JPH10289479A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JPH10289479A
JPH10289479A JP9108088A JP10808897A JPH10289479A JP H10289479 A JPH10289479 A JP H10289479A JP 9108088 A JP9108088 A JP 9108088A JP 10808897 A JP10808897 A JP 10808897A JP H10289479 A JPH10289479 A JP H10289479A
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Japan
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layer
recording
light
wavelength
absorbing layer
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Tatsuya Kato
達也 加藤
Hajime Utsunomiya
肇 宇都宮
Takeshi Komaki
壮 小巻
Hideki Hirata
秀樹 平田
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 相変化型光記録媒体、特に貼り合わせ型の相
変化型光記録媒体において、オーバーライト時に記録マ
ークとそれ以外の領域との間の光吸収率の差に起因して
生じる記録マークの歪みを、光透過性の高い反射層を設
けることにより防ぎ、かつ、接着層や樹脂保護層の塗布
むらに起因するジッター増大、トラックサーボ不良およ
びフォーカスサーボ不良を防ぐ。 【解決手段】 基体表面側に相変化型の記録層を有し、
この記録層の表面側に反射層と光吸収層とをこの順で有
し、前記光吸収層が染料を含有する紫外線硬化型樹脂に
より形成されたものであり、前記光吸収層の光透過率
が、波長域Ｓ（波長４００〜４５０nm）において８５％
以上であり、記録・再生波長において５５％以下であ
り、波長域Ｌ（８００〜８３０nm）において８０％以上
である光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。
【０００３】相変化型光記録媒体では、結晶−非結晶間
の反射率を利用するため、記録マーク以外の領域（結晶
状態）における記録層の吸収率（Ａｃ）と記録マーク
（非結晶状態）における記録層の吸収率（Ａａ）とが異
なることが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。この
ため、オーバーライト領域が結晶であったか非結晶であ
ったかによって記録感度および消去率が異なることにな
る。この結果、オーバーライトによって形成される記録
マークに長さおよび幅のばらつきが生じて、ジッターが
大きくなり、エラーとなることもある。高密度化のため
に記録マークの両端に情報を担持させるマークエッジ記
録を行っている場合には、記録マークの長さの変動の影
響を受けやすいため、エラーが多くなってしまう。この
問題を解決するためには、Ａｃ＝Ａａとするか、潜熱の
影響を考慮してＡｃ＞Ａａとする必要がある。このため
には、記録層やそれを挟んで設けられる誘電体層の厚さ
を制御すればよいが、通常の構造の媒体では、Ａｃ≧Ａ
ａとすると、記録マーク以外の領域における媒体からの
反射率（Ｒｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率
（Ｒａ）との差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるとい
う問題が生じてしまう。
【０００４】このような事情から、例えば特開平５−２
９８７４７号公報では、記録層上に誘電体層を介してＡ
ｕまたはＡｕ合金からなる薄い（厚さ１５nm以下）反射
層を設ける提案がなされている。同公報では、△Ａ（＝
Ａｃ−Ａａ）として５％以上、△Ｒ（＝Ｒｃ−Ｒａ）と
して１５％以上の値が得られている。
【０００５】また、特開平８−１２４２１８号公報で
は、基体上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反
射層、第３誘電体層、紫外線硬化樹脂層を順に積層した
構成の光学情報記録媒体において、Ａｃ＞Ａａとし、反
射層として透過性の極薄金属膜、ＳｉまたはＧｅを用
い、第３誘電体層として屈折率が１．５より大きな誘電
体を用いる旨の提案がなされている。光透過性の反射層
と高屈折率の第３誘電体層とを設けることにより、Ｒｃ
−Ｒａを大きく保ったままＡｃ／Ａａを大きくすること
が可能となる。
【０００６】しかし、上記各公報に記載されているよう
な光透過性の高い反射層を設けると、次のような問題が
生じる。それぞれ記録層を設けた２枚の基体を接着層に
より貼り合わせて、両面記録型媒体を作製する場合、接
着層を例えばロールコート法やスクリーンコート法によ
り形成すると、塗布方向に筋状の塗布むらが生じ、これ
が光ピックアップに戻ってノイズとなるため、ジッター
増大やトラックサーボ不良、フォーカスサーボ不良の要
因となる。また、単板型の媒体では、記録層側の最上層
として樹脂製の保護層が設けられるが、この保護層を例
えばスピンコート法により形成した場合にも、保護層の
塗布むらによるノイズの発生が問題となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、相変
化型光記録媒体、特に貼り合わせ型の相変化型光記録媒
体において、オーバーライト時に記録マークとそれ以外
の領域との間の光吸収率の差に起因して生じる記録マー
クの歪みを、光透過性の高い反射層を設けることにより
防ぎ、かつ、接着層や樹脂保護層の塗布むらに起因する
ジッター増大、トラックサーボ不良およびフォーカスサ
ーボ不良を防ぐことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３）のいずれかの構成により達成される。 （１） 基体表面側に相変化型の記録層を有し、この記
録層の表面側に反射層と光吸収層とをこの順で有し、前
記光吸収層が染料を含有する紫外線硬化型樹脂により形
成されたものであり、前記光吸収層の光透過率が、波長
域Ｓ（波長４００〜４５０nm）において８５％以上であ
り、記録・再生波長において５５％以下であり、波長域
Ｌ（８００〜８３０nm）において８０％以上である光記
録媒体。 （２） 前記光吸収層の基体側に、前記光吸収層に接し
て透明樹脂層を有する上記（１）の光記録媒体。 （３） 上記（１）または（２）の光記録媒体を、前記
光吸収層が内側になるように接着層を介して２枚貼り合
わせた光記録媒体。
【０００９】
【作用および効果】本発明では、図１および図２に示す
ような、基体２表面側に記録層４を有し、基体裏面側か
ら再生光が入射する構成の相変化型光記録媒体におい
て、記録層表面側に光透過率の高い反射層５を設ける。
これにより、オーバーライト時に記録マーク以外の領域
（結晶質）と記録マーク（非結晶）との間の光吸収率の
差に起因して生じる記録マークの歪みを防ぐ。そして、
本発明では、反射層５の表面側に、短波長域（波長域
Ｓ）、記録・再生光の波長および長波長域（波長域Ｌ）
のそれぞれにおいて特定の光透過率をもつ光吸収層６を
設ける。
【００１０】上記波長域Ｓは紫外線硬化型樹脂を硬化さ
せるための光の波長域に相当し、この波長域において光
吸収層の光透過率は一定値以上の高い値を示す。このた
め、紫外線硬化型樹脂を含む光吸収層の硬化が十分に行
える。
【００１１】記録・再生波長では、光吸収層の光透過率
は一定値以下の値を示す。このため、記録・再生の際に
樹脂保護層から基体側に戻る反射光や、貼り合わせ型媒
体では光吸収層の表面側に設けられる接着層から基体側
に戻る反射光が低減される。この結果、接着層の筋状等
の塗布むらによる乱反射光が低減され、ジッターが小さ
く、エラーが少なく、トラックサーボ不良およびフォー
カスサーボ不良が発生しない媒体が実現する。
【００１２】上記波長域Ｌは初期化に用いるバルクイレ
ーザーの波長域に相当する。バルクイレーザーは、出力
の高いガスレーザーや半導体レーザーのビームをあまり
絞らずに照射して、多数のトラックを一挙に結晶化させ
ることが可能な装置であり、相変化型光記録媒体の初期
化を工業的に行うためには最も適当な手段である。バル
クイレーザーでは、記録層を限定的に加熱できるため基
体の温度上昇が小さくなるので、耐熱性の低い樹脂基体
の利用が可能となる。本発明における光吸収層は、波長
域Ｌにおいて一定値以上の透過率を示す。すなわち、バ
ルクイレーザーから照射される大パワーレーザー光の吸
収が少ないので、初期化の際に光吸収層の発熱が抑えら
れ、熱による悪影響、例えばジッターの増大や基体の変
形などを防ぐことができる。
【００１３】波長域Ｌの光透過率が本発明範囲内であっ
てもやや低い場合、バルクイレーザーにより光吸収層が
発熱し、これが誘電体層や記録層に悪影響を及ぼすこと
があるが、光吸収層の基体側に光吸収層に接して透明樹
脂層を設ければ、光吸収層から誘電体層や記録層に到達
する熱を軽減できる。
【００１４】本発明では、図１および図２に示すよう
な、それぞれ記録層を有する２枚の基体を貼り合わせた
構造の両面記録型の媒体に限らず、記録層を設けない保
護基体を一方の基体として用いた片面記録型の媒体にも
適用することができる。そして、この場合でも、接着層
の塗布むらによる悪影響を防ぐという本発明の効果は、
同様に実現する。また、本発明は、貼り合わせ型媒体で
はなく単板型の媒体にも適用可能である。従来の単板型
媒体では、樹脂製保護層の塗布むらによる乱反射光のた
めにジッターの増大などが生じるが、樹脂製保護層に替
えて光吸収層を設けることにより、乱反射光が低減さ
れ、ジッター増大が抑えられる。
【００１５】なお、相変化型光記録媒体に光吸収層を設
けることについては、例えば以下に挙げるような提案が
なされている。
【００１６】特公平５−４４７４１号公報には、着色剤
を紫外線硬化型樹脂の中に混入して光吸収層を形成する
ことが記載されている。同公報では、雑音レベルが低
く、耐久性のよい光学的記録素子を得ることができると
している。同公報の実施例１では、ニトロセルロースを
主成分としたラッカー塗料にアニリンブラックを混入
し、溶剤を加えてスピンナーにより回転塗布して光吸収
層を形成し、記録部材を得ている。そして、同様にして
形成した記録部材を、ロールコータ塗布により形成した
粘着性ホットメルト型接着剤で貼り合わせ、両面記録型
の光学的記録素子を得ている。同公報において着色剤
は、読み出し光の波長の光を吸収することが重要である
とされ、具体例として、カーボンブラック、鉄黒、グラ
ファイト、アニリンブラック等の黒色のものが挙げら
れ、さらに、読み出し光にＨｅ−ＮｅレーザーまたはＡ
ｒレーザーを用いる場合には、黒色のものに加えて、フ
タロシアニンブルーやコバルトブルー、グンジョウ等の
青色着色剤も効果的であるとされている。
【００１７】しかし、同公報に具体例として挙げられて
いる着色剤のうち黒色のものは、本発明における透過率
の限定を満足しない。黒色の着色剤は、吸収スペクトル
が実質的にピークをもたないブロードなものである。こ
のため、記録・再生波長における透過率を低くすると、
上記波長域Ｓにおける透過率が低くなりすぎるため、紫
外線硬化型樹脂と組み合わせて光吸収層を形成したとき
に、樹脂の硬化が不十分となってしまう。また、上記波
長域Ｌにおける透過率も低くなりすぎるため、バルクイ
レーザーによる初期化の際に光吸収層の発熱が多くな
り、樹脂製基体の変形などの問題が生じる。
【００１８】また、同公報では、フタロシアニンブルー
などの青色着色剤の透過スペクトルは明示されておら
ず、これらの青色着色剤の上記波長域Ｓ、記録・再生波
長および上記波長域Ｌにおける透過率が本発明における
限定を満足するかどうかは不明である。フタロシアニン
ブルーは本発明で好ましく用いられる染料の１種である
が、フタロシアニンブルーでは、導入する置換基によっ
て吸収ピーク波長が移動するため、単にフタロシアニン
ブルーを用いただけでは本発明の効果は実現しない。ま
た、コバルトブルー（ＣｏＯ・ｎＡｌ2Ｏ3）およびグン
ジョウ［Ｎａ6Ａｌ6（ＳｉＯ4）6・２Ｎａ3ＳＯ4］は、
樹脂に不溶であるため、好ましくない。また、同公報に
は、反射層を設ける旨の記載もない。
【００１９】なお、同公報には、光吸収層と記録部材と
の間に透光性を有する界面分離層を設けることが記載さ
れている。この界面分離層は、顔料等の粒子性の着色剤
を光吸収層に混入させた場合に生じる乱反射の影響を軽
減するためのものであり、本発明において設けられる透
明樹脂層とは作用効果が異なるものである。
【００２０】特公平３−７９７７０号公報では、情報記
録媒体を接着層により貼り合わせてなる光学的記録素子
において、接着層に不透明な染料あるいは顔料を混入す
ることが提案されている。同公報において接着層を不透
明とするのは、張り合わせた記録媒体の表面状態（例え
ば、接着層との界面における気泡や形成むら）に応じた
乱反射成分がＳ／ＮやＣ／Ｎを劣化させることを防ぐた
めであり、この点では本発明に類似する。しかし、同公
報において不透明な顔料あるいは染料として例示されて
いるのはカーボンブラックおよびアニリンブラックであ
る。これら黒色の顔料および染料は、透過スペクトルが
ブロードであるため、上記したように本発明の効果は実
現しない。また、同公報記載の発明は、光吸収層を設け
ず、接着層を不透明とする点で本発明とは異なり、この
ため、接着層の塗布むらの影響を軽減する効果が本発明
よりも小さくなる。また、同公報には、反射層を設ける
旨の記載はない。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明が適用される光記録媒体の
具体的な構成例を、図１および図２に示す。図１に示す
光記録媒体は、基体２上に第１誘電体層３１、記録層
４、第２誘電体層３２、反射層５、第３誘電体層３３お
よび光吸収層６をこの順に設けた片面記録型（単板型）
媒体を２枚用い、光吸収層６が内側になるように接着層
７により接着した両面記録型のものである。図２に示す
光記録媒体は、第３誘電体層３３と光吸収層６との間
に、透明樹脂層８を設けたほかは、図１に示す光記録媒
体と同様な構成である。
【００２２】以下、各層の構成について説明する。
【００２３】光吸収層６ 光吸収層６は、その光透過率が、波長域Ｓ（波長４００
〜４５０nm）において８５％以上、好ましくは９０％以
上であり、記録・再生光の波長において５５％以下、好
ましくは５０％以下であり、波長域Ｌ（８００〜８３０
nm）において８０％以上、好ましくは９０％以上であ
る。
【００２４】本発明における光吸収層の光透過率は、次
のようにして求めた値である。まず、媒体に用いる基体
を用意し、この基体上に媒体と同条件で光吸収層だけを
形成して測定用サンプルを作製し、これについて透過ス
ペクトルを測定する。また、光吸収層を設けない基体だ
けの透過スペクトルも測定する。これらの測定結果を用
いて、基体の影響を排除した光吸収層だけの透過スペク
トルを算出し、波長域Ｓ、記録・再生波長および波長域
Ｌにおける光透過率を求める。なお、光吸収層を設ける
ことにより増透効果が生じて、特定の波長域における光
透過率が基体だけの光透過率よりも高くなることがあ
る。この場合、上記方法により算出される光吸収層の光
透過率は、１００％を超えることになる。
【００２５】波長域Ｓは、紫外線硬化型樹脂を硬化する
ためのメタルハライドランプや高圧水銀灯などの放射光
の主要波長（３６０〜４５０nm程度）を含むため、波長
域Ｓにおける光透過率が低すぎると光吸収層の硬化が不
十分となり、媒体作製が不可能となってしまう。
【００２６】記録・再生波長における光透過率が高すぎ
ると、接着層の塗布むらによる乱反射を十分に抑制する
ことができなくなって、ジッターが大きくなり、トラッ
クサーボやフォーカスサーボに悪影響を与えることもあ
る。
【００２７】波長域Ｌは、バルクイレーザーの波長域に
相当する。このため、波長域Ｌにおける光透過率が低す
ぎるとバルクイレーザーの大パワーレーザー光の吸収率
が高くなって過大な発熱が生じ、樹脂製基体の変形を招
くなどの問題が生じる。
【００２８】なお、光吸収層６は、耐擦傷性や耐食性の
向上のために設けられる従来の樹脂製保護層と同様な働
きも示す。
【００２９】光吸収層は、紫外線硬化型樹脂と、上記し
た透過率分布をもたせるための着色剤とを含有する紫外
線硬化型組成物を硬化させたものである。
【００３０】着色剤としては、染料を用いる。顔料を用
いると、光吸収層の基体側界面の表面性が顔料粒子によ
り粗くなるため、再生光がこの界面で乱反射されてジッ
ターの増大を招く。
【００３１】光吸収層に用いる染料は、上記した光透過
率分布が得られるものであれば特に限定されず、紫外線
硬化型樹脂を塗布する際の相溶性などを考慮して適宜選
択すればよいが、好ましくはフタロシアニン染料を用い
る。フタロシアニン染料としては、銅フタロシアニンに
脂肪鎖等の置換基を導入した油溶染料が好ましい。銅フ
タロシアニンに導入する置換基は、光透過率分布や相溶
性などを考慮して適宜選択すればよい。
【００３２】なお、本発明で用いる染料は、溶液化した
ときに、波長域Ｓの下限から波長域Ｌの上限までの範囲
における光吸収率の最大ピークが、記録・再生波長±１
５nmの範囲に存在することが好ましい。
【００３３】紫外線硬化型樹脂は、紫外線硬化性成分と
光重合開始剤とを含有するものである。光吸収層に用い
る紫外線硬化型樹脂は特に限定されず、塗布する際の染
料との相溶性などを考慮して適宜選択すればよく、例え
ばオリゴエステルアクリレート等の通常の紫外線硬化性
成分と、後述する接着層の説明において挙げる光重合開
始剤などを用いればよい。
【００３４】光吸収層の厚さは、上記した透過率分布が
得られ、かつ保護層として十分に働くように適宜決定す
ればよいが、通常、１〜１００μm、好ましくは３〜５
０μmである。光吸収層が薄すぎると、記録・再生波長
において十分な吸収率を得るためには光吸収層中の着色
剤の含有量を多くしなければならなくなる。このため、
樹脂への未溶解部が多くなって塗布むら等が発生しやす
くなり、また、接着性の劣化にもつながる。また、光吸
収層が薄すぎると保護層としての働きが不十分となる。
一方、光吸収層が厚すぎると、接着性が弱くなり、ま
た、媒体の反りが大きくなる。
【００３５】光吸収層中における着色剤と樹脂との比率
は特に限定されず、光吸収層の好ましい厚さ範囲におい
て上記した透過率分布が得られるように適宜決定すれば
よいが、通常、樹脂に対する着色剤の量は０．１〜５重
量％程度とする。
【００３６】光吸収層の形成方法は特に限定されず、ス
ピンコート、スクリーン印刷、グラビア塗布、スプレー
コート、ディッピング等の通常の方法により形成すれば
よいが、特にスピンコートを利用することが好ましい。
【００３７】透明樹脂層８ 光吸収層は、初期化時にバルクイレーザーの大パワーレ
ーザー光をいくらかは吸収するため、発熱する。光吸収
層の基体側に光吸収層に接して透明樹脂層８を設けるこ
とにより、誘電体層や記録層への光吸収層からの熱の伝
達を低減できる。したがって、バルクイレーザーのパワ
ーや、バルクイレーザーの波長域における光吸収層の光
透過率などを考慮し、必要に応じて透明樹脂層を設け
る。
【００３８】透明樹脂層の構成材料は特に限定されず、
バルクイレーザーの波長域における光透過率が十分に高
い樹脂、好ましくは波長域Ｌにおける光透過率が８５％
以上である樹脂を用いる。具体的には、紫外線硬化型樹
脂を用いることが好ましい。紫外線硬化型樹脂として
は、光吸収層に用いるものと同種のものから適宜選択す
ればよい。
【００３９】透明樹脂層の厚さは、光吸収層からの熱を
十分に遮断できるように適宜決定すればよいが、通常、
１〜１００μm、好ましくは３〜５０μmである。透明樹
脂層が薄すぎると熱遮断効果が不十分となり、透明樹脂
層が厚すぎると反りが大きくなり、また、接着性も弱く
なる。
【００４０】接着層７ 接着層７を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、
ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化
型接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であっても
よい。
【００４１】ホットメルト型接着剤のベースポリマーと
しては、常温で粘着性を有するものであれば特に制限は
ないが、熱可塑性ブロック共重合エラストマーを用いる
ことが好ましい。熱可塑性ブロック共重合エラストマー
のブロック構成要素としては、ポリスチレン、ポリブタ
ジエン、ポリイソプレン、エチレン−ブチレン共重合体
等が好ましく、これらの１種以上を用いることが好まし
い。特に、分子量２０００〜１２５００程度のポリスチ
レンと、分子量１０００〜２５００００程度のポリブタ
ジエン、ポリイソプレンまたはエチレン−ブチレン共重
合体とのブロック共重合エラストマーであることが好ま
しい。また、ブロック共重合エラストマーの分子量は３
０００〜５０万程度であることが好ましい。ベースポリ
マーには、これらの熱可塑性ブロック共重合エラストマ
ーの他、イソプレンゴム、スチレンゴム、ブタジエンゴ
ム、ブチルゴム等の合成ゴム、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、エチレン−ビニルアセテート共重合体等のポリ
オレフィンやポリオレフィン系共重合体などの１種以上
が必要に応じて含有されることが好ましい。
【００４２】なお、後述する紫外線硬化性成分を含むホ
ットメルト型接着剤は、ホットメルト型接着剤としての
使用が可能である他、紫外線や電子線等の照射により重
合させることも可能である。
【００４３】紫外線硬化型接着剤は、少なくとも紫外線
硬化性成分と光重合開始剤とを含む。紫外線硬化性成分
としては、紫外線や電子線に対する感応性を示す二重結
合を有するアクリロイル基を１分子中に少なくとも１つ
有する飽和炭化水素系樹脂のオリゴマーが好ましい。こ
のようなオリゴマーとしては、例えば、水添ポリブタジ
エン、ポリブテン、水添ポリイソプレン、ポリイソブチ
レン等の１分子中に少なくとも１つの水酸基またはカル
ボキシル基を含有する飽和炭化水素系樹脂オリゴマーの
アクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レートまたはエステルアクリレートが好ましく、これら
の１種以上を用いることが好ましい。硬化後の接着層の
常温でのヤング率を低下させるには、例えば、紫外線硬
化成分として長鎖アルキルやポリオールなどの長鎖分子
をもつアクリレートモノマーやアクリレートオリゴマー
を用い、成分中のこれらの比率を高くすればよい。長鎖
分子の例としては、カプロラクトン変性２−ヒドロキシ
エチルアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート（ＰＥＧ）、イソデシルアクリレート、イソオク
チルアクリレートなどが挙げられる。また、例えば、ポ
リオール構造をもつウレタンアクリレートオリゴマーを
主体とした紫外線硬化成分を用いることによっても、常
温でのヤング率を低下させることができる。光重合開始
剤としては、紫外線や電子線等の照射によりラジカルを
発生する通常の光重合開始剤を用いればよく、例えば、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル等のベンゾインエーテル系、ベンゾフェノ
ン、ｐ−メトキシベンゾフェノン、ｐ−ブロモベンゾフ
ェノン等のベンゾフェノン系、ベンジルメチルケター
ル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１，１−ジク
ロロアセトフェノン等のアセトフェノン系、２−クロロ
チオキサントン等のチオキサントン系、アントラキノ
ン、フェナントラキノン等のキノン系、ベンジルジスル
フィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスル
フィド系などが挙げられる。
【００４４】粘着剤としては、アクリル系等のベースポ
リマーに、上記したような粘着付与剤、軟化剤、充填
剤、老化防止剤、架橋剤等を添加したものを好ましく用
いることができる。
【００４５】上記したホットメルト型接着剤および粘着
剤には、粘着付与剤が含有されることが好ましい。粘着
付与剤としては、ロジン樹脂、クマロン樹脂、水添石油
樹脂、水添テルペン樹脂、フェノール樹脂等の１種以上
が好ましい。水添タイプの粘着付与剤は、相溶性が良好
で、熱安定性に悪影響を与えず、また、吸水率が低いの
で耐食性への影響が小さい。また、さらに、必要に応じ
て軟化剤が含有されることが好ましい。軟化剤として
は、プロセス油、パラフィン油、ポリブテン、ポリイソ
ブチレン等の１種以上が好ましい。なお、可塑剤、ワッ
クス、紫外線吸収剤、充填剤、老化防止剤等の添加剤を
必要に応じて加えてもよい。
【００４６】常温硬化型接着剤としては、シリコーンゴ
ム系接着剤、２液混合型接着剤、接触硬化型接着剤など
があるが、これらのなかではシリコーンゴム系接着剤が
好適である。
【００４７】接着剤の塗布には、ロールコータ等を用い
ればよい。接着剤は、一対の基体の一方だけに塗布して
もよく、両方に塗布してもよい。塗布後、必要に応じて
硬化を行う。また、粘着剤をシート化したものを基体に
貼付した後、基体同士を貼り合わせる構成としてもよ
い。
【００４８】接着層の厚さは、１０〜１００μm 、特に
４０〜８０μm とすることが好ましい。接着層が薄すぎ
ると接着力が不十分となりやすく、接着層が厚すぎると
耐久性が不十分となりやすい。
【００４９】反射層５ 反射層５は、光透過率が高い極薄の金属層から構成され
るか、記録・再生波長が含まれる近赤外から赤外域にか
けての透過性が高いＳｉやＧｅ等から構成されることが
好ましい。反射層の厚さは、前述したように記録層の記
録マーク以外の領域と記録マークとの間での吸収率を補
正できるように適宜決定すればよい。反射層の好ましい
厚さ範囲は構成材料によって大きく異なるので、構成材
料に応じて厚さを適宜決定すればよい。例えばＡｕ等の
金属を用いる場合には、反射層の厚さを好ましくは４０
nm以下、より好ましくは１０〜３０nmとし、Ｓｉまたは
Ｇｅを用いる場合には、反射層の厚さを好ましくは８０
nm以下、より好ましくは４０〜７０nmとする。反射層が
薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招き、反射層が厚すぎると前
述した吸収率補正効果が不十分となる。
【００５０】反射層を金属から構成する場合、Ａｕまた
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
【００５１】反射層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成
長法により形成することが好ましい。
【００５２】誘電体層３１、３２、３３ 第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出するために
設けられる。また、両誘電体層を設けることにより、変
調度を向上させることができる。
【００５３】第１誘電体層および第２誘電体層に用いる
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。
【００５４】ただし、第１誘電体層および第２誘電体層
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させることが好ましい。以下、硫化亜
鉛を含有する誘電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。Ｚ
ｎＳ含有誘電体層には、０〜１０００℃においてその硫
化物生成標準自由エネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネ
ルギーより低い元素（以下、金属元素Ａという）を含有
させることが好ましい。ＺｎＳ含有誘電体層中に金属元
素Ａを含有させることにより、繰り返しオーバーライト
の際のＳ遊離を抑制することができ、これによりジッタ
ー増大を防ぐことができ、繰り返しオーバーライト可能
な回数を増やすことができる。
【００５５】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００５６】ＺｎＳ含有誘電体層中において、全金属元
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライト時のジッター増大抑制効果が実現しない。
なお、金属元素Ａの添加による効果を十分に実現するた
めには、金属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％
以上、より好ましくは０．０３原子％以上とする。全金
属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭ
Ａ（電子線プローブＸ線マイクロアナリシス）などによ
り測定することができる。なお、誘電体層中における全
金属には、Ｓｉ等の半金属も含まれるものとする。
【００５７】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００５８】ＺｎＳ含有誘電体層には、硫化亜鉛以外の
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ4）の少なくとも１種が好ましい。誘電体
層を実質的に硫化亜鉛だけから構成した場合には誘電体
層が硬くなりすぎ、繰り返しオーバーライトを行ったと
きの熱衝撃により剥離が生じるなど、耐久性が低くなっ
てしまうが、酸化ケイ素や窒化ケイ素などを含有させる
ことにより、オーバーライト耐久性が向上する。
【００５９】ＺｎＳ含有誘電体層中における硫化亜鉛の
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。
【００６０】なお、以上ではＺｎＳ含有誘電体層中に金
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ2）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ2混合物からなるものな
どが挙げられる。
【００６１】第１誘電体層および第２誘電体層の一方だ
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。
【００６２】第１誘電体層および第２誘電体層の屈折率
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。
【００６３】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは５
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。
【００６４】反射層５上に必要に応じて設けられる第３
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
【００６５】第３誘電体層の構成材料は、第１誘電体層
および第２誘電体層の説明において挙げた各種誘電体か
ら選択すればよい。ただし、第３誘電体層は記録層に接
していないため、上記金属元素Ａを含有させる必要はな
い。
【００６６】第３誘電体層の厚さは、好ましくは３０〜
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
【００６７】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ2からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ2やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ2やＭｇ
Ｆ2からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ2とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。
【００６８】ＺｎＳ含有誘電体層は、Ａｒ中で通常のス
パッタ法により形成してもよいが、上記金属元素Ａを含
有させる場合には、好ましくはＡｒとＯ2との混合雰囲
気中でスパッタを行う。このような混合雰囲気中でスパ
ッタを行うことにより、繰り返しオーバーライト時のジ
ッター増大を抑える効果が、より高くなる。スパッタ時
のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上記主
ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有効で
あるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主ターゲ
ットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合物を
含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰囲気
中へのＯ2導入量を分圧比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表した
とき、この分圧比は好ましくは３０％以下、より好まし
くは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、記録
パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去
パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させるため
には、上記分圧比を好ましくは５％以上、より好ましく
は１０％以上とする。
【００６９】記録層４ 記録層の組成は特に限定されないが、以下に説明するＩ
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成
に対し、本発明は特に有効である。
【００７０】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を 式Ｉ ｛（ＩｎaＡｇbＴｅ1-a-b）1-cＳｂc｝1-dＭd で表したとき、好ましくは ａ＝０．１〜０．３、 ｂ＝０．１〜０．３、 ｃ＝０．５〜０．８、 ｄ＝０〜０．０５ であり、より好ましくは ａ＝０．１１〜０．２８、 ｂ＝０．１５〜０．２８、 ｃ＝０．５５〜０．６５、 ｄ＝０．００５〜０．０５ である。
【００７１】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の領域の反射率が低くな
って変調度が低下してしまう。
【００７２】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。
【００７３】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。
【００７４】式Ｉにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。
【００７５】式Ｉにおける元素Ｍは、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、
Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、ＴｂおよびＹから選
択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍは、書き
換え耐久性を向上させる効果、具体的には、書き換えの
繰り返しによる消去率の低下を抑える効果を示す。ま
た、高温・高湿などの悪条件下での信頼性を向上させ
る。このような効果が強力であることから、元素Ｍのう
ちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも１種が好まし
く、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより好ましく、Ｖ
が特に好ましい。
【００７６】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。
【００７７】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。
【００７８】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。
【００７９】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。
【００８０】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。
【００８１】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。
【００８２】なお、この組成系において繰り返し書き換
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。
【００８３】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００８４】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を 式II ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b で表わしたとき、好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ である。
【００８５】式IIにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。
【００８６】式IIにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。
【００８７】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１４〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。
【００８８】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。
【００８９】記録層の形成は、スパッタ法により行う。
スパッタ条件は特に限定されず、例えば、複数の元素を
含む材料をスパッタする際には、合金ターゲットを用い
てもよく、ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を
用いてもよい。
【００９０】基体２ 本発明の光記録媒体では基体２を通して記録層４に光ビ
ームが照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５
〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。
【００９１】書き換え 本発明により製造された光記録媒体に対する書き換え
（オーバーライト）は、従来の相変化型光記録媒体と同
様に行われる。記録パワーは、パルス状に加えてもよ
い。一つの信号を少なくとも２回の照射で記録すること
により記録マークでの蓄熱が抑制され、記録マーク後端
部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えることができる
ので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照射により消
去率も向上する。記録パワーおよび消去パワーの具体的
値は、実験的に決定することができる。なお、再生用レ
ーザー光には、記録層の結晶状態に影響を与えない低パ
ワーのものを用いる。
【００９２】記録に際し、レーザー光に対する記録層の
線速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは
１．２〜１６m/sである。
【００９３】上記組成の光記録媒体は、記録・再生光を
広い波長域から選択できるが、本発明では、記録・再生
光の波長を４６０〜７９０nm、好ましくは４７０〜７８
０nmの範囲から選択する。
【００９４】
【実施例】射出成形によりグルーブ（幅０．６μm、深
さ６５nm、ピッチ１．２μm）を同時形成した直径１２
０mm、厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体
２の表面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体
層３２、反射層５、第３誘電体層３３および光吸収層６
を形成して単板型の光記録ディスクを作製し、波長８１
０nmのバルクイレーザーにより初期化した後、同様にし
て作製し、同様にして初期化した他の光記録ディスクと
接着層７により貼り合わせて、図１に示す構成の両面型
光記録ディスク（サンプルNo.１）とした。接着層７
は、ホットメルト型接着剤を両方の単板型光記録ディス
ク表面にロールコータにより塗布することによって形成
した。
【００９５】第１誘電体層３１は、スパッタ法により形
成した。ターゲットには、ＺｎＳ（８５モル％）−Ｓｉ
Ｏ2（１５モル％）を用いた。第１誘電体層の厚さは２
５０nmとした。
【００９６】記録層４は、スパッタ法により形成した。
記録層の組成は、原子比で Ｇｅ0.225Ｓｂ0.225Ｔｅ0.550 とした。記録層の厚さは１２nmとした。
【００９７】第２誘電体層３２は、第１誘電体層３１と
同様にして形成した。第２誘電体層の厚さは１５nmとし
た。
【００９８】反射層５は、Ｓｉターゲットに用いてスパ
ッタ法により形成した。反射層の厚さは６０nmとした。
【００９９】第３誘電体層３３は、第１誘電体層３１と
同様にして形成した。第３誘電体層の厚さは８０nmとし
た。
【０１００】光吸収層６は、染料と紫外線硬化型樹脂と
を、重量比で染料：樹脂＝１：９９となるように混合し
て塗料を調製し、この塗料をスピンコート法により塗布
後、高圧水銀灯により硬化して形成した。硬化後の光吸
収層厚さは５μmであった。染料には保土ヶ谷化学製の
銅フタロシアニン誘導体を用い、紫外線硬化型樹脂には
大日本インキ製のＳＤ−２１１を用いた。
【０１０１】比較のために、染料を日本化薬製の銅フタ
ロシアニン誘導体に替えたほかはサンプルNo.１と同様
にして、光記録ディスク（サンプルNo.２）を作製し
た。
【０１０２】また、比較のために、光吸収層にアニリン
ブラック誘導体を添加したほかはサンプルNo.１と同様
にして、単板型の光記録ディスク（サンプルNo.３）を
作製した。ただし、光吸収層の形成に際しては、重量比
でアニリンブラック誘導体：樹脂＝３：９７とした。し
かし、このディスクでは光吸収層が十分に硬化せず、表
面にべたつきが残っていた。また、アニリンブラックは
紫外線硬化型樹脂との相溶性が悪いため樹脂不溶部が多
く、塗布むらが多発した。
【０１０３】光吸収層の透過スペクトルを調べるため
に、ポリカーボネート基体上に光吸収層だけを形成した
測定用サンプルについて透過スペクトルを測定し、ま
た、ポリカーボネート基体の透過スペクトルも測定し
た。なお、光吸収層は、サンプルNo.１の光吸収層と同
条件で形成した。この測定結果を用いて、ポリカーボネ
ート基体の影響を排除した光吸収層だけの透過スペクト
ルを求めた。結果を図３に示す。この光吸収層の各波長
域における透過率は、 波長域Ｓ：１００％、 記録・再生波長（６８０nm）：４０％、 波長域Ｌ：１００％ であった。
【０１０４】また、サンプルNo.２の光吸収層について
も、同様にして透過率を求めた。結果を図３に併記す
る。この光吸収層の各波長域における透過率は、 波長域Ｓ：９８％、 記録・再生波長（６８０nm）：８６％、 波長域Ｌ：１００％超 であった。
【０１０５】また、サンプルNo.３の光吸収層について
も、同様にして透過率を求めた。結果を図３に併記す
る。この光吸収層の各波長域における透過率は、 波長域Ｓ：７４％、 記録・再生波長（６８０nm）：６４％、 波長域Ｌ：８０％ であった。
【０１０６】また、サンプルNo.１に用いた染料とサン
プルNo.３に用いたアニリンブラック誘導体とを、それ
ぞれイソプロピルアルコールに溶解して１重量％の溶液
を調製し、この溶液の吸光度を測定したところ、図４に
示す結果が得られた。図４から、サンプルNo.１に用い
た染料の溶液は、記録・再生波長より１０nm短い波長で
吸光度ピークを示すことがわかる。
【０１０７】サンプルNo.１〜３に、波長６８０nm、Ｎ
Ａ０．６の光ヘッドをもつ測定器を用いて線速度１２m/
sで（１−７）ＲＬＬの記録信号を最短ビット長０．３
４μmで記録し、その再生信号をタイム・インターバル
・アナライザ（ＴＩＡ）により測定した。この結果か
ら、ウインドウ幅をＴｗとして σ／Ｔｗ（％） によりジッターを求めた。また、上記測定器を用いて線
速度１２m/sで３．２MHzの単一信号を記録し、スペアナ
でＣ／Ｎを測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１０８】
【表１】
【０１０９】表１から、本発明によりジッターおよびＣ
／Ｎが著しく改善されることがわかる。なお、比較例で
は、いずれもノイズレベルが上昇した。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
【図３】光吸収層の透過スペクトルを示すグラフであ
る。
【図４】染料溶液の吸光度を示すグラフである。
【符号の説明】
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ３３ 第３誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 光吸収層 ７ 接着層 ８ 透明樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平田 秀樹 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体表面側に相変化型の記録層を有し、
    この記録層の表面側に反射層と光吸収層とをこの順で有
    し、前記光吸収層が染料を含有する紫外線硬化型樹脂に
    より形成されたものであり、前記光吸収層の光透過率
    が、波長域Ｓ（波長４００〜４５０nm）において８５％
    以上であり、記録・再生波長において５５％以下であ
    り、波長域Ｌ（８００〜８３０nm）において８０％以上
    である光記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記光吸収層の基体側に、前記光吸収層
    に接して透明樹脂層を有する請求項１の光記録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１または２の光記録媒体を、前記
    光吸収層が内側になるように接着層を介して２枚貼り合
    わせた光記録媒体。
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