyrobit.
Podstata vynálezu
Uvedeného cíle se dosahuje tím, že záznamová vrstva obsahuje sloučeninu vzorce GexTe100_x, x 3e P°úíl Ge v at.% a 30 < x < 70, a první dielektrická vrstva obsahuje sloučeninu zvolenou ze skupiny sestávající z oxidů Ta a Si, nitridů Si a AI a karbidů Si, a je přítomná v kontaktu se záznamovou vrstvou.
Bylo zjištěno, že tyto oxidy, nitridy a karbidy první dielektrické vrstvy výrazně rozšiřují použitelné rozmezí složení sloučeniny Ge a Te záznamové vrstvy. Použitelné rozmezí složení je rozmezí složení z Ge a Te s nízkou CET. Když se používají tyto oxidy, nitridy nebo karbidy se přídavně doba CET překvapivě značně snižuje, například na polovinu i méně, při rozmezí složení 30 < x < 70. Široké použitelné rozmezí složení je výhodné při výrobě, protože se složení sloučeniny Ge a Te může značně vychylovat, aniž by se zvýšila CET. Pro získání dobrých výsledků již není zapotřebí přesný poměr 50:50 a x=50.
• ·
-5V provedení vynálezu obsahuje druhá dielektrická vrstva, stejně jako i první dielektrická vrstva, sloučeninu zvolenou ze skupiny sestávající z oxidů Ta a Si, nitridů Si a Al, a karbidů Si, a je ve styku se záznamovou vrstvou. To má výhodu v tom, že obě strany záznamové vrstvy jsou ve styku s dielektrickými vrstvami oxidů Ta a Si, nitridy Si a Al a karbidy Si, což má za následek ještě nižší CET, například na hodnotu přibližně třikrát menší, a ještě širší rozmezí složení sloučeniny záznamové vrstvy.
S výhodou obsahují první dielektrická vrstva a druhá dielektrická vrstva sloučeninu zvolenou ze skupiny Ta2O5 a SijN^, Tyto materiály mají výhodu v tom, že jsou snadno vyrobitelné, a ukázaly se jako velmi vhodné pro rozšíření použitelného rozmezí složení a pro snížení CET.
V přednostním provedení má první dielektrická vrstva tloušťku nanejvýše 15 nm. Jelikož je tepelná vodivost Ta2O5 a Si3N4 lepší než má (ZnS)80(SiO2)20, což je často používaný materiál v dielektrické vrstvě, bude mít záznamová vrstva, která je ve styku s Ta2O5 nebo si3N4, nižší citlivost na výkon. Účinek na citlivost na záznamový výkon se však neuplatní nebo sotva uplatní, když se použije vrstva Ta2O5 nebo Si3N4, která je tenčí než 15 nm.
Ve výhodnějším provedení mají první dielektrická vrstva a druhá dielektrická vrstva tloušťku v rozmezí 2-10 nm. Vrstva v rozmezí 2-10 nm nemá znatelný účinek na citlivost na záznamový výkon. Vrstva tenčí než 2 mm se obtížně dá spolehlivě vyrábět, protože kontrola tloušťky takové tenké vrstvy je obtížná a pravděpodobnost dírek v takové tenké vrstvě je vyšší.
Je výhodné, aby 40 < x < 60, kde x je hodnota ve vzorci sloučeniny GexTeioo-x záznamové vrstvy. Toto rozmezí hodnoty c je zvlášť vhodné pro dosažení nízké CET, která je potřebná pro záznam s vysokou datovou rychlostí. Ten vyžaduje vysokou rychlost zaznamenávání, jelikož velikost značek na optickém záznamové médiu je v podstatě určována velikostí záznamového bodu (spot), která je relativně fixní pro danou vlnovou délku laserového záření a numerickou aperturu záznamové čočky. Pod pojmem vysoká rychlost zaznamenávání se rozumí v této souvislosti lineární rychlost média vzhledem k laserovému svazku nejméně 7,2 m/s, což je šestinásobek rychlosti podle standardu CD (Compact Disc). S výhodou by měla být CET pod 45 ns, což je hodnota potřebná pro lineární rychlost 9,6 m/s odpovídající osminásobku rychlosti CD, nebo i pod 35 ns, což je hodnota potřebná pro lineární rychlost 14,4 m/s, odpovídající dvanáctinásobku rychlosti CD. Neklid (jitter) média by měl být na nízké, konstantní úrovni. Dále by médium mělo mít dobrou tepelnou stabilitu.
Sloučenina záznamové vrstvy může přídavně obsahovat kyslík nebo dusík v množství až 5% at.% Jak přidání O tak i N má za následek kratší CET, a to až 1,5 krát. Hodnota CET může být výrazně snížena, když je kyslík nebo dusík přítomný ve sloučenině v malých množstvích od 0,01 do 5 at.%, s výhodou od 1,5 do 2,0 at.%. Nižší hodnoty kyslíku nebo dusíku než 0,01 at.% mohou být získány v důsledku okolností procesu, v nichž se získává záznamová vrstva, například rozprašováním v atmosféře inertního plynu, v níž bude nevyhnutelně přítomný tlak pozadí s kyslíkem a dusíkem. Při koncentracích kyslíku nebo dusíku nad 5 at.% stoupá hodnota CET záznamové
-Ίvrstvy nad 50 ns, a neklid (jitter) a cyklovatelnost DOW jsou nepříznivě ovlivněny. Také se stane maximální změna amorfního a krystalického odrazu během DOW nepřijatelně malá. Když je obsah kyslíku nebo dusíku příliš vysoký, mohou se také zaznamenané značky stát nestabilní vzhledem ke snadnosti tvorby oxidů nebo nitridů,
Odrazivá vrstva může obsahovat nejméně jeden z kovů zvolených ze skupiny sestávající z Al, Ti, Au, Ag, Cu, Rh, Pt, Pd, Ni, Co, Mn, Cr, Mo, W, Hf a Ta, včetně jejich slitin.
Přídavné dielektrické vrstvy mohou být uloženy při první a/nebo druhé dielektrické vrstvě pro ochranu záznamové vrstvy proti vlhkosti, pro tepelné izolování záznamové vrstvy od substrátu a/nebo odrazivé vrstvy, a pro optimalizaci optického kontrastu. Zpravidla prochází laserové záření druhou dielektrickou vrstvou před tím, než dosáhne záznamovou vrstvu.
Konkrétně může být přítomná třetí dielektrické vrstva, t.j. při první dielektrické vrstvě a mezi první dielektrickou vrstvou a odrazivou vrstvou, na straně odvrácené od záznamové vrstvy. Tloušťka je zpravidla od 10 do 50 nm, s výhodou od 15 do 35 nm. Když je tato vrstva příliš tenká, je ovlivněna tepelná izolace mezi záznamovou vrstvou/první dielektrickou vrstvou a další vrstvou, t.j. odrazivá vrstva je nepříznivě ovlivňována. Výsledkem je, že se zvýší zvýší rychlost chlazení, což vede k pomalé rekrystalizaci nebo rychlosti mazání a špatné cyklovatelnosti. Rychlost chlazení se sníží zvýšením tloušťky třetí dielektrické vrstvy.
Může být přítomná čtvrtá dielektrická vrstva, t.j. při druhé dielektrické vrstvě, na straně odvrácené od záznamové vrstvy.
Z hlediska neklidu (jitter) je výhodné, aby celková tloušťka dielektrické vrstvy nebo sousedních dielektrických vrstev, jimiž dopadající laserové záření prochází nejprve, byla nejméně 70 nm. Pro optimální optický kontrast pro čtení amorfních záznamových značek v krystalickém okolí se tloušťka této vrstvy nebo vrstev nastaví na optimální hodnotu nad 70 nm v závislosti na vlnové délce laserového záření a indexu lomu dielektrické vrstvy nebo vrstev. Popřípadě se vnější vrstva souvrství, opačná od substrátu, odcloní od okolí prostřednictvím ochranné krycí vrstvy například póly/(meth)akrylátu. Substrát a krycí vrstva mohou být zaměněny, přičemž v tomto případě laserové záření prochází substrátem před tím, než vstupuje do souvrství.
Hodnota CET je málo citlivá na tloušťku odrazivé vrstvy v rozmezí od 20 do 200 nm. Cyklovatelnost je však nepříznivě ovlivněna tehdy, když je odrazivá vrstva tenčí než 60 nm, protože rychlost chlazení je příliš nízká. Když má odrazivá vrstva tloušťku 160 nm nebo větší, dále se zhoršuje cyklovatelnost, a záznamový a mazací výkon musí být dostatečně vysoký vzhledem ke zvýšené tepelné vodivosti. S výhodou je tloušťka odrazivé vrstvy od 80 do 120 nm.
Přídavné dielektrické vrstvy, t.j. třetí a čtvrtá dielektrická vrstva, mohou sestávat ze směsi ZnS a SiO2, například (ZnS)80(SiO2)20.
Obě odrazivé vrstvy a dielektrické vrstvy mohou být
-9• a · ·
nanášeny naparováním (nanášením parami) nebo nanášením naprašováním nebo rozprašováním (sputtering).
Když dopadající laserový svazek nejprve prochází substrátem informačního média, je minimálně substrát transparentní pro vlnovou délku laseru a je vyroben například z polykarbonátu, polymethylmethakrylátu (PMMA), amorfního polyolefinu nebo skla. V typickém příkladě má substrát diskovitý tvar a má průměr 120 mm a tlouštku 0,1, 0,6 nebo 1,2 mm.
Povrch substrátu na straně záznamového souvrství je s výhodou opatřen servostopou, která může být opticky skenována. Tato servostopa je často spirálovitá drážka a je vytvořena v substrátu pomocí formy vstřikováním nebo lisováním. Drážky mohou být alternativně vytvářeny v replikačním procesu v syntetické pryskyřici transparentní distanční vrstvy, například z akrylátu tvrdítelného UV zářením, která je samostatně uložena na substrátu. V záznamu s vysokou hustotou má taková drážka rozteč například 0,6-0,8 μι& a šířku 0,5 μιη.
Záznam s vysokou hustotou a jeho mazání mohou být prováděny při použití krátkovlnného laseru, například vlnové délky 670 nm nebo kratší.
Vrstva se změnou fáze může být nanášena na substrát vakuovým nanášením, vakuovým nanášením elektronovým svazkem, nanášením chemickými parami, iontovým plátováním nebo naprašováním. Když se použije naprašování, může se použít terč Ge-Te mající požadovaný obsah kyslíku nebo dusíku, nebo se může použít terč z Ge-Te, přičemž se ovládá množství kyslíku nebo dusíku v naprašovacím plynu. V praxi je koncentrace
-10kyslíku nebo dusíku v naprašovacím plynu od téměř nuly do 10 obj.%. Nanesená vrstva je amorfní a vykazuje nízkou odrazivost. Aby se vytvořila vhodná záznamová vrstva mající vysokou odrazivost musí být nejprve tato vrstva zcela krystalizována, což je obecné označováno jako inicializace. Pro tento účel může být záznamová vrstva zahřívána v peci na teplotu nad teplotou krystalizace sloučeniny Ge-Te, Ge-Te-0 nebo Ge-Te-N, například 190°C. Alternativně může být substrát ze syntetické pryskyřice, jako polykarbonát, zahříván laserovým svazkem dostatečného výkonu. To může být prováděno například v záznamovém zařízení, přičemž v tomto případě laserový svazek skenuje pohybující se substrátovou vrstvu. Amorfní vrstva se přitom lokálně zahřívá na teplotu potřebnou pro krystalizaci vrstvy, aniž by byl substrát podrobován nevýhodnému tepelnému zatížení.
Přehled obrázků na výkresech
Optické informační médium podle vynálezu bude podrobněji vysvětleno na příkladě provedení a s odvoláním na připojené výkresy, ve kterých znázorňuje obr.l schematický řez optickým informačním médiem podle vynálezu, jehož rozměry nejsou v měřítku, obr.2 diagram ukazující závislost doby úplného vymazání (CET v ns) na hodnotě x v záznamové vrstvě z GexTex-ioor Při srovnání CET známého média s CET média podle vynálezu, obr.3 diagram závislosti doby úplného vymazání (CET v ns) na množství kyslíku v záznamové vrstvě Gr49 5Te50 5 ®édia podle vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
Informační médium 20, znázorněné na obr.l, pro mazatelný záznam pomocí laserového svazku 10 má substrát 1. Na substrátu je souvrství 2 vrstev. Souvrství 2 má první dielekt-li-:
rickou vrstvu 5, druhou dielektrickou vrstvu 7, a záznamovou vrstvu 6, která je způsobilá se měnit mezi amorfním a krystalickým stavem. Záznamová vrstva je uložena mezi první dielektrickou vrstvou 5 a druhou dielektrickou vrstvou 7. Souvrství obsahuje také odrazivou vrstvu 2· Záznamová vrstva 6 obsahuje sloučeninu vzorce Ge49 5Te50 5. Sloučenina záznamové vrstvy 6 může přídavně obsahovat O nebo N v množství až 5 at.%. Záznamová vrstva má tloušťku 28 nm, optimalizovanou na vlnovou délku 670 nm laserového záření.
První dielektrická vrstva 5 a druhá dielektrická vrstva 7 jsou z Si3N4 a jsou ve styku se záznamovou vrstvou 6. Dobrá alternativa pro Si3N4 je Ta2O5. První dielektrická vrstva 5 a druhá dielektrická vrstva 7 mají tloušťku 5 nm. Odrazivá vrstva 3 obsahuje hliník a má tloušťku 100 nm. Třetí dielektrická vrstva 4 a čtvrtá dielektrická vrstva 8, například z (ZnS)80(SiO2)20, jsou uloženy při odpovídající přilehlé první dielektrické vrstvě 5 a druhé dielektrické vrstvě 7. Tloušťka třetí dielektrické vrstvy je 20 nm a tloušťka čtvrté dielektrické vrstvy je 90 nm. V takovém souvrství je při vlnové délce laserového záření 670 nm, amorfní odraz Ra 3,8% a krystalický odraz Rc 36,5%.
Substrát 1 je polykarbonátový diskovítý substrát, mající průměr 120 mm a tloušťku 0,6 mm.
Přilehle ke čtvrté dielektrické vrstvě 4 je uložena krycí vrstva 9, vytvořená například z pryskyřice Daicure SD645 vytvrzené UV zářením o tloušťce 100 μιη.
Když se používá vlnová délka laserového záření 405 nm, je optimální tloušťka záznamové vrstvy 6 15 nm, tře-12tí dielektrická vrstva 4 má tloušťku 20 nm a čtvrtá dielektrlcká vrstva 8 má tloušťku 135 nm. Další vrstvy souvrství 2 a substrátu 1 zůstávají nezměněné. V takovém souvrství 2 je při vlnové délce laserového záření 405 nm amorfní odraz Ra 0,8% a krystalický odraz je 22,9%.
Obr.2 znázorňuje diagram 21 závislosti doby úplného vymazávání CET na hodnotě x v záznamové vrstvě z G®xTeioo-x ve styku s první a druhou dielektrickou vrstvou z Si3N4 v souvrství ΙΙ'ΡΙ'ΙΜ podle obr.l, ale bez přidávání kyslíku do záznamové vrstvy 6. Pro srovnání je znázorněn jiný diagram 22, kde jsou materiály první a druhé dielektrické vrstvy nahrazeny standardním materiálem (ZnS)8Q(Si02)2o* Ze srovnání vyplývá, že médiem podle vynálezu, používajícím první a druhou dielektrickou vrstvu podle vynálezu, se dosáhne snížení CET přibližně třikrát.
Obr.3 znázorňuje diagram 23 účinku přítomnosti kyslíku v záznamové vrstvě 6 z Ge49 5Te50 5 na hodnotu CET (v ns) o velikosti až 3,5% v souvrství podle obr.l. Podobné účinky se dosáhnou přidáním dusíku, v optimálním provedení má tak záznamová vrstva 6 složení Ge49,5Te5o,5' v němž j® přítomno 1,87% kyslíku.
Podle vynálezu se vytvoří přepisovatelné optické informační médium se změnou fáze, jako DVR-blue, se záznamovou vrstvou ze sloučeniny Ge-Te ve styku s nejméně jednou dielektrickou vrstvou obsahující sloučeninu oxidů Ta a Si, nitridů Si a AI nebo karbidů Si, s širokým použitelným rozmezím složení a tedy snadno vyrobitelnou, mající nízké hodnoty doby úplného vymazání (CET), a vhodnou pro přímé přepisování a záznam s vysokou datovou rychlostí, a vykazující • · • ·
-13-: :
• · ·· dobrou cyklovatelnost a nízký neklid (jitter) při lineární rychlosti 7,2 m/s nebo více. Přítomnost kyslíku nebo dusíku v záznamové vrstvě vyvolává další pokles hodnot CET pod 45 ns.

Claims (10)

  1. PATENTOVÉ
    NÁROKY
    1. Optické informační médium (20) pro mazatelný záznam pomocí laserového svazku (10) majícího vlnovou délku laserového záření, přičemž médium (20) má substrát a na něm uložené souvrství (2) vrstev, které obsahuje první dielektrickou vrstvu (5) a druhou dielektrickou vrstvu (7), záznamovou vrstvu (6) způsobilou změny mezi amorfním a krystalickým stavem, umístěnou mezi první dielektrickou vrstvou (5) a druhou dielektrickou vrstvou (7), a odrazivou vrstvu (3), vyznačené tím, že záznamová vrstva (6) obsahuje sloučeninu vzorce GexTeioo-x' kde x je podíl Ge v at.% a 30 < x < 70, a první dielektrická vrstva (5) obsahuje sloučeninu zvolenou ze skupiny sestávající z oxidů Ta a Si, nitridů Si a Al a karbidů Si, a je ve styku se záznamovou vrstvou (6).
  2. 2. Optické informační médium (20) podle nároku 1, vyznačené tím, že druhá dielektrická vrstva (7) obsahuje sloučeninu zvolenou ze skupiny sestávající z oxidů Ta a Si, nitridů Si a Al, a karbidů Si, a je ve styku se záznamovou vrstvou (6).
  3. 3. Optické informační médium (20) podle nároku 2, vyznačené tím, že první dielektrická vrstva (5) obsahuje sloučeninu zvolenou ze skupiny z Ta2Og a Si^N^ a druhá dielektrická vrstva (7) obsahuje sloučeninu zvolenou ze skupiny z Ta2O5 nebo Si3N4·
  4. 4. Optické informační médium (20) podle nároku 3, vyznačené tím, že první dielektrická vrstva (5) a druhá dielektrická vrstva (7) mají tloušfku nanejvýše 15 nm.
    -15-, • ·
  5. 5. Optické informační médium (20) podle nároku 4, vyznačené tím, že první dielektrická vrstva (5) a druhá dielektrická vrstva (7) mají tlouštku v rozmezí 2 až 10 nm.
  6. 6. Optické informační médium (20) podle nároku 1, vyznačené tím, že 40 < x < 60.
  7. 7. Optické informační médium (20) podle kteréhokoli z nároků 1 až 6, vyznačené tím, že sloučenina záznamové vrstvy (6) přídavně obsahuje kyslík v podílu až 5 at.%.
  8. 8. Optické informační médium (20) podle kteréhokoli z nároků 1 až 6, vyznačené tím, že sloučenina záznamové vrstvy (6) přídavně obsahuje dusík v podílu až 5 at.%.
  9. 9. Optické informační médium (20) podle nároku 1, vyznačené tím, že odrazivá vrstva (3) obsahuje nejméně jeden z kovů zvolených ze skupiny sestávající z AI, Ti, Au, Ag, Cu, Rh, Pt, Pd, Ni, Co, Mn, Cr, Mo, W, Hf a Ta, včetně jejich slitin.
  10. 10. Použití optického informačního média (20) pro zaznamenávání vysokou rychlostí, při němž je relativní rychlost mezi laserovým svazkem a médiem nejméně 7,2 m/s, vyznačené tím, že se použije optické informační médium podle kteréhokoli z nároků 1 až 9.
CZ20022767A 2000-12-15 2001-11-29 Optické informační médium a jeho použití CZ20022767A3 (cs)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP00204603 2000-12-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CZ20022767A3 true CZ20022767A3 (cs) 2003-02-12

Family

ID=8172452

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CZ20022767A CZ20022767A3 (cs) 2000-12-15 2001-11-29 Optické informační médium a jeho použití

Country Status (14)

Country Link
US (1) US20020076646A1 (cs)
EP (1) EP1358654A1 (cs)
JP (1) JP2004516595A (cs)
KR (1) KR20020080423A (cs)
CN (1) CN1221960C (cs)
AR (1) AR031919A1 (cs)
BR (1) BR0108369A (cs)
CA (1) CA2400131A1 (cs)
CZ (1) CZ20022767A3 (cs)
EA (1) EA005347B1 (cs)
MX (1) MXPA02007887A (cs)
PL (1) PL361861A1 (cs)
TW (1) TWI246681B (cs)
WO (1) WO2002049025A1 (cs)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002197724A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Pioneer Electronic Corp 光記録媒体
JP2003178487A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Hitachi Ltd 情報記録媒体および製造方法
US20030190551A1 (en) * 2002-04-05 2003-10-09 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording information in the same
TWI254934B (en) * 2002-04-26 2006-05-11 Tdk Corp Optical recording medium and method for optically recording data in the same
CN1220195C (zh) * 2002-04-30 2005-09-21 Tdk股份有限公司 光学记录媒体以及在其上光学记录数据的方法
US7231649B2 (en) * 2002-05-31 2007-06-12 Tdk Corporation Optical recording medium and method for optically recording data in the same
US20040038080A1 (en) * 2002-07-01 2004-02-26 Tdk Corporation Optical recording medium and method for recording data in the same
JP4092147B2 (ja) * 2002-07-04 2008-05-28 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
JP4059714B2 (ja) * 2002-07-04 2008-03-12 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
JP4282285B2 (ja) * 2002-08-12 2009-06-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体及び光記録方法
US20040076907A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-22 Tdk Corporation Optical recording medium and method for manufacturing the same
US7781146B2 (en) * 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
US7932015B2 (en) 2003-01-08 2011-04-26 Tdk Corporation Optical recording medium
JP4084674B2 (ja) * 2003-01-28 2008-04-30 Ｔｄｋ株式会社 光記録媒体
US20040202097A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Tdk Corporation Optical recording disk
US20040253539A1 (en) * 2003-06-13 2004-12-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for manufacturing the same
JP2005044395A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
JP2005071402A (ja) 2003-08-25 2005-03-17 Tdk Corp 光情報記録媒体
KR20050053132A (ko) * 2003-12-02 2005-06-08 삼성전자주식회사 초해상 정보 저장 매체
JP2005251279A (ja) * 2004-03-03 2005-09-15 Nec Corp 光学的情報記録媒体及びその製造方法
JP2007196523A (ja) * 2006-01-26 2007-08-09 Sony Corp 光記録媒体およびその製造方法
CN1925038B (zh) * 2006-09-20 2010-08-04 中国科学院上海光学精密机械研究所 近场光增强的合金薄膜元件
JP2010192025A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Sony Corp 光情報記録媒体

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0195532B1 (en) * 1985-02-22 1990-05-09 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha An information recording medium
JPS62226445A (ja) * 1986-03-28 1987-10-05 Toshiba Corp 光記録媒体
US4797871A (en) * 1986-09-15 1989-01-10 Eastman Kodak Company Erasable optical recording method
JP2538647B2 (ja) * 1988-07-22 1996-09-25 富士通株式会社 光ディスク媒体
JPH02128330A (ja) * 1988-11-08 1990-05-16 Fuji Electric Co Ltd 光記録媒体
US5194363A (en) * 1990-04-27 1993-03-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium and production process for the medium
US5270149A (en) * 1990-06-16 1993-12-14 Basf Aktiengesellschaft Reversible optical recording medium of the phase charge type
JP2512237B2 (ja) * 1991-02-07 1996-07-03 三菱化学株式会社 光学的情報記録用媒体
DE69222104D1 (de) * 1991-06-24 1997-10-16 Diafoil Hoechst Co Ltd Optisches Band
US5419937A (en) * 1991-12-12 1995-05-30 U.S. Philips Corporation Optical record carrier
US5505835A (en) * 1993-02-22 1996-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating optical information storage medium
JPH07141693A (ja) * 1993-09-22 1995-06-02 Toshiba Corp 情報記録媒体
DE69837037T2 (de) * 1997-12-11 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wiederbeschreibbares optisches informationsmedium
US6477135B1 (en) * 1998-03-26 2002-11-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium and method for recording and reproduction information thereon
US6544716B1 (en) * 1998-06-19 2003-04-08 Terastor Corporation Multilayer optical medium for near-field optical recording and reading
JP2000195110A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Teijin Ltd 相変化型光記録媒体の製造方法
JP2000298875A (ja) * 1999-02-13 2000-10-24 Sony Corp 光記録媒体
JP2000339764A (ja) * 1999-05-31 2000-12-08 Kyocera Corp 光記録媒体
US6406771B1 (en) * 1999-10-29 2002-06-18 Toray Industries, Inc. Optical recording medium and optical recording apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
TWI246681B (en) 2006-01-01
EA200300684A1 (ru) 2003-10-30
WO2002049025A1 (en) 2002-06-20
EA005347B1 (ru) 2005-02-24
CN1221960C (zh) 2005-10-05
PL361861A1 (en) 2004-10-04
CN1401117A (zh) 2003-03-05
BR0108369A (pt) 2003-03-11
MXPA02007887A (es) 2003-03-10
AR031919A1 (es) 2003-10-08
KR20020080423A (ko) 2002-10-23
EP1358654A1 (en) 2003-11-05
US20020076646A1 (en) 2002-06-20
CA2400131A1 (en) 2002-06-20
JP2004516595A (ja) 2004-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0996950B1 (en) Rewritable optical information medium
CZ20022767A3 (cs) Optické informační médium a jeho použití
CA2280842C (en) Rewritable optical information medium
JP2007128647A (ja) 光学情報媒体及びその使用
US20080253272A1 (en) Rewritable optical data storage medium and use of such a medium
US6861117B2 (en) Multi-stack optical data storage medium and use of such medium
KR100614505B1 (ko) 재기록가능한 광 정보매체
US6638594B1 (en) Rewritable optical information recording medium
US20040146683A1 (en) Multi-stack optical data storage medium and use of such a medium
US6254957B1 (en) Rewritable optical information medium
EP1537569B1 (en) Rewritable optical data storage medium and use of such a medium
KR100910127B1 (ko) 재기록가능한 광 저장매체와 이 매체의 용도