JP2003011503A - 光記録媒体 - Google Patents
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- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録前後における反射率の差が大きく、Ｓ／
Ｎ比がよく、また、記録感度が高く、記録マークの消去
の可能性が全くなく、耐候性にも優れたライトワンス型
光記録媒体を提供すること。 【解決手段】 光を照射することにより記録層の光学定
数に変化を与えることにより記録するライトワンス型記
録媒体において、その記録層が２層からなり、その一つ
の層がＺｎからなり、他の層がＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選
ばれる少なくとも一つの元素とＴｅとからなることを特
徴とする光記録媒体。
Ｎ比がよく、また、記録感度が高く、記録マークの消去
の可能性が全くなく、耐候性にも優れたライトワンス型
光記録媒体を提供すること。 【解決手段】 光を照射することにより記録層の光学定
数に変化を与えることにより記録するライトワンス型記
録媒体において、その記録層が２層からなり、その一つ
の層がＺｎからなり、他の層がＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選
ばれる少なくとも一つの元素とＴｅとからなることを特
徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ライトワンス型の
光記録媒体に関する。
光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ライトワンス型の記録媒体としては、レ
ーザ照射により媒体にピット（穴）をあける方法や、相
変化や合金化等による構造変化を生じさせて反射率を変
化させて情報を記録させる方法が提案されている。例え
ばピット方式の場合は、Ｔｅ膜を用いた検討が進み、そ
の中で耐環境性を改善するためにＳｅやＣを添加した案
やＣＳ2−Ｔｅ膜の検討も進められた（以上、記録・記
憶技術ハンドブック（Ｐ５４３〜５４６）丸善）。一
方、相変化方式としては、ＴｅＯｘ及びこれらにＧｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ等を添加した案も提案されている（記録・記
憶技術ハンドブック（Ｐ５４６）。また、合金化による
方法としては、（Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ）の元素群から選択
された少なくとも一種類の元素と（Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、
Ｃｕ）の元素群から選択された少なくとも一種類の元素
とを主成分とする合金を記録層として、これにレーザ光
を照射して、合金の原子配列を変化させて、反射率の変
化を利用する方法や、これらの２つの元素群を各々積層
したものを記録層としてレーザ照射することにより、照
射部を合金化させる方法（特開平４−２２６７８４号公
報）が提案されている。また、２層による方法として
は、Ｓｂ2Ｓｅ3とＢｉ2Ｔｅ3を記録層とする方法もある
（光記録技術と材料、Ｐ９４、シーエムシー）。
ーザ照射により媒体にピット（穴）をあける方法や、相
変化や合金化等による構造変化を生じさせて反射率を変
化させて情報を記録させる方法が提案されている。例え
ばピット方式の場合は、Ｔｅ膜を用いた検討が進み、そ
の中で耐環境性を改善するためにＳｅやＣを添加した案
やＣＳ2−Ｔｅ膜の検討も進められた（以上、記録・記
憶技術ハンドブック（Ｐ５４３〜５４６）丸善）。一
方、相変化方式としては、ＴｅＯｘ及びこれらにＧｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ等を添加した案も提案されている（記録・記
憶技術ハンドブック（Ｐ５４６）。また、合金化による
方法としては、（Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ）の元素群から選択
された少なくとも一種類の元素と（Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、
Ｃｕ）の元素群から選択された少なくとも一種類の元素
とを主成分とする合金を記録層として、これにレーザ光
を照射して、合金の原子配列を変化させて、反射率の変
化を利用する方法や、これらの２つの元素群を各々積層
したものを記録層としてレーザ照射することにより、照
射部を合金化させる方法（特開平４−２２６７８４号公
報）が提案されている。また、２層による方法として
は、Ｓｂ2Ｓｅ3とＢｉ2Ｔｅ3を記録層とする方法もある
（光記録技術と材料、Ｐ９４、シーエムシー）。
【０００３】しかしながら、上記特開平４−２２６７８
４号公報に開示されている合金化による方法は、レーザ
照射による反射率の変動が少なく、十分な記録特性を確
保できない。また、Ｓｂ2Ｓｅ3とＢｉ2Ｔｅ3を積層化し
てこれを記録膜とする案は、Ｓｂ2Ｓｅ3の結晶と非結晶
の相転移を利用するものであり、時としてデータを消去
してしまう危険性がある。
４号公報に開示されている合金化による方法は、レーザ
照射による反射率の変動が少なく、十分な記録特性を確
保できない。また、Ｓｂ2Ｓｅ3とＢｉ2Ｔｅ3を積層化し
てこれを記録膜とする案は、Ｓｂ2Ｓｅ3の結晶と非結晶
の相転移を利用するものであり、時としてデータを消去
してしまう危険性がある。
【０００４】前記に示されたライトワンス型記録媒体
は、ピット式、相変化方式、合金化方式等、それぞれの
特徴を有するが、耐環境性、記録特性、記録マークの保
存性等にそれぞれ問題を有する。
は、ピット式、相変化方式、合金化方式等、それぞれの
特徴を有するが、耐環境性、記録特性、記録マークの保
存性等にそれぞれ問題を有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来技術に鑑みて、記録前後における反射率の
差が大きく、Ｓ／Ｎ比がよく、また、記録感度も高く、
記録マークの消去の可能性が全くなく、耐候性にも優れ
たライトワンス型光記録媒体を提供することを目的にあ
る。
は、上記従来技術に鑑みて、記録前後における反射率の
差が大きく、Ｓ／Ｎ比がよく、また、記録感度も高く、
記録マークの消去の可能性が全くなく、耐候性にも優れ
たライトワンス型光記録媒体を提供することを目的にあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「光を照射することにより記録層の光学定数に変
化を与えることにより記録するライトワンス型記録媒体
において、その記録層が２つの層からなり、その一つの
層がＺｎからなり、他の層がＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選ば
れる少なくとも一つの元素とＴｅとからなることを特徴
とする光記録媒体」、（２）「記録層を構成するＢｉ、
Ｓｂ、Ｓｎから選ばれた少なくとも一つの元素とＴｅと
から成る合金をＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＢｉの場合
５≦ｘ≦６０（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする
前記第（１）項に記載の光記録媒体」、（３）「記録層
を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選ばれた少なくとも一
つの元素とＴｅとから成る化合物をＭxＴｅ1-xとすると
き、ＭがＳｂの場合５≦ｘ≦８０（ａｔ％）の範囲にあ
ることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体」、（４）記録層を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選
ばれた少なくとも一つの元素とＴｅとから成る化合物を
ＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＳｎの場合１０≦ｘ≦６０
（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする前記第（１）
項に記載の光記録媒体」、（５）「化合物組成がＢｉ2
Ｔｅ3、Ｓｂ2Ｔｅ3、ＳｎＴｅであることを特徴とする
前記第（２）項乃至第（４）項の何れか１に記載の光記
録媒体」により達成される。
（１）「光を照射することにより記録層の光学定数に変
化を与えることにより記録するライトワンス型記録媒体
において、その記録層が２つの層からなり、その一つの
層がＺｎからなり、他の層がＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選ば
れる少なくとも一つの元素とＴｅとからなることを特徴
とする光記録媒体」、（２）「記録層を構成するＢｉ、
Ｓｂ、Ｓｎから選ばれた少なくとも一つの元素とＴｅと
から成る合金をＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＢｉの場合
５≦ｘ≦６０（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする
前記第（１）項に記載の光記録媒体」、（３）「記録層
を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選ばれた少なくとも一
つの元素とＴｅとから成る化合物をＭxＴｅ1-xとすると
き、ＭがＳｂの場合５≦ｘ≦８０（ａｔ％）の範囲にあ
ることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体」、（４）記録層を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選
ばれた少なくとも一つの元素とＴｅとから成る化合物を
ＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＳｎの場合１０≦ｘ≦６０
（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする前記第（１）
項に記載の光記録媒体」、（５）「化合物組成がＢｉ2
Ｔｅ3、Ｓｂ2Ｔｅ3、ＳｎＴｅであることを特徴とする
前記第（２）項乃至第（４）項の何れか１に記載の光記
録媒体」により達成される。
【０００７】以下に、本発明を詳細に説明する。上述の
ように本発明は、ライトワンス型の光記録媒体において
記録層がＺｎから成る層と、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅから選ば
れる少なくとも一つの元素とＴｅから作られる合金層の
二層から成り、光の照射によりＺｎ層と合金層が熱と光
の効果により、合金化してその記録部の屈折率が変化す
ることにより記録再生を行なう。このときの合金化は、
合金層のＢｉ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅは、その
バンドギャップが０．３ｅｖ以下と極めて小さいため
に、光の吸収がよく、この吸収に伴う発熱効果とカルコ
ゲン化合物に対するＺｎのフォトドーブが相乗して効率
よく合金化する現象を利用することを特徴とする。これ
により、記録前後での光学定数の変化を大きくすること
が可能となり、高いＣ／Ｎを実現することが可能であ
り、穴あけタイプと異なりマーク周辺にムラがなくきれ
いなマークが記録できる。基本的には、ポリカーボネー
ト基板上にＺｎ層、カルコゲン合金層を設ける構成とな
るので好ましいが、この逆の層構成でも全く問題はな
い。
ように本発明は、ライトワンス型の光記録媒体において
記録層がＺｎから成る層と、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅから選ば
れる少なくとも一つの元素とＴｅから作られる合金層の
二層から成り、光の照射によりＺｎ層と合金層が熱と光
の効果により、合金化してその記録部の屈折率が変化す
ることにより記録再生を行なう。このときの合金化は、
合金層のＢｉ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅは、その
バンドギャップが０．３ｅｖ以下と極めて小さいため
に、光の吸収がよく、この吸収に伴う発熱効果とカルコ
ゲン化合物に対するＺｎのフォトドーブが相乗して効率
よく合金化する現象を利用することを特徴とする。これ
により、記録前後での光学定数の変化を大きくすること
が可能となり、高いＣ／Ｎを実現することが可能であ
り、穴あけタイプと異なりマーク周辺にムラがなくきれ
いなマークが記録できる。基本的には、ポリカーボネー
ト基板上にＺｎ層、カルコゲン合金層を設ける構成とな
るので好ましいが、この逆の層構成でも全く問題はな
い。
【０００８】また、膜厚はＺｎ層は５０Å〜３５０Åの
範囲、好ましくは７５Å〜２００Åの範囲がよく、また
カルコゲン合金層は、５０Å〜３００Åの範囲、好まし
くは１００Å〜２００Åの範囲がよい。また、この膜厚
にすることにより、干渉効果により記録モードをｈｉｇ
ｈ ｔｏ ｌｏｗにすることができ、反射率も記録時に
４５％以上にすることが可能である。また、この高い反
射率でもカルコゲン合金層にバンドギャップの小さなＢ
ｉ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅを用いているため
に、光の吸収効率が良好なために感度が劣化することも
ない高い記録感度を有する。
範囲、好ましくは７５Å〜２００Åの範囲がよく、また
カルコゲン合金層は、５０Å〜３００Åの範囲、好まし
くは１００Å〜２００Åの範囲がよい。また、この膜厚
にすることにより、干渉効果により記録モードをｈｉｇ
ｈ ｔｏ ｌｏｗにすることができ、反射率も記録時に
４５％以上にすることが可能である。また、この高い反
射率でもカルコゲン合金層にバンドギャップの小さなＢ
ｉ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｎ−Ｔｅを用いているため
に、光の吸収効率が良好なために感度が劣化することも
ない高い記録感度を有する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を図１を参照
して具体的に説明する。これは、本発明による光記録媒
体の構成を示したもので、案内溝を有する基板（１）の
上に二層の記録層（２）と（３）、そしてその上に環境
保護層（４）が順次設けられている。（第１記録層が
（２）、第二記録層が（３））。
して具体的に説明する。これは、本発明による光記録媒
体の構成を示したもので、案内溝を有する基板（１）の
上に二層の記録層（２）と（３）、そしてその上に環境
保護層（４）が順次設けられている。（第１記録層が
（２）、第二記録層が（３））。
【００１０】基板（１）の材料は、通常、ガラス、セラ
ミック、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の
点で好ましい。代表例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げ
られるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネ
ート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク
状、カード状、あるいはシート状であってもよい。
ミック、あるいは樹脂が用いられ、樹脂基板が成形性の
点で好ましい。代表例としては、ポリカーボネート樹
脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹
脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げ
られるが、加工性、光学特性などの点からポリカーボネ
ート樹脂が好ましい。また、基板の形状は、ディスク
状、カード状、あるいはシート状であってもよい。
【００１１】記録層は、ポリカーボネート基板上にＺｎ
層と、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｎの中から選ばれた少なくとも一
つの元素とＴｅからなるカルコゲン合金を順次積層す
る。この順序は逆でもよい。成膜法としては、各種気相
成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビ
ーム法があるが、特にスパッタリング法が好ましい。Ｚ
ｎの膜厚は、５０Å〜３５０Åの範囲、好ましくは７５
Å〜２００Åの範囲がよい。また、カルコゲン合金膜は
５０Å〜３００Åの範囲、好ましくは１００Å〜２００
Åの範囲がよい。
層と、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｎの中から選ばれた少なくとも一
つの元素とＴｅからなるカルコゲン合金を順次積層す
る。この順序は逆でもよい。成膜法としては、各種気相
成長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビ
ーム法があるが、特にスパッタリング法が好ましい。Ｚ
ｎの膜厚は、５０Å〜３５０Åの範囲、好ましくは７５
Å〜２００Åの範囲がよい。また、カルコゲン合金膜は
５０Å〜３００Åの範囲、好ましくは１００Å〜２００
Åの範囲がよい。
【００１２】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳しく説明す
る。ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付き、厚さ
０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ中のポリカーボネート基板
上に表１の示方構成により、記録層としてＺｎ層とカル
コゲン合金層を順次スパッタ法により設けた。但し、Ｚ
ｎ層とカルコゲン合金層が逆の場合もある。ここでは、
記録層を第１記録層と第２記録層として表１に示す。
る。ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの溝付き、厚さ
０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ中のポリカーボネート基板
上に表１の示方構成により、記録層としてＺｎ層とカル
コゲン合金層を順次スパッタ法により設けた。但し、Ｚ
ｎ層とカルコゲン合金層が逆の場合もある。ここでは、
記録層を第１記録層と第２記録層として表１に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】また、得られた記録媒体の信号特性は、Ｃ
／Ｎ比と記録前の反射率、記録前後のコントラストで評
価した。記録信号はＥＦＭランダムパターン、記録パワ
ーは、８ｍｗ、１０ｍｗ、１２ｍｗ、記録線速は６ｍ／
ｓで行ない、再生信号のＣ／Ｎ等は３Ｔ信号で評価し
た。ここで記録再生用の光源である半導体レーザの波長
は６５０ｎｍである。
／Ｎ比と記録前の反射率、記録前後のコントラストで評
価した。記録信号はＥＦＭランダムパターン、記録パワ
ーは、８ｍｗ、１０ｍｗ、１２ｍｗ、記録線速は６ｍ／
ｓで行ない、再生信号のＣ／Ｎ等は３Ｔ信号で評価し
た。ここで記録再生用の光源である半導体レーザの波長
は６５０ｎｍである。
【００１５】ここで、実施例１〜３は第１記録層として
Ｚｎ、第二記録層がＢｉ2Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3
を各々用い、実施例４〜６は、第一記録層としてＳｂ2
Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3を各々用い、第二記録層
としてＺｎを用いた。また、比較例は、Ｂｉ2Ｔｅ3を用
いた。
Ｚｎ、第二記録層がＢｉ2Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3
を各々用い、実施例４〜６は、第一記録層としてＳｂ2
Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｂｉ2Ｔｅ3を各々用い、第二記録層
としてＺｎを用いた。また、比較例は、Ｂｉ2Ｔｅ3を用
いた。
【００１６】
【表２−１】
【００１７】
【表２−２】
【００１８】以上のように、本発明の記録媒体を構成す
る記録層が二層からなり、その第一記録層がＺｎであ
り、第２記録層がカルコゲン化合物としてのＢｉ2Ｔ
ｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3を用いることにより、その
信号特性は記録による反射率が低くなるｈｉｇｈ ｔｏ
ｌｏｗモードであり、Ｃ／Ｎ比、モジスレーションが
共に高い値を示す極めて特性的な良好な記録媒体が実現
された。この場合、第１記録層をＺｎからＢｉ2Ｔｅ3、
ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3に変え、第二記録層をＺｎとして
もよく、共に高感度である。この二つの記録層による高
い性能の実現の原因は、まだ明確でないが、、ＺｎのＢ
ｉ2Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3の拡散による合金化と
考えられる。また、実施例ではカルコゲン合金はＢｉ2
Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3の化合物組成を示してい
るが、Ｂｉ−Ｔｅの場合は、Ｂｉの量は５〜６０ａｔ％
の範囲内、またＳｂ−Ｔｅ合金の場合は、Ｓｂの量が５
≦ｘ≦８０ａｔ％の範囲内、そしてＳｎ−Ｔｅ合金の場
合は、Ｓｎの量が１０〜６０ａｔ％の範囲内の組成の合
金を用いて良好な特性を示すことがわかった。但し、組
成が変化すると反射率が変化するが、これは第一記録層
と第二記録層の膜厚の調整による干渉効果をより利用し
て補正できる。また、実施例には具体的に示していない
が、この発明により作られた記録媒体を８０℃、８５％
環境下に３００時間保存後の記録媒体に記録されたマ−
クの再生信号にほとんど劣化が認められず耐候性に優れ
ていることがわかつた。
る記録層が二層からなり、その第一記録層がＺｎであ
り、第２記録層がカルコゲン化合物としてのＢｉ2Ｔ
ｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3を用いることにより、その
信号特性は記録による反射率が低くなるｈｉｇｈ ｔｏ
ｌｏｗモードであり、Ｃ／Ｎ比、モジスレーションが
共に高い値を示す極めて特性的な良好な記録媒体が実現
された。この場合、第１記録層をＺｎからＢｉ2Ｔｅ3、
ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3に変え、第二記録層をＺｎとして
もよく、共に高感度である。この二つの記録層による高
い性能の実現の原因は、まだ明確でないが、、ＺｎのＢ
ｉ2Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3の拡散による合金化と
考えられる。また、実施例ではカルコゲン合金はＢｉ2
Ｔｅ3、ＳｎＴｅ、Ｓｂ2Ｔｅ3の化合物組成を示してい
るが、Ｂｉ−Ｔｅの場合は、Ｂｉの量は５〜６０ａｔ％
の範囲内、またＳｂ−Ｔｅ合金の場合は、Ｓｂの量が５
≦ｘ≦８０ａｔ％の範囲内、そしてＳｎ−Ｔｅ合金の場
合は、Ｓｎの量が１０〜６０ａｔ％の範囲内の組成の合
金を用いて良好な特性を示すことがわかった。但し、組
成が変化すると反射率が変化するが、これは第一記録層
と第二記録層の膜厚の調整による干渉効果をより利用し
て補正できる。また、実施例には具体的に示していない
が、この発明により作られた記録媒体を８０℃、８５％
環境下に３００時間保存後の記録媒体に記録されたマ−
クの再生信号にほとんど劣化が認められず耐候性に優れ
ていることがわかつた。
【００１９】
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明のライトワンス型記録媒体において、
その記録層を二層とし、第一記録層にＺｎを、そして第
二記録層としてＢｉ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金、また
はＳｎ−Ｔｅ合金を用いる（このとき、Ｂｉの組成は５
〜６０ａｔ％の範囲、Ｓｎの組成は１０〜６０ａｔ％の
範囲、Ｓｂの組成は５〜８０ａｔ％の範囲である）と極
めて高感度でＣ／Ｎ比の優れた記録媒体を提供できると
いう極めて優れた効果を奏するものである。
なように、本発明のライトワンス型記録媒体において、
その記録層を二層とし、第一記録層にＺｎを、そして第
二記録層としてＢｉ−Ｔｅ合金、Ｓｂ−Ｔｅ合金、また
はＳｎ−Ｔｅ合金を用いる（このとき、Ｂｉの組成は５
〜６０ａｔ％の範囲、Ｓｎの組成は１０〜６０ａｔ％の
範囲、Ｓｂの組成は５〜８０ａｔ％の範囲である）と極
めて高感度でＣ／Ｎ比の優れた記録媒体を提供できると
いう極めて優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の構成を示した図である。
１ 基板
２ 第一記録層
３ 第二記録層
４ 環境保護層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 芝口 孝
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 影山 喜之
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA21 EA22 EA23 EA33
EA37 EA40 FA02 FB06 FB09
FB10 FB12 FB19 FB30
5D029 JA01 JB03 JB05 JB17 JB35
JC17
Claims (5)
- 【請求項１】 光を照射することにより記録層の光学定
数に変化を与えることにより記録するライトワンス型記
録媒体において、その記録層が２層からなり、その一つ
の層がＺｎからなり、他の層がＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから選
ばれる少なくとも一つの元素とＴｅとからなることを特
徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから
選ばれた少なくとも一つの元素とＴｅとから成る合金を
ＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＢｉの場合５≦ｘ≦６０
（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。 - 【請求項３】 記録層を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから
選ばれた少なくとも一つの元素とＴｅとから成る化合物
をＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＳｂの場合５≦ｘ≦８０
（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする請求項１に記
載の光記録媒体。 - 【請求項４】 記録層を構成するＢｉ、Ｓｂ、Ｓｎから
選ばれた少なくとも一つの元素とＴｅとから成る化合物
をＭxＴｅ1-xとするとき、ＭがＳｎの場合１０≦ｘ≦６
０（ａｔ％）の範囲にあることを特徴とする請求項１に
記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 化合物組成がＢｉ2Ｔｅ3、Ｓｂ2Ｔｅ3、
ＳｎＴｅであることを特徴とする請求項２乃至４の何れ
か１に記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001190534A JP2003011503A (ja) | 2001-04-27 | 2001-06-25 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001131724 | 2001-04-27 | ||
| JP2001-131724 | 2001-04-27 | ||
| JP2001190534A JP2003011503A (ja) | 2001-04-27 | 2001-06-25 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003011503A true JP2003011503A (ja) | 2003-01-15 |
Family
ID=26614417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001190534A Pending JP2003011503A (ja) | 2001-04-27 | 2001-06-25 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003011503A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007007842A (ja) * | 2005-03-29 | 2007-01-18 | Commissariat A L'energie Atomique | 埋込みマイクロ流路を作製する方法、及び当該マイクロ流路を含むマイクロ素子 |
| JP2008533633A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-21 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 半反射スズ・テルル系合金層を備える光データ記憶媒体 |
-
2001
- 2001-06-25 JP JP2001190534A patent/JP2003011503A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008533633A (ja) * | 2005-03-03 | 2008-08-21 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | 半反射スズ・テルル系合金層を備える光データ記憶媒体 |
| JP2007007842A (ja) * | 2005-03-29 | 2007-01-18 | Commissariat A L'energie Atomique | 埋込みマイクロ流路を作製する方法、及び当該マイクロ流路を含むマイクロ素子 |
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