JP2002254816A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
- Publication number
- JP2002254816A JP2002254816A JP2001059585A JP2001059585A JP2002254816A JP 2002254816 A JP2002254816 A JP 2002254816A JP 2001059585 A JP2001059585 A JP 2001059585A JP 2001059585 A JP2001059585 A JP 2001059585A JP 2002254816 A JP2002254816 A JP 2002254816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase
- layer
- group
- recording medium
- crystallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 初期結晶化工程を必要とせず、しかも記録後
のアモルファス状態にある記録マークの保存特性が良好
な相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に０．３ｅＶ以下のバンドギャッ
プの小さい半導体からなる結晶化促進層と、Ｉａ族元素
とIIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩｂ族元素、IIｂ
族元素、VIｂ族元素から選ばれる少なくとも一つの元素
とからなる化合物によってなる相変化記録層とで構成さ
れる二層型の記録層を設ける。
のアモルファス状態にある記録マークの保存特性が良好
な相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 基板上に０．３ｅＶ以下のバンドギャッ
プの小さい半導体からなる結晶化促進層と、Ｉａ族元素
とIIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩｂ族元素、IIｂ
族元素、VIｂ族元素から選ばれる少なくとも一つの元素
とからなる化合物によってなる相変化記録層とで構成さ
れる二層型の記録層を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体、特には、初期結晶化工程を必要としない相変化型光
記録媒体に関する。
体、特には、初期結晶化工程を必要としない相変化型光
記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化記録媒体は、結晶状態とアモルフ
ァス状態（非晶質状態）で得られる安定した光の反射率
の差を利用して、記録点を読み取るものである。通常、
レーザ光により記録層を結晶状態とアモルファス状態に
変化させ、二相間の相転移をさせるやり方を利用してい
る。この場合、「記録」がアモルファス状態で、「消
去」が結晶状態となっている。
ァス状態（非晶質状態）で得られる安定した光の反射率
の差を利用して、記録点を読み取るものである。通常、
レーザ光により記録層を結晶状態とアモルファス状態に
変化させ、二相間の相転移をさせるやり方を利用してい
る。この場合、「記録」がアモルファス状態で、「消
去」が結晶状態となっている。
【０００３】しかし、スパッタ法等で記録層を成膜形成
すると、一般的にアモルファス状態（「記録」に相当）
となってしまう傾向がある。この理由から、成膜形成さ
れた記録層をアモルファス状態から結晶状態（「消去」
に相当）に変化させるため、初期結晶化（初期化）の工
程が必要となっている。現在、この初期化工程は１Ｗク
ラスの出力パワーを有する半導体レーザを用いて６０秒
から９０秒かけて記録媒体の前面を結晶状態にしてい
る。そのため、この初期化工程導入に伴うコスト上昇が
問題となっている。
すると、一般的にアモルファス状態（「記録」に相当）
となってしまう傾向がある。この理由から、成膜形成さ
れた記録層をアモルファス状態から結晶状態（「消去」
に相当）に変化させるため、初期結晶化（初期化）の工
程が必要となっている。現在、この初期化工程は１Ｗク
ラスの出力パワーを有する半導体レーザを用いて６０秒
から９０秒かけて記録媒体の前面を結晶状態にしてい
る。そのため、この初期化工程導入に伴うコスト上昇が
問題となっている。
【０００４】この問題を解決するための方法として、結
晶化温度が１２０℃以下の結晶化補助層を設けて初期結
晶化を容易にし、所要時間を短縮することが知られてい
る（例えば、特開平５―３４２６２９号公報）。また、
同様の対策から、結晶化促進層としてＳｂ―Ｔｅ合金層
を用いる方法が知られている（例えば、特開平９―１６
１３１６号公報）。しかし、これらはいずれも初期化時
間は短縮されるが、初期化工程を省くことはできず、工
程として必須のものとなっているため、コスト上昇の問
題がある。
晶化温度が１２０℃以下の結晶化補助層を設けて初期結
晶化を容易にし、所要時間を短縮することが知られてい
る（例えば、特開平５―３４２６２９号公報）。また、
同様の対策から、結晶化促進層としてＳｂ―Ｔｅ合金層
を用いる方法が知られている（例えば、特開平９―１６
１３１６号公報）。しかし、これらはいずれも初期化時
間は短縮されるが、初期化工程を省くことはできず、工
程として必須のものとなっているため、コスト上昇の問
題がある。
【０００５】一方、初期化工程を必要とせず、成膜後に
すでに結晶化がなされる方法として、Ｇｅ―Ｓｂ―Ｔｅ
系光記録材料の結晶化促進層に、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｂｉ―Ｔ
ｅ合金等を用いることが知られている（例えば、特開平
１１―９６５９６号公報）。しかし、Ｂｉ、Ｂｉ2Ｔｅ3
等を結晶化促進層としたときに初期化工程は必要としな
いが、Ｂｉ、Ｂｉ―Ｔｅ合金は極めて結晶化速度が速い
ため、記録後の非晶質である記録マークの保存特性が低
下し、記録マークが消失し易いという問題がある。
すでに結晶化がなされる方法として、Ｇｅ―Ｓｂ―Ｔｅ
系光記録材料の結晶化促進層に、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｂｉ―Ｔ
ｅ合金等を用いることが知られている（例えば、特開平
１１―９６５９６号公報）。しかし、Ｂｉ、Ｂｉ2Ｔｅ3
等を結晶化促進層としたときに初期化工程は必要としな
いが、Ｂｉ、Ｂｉ―Ｔｅ合金は極めて結晶化速度が速い
ため、記録後の非晶質である記録マークの保存特性が低
下し、記録マークが消失し易いという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点を解決するためなされたものであり、初期結晶
化工程を必要とせず、しかも記録後の非晶相からなる記
録マークの保存特性の良好な相変化型光記録媒体を提供
することを目的とするものである。
の問題点を解決するためなされたものであり、初期結晶
化工程を必要とせず、しかも記録後の非晶相からなる記
録マークの保存特性の良好な相変化型光記録媒体を提供
することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】基板上に０．３ｅＶ以下
のバンドギャップの小さい半導体からなる結晶化促進層
と、Ｉａ族元素とIIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩ
ｂ族元素、IIｂ族元素、VIｂ族元素から選ばれる少なく
とも一つの元素との化合物からなる相変化記録層とで構
成される二層型の記録層を設けることにより、初期結晶
化工程を必要としない相変化型光記録媒体が提供され
る。以下、本発明について詳細に説明する。
のバンドギャップの小さい半導体からなる結晶化促進層
と、Ｉａ族元素とIIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩ
ｂ族元素、IIｂ族元素、VIｂ族元素から選ばれる少なく
とも一つの元素との化合物からなる相変化記録層とで構
成される二層型の記録層を設けることにより、初期結晶
化工程を必要としない相変化型光記録媒体が提供され
る。以下、本発明について詳細に説明する。
【０００８】請求項１，２の発明は、基板上に記録層を
少なくとも備えて層構成をなし、光を照射することによ
ってその光学定数を変化させて記録，再生、消去する相
変化型光記録媒体において、前記記録層が結晶化促進層
と相変化記録層との二層からなり、該結晶化促進層が
０．３ｅＶ以下のバンドギャップを有する半導体であ
り、該相変化記録層がＩａ族元素とIIIｂ族元素とＳbと
Ｔeと、さらにＩｂ族元素、IIｂ族元素、VIｂ族元素か
ら選ばれる少なくとも一つの元素とからなる化合物であ
ることを特徴とする相変化型光記録媒体である。ここ
で、前記半導体はＳｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2Ｔ
ｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢｉから選ばれる少なくとも一つ
の元素もしくは化合物を含むものとする。これによっ
て、初期結晶化工程を必要としない相変化型光記録媒体
が提供される。
少なくとも備えて層構成をなし、光を照射することによ
ってその光学定数を変化させて記録，再生、消去する相
変化型光記録媒体において、前記記録層が結晶化促進層
と相変化記録層との二層からなり、該結晶化促進層が
０．３ｅＶ以下のバンドギャップを有する半導体であ
り、該相変化記録層がＩａ族元素とIIIｂ族元素とＳbと
Ｔeと、さらにＩｂ族元素、IIｂ族元素、VIｂ族元素か
ら選ばれる少なくとも一つの元素とからなる化合物であ
ることを特徴とする相変化型光記録媒体である。ここ
で、前記半導体はＳｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2Ｔ
ｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢｉから選ばれる少なくとも一つ
の元素もしくは化合物を含むものとする。これによっ
て、初期結晶化工程を必要としない相変化型光記録媒体
が提供される。
【０００９】請求項３，４の発明は、前記半導体がＳ
ｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、Ｚ
ｎＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素もしくは化合
物とＮａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一つの元素と含むことを
特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体である。
ここで、Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一つの元素の添加
量をＸとするとき、Ｘの範囲は前記半導体の組成中、０
＜Ｘ≦５（重量％）で選択できる。
ｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、Ｚ
ｎＢｉから選ばれる少なくとも一つの元素もしくは化合
物とＮａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一つの元素と含むことを
特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体である。
ここで、Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一つの元素の添加
量をＸとするとき、Ｘの範囲は前記半導体の組成中、０
＜Ｘ≦５（重量％）で選択できる。
【００１０】請求項５，６の発明は、前記Ｉａ族元素と
IIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩｂ族元素、IIｂ族
元素、VIｂ族元素から選ばれる少なくとも一つの元素と
からなる化合物の組成式をＩａxIIIｂyＳｂzＴｅcＭｄ
（式中ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００重量％）とすると
き、ＩaがＮａ、Ｋから選ばれた少なくとも一つの元素
であり、ＭがＡｇ，Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから選ばれた
少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項１
記載の相変化型光記録媒体である。ここで、組成式の各
元素の組成量ｘ、ｙ、ｚ、ｃ、ｄがそれぞれ；０＜ｘ≦
７、０＜ｙ≦１０、５０≦ｚ＜８０、２０＜ｃ≦４０、
０＜ｄ≦５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００（重量
％））の範囲で選択できる。
IIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩｂ族元素、IIｂ族
元素、VIｂ族元素から選ばれる少なくとも一つの元素と
からなる化合物の組成式をＩａxIIIｂyＳｂzＴｅcＭｄ
（式中ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００重量％）とすると
き、ＩaがＮａ、Ｋから選ばれた少なくとも一つの元素
であり、ＭがＡｇ，Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから選ばれた
少なくとも一つの元素であることを特徴とする請求項１
記載の相変化型光記録媒体である。ここで、組成式の各
元素の組成量ｘ、ｙ、ｚ、ｃ、ｄがそれぞれ；０＜ｘ≦
７、０＜ｙ≦１０、５０≦ｚ＜８０、２０＜ｃ≦４０、
０＜ｄ≦５（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００（重量
％））の範囲で選択できる。
【００１１】請求項７の発明は、前記基板と前記相変化
記録層との間に耐熱保護層を設けることを特徴とする請
求項１記載の相変化型光記録媒体である。
記録層との間に耐熱保護層を設けることを特徴とする請
求項１記載の相変化型光記録媒体である。
【００１２】請求項８の発明は、光照射により前記結晶
化促進層と相変化記録層とが溶融合金化して記録され、
該合金化部分中の結晶化促進層成分と相変化記録層成分
との割合（重量％）を結晶化促進層成分／相変化記録層
成分＝Ｙとするとき、０＜Ｙ＜０．１であることを特徴
とする請求項１記載の相変化型光記録媒体である。
化促進層と相変化記録層とが溶融合金化して記録され、
該合金化部分中の結晶化促進層成分と相変化記録層成分
との割合（重量％）を結晶化促進層成分／相変化記録層
成分＝Ｙとするとき、０＜Ｙ＜０．１であることを特徴
とする請求項１記載の相変化型光記録媒体である。
【００１３】請求項１〜８によれば、初期結晶化工程を
必要とせず、しかも記録後において、非晶質の記録マー
クの保存特性が良好な相変化型光記録媒体が提供され
る。
必要とせず、しかも記録後において、非晶質の記録マー
クの保存特性が良好な相変化型光記録媒体が提供され
る。
【００１４】即ち、結晶化促進層は０．３ｅＶ以下の微
小なバンドギャップの半導体が選ばれるが、これはスパ
ッタ時のＡｒガスによるグロー放電の光を吸収し、光結
晶化を促進させる目的を持っている。一般に結晶化は熱
による結晶化と、光による結晶化があるが、本発明では
熱だけでなく光による結晶化を促進するため、結晶化促
進層にバンドギャップの際めて小さな材料を選んでい
る。その例として、Ｓｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2
Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢｉが用いられる。
小なバンドギャップの半導体が選ばれるが、これはスパ
ッタ時のＡｒガスによるグロー放電の光を吸収し、光結
晶化を促進させる目的を持っている。一般に結晶化は熱
による結晶化と、光による結晶化があるが、本発明では
熱だけでなく光による結晶化を促進するため、結晶化促
進層にバンドギャップの際めて小さな材料を選んでい
る。その例として、Ｓｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2
Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢｉが用いられる。
【００１５】また、相変化記録層はＮａ、Ｋから選ばれ
た少なくとも一つの元素と、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌから選ば
れた少なくとも一つの元素、そしてＳｂとＴｅを主成分
とするもので、これにＡｇ，Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから
選ばれた少なくとも一つの元素が添加される。
た少なくとも一つの元素と、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌから選ば
れた少なくとも一つの元素、そしてＳｂとＴｅを主成分
とするもので、これにＡｇ，Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから
選ばれた少なくとも一つの元素が添加される。
【００１６】結晶化促進層は、通常スパッタ法によって
形成され、成膜中に多数の結晶核が生じている。該核に
よって相変化記録層の結晶化をさらに促すための成分と
してＮａ，Ｋ、そしてＩｎ、Ｇａ、Ａｌが用いられる。
この理由は、Ｎａ，Ｋは結合が一配位のため、ターミネ
ータとして働くので原子の動きを容易にし、速やかに結
晶化させることができるためである。また、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ａｌは、原子半径が大きく結晶核となりやすいため
である。
形成され、成膜中に多数の結晶核が生じている。該核に
よって相変化記録層の結晶化をさらに促すための成分と
してＮａ，Ｋ、そしてＩｎ、Ｇａ、Ａｌが用いられる。
この理由は、Ｎａ，Ｋは結合が一配位のため、ターミネ
ータとして働くので原子の動きを容易にし、速やかに結
晶化させることができるためである。また、Ｉｎ、Ｇ
ａ、Ａｌは、原子半径が大きく結晶核となりやすいため
である。
【００１７】ＳｂとＴｅは、相変化記録層の主成分で母
体を形成する元素である。この成分は光照射による結晶
化と非晶質化、即ち、記録，再生、消去等の繰り返し特
性を向上させるために重要である。
体を形成する元素である。この成分は光照射による結晶
化と非晶質化、即ち、記録，再生、消去等の繰り返し特
性を向上させるために重要である。
【００１８】二層構成により記録層は、成膜後、初期結
晶化工程を必要としないが、高温高湿環境下での保存特
性、即ち記録マークが消失するのを改良するため、Ａ
ｇ，Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから選ばれた少なくとも一つ
の元素が加えられる。この理由は、これらの結合配位数
が３以上であるため、常温下での結晶化時間を遅くする
効果があるためである。
晶化工程を必要としないが、高温高湿環境下での保存特
性、即ち記録マークが消失するのを改良するため、Ａ
ｇ，Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから選ばれた少なくとも一つ
の元素が加えられる。この理由は、これらの結合配位数
が３以上であるため、常温下での結晶化時間を遅くする
効果があるためである。
【００１９】結晶化促進層の結晶化をより促進させるた
め、Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一種の元素が加えられ
る。その理由は、Ｎａ、Ｋ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉは結合にお
けるターミネータとして結晶化への再配列を促進させ、
Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａは原子半径が大きく結晶核となりやす
いためである。この場合、これらの元素の添加量をＸと
すると、前記半導体の組成中、０＜Ｘ≦５（重量％）で
ある。５重量％より添加量が多いと保存特性が劣化する
傾向が出てくる。
め、Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂ
ｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一種の元素が加えられ
る。その理由は、Ｎａ、Ｋ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉは結合にお
けるターミネータとして結晶化への再配列を促進させ、
Ｃａ，Ｍｇ，Ｂａは原子半径が大きく結晶核となりやす
いためである。この場合、これらの元素の添加量をＸと
すると、前記半導体の組成中、０＜Ｘ≦５（重量％）で
ある。５重量％より添加量が多いと保存特性が劣化する
傾向が出てくる。
【００２０】ＩａxIIIｂyＳｂzＴｅcＭｄ（式中ｘ＋ｙ
＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００（重量％））で示される相変化記
録層の各元素の組成量ｘ、ｙ、ｚ、ｃ、ｄはそれぞれ；
０＜ｘ≦７、０＜ｙ≦１０、５０≦ｚ＜８０、２０＜ｃ
≦４０、０＜ｄ≦５の範囲にある。この範囲を逸脱する
と信号特性、繰り返し特性等が劣化する。
＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００（重量％））で示される相変化記
録層の各元素の組成量ｘ、ｙ、ｚ、ｃ、ｄはそれぞれ；
０＜ｘ≦７、０＜ｙ≦１０、５０≦ｚ＜８０、２０＜ｃ
≦４０、０＜ｄ≦５の範囲にある。この範囲を逸脱する
と信号特性、繰り返し特性等が劣化する。
【００２１】本発明において、前記基板と前記記録層と
の間に耐熱保護層（例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を設け
た構成とした場合、相変化記録層の結晶化が効果的に進
行する傾向が認められる。耐熱保護層上の結晶化促進層
と相変化記録層の順序はいずれが上下の構成でも構わな
い。
の間に耐熱保護層（例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ2）を設け
た構成とした場合、相変化記録層の結晶化が効果的に進
行する傾向が認められる。耐熱保護層上の結晶化促進層
と相変化記録層の順序はいずれが上下の構成でも構わな
い。
【００２２】記録時には、結晶化促進層と相変化記録層
はいずれも融点が１０００℃以下であり、結晶化促進層
と相変化記録層がレーザ光エネルギーを充分に吸収して
溶融するため、二層は合金化する。これにより、記録さ
れる。光照射により前記結晶化促進層と相変化記録層と
が溶融合金化して記録され、該合金化部分中の結晶化促
進層成分と相変化記録層成分との割合（重量％）を結晶
化促進層成分／相変化記録層成分＝Ｙとするとき、０＜
Ｙ＜０．１の範囲となるようにする必要がある。この理
由は、合金化した際Ｙが１０より大きくなると結晶化を
促進し、保存特性が劣化するためである。
はいずれも融点が１０００℃以下であり、結晶化促進層
と相変化記録層がレーザ光エネルギーを充分に吸収して
溶融するため、二層は合金化する。これにより、記録さ
れる。光照射により前記結晶化促進層と相変化記録層と
が溶融合金化して記録され、該合金化部分中の結晶化促
進層成分と相変化記録層成分との割合（重量％）を結晶
化促進層成分／相変化記録層成分＝Ｙとするとき、０＜
Ｙ＜０．１の範囲となるようにする必要がある。この理
由は、合金化した際Ｙが１０より大きくなると結晶化を
促進し、保存特性が劣化するためである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下本発明の構成を図面を参照し
て具体的に説明する。図1は、相変化型光記録媒体の構
成例を示す概略断面図で、光ガイド用の案内溝を有する
基板１の上に、下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱
保護層４、反射放熱層５が設けられている。ここで、記
録層３は、結晶化促進層３Ａと相変化記録層３Ｂから構
成されている。
て具体的に説明する。図1は、相変化型光記録媒体の構
成例を示す概略断面図で、光ガイド用の案内溝を有する
基板１の上に、下部耐熱保護層２、記録層３、上部耐熱
保護層４、反射放熱層５が設けられている。ここで、記
録層３は、結晶化促進層３Ａと相変化記録層３Ｂから構
成されている。
【００２４】基板１の材料は通常、ガラス、セラッミッ
クス、あるいは樹脂が用いられるが、樹脂基板が成形性
の点で好ましい。代表例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネー
ト樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カ
ード状、あるいはシート状のいずれであってもよい。
クス、あるいは樹脂が用いられるが、樹脂基板が成形性
の点で好ましい。代表例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げら
れるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネー
ト樹脂が好ましい。また、基板の形状はディスク状、カ
ード状、あるいはシート状のいずれであってもよい。
【００２５】耐熱保護層２および４は、各種気相成長
法、例えば真空蒸着法、スパッタ法、電子ビーム法等に
より形成できる。また、その膜厚は機能、即ち、耐熱
性、多重干渉性としての機能によっても異なるが、下部
耐熱保護層は５００Å〜３０００Å、好ましくは８００
Å〜２０００Åとするのがよい。また、上部耐熱保護層
は１００Å〜１０００Å、好ましくは１５０Å〜３５０
Åとするのがよい。耐熱保護層として使用する材料とし
ては、ＺｎＳとＳｉＯ2の複合系誘電材料が好適であ
る。記録層３は、結晶化促進層３Ａと相変化記録層３Ｂ
からなり、各種気相成長法を利用して成膜される。結晶
化促進層３Ａは、１０Å〜７０Å、好ましくは、２０Å
〜４０Åの膜厚がよく、相変化記録層３Ｂは１００Å〜
３００Å、好ましくは、１５０Å〜２００Åの膜厚がよ
い。また、反射放熱層５は、各種金属、合金が使用可能
であるが、特にＡｌ―Ｔｉ、Ａｌ―Ｎｉ、Ａｌ―Ｍｎ、
Ａｌ―Ｃｒ、Ａｌ―Ｚｒ、Ａｌ―Ｓｉ等のＡｌ合金やＡ
ｇ―Ｐｄ等のＡｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸
着法、スパッタ法、電子ビーム法等により形成され、そ
の膜厚は２００Å〜３０００Å、好ましくは、５０Åか
ら２０００Åがよい。
法、例えば真空蒸着法、スパッタ法、電子ビーム法等に
より形成できる。また、その膜厚は機能、即ち、耐熱
性、多重干渉性としての機能によっても異なるが、下部
耐熱保護層は５００Å〜３０００Å、好ましくは８００
Å〜２０００Åとするのがよい。また、上部耐熱保護層
は１００Å〜１０００Å、好ましくは１５０Å〜３５０
Åとするのがよい。耐熱保護層として使用する材料とし
ては、ＺｎＳとＳｉＯ2の複合系誘電材料が好適であ
る。記録層３は、結晶化促進層３Ａと相変化記録層３Ｂ
からなり、各種気相成長法を利用して成膜される。結晶
化促進層３Ａは、１０Å〜７０Å、好ましくは、２０Å
〜４０Åの膜厚がよく、相変化記録層３Ｂは１００Å〜
３００Å、好ましくは、１５０Å〜２００Åの膜厚がよ
い。また、反射放熱層５は、各種金属、合金が使用可能
であるが、特にＡｌ―Ｔｉ、Ａｌ―Ｎｉ、Ａｌ―Ｍｎ、
Ａｌ―Ｃｒ、Ａｌ―Ｚｒ、Ａｌ―Ｓｉ等のＡｌ合金やＡ
ｇ―Ｐｄ等のＡｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸
着法、スパッタ法、電子ビーム法等により形成され、そ
の膜厚は２００Å〜３０００Å、好ましくは、５０Åか
ら２０００Åがよい。
【００２６】
【実施例】以下、本発明を実施例により、さらに説明す
る。ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの案内溝付き
で、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネ
ート基板１上に、表１、２、３に示す構成により、それ
ぞれ下部耐熱保護層２、結晶化促進層３Ａ、相変化記録
相３Ｂ、上部耐熱保護層４、および反射放熱層５を順次
スパッタ法により積層した。
る。ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの案内溝付き
で、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネ
ート基板１上に、表１、２、３に示す構成により、それ
ぞれ下部耐熱保護層２、結晶化促進層３Ａ、相変化記録
相３Ｂ、上部耐熱保護層４、および反射放熱層５を順次
スパッタ法により積層した。
【００２７】
【表１】
【００２８】
【表２】
【００２９】
【表３】
【００３０】このようにして得られた膜の構造をＸ線回
折により解析し、成膜後の結晶化が成されているかどう
かを確認した。
折により解析し、成膜後の結晶化が成されているかどう
かを確認した。
【００３１】そして、次に初期の信号特性とオーバライ
ト特性、保持特性を評価した。記録線速は７．０ｍ／
ｓ、記録パワー１３ｍＷ、再生線速は３．５ｍ／ｓ、再
生パワー０．８ｍＷで行った。記録信号はＥＦＭランダ
ムパターンである。また、保存特性はあらかじめ記録し
た記録媒体を８０℃、８５％相対湿度雰囲気下に１００
時間保存後の信号特性を３Ｔ信号のジッターにより評価
した。以上の結果を表４に示す。
ト特性、保持特性を評価した。記録線速は７．０ｍ／
ｓ、記録パワー１３ｍＷ、再生線速は３．５ｍ／ｓ、再
生パワー０．８ｍＷで行った。記録信号はＥＦＭランダ
ムパターンである。また、保存特性はあらかじめ記録し
た記録媒体を８０℃、８５％相対湿度雰囲気下に１００
時間保存後の信号特性を３Ｔ信号のジッターにより評価
した。以上の結果を表４に示す。
【００３２】
【表４】
【００３３】表４から、本発明の結晶化促進層３Ａと相
変化記録層３Ｂからなる記録層３を用いた記録媒体は、
成膜後全て結晶化しており、初期結晶化工程を必要とし
ないことが判る。
変化記録層３Ｂからなる記録層３を用いた記録媒体は、
成膜後全て結晶化しており、初期結晶化工程を必要とし
ないことが判る。
【００３４】一方、比較例４では、結晶化促進層に（Ｓ
ｎＴｅ）95Ｂａ5を用い、相変化記録層にＡｇ2Ｉｎ8Ｓ
ｂ65Ｔｅ25を用いたとき、成膜後の記録層はアモルファ
ス（非晶質）であり、結晶化はしていなかった。このこ
とから、結晶化促進層により、相変化記録層を成膜後結
晶化させるためには、本発明の記録材料構成が必要なこ
とが判った。なお、非晶質中に部分的に結晶核があり、
結晶化促進層を有しない時と比較して結晶化促進層３Ａ
の機能そのものはあることが確認された。
ｎＴｅ）95Ｂａ5を用い、相変化記録層にＡｇ2Ｉｎ8Ｓ
ｂ65Ｔｅ25を用いたとき、成膜後の記録層はアモルファ
ス（非晶質）であり、結晶化はしていなかった。このこ
とから、結晶化促進層により、相変化記録層を成膜後結
晶化させるためには、本発明の記録材料構成が必要なこ
とが判った。なお、非晶質中に部分的に結晶核があり、
結晶化促進層を有しない時と比較して結晶化促進層３Ａ
の機能そのものはあることが確認された。
【００３５】また、比較例１では、結晶化促進層３Ａと
して（ＳｎＴｅ）95Ｂａ5、を、また相変化記録層３Ｂ
としてＮａ2Ｉｎ5Ｓｂ63Ｔｅ30を用いているが、この場
合、保存中に記録マークが消失している。これは、相変
化記録層３Ｂに用いられている組成が本発明と異なり、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉの中の少なくとも一つの
元素が加えられていないために結晶化が進行したもので
ある。
して（ＳｎＴｅ）95Ｂａ5、を、また相変化記録層３Ｂ
としてＮａ2Ｉｎ5Ｓｂ63Ｔｅ30を用いているが、この場
合、保存中に記録マークが消失している。これは、相変
化記録層３Ｂに用いられている組成が本発明と異なり、
Ａｇ、Ｃｕ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉの中の少なくとも一つの
元素が加えられていないために結晶化が進行したもので
ある。
【００３６】比較例２では、結晶化促進層にＢｉを用
い、相変化記録層として本発明のＮａ 2Ｓｂ13Ｔｅ27Ｇ
ｅ3を用いているが、この場合保存特性において記録マ
ークが消失している。これはＢｉは結晶化促進としては
有効な材料であるが、記録マークを保持する点からは不
充分である。
い、相変化記録層として本発明のＮａ 2Ｓｂ13Ｔｅ27Ｇ
ｅ3を用いているが、この場合保存特性において記録マ
ークが消失している。これはＢｉは結晶化促進としては
有効な材料であるが、記録マークを保持する点からは不
充分である。
【００３７】さらに、比較例３は、Ｂｉの替わりにＢｉ
2Ｔｅ3を用いたが、この場合も記録マークは消失してい
る。
2Ｔｅ3を用いたが、この場合も記録マークは消失してい
る。
【００３８】実施例１〜８ 記録層として本発明の結晶化促進層３Ａと相変化記録層
３Ｂを用いた場合には、全て成膜後ＮａＣｌ型の結晶構
造を持つ多結晶となっており、初期結晶化の工程を必要
としない。またマークの消失も認められず、優れた保存
特性を持つことが確認された。
３Ｂを用いた場合には、全て成膜後ＮａＣｌ型の結晶構
造を持つ多結晶となっており、初期結晶化の工程を必要
としない。またマークの消失も認められず、優れた保存
特性を持つことが確認された。
【００３９】
【発明の効果】記録媒体を構成する記録層が二層からな
り、その記録層の結晶化を促進する結晶化促進層が０．
３ｅＶ以下の微小バンドギャップ半導体である、Ｓｎ、
ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢ
ｉから選ばれ、これにＮａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、
Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた少なくとも一つ
の元素を加えた組成とし、かつ相変化記録層がＳｂとＴ
ｅとＮａとＫから選ばれた少なくとも一つの元素とＩｎ
とＧａとＡｌから選ばれた少なくとも一つの元素を主成
分とし、これにＡｇ、Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉから選ばれ
た少なくとも一つの元素を加えた組成とすることによ
り、初期結晶化工程を必要とせず、保存性、および繰り
返し特性の良好な相変化型光記録媒体が得られる。
り、その記録層の結晶化を促進する結晶化促進層が０．
３ｅＶ以下の微小バンドギャップ半導体である、Ｓｎ、
ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ａｇ2Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢ
ｉから選ばれ、これにＮａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、
Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれた少なくとも一つ
の元素を加えた組成とし、かつ相変化記録層がＳｂとＴ
ｅとＮａとＫから選ばれた少なくとも一つの元素とＩｎ
とＧａとＡｌから選ばれた少なくとも一つの元素を主成
分とし、これにＡｇ、Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ、Ｓｉから選ばれ
た少なくとも一つの元素を加えた組成とすることによ
り、初期結晶化工程を必要とせず、保存性、および繰り
返し特性の良好な相変化型光記録媒体が得られる。
【図１】基板上に結晶化促進層と相変化記録層の二層構
成からなる記録層を設けた相変化型光記録媒体の概略断
面図である。
成からなる記録層を設けた相変化型光記録媒体の概略断
面図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ３Ａ 結晶化促進層 ３Ｂ 相変化記録相層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 花岡 克成 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA12 EA23 EA48 FA01 FA14 FA23 FA37 FB06 FB07 FB10 FB12 FB17 FB18 FB19 FB20 FB26 FB30 GA03 5D029 JA01 JA10 JB03 JB05 JC17 MA38
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に記録層を少なくとも備えて層構
成をなし、光を照射することによってその光学定数を変
化させて記録，再生、消去を行う相変化型光記録媒体に
おいて、前記記録層が結晶化促進層と相変化記録層との
二層からなり、該結晶化促進層が０．３ｅＶ以下のバン
ドギャップを有する半導体であり、該相変化記録層がＩ
ａ族元素とIIIｂ族元素とＳbとＴeと、さらにＩｂ族元
素、IIｂ族元素、VIｂ族元素から選ばれる少なくとも一
つの元素とからなる化合物であることを特徴とする相変
化型光記録媒体。 - 【請求項２】 前記半導体がＳｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴ
ｅ、Ａｇ2Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢｉから選ばれる少
なくとも一つの元素もしくは化合物を含むことを特徴と
する請求項１記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項３】 前記半導体がＳｎ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴ
ｅ、Ａｇ2Ｔｅ、Ｍｇ3Ｂｉ2、ＺｎＢｉとＮａ、Ｃａ、
Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、Ａｌ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれ
る少なくとも一つの元素とを含むことを特徴とする請求
項１記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項４】 前記Ｎａ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ｋ、Ｐ、
Ａｌ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉから選ばれる少なくとも一つの元
素の添加量をＸとするとき、Ｘの範囲が前記半導体の組
成中、０＜Ｘ≦５（重量％）であることを特徴とする請
求項３記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項５】 前記Ｉａ族元素とIIIｂ族元素とＳbとＴ
eと、さらにＩｂ族元素、IIｂ族元素、VIｂ族元素から
選ばれる少なくとも一つの元素とからなる化合物の組成
式をＩａxIIIｂyＳｂzＴｅcＭｄ（式中ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｃ
＋ｄ＝１００（重量％））とするとき、ＩaがＮａ、Ｋ
から選ばれた少なくとも一つの元素であり、ＭがＡｇ，
Ｃｕ、Ｂ、Ｇｅ，Ｓｉから選ばれた少なくとも一つの元
素であることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記
録媒体。 - 【請求項６】 前記組成式の各元素の組成量ｘ、ｙ、
ｚ、ｃ、ｄがそれぞれ；０＜ｘ≦７、０＜ｙ≦１０、５
０≦ｚ＜８０、２０＜ｃ≦４０、０＜ｄ≦５（但し、ｘ
＋ｙ＋ｚ＋ｃ＋ｄ＝１００（重量％））であることを特
徴とする請求項５記載の相変化型光記録媒体。 - 【請求項７】 前記基板と前記相変化記録層との間に耐
熱保護層を設けることを特徴とする請求項１記載の相変
化型光記録媒体。 - 【請求項８】 光照射により前記結晶化促進層と相変化
記録層とが溶融合金化して記録され、該合金化部分中の
結晶化促進層成分と相変化記録層成分との割合（重量
％）を結晶化促進層成分／相変化記録層成分＝Ｙとする
とき、０＜Ｙ＜０．１であることを特徴とする請求項１
記載の相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001059585A JP2002254816A (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001059585A JP2002254816A (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002254816A true JP2002254816A (ja) | 2002-09-11 |
Family
ID=18919126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001059585A Pending JP2002254816A (ja) | 2001-03-05 | 2001-03-05 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002254816A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005049333A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, spattering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
-
2001
- 2001-03-05 JP JP2001059585A patent/JP2002254816A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005049333A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, spattering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| US7384678B2 (en) | 2003-11-10 | 2008-06-10 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium and process for producing the same, sputtering target, using process of optical recording medium, and optical recording apparatus |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| US7485357B2 (en) | 2003-11-26 | 2009-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0516528A (ja) | 光記録媒体 | |
| EP1132904A2 (en) | Information recording medium and method of manufacturing the same | |
| JP2001322357A (ja) | 情報記録媒体およびその製造方法 | |
| JP2002254816A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JPH08106647A (ja) | 相変化型記録媒体 | |
| JP2003231354A (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPH08249725A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造に用いられる耐熱性保護層用材料 | |
| KR20010093135A (ko) | 게르마늄-안티몬-텔루르 기록층을 구비한 광 기록매체 | |
| JP2003335065A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004174868A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP3920731B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2003011503A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH03165341A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JP4171438B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002002106A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2005119194A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2002002116A (ja) | 光情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2003039827A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2004181742A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2003285558A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2002264514A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2002269859A (ja) | 相変化型光情報記録媒体および該相変化型光情報記録媒体の製造方法 | |
| JPH1196596A (ja) | 反射型光情報記録媒体 | |
| JPH11245515A (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP2002319183A (ja) | 光記録媒体 |