KR910001677A - 광기록매체 및 정보기록 재생장치 - Google Patents

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KR910001677A
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요시히도 마에다
이사오 이꾸다
하사시 안도오
마사이찌 나가이
요시미 가도오
요시오 사또
노부요시 쯔보이
히로유기 미네무라
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미다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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Abstract

내용 없음

Description

광기록매체 및 정보기록 재생장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기록소거의 변화율을 나타낸 특성도,
제2도는 오버라이트의 종래예를 나타낸 특성도,
제3도는 고상 및 액상소거의 특성도.

Claims (49)

  1. 비결정-결정의 상변화를 이용하여 기록 및 소거하는 광기록매체에 있어서 상기 광기록매체의 기록시 또는 기록매체를 구성하는 기록막의 비결정상태의 반사율이 광기록매체의 소거시 또는 기록매체를 구성하는 기록막의 결정상태의 반사율보다 큰 것을 갖는 광기록매체.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 부분적으로 레이저를 방사하여 반사율을 저하시킨 부분이 반사율이 높은 부분에 인접하는 것을 갖는 광기록매체.
  3. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 성막시의 흡수율 A(%), 방사하는 레이저 파워를 P(mW)로 하고 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 융점, 비열 및 열전도율로 부터 정할 수 있는 특정정수를 α로 했을 때 PA/100=α의 관계에 있어서 α=7~8을 만족시키는 것을 특징으로 하는 광기록매체.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 보지성이 있는 투망성 기판 또는 가소성시트나 테이프상에 직접 또는 간접적으로 기록만을 형성하고 유전체막 및 금속 반사막의 적어도 하나를 사용하여 광간섭효과 및 보호효과가 공시되는 구조를 갖는 광기록매체.
  5. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 투광성기판 및 시트, 테이프를 S로 했을 때 S/기록막/유전체막, S/기록막/금속반사막, S/기록막/금속반사막/유전체막, S/기록막/유전체막/금속반사막, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막, S/유전체막/기록막/금속반사막, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/기록막/S, S/기록막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, 의 어느하나의 구조를 갖는 광기록매체.
  6. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막이 적어도 안티몬, 아연, 주석, 납, 동, 은, 금, 인듐, 게르마늄의 어느 한종류의 원소의 한 종류이상의 상기 원소와의 2원화 화합물로 이루어진 것을 갖는 광기록매체.
  7. 비결정-결정의 상변화를 이용하여 기록 및 소거하는 광기록매체에 있어서 상기 광기록매체의 성막시 또는 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 있어서의 반사율을 Ras-depo로 하고, 상기 광기록매체의 소거시 또는 상기 광기록매체를 구성하는 기록막의 결정상태에 있어서 반사율을 Rx로하고, 상기 광기록매체의 기록시 또는 상기 광기록매체를 구성하는 기록막의 비결정상태에 있어서의 반사율을 Ra로 했을 경우 Ras-depo.>Ra>Rx인 것을 만족시키는 광기록매체.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 부분적으로 레이저를 방사하여 반사율을 저하시킨 부분이 반사율이 높은 부분에 인접하는 것을 갖는 광기록매체.
  9. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 성막시의 흡수율을 A(%), 방사하는 레이저파워를 P(mW)로 하고, 상기 광기록매체를 구성하는 기록막의 융점, 비열 및 열전도율로 부터 정할 수 있는 특정정수를 α로 했을 경우 PA/100=α의 관계에 있어서 α=7~8을 만족시키는 것을 광기록매체.
  10. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 광기록매체는 보지성이 있는 투광성 기판 또는 가소성이 있는 시트나 테이프상에 직접 또는 간접적으로 기록막을 형성하고 유전체막 및 금속반사막의 적어도 하나를 사용하여 광간섭효과 및 보호효과가 공시되는 구조를 갖는 광기록매체.
  11. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 광기록매체는 투광성기판 및 시트, 테이프를 s로 했을때 S/기록막/유전체막/ S/기록막/금속반사막, S/기록막/금속반사막/유전체막, S/기록막/유전체막/금속반사막, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막, S/유전체막/기록막/금속반사막, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/기록막/S, S/기록막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, 의 어느하나의 구조를 갖는 광기록매체.
  12. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막이 적어도 안티몬, 아연, 주석, 납, 동, 은, 금, 인듐, 게르마늄의 어느한종류의 원소와 상기 원소와 칼코겐원소와의 2원화 화합물로 이루어진 광기록매체.
  13. 비결정-결정간의 상변화를 이용하여 기록 및 소거하는 광기록매체에 있어서, 상기 광기록매체의 기록시 또는 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 비결정상태에 있어서의 흡수율이 상기 광기록매체의 소리시 또는 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 결정상태에 있어서의 흡수율보다 작은 것을 갖는 광기록매체.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 부분적으로 레이저를 방사하여 반사율을 저하시킨 부분이 반사율이 높은 부분에 인접하고 있는 것을 갖는 광기록매체.
  15. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 성막시의 흡수율을 A(%) 방사하는 레이저파워를 P(mW)로 하고 상기 광기록매체를 구성하는 기록막의 융점, 비열 및 열전도율로 부터 정할 수 있는 특정정수를 α로 했을 경우 PA/100=α의 관계에 있어서 α=7~8은 만족시키는 것을 광기록매체.
  16. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 광기록매체는 보지성이 있는 투광성기판 또는 가소성이 있는 시트나 테이프상에 직접 또는 간접적으로 기록막을 형성하고 유전체막 및 금속반사막의 적어도 하나를 사용하여 광간섭효과 및 보호효과가 공시되는 구조를 갖는 광기록매체.
  17. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 광기록매체는 투광성기판 및 시트, 테이프를 S를 했을때 S/기록막/유전체막/, S/기록막/금속반사막, S/기록막/금속반사막/유전체막, S/기록막/유전체막/금속반사막, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막, S/유전체막/기록막/금속반사막, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/기록막/S, S/기록막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, 의 어느하나의 구조를 갖는 광기록매체.
  18. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막이 적어도 안티몬, 아연, 주석, 납, 은, 동, 금, 인듐, 게르마늄의 어느한종류의 원소와 상기 원소와 칼코겐원소와의 2원화합물로 이루어진 광기록매체.
  19. 비결정-결정간의 상변화를 이용하여 기록 및 소거하는 광기록매체에 있어서 상기 광기록매체의 성막시 또는 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 있어서의 흡슈율을 Aas-depo.로 하고 상기 광기록매체의 소거시 또는 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 결정상태에 있어서이 흡수율을 Ax로 하고, 상기 광기록매체의 기록시 또는 상기 기록매체를 구성하는 기록막의 비결정상태에 있어서의 흡수율을 Aa로 했을 경우 Aas-depo.<Aa<Ax인 것을 만족시키는 광기록매체.
  20. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 부분적으로 레이저를 방사하여 반사율을 저하시킨 부분이 반사율이 높은 부분에 인접하는 것을 갖는 광기록매체.
  21. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 성막시의 흡수율을 A(%), 방사하는 레이저파워를 P(mW)로 하고, 상기 광기록매체를 구성하는 기록막의 융점, 비열 및 열전도율로 부터 정할 수 있는 특정 정수를 α로 했을 경우 PA/100=α의 관계에 있어서 α=7~8은 만족시키는 것을 광기록매체.
  22. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 광기록매체는 보지성이 있는 투광성기판 또는 가소성이 있는 시트나 테이프상에 직접 또는 간접적으로 기록막을 형성하고 유전체막 및 금속반사막의 적어도 하나를 사용하여 광간섭효과 및 보호효과가 공시되는 구조를 갖는 광기록매체.
  23. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 투광성기판 및 시트, 테이프를 S로 했을경우 S/기록막/유전체막/, S/기록막/금속반사막, S/기록막/금속반사막/유전체막, S/기록막/유전체막/금속반사막, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막, S/유전체막/기록막/금속반사막, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막, S/기록막/S, S/기록막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/금속반사막/유전체막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/S, S/유전체막/기록막/유전체막/금속반사막/유전체막/S, 의 어느하나의 구조를 갖는 광기록매체.
  24. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막이 적어도 안티몬, 아연, 주석, 납, 동, 은, 금, 인듐, 게르마늄의 어느한종류의 원소와 상기 원소와 칼코겐원소와의 2원화합물로 이루어진 광기록매체.
  25. 비결정-결정간의 상변화를 이용하여 기록 및 소거하는 광기록매체에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 비결정상태에서의 굴절율이 결정상태의 굴절을 보다도 크고, 동시에 비결정상태에서의 흡광계수가 결정상태의 흡광계수보다도 작은 것을 갖는 광기록매체.
  26. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 구성막이 적어도 하나의 단원소 물질과 한종류 이상의 칼코게나이드화합물로 이루어지는 광기록매체.
  27. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 구성막이 적어도 안티몬, 아연, 주석, 납, 동, 은, 금, 인듐, 게르마늄의 어느한 종류의 원소와 한종류이상의 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 갖는 광기록매체.
  28. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 광기로개체를 구성하는 기록막이 인듐과 텔름간에 형성하는 화합물 및 안티몬과 형성하는 화합물 및 안티몬 단원소로 이루어진 것을 갖는 광기록매체.
  29. 특허청구의 범위 제25항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막이 인듐 15%~35%원자, 텔륨25%~50%원자 및 안티몬 25%원자의 조성으로 이루어진 광기록매체.
  30. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 레이저비임 방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것으로 기록 및 소거를 행하는 것을 갖는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  31. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 레이저 비임방사에 의해 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것으로, 기록 및 소거를 행하고 동시에 기록부의 레이저 방사에 의한 도달온도가 소거부의 도달온도 보다도 높은 것을 갖는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  32. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 레이저비임의 방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상을 승온하여 용융하는 것으로 기록 및 소거를 행하고 동시에 레이저 비임에 의하여 소거하는 기존의 기로부의 도달온도가 이 기록부의 도달온도 보다도 낮은 것을 갖는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  33. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 레이저 비임 방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것으로 기록 및 소거를 행하고, 동시에 기록시의 방사레이저파워가 소거시의 방사레이저파워보다 큰 광기록매체의 기록, 소거방법.
  34. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 레이저 비임방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것으로 기록 및 소거를 행하고, 동시에 기록시의 방사 레이저펄스폭이 소거시의 방사레이저 펄스폭보다도 짧은 광기록매체의 기록, 소거방법.
  35. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 레이저 비임 방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것으로 기록 및 소거를 행하고 동시에 기록 및 소거의 방사레이저파워가 동일하고 기록시에는 기록주파수에 상당하는 펄스폭을 가진 레이저 펄스를 방사하고 소거시에는 직류전류레이저 비임을 방사하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  36. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 부분적으로 레이저방사하여 반사율을 변화시킨 부분에 정보신호를 기록하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  37. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 광기록매체를 구성하는 기록막의 성막상태에 부분적으로 레이저를 방사하여 반사율을 저하시킨 부분에 정보신호를 기록하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  38. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 기록 및 소거는 발진파장이 600~860nm의 반도체 레이저로 행하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  39. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 레이저 비임방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것과 동시에 기록 및 소거를 행하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  40. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 레이저 비임의 방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 용융하는 것 동시에 기록 및 소거를 행하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  41. 특허청구의 범위 제19항에 있어서, 레이저 비임의 방사에 의하여 광기록매체를 구성하는 기록막을 융점이상으로 승온하여 융용함과 동시에 기록 및 소거를 행하는 광기록매체의 기록, 소거방법.
  42. 레이저광원과 레이저 광원을 구동하는 레이저 구동회로와 레이저광을 광기록매체상에 구속시키는 광학계, 광기록매체서의 광학적변화를 검출하는 검출회로 및 특허청구의 범위 제1항에 기술된 광기록매체를 구비한 정보 기록 재생장치.
  43. 특허청구의 범위 제42항에 있어서, 레이저 광원은 발진파장이 600~860nm인 것을 갖는 정보기록 재생장치.
  44. 레이저광원과 레이저 광원을 구동하는 레이저 구동회로와 레이저광을 광기록매체상에 구속시키는 광학계, 광기록매체에서의 광학적변화를 검출하는 검출회로 및 특허청구의 범위 제7항에 기술된 광기록매체를 구비한 정보기록 재생장치.
  45. 특허청구의 범위 제44항에 있어서, 레이저 광원은 발진파장이 600~860nm인 정보기록 재생장치.
  46. 레이저광원과 레이저 광원을 구동하는 레이저 구동회로와 레이저광을 광기록매체상에 구속시키는 광학계, 광기록매체에서의 광학적변화를 검출하는 검출회로 및 특허청구의 범위 제13항에 기술된 광기록매체를 구비한 정보기록 재생장치.
  47. 특허청구의 범위 제46항에 있어서, 레이저 광원은 발진파장이 600~860nm인 정보기록 재생장치.
  48. 레이저 광원과 레이저광원을 구동하는 레이저 구동회로와 레이저광을 광기록매체상에 구속시키는 광학계, 광기록 매체에서의 광학적변화를 검출하는 검출회로와 특허청구의 범위 제19항에 기술된 광기록매체를 구비한 정보기록 재생장치.
  49. 특허청구의 범위 제48항에 있어서, 레이저 광원은 발진주파수가 600~860nm인 정보기록 재생장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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