JP2002264514A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JP2002264514A JP2002264514A JP2001068749A JP2001068749A JP2002264514A JP 2002264514 A JP2002264514 A JP 2002264514A JP 2001068749 A JP2001068749 A JP 2001068749A JP 2001068749 A JP2001068749 A JP 2001068749A JP 2002264514 A JP2002264514 A JP 2002264514A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高線速度でのオーバーライト特性が良好で
あり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性
を示す相変化型光記録媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体において、該記録層の原子比率での組成をＧｅa
ＸbＳｂyＴｅ(1-a-b-y)と表したとき、ＸがＩｎ，Ａ
ｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから選択され
る少なくとも一種の元素であり、ａ，ｂ，ｙを、 ０．００１≦ａ≦０．２０ ０．０１≦ｂ≦０．２０ ０．４０≦ｙ≦０．９０ の範囲にすると共に該記録層が窒素を含むようにする。
あり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な信頼性
を示す相変化型光記録媒体を提供すること。 【解決手段】 基板上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体において、該記録層の原子比率での組成をＧｅa
ＸbＳｂyＴｅ(1-a-b-y)と表したとき、ＸがＩｎ，Ａ
ｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから選択され
る少なくとも一種の元素であり、ａ，ｂ，ｙを、 ０．００１≦ａ≦０．２０ ０．０１≦ｂ≦０．２０ ０．４０≦ｙ≦０．９０ の範囲にすると共に該記録層が窒素を含むようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化光
記録媒体に関するものである。
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録・再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化光
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザービームの照射による情報の記
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化光記録媒体がよく知られている。
これは単一ビームによるオーバーライトが可能であり、
ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、
コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応
用されている。
録、再生および消去可能な光記録媒体の一つとして、結
晶−非結晶相間、あるいは結晶−結晶相間の転移を利用
する、いわゆる相変化光記録媒体がよく知られている。
これは単一ビームによるオーバーライトが可能であり、
ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、
コンピュータ関連や映像音響に関する記録媒体として応
用されている。
【０００３】その記録材料としては、ＧｅＴｅ，ＧｅＴ
ｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，Ｇｅ
ＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ）， ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴ
ｅＳｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは高感度でアモルファス部分の輪
郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層と
して開発されている（特開平４−１９１０８９号公報、
特開平４−２３２７７９号公報、特開平４−２６７１９
２号公報、特開平５−３４５４７８号公報、特開平６−
１６６２６８号公報）。
ｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，Ｇｅ
ＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ）， ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴ
ｅＳｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどがある。特に、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは高感度でアモルファス部分の輪
郭が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層と
して開発されている（特開平４−１９１０８９号公報、
特開平４−２３２７７９号公報、特開平４−２６７１９
２号公報、特開平５−３４５４７８号公報、特開平６−
１６６２６８号公報）。
【０００４】特開平４−２３２７７９公報に開示される
情報記録媒体に使用される記録層では、消去比の向上と
高速記録は実現されるが、繰り返し記録特性に課題があ
った。また、特開平４−２３２７７９公報に開示される
情報記録媒体に使用される記録層の未記録部分（結晶化
部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ2）とこの安定
相の周囲に存在するアモルファス相と混在したものであ
る。このため、繰り返し記録特性は向上するものの結晶
化部に微細な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発
生の原因となる。
情報記録媒体に使用される記録層では、消去比の向上と
高速記録は実現されるが、繰り返し記録特性に課題があ
った。また、特開平４−２３２７７９公報に開示される
情報記録媒体に使用される記録層の未記録部分（結晶化
部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ2）とこの安定
相の周囲に存在するアモルファス相と混在したものであ
る。このため、繰り返し記録特性は向上するものの結晶
化部に微細な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発
生の原因となる。
【０００５】これは記録再生波長が７８０ｎｍ程度のＬ
Ｄビームを使用するＣＤ−ＲＷ等、比較的低い記録密度
を有する光記録媒体の記録特性には重大な悪影響は与え
ないが、波長６８０ｎｍ以下のＬＤビームを使用し、記
録密度がＣＤ−ＲＷの４倍以上であるＤＶＤ−ＲＡＭや
さらに高密度のＤＶＤ−ＲＷ等の高記録密度を実現する
上では障害となる。
Ｄビームを使用するＣＤ−ＲＷ等、比較的低い記録密度
を有する光記録媒体の記録特性には重大な悪影響は与え
ないが、波長６８０ｎｍ以下のＬＤビームを使用し、記
録密度がＣＤ−ＲＷの４倍以上であるＤＶＤ−ＲＡＭや
さらに高密度のＤＶＤ−ＲＷ等の高記録密度を実現する
上では障害となる。
【０００６】特開平１０−１１２０６３に開示される情
報用記録媒体では、ある範囲内の記録層組成ＭＧｅＳｂ
Ｔｅを用いることにより、従来の媒体に比べて，非晶質
マーク周辺部あるいは消去されたマーク内に粗大グレイ
ンが生じにくいため劣化が少なく、マーク長変調記録時
にジッターの少ない、高密度記録は実現される。しか
し、記録線速度は２．８ｍ／ｓと不十分であり、ＤＶＤ
−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＷ等の高記録密度媒体の２倍速記
録の記録線速７ｍ／ｓには対応できていない。
報用記録媒体では、ある範囲内の記録層組成ＭＧｅＳｂ
Ｔｅを用いることにより、従来の媒体に比べて，非晶質
マーク周辺部あるいは消去されたマーク内に粗大グレイ
ンが生じにくいため劣化が少なく、マーク長変調記録時
にジッターの少ない、高密度記録は実現される。しか
し、記録線速度は２．８ｍ／ｓと不十分であり、ＤＶＤ
−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＷ等の高記録密度媒体の２倍速記
録の記録線速７ｍ／ｓには対応できていない。
【０００７】特開平８−２６７９２６に開示される光記
録媒体では、ある範囲内の｛（ＡＢＣ）Ｄ｝Ｅ記録層組
成を用いることにより、高線速度でのオーバーライトが
可能であり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な
信頼性を示す光記録媒体が実現される。しかし、高線速
度でのオーバーライトが可能であることを示しているだ
けで、何回までオーバーライトが可能であるか等詳細な
記述がない。
録媒体では、ある範囲内の｛（ＡＢＣ）Ｄ｝Ｅ記録層組
成を用いることにより、高線速度でのオーバーライトが
可能であり、かつ高温環境下で保存した場合でも十分な
信頼性を示す光記録媒体が実現される。しかし、高線速
度でのオーバーライトが可能であることを示しているだ
けで、何回までオーバーライトが可能であるか等詳細な
記述がない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高線
速度でのオーバーライト特性が良好であり、かつ高温環
境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光
記録媒体を提供することである。
速度でのオーバーライト特性が良好であり、かつ高温環
境下で保存した場合でも十分な信頼性を示す相変化型光
記録媒体を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本出願の発明は上記目的
を達成するために次の構成を有するものである。 （１）基板上に相変化型の記録層を有する光記録媒体に
おいて、該記録層の原子比率での組成をＧｅaＸbＳｂy
Ｔｅ(1-a-b-y)と表す組成式において、ＸがＩｎ，Ａ
ｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから選択され
る少なくとも一種の元素であり、ａ，ｂ，ｙが、 ０．００１≦ａ≦０．２０ ０．０１≦ｂ≦０．２０ ０．４０≦ｙ≦０．９０ の範囲にあり、かつ該記録層が窒素を含むことを特徴と
する光記録媒体。 （２）記録層の結晶が面指数（２００）面及び／又は
（２２０）面及び／又は（３１１）面からの反射が強い
ＮａＣｌ型構造であることを特徴とする（１）記載の光
記録媒体。 （３）光記録媒体が、基体上に、膜厚５０ｎｍ以上３０
０ｎｍ以下の下部保護層、膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以
下の記録層、膜厚１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の上部保護
層および膜厚２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の反射層がこ
の順序で配置された層構造を有することを特徴とする
（１）または（２）記載の光記録媒体。
を達成するために次の構成を有するものである。 （１）基板上に相変化型の記録層を有する光記録媒体に
おいて、該記録層の原子比率での組成をＧｅaＸbＳｂy
Ｔｅ(1-a-b-y)と表す組成式において、ＸがＩｎ，Ａ
ｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから選択され
る少なくとも一種の元素であり、ａ，ｂ，ｙが、 ０．００１≦ａ≦０．２０ ０．０１≦ｂ≦０．２０ ０．４０≦ｙ≦０．９０ の範囲にあり、かつ該記録層が窒素を含むことを特徴と
する光記録媒体。 （２）記録層の結晶が面指数（２００）面及び／又は
（２２０）面及び／又は（３１１）面からの反射が強い
ＮａＣｌ型構造であることを特徴とする（１）記載の光
記録媒体。 （３）光記録媒体が、基体上に、膜厚５０ｎｍ以上３０
０ｎｍ以下の下部保護層、膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以
下の記録層、膜厚１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の上部保護
層および膜厚２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の反射層がこ
の順序で配置された層構造を有することを特徴とする
（１）または（２）記載の光記録媒体。
【００１０】以下、本発明について詳細に説明する。図
１は本発明の光記録媒体の記録層のＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅの
組成範囲を示している。本発明におけるＧｅＸＳｂＴｅ
（実施例では元素Ｘ＝Ｉｎ）合金薄膜の組成範囲はＳｂ
−Ｓｂ2Ｔｅ3共晶組成であるＳｂ3Ｔｅ近傍組成をベー
スに図１に示すようにＧｅを添加し、さらに元素Ｘ（Ｉ
ｎ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから選
択される少なくとも一種の元素）を所定量添加したもの
である。
１は本発明の光記録媒体の記録層のＧｅ，Ｓｂ，Ｔｅの
組成範囲を示している。本発明におけるＧｅＸＳｂＴｅ
（実施例では元素Ｘ＝Ｉｎ）合金薄膜の組成範囲はＳｂ
−Ｓｂ2Ｔｅ3共晶組成であるＳｂ3Ｔｅ近傍組成をベー
スに図１に示すようにＧｅを添加し、さらに元素Ｘ（Ｉ
ｎ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから選
択される少なくとも一種の元素）を所定量添加したもの
である。
【００１１】本発明の記録層組成の利点は、Ｓｂ3Ｔｅ
近傍組成をベースにすることにより、オーバーライト回
数を格段に向上させることができる点にある。Ｇｅの添
加により保存特性および記録特性を向上させることがで
き、また、元素Ｘの添加により結晶転移速度が上がるた
め高線速度でのオーバーライト特性を向上させる効果、
具体的には、高線速度でのオーバーライト可能回数を向
上させることができるという効果がある。元素Ｘが２０
ａｔ％以上では初期特性が悪く、１ａｔ％以下では添加
効果が得られない。Ｓｂが９０ａｔ％以上では保存特性
が悪化し、４０ａｔ％以下では結晶転移速度が下がって
しまう。
近傍組成をベースにすることにより、オーバーライト回
数を格段に向上させることができる点にある。Ｇｅの添
加により保存特性および記録特性を向上させることがで
き、また、元素Ｘの添加により結晶転移速度が上がるた
め高線速度でのオーバーライト特性を向上させる効果、
具体的には、高線速度でのオーバーライト可能回数を向
上させることができるという効果がある。元素Ｘが２０
ａｔ％以上では初期特性が悪く、１ａｔ％以下では添加
効果が得られない。Ｓｂが９０ａｔ％以上では保存特性
が悪化し、４０ａｔ％以下では結晶転移速度が下がって
しまう。
【００１２】ＳｂとＴｅを主成分とし、その結晶構造に
言及した記録材料は特開平１−３０３６４３に開示され
ているが、これにおいてはＴｅの含有量が１０ａｔ％か
ら３０ａｔ％の時に、良好な特性を示す事が開示されて
おり、その時の結晶構造をＸ線回折で解析しγ相として
いるが、具体的な結晶構造および面指数等については一
切触れていない。一般に相変化型の記録材料は結晶化時
間の高速化を実現するためにその結晶構造は立方晶が良
好とされている。さらに立方晶の単相であれば記録と消
去の繰り返し過程においても、相分離を起こすことな
く、安定した繰り返し特性を得ることが可能となる。
言及した記録材料は特開平１−３０３６４３に開示され
ているが、これにおいてはＴｅの含有量が１０ａｔ％か
ら３０ａｔ％の時に、良好な特性を示す事が開示されて
おり、その時の結晶構造をＸ線回折で解析しγ相として
いるが、具体的な結晶構造および面指数等については一
切触れていない。一般に相変化型の記録材料は結晶化時
間の高速化を実現するためにその結晶構造は立方晶が良
好とされている。さらに立方晶の単相であれば記録と消
去の繰り返し過程においても、相分離を起こすことな
く、安定した繰り返し特性を得ることが可能となる。
【００１３】また、Ｓｂ−Ｔｅのみでは一般に結晶化温
度が低く、高温高湿度の条件では記録マークが結晶化
し、マークが消失する可能性がある。本発明ではこれを
防止する為、Ｇｅおよび元素Ｘを添加し、しかも添加後
もその結晶構造はＮａＣｌ型であり指数付けされた反射
面からのＸ線の反射強度が各材料系の面指数において
（２００）面及び／または（２２０）面及び／または
（３１１）面からの反射が強い事から、記録感度の高い
オーバーライト繰り返し特性と保存特性の良好な記録媒
体が実現できる。
度が低く、高温高湿度の条件では記録マークが結晶化
し、マークが消失する可能性がある。本発明ではこれを
防止する為、Ｇｅおよび元素Ｘを添加し、しかも添加後
もその結晶構造はＮａＣｌ型であり指数付けされた反射
面からのＸ線の反射強度が各材料系の面指数において
（２００）面及び／または（２２０）面及び／または
（３１１）面からの反射が強い事から、記録感度の高い
オーバーライト繰り返し特性と保存特性の良好な記録媒
体が実現できる。
【００１４】また、記録層に窒素を添加することにより
記録媒体の保存特性を更に向上させることができる。
記録媒体の保存特性を更に向上させることができる。
【００１５】光記録媒体は例えば図２に示したように、
基板１上に下部保護層２を介して記録層３が設けられ、
この記録層３の上に、上部保護層４、反射放熱層５、環
境保護層６が順次形成されている構造を有している。
基板１上に下部保護層２を介して記録層３が設けられ、
この記録層３の上に、上部保護層４、反射放熱層５、環
境保護層６が順次形成されている構造を有している。
【００１６】上部保護層および下部保護層は各種気相成
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビー
ム法等により形成できる。また、その膜厚はその機能、
即ち、耐熱層、多重干渉層としての機能によっても異な
るが、下部保護層は５０〜３００ｎｍがよい。５０ｎｍ
以下では記録層を基板の影響から保護する機能が働かな
くなり、３００ｎｍ以上では界面剥離を生じ易くなる。
また、上部保護層は１０〜３５ｎｍとするのがよい。１
０ｎｍ以下では記録感度が悪くなり、３５ｎｍ以上では
熱がこもり過ぎてしまう。
長法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビー
ム法等により形成できる。また、その膜厚はその機能、
即ち、耐熱層、多重干渉層としての機能によっても異な
るが、下部保護層は５０〜３００ｎｍがよい。５０ｎｍ
以下では記録層を基板の影響から保護する機能が働かな
くなり、３００ｎｍ以上では界面剥離を生じ易くなる。
また、上部保護層は１０〜３５ｎｍとするのがよい。１
０ｎｍ以下では記録感度が悪くなり、３５ｎｍ以上では
熱がこもり過ぎてしまう。
【００１７】本発明の記録層は一般的にはスパッタ法に
より膜形成が行われ、その膜厚は１０〜３０ｎｍがよ
い。１０ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層として
の機能を失う。また、３０ｎｍを超えると記録感度が悪
くなる。反射放熱層は各種金属が使用可能であるが、特
にＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｃｒ，
Ａｌ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金やＡｇ−Ｐｄ等の
Ａｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム法等により形成され、その膜厚
は２０〜３００ｎｍがよい。２０ｎｍ以下では放熱効果
が得られない。また、３００ｎｍ以上では界面剥離を生
じ易くなる。
より膜形成が行われ、その膜厚は１０〜３０ｎｍがよ
い。１０ｎｍより薄いと光吸収能が低下し記録層として
の機能を失う。また、３０ｎｍを超えると記録感度が悪
くなる。反射放熱層は各種金属が使用可能であるが、特
にＡｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｎｉ，Ａｌ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｃｒ，
Ａｌ−Ｚｒ，Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ合金やＡｇ−Ｐｄ等の
Ａｇ合金が望ましい。これらの層は真空蒸着法、スパッ
タリング法、電子ビーム法等により形成され、その膜厚
は２０〜３００ｎｍがよい。２０ｎｍ以下では放熱効果
が得られない。また、３００ｎｍ以上では界面剥離を生
じ易くなる。
【００１８】
【実施例】＜実施例＞図２に本発明の一実施例の光記録
媒体の層構成の概念図を示す。光記録媒体は、図２で図
示されない案内溝を有するポリカーボネイト基板１上
に，スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる
下部保護層２，この第１保護層上のＧｅＩｎＳｂＴｅ記
録層３，この記録層上のＺｎＳ−ＳｉＯ2から成る上部
保護層４，この上部保護層上のＡｌ−Ｔｉ反射放熱層５
を製膜し，この反射放熱層上にスピンコートにより塗布
されたＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層６が積層された
構造を有している。
媒体の層構成の概念図を示す。光記録媒体は、図２で図
示されない案内溝を有するポリカーボネイト基板１上
に，スパッタリング法によりＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる
下部保護層２，この第１保護層上のＧｅＩｎＳｂＴｅ記
録層３，この記録層上のＺｎＳ−ＳｉＯ2から成る上部
保護層４，この上部保護層上のＡｌ−Ｔｉ反射放熱層５
を製膜し，この反射放熱層上にスピンコートにより塗布
されたＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層６が積層された
構造を有している。
【００１９】各層の製膜条件は次のようにした。 ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ、Ａｒガス圧力
（製膜室気圧）2ｍTorr， ＧｅＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力４ｋＷ、Ａｒガス圧力
（製膜室気圧）2ｍTorr， ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力
（製膜室気圧）2ｍTorr， Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）
２ｍTorrとした。 また、記録層を形成するに際しては、反応容器内へ０．
５sccm又は１sccmの窒素ガスを導入することにより、記
録層に窒素を添加した。
（製膜室気圧）2ｍTorr， ＧｅＩｎＳｂＴｅ膜：投入電力４ｋＷ、Ａｒガス圧力
（製膜室気圧）2ｍTorr， ＺｎＳ−ＳｉＯ2膜：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力
（製膜室気圧）2ｍTorr， Ａｌ膜：投入電力９ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）
２ｍTorrとした。 また、記録層を形成するに際しては、反応容器内へ０．
５sccm又は１sccmの窒素ガスを導入することにより、記
録層に窒素を添加した。
【００２０】下記表１及び表２は、上記図１の構造を有
し、かつ記録層に窒素を含有する実施例１〜７の光記録
媒体についての、記録線速７ｍ／ｓという高線速での繰
り返し記録回数（表１）及び７０℃８５％ＲＨ環境下で
の保存可能時間（表２）を示したものである。繰り返し
記録回数は、ウインドウ幅Ｔｗで規格化したジッタの値
σ／Ｔｗが規格値を満足する最大回数で判定したもので
ある。トラックピッチは０．７４μｍである。また、保
存可能時間は、ウインドウ幅Ｔｗで規格化したジッタの
値σ／Ｔｗが規格値を満足する最大時間で判定したもの
である。
し、かつ記録層に窒素を含有する実施例１〜７の光記録
媒体についての、記録線速７ｍ／ｓという高線速での繰
り返し記録回数（表１）及び７０℃８５％ＲＨ環境下で
の保存可能時間（表２）を示したものである。繰り返し
記録回数は、ウインドウ幅Ｔｗで規格化したジッタの値
σ／Ｔｗが規格値を満足する最大回数で判定したもので
ある。トラックピッチは０．７４μｍである。また、保
存可能時間は、ウインドウ幅Ｔｗで規格化したジッタの
値σ／Ｔｗが規格値を満足する最大時間で判定したもの
である。
【００２１】＜比較例＞反応容器内に窒素ガスを導入し
ないことを除いては実施例と同様の条件で光記録媒体を
作成し、記録層に窒素を含有しない比較例１〜８の光記
録媒体を得た。表１および表２に、各比較例についての
繰り返し記録回数および７０℃８５％ＲＨ環境下での保
存可能時間を示した。
ないことを除いては実施例と同様の条件で光記録媒体を
作成し、記録層に窒素を含有しない比較例１〜８の光記
録媒体を得た。表１および表２に、各比較例についての
繰り返し記録回数および７０℃８５％ＲＨ環境下での保
存可能時間を示した。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】上記の実施例及び比較例との対比から、記
録層の組成がＧｅ及びＩｎを成分として包含することに
加えて記録層が窒素を含有することにより、光記録媒体
の繰り返し記録可能回数及び保存可能時間が顕著に向上
することがわかる。
録層の組成がＧｅ及びＩｎを成分として包含することに
加えて記録層が窒素を含有することにより、光記録媒体
の繰り返し記録可能回数及び保存可能時間が顕著に向上
することがわかる。
【００２５】図３に、実施例１に用いた記録層を初期結
晶化後の指数付けされたＸ線回折スペクトルを示す。図
３は、窒素を添加した実施例の記録層がＮａＣｌ型でそ
の面指数（２００）面からのＸ線の反射強度が強い結晶
構造を有することを示している。このようなＮａＣｌ型
の結晶構造の記録層を有する記録媒体は記録感度の高い
オーバーライト特性と保存特性の良好な光記録媒体が実
現できるという極めて良好なディスク特性を有する。
晶化後の指数付けされたＸ線回折スペクトルを示す。図
３は、窒素を添加した実施例の記録層がＮａＣｌ型でそ
の面指数（２００）面からのＸ線の反射強度が強い結晶
構造を有することを示している。このようなＮａＣｌ型
の結晶構造の記録層を有する記録媒体は記録感度の高い
オーバーライト特性と保存特性の良好な光記録媒体が実
現できるという極めて良好なディスク特性を有する。
【００２６】
【発明の効果】本発明の光記録媒体は次の効果を奏す
る。 （１）ＤＶＤ−ＲＯＭまたはＤＶＤ−ＲＷの２倍速記録
線速７ｍ／ｓでの繰り返し記録回数が増大する。 （２）光記録媒体の保存特性が改善される。
る。 （１）ＤＶＤ−ＲＯＭまたはＤＶＤ−ＲＷの２倍速記録
線速７ｍ／ｓでの繰り返し記録回数が増大する。 （２）光記録媒体の保存特性が改善される。
【図１】本発明の光記録媒体の記録層のＧｅ，Ｓｂ，Ｔ
ｅ組成範囲の説明図
ｅ組成範囲の説明図
【図２】本発明の光記録媒体の断面図
【図３】Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅに窒素を添加した記録
膜のＸ線回折スペクトル
膜のＸ線回折スペクトル
１ 基板 ２ 下部保護層 ３ 記録層 ４ 上部保護層 ５ 反射放熱層 ６ 環境保護層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 和典 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 FA12 FA14 FB04 FB05 FB07 FB09 FB12 FB18 FB21 FB29 FB30 5D029 JA01 JB35 JC17 JC18 LB01 LB03 LB07 MA14
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に相変化型の記録層を有する光記
録媒体において、該記録層の原子比率での組成をＧｅa
ＸbＳｂyＴｅ(1-a-b-y)と表す組成式において、ＸがＩ
ｎ， Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｇａ，Ｐｂ，Ｔｉ，Ｓｎから
選択される少なくとも一種の元素であり、ａ，ｂ，ｙ
が、 ０．００１≦ａ≦０．２０ ０．０１≦ｂ≦０．２０ ０．４０≦ｙ≦０．９０ の範囲にあり、かつ該記録層が窒素を含むことを特徴と
する光記録媒体。 - 【請求項２】 記録層の結晶が面指数（２００）面及び
／又は（２２０）面及び／又は（３１１）面からの反射
が強いＮａＣｌ型構造であることを特徴とする請求項１
記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 光記録媒体が、基体上に、膜厚５０ｎｍ
以上３００ｎｍ以下の下部保護層、膜厚１０ｎｍ以上３
０ｎｍ以下の記録層、膜厚１０ｎｍ以上３５ｎｍ以下の
上部保護層および膜厚２０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の反
射層がこの順序で配置された層構造を有することを特徴
とする請求項１または請求項２記載の光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068749A JP2002264514A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001068749A JP2002264514A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002264514A true JP2002264514A (ja) | 2002-09-18 |
Family
ID=18926892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001068749A Pending JP2002264514A (ja) | 2001-03-12 | 2001-03-12 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002264514A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006028251A1 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
-
2001
- 2001-03-12 JP JP2001068749A patent/JP2002264514A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006028251A1 (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| US8124315B2 (en) | 2004-09-09 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
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