NL8403817A - Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. - Google Patents
Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8403817A NL8403817A NL8403817A NL8403817A NL8403817A NL 8403817 A NL8403817 A NL 8403817A NL 8403817 A NL8403817 A NL 8403817A NL 8403817 A NL8403817 A NL 8403817A NL 8403817 A NL8403817 A NL 8403817A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- amorphous
- recording layer
- layer
- laser light
- recording
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/006—Overwriting
- G11B7/0062—Overwriting strategies, e.g. recording pulse sequences with erasing level used for phase-change media
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Description
' - ' EHN 11.243 1 N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie.
De uitvinding heeft betrekking op een wisbaar optisch registratie element met een steunplaat die voorzien is van een registratie-laag welke een telluur 'legering bevat, waarbij door belichting met gemoduleerd laserlicht, de registratielaag qp de belichte plaatsen wordt 5 omgezet van een meer geordende of kristallijne toestand naar een minder geordende of amorfe toestand en waarbij de plaatselijk veranderde toestand met behulp van laserlicht kan worden uitgelezen.
Een zodanig registratie element is bekend uit bijvoorbeeld het Amerikaanse octrooischrift 3.530.441. Volgens dit octrooischrift worden 10 het element en de daarmede uitgevoerde registratie methode hoofdzakelijk toegepast voor de registratie van beelden die zichtbaar afgedrukt kunnen worden. Hiertoe wordt gebruik gemaakt van de omstandigheid dat de amorfe delen van de registratielaag een stabiele hoge elektrische (Ohmse) weerstand bezitten en de kristallijne gedeelten een lage elektrische weer-15 stand. Bij behandeling van de registratiefilm met elektrische lading worden de kristallijne of meer geordende delen van de film, die bijvoorbeeld de opgeslagen informatie vertegenwoordigen, niet opgeladen en de amorfe delen, die een hoge weerstand bezitten wél elektrisch opgeladen.
Het aldus verkregen ladingspatroon kan zichtbaar worden gemaakt door 20 elektrisch geladen inktdeeltjes of pigmentdeeltjes te laten hechten op de elektrisch geladen amorfe delen van de registratief ilm. Het verkregen tonerbeeld kan worden af gedrukt bijvoorbeeld op een vel papier.
In kolcm 3 regels 4-8 en 26-30 van het bovengenoemde Amerikaanse octrooischrift is vermeld, dat de opgeslagen informatie op 25 verschillende wijze kan worden uitgelezen, bijvoorbeeld door bepaling van de elektrische veerstand, capaciteit, dielektrische constante, brekingsindex, reflectie, licht absorptie en licht transmissie. Zo kan een eléktronenbundel worden gebruikt die in overeenstemming met de toestand waarin de verschillende delen van de registratief ilm zich bevinden, 30 wordt gereflekteerd. Op deze andere mogelijkheden wordt in het genoemde Amerikaanse octrooischrift niet verder ingegaan· dan in verband net de in figuren 13-15 weergegeven methode om langs elektrische weg een registratie element te gebruiken als een middel voor lichtmodulatie.
8403817 PHN 11.243 2
Hiertoe wordt het element aan weerszijden voorzien van een elektrode, waarop een spanningspuls kan worden gezet.
De huidige_uitvinding heeft tot doel een wisbaar optisch registratie element te verschaffen waarin met gepulseerd laserlicht 5 gegevens worden geregistreerd in de vorm van amorfe plekjes in een poly-kristallijne matrix.
Een verdere doelstelling is een registratie element te verschaffen, waarvan de registratielaag een grote gevoeligheid heeft voor laserlicht, een hoge inforraatiedichtheid toelaat en de mogelijkheid 10 biedt van een hoge inschrijf snelheid. Bij wijze van voorbeeld moet gedacht worden aan de grootte van een ingeschreven amorf plekje, in de orde van 1 ^um gecreëerd in bijvoorbeeld 50 ns. De inschrijf energie bedraagt dan 0,3 - 0,8 nJ per ingeschreven amorf plekje.
Een andere doelstelling is de opgeslagen informatie in de 15 vorm van amorfe plekjes in een kristallijne matrix met kontinu, zwak laserlicht in het bijzonder in reflektie uit te lezen, waarbij een goede signaal-ruisverhouding wordt bereikt.
Volgens nog een andere doelstelling moet de registratielaag van het registratie element tezamen met de erin opgeslagen informatie, 20 gedurende een lange periode stabiel en houdbaar zijn. De opgeslagen informatie moet bovendien door een eenvoudige warmtebehandeling gewist kunnen worden, waarbij de amorfe delen de oorspronkelijke kristallijne struktuur aannemen. Het inschrijven van informatie en het wissen ervan moet voorts veelvuldig herhaald kunnen worden zonder blijvende deformatie 25 of andere beschadigingen van de registratielaag.
Volgens een verdere doelstelling moet in een voorkeursvorm van het registratie element de mogelijkheid worden geboden om lokaal de amorfe plekjes te kunnen wissen door belichting met laserlicht. Dit wissen moet voorts bij voorkeur in real time kunnen plaatsvinden. Hier-30 mede wordt bedoeld, dat bij eenzelfde verplaatsingssnelheid van het registratie element informatie zowel kan worden ingeschreven als gewist door toepassing van laserlicht.
Aanvrager is tot de conclusie gekomen, dat bij de realisatie van deze doelstellingen, de samenstelling van de registratielaag een 35 zeer belangrijke factor is. Hierbij speelt de volgende problematiek, die als zodanig een wezenlijk element vormt bij het tot stand komen van de huidige uitvinding, een belangrijke rol.
Allereerst is de kristallisatie temperatuur van het registratie 8403917 ΕΗΝ 11.243 3 * materiaal van belang. Bij een relatief hoge kristallisatie temperatuur zijn bij kamertemperatuur de amorfe informatie gebiedjes stabiel, vat een voordeel is. Anderzijds is het wisproces veer moeilijker. De amorfe gebiedjes laten zich niet gemakkelijk terugvoeren tot de oorspronkelijke g kristallijne struktuur.
Een ander aspect is, dat bij de uitlezing in reflektie de reflektieverschillen tussen amorfe en kristallijne gebieden zo groot mogelijk moet zijn teneinde een goede signaal-ruis verhouding te verkrijgen. Hierbij speelt de laagdikte een belangrijke rol. Ook belangrijk is de 1Q plaatruis die in kristallijne gebieden belangrijk hoger is dan in de amorfe gebieden. De kristalletjes in de laag moeten daarom naar de mening van Aanvrager zo klein mogelijk zijn. De laagdikte van de registratielaag is voorts van belang voor het inschrij fproces. Bij een te kleine laagdikte bestaat het risico, dat bij belichting met gepulseerd laserlicht ig behalve of in plaats van een omzetting van kristallijn naar amorf, gaten in de registratielaag worden gevormd. Dit moet ten stelligste worden vermeden. Bij een te grote laagdikte is de inschrijf energie te hoog en dus de laserlichtgevoeligheid uitgedrukt in drempelenergie voor de vorming van een amorf plekje te laag.
2(J Een ander belangrijk aspect is het gedrag bij vóssen. Bij het inschrijven moet het belichte kristallijne gebiedje tot op het smeltpunt worden verhit, vervolgens gesmolten en daarna snel afgekoeld om het amorfe gebiedje te fixeren.Bij wissen moet het amorfe gebiedje tussen glaspunt en smelttemperatuur worden verhit en zo lang op deze temperatuur worden gehouden tot al het amorfe materiaal in het gebiedje is gekristalliseerd. Bij een te korte, verhittingsduur vindt slechts een gedeeltelijke kristallisatie plaats, waardoor de informatie, zij het in afgezwakte toestand, toch nog blijft bestaan. Het wordt extra gecompliceerd als de eis wordt gesteld, dat met behulp van laserlicht moet kunnen worden gewist in real time. Hierbij speelt de groote van de bij wissen gebruikte laserlichtspct, de zogenaamde wisspot, een belangrijke rol alsmede de verplaatsingssnelheid van het registratie element. Bovendien moet vele keren, bijvoorbeeld 100-1000 keer of nog meer, kunnen worden geschakeld, zonder dat de registratielaag wordt gedeformeerd of loslaat van de ondergrond. Met schakelen wordt inschrijven plus 35 wissen bedoeld.
De hierboven aangegeven doelstellingen worden bereikt met een wishaar optisch registratie element van het in de aanhef genoemde type, 8403817
* A
EHN 11.243 4 dat volgens de uitvinding hierdoor wordt gekenmerkt, dat de registratie-laag een Te-Se-Sb legering bevat, waarvan de verhouding van de elementen ___ Te, Se en Sb in atoonprocenten ligt binnen een gebied in het Te-Se-Sb- samenstellingsdiagram dat wordt begrensd door een veelhoek net de hcek-5 punten Teg0SegSb2 - Te7gSe20Sb2 - ^8^52^30 - Te2gSe2Sb70 -
Te^gSe-jSbg en voorts dat de laagdikte van de registratielaag ligt tussen 80 en 300 nm.
In het aangegeven samenstellingsgebied worden legeringen gevonden, waarvan registratielagen kunnen worden vervaardigd, waarin 10 met een gepulseerde laserlichtbundel amorfe plekjes kunnen worden gevormd onder toepassing van een lage inschrijf energie van omstreeks 0,3 - 0,8 nJ per plekje. Dit maakt de toepassing mogelijk van een. laser met een zeer gering vermogen, bijvoorbeeld een vermogen van enkele milliwatts op de registratielaag, en een uiterst korte pulstijd van bijvoorbeeld 50 ns.
15 De ingeschreven informatie kan in reflektie worden uitgelezen, waarbij · een uitstekende signaalruisverhouding wordt bereikt.
De registratielaag bezit een goede houdbaarheid. Bovendien zijn de amorfe plekjes bij kamertemperatuur zeer stabiel. De amorfe plekjes kunnen door een warmtebehandeling worden gewist in het bijzonder 20 door het registratiemateriaal gedurende enige tijd te verhitten op een temperatuur gelegen tussen de glasovergangstemperatuur en de smelttempe-ratuur van het registratiemateriaal.
In een gunstige uitvoeringsvorm van het registratie element volgens de uitvinding ligt de verhouding van de elementen Te, Se en Sb 25 in atoonprocenten binnen een gebied in het Te-Se-Sb diagram dat wordt begrensd door een veelhoek met de hoekpunten Te^SegS^ - Te7gSe2QSb2 -
Te39Se21Sb20 ” ^63^2^35 “ ^90¾3¾'
Met samenstellingen in dit voorkeursgebied kunnen registratie- elementen worden vervaardigd, die bijzonder voordelige eigenschappen 30 bezitten. Bijvoorbeeld kan worden bereikt, dat de amorfe plekjes door belichting met laserlicht in real time omgezet kunnen worden in de oorspronkelijke kristallijne struktuur. De breedte van de laserlichtspot bij wissen, ook wel in het vervolg wisspot genoemd, is bijvoorbeeld 20-1 OCym. De belichtingstijd van het amorfe plekje is dan bijvoorbeeld 35 10-100^us. Men kan in dit geval lasers voor wissen en registreren net elkaar koppelen zodat bijvoorbeeld op de registratielaag de wisspot voorafgaat aan de inschrijf spot. De breedte van de wisspot is 2^um.
Voorbeelden van voorkeurssamenstellingen van de registratielaag, 8403817 EHN 11.243 5 waarbij de geregistreerde informatie in real time met laserlicht kan worden gewist, zijn TeggSe^Sb.^ en Te^Se^Sb^g. Een andere samenstelling: T^^eggSb^bezit een bijzonder hoge stabiliteit.
Voorbeelden van goed bruikbare samenstellingen zijn aangegeven 5 in de onderstaande tabel: no. samenstelling inschrijf- signaalruis- energie (nJ) verhouding (dB/m) ^ ^30^30^40 ^ 86 10 2 ^33.3^33.3^33.3 0,6 58 3 ^40^20^40 1*2 83 4 Te40Se30Sb30 0.4 90 15 5 ^50^10^40 0,8 86 6 0^50^30^20 0.8 88 7 Te^Se^Sb^g 0.5 94 8 Te^Se^Sb^ 0.5 95 20 9 ^74^13^13 0.5 94 10 ^80^10^10 °*5 94
In een verdere voorkeurs vorm heeft de registratielaag van het 25 optisch registratie element volgens de uitvinding een laagdikte die ongeveer gelijk is aan , waarin Λ de golflengte is van het ingestraalde laserlicht bij het uitlezen en na de brekingsindex in de amorfe toestand. Bij de materialen die volgens de uitvinding kunnen worden toegepast ligt delaagdikte dan in het algemeen bij 80-150 nm bij een /\ 3g van ca. 800 nm.
Extra voordelen kunnen nog worden verkregen, indien volgens een verdere voorkeursuitvoeringsvorm de registratielaag aan de van de substraatkant af gekeerde zijde voorzien is van een deklaag. Deze deklaag dient in eerste instantie om de registratielaag te beschermen tegen 35 beschadiging, tevens blijkt dat hierdoor het aantal malen, dat kan worden geschakeld met enkele ordes van groottes toeneemt. Bij een geschikte keuze van de deklaag kan ook het contrast bij uitlezing gunstig worden beïnvloed. De deklaag kan bijvoorbeeld uit SiO^ bestaan.
3403817 * ·* EHN 11.243 6
In een uitvoeringsvorm die geschikt is voor uitlezen door middel van reflectie verschillen bevindt de registratielaag zich op een transparant substraat. Het inschrijven van de informatie en het uitlezen vindt dan aan de substraatzijde van het element plaats. Storende 5 effecten van stofdeeltjes, die zich op het, van het substraat af gekeerde oppervlak van de registratielaag bevinden op de uitlezing worden door deze maatregel nagenoeg vermeden.
______ ______De uitvinding heeft eveneens betrekking op een methode voor_________ de optische registratie van informatie en voor het wissen van de 10 geregistreerde informatie, waarbij een optisch registratie element,, dat een voor laserlicht transparant substraat omvat en een daarop aangebrachte kristallijne registratielaag met een dikte van 80-300 nm, die een Te-Se-Sb legering bevat, wordt geroteerd met een frequentie van 1—30 Herz en aan de zijde van het substraat wordt belicht met conform 15 de informatie gepulseerd laserlicht met een pulsenergie gelijk aan of kleiner dan 1 nJ op de laag, waardoor de kristallijne registratielaag op de belichte plaatsen smelt, en vervolgens afkoelt, waarbij amorfe informatiegebiedjes worden gevormd en waarbij tijdens het wissen de amorfe gebiedjes 20 worden omgezet in de oorspronkelijke kristallijne struktuur door middel van een warmtebehandeling. Een voorkeursdikte van de registratielaag bedraagt hierbij 80-150 nm.
Een gunstige uitvoeringsvorm van deze methode draagt tot ken-! merk dat de amorfe gebiedjes door belichting met een laserlichtbundel 25 worden verhit op een temperatuur tussen de glastemperatuur en het smeltpunt van de registratielaag, enige tijd op deze temperatuur worden gehouden tot het amorfe deel van het registratiemateriaal is gekristalliseerd en vervolgens afgekoeld zodat de amorfe gebiedjes in real time omgezet worden in de oorspronkelijke kristallijne struktuur.
30 In een verdere gunstige uitvoeringsvorm van de methode volgens de uitvinding worden de amorfe informatiegebiedjes omgezet in de oorspronkelijke kristallijne struktuur door belichting met een laserlichtbundel met een spot lengte- .· van 1 -1 OCyum en een belichtingstijd per amorf gebiedje van 1-200 ^us.
35 De informatie opgeslagen in de vorm van amorfe gebiedjes in de registratielaag van het registratie element kan worden uitgelezen met behulp van laserlicht, bijvoorbeeld door gebruik te maken van het verschil in reflectie tussen de amorfe gebiedjes en de omringende kristal- 34 0 3 8 1 7 PHN 11.243 7
-L
•s lijne matrix.
De uitvinding wordt net behulp van bet uitvoeringsvoorbeeld, het diagramblad I en de tekening toegelicht waarbij: figuur 1 een dwarsdoorsnede is van een optisch registratie 5 element volgens de uitvinding, en figuur 2 een grafisch beeld geeft van de reflectie van een registratielaag als functie van de laagdikte.
m het pp het diagramblad aangegeven samenstellingsdiagram zijn pp de hoekpunten van het driehoekige diagram de samenstellende karr 10 ponenten Telluur (Te), Seleen (Se) en Antimoon (Sb) in atcomprocenten weergegeven. De in het registratie element volgens de uitvinding toegepaste registratielaag bevat een Te-Se-Sb legering, waarvan de verhouding der elementen ligt binnen een met een ononderbroken lijn begrensd gebied ABODE waarvan de hoekpunten in de aangegeven volgorde de samenstelling 15 hebben:
Ai TegoSeQSb2, B: Te^Se2QSb2, C: Tel8Se52Sb30, D: Te28Se2Sb7Q, E: ^90¾5¾ ’
Een voorkeursgebied zoals vermeld in de beschrijvingsinleiding ligt binnen het gebied ABPGE net hoekpunten: F en G: F: Ta^Se^Sb^ en 20 Gï ^63^2^35* 111 het zijn.de in de tabel vermelde samenstel lingen aangegeven. De cijfer aanduiding correspondeert met die in de tabel.
In figuur 1 is met het verwij zingscij fer 11 een transparante steunplaat weergegeven. Deze plaat 11 kan bestaan uit glas, kwartsglas, 25 kunststof zoals polycarbonaat of polymethyl methacrylaat. Aan een zijde is plaat 11 voorzien van een transparante laag 12 van een met licht geharde lak, waarin een spiraalvormig volgspoor 13 is aangebracht.
De laklaag 12 is af gedekt met een 100 nm dikke registratielaag 14. De registratielaag 14 is aangebracht door toepassing van een sputterproces.
3Q Dit kan ook door opdampen plaatsvinden. Nadat delaag is aangebracht wordt het element verwarmd tot de gehele laag 14 een polykristallijne struktuur bezit. De registratielaag 14 bestaat bijvoorbeeld uit Te^Se^Sb^Q. Cp de registratielaag 14 is een af deklaag 16 uit Si02 aangebracht door sputteren.
35 Bij gebruik van het registratie element volgens figuur 1 wordt het element bijvoorbeeld in de vorm van een schijf met een diameter van 10 cm geroteerd met een rotatiefrequentie van 4 Herz. Het registratie element wordt aan de zijde van het substraat 12, in het volgspoor 13, 8403817 c PHN 11.243 8
* A
i.
belicht net gepulseerd laserlicht net een emissie golflengte van 800 nm en een pulstijd van 60 ns. De laser heeft een vermogen van 8 nW op de registratielaag. Cp de belichte plaatsen van de registratielaag 14 wordt een amorf informatieplekje 15 gevormd met een diameter van 1^um.
5 De op deze wijze geregistreerde gegevens, in de vorm van amorfe vlekjes in een kristallijne matrix, worden in reflektie uitgelezen met een kontinue laserlichtbundel met een emissie golflengte van 800 nm en met een vermogen van 0.4 irW op de plaat. Het registratie element wordt bij uitlezing geroteerd met een rotatie van 4 Herz. De uitlezing is 10 gebaseerd op het verschil in reflektie tussen een amorf informatieplekje en de polykristallijne omgeving.
Dit verschil is geïllustreerd in figuur 2 waarin grafisch de reflektiecoëfficiënt (PC) vanaf de substraatzijde (12) uitgedrukt in percentage gereflecteerd licht, van een laag met de samenstelling 15 TeggSe.jQSb.jQ is uitgezet tegen de dikte (t) in nm van de laag. De golflengte van het toegepaste licht is 800 nm. De onderbroken lijn 21 in figuur 2 heeft betrekking cp een amorfe laag. De gestippelde onderbroken lijn 22 heeft betrekking op een polykristallijne laag. Het contrast tussen de amorfe laag en de kristallijne laag is weergegeven met de 20 lijn 23. Uit de figuur 2 blijkt dat bij een dikte tussen 80 en 100 nm het beste kontrast wordt bereikt.
25 30 35 8403817
Claims (9)
1. Wisbaar optisch registratie element met een steunplaat die voorzien is van een registratielaag, welke een telluur legering bevat, waarbij door belichting met gemoduleerd laserlicht, de registratielaag op de belichte plaatsen wordt angezet van een meer geordende of kristal- 5 lijne toestand naar een minder geordende of amorfe toestand en waarbij de plaatselijk veranderde toestand met behulp van laserlicht kan worden uitgelezen, met het kenmerk, dat de registratielaag een Te-Se-Sb legering bevat waarvan de verhouding van de elementen Te, Se en Sb in atoom-procenten ligt binnen een gebied in het Te-Se-Sb samenstellingsdiagram, 10 dat wordt begrensd door een veelhoek met de hoekpunten Teg0SegSb2 -Te7gSe2gSb2 - Te^gSeg^bgQ - Te2gSe2Sb^Q - TegoSe2Sbg en voorts dat de laagdikte van de registratielaag ligt tussen 80 en 300 nm.
2. Wisbaar optisch registratieelement volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat de verhouding van de elementen Te, Se en Sb in atoan- 15 procenten ligt binnen een gebied in het Te-Se-Sb diagram, dat begrensd wordt dcor een veelhoek met als hoekpunten TegQSegSb2 - Te7gSe2QSb2 - Te39^21^20 “ Te63Se2Sb35 “ Te90Se2Sb8 *
3. Wisbaar optisch registratie element volgens conclusie 2, net het kenmerk, dat de registratielaag een samenstelling Te80Se10Sb10,
20 Te-^Se^Sb^g of Teg0Se30Sb2Q heeft.
4/ Wisbaar optisch registratie element volgens conclusie 1, net het kenmerk, dat de laagdikte van de registratielaag van 80 tot 150 nm bedraagt.
5. Wisbaar optisch registratie element volgens conclusie 1, 25 met het kenmerk, dat de registratielaag zich bevindt op een voor laserlicht transparante steunplaat.
6. Wisbaar optisch registratie element volgens conclusie 1, net het kenmerk, cht de registratielaag is voorzien van een af deklaag.
7. Methode voor de optische registratie van informatie en 30 voor het wissen van de geregistreerde informatie, waarbij een optisch registratie element dat een voor laserlicht transparant substraat omvat en een daarop aangebrachte kristallijne registratielaag met een dikte van 80-300 nm die een Te-Se-Sb legering bevat, wordt geroteerd met een frequentie van 1-30 Herz en aan de zijde van het substraat wordt .belicht 35 met conform de informatie gepulseerd laserlicht met een pulsenergie gelijk aan of kleiner dan 1 nJ op de laag, waardoor de kristallijne registratie-r laag op de belichte plaatsen smelt, en vervolgens afkoelt, waarbij amorfe informatiegebiedjes worden gevormd 8403817 V Λ. A * * ΡΗΝ 11.243 10 en waarbij tijdens het wissen de amorfe gebiedjes worden omgezet in de oorspronkelijke kristallijne struktuur door middel van een warmtebehandeling.
8. Methode volgens conclusie 6, met het kenmerk, dat de 5 amorfe gebiedjes door belichting met een laserlichtbundel worden verhit op een temperatuur tussen de glastemperatuur en het smeltpunt van de registratielaag, enige tijd qp deze temperatuur worden gehouden tot het amorfe deel van het registratie materiaal is gekristalliseerd en vervolgens afgekoeld waarbij de amorfe gebiedjes in real time omgezet 10 warden in de oorspronkelijke kristallijne struktuur.
9. Methode volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat de amorfe gebiedjes omgezet worden in de kristallijne struktuur door belichting met een laserlichtbundel met een spotlengte van 1-1 OO^unen een belichtingstijd per amorf gebiedje van 1-200 ^us en een spotbreedte van 10. o5 — 2.5^urn. 20 25 30 35 8403817
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8403817A NL8403817A (nl) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. |
| EP85201918A EP0186227B1 (en) | 1984-12-17 | 1985-11-21 | Optical recording element and method of recording information |
| DE8585201918T DE3571166D1 (en) | 1984-12-17 | 1985-11-21 | Optical recording element and method of recording information |
| JP60281228A JPS61145738A (ja) | 1984-12-17 | 1985-12-16 | 消去可能光学記録素子およびこれを用いて情報を光学的に記録しおよび消去する方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8403817A NL8403817A (nl) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. |
| NL8403817 | 1984-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8403817A true NL8403817A (nl) | 1986-07-16 |
Family
ID=19844917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8403817A NL8403817A (nl) | 1984-12-17 | 1984-12-17 | Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0186227B1 (nl) |
| JP (1) | JPS61145738A (nl) |
| DE (1) | DE3571166D1 (nl) |
| NL (1) | NL8403817A (nl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222442A (ja) * | 1986-03-22 | 1987-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 書換型光記録媒体 |
| JPS6313784A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-21 | Hitachi Ltd | 追記形光学的情報記録部材 |
| US4924436A (en) * | 1987-06-22 | 1990-05-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage device having a phase change memory medium reversible by direct overwrite and method of direct overwrite |
| US5063097A (en) * | 1988-12-16 | 1991-11-05 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| EP0376678B1 (en) * | 1988-12-28 | 1995-03-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5766996A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Hitachi Ltd | Information recording member and method of preparing thereof |
| NL8005693A (nl) * | 1980-10-16 | 1982-05-17 | Philips Nv | Optische registratie schijf. |
| NL8203545A (nl) * | 1982-01-12 | 1983-08-01 | Philips Nv | Optische registratieschijf. |
-
1984
- 1984-12-17 NL NL8403817A patent/NL8403817A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-11-21 DE DE8585201918T patent/DE3571166D1/de not_active Expired
- 1985-11-21 EP EP85201918A patent/EP0186227B1/en not_active Expired
- 1985-12-16 JP JP60281228A patent/JPS61145738A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0186227B1 (en) | 1989-06-21 |
| JPS61145738A (ja) | 1986-07-03 |
| EP0186227A1 (en) | 1986-07-02 |
| DE3571166D1 (en) | 1989-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4773060A (en) | Optical information recording device | |
| CA1270949A (en) | Method for the optical recording of information and an optical recording element used in the method | |
| JP3566743B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3688530B2 (ja) | 記録媒体、記録装置および記録方法 | |
| JPS6248301B2 (nl) | ||
| JPH0548197B2 (nl) | ||
| KR100770768B1 (ko) | 광 기록매체와 이 광 기록매체를 이용한 기록방법 | |
| US4795695A (en) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers | |
| NL8403817A (nl) | Optisch registratie element en methode voor het registreren van informatie. | |
| TWI237244B (en) | Optic recording method and optic recording medium | |
| JP2592800B2 (ja) | 光学情報記録部材 | |
| NL8301956A (nl) | Optisch registratie element. | |
| CN1251212C (zh) | 可重写光学数据存储介质 | |
| JP2629746B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH03152736A (ja) | 光学情報記録媒体と光学情報記録媒体用保護膜 | |
| JP2001067719A (ja) | 光情報記録媒体および情報の記録再生方法 | |
| JPH06111369A (ja) | 情報の記録用部材および記録再生方法 | |
| JP3602589B2 (ja) | 光記録媒体および光記録方法 | |
| JP2615627B2 (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
| JPS62202345A (ja) | 書換型光記録媒体 | |
| JPS5941875B2 (ja) | レ−ザ−ビ−ム記録法 | |
| JP3523799B2 (ja) | 相変化記録媒体 | |
| JP2900862B2 (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JP2001155392A (ja) | 相変化型記録媒体及び記録再生装置 | |
| JPH07115536B2 (ja) | 光学情報記録部材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |