JP2000132867A

JP2000132867A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000132867A
Application number: JP10321332A
Authority: JP
Inventors: Hideki Hirata; 秀樹平田; Tatsuya Kato; 達也加藤; Takeshi Komaki; 壮小巻
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-10-26
Filing date: 1998-10-26
Publication date: 2000-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】貼り合わせ型の相変化型光記録媒体におい
て、オーバーライト時に記録マークとそれ以外の領域と
の間の光吸収率の差に起因して生じる記録マークの歪み
を、光透過性の高い反射層を設けることにより防ぎ、か
つ、接着層界面の凹凸に起因するジッター増大、トラッ
クサーボ不良およびフォーカスサーボ不良を防ぐ。【解決手段】少なくとも一方の表面に記録層と反射層
と光吸収層とをこの順で有する一対の基板を、接着層を
介して貼り合わせた構成を有し、記録層が光透過性を有
する相変化型のものであり、光吸収層が光吸収性を有す
るものであり、反射層が光透過性を有するものであり、
記録・再生波長における接着層の光透過率をＴａとした
ときＴａ≧８０％であり、記録・再生波長における光記
録媒体の光透過率をＴｄとしたときＴｄ≦１０％である
光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、また、駆動装置の光学系が光磁気記録媒体の
それに比べて単純であるため、注目されている。

【０００３】相変化型光記録媒体では、結晶−非結晶間
の反射率差を利用するため、記録マーク以外の領域（結
晶状態）における記録層の吸収率（Ａｃ）と記録マーク
（非結晶状態）における記録層の吸収率（Ａａ）とが異
なることが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。この
ため、オーバーライト領域が結晶であったか非結晶であ
ったかによって記録感度および消去率が異なることにな
る。この結果、オーバーライトによって形成される記録
マークに長さおよび幅のばらつきが生じて、ジッターが
大きくなり、エラーとなることもある。高密度化のため
に記録マークの両端に情報を担持させるマークエッジ記
録を行っている場合には、記録マークの長さの変動の影
響を受けやすいため、エラーが多くなってしまう。この
問題を解決するためには、Ａｃ＝Ａａとするか、潜熱の
影響を考慮してＡｃ＞Ａａとする必要がある。このため
には、記録層やそれを挟んで設けられる誘電体層の厚さ
を制御すればよいが、通常の構造の媒体では、Ａｃ≧Ａ
ａとすると、記録マーク以外の領域における媒体からの
反射率（Ｒｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率
（Ｒａ）との差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるとい
う問題が生じてしまう。

【０００４】このような事情から、例えば特開平５−２
９８７４７号公報では、記録層上に誘電体層を介してＡ
ｕまたはＡｕ合金からなる薄い（厚さ１５nm以下）反射
層を設ける提案がなされている。同公報では、△Ａ（＝
Ａｃ−Ａａ）として５％以上、△Ｒ（＝Ｒｃ−Ｒａ）と
して１５％以上の値が得られている。

【０００５】また、特開平８−１２４２１８号公報で
は、基体上に第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反
射層、第３誘電体層、紫外線硬化樹脂層を順に積層した
構成の光学情報記録媒体において、Ａｃ＞Ａａとし、反
射層として透過性の極薄金属膜、ＳｉまたはＧｅを用
い、第３誘電体層として屈折率が１．５より大きな誘電
体を用いる旨の提案がなされている。光透過性の反射層
と高屈折率の第３誘電体層とを設けることにより、Ｒｃ
−Ｒａを大きく保ったままＡｃ／Ａａを大きくすること
が可能となる。

【０００６】ところで、近年、ＤＶＤに代表されるよう
に、記録密度を向上させるために記録・再生波長を短く
したり、記録・再生光学系の対物レンズの開口数（Ｎ
Ａ）を大きくしたりすることにより、記録・再生時のビ
ームスポット径を小さくすることが行われている。しか
し、高ＮＡ化によってチルトマージンが小さくなってし
まう。そこで、ＤＶＤではチルトマージンを確保するた
め、基板の厚さを従来の光ディスクの約半分（０．６m
m）としている。このため、基板の剛性が低くなるの
で、２枚の基板を貼り合わせることが必須となってい
る。

【０００７】しかし、上記各公報に記載されているよう
な光透過性の高い反射層を設け、かつ、貼り合わせ基板
を用いると、次のような問題が生じる。２枚の基板の貼
り合わせには、ロールコート法やスクリーンコート法に
より形成した接着層を利用するが、接着層中の添加物
（微粒子等）や、接着層の塗布むら（主に筋状のもの）
によって透過光が散乱し、これが光ピックアップに戻っ
てノイズとなるため、ジッター増大やトラックサーボ不
良、フォーカスサーボ不良の要因となる。また、接着層
表面の凹凸（塗布むら）が基板表面の平滑性に影響を与
え、フォーカスエラーの増大を招く。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、貼り
合わせ型の相変化型光記録媒体において、オーバーライ
ト時に記録マークとそれ以外の領域との間の光吸収率の
差に起因して生じる記録マークの歪みを、光透過性の高
い反射層を設けることにより防ぎ、かつ、接着層界面の
凹凸に起因するジッター増大、トラックサーボ不良およ
びフォーカスサーボ不良を防ぐことである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（５）のいずれかの構成により達成される。（１）少なくとも一方の表面に記録層と反射層と光吸
収層とをこの順で有する一対の基板を、接着層を介して
貼り合わせた構成の光記録媒体であって、前記記録層が
光透過性を有する相変化型のものであり、前記光吸収層
が光吸収性を有するものであり、前記反射層が光透過性
を有するものであり、記録・再生波長における前記接着
層の光透過率をＴａとしたときＴａ≧８０％であり、記録・再生波長における前記光記録媒体の光透
過率をＴｄとしたときＴｄ≦１０％である光記録媒体。（２）前記光吸収層が染料を含有する紫外線硬化型樹
脂により形成されたものであり、前記光吸収層の光透過
率が、波長域Ｓ（波長４００〜４５０nm）において８５
％以上であり、記録・再生波長において５５％以下であ
り、波長域Ｌ（８００〜８３０nm）において８０％以上
である上記（１）の光記録媒体。（３）前記光吸収層の基体側に、前記光吸収層に接し
て透明樹脂層を有する上記（１）または（２）の光記録
媒体。（４）前記接着層が、スピンコート法により形成され
たものである上記（１）〜（３）のいずれかの光記録媒
体。（５）前記接着層が紫外線硬化型アクリル樹脂から構
成される上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒体。

【００１０】

【作用および効果】本発明では、図１および図２に示す
ような、基体２表面側に記録層４を有し、基体裏面側か
ら再生光が入射する構成の相変化型光記録媒体におい
て、記録層表面側に光透過率の高い反射層５を設ける。
これにより、オーバーライト時に記録マーク以外の領域
（結晶質）と記録マーク（非結晶）との間の光吸収率の
差に起因して生じる記録マークの歪みを防ぐ。

【００１１】本発明では、反射層５の表面側に、記録・
再生波長において吸収を示す光吸収層６を設け、さら
に、この光吸収層６の表面側に、接着層７を設ける。光
ピックアップから出射され、基体２を通って接着層７と
光吸収層６との界面および接着層７の表面に到達した
後、そこで反射して光ピックアップに戻る光は、光吸収
層６を２回通過するため、大きく減衰する。このため、
接着層７の両界面に存在する塗布むらや、接着層中の気
泡などに起因する乱反射光が光ピックアップにほとんど
戻らなくなり、ノイズが著しく減少してジッター増大や
トラックサーボ不良、フォーカスサーボ不良が顕著に減
少する。なお、光吸収層６の光吸収性は、記録・再生波
長における媒体全体の光透過率Ｔｄが１０％以下となる
ように設定される。Ｔｄが１０％を超えるような光透過
性の高い光吸収層を設けた場合、上述した効果が得られ
なくなる。

【００１２】本発明ではさらに、接着層７の光透過率Ｔ
ａを８０％以上と高くする。この光透過率Ｔａは、光記
録媒体に接着層を形成する方法と同じ方法で透明基板上
に形成した接着層で測定する。接着層７の表面が塗布む
ら等により荒れていたり、接着層中に気泡が存在してい
たりすると、光が散乱するためＴａが低くなる。このよ
うな接着層を有する基体同士を貼り合わせると、表面の
荒れや気泡の存在が基体２の表面性に反映されるので、
フォーカスエラー信号にノイズが乗って記録が正確にで
きなくなり、ビットエラーレート（ＢＥＲ）が増大して
しまう。本発明者らは、Ｔａを８０％以上とすることに
より、ＢＥＲが臨界的に減少することを見いだした。す
なわち、光透過性の反射層を有する貼り合わせ型光記録
媒体では、反射層と接着層との間に単に光吸収層を設け
るだけではフォーカスエラー信号に乗るノイズを著しく
減少させることはできない。

【００１３】本発明の好ましい態様では、短波長域（波
長域Ｓ）、記録・再生光の波長および長波長域（波長域
Ｌ）のそれぞれにおいて、以下に説明する光透過率をも
つように構成される。

【００１４】上記波長域Ｓは紫外線硬化型樹脂を硬化さ
せるための光の波長域に相当する。本発明の好ましい態
様では、この波長域において光吸収層の光透過率が一定
値以上の高い値を示す。このため、紫外線硬化型樹脂を
含む光吸収層の硬化が十分に行える。

【００１５】本発明の好ましい態様では、記録・再生波
長において、光吸収層の光透過率は一定値以下の値を示
す。このため、記録・再生の際に接着層側から基体側に
戻る反射光が低減され、上述した効果を生む。

【００１６】上記波長域Ｌは初期化に用いるバルクイレ
ーザーの波長域に相当する。バルクイレーザーは、出力
の高いガスレーザーや半導体レーザーのビームをあまり
絞らずに照射して、多数のトラックを一挙に結晶化させ
ることが可能な装置であり、相変化型光記録媒体の初期
化を工業的に行うためには最も適当な手段である。バル
クイレーザーでは、記録層を限定的に加熱できるため基
体の温度上昇が小さくなるので、耐熱性の低い樹脂基体
の利用が可能となる。本発明の好ましい態様では、光吸
収層は波長域Ｌにおいて一定値以上の透過率を示す。す
なわち、バルクイレーザーから照射される大パワーレー
ザー光の吸収が少ないので、初期化の際に光吸収層の発
熱が抑えられ、熱による悪影響、例えばジッターの増大
や基体の変形などを防ぐことができる。

【００１７】波長域Ｌの光透過率が好ましい範囲内であ
ってもやや低い場合、バルクイレーザーにより光吸収層
が発熱し、これが誘電体層や記録層に悪影響を及ぼすこ
とがあるが、光吸収層の基体側に光吸収層に接して透明
樹脂層を設ければ、光吸収層から誘電体層や記録層に到
達する熱を軽減できる。

【００１８】なお、相変化型光記録媒体に光吸収層を設
けることについては、例えば以下に挙げるような提案が
なされている。

【００１９】特公平５−４４７４１号公報には、着色剤
を紫外線硬化型樹脂の中に混入して光吸収層を形成する
ことが記載されている。同公報では、雑音レベルが低
く、耐久性のよい光学的記録素子を得ることができると
している。同公報の実施例１では、ニトロセルロースを
主成分としたラッカー塗料にアニリンブラックを混入
し、溶剤を加えてスピンナーにより回転塗布して光吸収
層を形成し、記録部材を得ている。そして、同様にして
形成した記録部材を、ロールコータ塗布により形成した
粘着性ホットメルト型接着剤で貼り合わせ、両面記録型
の光学的記録素子を得ている。同公報において着色剤
は、読み出し光の波長の光を吸収することが重要である
とされ、具体例として、カーボンブラック、鉄黒、グラ
ファイト、アニリンブラック等の黒色のものが挙げら
れ、さらに、読み出し光にＨｅ−ＮｅレーザーまたはＡ
ｒレーザーを用いる場合には、黒色のものに加えて、フ
タロシアニンブルーやコバルトブルー、グンジョウ等の
青色着色剤も効果的であるとされている。

【００２０】しかし、同公報には、粘着性ホットメルト
型接着剤からなる接着層の光透過率は記載されていな
い。本発明者らの研究によれば、ロールコータにより形
成した粘着性ホットメルト型接着剤層では表面を平滑に
することが難しい。このため、前記光透過率Ｔａが５０
％未満となってしまい、媒体全面においてフォーカスエ
ラー信号にノイズが発生し、ＢＥＲが増大してしまう。

【００２１】また、同公報に具体例として挙げられてい
る着色剤のうち黒色のものは、本発明の好ましい態様に
おける透過率の限定を満足しない。黒色の着色剤は、吸
収スペクトルが実質的にピークをもたないブロードなも
のである。このため、記録・再生波長における透過率を
低くすると、上記波長域Ｓにおける透過率が低くなりす
ぎるため、紫外線硬化型樹脂と組み合わせて光吸収層を
形成したときに、樹脂の硬化が不十分となってしまう。
また、上記波長域Ｌにおける透過率も低くなりすぎるた
め、バルクイレーザーによる初期化の際に光吸収層の発
熱が多くなり、樹脂製基体の変形などの問題が生じる。

【００２２】また、同公報では、フタロシアニンブルー
などの青色着色剤の透過スペクトルは明示されておら
ず、これらの青色着色剤の上記波長域Ｓ、記録・再生波
長および上記波長域Ｌにおける透過率が本発明の好まし
い態様における限定を満足するかどうかは不明である。
フタロシアニンブルーは本発明で好ましく用いられる染
料の１種であるが、フタロシアニンブルーでは、導入す
る置換基によって吸収ピーク波長が移動するため、単に
フタロシアニンブルーを用いただけでは本発明の好まし
い態様における効果は実現しない。また、コバルトブル
ー（ＣｏＯ・ｎＡｌ₂Ｏ₃）およびグンジョウ［Ｎａ₆Ａ
ｌ₆（ＳｉＯ₄）₆・２Ｎａ₃ＳＯ₄］は、樹脂に不溶であ
るため、好ましくない。また、同公報には、反射層を設
ける旨の記載もない。

【００２３】なお、同公報には、光吸収層と記録部材と
の間に透光性を有する界面分離層を設けることが記載さ
れている。この界面分離層は、顔料等の粒子性の着色剤
を光吸収層に混入させた場合に生じる乱反射の影響を軽
減するためのものであり、本発明において設けられる透
明樹脂層とは作用効果が異なるものである。

【００２４】特公平３−７９７７０号公報では、情報記
録媒体を接着層により貼り合わせてなる光学的記録素子
において、接着層に不透明な染料あるいは顔料を混入す
ることが提案されている。同公報において接着層を不透
明とするのは、張り合わせた記録媒体の表面状態（例え
ば、接着層との界面における気泡や形成むら）に応じた
乱反射成分がＳ／ＮやＣ／Ｎを劣化させることを防ぐた
めであり、この点では本発明に類似する。しかし、同公
報において不透明な顔料あるいは染料として例示されて
いるのはカーボンブラックおよびアニリンブラックであ
る。これら黒色の顔料および染料は、透過スペクトルが
ブロードであるため、上記したように本発明の好ましい
態様における効果は実現しない。また、同公報記載の発
明は、光吸収層を設けず、接着層を不透明とする点で本
発明とは異なり、このため、接着層の塗布むらの影響を
軽減する効果が本発明よりも小さくなる。また、同公報
には、光透過性を有する反射層を設ける旨の記載はな
い。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明が適用される光記録媒体の
具体的な構成例を、図１および図２に示す。図１に示す
光記録媒体は、基体２上に第１誘電体層３１、記録層
４、第２誘電体層３２、反射層５、第３誘電体層３３お
よび光吸収層６をこの順に設けた片面記録型（単板型）
媒体を２枚用い、光吸収層６が内側になるように接着層
７により接着した両面記録型のものである。図２に示す
光記録媒体は、第３誘電体層３３と光吸収層６との間に
透明樹脂層８を設けたほかは、図１に示す光記録媒体と
同様な構成である。

【００２６】ただし、本発明は、片面記録型媒体の上
に、接着層を介して保護基体を接着した、貼り合わせ型
の片面記録型媒体にも適用できる。

【００２７】以下、各層の構成について説明する。

【００２８】接着層７接着層７の記録・再生波長における光透過率をＴａとし
たとき、Ｔａ≧８０％であり、好ましくはＴａ≧８５％である。Ｔａが低すぎると、前述したようにフォーカス
エラー信号のノイズが増大してしまう。

【００２９】本発明における接着層の光透過率は、次の
ようにして求めた値である。まず、媒体に用いる基体を
用意し、この基体上に媒体形成の際と同一の条件で接着
層だけを形成して測定用サンプルを作製し、これについ
て透過スペクトルを測定する。また、接着層を設けない
基体だけの透過スペクトルも測定する。これらの測定結
果を用いて、基体の影響を排除した接着層だけの透過ス
ペクトルを算出し、記録・再生波長における光透過率を
求める。なお、接着層を設けることにより増透効果が生
じて、Ｔａが基体だけの場合の光透過率よりも高くなる
ことがある。

【００３０】接着層７を構成する接着剤は特に限定され
ず、例えば、ホットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着
剤、常温硬化型接着剤等のいずれであってもよく、粘着
剤であってもよい。ただし、光透過率Ｔａを上記範囲と
するためには、スピンコート法で形成することが好まし
いので、スピンコート法により形成しやすく、かつ、そ
の場合に平滑な表面が得られやすい接着剤、具体的には
紫外線硬化型接着剤を用いることが好ましい。そして、
特に紫外線硬化型アクリル樹脂から接着層を構成するこ
とが好ましい。

【００３１】紫外線硬化型接着剤は、少なくとも紫外線
硬化性成分と光重合開始剤とを含む。紫外線硬化性成分
としては、紫外線や電子線に対する感応性を示す二重結
合を有するアクリロイル基を１分子中に少なくとも１つ
有する飽和炭化水素系樹脂のオリゴマーが好ましい。こ
のようなオリゴマーとしては、例えば、水添ポリブタジ
エン、ポリブテン、水添ポリイソプレン、ポリイソブチ
レン等の１分子中に少なくとも１つの水酸基またはカル
ボキシル基を含有する飽和炭化水素系樹脂オリゴマーの
アクリレート、ウレタンアクリレート、エポキシアクリ
レートまたはエステルアクリレートが好ましく、これら
の１種以上を用いることが好ましい。硬化後の接着層の
常温でのヤング率を低下させるには、例えば、紫外線硬
化成分として長鎖アルキルやポリオールなどの長鎖分子
をもつアクリレートモノマーやアクリレートオリゴマー
を用い、成分中のこれらの比率を高くすればよい。長鎖
分子の例としては、カプロラクトン変性２−ヒドロキシ
エチルアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリ
レート（ＰＥＧ）、イソデシルアクリレート、イソオク
チルアクリレートなどが挙げられる。また、例えば、ポ
リオール構造をもつウレタンアクリレートオリゴマーを
主体とした紫外線硬化成分を用いることによっても、常
温でのヤング率を低下させることができる。光重合開始
剤としては、紫外線や電子線等の照射によりラジカルを
発生する通常の光重合開始剤を用いればよく、例えば、
ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル等のベンゾインエーテル系、ベンゾフェノ
ン、ｐ−メトキシベンゾフェノン、ｐ−ブロモベンゾフ
ェノン等のベンゾフェノン系、ベンジルメチルケター
ル、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１，１−ジク
ロロアセトフェノン等のアセトフェノン系、２−クロロ
チオキサントン等のチオキサントン系、アントラキノ
ン、フェナントラキノン等のキノン系、ベンジルジスル
フィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスル
フィド系などが挙げられる。

【００３２】ホットメルト型接着剤のベースポリマーと
しては、常温で粘着性を有するものであれば特に制限は
ないが、熱可塑性ブロック共重合エラストマーを用いる
ことが好ましい。熱可塑性ブロック共重合エラストマー
のブロック構成要素としては、ポリスチレン、ポリブタ
ジエン、ポリイソプレン、エチレン−ブチレン共重合体
等が好ましく、これらの１種以上を用いることが好まし
い。特に、分子量２０００〜１２５００程度のポリスチ
レンと、分子量１０００〜２５００００程度のポリブタ
ジエン、ポリイソプレンまたはエチレン−ブチレン共重
合体とのブロック共重合エラストマーであることが好ま
しい。また、ブロック共重合エラストマーの分子量は３
０００〜５０万程度であることが好ましい。ベースポリ
マーには、これらの熱可塑性ブロック共重合エラストマ
ーの他、イソプレンゴム、スチレンゴム、ブタジエンゴ
ム、ブチルゴム等の合成ゴム、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン、エチレン−ビニルアセテート共重合体等のポリ
オレフィンやポリオレフィン系共重合体などの１種以上
が必要に応じて含有されることが好ましい。

【００３３】なお、前記した紫外線硬化性成分を含むホ
ットメルト型接着剤は、ホットメルト型接着剤としての
使用が可能である他、紫外線や電子線等の照射により重
合させることも可能である。

【００３４】粘着剤としては、アクリル系等のベースポ
リマーに、上記したような粘着付与剤、軟化剤、充填
剤、老化防止剤、架橋剤等を添加したものを好ましく用
いることができる。

【００３５】上記したホットメルト型接着剤および粘着
剤には、粘着付与剤が含有されることが好ましい。粘着
付与剤としては、ロジン樹脂、クマロン樹脂、水添石油
樹脂、水添テルペン樹脂、フェノール樹脂等の１種以上
が好ましい。水添タイプの粘着付与剤は、相溶性が良好
で、熱安定性に悪影響を与えず、また、吸水率が低いの
で耐食性への影響が小さい。また、さらに、必要に応じ
て軟化剤が含有されることが好ましい。軟化剤として
は、プロセス油、パラフィン油、ポリブテン、ポリイソ
ブチレン等の１種以上が好ましい。なお、可塑剤、ワッ
クス、紫外線吸収剤、充填剤、老化防止剤等の添加剤を
必要に応じて加えてもよい。

【００３６】常温硬化型接着剤としては、シリコーンゴ
ム系接着剤、２液混合型接着剤、接触硬化型接着剤など
があるが、これらのなかではシリコーンゴム系接着剤が
好適である。

【００３７】上述したように、接着剤の塗布にはスピン
コート法を用いることが好ましい。接着剤は、一対の基
体の一方の側だけに塗布してもよく、両方の側に塗布し
てもよい。両方の側に塗布する場合、両接着層において
Ｔａを上記範囲とすることが好ましい。塗布後、必要に
応じて硬化を行う。なお、粘着剤をシート化したものを
基体に貼付した後、基体同士を貼り合わせる構成として
もよい。

【００３８】接着層の厚さは、１〜１００μmとするこ
とが好ましい。接着層が薄すぎると接着力が不十分とな
りやすく、接着層が厚すぎると耐久性が不十分となりや
すい。

【００３９】光吸収層６光吸収層６は、少なくとも記録・再生光の波長において
吸収性を示すものであり、その光透過率は、波長域Ｓ
（波長４００〜４５０nm）において好ましくは８５％以
上、より好ましくは９０％以上であり、記録・再生光の
波長において好ましくは５５％以下、より好ましくは５
０％以下であり、波長域Ｌ（８００〜８３０nm）におい
て好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上で
ある。

【００４０】本発明における光吸収層の光透過率は、次
のようにして求めた値である。まず、媒体に用いる基体
を用意し、この基体上に媒体と同条件で光吸収層だけを
形成して測定用サンプルを作製し、これについて透過ス
ペクトルを測定する。また、光吸収層を設けない基体だ
けの透過スペクトルも測定する。これらの測定結果を用
いて、基体の影響を排除した光吸収層だけの透過スペク
トルを算出し、波長域Ｓ、記録・再生波長および波長域
Ｌにおける光透過率を求める。なお、光吸収層を設ける
ことにより増透効果が生じて、特定の波長域における光
透過率が基体だけの光透過率よりも高くなることがあ
る。この場合、上記方法により算出される光吸収層の光
透過率は、１００％を超えることになる。

【００４１】波長域Ｓは、紫外線硬化型樹脂を硬化する
ためのメタルハライドランプや高圧水銀灯などの放射光
の主要波長（３６０〜４５０nm程度）を含むため、波長
域Ｓにおける光透過率が低すぎると光吸収層の硬化が不
十分となり、媒体作製が不可能となってしまう。

【００４２】記録・再生波長における光透過率が高すぎ
ると、接着層の塗布むらによる乱反射を十分に抑制する
ことができなくなって、ジッターが大きくなり、トラッ
クサーボやフォーカスサーボに悪影響を与えることもあ
る。

【００４３】波長域Ｌは、バルクイレーザーの波長域に
相当する。このため、波長域Ｌにおける光透過率が低す
ぎるとバルクイレーザーの大パワーレーザー光の吸収率
が高くなって過大な発熱が生じ、樹脂製基体の変形を招
くなどの問題が生じる。

【００４４】なお、光吸収層６は、耐擦傷性や耐食性の
向上のために設けられる従来の樹脂製保護層と同様な働
きも示す。

【００４５】光吸収層は、紫外線硬化型樹脂と、上記し
た透過率分布をもたせるための着色剤とを含有する紫外
線硬化型組成物を硬化させたものである。

【００４６】着色剤としては、染料を用いる。顔料を用
いると、光吸収層の基体側界面の表面性が顔料粒子によ
り粗くなるため、再生光がこの界面で乱反射されてジッ
ターの増大を招く。

【００４７】光吸収層に用いる染料は、上記した光透過
率分布が得られるものであれば特に限定されず、紫外線
硬化型樹脂を塗布する際の相溶性などを考慮して適宜選
択すればよいが、好ましくはフタロシアニン染料を用い
る。フタロシアニン染料としては、銅フタロシアニンに
脂肪鎖等の置換基を導入した油溶染料が好ましい。銅フ
タロシアニンに導入する置換基は、光透過率分布や相溶
性などを考慮して適宜選択すればよい。

【００４８】なお、本発明で用いる染料は、溶液化した
ときに、波長域Ｓの下限から波長域Ｌの上限までの範囲
における光吸収率の最大ピークが、記録・再生波長±１
５nmの範囲に存在するものであることが好ましい。

【００４９】紫外線硬化型樹脂は、紫外線硬化性成分と
光重合開始剤とを含有するものである。光吸収層に用い
る紫外線硬化型樹脂は特に限定されず、塗布する際の染
料との相溶性などを考慮して適宜選択すればよく、例え
ばオリゴエステルアクリレート等の通常の紫外線硬化性
成分と、後述する接着層の説明において挙げる光重合開
始剤などを用いればよい。

【００５０】光吸収層の厚さは、上記した透過率分布が
得られ、かつ保護層として十分に働くように適宜決定す
ればよいが、通常、１〜１００μm、好ましくは３〜５
０μmである。光吸収層が薄すぎると、記録・再生波長
において十分な吸収率を得るためには光吸収層中の着色
剤の含有量を多くしなければならなくなる。このため、
樹脂への未溶解部が多くなって塗布むら等が発生しやす
くなり、また、接着性の劣化にもつながる。また、光吸
収層が薄すぎると保護層としての働きが不十分となる。
一方、光吸収層が厚すぎると、接着性が弱くなり、ま
た、媒体の反りが大きくなる。

【００５１】光吸収層中における着色剤と樹脂との比率
は特に限定されず、光吸収層の好ましい厚さ範囲におい
て上記した透過率分布が得られるように適宜決定すれば
よいが、通常、樹脂に対する着色剤の量は０．１〜５重
量％程度とする。

【００５２】光吸収層の形成方法は特に限定されず、ス
ピンコート、スクリーン印刷、グラビア塗布、スプレー
コート、ディッピング等の通常の方法により形成すれば
よいが、表面を平滑にするために、スピンコートを利用
することが特に好ましい。

【００５３】透明樹脂層８光吸収層は、初期化時にバルクイレーザーの大パワーレ
ーザー光をいくらかは吸収するため、発熱する。光吸収
層の基体側に光吸収層に接して透明樹脂層８を設けるこ
とにより、誘電体層や記録層への光吸収層からの熱の伝
達を低減できる。したがって、バルクイレーザーのパワ
ーや、バルクイレーザーの波長域における光吸収層の光
透過率などを考慮し、必要に応じて透明樹脂層を設け
る。

【００５４】透明樹脂層の構成材料は特に限定されず、
バルクイレーザーの波長域における光透過率が十分に高
い樹脂、好ましくは波長域Ｌにおける光透過率が８５％
以上である樹脂を用いる。具体的には、紫外線硬化型樹
脂を用いることが好ましい。紫外線硬化型樹脂として
は、光吸収層に用いるものと同種のものから適宜選択す
ればよい。

【００５５】透明樹脂層の厚さは、光吸収層からの熱を
十分に遮断できるように適宜決定すればよいが、通常、
１〜１００μm、好ましくは３〜５０μmである。透明樹
脂層が薄すぎると熱遮断効果が不十分となり、透明樹脂
層が厚すぎると反りが大きくなり、また、接着性も弱く
なる。

【００５６】反射層５反射層５は、光透過率が高い極薄の金属層から構成され
るか、記録・再生波長が含まれる近赤外から赤外域にか
けての透過性が高いＳｉやＧｅ等から構成されることが
好ましい。反射層の厚さは、前述したように記録層の記
録マーク以外の領域と記録マークとの間での吸収率を補
正できるように適宜決定すればよい。反射層の好ましい
厚さ範囲は構成材料によって大きく異なるので、構成材
料に応じて厚さを適宜決定すればよい。例えばＡｕ等の
金属を用いる場合には、反射層の厚さを好ましくは４０
nm以下、より好ましくは１０〜３０nmとし、Ｓｉまたは
Ｇｅを用いる場合には、反射層の厚さを好ましくは８０
nm以下、より好ましくは４０〜７０nmとする。反射層が
薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招き、反射層が厚すぎると前
述した吸収率補正効果が不十分となる。

【００５７】反射層を金属から構成する場合、Ａｕまた
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。

【００５８】反射層は、スパッタ法や蒸着法等の気相成
長法により形成することが好ましい。

【００５９】誘電体層３１、３２、３３第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防ぎ、また、記録
時に記録層から基体に伝わる熱を遮断して基体を保護す
る。第２誘電体層３２は、記録層を保護すると共に、記
録後、記録層に残った熱を熱伝導により放出するために
設けられる。また、両誘電体層を設けることにより、変
調度を向上させることができる。

【００６０】第１誘電体層および第２誘電体層に用いる
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。

【００６１】ただし、第１誘電体層および第２誘電体層
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させることが好ましい。以下、硫化亜
鉛を含有する誘電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。Ｚ
ｎＳ含有誘電体層には、０〜１０００℃においてその硫
化物生成標準自由エネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネ
ルギーより低い元素（以下、金属元素Ａという）を含有
させることが好ましい。ＺｎＳ含有誘電体層中に金属元
素Ａを含有させることにより、繰り返しオーバーライト
の際のＳ遊離を抑制することができ、これによりジッタ
ー増大を防ぐことができ、繰り返しオーバーライト可能
な回数を増やすことができる。

【００６２】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Ｋでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ
/mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/m
ol、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ₂Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。

【００６３】ＺｎＳ含有誘電体層中において、全金属元
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライト時のジッター増大抑制効果が実現しない。
なお、金属元素Ａの添加による効果を十分に実現するた
めには、金属元素Ａの比率を好ましくは０．０１原子％
以上、より好ましくは０．０３原子％以上とする。全金
属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ線分析やＥＰＭ
Ａ（電子線プローブＸ線マイクロアナリシス）などによ
り測定することができる。なお、誘電体層中における全
金属には、Ｓｉ等の半金属も含まれるものとする。

【００６４】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。

【００６５】ＺｎＳ含有誘電体層には、硫化亜鉛以外の
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ₂Ｏ₃）、窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ₂）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ₄）の少なくとも１種が好ましい。誘電体
層を実質的に硫化亜鉛だけから構成した場合には誘電体
層が硬くなりすぎ、繰り返しオーバーライトを行ったと
きの熱衝撃により剥離が生じるなど、耐久性が低くなっ
てしまうが、酸化ケイ素や窒化ケイ素などを含有させる
ことにより、オーバーライト耐久性が向上する。

【００６６】ＺｎＳ含有誘電体層中における硫化亜鉛の
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。

【００６７】なお、以上ではＺｎＳ含有誘電体層中に金
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ₂）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ₂混合物からなるものな
どが挙げられる。

【００６８】第１誘電体層および第２誘電体層の一方だ
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。

【００６９】第１誘電体層および第２誘電体層の屈折率
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。

【００７０】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは５
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。

【００７１】反射層５上に必要に応じて設けられる第３
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。

【００７２】第３誘電体層の構成材料は、第１誘電体層
および第２誘電体層の説明において挙げた各種誘電体か
ら選択すればよい。ただし、第３誘電体層は記録層に接
していないため、上記金属元素Ａを含有させる必要はな
い。

【００７３】第３誘電体層の厚さは、好ましくは３０〜
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。

【００７４】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ₂からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ₂やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ₂やＭｇ
Ｆ₂からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ₂とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。

【００７５】ＺｎＳ含有誘電体層は、Ａｒ中で通常のス
パッタ法により形成してもよいが、上記金属元素Ａを含
有させる場合には、好ましくはＡｒとＯ₂との混合雰囲
気中でスパッタを行う。このような混合雰囲気中でスパ
ッタを行うことにより、繰り返しオーバーライト時のジ
ッター増大を抑える効果が、より高くなる。スパッタ時
のＯ₂導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上記主
ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有効で
あるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主ターゲ
ットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合物を
含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰囲気
中へのＯ₂導入量を分圧比Ｏ₂／（Ａｒ＋Ｏ₂）で表した
とき、この分圧比は好ましくは３０％以下、より好まし
くは２５％以下である。Ｏ₂導入量が多すぎると、記録
パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去
パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。なお、Ｏ₂導入による効果を十分に発揮させるため
には、上記分圧比を好ましくは５％以上、より好ましく
は１０％以上とする。

【００７６】記録層４記録層の組成は特に限定されないが、以下に説明するＩ
ｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成やＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成
に対し、本発明は特に有効である。

【００７７】Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系組成の記録層で
は、構成元素の原子比を式Ｉ｛（Ｉｎ_aＡｇ_bＴｅ_1-a-b）_1-cＳｂ_c｝_1-dＭ_d で表したとき、好ましくはａ＝０．１〜０．３、ｂ＝０．１〜０．３、ｃ＝０．５〜０．８、ｄ＝０〜０．０５であり、より好ましくはａ＝０．１１〜０．２８、ｂ＝０．１５〜０．２８、ｃ＝０．５５〜０．６５、ｄ＝０．００５〜０．０５である。

【００７８】式Ｉにおいてａが小さすぎると、記録層中
のＩｎ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの非晶質化が不十分となって変調度が低下し、
また、信頼性も低くなってしまう。一方、ａが大きすぎ
ると、記録層中のＩｎ含有率が相対的に高くなりすぎ
る。このため、記録マーク以外の領域の反射率が低くな
って変調度が低下してしまう。

【００７９】式Ｉにおいてｂが小さすぎると、記録層中
のＡｇ含有率が相対的に低くなりすぎる。このため、記
録マークの再結晶化が困難となって、繰り返しオーバー
ライトが困難となる。一方、ｂが大きすぎると、記録層
中のＡｇ含有率が相対的に高くなり、過剰なＡｇが記録
および消去の際に単独でＳｂ相中に拡散することにな
る。このため、書き換え耐久性が低下すると共に、記録
マークの安定性および結晶質部の安定性がいずれも低く
なってしまい、信頼性が低下する。すなわち、高温で保
存したときに記録マークの結晶化が進んで、Ｃ／Ｎや変
調度が劣化しやすくなる。また、繰り返して記録を行な
ったときのＣ／Ｎおよび変調度の劣化も進みやすくな
る。

【００８０】また、ａ＋ｂが小さすぎるとＴｅが過剰と
なってＴｅ相が形成される。Ｔｅ相は結晶転移速度を低
下させるため、消去が困難となる。一方、ａ＋ｂが大き
すぎると、記録層の非晶質化が困難となり、信号が記録
できなくなる可能性が生じる。

【００８１】式Ｉにおいてｃが小さすぎると、相変化に
伴なう反射率差は大きくなるが結晶転移速度が急激に遅
くなって消去が困難となる。一方、ｃが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率差が小さくなって変調度が小さく
なる。

【００８２】式Ｉにおける元素Ｍは、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂ、Ｈ、Ｓｉ、Ｃ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｃｅ、
ＴｂおよびＹから選択される少なくとも１種の元素であ
る。元素Ｍは、書き換え耐久性を向上させる効果、具体
的には、書き換えの繰り返しによる消去率の低下を抑え
る効果を示す。また、高温・高湿などの悪条件下での信
頼性を向上させる。このような効果が強力であることか
ら、元素ＭのうちＶ、Ｔａ、ＣｅおよびＹの少なくとも
１種が好ましく、ＶおよびＴａの少なくとも１種がより
好ましく、Ｖが特に好ましい。

【００８３】元素Ｍの含有率を表すｄが大きすぎると、
相変化に伴なう反射率変化が小さくなって十分な変調度
が得られなくなる。ｄが小さすぎると、元素Ｍ添加によ
る効果が不十分となる。

【００８４】この組成系では、記録層にはＡｇ、Ｓｂ、
Ｔｅ、Ｉｎおよび必要に応じて添加されるＭだけを用い
ることが好ましいが、Ａｇの一部をＡｕで置換してもよ
く、Ｓｂの一部をＢｉで置換してもよく、Ｔｅの一部を
Ｓｅで置換してもよく、Ｉｎの一部をＡｌおよび／また
はＰで置換してもよい。

【００８５】ＡｕによるＡｇの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると、記録マークが結晶化しやすくなっ
て高温下での信頼性が悪化する。

【００８６】ＢｉによるＳｂの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると記録層の吸収係数が増加して光の干
渉効果が減少し、このため結晶−非晶質間の反射率差が
小さくなって変調度が低下し、高Ｃ／Ｎが得られなくな
る。

【００８７】ＳｅによるＴｅの置換率は、好ましくは５
０原子％以下、より好ましくは２０原子％以下である。
置換率が高すぎると結晶転移速度が遅くなりすぎ、十分
な消去率が得られなくなる。

【００８８】Ａｌおよび／またはＰによるＩｎの置換率
は、好ましくは４０原子％以下、より好ましくは２０原
子％以下である。置換率が高すぎると、記録マークの安
定性が低くなって信頼性が低くなる。なお、ＡｌとＰと
の比率は任意である。

【００８９】なお、この組成系において繰り返し書き換
え後の記録層の吸収係数ｋは、結晶状態のときが３．３
程度、微結晶ないし非晶質のときが２．２程度である。

【００９０】この組成系の記録層の厚さは、好ましくは
９．５〜５０nm、より好ましくは１３〜３０nmである。
記録層が薄すぎると結晶相の成長が困難となり、相変化
に伴なう反射率変化が不十分となる。一方、記録層が厚
すぎると、記録マーク形成時に記録層の厚さ方向へＡｇ
が多量に拡散し、記録層面内方向へ拡散するＡｇの比率
が小さくなってしまうため、記録層の信頼性が低くなっ
てしまう。また、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。

【００９１】Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系組成の記録層では、構
成元素の原子比を式II Ｇｅ_aＳｂ_bＴｅ_1-a-b で表わしたとき、好ましくは０．０８≦ａ≦０．２５、０．２０≦ｂ≦０．４０である。

【００９２】式IIにおいてａが小さすぎると、記録マー
クが結晶化しにくくなり、消去率が低くなってしまう。
ａが大きすぎると、多量のＴｅがＧｅと結合することに
なり、その結果、Ｓｂが析出して記録マークが形成しに
くくなる。

【００９３】式IIにおいてｂが小さすぎると、Ｔｅが多
くなりすぎるために高温での保存時に記録マークが結晶
化しやすくなって、信頼性が低くなってしまう。ｂが大
きすぎると、Ｓｂが析出して記録マークが形成しにくく
なる。

【００９４】この組成系における記録層の厚さは、好ま
しくは１４〜５０nmである。記録層が薄すぎると結晶相
の成長が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十
分となる。一方、記録層が厚すぎると、反射率および変
調度が低くなってしまう。

【００９５】記録層の組成は、ＥＰＭＡやＸ線マイクロ
アナリシス、ＩＣＰなどにより測定することができる。

【００９６】記録層の形成は、スパッタ法により行う。
スパッタ条件は特に限定されず、例えば、複数の元素を
含む材料をスパッタする際には、合金ターゲットを用い
てもよく、ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を
用いてもよい。

【００９７】基体２本発明の光記録媒体では基体２を通して記録層４に光ビ
ームが照射されるので、基体２は、用いる光ビームに対
して実質的に透明である材質、例えば、樹脂やガラスな
どから構成されることが好ましい。樹脂としては、アク
リル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリオレ
フィン等を用いればよい。基体の形状および寸法は特に
限定されないが、通常、ディスク状とし、厚さは０．５
〜３mm程度、直径は５０〜３６０mm程度とする。基体の
表面には、トラッキング用やアドレス用等のために、グ
ルーブ等の所定のパターンが必要に応じて設けられる。

【００９８】本発明の光記録媒体を、単板型媒体と保護
基体とを接着層を介して貼り合わせた片面記録型媒体と
する場合、保護基体には、記録層を形成する基体と同じ
ものを用いてもよく、材質、厚さ、光透過率などが異な
るものを用いてもよい。

【００９９】書き換え本発明により製造された光記録媒体に対する書き換え
（オーバーライト）は、従来の相変化型光記録媒体と同
様に行われる。記録パワーは、パルス状に加えてもよ
い。一つの信号を少なくとも２回の照射で記録すること
により記録マークでの蓄熱が抑制され、記録マーク後端
部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えることができる
ので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照射により消
去率も向上する。記録パワーおよび消去パワーの具体的
値は、実験的に決定することができる。なお、再生用レ
ーザー光には、記録層の結晶状態に影響を与えない低パ
ワーのものを用いる。

【０１００】記録に際し、レーザー光に対する記録層の
線速度は、通常、０．８〜２０m/s程度、好ましくは
１．２〜１６m/sである。

【０１０１】上記組成の光記録媒体は、記録・再生光を
広い波長域から選択できるが、本発明では、記録・再生
光の波長を４６０〜７９０nm、好ましくは４７０〜７８
０nmの範囲から選択する。

【０１０２】

【実施例】サンプルNo.１射出成形によりグルーブ（幅０．６μm、深さ６５nm、
ピッチ１．２μm）を同時形成した直径１２０mm、厚さ
０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表面
に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２、
反射層５、第３誘電体層３３および光吸収層６を形成し
て単板型の光記録ディスクを作製し、波長８１０nmのバ
ルクイレーザーにより初期化した後、接着層７を介して
上記ディスク状ポリカーボネート基体２を貼り合わせ
て、貼り合わせ型の片面記録媒体サンプルNo.１を作製
した。

【０１０３】第１誘電体層３１は、スパッタ法により形
成した。ターゲットには、ＺｎＳ（８５モル％）−Ｓｉ
Ｏ₂（１５モル％）を用いた。第１誘電体層の厚さは２
５０nmとした。

【０１０４】記録層４は、スパッタ法により形成した。
記録層の組成は、原子比でＧｅ_0.225Ｓｂ_0.225Ｔｅ
_0.550とした。記録層の厚さは１２nmとした。

【０１０５】第２誘電体層３２は、第１誘電体層３１と
同様にして形成した。第２誘電体層の厚さは１５nmとし
た。

【０１０６】反射層５は、Ｓｉターゲットに用いてスパ
ッタ法により形成した。反射層の厚さは６０nmとした。

【０１０７】第３誘電体層３３は、第１誘電体層３１と
同様にして形成した。第３誘電体層の厚さは８０nmとし
た。

【０１０８】光吸収層６は、染料と紫外線硬化型樹脂と
を、重量比で染料：樹脂＝１：９９となるように混合し
て塗料を調製し、この塗料をスピンコート法により塗布
後、高圧水銀灯により硬化して形成した。硬化後の光吸
収層厚さは５μmであった。染料には、保土ヶ谷化学製
の銅フタロシアニン誘導体を用いた。紫外線硬化型樹脂
には、大日本インキ製のＳＤ−２１１を用いた。

【０１０９】接着層７は、紫外線硬化型の接着剤を光吸
収層６上にスピンコート法により塗布した後、高圧水銀
灯により硬化して形成した。硬化後の接着層厚さは約４
０μmであった。

【０１１０】光吸収層の透過スペクトルを調べるため
に、ポリカーボネート基体上に光吸収層だけを形成した
測定用サンプルについて透過スペクトルを測定し、ま
た、ポリカーボネート基体の透過スペクトルも測定し
た。なお、この光吸収層は、サンプルNo.１の光吸収層
と同条件で形成した。この測定結果を用いて、ポリカー
ボネート基体の影響を排除した光吸収層だけの透過スペ
クトルを求めた。その結果、この光吸収層の各波長域に
おける透過率は、波長域Ｓ：１００％、記録・再生波長（６８０nm）：４０％、波長域Ｌ：１００％であった。

【０１１１】サンプルNo.１に用いた染料をイソプロピ
ルアルコールに溶解して１重量％の溶液を調製し、この
溶液の吸光度を測定したところ、記録・再生波長より１
０nm短い波長で吸光度ピークを示すことがわかった。

【０１１２】また、接着層の透過スペクトルを調べるた
めに、ポリカーボネート基体上に接着層だけを形成した
測定用サンプルについて透過スペクトルを測定し、ま
た、ポリカーボネート基体の透過スペクトルも測定し
た。なお、この接着層は、サンプルNo.１の接着層と同
条件で形成した。この測定結果を用いて、ポリカーボネ
ート基体の影響を排除した接着層だけの透過スペクトル
を求めた。この透過スペクトルから求めた接着層の記録
・再生波長（６８０nm）における光透過率Ｔａを、表１
に示す。

【０１１３】また、サンプルNo.１全体の記録・再生波
長における光透過率Ｔｄを測定した。結果を表１に示
す。

【０１１４】サンプルNo.２光吸収層６に混合する染料として日本化薬製の銅フタロ
シアニン誘導体を用いたほかはサンプルNo.１と同様に
して作製した。このサンプルの光吸収層についても、サ
ンプルNo.１と同様にして透過率を求めた。その結果、
この光吸収層の各波長域における透過率は、波長域Ｓ：９８％、記録・再生波長（６８０nm）：８６％、波長域Ｌ：１００％超であった。

【０１１５】また、このサンプル全体の記録・再生波長
における光透過率Ｔｄを測定した。結果を表１に示す。

【０１１６】サンプルNo.３光吸収層６に染料を混合しなかったほかはサンプルNo.
１と同様にして作製した。このサンプルの光吸収層につ
いても、サンプルNo.１と同様にして透過率を求めた。
その結果、この光吸収層の各波長域における透過率は、波長域Ｓ：１００％、記録・再生波長（６８０nm）：１００％、波長域Ｌ：１００％であった。

【０１１７】また、このサンプル全体の記録・再生波長
における光透過率Ｔｄを測定した。結果を表１に示す。

【０１１８】サンプルNo.４ホットメルト型接着剤をロールコータで光吸収層６上に
塗布することにより接着層７を形成したほかはサンプル
No.１と同様にして作製した。

【０１１９】このサンプルの接着層についても、サンプ
ルNo.１と同様にして記録・再生波長（６８０nm）にお
ける光透過率Ｔａを求めた。結果を表１に示す。

【０１２０】また、このサンプル全体の記録・再生波長
における光透過率Ｔｄを測定した。結果を表１に示す。

【０１２１】サンプルNo.５サンプルNo.３と同様に光吸収層６に染料を混合せず、
かつ、ホットメルト型接着剤をサンプルNo.４と同様に
ロールコータで光吸収層６上に塗布することにより接着
層７を形成したほかはサンプルNo.１と同様にして作製
した。

【０１２２】このサンプル全体の記録・再生波長におけ
る光透過率Ｔｄを測定した。結果を表１に示す。

【０１２３】評価各サンプルに、波長６８０nm、ＮＡ０．６の光ヘッドを
もつ測定器を用いて線速度１２m/sで（１−７）ＲＬＬ
の記録信号を最短ビット長０．３４μmで記録し、全面
ビットエラーレート（全面ＢＥＲ）およびフォーカスエ
ラー信号のノイズを測定した。これらの結果を表１に示
す。

【０１２４】

【表１】

【０１２５】表１において、全体の光透過率Ｔｄが１０
％を超えているサンプルNo.２およびNo.３では、接着層
中の気泡による光散乱のためフォーカスエラー信号のノ
イズが多くなり、その結果、正確な記録ができなくなっ
てビットエラーレートが増大してしまっている。また、
ホットメルト型接着剤をロールコータで塗布することに
より形成した接着層を有するサンプルNo.４、５では、
接着層の塗布むらにより光透過率Ｔａが３０％と低くな
ったため、全体の光透過率Ｔｄが１０％以下であるにも
かかわらず、フォーカスエラー信号のノイズが多く、ビ
ットエラーレートが増大してしまっている。これに対し
サンプルNo.１では、フォーカスエラー信号のノイズが
著しく少なく、その結果、ビットエラーレートが極めて
低くなっている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。

【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。

【符号の説明】

２基体３１第１誘電体層３２第２誘電体層３３第３誘電体層４記録層５反射層６光吸収層７接着層８透明樹脂層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小巻壮東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内Ｆターム(参考） 5D029 JB16 JC04 MA03 MA15 RA02 RA28 RA30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方の表面に記録層と反射層
と光吸収層とをこの順で有する一対の基板を、接着層を
介して貼り合わせた構成の光記録媒体であって、前記記録層が光透過性を有する相変化型のものであり、
前記光吸収層が光吸収性を有するものであり、前記反射
層が光透過性を有するものであり、記録・再生波長にお
ける前記接着層の光透過率をＴａとしたときＴａ≧８０％であり、記録・再生波長における前記光記録媒体の光透
過率をＴｄとしたときＴｄ≦１０％である光記録媒体。
【請求項２】前記光吸収層が染料を含有する紫外線硬
化型樹脂により形成されたものであり、前記光吸収層の
光透過率が、波長域Ｓ（波長４００〜４５０nm）におい
て８５％以上であり、記録・再生波長において５５％以
下であり、波長域Ｌ（８００〜８３０nm）において８０
％以上である請求項１の光記録媒体。
【請求項３】前記光吸収層の基体側に、前記光吸収層
に接して透明樹脂層を有する請求項１または２の光記録
媒体。
【請求項４】前記接着層が、スピンコート法により形
成されたものである請求項１〜３のいずれかの光記録媒
体。
【請求項５】前記接着層が紫外線硬化型アクリル樹脂
から構成される請求項１〜４のいずれかの光記録媒体。