JP2002319183A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 幅広い線速に対応できる高い記録感度を有
し、多数回の繰り返しに対しても劣化がなく信号特性が
良好であり、かつ保存特性にも優れた光記録媒体を提供
すること。 【解決手段】 基板１上に少なくとも記録層３および耐
熱保護層２，４を設けてなるとともにレーザを照射する
ことにより記録層３の光学定数を変化させて情報の記
録、再生、消去を行う光記録媒体であって、耐熱保護層
２，４が、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から
選択された少なくとも一種の元素と、ＳｅおよびＴｅか
らなる群から選択された少なくとも一種の元素とを主成
分とすることを特徴とする光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体に関す
るものであり、さらに詳しくは電磁波、とくに半導体レ
ーザを照射することにより記録層の光学定数を変化させ
て情報の記録、再生、消去を行う光記録媒体に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】レーザービームの照射により情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして相変
化型の光記録媒体がある。この相変化型光記録媒体は、
図１に示すように、一般的に基板１上に下部耐熱保護層
２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５を順次
積層して形成されている。前記記録層３の材料としては
ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ
Ｓｅ等がよく知られている。また、高感度で消去特性の
良好なＡｇＩｎＳｂＴｅが新しい記録層材料として提案
されている（特開平２−３７４６６号公報、特開平２−
１７１３２５号公報、特開平２−４１５５８１号公報、
特開平４−１４１４８５号公報参照）。

【０００３】かかる相変化型光記録媒体はヒートモード
で記録されるため、一般に多数回の記録・消去の繰り返
しによる劣化が認められており、この繰り返し特性の向
上が大きな課題とされている。このような課題に対して
特開平４−１６３８３号公報や特開平８−２８７５１５
号公報では記録層に窒素等を添加することが提案されて
いる。また、特開平８−２８７５１５号公報では記録層
の上下に耐熱保護層を設け、さらに上部耐熱保護層の上
に第三の耐熱保護層を配置し、この第三の耐熱保護層の
熱膨張率を他の二つの耐熱保護層の熱膨張率よりも小さ
くすることにより変形を防止して物質移動を低減し、繰
り返し特性の向上を図ることが提案されている。また、
半導体レーザの短波長化に伴い、記録密度の増大の検討
が進展し、ジッター等の信号特性を向上させるために、
ＡｇやＡｕ等の熱伝導率の高い反射放熱層を設けること
の検討も進んでいる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平４−１６３８３号公報や特開平８−２８７５１５
号公報に開示された技術のように、記録層に窒素を添加
すると結晶化温度が上昇し、初期結晶化が難しくなり、
初期結晶化に要する時間が増大するという問題点があ
る。また、上述の特開平８−２８７５１５号公報に開示
された技術のように、第三の耐熱保護層を配置すること
はコスト面から得策ではない。さらに、反射放熱層にＡ
ｇを使用すると、耐熱保護層として現在主流であるＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ_２を採用することができない。その理由は、
ＺｎＳのＳが遊離してＡｇが硫化し、熱伝導率、反射率
が低下するからである。また、Ａｕはコスト的に問題が
ある。

【０００５】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、幅広い線速に対応できる高い記録感度を有し、
多数回の繰り返しに対しても劣化がなく信号特性が良好
であり、かつ保存特性にも優れた光記録媒体を提供する
ことを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
上に少なくとも記録層および耐熱保護層を設けてなると
ともにレーザを照射することにより前記記録層の光学定
数を変化させて情報の記録、再生、消去を行う光記録媒
体において、前記耐熱保護層が、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒおよ
びＢａからなる群から選択された少なくとも一種の元素
と、ＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少なくと
も一種の元素とを主成分とすることを特徴とする光記録
媒体である。請求項２の発明は、前記耐熱保護層が、Ａ
_ｘＢ_{１００−ｘ}（式中、ＡはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢ
ａからなる群から選択された少なくとも一種の元素を表
し、ＢはＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少な
くとも一種の元素を表し、ｘは２０≦ｘ≦５０（ａｔ
％）である）を主成分とすることを特徴とする請求項１
に記載の光記録媒体である。請求項３の発明は、前記耐
熱保護層に、ＳｉとＯとからなる化合物を添加すること
を特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体であ
る。請求項４の発明は、前記ＳｉとＯとからなる化合物
が、ＳｉＯまたはＳｉＯ_２であることを特徴とする請求
項３に記載の光記録媒体である。請求項５の発明は、Ｓ
ｉＯまたはＳｉＯ_２の添加量が、０〜３０ｍｏｌ％の範
囲内にあることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒
体である。請求項６の発明は、前記光記録媒体が反射放
熱層をさらに備え、前記反射放熱層が、Ａｇを主成分と
するとともにＩｎおよびＰｄを含むことを特徴とする請
求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
る。請求項７の発明は、前記反射放熱層を形成する材料
が、Ａｇ_ｑＩｎ_ｙＰｄ_ｚ（ただし、ｑ＋ｙ＋ｚ＝１００
であり、かつｑ、ｙおよびｚは、８５≦ｑ≦９５、１≦
ｙ≦１０および４≦ｚ≦１４（ａｔ％）である）で表さ
れることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体であ
る。請求項８の発明は、前記反射放熱層の熱伝導率が、
１５０Ｗ・ｍ^−１Ｋ^−１〜３００Ｗ・ｍ^−１Ｋ^−１の範
囲にあることを特徴とする請求項６または７に記載の光
記録媒体である。請求項９の発明は、前記記録層が、Ｍ
ｇまたはＣａと、Ｇｅと、Ｓｂと、Ｔｅとからなること
を特徴とする請求項１に記載の光記録媒体である。請求
項１０の発明は、前記記録層を形成する材料が、Ｍ_αＧ
ｅ_βＳｂ_γＴｅ_δ（式中、ＭはＭｇまたはＣａを表し、
α、β、γおよびδは、１≦α≦１０、２≦β≦１５、
５５≦γ≦７０および２０≦δ≦３０である）で表され
ることを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体であ
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を具
体的に説明する。図１は、本発明の相変化型の光記録媒
体を説明するための断面図である。図１において、案内
溝を有する基板１上に下部耐熱保護層２、記録層３、上
部耐熱保護層４、反射放熱層５が順次設けられている。

【０００８】本発明によれば、耐熱保護層（上部および
下部を含む）としてＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからな
る群から選択された少なくとも一種の元素と、Ｓｅおよ
びＴｅからなる群から選択された少なくとも一種の元素
を使用している。これにより、従来、主に耐熱保護層と
して用いられてきたＺｎＳ・ＳｉＯ_２のＳの遊離による
Ａｇの硫化の問題が大きく解消され、反射放熱層として
高い熱伝導率と反射率を有するＡｇ合金を使用すること
が可能となる。とくに、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＣａＳ
ｅ、ＣａＴｅ、ＢａＳｅ、ＢａＴｅ、ＳｒＳｅ、ＳｅＴ
ｅ等はそのバンドギャップが３．６ｅＶ以上あり、Ｇａ
Ｎ系およびＺｎＳｅ系半導体レーザに対しても透明なた
めに、現在の高密度記録用半導体レーザ（λ＝６３５ｎ
ｍ）光に対し十分な光透過性を有し、膜の接着性も良好
であり、レーザ光に対する耐熱衝撃性も強く好ましい。

【０００９】また、本発明における耐熱保護層は、Ａ_ｘ
Ｂ_{１００−ｘ}（式中、ＡはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａ
からなる群から選択された少なくとも一種の元素を表
し、ＢはＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少な
くとも一種の元素を表し、ｘは２０≦ｘ≦５０（ａｔ
％）である）を主成分とするのが好ましい。最適にはｘ
は約５０である。

【００１０】また本発明によれば、屈折率を調整するた
めに、耐熱保護層に、ＳｉとＯとからなる化合物を添加
することができる。前記化合物としては例えば、低屈折
率のＳｉＯやＳｉＯ_２を挙げることができる。この場
合、ＳｉＯまたはＳｉＯ_２の添加量は０〜３０ｍｏｌ％
の範囲内にあるのが好ましい。３０ｍｏｌ％を超える
と、膜が剥離しやすくなる。

【００１１】本発明における耐熱保護層は、各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビー
ム法等により形成できる。またその膜厚はその機能、す
なわち、耐熱層、多重干渉層としての機能によっても異
なるが、下部耐熱保護層は５００Å〜３０００Å、好ま
しくは８００〜２０００Åとするのがよい。また、上部
耐熱保護層は１００〜１０００Å、好ましくは１５０〜
３５０Åとするのがよい。

【００１２】本発明の光記録媒体は、反射放熱層をさら
に備えることができ、前記反射放熱層として、Ａｇを主
成分とするとともにＩｎおよびＰｄを含むものが好まし
い。Ｐｄは、Ａｇの硫化を防止する機能を有する。また
Ｉｎは、Ａｇのマイグレーションを防止する機能を有す
る。そして反射放熱層において、Ａｇ_ｑＩｎ_ｙＰｄ
_ｚ（ただし、ｑ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、かつｑ、ｙお
よびｚは、８５≦ｑ≦９５、１≦ｙ≦１０および４≦ｚ
≦１４（ａｔ％）である）の関係を満たすのがよい。こ
のような反射放熱層は、熱伝導率と反射率が高く、しか
もＡｇの硫化とマイグレーションを防止することができ
好ましい。なお、ｑの値が８５未満であると、熱伝導率
および反射率ともに低下し、９５を超えると硫化および
マイグレーションが発生しやすくなる。本発明における
反射放熱層は、スパッタリング法等で形成することがで
きる。また、厚さはとくに限定されず、適宜決定すれば
よいが、例えば５００〜２０００Åである。得られる反
射放熱層は、熱伝導率を１５０Ｗ・ｍ^−１Ｋ^−１〜３０
０Ｗ・ｍ^{− １}Ｋ^−１の高い範囲に制御することができ
る。

【００１３】本発明における記録層を構成する材料はと
くに制限されないが、例えばＭｇまたはＣａと、Ｇｅ
と、Ｓｂと、Ｔｅとからなることが好ましい。さらに好
ましくは、Ｍ_αＧｅ_βＳｂ_γＴｅ_δ（式中、ＭはＭｇま
たはＣａを表し、α、β、γおよびδは、１≦α≦１
０、２≦β≦１５、５５≦γ≦７０および２０≦δ≦３
０である）の関係を満たすのがよい。とくにγおよびδ
が前記範囲内にあると繰り返し特性が極めて良好とな
る。ＣａおよびＭｇは原子半径が大きいために結晶化の
速度を高めることができるので、高密度記録に必要な高
線速化に対応できる記録層を提供できる。なお、耐熱保
護層に使用されるＭｇおよび／またはＣａと、記録層の
それが同一である場合は、相互拡散があってもこれによ
る影響を少なくすることができ、安定した特性が得られ
る。なお、記録層にはＡｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｐｄ、
Ｚｒを一種以上添加し、さらなる特性向上を図ることが
できる。

【００１４】記録層は、前記耐熱保護層と同様、各種気
相成長法を利用して形成させることができる。記録層の
膜厚は、多重干渉を効果的に利用するため、その記録層
のバンドギャップによっても異なるが、バンドギャップ
が１．０ｅＶ以下のものは５０〜５００Å、好ましくは
１００〜２５０Åがよい。すなわち、バンドギャップが
１．０ｅＶ以下の場合は吸収が大きくなるため膜厚を薄
くして透過光を増大する必要がある。

【００１５】なお、本発明における基板の材料として
は、通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂が用い
られ、樹脂基板が成形性の点で好ましい。代表例として
はポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹
脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹
脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工性、光学特性
等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基
板の形状はディスク状、カード状あるいはシート状であ
ってもよい。

【００１６】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 実施例１ ピッチ０．７μｍ、深さ４００Åの案内溝を有する、厚
さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネート基
板上に表１に示す構成により、それぞれ下部耐熱保護
層、記録層、上部耐熱保護層および反射放熱層を順次ス
パッタ法により積層した。このようにして得られた光記
録媒体を次に高出力半導体レーザにより初期化して、そ
の記録特性、とくにオーバーライトによる繰り返し特性
を記録マークのジッター値で評価した。このときの記録
信号はＥＦＭランダムパターンであり、記録線速は７．
０ｍ／ｓｅｃとした。また、記録パワーは９ｍＷ、１０
ｍＷ、１１ｍＷ、１２ｍＷ、１３ｍＷとした。その結果
を表２に示す。また、８０℃、相対湿度８０％、３００
時間保存後の特性も併せて表２に示す。

【００１７】

【表１】

【００１８】

【表２】

【００１９】比較例１ 表３に示すディスク構成以外は、実施例１を繰り返し、
光記録媒体を作成し、その信号特性を評価した。その結
果を表４に示す。比較例１と実施例１との差は、実施例
１が上部耐熱保護層に（ＣａＴｅ）_８０（ＳｉＯ_２）
_２０を用いているのに対し、比較例１は（ＺｎＳ）_７５
（ＳｉＯ_２）_２５を用いていることにある。

【００２０】

【表３】

【００２１】

【表４】

【００２２】実施例１は、繰り返し２万回までジッター
値は１０％以下の値を示しており、保存特性も全く問題
がない。これに対し、比較例１は、繰り返し特性はジッ
ター値１０％以下が１万回までであり、保存特性は乏し
い。これは上部耐熱保護層にＺｎＳ・ＳｉＯ_２を用い、
反射放熱層にＡｇを用いているために、ＺｎＳ・ＳｉＯ
_２のＳとＡｇが反応し、硫化銀が形成されたためであ
る。そこで、下記実施例２は、反射放熱層にＡｇ_９１Ｐ
ｄ_７Ｉｎ_２合金を利用した。

【００２３】実施例２ 反射放熱層にＡｇ_９１Ｐｄ_７Ｉｎ_２合金を用いたこと以
外は、比較例１を繰り返して光記録媒体を作成した。表
５にそのディスク構成を、表６に信号特性を示す。

【００２４】

【表５】

【００２５】

【表６】

【００２６】実施例２は、反射放熱層としてＡｇ_９１Ｐ
ｄ_７Ｉｎ_２を用いていることにより、上部耐熱保護層の
ＺｎＳ・ＳｉＯ_２からのＳによる硫化を防止できるため
に、保存特性は向上するが、繰り返し特性はジッター値
１０％以下が５０００回までである。これは反射放熱層
に、より熱伝導率の小さなＡｇ_９１Ｐｄ_７Ｉｎ_２合金を
用いたためと考えられる。また、上部耐熱保護層の（Ｚ
ｎＳ）_７５（ＳｉＯ_２）_２５の代わりに実施例１の（Ｃ
ａＴｅ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０を用い、反射放熱層をＡ
ｌ合金とした場合は表には示していないが、ジッター値
が１０％以下となる繰り返し回数は１万回である。また
保存特性は良好であった。このことから、反射放熱層に
Ａｇ_９１Ｐｄ_７Ｉｎ_２合金を多く用いても、耐熱保護層
に（ＣａＴｅ）_８０（ＳｉＯ_２）_２０を用いると、（Ｚ
ｎＳ）_７５（ＳｉＯ_２）_２５を用いるよりも繰り返し特
性は向上する。

【００２７】実施例３ 耐熱保護層に（ＣａＴｅ）_８５（ＳｉＯ_２）_１５を用い
たこと以外は、実施例１を繰り返し、光記録媒体を作成
した。表７にそのディスク構成を、表８に信号特性を示
す。

【００２８】

【表７】

【００２９】

【表８】

【００３０】表８から、耐熱保護層に（ＣａＴｅ）_８５
（ＳｉＯ_２）_１５を用いた場合、繰り返し特性は、ジッ
ター値が１０％以下となる繰り返し回数は２万回であ
る。また保存特性も極めて良好であった。

【００３１】実施例４ 記録層をＭｇ_３Ｇｅ_６Ｓｂ_６４Ｔｅ_２７としたこと以外
は実施例１を繰り返し、光記録媒体を作成した。表９に
そのディスク構成を、表１０に信号特性を示す。

【００３２】

【表９】

【００３３】

【表１０】

【００３４】表１０から、記録層にＭｇ_３Ｇｅ_６Ｓｂ
_６４Ｔｅ_２７を用いた場合、実施例１のＣａ_３Ｇｅ_６Ｓ
ｂ_６４Ｔｅ_２７と同様、繰り返し特性、保存特性ともに
良好な特性を示した。また、Ｍｇ量は組成比として１〜
１０％の範囲にあるが、これよりもＭｇが少ない場合は
結晶速度が遅くなり、７ｍ／ｓｅｃの線速での記録は不
可能となる。また、Ｍｇが１０％より大きくなると結晶
化が促進し、保存特性が劣化する。これはＣａの場合も
全く同じである。

【００３５】実施例５ 反射放熱層に（ＢａＳｅ）_７０（ＳｉＯ_２）_３０を用い
たこと以外は実施例１を繰り返し、光記録媒体を作成し
た。表１１にそのディスク構成を、表１２に信号特性を
示す。

【００３６】

【表１１】

【００３７】

【表１２】

【００３８】表１２から、耐熱保護層に（ＢａＳｅ）
_７０（ＳｉＯ_２）_３０を用いても繰り返し特性および保
存特性は良好であることが分かる。また、本実施例では
ＢａとＳｅの組成を５０：５０にしているが、Ｂａが２
０より少なくなると透過性が低下する傾向がある。ま
た、５０より大きいと繰り返し特性が劣化してくる。現
在のところその理由は不明であるが、熱伝導率の低下に
起因するのではないかと推測される。また、反射放熱層
はＡｇ_９１Ｐｄ_７Ｉｎ_２の組成のものを用いているが、
Ａｇが８５よりも少なくなると熱伝導率が１５０Ｗ・ｍ
^−１・Ｋ^−１より小さくなるとともに反射率も低下し信
号特性が劣化する。また、Ｐｄ量は４より少ないと硫化
が起こり、保存特性が劣化する。Ｉｎの場合はＩｎが１
より少ないと繰り返し特性がやや劣化する。ここで、実
施例の組成Ａｇ_９１Ｐｄ_７Ｉｎ_２の反射放熱層の熱伝導
率は２２０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１である。Ｐｄが増加する
と熱伝導率は小さくなり、Ａｇが増加すると熱伝導率は
増加する。３００Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１の請求項８の範囲
の最大の熱伝導率となる組成は、Ａｇ_９５Ｐｄ_４Ｉｎ_１
であり、最小の熱伝導率である１５０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ
^−１の組成はＡｇ_８５Ｐｄ_１４Ｉｎ_１である。この熱伝
導率の範囲であれば、繰り返し特性、保存特性がともに
一層良好となる。実施例１〜４および比較例１〜２か
ら、本発明の光記録媒体は記録感度に優れ、繰り返し特
性および保存特性ともに良好である。また、記録線速は
７ｍ／ｓｅｃであるが、３ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃ
の広い線速に対応できる。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、基板上に少なくとも記
録層および耐熱保護層を設けてなるとともにレーザを照
射することにより前記記録層の光学定数を変化させて情
報の記録、再生、消去を行う光記録媒体において、前記
耐熱保護層が、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群
から選択された少なくとも一種の元素と、ＳｅおよびＴ
ｅからなる群から選択された少なくとも一種の元素とを
主成分とすることを特徴としているので、幅広い線速に
対応できる高い記録感度を有し、多数回の繰り返しに対
しても劣化がなく信号特性が良好であり、かつ保存特性
にも優れた光記録媒体が提供される。

【００４０】また本発明によれば、前記耐熱保護層が、
Ａ_ｘＢ_{１００−ｘ}（式中、ＡはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒおよび
Ｂａからなる群から選択された少なくとも一種の元素を
表し、ＢはＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少
なくとも一種の元素を表し、ｘは２０≦ｘ≦５０（ａｔ
％）である）を主成分とするとき、繰り返し特性が一層
良好となる。

【００４１】さらに本発明によれば、前記耐熱保護層
に、ＳｉとＯとからなる化合物、とくにＳｉＯまたはＳ
ｉＯ_２を０〜３０ｍｏｌ％の範囲で添加することによ
り、繰り返し特性および保存特性が一層良好となる。

【００４２】さらにまた本発明によれば、前記光記録媒
体が反射放熱層をさらに備え、前記反射放熱層が、Ａｇ
を主成分とするとともにＩｎおよびＰｄから構成され、
とくにＡｇ_ｑＩｎ_ｙＰｄ_ｚ（ただし、ｑ＋ｙ＋ｚ＝１０
０であり、かつｑ、ｙおよびｚは、８５≦ｑ≦９５、１
≦ｙ≦１０および４≦ｚ≦１４（ａｔ％）である）の関
係を満たし、好ましくは前記反射放熱層の熱伝導率が、
１５０Ｗ・ｍ^−１Ｋ^{− １}〜３００Ｗ・ｍ^−１Ｋ^−１の範
囲にあるとき、繰り返し特性および保存特性が一層良好
となる。

【００４３】また本発明によれば、前記記録層が、Ｍｇ
またはＣａと、Ｇｅと、Ｓｂと、Ｔｅとからなり、とく
にＭ_αＧｅ_βＳｂ_γＴｅ_δ（式中、ＭはＭｇまたはＣａ
を表し、α、β、γおよびδは、１≦α≦１０、２≦β
≦１５、５５≦γ≦７０および２０≦δ≦３０である）
の関係を満たすとき、幅広い線速に対応できる高い記録
感度を有し、多数回の繰り返しに対しても劣化がなく信
号特性が良好であり、かつ保存特性にも一層優れた光記
録媒体が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の相変化型の光記録媒体を説明するため
の断面図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA31 EA33 EA40 FA01 FA12 FA14 FA23 FA25 FB05 FB18 FB19 5D029 HA05 HA07 JA01 JB18 LA13 LA14 MA13 MA27

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および耐熱保
   護層を設けてなるとともにレーザを照射することにより
   前記記録層の光学定数を変化させて情報の記録、再生、
   消去を行う光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ｍ
   ｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選択された少
   なくとも一種の元素と、ＳｅおよびＴｅからなる群から
   選択された少なくとも一種の元素とを主成分とすること
   を特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 前記耐熱保護層が、Ａ_ｘＢ
   _{１００−ｘ}（式中、ＡはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａか
   らなる群から選択された少なくとも一種の元素を表し、
   ＢはＳｅおよびＴｅからなる群から選択された少なくと
   も一種の元素を表し、ｘは２０≦ｘ≦５０（ａｔ％）で
   ある）を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載
   の光記録媒体。
3. 【請求項３】 前記耐熱保護層に、ＳｉとＯとからなる
   化合物を添加することを特徴とする請求項１または２に
   記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記ＳｉとＯとからなる化合物が、Ｓｉ
   ＯまたはＳｉＯ_２であることを特徴とする請求項３に記
   載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 ＳｉＯまたはＳｉＯ_２の添加量が、０〜
   ３０ｍｏｌ％の範囲内にあることを特徴とする請求項４
   に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 前記光記録媒体が反射放熱層をさらに備
   え、前記反射放熱層が、Ａｇを主成分とするとともにＩ
   ｎおよびＰｄを含むことを特徴とする請求項１ないし５
   のいずれか１項に記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 前記反射放熱層を形成する材料が、Ａｇ
   _ｑＩｎ_ｙＰｄ_ｚ（ただし、ｑ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、
   かつｑ、ｙおよびｚは、８５≦ｑ≦９５、１≦ｙ≦１０
   および４≦ｚ≦１４（ａｔ％）である）で表されること
   を特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
8. 【請求項８】 前記反射放熱層の熱伝導率が、１５０Ｗ
   ・ｍ^−１Ｋ^−１〜３００Ｗ・ｍ^−１Ｋ^−１の範囲にある
   ことを特徴とする請求項６または７に記載の光記録媒
   体。
9. 【請求項９】 前記記録層が、ＭｇまたはＣａと、Ｇｅ
   と、Ｓｂと、Ｔｅとからなることを特徴とする請求項１
   に記載の光記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記記録層を形成する材料が、Ｍ_αＧ
    ｅ_βＳｂ_γＴｅ_δ（式中、ＭはＭｇまたはＣａを表し、
    α、β、γおよびδは、１≦α≦１０、２≦β≦１５、
    ５５≦γ≦７０および２０≦δ≦３０である）で表され
    ることを特徴とする請求項９に記載の光記録媒体。