JP2001283477A

JP2001283477A - 光記録媒体の初期化方法

Info

Publication number: JP2001283477A
Application number: JP2000097147A
Authority: JP
Inventors: Hideo Nakakuki; 英夫中久喜; Kunihisa Nagino; 邦久薙野; Takeshi Arai; 猛新井
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2000-03-31
Filing date: 2000-03-31
Publication date: 2001-10-12

Abstract

(57)【要約】【課題】高速高密度記録用光記録媒体の２回目以降
のオーバーライト時の記録特性変動が非常に小さい初期
化を行うことができる初期化方法を提供する。【解決手段】光を照射することによって情報の記録、
消去、再生が可能であり、情報の記録および消去が非晶
相と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、基板上
に少なくとも厚さ２０ｎｍ以下の記録層を備え、最短マ
ーク長さが０．５μｍ以下、記録時の線速度が８ｍ／ｓ
以上であるマーク長記録方式の光記録媒体を初期化する
方法において、初期化の際に照射するレーザー光の発光
波長が７５０ｎｍ以上８５０ｎｍ以下であり、対物レン
ズの開口数が０．４以上であって、レーザー光の焦点が
光記録媒体の記録層位置から外れた状態で、７ｍ／ｓ以
上の線速度でレーザー光を照射することにより行うこと
を特徴とする光記録媒体の初期化方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光の照射により、
情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に
関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、
書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可
能な光ディスク、光カード、光テープなどの書換可能相
変化型光記録媒体の初期化方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】書換可能相変化型光記録媒体は、テルル
などを主成分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態
の記録層に集束したレーザー光パルスを短時間照射し、
記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散によ
り急冷され、固化し、アモルファス状態の記録マークが
形成される。この記録マークの光線反射率は、結晶状態
より低く、光学的に記録信号として再生可能である。ま
た、消去時には、記録マーク部分にレーザー光を照射
し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温度に加熱す
ることによって、アモルファス状態の記録マークを結晶
化し、もとの未記録状態にもどす。これらの書換可能相
変化型光記録媒体の記録層の材料としては、Ｇｅ₂Ｓｂ₂
Ｔｅ₅などの合金（N.Yamada et al.Proc.Int.Symp.on O
ptical Memory 1987 p61-66）が知られている。

【０００３】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体
では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけ
で、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能
である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通
常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を
それぞれ１層ずつ設け、記録時に記録層に変形、開口が
発生することを防いでいる。さらに、光ビーム入射方向
と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなどの金属反射
層を積層して設け、光学的な干渉効果により再生時の信
号コントラストを改善する技術が知られている。

【０００４】上述の記録層は、主に蒸着やスパッタリン
グ法などの真空成膜法により形成され、一般に非晶質を
多く含んだ状態で成膜される。このような状態は通常反
射率が低く、オートフォーカスやトラッキングが不安定
になりやすい。そのため書換型光記録媒体として使用す
る場合は、記録領域の記録層を結晶状態にする初期化を
行う必要がある。

【０００５】初期化を半導体レーザーを用いて行う方
法、装置は、特開平４−２１６３２３号公報に開示され
ている。ビームウェストを記録層の位置からずらす方法
は、特開平１０−２６１２４３号公報および特開平１０
−２８９４４７号公報に開示されている。これらの方法
はいずれも記録層の厚さが２０ｎｍ以上の光記録媒体に
関するものであり、記録層が２０ｎｍ以下と薄い場合に
は初期化むらが生じやすいなど、良好な初期化が困難で
あるという問題点があった。さらには従来より高速、高
密度に記録を行う光記録媒体においては、わずかな初期
化むらやオーバーライト時の反射率変動などが記録特性
に致命的な影響を与えるという問題が生じていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
技術における上述した問題点に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、高速高密度で記録を行うよう
設計された光記録媒体を初期化する場合であっても、初
期化むらやオーバーライト時の反射率変動が少ない初期
化方法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の目的
は、光を照射することによって情報の記録、消去、再生
が可能であり、情報の記録および消去が非晶相と結晶相
の間の可逆的な相変化により行われ、基板上に少なくと
も厚さ２０ｎｍ以下の記録層を備え、最短マーク長さが
０．５μｍ以下、記録時の線速度が８ｍ／ｓ以上である
マーク長記録方式の光記録媒体を初期化する方法におい
て、照射するレーザーの波長が７５０〜８５０ｎｍであ
り、対物レンズの開口数が０．４以上であって、レーザ
ー光の焦点が光記録媒体の記録層の位置から外れた状態
で、７ｍ／ｓ以上の線速度でレーザー光を照射すること
により行われることを特徴とする光記録媒体の初期化方
法を提供することにある。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について説明する。

【０００９】本発明でいう良好な初期化とは、初期化後
の反射率にむらが無く、かつ２回以上のオーバーライト
による記録特性や結晶部の反射率の変動が起きない初期
化のことである。但し、ここでいうオーバーライトと
は、記録回数が２回以上で通常数百回から数千回程度ま
でのディスクの劣化の影響が無視できる範囲の回数のオ
ーバーライトを行う場合のことである。

【００１０】本発明の初期化方法で初期化する光記録媒
体は、基板上に少なくとも厚さ２０ｎｍ以下の記録層を
備え、最短マーク長さが０．５μｍ以下、記録時の線速
度が８ｍ／ｓ以上であるマーク長記録方式の光記録媒体
である。

【００１１】本発明で用いられるレーザー光は、波長７
５０〜８５０ｎｍのものである。この範囲の波長のレー
ザー光は、最短マーク長さが０．５μｍ以下、記録時の
線速度が８ｍ／ｓ以上である高速高密度マーク長記録用
の光記録媒体の記録層において十分な吸収率が得られ
る。そのようなレーザー光としては、半導体レーザーな
どの各種固体レーザー、ガスレーザー、色素レーザーな
どがあるが、半導体レーザーが高出力であり、好まし
い。高出力のレーザーを照射することで単位時間当たり
に初期化できる面積が広くなり、生産性の点からも優れ
ているためである。

【００１２】本発明で用いられる対物レンズの開口数は
０．４以上であることが必要である。対物レンズの開口
数が０．４未満となると、レーザー光が十分絞られな
い。このため初期化の際に同時に広い領域が加熱され、
通常冷却層として作用する反射層への熱の拡散が十分に
行われず、基板の熱損傷が起きたり、記録層に不可逆的
な変化が生じてジッター値が増大したりする。またそれ
を避けようとして弱いレーザー光を用いた結果、十分な
結晶化を行うことができないなどのことが起きる。この
場合、記録の繰り返しによって結晶化が進み、１回目の
記録と数回オーバーライトしたあとの記録で反射率が変
化するため記録感度も変化してジッター値が上昇するな
ど、記録特性に悪影響を及ぼすことがある。結晶化が多
少不十分であっても、さほど記録密度が高くなく、記録
の線速度も遅い場合は実用上問題がない場合もあるが、
本発明が対象とする最短マーク長さが０．５μｍ以下、
記録時の線速度が８ｍ／ｓ以上のようなマーク長方式の
高速高密度記録時においては、ジッター値の上昇が顕著
になるなど、初期化状態が記録特性に及ぼす影響が大き
くなり、開口数が０．４以上であることが必要となる。
また、開口数を大きくしてビーム径が小さく絞られすぎ
ると、単位時間当たりに初期化できる面積が小さくなる
ことから、対物レンズの開口数は０．４〜０．５である
ことであることが好ましい。

【００１３】また、本発明では、初期化を行うレーザー
光の焦点が光記録媒体の記録層の位置から外れているこ
とが必要である。レーザー光の焦点位置においては、レ
ーザー光の強度分布がガウス分布となる。すなわちビー
ム中心から離れるにしたがい強度が急峻に下がるという
光強度プロファイルとなる。この状態で初期化を行うと
ビーム中心部と周辺部では記録層の温度差が大きくな
り、初期化状態にむらが生じたり、基板や記録層に局部
的な熱損傷が生じたりする。さほど記録密度の高くない
光記録媒体においては少々の初期化むらは問題にならな
い場合もあるが、前述の高速高密度記録を行う光記録媒
体ではエラーレートが増大するなど、記録特性に致命的
な影響を与えることが多い。レーザー光の焦点から外れ
たところでは、ビームの収束が適度となり、光強度のプ
ロファイルも焦点位置よりも平坦なものとなる。すなわ
ちレーザー光照射領域にある記録層の温度分布も平坦な
ものとなる。このため、初期化時の線速度が速くても結
晶化のための十分な時間を得ることができる。さらには
基板や記録層に対し局部的な熱損傷を与えにくくなるた
め、照射するレーザーパワーの許容範囲が広がり、生産
時の歩留まりが高くなるなどの長所がある。

【００１４】特にレンズの開口数が大きい場合、レーザ
ー光の収束が非常に強くなるため、初期化を行うレーザ
ー光の焦点が、記録層の厚さ方向に６μｍ以上離れた位
置で初期化を行うことで、前記と同様の効果を得ること
ができるため、好ましい。

【００１５】また、記録層の厚さが２０ｎｍを越える場
合は膜断面方向の熱容量が大きくかつ面内方向への熱拡
散が大きくなるため、前記のような基板の熱損傷などの
問題は発生しにくい。しかし、本発明において用いられ
る膜厚が２０ｎｍ以下と薄い記録媒体においては、熱容
量が小さく、面内方向の熱拡散が起きにくいため、レー
ザー光の照射により温度が急速に上昇する。このため基
板に熱損傷を与えないように結晶化だけを起こすように
温度を制御することが非常に困難になる。膜厚が１２ｎ
ｍ以下とさらに薄くなるとこの傾向はより強いものとな
る。

【００１６】また、本発明が対象とする最短マーク長さ
が０．５μｍ以下、記録時の線速度が８ｍ／ｓ以上であ
るマーク長記録方式の光記録媒体では、７ｍ／ｓ以上の
線速度で初期化を行う必要がある。レーザー光を照射す
る線速度は、記録層を結晶化温度以上に加熱し、結晶化
に必要な時間だけ保持するよう、適正な値に設定しなけ
ればならず、特に高速高密度記録を行う光記録媒体で
は、高線速で記録を行うことを可能にするために結晶化
時間が短くなるように設計されており、初期化を行うと
きの線速度も速くする必要がある。本発明が対象とする
光記録媒体においては、初期化の線速度が７ｍ／ｓ未満
の場合には、初期化時間が長くなり生産性が低下するの
みならず、基板や記録層が熱損傷を受けやすくなる。

【００１７】ここで、本発明の光記録媒体の構成部材の
代表的な層構成は、透明基板上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層の順に積層したものである。
さらには、記録層に接するように炭素を主成分とする
層、窒素と金属が化合した物質からなる層、酸素と金属
が化合した物質からなる層、炭素と金属が化合した物質
からなる層などを設けても良い。但し、これらに限定す
るものではない。

【００１８】第１誘電体層の材質としては、記録光波長
において実質的に透明であり、かつその屈折率が、透明
基板の屈折率より大きく、記録層の屈折率より小さいも
のが好ましい。具体的にはＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓ
ｉ、Ｇｅなどの窒化物の薄膜、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物
の薄膜、およびこれらの化合物の混合物の膜が耐熱性が
高いことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ₂の混合
物からなる膜は、繰り返しオーバーライトによる劣化が
起きにくいことから好ましい。特に、ＺｎＳとＳｉＯ₂
と炭素の混合物は、膜の残留応力が小さいこと、記録、
消去の繰り返しによっても、記録感度、キャリア対ノイ
ズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率などの劣化が起きにくいことか
らも好ましい。膜の厚さは光学的な条件により決められ
るが、１０〜５００ｎｍが好ましい。これより厚いと、
クラックなどが生じることがあり、これより薄いと、オ
ーバーライトの繰り返しにより基板が熱ダメージを受け
やすく、繰り返し特性が劣化する。膜の厚さの特に好ま
しい範囲は５０〜２００ｎｍである。

【００１９】本発明の記録層としては、とくに限定する
ものではないが、Ｇｅ−Ｔｅ合金、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合
金、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ合金、Ｐｄ−Ｎｂ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｐｔ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｃｏ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、
Ａｇ−Ｖ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ合金、Ｉｎ−Ｓｅ合金など
があげられる。この中でもＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分と
するものが、消去時間が短く、かつ多数回の記録に優れ
ている。

【００２０】さらにこの中でも、記録層に接するように
炭素を主成分とする層、窒素と金属が化合した物質から
なる層、酸素と金属が化合した物質からなる層、炭素と
金属が化合した物質からなる層などを設け、かつ記録層
組成を下記の式（Ｉ）の範囲にすることが、最短マーク
長さが０．７μｍ以下、記録時の線速度が５ｍ／ｓ以上
であるマーク長記録方式の光記録媒体において優れた記
録マークの長期保存安定性（アーカイバル特性）と優れ
た長期保存後のオーバライト特性を両立させることがで
きるため好ましい（←必須要件ではないのでこのような
表現にします）。｛（Ｇｅ_0.5Ｔｅ_0.5）_x（Ｓｂ_0.4Ｔｅ_0.6）_1-x｝_1-y-zＳｂ_yＡ_z （Ｉ）式中、Ａは、元素周期律表における第２周期から第６周
期の３Ａ族から６Ｂ族に属するＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを除く
元素で、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、
Ｔｌ、Ｐｂから選ばれた少なくとも一種を表し，ｘ，
ｙ，ｚは数を表し、かつ次の関係式を満たす。０．２≦
ｘ≦０．９５、０．０１≦ｙ≦０．０８、ｚ＝０もしく
は、０．２≦ｘ≦０．９５、０≦ｙ≦０．０８、０＜ｚ
≦０．２である。

【００２１】ｘ＜０．２では、コントラストが小さくな
り過ぎ、十分な信号強度を得られないことがあり、ｘ＞
０．９５の場合は、結晶化速度が遅くなり、消去特性が
悪化し、線速５ｍ／ｓ以上かつ最短マーク長０．７μｍ
以下の条件で、ダイレクトオーバーライトが困難になる
ことがある。ｚ＝０かつ、ｙ＜０．０１の場合は、アモ
ルファスの安定性が低く、アーカイバル特性が悪くな
る。ｙ＞０．０７の場合、長期保存後のオーバーライト
が困難になることがある。ｚ＞０．２の場合、結晶化速
度が遅くなり、消去特性が悪化し、線速５ｍ／ｓ以上か
つ最短マーク長０．７μｍ以下の条件で、ダイレクトオ
ーバーライトが困難になったり、相分離により繰り返し
特性が大きく劣化したり、長期保存後のオーバーライト
が困難になることがあり、ｚ＝０の場合はアモルファス
の安定性が低く、アーカイバル特性が悪くなることがあ
る。

【００２２】本発明の記録層の厚さとしては、５〜２０
ｎｍであることが好ましい。記録層の厚さが上記よりも
薄い場合は、繰り返しオーバーライトによる記録特性の
劣化が著しく、また、記録層の厚さが上記よりも厚い場
合は、本発明のような高速高密度記録においては良好な
ジッタが得にくくなる。特に、最短マーク長が０．５μ
ｍ以下で、線速が８ｍ／ｓ以上のより高速高密度の記録
条件において良好なジッタを得るためには、記録層の厚
さを５〜１２ｎｍとすることが好ましい。

【００２３】本発明の第２誘電体層の材質は、第１誘電
体層の材料としてあげたものと同様のものでも良いし、
異種の材料であってもよい。厚さは、３〜５０ｎｍであ
ることが好ましい。第２誘電体層の厚さが上記より薄い
と、クラック等の欠陥を生じ、繰り返し耐久性が低下す
るために好ましくない。また、第２誘電体層の厚さが、
上記より厚いと記録層の冷却度が低くなるために好まし
くない。第２誘電体層の厚さは記録層の冷却に関し、よ
り直接的に影響が大きく、より良好な消去特性や、繰り
返し耐久性を得るために、また、特にマーク長記録の場
合に良好な記録・消去特性を得るために、３０ｎｍ以下
であることがより効果的である。光を吸収し、記録、消
去に効率的に熱エネルギーとして用いることができるこ
とから、透明でない材料から形成されることも好まし
い。例えば、ＺｎＳとＳｉＯ₂と炭素の混合物は、膜の
残留応力が小さいこと、記録、消去の繰り返しによって
も、記録感度、キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）、消去率
などの劣化が起きにくいことからも好ましい。

【００２４】反射層の材質としては、光反射性を有する
Ａｌ、Ａｕなどの金属、これらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃ
ｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなど
の金属にＡｌ、Ｓｉ、などの金属窒化物、金属酸化物、
金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものが
あげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成
分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高く
できることから好ましい。前述の合金を例としては、Ａ
ｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔ
ａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５
原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕ
にＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくと
も１種の元素を合計で１原子％以上２０原子％以下加え
たものなどがあげられる。特に、材料の価格が安いこと
から、ＡｌもしくはＡｌを主成分とする合金が好まし
く、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる
少なくとも１種以上の金属を合計で０．５原子％以上５
原子％以下添加した合金が好ましい。さらに、耐腐食性
が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことか
ら、添加元素を合計で０．５原子％以上５原子％未満含
む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔ
ｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ
−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ
合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成するこ
とが好ましい。

【００２５】上述した反射層の厚さとしては、いずれの
合金からなる場合にもおおむね１０ｎｍ以上２００ｎｍ
以下、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍとするのが好
ましい。

【００２６】ここで、上記光記録媒体の製造方法につい
て述べる。誘電体層、炭素層、記録層、反射層などを基
板上に形成する方法としては、真空中での薄膜形成法、
例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ
リング法などがあげられる。特に組成、膜厚のコントロ
ールが容易であることから、スパッタリング法が好まし
い。形成する記録層などの厚さの制御は、水晶振動子膜
厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで、容易
に行える。

【００２７】炭素、窒素、酸素と金属が化合した層物質
からなる層をスパッタリングで形成する際には、炭化水
素ガス、窒素ガス、酸素ガスを含むガスを用いた反応性
スパッタリングで容易に行うことができる。

【００２８】また、本発明の効果を著しく損なわない範
囲において、反射層を形成した後、傷、変形の防止など
のため、ＺｎＳ、ＳｉＯ₂、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂、などの誘
電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの保護層などを必要
に応じて設けてもよい。

【００２９】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。（分析，測定方法）反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発
光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。
記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、水晶振動
子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さは、走査
型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察することによ
り測定した。

【００３０】スパッタリングにより成膜した光記録媒体
を下記実施例および比較例に示す各条件で初期化し、光
ディスク評価装置による再生信号をオシロスコープで観
察して、均一な初期化が行われているかどうか確認し
た。

【００３１】次に幅０．６μｍのグルーブに、対物レン
ズの開口数０．６、半導体レーザーの波長６６０ｎｍの
光学ヘッドを使用して、線速度８．２ｍ／ｓの条件で、
８−１６変調方式で、最短マーク長が０．４２μｍとな
る記録周波数で、３Ｔから１１Ｔの長さのマークをラン
ダムに記録した。１回記録したときのジッター値と、ラ
ンダムシフトさせながら２〜１０回オーバーライト記録
したときのジッター値の変動により、適切な条件で初期
化が行われているかどうかを判断した。

【００３２】（実施例１）厚さ１０ｎｍの記録層と、保
護層、反射層を含む光記録媒体を作製し、開口数０．５
５の対物レンズを用いて初期化した。ビームウエストに
おけるビームの長手方向は約２００μｍで、送りピッチ
１５０μｍ、線速８ｍ／ｓ、照射パワー１３００ｍＷの
条件で初期化した。このとき、レーザー光の焦点位置が
記録層位置から８μｍ外れるように対物レンズを配置し
た。

【００３３】初期後の再生信号を観察したところ、周内
の反射率変動はなく、均一に初期化されていた。さらに
ランダムパターンを１回記録したときのジッター値はウ
インドウ幅の７．２％と良好で、２回、３回、５回およ
び１０回記録したときのジッター値はそれぞれ７．９
％、８．３％、８．５％、８．５％であり、ジッター値
の変動は実用上問題なく、初期化の状態は良好であっ
た。また照射パワーを１１００ｍＷ、１２００ｍＷ、１
４００ｍＷ、１５００ｍＷ、１６００ｍＷにして初期化
を行ったところ、いずれの条件でも均一な初期化ができ
ており、ジッター値は１３００ｍＷの場合とほぼ同様で
あった。すなわち、広範囲な照射パワーにおいて、均一
な初期化を行うことができた。

【００３４】（実施例２）レーザー光の焦点位置が記録
層位置から４μｍ外れるように対物レンズを配置し、照
射パワーを１１００ｍＷとした他は実施例１と同様の条
件で初期化を行った。初期化後の再生信号を観察したと
ころ、周内の反射率変動はなく、均一に初期化されてい
た。さらにランダムパターンを１回記録したときのジッ
ター値はウインドウ幅の７．４％と良好で、２回、３
回、５回および１０回記録したときのジッター値はそれ
ぞれ７．９％、８．４％、８．７％、８．７％であり、
ジッター値の変動は問題なく、初期化の状態は良好であ
った。また照射パワーを１０００ｍＷおよび１２００ｍ
Ｗとした場合も均一な初期化ができ、ジッター値は１１
００ｍＷの場合とほぼ同様であった。

【００３５】（実施例３）開口数が０．４５の対物レン
ズを用い、照射パワーを１５００ｍＷとした他は、実施
例１と同様の条件で初期化を行った。初期後の再生信号
を観察したところ、周内の反射率変動はなく、均一に初
期化されていた。ランダムパターンを１回記録したとき
のジッター値はウインドウ幅の７．５％と良好で、２
回、３回、５回および１０回記録したときのジッター値
はそれぞれ７．９％、８．４％、８．７％、８．９％で
ジッター値の変動は実用上問題のないものであった。

【００３６】（比較例１）レーザー光の焦点位置が記録
層位置と重なるように対物レンズを配置し、照射パワー
を９００ｍＷとした他は実施例１と同様の条件で初期化
を行った。初期化後の再生信号を観察したところ、周内
の反射率変動、すなわち初期化むらが見られた。このた
めランダムパターン記録時のジッター値は実用上問題と
なるレベルまで上昇した。また照射パワーのマージンが
狭く、８００ｍＷで初期化した場合には初期化パワー不
足による反射率のむらが著しく、１０００ｍＷで初期化
した場合にはパワーを投入しすぎたことによる初期化む
らがより顕著なものとなった。

【００３７】（比較例２）開口数が０．５０の対物レン
ズを用い、レーザー光の焦点位置が記録層位置と重なる
ように対物レンズを配置し、照射パワーを１０００ｍＷ
として実施例１と同様に初期化を行った。比較例１の場
合と同様、初期化むらが著しく、ランダムパターン記録
時のジッター値は実用上問題となるレベルまで上昇し
た。

【００３８】（比較例３）開口数が０．３５の対物レン
ズを用い、照射パワーを１６００ｍＷとした他は比較例
１と同様の条件で初期化を行った。初期化後の再生信号
を観察したところ、周内の反射率変動はなく、均一に初
期化されていた。ランダムパターンを１回記録したとき
のジッター値はウインドウ幅の７．６％と良好であった
が、２回、３回、５回および１０回記録したときのジッ
ター値はそれぞれ８．０％、８．５％、８．９％、９．
１％でジッター値の上昇がやや大きく、このとき記録を
行う度に結晶部の反射率が少しずつ上昇していた。

【００３９】（比較例４）レーザー光を照射する線速度
を６ｍ／ｓ、パワーを９５０ｍＷとした他は実施例１と
同様に初期化を行った。初期化後の再生信号を観察した
ところ、周内の反射率変動は少なく、ほぼ均一に初期化
されていた。しかしオシロスコープの時間軸を拡大して
みると細かな反射率変動があり、記録層が何らかの損傷
を受けている様子が観察された。このためランダムパタ
ーンを１回記録したときのジッター値はウインドウ幅の
９．１％と高い値になっていた。

【００４０】

【発明の効果】本発明の光記録媒体によれば、以下の効
果が得られた。（１）高速高密度記録用光記録媒体の２回目以降のオー
バーライト時の記録特性変動が非常に小さい初期化を行
うことができる。（２）高速高密度記録用光記録媒体の良好な初期化が達
成できる照射レーザーパワーの範囲が広い。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１Ｂ４１Ｍ 5/26 ＸＦターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA14 EA23 EA48 FA01 FB05 FB09 FB12 5D029 JA01 JC18 5D090 BB05 CC11 DD03 HH03 LL01 5D119 AA28 JA42 JB02 5D121 AA01 GG26 GG28

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光を照射することによって情報の記録、消
去、再生が可能であり、情報の記録および消去が非晶相
と結晶相の間の可逆的な相変化により行われ、基板上に
少なくとも厚さ２０ｎｍ以下の記録層を備え、最短マー
ク長さが０．５μｍ以下、記録時の線速度が８ｍ／ｓ以
上であるマーク長記録方式の光記録媒体を初期化する方
法において、初期化の際に照射するレーザー光の発光波
長が７５０〜８５０ｎｍであり、対物レンズの開口数が
０．４以上であって、レーザー光の焦点が光記録媒体の
記録層の位置から外れた状態で、７ｍ／ｓ以上の線速度
でレーザー光を照射することにより行うことを特徴とす
る光記録媒体の初期化方法。
【請求項２】対物レンズの開口数が０．５以下であるこ
とを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の初期化方
法。
【請求項３】初期化を行うレーザー光の焦点が光記録媒
体の記録層の位置から記録層の厚さ方向に６μｍ以上外
れていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の
初期化方法。
【請求項４】記録層がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを含むことを特
徴とする請求項１記載の光記録媒体の初期化方法。