JP2019128969A5

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Publication number: JP2019128969A5
Application number: JP2018011094A
Authority: JP
Filing date: 2018-01-26
Publication date: 2020-11-19

Description

本開示に係る情報記録媒体の製造方法は、情報層を形成する工程を３以上含み、少なくとも一つの前記情報層を形成する工程が、第１誘電体膜を形成する工程、記録膜を形成する工程、および第２誘電体膜を形成する工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する工程がそれぞれ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄの酸化物を含む膜を形成することを含み、
前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む膜を形成することを含む、
情報記録媒体の製造方法である。

本開示の第８の態様は、情報層を形成する工程を３以上含む情報記録媒体の製造方法であって、
少なくとも一つの前記情報層を形成する工程が、第１誘電体膜を形成する工程、記録膜を形成する工程、および第２誘電体膜を形成する工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する工程がそれぞれ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄの酸化物を含む膜を形成することを含み、
前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む膜を形成することを含む、
情報記録媒体の製造方法である。

Claims

レーザ光の照射により情報を記録または再生する情報記録媒体であって、
３以上の情報層を含み、少なくとも一つの前記情報層が、レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、第１誘電体膜、記録膜、および第２誘電体膜をこの順に含み、
前記記録膜が少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含む、
情報記録媒体。
前記記録膜において、Ｗと、Ｃｕと、Ｍｎと、前記元素Ｍとが、下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たす、請求項１に記載の情報記録媒体。
前記少なくとも一つの前記情報層において、前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜が、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄの酸化物を含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
前記少なくとも一つの前記情報層が、第３誘電体膜をさらに含み、
前記レーザ光照射面から見て遠い方から近い方に向かって、前記第１誘電体膜、前記第３誘電体膜および前記記録膜がこの順に配置されており、
前記第３誘電体膜がＮｂの酸化物を含む、
請求項３に記載の情報記録媒体。
前記元素ＤがＺｒおよびＩｎである請求項３または４に記載の情報記録媒体。
前記記録膜が、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、請求項１に記載の情報記録媒体。
前記記録膜が、Ｚｎをさらに含む請求項１または６に記載の情報記録媒体。
情報層を形成する工程を３以上含む情報記録媒体の製造方法であって、
少なくとも一つの前記情報層を形成する工程が、第１誘電体膜を形成する工程、記録膜を形成する工程、および第２誘電体膜を形成する工程を含み、
前記第１誘電体膜および前記第２誘電体膜を形成する工程がそれぞれ、Ｚｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、およびＳｉより選ばれる少なくとも一つの元素Ｄを含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、元素Ｄの酸化物を含む膜を形成することを含み、
前記記録膜を形成する工程が、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含むターゲットを用いて、スパッタリングにより、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎと、酸素とを含み、少なくとも一つの前記元素Ｍをさらに含む膜を形成することを含む、
情報記録媒体の製造方法。
前記記録膜を形成する工程で用いる前記ターゲットにおいて、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが、下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たす、請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法。
前記記録膜を形成する工程で用いるターゲットが、Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、請求項８に記載の情報記録媒体の製造方法。
前記記録膜を形成する工程で用いるターゲットが、Ｚｎをさらに含む、請求項８または１０に記載の情報記録媒体の製造方法。
情報記録媒体の記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットであって、少なくともＷと、Ｃｕと、Ｍｎとを含み、ＣａおよびＣｅより選ばれる少なくとも一つの元素Ｍをさらに含み、Ｗ、Ｃｕ、Ｍｎおよび前記元素Ｍが下記の式：
Ｗ_ｘＣｕ_ｙＭｎ_ｚＭ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}（原子％）
（式中、１５≦ｘ≦６０、０＜ｙ≦４０、０＜ｚ≦４０、且つ６０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜９５）
を満たす、スパッタリングターゲット。
Ａｌ、Ｍｇ、およびＴａより選ばれる少なくとも一つの元素ｍをさらに含む、請求項１２に記載のスパッタリングターゲット。
Ｚｎをさらに含む、請求項１２または１３に記載のスパッタリングターゲット。