JPH07272322A - 情報光記録媒体 - Google Patents
情報光記録媒体Info
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- JPH07272322A JPH07272322A JP6060669A JP6066994A JPH07272322A JP H07272322 A JPH07272322 A JP H07272322A JP 6060669 A JP6060669 A JP 6060669A JP 6066994 A JP6066994 A JP 6066994A JP H07272322 A JPH07272322 A JP H07272322A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録再生を繰り返しても記録再生信号のジッ
ターが増加しない情報光記録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１上に第１干渉層２、相変化層３、
第２干渉層４、および反射層５が、この順に形成され
る。第１干渉層２はＺｎＳとＳｉＯ2 を含み、厚さは２
００〜２５０ｎｍである。相変化層３はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ5 を含み、厚さは１０〜２０ｎｍである。第２干渉層
４はＺｎＳとＳｉＯ2 を含み、厚さは４０〜１００ｎｍ
である。反射層５はＳｉを含み、厚さは５０〜１００ｎ
ｍである。
ターが増加しない情報光記録媒体を提供する。 【構成】 透明基板１上に第１干渉層２、相変化層３、
第２干渉層４、および反射層５が、この順に形成され
る。第１干渉層２はＺｎＳとＳｉＯ2 を含み、厚さは２
００〜２５０ｎｍである。相変化層３はＧｅ2 Ｓｂ2 Ｔ
ｅ5 を含み、厚さは１０〜２０ｎｍである。第２干渉層
４はＺｎＳとＳｉＯ2 を含み、厚さは４０〜１００ｎｍ
である。反射層５はＳｉを含み、厚さは５０〜１００ｎ
ｍである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は情報光記録媒体に関し、
特に書き換え可能な情報光記録媒体に関する。
特に書き換え可能な情報光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記録の分野では、高密度化お
よび大容量化に対する要求が高まっている。このような
要求を満たし得る情報記録装置として、光ディスク装置
がある。光ディスク装置は、レーザー光を用いて、情報
の記録／再生を行う。光ディスク装置は、従来の磁気記
録媒体に比べて、１０〜１００倍の記録密度を有してい
る。さらに、光ディスク装置では、記録／再生用のヘッ
ドと媒体とを非接触の状態にしたまま、情報の記録／再
生が可能である。このため、長時間の使用の後でも、記
録媒体の損傷が少ない。
よび大容量化に対する要求が高まっている。このような
要求を満たし得る情報記録装置として、光ディスク装置
がある。光ディスク装置は、レーザー光を用いて、情報
の記録／再生を行う。光ディスク装置は、従来の磁気記
録媒体に比べて、１０〜１００倍の記録密度を有してい
る。さらに、光ディスク装置では、記録／再生用のヘッ
ドと媒体とを非接触の状態にしたまま、情報の記録／再
生が可能である。このため、長時間の使用の後でも、記
録媒体の損傷が少ない。
【０００３】光ディスク装置は、情報光記録媒体に情報
を記録する。情報光記録媒体は、再生専用型、追記型、
および書き換え型の三種に大別することができる。再生
専用型は、情報の読出のみが可能なものである。追記型
の情報光記録媒体は、情報の記録・再生が可能なもので
ある。ただし追記型の情報光記録媒体では、一旦記録さ
れた情報を消去することはできない。書き換え型の情報
光記録媒体は、情報の記録・再生が可能なものである。
書き換え型の情報光記録媒体では、記録済みの情報を消
去して、書き換えることが可能である。これらの情報光
記録媒体は、用途に応じて使い分けられる。書き換え型
の情報光記録媒体は、コンピュータ用のデータファイル
に適している。
を記録する。情報光記録媒体は、再生専用型、追記型、
および書き換え型の三種に大別することができる。再生
専用型は、情報の読出のみが可能なものである。追記型
の情報光記録媒体は、情報の記録・再生が可能なもので
ある。ただし追記型の情報光記録媒体では、一旦記録さ
れた情報を消去することはできない。書き換え型の情報
光記録媒体は、情報の記録・再生が可能なものである。
書き換え型の情報光記録媒体では、記録済みの情報を消
去して、書き換えることが可能である。これらの情報光
記録媒体は、用途に応じて使い分けられる。書き換え型
の情報光記録媒体は、コンピュータ用のデータファイル
に適している。
【０００４】書き換え型の情報光記録媒体の記録方式
は、光磁気方式と相変化方式の２つに大別できる。
は、光磁気方式と相変化方式の２つに大別できる。
【０００５】相変化方式では、情報光記録媒体内部に相
変化層が設けられる。相変化層には、結晶状態の部分
と、非晶状態の部分とがある。情報は、結晶状態の部分
と、非晶状態の部分の組合せによって記録される。
変化層が設けられる。相変化層には、結晶状態の部分
と、非晶状態の部分とがある。情報は、結晶状態の部分
と、非晶状態の部分の組合せによって記録される。
【０００６】結晶状態から非晶状態への移行、および、
非晶状態から結晶状態への移行は、相変化と呼ばれる。
相変化は、相変化層を加熱・冷却することにより、引き
起こすことができる。相変化層の加熱は、レーザー光の
照射によって行われる。相変化層の特定部分を、所望の
状態に相変化させるには、相変化層の冷却速度を制御す
る。冷却速度は、照射されるレーザー光の発光出力と発
光時間とを調節することにより、制御できる。相変化層
内の、結晶状態の部分と、非晶状態の部分とは、反射率
の相違、または反射光の位相の相違によって、検出でき
る。
非晶状態から結晶状態への移行は、相変化と呼ばれる。
相変化は、相変化層を加熱・冷却することにより、引き
起こすことができる。相変化層の加熱は、レーザー光の
照射によって行われる。相変化層の特定部分を、所望の
状態に相変化させるには、相変化層の冷却速度を制御す
る。冷却速度は、照射されるレーザー光の発光出力と発
光時間とを調節することにより、制御できる。相変化層
内の、結晶状態の部分と、非晶状態の部分とは、反射率
の相違、または反射光の位相の相違によって、検出でき
る。
【０００７】相変化方式の書き換え型の情報光記録媒体
に記録された情報の記録・消去方法は、従来からいくつ
か提案されてきた。近年では、同一のレーザー光で、記
録と消去とを同時に実行する方法が、盛んに研究されて
いる。このような方法は、ワンビームオーバーライトと
呼ばれる。ワンビームオーバーライトでは、古い情報の
消去と新しい情報の書込みとが、同時に実行される。
に記録された情報の記録・消去方法は、従来からいくつ
か提案されてきた。近年では、同一のレーザー光で、記
録と消去とを同時に実行する方法が、盛んに研究されて
いる。このような方法は、ワンビームオーバーライトと
呼ばれる。ワンビームオーバーライトでは、古い情報の
消去と新しい情報の書込みとが、同時に実行される。
【０００８】ところが、ワンビームオーバーライトによ
って情報を記録した場合、再生信号のジッターが大き
い、という問題があった。この現象の原因は、結晶状態
の領域と、非晶状態の領域とで、レーザー光の吸収率が
異なることにある。
って情報を記録した場合、再生信号のジッターが大き
い、という問題があった。この現象の原因は、結晶状態
の領域と、非晶状態の領域とで、レーザー光の吸収率が
異なることにある。
【０００９】この現象を解消するために、両領域の吸収
率を等しくすることが試みられた。具体的には、情報光
記録媒体内部の各層の厚さを調節することによって、両
領域の吸収率が調節された。しかし、この方法では、再
生信号のジッターを減少することはできなかった。
率を等しくすることが試みられた。具体的には、情報光
記録媒体内部の各層の厚さを調節することによって、両
領域の吸収率が調節された。しかし、この方法では、再
生信号のジッターを減少することはできなかった。
【００１０】これは、結晶状態の領域と、非晶状態の領
域とで、状態変化のときの、潜熱が相違するためと推定
される。そして、この推定を基にして、結晶状態の領域
の吸収率が非晶状態の領域のものよりも大きくなるよう
に、情報光記録媒体内部の層を構成する方法が提案され
ている。
域とで、状態変化のときの、潜熱が相違するためと推定
される。そして、この推定を基にして、結晶状態の領域
の吸収率が非晶状態の領域のものよりも大きくなるよう
に、情報光記録媒体内部の層を構成する方法が提案され
ている。
【００１１】このような方法の一例が、１９９２年１２
月社団法人電子通信学会発行「信学技法」ＭＲ９２−１
４８（ＣＰＭ９２−１４８）第３７頁〜第４２頁に記載
された「高速オーバライト相変化光ディスク」という論
文に記載されている。この文献に記載された技術の特徴
は、Ａｕで構成された反射層にある。そして、この論文
では、このような構成によってオーバーライト時のマー
クの歪みが低減されるとしている。なお、オーバーライ
ト時のマークの歪みは、再生信号のジッターに対応する
現象である。
月社団法人電子通信学会発行「信学技法」ＭＲ９２−１
４８（ＣＰＭ９２−１４８）第３７頁〜第４２頁に記載
された「高速オーバライト相変化光ディスク」という論
文に記載されている。この文献に記載された技術の特徴
は、Ａｕで構成された反射層にある。そして、この論文
では、このような構成によってオーバーライト時のマー
クの歪みが低減されるとしている。なお、オーバーライ
ト時のマークの歪みは、再生信号のジッターに対応する
現象である。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した構
造の情報光記録媒体では、書き換えを多数回行うと、再
生信号のジッターが増大する、という問題がある。これ
は、多数回の書き換えを行うと、反射層であるＡｕ膜が
剥離もしくは変形するためであると推定されている。
造の情報光記録媒体では、書き換えを多数回行うと、再
生信号のジッターが増大する、という問題がある。これ
は、多数回の書き換えを行うと、反射層であるＡｕ膜が
剥離もしくは変形するためであると推定されている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような従来技術の問
題点に鑑み、本発明の目的は、書き換えを多数回行った
後も、再生信号のジッターが増大しない情報光記録媒体
を提供することにある。さらに具体的には、本発明の目
的は、結晶状態の領域の吸収率が非晶状態の領域のもの
よりも大きくなるように構成された情報光記録媒体にお
いて、多数回の書き換えの後も反射層に剥離もしくは変
形が生じない情報光記録媒体を提供することにある。
題点に鑑み、本発明の目的は、書き換えを多数回行った
後も、再生信号のジッターが増大しない情報光記録媒体
を提供することにある。さらに具体的には、本発明の目
的は、結晶状態の領域の吸収率が非晶状態の領域のもの
よりも大きくなるように構成された情報光記録媒体にお
いて、多数回の書き換えの後も反射層に剥離もしくは変
形が生じない情報光記録媒体を提供することにある。
【００１４】このような目的を達成するため、本発明で
は、情報光記録媒体では、反射層がＳｉを含むように構
成される。
は、情報光記録媒体では、反射層がＳｉを含むように構
成される。
【００１５】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体が、透明基板１と、この透明基板１よりも上層に設け
られＺｎＳとＳｉＯ2との混合物を含む第１干渉層２
と、この第１干渉層２よりも上層に設けられＧｅ2Ｓｂ2
Ｔｅ5を含む相変化層３と、この相変化層３よりも上層
に設けられＺｎＳとＳｉＯ2との混合物を含む第２干渉
層４と、この第２干渉層４よりも上層に設けられＳｉを
含む反射層５とを含むように構成される。
体が、透明基板１と、この透明基板１よりも上層に設け
られＺｎＳとＳｉＯ2との混合物を含む第１干渉層２
と、この第１干渉層２よりも上層に設けられＧｅ2Ｓｂ2
Ｔｅ5を含む相変化層３と、この相変化層３よりも上層
に設けられＺｎＳとＳｉＯ2との混合物を含む第２干渉
層４と、この第２干渉層４よりも上層に設けられＳｉを
含む反射層５とを含むように構成される。
【００１６】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体の相変化層の厚さが１０ｎｍ乃至２０ｎｍに設定され
る。本発明の効果をさらに顕著にするためには、相変化
層の厚さを１０ｎｍ乃至１６ｎｍに設定すればよい。
体の相変化層の厚さが１０ｎｍ乃至２０ｎｍに設定され
る。本発明の効果をさらに顕著にするためには、相変化
層の厚さを１０ｎｍ乃至１６ｎｍに設定すればよい。
【００１７】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体の第２干渉層の厚さが４０乃至１００ｎｍに設定され
る。本発明の効果をさらに顕著にするためには、第２干
渉層の厚さを４０ｎｍ乃至５５ｎｍに設定すればよい。
体の第２干渉層の厚さが４０乃至１００ｎｍに設定され
る。本発明の効果をさらに顕著にするためには、第２干
渉層の厚さを４０ｎｍ乃至５５ｎｍに設定すればよい。
【００１８】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体の反射層の厚さが５０乃至１００ｎｍに設定される。
本発明の効果をさらに顕著にするためには、反射層の厚
さを５５ｎｍ乃至８５ｎｍに設定すればよい。
体の反射層の厚さが５０乃至１００ｎｍに設定される。
本発明の効果をさらに顕著にするためには、反射層の厚
さを５５ｎｍ乃至８５ｎｍに設定すればよい。
【００１９】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体の第１干渉層の厚さが２００乃至２５０ｎｍに設定さ
れる。本発明の効果をさらに顕著にするためには、第１
干渉層の厚さを２２０μｍ乃至２５０ｎｍに設定すれば
よい。
体の第１干渉層の厚さが２００乃至２５０ｎｍに設定さ
れる。本発明の効果をさらに顕著にするためには、第１
干渉層の厚さを２２０μｍ乃至２５０ｎｍに設定すれば
よい。
【００２０】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体の反射層および透明基板の少なくとも一方に保護層が
設けられる。
体の反射層および透明基板の少なくとも一方に保護層が
設けられる。
【００２１】本発明の他の実施態様では、波長６３０乃
至８３０ｎｍのレーザー光を用いて、上述の構造を有す
る情報光記録媒体に情報の書込／読出が行われる。この
ときの相変化層におけるレーザー光のスポットの直径は
１．０μｍ乃至１．４μｍが適当である。
至８３０ｎｍのレーザー光を用いて、上述の構造を有す
る情報光記録媒体に情報の書込／読出が行われる。この
ときの相変化層におけるレーザー光のスポットの直径は
１．０μｍ乃至１．４μｍが適当である。
【００２２】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体が、透明基板の表面をスパッタした後ＺｎＳとＳｉＯ
2の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
して第１干渉層を形成する第１のステップと、Ｇｅ2Ｓ
ｂ2Ｔｅ5のターゲットをアルゴンガスでスパッタして相
変化層を形成する第２のステップと、ＺｎＳとＳｉＯ2
の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタし
て第２干渉層を形成する第３のステップと、Ｓｉターゲ
ットをアルゴンガスでスパッタすることにより反射層５
を形成する第４のステップとを含む製造方法で製造され
る。
体が、透明基板の表面をスパッタした後ＺｎＳとＳｉＯ
2の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
して第１干渉層を形成する第１のステップと、Ｇｅ2Ｓ
ｂ2Ｔｅ5のターゲットをアルゴンガスでスパッタして相
変化層を形成する第２のステップと、ＺｎＳとＳｉＯ2
の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタし
て第２干渉層を形成する第３のステップと、Ｓｉターゲ
ットをアルゴンガスでスパッタすることにより反射層５
を形成する第４のステップとを含む製造方法で製造され
る。
【００２３】
〔構造〕次に、図面を参照して、本発明の第１の実施例
について説明する。
について説明する。
【００２４】図１を参照すると、本実施例の情報光記録
媒体Ｄでは、透明基板１上に、第１干渉層２、相変化層
３、第２干渉層４、反射層５、および保護層６が、この
順に積層される。
媒体Ｄでは、透明基板１上に、第１干渉層２、相変化層
３、第２干渉層４、反射層５、および保護層６が、この
順に積層される。
【００２５】透明基板１としては、ポリカーボネイト樹
脂板、ポリオレフィン樹脂板、フォトポリマーが設けら
れたガラス板、およびフォトポリマーが設けられたアク
リル板などが使用できる。透明基板１は、例えば、直径
１３０ｍｍ、１２０ｍｍ、９０ｍｍなどの円形に形成さ
れる。透明基板１は、トラッキング・サーボ用の案内溝
や案内ピットを形成しておくことが望ましい。案内溝お
よび案内ピットのトラックピッチは、０．６〜１．６μ
ｍ程度である。
脂板、ポリオレフィン樹脂板、フォトポリマーが設けら
れたガラス板、およびフォトポリマーが設けられたアク
リル板などが使用できる。透明基板１は、例えば、直径
１３０ｍｍ、１２０ｍｍ、９０ｍｍなどの円形に形成さ
れる。透明基板１は、トラッキング・サーボ用の案内溝
や案内ピットを形成しておくことが望ましい。案内溝お
よび案内ピットのトラックピッチは、０．６〜１．６μ
ｍ程度である。
【００２６】第１干渉層２は、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合
物である。第１干渉層２の厚さは、２００〜２５０μｍ
である。より効果を顕著にするためには、第１干渉層２
の厚さは、２２０〜２５０μｍであることが好ましい。
第１干渉層２中の、ＳｉＯ2の存在比は１０〜２０モル
％が望ましい。第１干渉層２の屈折率は約２．２である
ことが望ましい。
物である。第１干渉層２の厚さは、２００〜２５０μｍ
である。より効果を顕著にするためには、第１干渉層２
の厚さは、２２０〜２５０μｍであることが好ましい。
第１干渉層２中の、ＳｉＯ2の存在比は１０〜２０モル
％が望ましい。第１干渉層２の屈折率は約２．２である
ことが望ましい。
【００２７】相変化層３は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5を主成分
とする。相変化層３の厚さは、１０〜２０ｎｍである。
より効果を顕著にするためには、相変化層３の厚さは、
１０〜１６ｎｍであることが好ましい。必要に応じて、
相変化層３にＮなどの元素を少量添加しても良い。これ
らの元素を少量添加することによって、相変化層３の結
晶粒界が大きくなるのを防止することができる。結晶粒
界が大きくなるのを防止することにより、再生信号ノイ
ズの増加を防止できる。
とする。相変化層３の厚さは、１０〜２０ｎｍである。
より効果を顕著にするためには、相変化層３の厚さは、
１０〜１６ｎｍであることが好ましい。必要に応じて、
相変化層３にＮなどの元素を少量添加しても良い。これ
らの元素を少量添加することによって、相変化層３の結
晶粒界が大きくなるのを防止することができる。結晶粒
界が大きくなるのを防止することにより、再生信号ノイ
ズの増加を防止できる。
【００２８】第２干渉層４は、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合
物である。第２干渉層４の厚さは、４０〜１００ｎｍで
ある。より効果を顕著にするためには、第２干渉層４の
厚さは、４０〜５５ｎｍであることが好ましい。第２干
渉層４中の、ＳｉＯ2の存在比は１０〜２０モル％が望
ましい。また、第２干渉層４の屈折率は約２．２である
ことが望ましい。
物である。第２干渉層４の厚さは、４０〜１００ｎｍで
ある。より効果を顕著にするためには、第２干渉層４の
厚さは、４０〜５５ｎｍであることが好ましい。第２干
渉層４中の、ＳｉＯ2の存在比は１０〜２０モル％が望
ましい。また、第２干渉層４の屈折率は約２．２である
ことが望ましい。
【００２９】反射層５はＳｉを主成分とする。反射層５
の具体的な材料の一例は、Ｂを１原子％未満含んだＳｉ
である。反射層５の厚さは、５０〜１００ｎｍである。
より効果を顕著にするためには、反射層５の厚さは、５
５〜８５ｎｍであることが好ましい。
の具体的な材料の一例は、Ｂを１原子％未満含んだＳｉ
である。反射層５の厚さは、５０〜１００ｎｍである。
より効果を顕著にするためには、反射層５の厚さは、５
５〜８５ｎｍであることが好ましい。
【００３０】各層の厚さは、レーザー光の波長等の使用
条件に合わせて設定されるべきである。その際、第１干
渉層２、反射層５、第２干渉層４、相変化層３の順に厚
さの調節を行うのがよい。つまり、第１干渉層２の最適
厚は、使用条件に最も影響されやすい。一方、相変化層
３では、使用条件が変化しても、最適厚は大きく変化し
ない。
条件に合わせて設定されるべきである。その際、第１干
渉層２、反射層５、第２干渉層４、相変化層３の順に厚
さの調節を行うのがよい。つまり、第１干渉層２の最適
厚は、使用条件に最も影響されやすい。一方、相変化層
３では、使用条件が変化しても、最適厚は大きく変化し
ない。
【００３１】保護層６は、紫外線硬化樹脂等で構成され
る。
る。
【００３２】以上説明した情報光記録媒体を、２枚貼り
合わせることも可能である。図２を参照すると、情報光
記録媒体Ｄは、情報光記録媒体Ｄ０と情報光記録媒体Ｄ
１とを含む。情報光記録媒体Ｄ０および情報光記録媒体
Ｄ１は、接着層７によって接着されている。情報光記録
媒体Ｄ１は、透明基板１、第１干渉層２、相変化層３、
第２干渉層４、反射層５、および保護層６で構成され
る。これらは、図１に示されるものと同様の構造の情報
光記録媒体を構成する。情報光記録媒体Ｄ１は、透明基
板１１、第１干渉層１２、相変化層１３、第２干渉層１
４、反射層１５、および保護層１６で構成される。これ
らは、図１に示されるものと同様の構造の情報光記録媒
体を構成する。接着層７は、情報光記録媒体Ｄ０の保護
層６と情報光記録媒体Ｄ１の保護層１６とを接着する。
合わせることも可能である。図２を参照すると、情報光
記録媒体Ｄは、情報光記録媒体Ｄ０と情報光記録媒体Ｄ
１とを含む。情報光記録媒体Ｄ０および情報光記録媒体
Ｄ１は、接着層７によって接着されている。情報光記録
媒体Ｄ１は、透明基板１、第１干渉層２、相変化層３、
第２干渉層４、反射層５、および保護層６で構成され
る。これらは、図１に示されるものと同様の構造の情報
光記録媒体を構成する。情報光記録媒体Ｄ１は、透明基
板１１、第１干渉層１２、相変化層１３、第２干渉層１
４、反射層１５、および保護層１６で構成される。これ
らは、図１に示されるものと同様の構造の情報光記録媒
体を構成する。接着層７は、情報光記録媒体Ｄ０の保護
層６と情報光記録媒体Ｄ１の保護層１６とを接着する。
【００３３】以上の構成を有する情報光記録媒体は、波
長６３０〜８３０ｎｍ程度の半導体レーザーを用いて、
書込／読出を行うのに適している。このとき、相変化層
３付近において、レーザーのスポットの直径が１．０μ
ｍ〜１．４μｍになるように、レーザー光線を集光すべ
きである。 〔製造方法〕次に、例を用いて、第１の実施例の情報光
記録媒体の製造方法について説明する。
長６３０〜８３０ｎｍ程度の半導体レーザーを用いて、
書込／読出を行うのに適している。このとき、相変化層
３付近において、レーザーのスポットの直径が１．０μ
ｍ〜１．４μｍになるように、レーザー光線を集光すべ
きである。 〔製造方法〕次に、例を用いて、第１の実施例の情報光
記録媒体の製造方法について説明する。
【００３４】以下の例では、図２に示される構造の情報
光記録媒体Ｄが形成される。すなわち、２枚に情報光記
録媒体Ｄ０およびＤ１が形成され、これらが接着され
る。
光記録媒体Ｄが形成される。すなわち、２枚に情報光記
録媒体Ｄ０およびＤ１が形成され、これらが接着され
る。
【００３５】以下の例で製造される情報光記録媒体Ｄの
各部の寸法は、次の通りである。すなわち、透明基板１
の厚さ、透明基板１の直径、透明基板１の案内溝のピッ
チ、第１干渉層２の厚さ、相変化層３の厚さ、第２干渉
層４の厚さ、および反射層５の厚さが、それぞれ、１．
２ｍｍ、１３０ｍｍ、１．２μｍ、２３５ｎｍ、１３ｎ
ｍ、４５ｎｍ、および７０ｎｍである。
各部の寸法は、次の通りである。すなわち、透明基板１
の厚さ、透明基板１の直径、透明基板１の案内溝のピッ
チ、第１干渉層２の厚さ、相変化層３の厚さ、第２干渉
層４の厚さ、および反射層５の厚さが、それぞれ、１．
２ｍｍ、１３０ｍｍ、１．２μｍ、２３５ｎｍ、１３ｎ
ｍ、４５ｎｍ、および７０ｎｍである。
【００３６】なお、情報光記録媒体Ｄの各部の寸法がこ
れ以外の場合でも、同様の方法が使用できる。
れ以外の場合でも、同様の方法が使用できる。
【００３７】第１のステップにおいて、透明基板１上に
第１干渉層２が設けられる。
第１干渉層２が設けられる。
【００３８】透明基板１の材料は、ポリカーボネイト樹
脂である。透明基板１の寸法は、直径１３０ｍｍ、厚さ
１．２である。透明基板１には、１．２ｍｍピッチの案
内溝が設けられている。
脂である。透明基板１の寸法は、直径１３０ｍｍ、厚さ
１．２である。透明基板１には、１．２ｍｍピッチの案
内溝が設けられている。
【００３９】第１干渉層２はスパッタリングによって形
成される。スパッタリングは、１×１０-6Ｔｏｒｒ以下
の真空中に排気後、行われる。第１干渉層２を形成する
前に、透明基板１の表面を、約０．２ｎｍほど、アルゴ
ンでスパッタエッチングする。この後、ＺｎＳとＳｉＯ
2の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガスでスパッ
タする。ＳｉＯ2の含有量は１７モル％である。このス
パッタによって第１干渉層２が形成される。第１干渉層
２の厚さは２３５ｎｍである。
成される。スパッタリングは、１×１０-6Ｔｏｒｒ以下
の真空中に排気後、行われる。第１干渉層２を形成する
前に、透明基板１の表面を、約０．２ｎｍほど、アルゴ
ンでスパッタエッチングする。この後、ＺｎＳとＳｉＯ
2の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガスでスパッ
タする。ＳｉＯ2の含有量は１７モル％である。このス
パッタによって第１干渉層２が形成される。第１干渉層
２の厚さは２３５ｎｍである。
【００４０】第２のステップにおいて、第１干渉層２上
に、相変化層３が形成される。相変化層３の厚さは１３
ｎｍである。相変化層３は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5のターゲ
ットを、アルゴンガスでスパッタすることにより、形成
される。
に、相変化層３が形成される。相変化層３の厚さは１３
ｎｍである。相変化層３は、Ｇｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5のターゲ
ットを、アルゴンガスでスパッタすることにより、形成
される。
【００４１】第３のステップにおいて、相変化層３上
に、第２干渉層４が形成される。第２干渉層４は、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガ
スでスパッタすることにより形成される。ＳｉＯ2の含
有量は１７モル％である。第１干渉層２の厚さは４５ｎ
ｍである。
に、第２干渉層４が形成される。第２干渉層４は、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガ
スでスパッタすることにより形成される。ＳｉＯ2の含
有量は１７モル％である。第１干渉層２の厚さは４５ｎ
ｍである。
【００４２】第４のステップにおいて、第２干渉層４上
に、反射層５形成される。反射層５は、Ｓｉターゲット
をアルゴンガスでスパッタすることにより形成される。
この際、Ｓｉターゲットには、Ｂを微量添加しておく。
反射層５の厚さは７０ｎｍである。
に、反射層５形成される。反射層５は、Ｓｉターゲット
をアルゴンガスでスパッタすることにより形成される。
この際、Ｓｉターゲットには、Ｂを微量添加しておく。
反射層５の厚さは７０ｎｍである。
【００４３】第５のステップにおいて、反射層５上に、
保護層６が形成される。保護層６の厚さは１０μｍであ
る。保護層６の形成方法は以下の通りである。まず、紫
外線硬化樹脂を反射層５上にスピンコートする。次に、
紫外線を照射して、この紫外線硬化型樹脂を硬化する。
保護層６が形成される。保護層６の厚さは１０μｍであ
る。保護層６の形成方法は以下の通りである。まず、紫
外線硬化樹脂を反射層５上にスピンコートする。次に、
紫外線を照射して、この紫外線硬化型樹脂を硬化する。
【００４４】第６のステップとして、情報光記録媒体Ｄ
０と情報光記録媒体Ｄ１を接着する。情報光記録媒体Ｄ
０およびＤ１は、上述の第１〜５のステップにしたがっ
て製造されたものである。接着方法は、ホットメルトに
よる。情報光記録媒体Ｄ０およびＤ１は、透明基板１お
よび透明基板１１が外側になるように接着される。
０と情報光記録媒体Ｄ１を接着する。情報光記録媒体Ｄ
０およびＤ１は、上述の第１〜５のステップにしたがっ
て製造されたものである。接着方法は、ホットメルトに
よる。情報光記録媒体Ｄ０およびＤ１は、透明基板１お
よび透明基板１１が外側になるように接着される。
【００４５】第７のステップとして、媒体の第１段階の
初期化が行われる。具体的には、相変化層３および相変
化層１３の結晶状態を揃える。具体的には、媒体に波長
８３０ｎｍのレーザー光を照射する。レーザー光のスポ
ットの形状は楕円である。レーザー光の照射の際、５．
６５ｍ／秒の一定の媒体線速度で回転させる。
初期化が行われる。具体的には、相変化層３および相変
化層１３の結晶状態を揃える。具体的には、媒体に波長
８３０ｎｍのレーザー光を照射する。レーザー光のスポ
ットの形状は楕円である。レーザー光の照射の際、５．
６５ｍ／秒の一定の媒体線速度で回転させる。
【００４６】第８のステップとして、媒体の第２段階の
初期化を行う。具体的には、媒体の情報が記録されるべ
き領域に、２値のランダムパターンを記録する。ランダ
ムパターンの記録は１０回繰り返される。 〔比較実験〕第１の実施例の情報光記録媒体の有効性を
示す比較実験の結果について説明する。比較実験は、第
１の実施例の情報光記録媒体の効果の確認と、情報光記
録媒体内部の各層の厚さの許容範囲の妥当性の検証と
を、目的とする。
初期化を行う。具体的には、媒体の情報が記録されるべ
き領域に、２値のランダムパターンを記録する。ランダ
ムパターンの記録は１０回繰り返される。 〔比較実験〕第１の実施例の情報光記録媒体の有効性を
示す比較実験の結果について説明する。比較実験は、第
１の実施例の情報光記録媒体の効果の確認と、情報光記
録媒体内部の各層の厚さの許容範囲の妥当性の検証と
を、目的とする。
【００４７】次に実験方法について説明する。
【００４８】１回の実験で、情報光記録媒体の３つの特
性が検証された。
性が検証された。
【００４９】第１の特性は、記録再生特性である。記録
再生特性は、以下の手順で検証された。
再生特性は、以下の手順で検証された。
【００５０】まず、情報光記録媒体に記録周波数８．３
７ＭＨｚの矩形波を記録する。矩形波のデューティーは
５０％である。次に、２．１２ＭＨｚの矩形波を重ね書
き記録する。この矩形波のデューティーも５０％であ
る。この後、情報光記録媒体を再生し、再生信号のＣ／
Ｎ比と、消去率とを測定する。
７ＭＨｚの矩形波を記録する。矩形波のデューティーは
５０％である。次に、２．１２ＭＨｚの矩形波を重ね書
き記録する。この矩形波のデューティーも５０％であ
る。この後、情報光記録媒体を再生し、再生信号のＣ／
Ｎ比と、消去率とを測定する。
【００５１】以上の記録再生過程における諸条件は以下
の通りである。
の通りである。
【００５２】情報光記録媒体の回転速度は３６００ｒｐ
ｍである。半導体レーザーの波長は６８０ｎｍである。
相変化層３におけるレーザー光のスポットの直径は約
１．０μｍである。信号再生、トラッキング・サーボ、
およびフォーカシング・サーボにおけるレーザー光のパ
ワーは１．０ｍＷである。信号記録時、レーザー光のパ
ワーは、高パワーと中間パワーの２段階に制御される。
高パワー時のレーザー光のパワーは１３ｍＷである。中
間パワー時のレーザー光のパワーは５ｍＷである。矩形
波は、情報光記録媒体上の半径３０ｍｍの位置に書込ま
れる。この位置における媒体線速度は１１．３ｍ／ｓｅ
ｃである。
ｍである。半導体レーザーの波長は６８０ｎｍである。
相変化層３におけるレーザー光のスポットの直径は約
１．０μｍである。信号再生、トラッキング・サーボ、
およびフォーカシング・サーボにおけるレーザー光のパ
ワーは１．０ｍＷである。信号記録時、レーザー光のパ
ワーは、高パワーと中間パワーの２段階に制御される。
高パワー時のレーザー光のパワーは１３ｍＷである。中
間パワー時のレーザー光のパワーは５ｍＷである。矩形
波は、情報光記録媒体上の半径３０ｍｍの位置に書込ま
れる。この位置における媒体線速度は１１．３ｍ／ｓｅ
ｃである。
【００５３】第２の特性は、反復記録再生特性である。
反復記録再生特性は、以下の手順で検証された。まず、
情報光記録媒体に８．３７ＭＨｚの矩形波と２．１２Ｍ
Ｈｚの矩形波を交互に重ね書きした。繰り返し回数は２
００回である。この後、記録信号を再生し、ジッターが
増大しているか否かを調査した。
反復記録再生特性は、以下の手順で検証された。まず、
情報光記録媒体に８．３７ＭＨｚの矩形波と２．１２Ｍ
Ｈｚの矩形波を交互に重ね書きした。繰り返し回数は２
００回である。この後、記録信号を再生し、ジッターが
増大しているか否かを調査した。
【００５４】第３の特性は、高温高湿度環境保存性であ
る。高温高湿度環境保存性は、以下の手順で検証され
た。まず、情報光記録媒体を、温度８０℃、湿度８０％
の高温高湿度環境に、５００時間保存した。この後、情
報光記録媒体内部の各層で、剥離や酸化がおきているか
否かを調査した。
る。高温高湿度環境保存性は、以下の手順で検証され
た。まず、情報光記録媒体を、温度８０℃、湿度８０％
の高温高湿度環境に、５００時間保存した。この後、情
報光記録媒体内部の各層で、剥離や酸化がおきているか
否かを調査した。
【００５５】そして、以上の実験を、内部の層厚が異な
る複数の情報光記録媒体に対して実施した。結果を以下
に示す。 〔実験１〕実験１で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。実験の結果、記録再生特性は、
Ｃ／Ｎ比５４ｄＢ、消去率２５ｄＢであった。この結果
は、この媒体が良好な記録再生特性を有することを示し
ている。また、反復記録再生特性および高温高湿度環境
保存性も良好であった。以上の結果から、実験１の情報
光記録媒体は、実用に供し得るものであることが判明し
た。 〔実験２〕実験２で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２５０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。実験の結果、記録再生特性、反
復記録再生特性、および高温高湿度保存性のいずれの点
においても、実験２の情報光記録媒体が実用に供し得る
ものであることが判明した。 〔実験３〕実験３で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２２０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。実験の結果、記録再生特性、反
復記録再生特性、および高温高湿度保存性のいずれの点
においても、実験３の情報光記録媒体が実用に供し得る
ものであることが判明した。 〔実験４〕実験４で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２４０ｎｍ、１３ｎｍ、１５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、相変
化層３を安定に初期化することができなかった。よっ
て、実験４の情報光記録媒体は、実用にならないことが
判明した。なお、相変化層３の第１段階の初期化に用い
たレーザー光の波長は８３０ｎｍである。 〔実験５〕実験５で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、９ｎｍ、４５ｎｍ、お
よび７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好な
記録再生特性が得られなかった。具体的には、良好なＣ
／Ｎ比を達成することができなかった。よって、実験５
の情報光記録媒体は、実用にならないことが判明した。 〔実験６〕実験６で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、２１ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好
な反復記録再生特性を得ることができなかった。すなわ
ち、書き換えを繰り返していくと、再生信号のジッター
が増大した。よって、実験６の情報光記録媒体は、実用
にならないことが判明した。 〔実験７〕実験７で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、１９０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好
な反復記録再生特性を得ることができなかった。すなわ
ち、書き換えを繰り返していくと、再生信号のジッター
が増大した。よって、実験７の情報光記録媒体は、実用
にならないことが判明した。 〔実験８〕実験８で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２６０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好
な反復記録再生特性を得ることができなかった。すなわ
ち、書き換えを繰り返していくと、再生信号のジッター
が増大した。よって、実験８の情報光記録媒体は、実用
にならないことが判明した。 〔実験９〕実験９で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および４０ｎｍである。この情報光記録媒体では、記録
再生特性の試験の際に、トッキング・サーボが不安定と
なった。よって、実験９の情報光記録媒体は、実用にな
らないことが判明した。 〔実験１０〕実験１０で用いられた情報光記録媒体の第
１干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層
５の厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎ
ｍ、および１１０ｎｍである。この情報光記録媒体で
は、良好な記録再生特性を得ることができなかった。具
体的には、記録感度が大幅に低下した。よって、実験１
０の情報光記録媒体は、実用にならないことが判明し
た。 〔実験１１〕実験１１で用いられた情報光記録媒体の第
１干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層
５の厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、３０ｎ
ｍ、および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、
記録再生特性の試験の際に、トッキング・サーボが不安
定となった。よって、実験１１の情報光記録媒体は、実
用にならないことが判明した。 〔実験１２〕実験１２で用いられた情報光記録媒体の第
１干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層
５の厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、１１０
ｎｍ、および７０ｎｍである。この情報光記録媒体で
は、良好な記録再生特性を得ることができなかった。具
体的には、記録感度が大幅に低下した。よって、実験１
２の情報光記録媒体は、実用にならないことが判明し
た。
る複数の情報光記録媒体に対して実施した。結果を以下
に示す。 〔実験１〕実験１で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。実験の結果、記録再生特性は、
Ｃ／Ｎ比５４ｄＢ、消去率２５ｄＢであった。この結果
は、この媒体が良好な記録再生特性を有することを示し
ている。また、反復記録再生特性および高温高湿度環境
保存性も良好であった。以上の結果から、実験１の情報
光記録媒体は、実用に供し得るものであることが判明し
た。 〔実験２〕実験２で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２５０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。実験の結果、記録再生特性、反
復記録再生特性、および高温高湿度保存性のいずれの点
においても、実験２の情報光記録媒体が実用に供し得る
ものであることが判明した。 〔実験３〕実験３で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２２０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。実験の結果、記録再生特性、反
復記録再生特性、および高温高湿度保存性のいずれの点
においても、実験３の情報光記録媒体が実用に供し得る
ものであることが判明した。 〔実験４〕実験４で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２４０ｎｍ、１３ｎｍ、１５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、相変
化層３を安定に初期化することができなかった。よっ
て、実験４の情報光記録媒体は、実用にならないことが
判明した。なお、相変化層３の第１段階の初期化に用い
たレーザー光の波長は８３０ｎｍである。 〔実験５〕実験５で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、９ｎｍ、４５ｎｍ、お
よび７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好な
記録再生特性が得られなかった。具体的には、良好なＣ
／Ｎ比を達成することができなかった。よって、実験５
の情報光記録媒体は、実用にならないことが判明した。 〔実験６〕実験６で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、２１ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好
な反復記録再生特性を得ることができなかった。すなわ
ち、書き換えを繰り返していくと、再生信号のジッター
が増大した。よって、実験６の情報光記録媒体は、実用
にならないことが判明した。 〔実験７〕実験７で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、１９０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好
な反復記録再生特性を得ることができなかった。すなわ
ち、書き換えを繰り返していくと、再生信号のジッター
が増大した。よって、実験７の情報光記録媒体は、実用
にならないことが判明した。 〔実験８〕実験８で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２６０ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、良好
な反復記録再生特性を得ることができなかった。すなわ
ち、書き換えを繰り返していくと、再生信号のジッター
が増大した。よって、実験８の情報光記録媒体は、実用
にならないことが判明した。 〔実験９〕実験９で用いられた情報光記録媒体の第１干
渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層５の
厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎｍ、
および４０ｎｍである。この情報光記録媒体では、記録
再生特性の試験の際に、トッキング・サーボが不安定と
なった。よって、実験９の情報光記録媒体は、実用にな
らないことが判明した。 〔実験１０〕実験１０で用いられた情報光記録媒体の第
１干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層
５の厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、４５ｎ
ｍ、および１１０ｎｍである。この情報光記録媒体で
は、良好な記録再生特性を得ることができなかった。具
体的には、記録感度が大幅に低下した。よって、実験１
０の情報光記録媒体は、実用にならないことが判明し
た。 〔実験１１〕実験１１で用いられた情報光記録媒体の第
１干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層
５の厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、３０ｎ
ｍ、および７０ｎｍである。この情報光記録媒体では、
記録再生特性の試験の際に、トッキング・サーボが不安
定となった。よって、実験１１の情報光記録媒体は、実
用にならないことが判明した。 〔実験１２〕実験１２で用いられた情報光記録媒体の第
１干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、および反射層
５の厚さは、それぞれ、２３５ｎｍ、１３ｎｍ、１１０
ｎｍ、および７０ｎｍである。この情報光記録媒体で
は、良好な記録再生特性を得ることができなかった。具
体的には、記録感度が大幅に低下した。よって、実験１
２の情報光記録媒体は、実用にならないことが判明し
た。
【００５６】次に、以上の実験の解析結果について説明
する。
する。
【００５７】図３に示された表は、上述の実験１〜１２
の結果をまとめたものである。そして、この表に示され
た実験結果を並べ替えたものが図４に示されている。こ
の並べ替えは、以下の手順に従って行われた。
の結果をまとめたものである。そして、この表に示され
た実験結果を並べ替えたものが図４に示されている。こ
の並べ替えは、以下の手順に従って行われた。
【００５８】第１のステップにおいて、まず各層の厚さ
を示す欄が並べ替えられた。すなわち、図３では、第１
干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、反射層５の順で
あったものが、図４では、反射層５、第２干渉層４、相
変化層３、第１干渉層２の順になっている。
を示す欄が並べ替えられた。すなわち、図３では、第１
干渉層２、相変化層３、第２干渉層４、反射層５の順で
あったものが、図４では、反射層５、第２干渉層４、相
変化層３、第１干渉層２の順になっている。
【００５９】第２のステップにおいて、各実験結果が反
射層５の厚さの順に並べ替えられた。
射層５の厚さの順に並べ替えられた。
【００６０】第３のステップにおいて、反射層５の厚さ
が５０〜１００ｎｍであるデータのみを選び出し、集合
１とした。集合１に属するデータは図４のＳ１で示され
ている。
が５０〜１００ｎｍであるデータのみを選び出し、集合
１とした。集合１に属するデータは図４のＳ１で示され
ている。
【００６１】第４のステップにおいて、集合１に属する
データのみを、第２干渉層４の厚さの順に並べ替えた。
データのみを、第２干渉層４の厚さの順に並べ替えた。
【００６２】第５のステップにおいて、集合１に属し且
つ第１干渉層２の厚さが４０〜１００ｎｍであるデータ
のみを選び出し、集合２とした。集合２に属するデータ
は図４のＳ２で示されている。
つ第１干渉層２の厚さが４０〜１００ｎｍであるデータ
のみを選び出し、集合２とした。集合２に属するデータ
は図４のＳ２で示されている。
【００６３】第６のステップにおいて、集合２に属し且
つ相変化層３の厚さが１０〜２０ｎｍであるデータのみ
を選び出し、集合３とした。集合３に属するデータは、
図４のＳ３で示されている。
つ相変化層３の厚さが１０〜２０ｎｍであるデータのみ
を選び出し、集合３とした。集合３に属するデータは、
図４のＳ３で示されている。
【００６４】第７のステップにおいて、集合３に属し且
つ第１干渉層２の厚さが２００〜２５０ｎｍであるデー
タのみを選び出し、集合４とした。集合４に属するデー
タは、図４のＳ４で示されている。
つ第１干渉層２の厚さが２００〜２５０ｎｍであるデー
タのみを選び出し、集合４とした。集合４に属するデー
タは、図４のＳ４で示されている。
【００６５】集合４は、第１干渉層２、相変化層３、第
２干渉層４、および反射層５の厚さが、それぞれ、２０
０〜２５０ｎｍ、１０〜２０ｎｍ、４０〜１００ｎｍお
よび５０〜１００ｎｍの範囲に含まれるデータのみで構
成されている。そして、図４を参照すると、集合４に属
する実験で用いられた情報光記録媒体のみが、実用に供
し得るものである。したがって、各層の厚さがこの範囲
に属しているものは、実用に供し得る情報光記録媒体で
あることがわかる。 〔第１の実施例の効果〕以上のように、本実施例では、
情報光記録媒体Ｄが、反射層５がＳｉを含むように構成
され、さらに、第１干渉層２、相変化層３、第２干渉層
４、および反射層５の厚さが、それぞれ、２００〜２５
０ｎｍ、１０〜２０ｎｍ、４０〜１００ｎｍおよび５０
〜１００ｎｍの範囲に含まれるように構成される。この
ため、本実施例の情報光記録媒体Ｄは、反復して書き込
みを行っても記録再生信号のジッターが増大しない、と
いう効果を達成することができる。 〔第２の実施例〕次に、図面を参照して、本発明の第２
の実施例について説明する。本実施例の特徴は、透明基
板１下に保護層８が設けられることにある。この他の点
に関しては、本実施例の構成は、第１の実施例のものと
同じである。
２干渉層４、および反射層５の厚さが、それぞれ、２０
０〜２５０ｎｍ、１０〜２０ｎｍ、４０〜１００ｎｍお
よび５０〜１００ｎｍの範囲に含まれるデータのみで構
成されている。そして、図４を参照すると、集合４に属
する実験で用いられた情報光記録媒体のみが、実用に供
し得るものである。したがって、各層の厚さがこの範囲
に属しているものは、実用に供し得る情報光記録媒体で
あることがわかる。 〔第１の実施例の効果〕以上のように、本実施例では、
情報光記録媒体Ｄが、反射層５がＳｉを含むように構成
され、さらに、第１干渉層２、相変化層３、第２干渉層
４、および反射層５の厚さが、それぞれ、２００〜２５
０ｎｍ、１０〜２０ｎｍ、４０〜１００ｎｍおよび５０
〜１００ｎｍの範囲に含まれるように構成される。この
ため、本実施例の情報光記録媒体Ｄは、反復して書き込
みを行っても記録再生信号のジッターが増大しない、と
いう効果を達成することができる。 〔第２の実施例〕次に、図面を参照して、本発明の第２
の実施例について説明する。本実施例の特徴は、透明基
板１下に保護層８が設けられることにある。この他の点
に関しては、本実施例の構成は、第１の実施例のものと
同じである。
【００６６】図５を参照すると、本実施例の情報光記録
媒体Ｄでは、透明基板１下に保護層８が設けられてい
る。保護層８の材料は、例えば、ＳｉＯ2である。
媒体Ｄでは、透明基板１下に保護層８が設けられてい
る。保護層８の材料は、例えば、ＳｉＯ2である。
【００６７】本実施例の特徴を、図２に示された情報光
記録媒体Ｄに適用しても良い。すなわち、図２の情報光
記録媒体Ｄの透明基板１および透明基板１１に、保護層
８を設けても良い。
記録媒体Ｄに適用しても良い。すなわち、図２の情報光
記録媒体Ｄの透明基板１および透明基板１１に、保護層
８を設けても良い。
【００６８】本実施例の構成によれば、第１の実施例の
効果に加えて、透明基板１を保護することができるとい
う効果が達成される。
効果に加えて、透明基板１を保護することができるとい
う効果が達成される。
【００６９】
【発明の効果】以上のように、本発明は、Ｓｉを含む反
射層５を採用し、さらに、第１干渉層２、相変化層３、
第２干渉層４、および反射層５の厚さが所定の範囲内に
含まれるように情報光記録媒体を構成したので、反復し
て書き込みを行っても記録再生信号のジッターが増大し
ない、という効果を達成することができる。
射層５を採用し、さらに、第１干渉層２、相変化層３、
第２干渉層４、および反射層５の厚さが所定の範囲内に
含まれるように情報光記録媒体を構成したので、反復し
て書き込みを行っても記録再生信号のジッターが増大し
ない、という効果を達成することができる。
【図１】 本発明の第１の実施例を示す図。
【図２】 本発明の第１の実施例の別の実施態様を示す
図。
図。
【図３】 本発明の第第１の実施例の効果を検証する比
較実験の結果を示す図。
較実験の結果を示す図。
【図４】 本発明の第第１の実施例の効果を検証する比
較実験の結果を示す図。
較実験の結果を示す図。
【図５】 本発明の第２の実施例を示す図。
Ｄ、Ｄ１、Ｄ２ 情報光記録媒体 １ 透明基板 ２ 第１干渉層 ３ 相変化層 ４ 第２干渉層 ５ 反射層 ６ 保護層 ７ 接着層 ８ 保護層 １１ 透明基板 １２ 第１干渉層 １３ 相変化層 １４ 第２干渉層 １５ 反射層 １６ 保護層 １８ 保護層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年４月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体が、透明基板１と、この透明基板１よりも上層に設け
られＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物を含む第１干渉層２
と、この第１干渉層２よりも上層に設けられＧｅ2 Ｓｂ
2 Ｔｅ5 を含む相変化層３と、この相変化層３よりも上
層に設けられＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物を含む第２干
渉層４と、この第２干渉層４よりも上層に設けられＳｉ
を含む反射層５とを含むように構成される。
体が、透明基板１と、この透明基板１よりも上層に設け
られＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物を含む第１干渉層２
と、この第１干渉層２よりも上層に設けられＧｅ2 Ｓｂ
2 Ｔｅ5 を含む相変化層３と、この相変化層３よりも上
層に設けられＺｎＳとＳｉＯ2 との混合物を含む第２干
渉層４と、この第２干渉層４よりも上層に設けられＳｉ
を含む反射層５とを含むように構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】本発明の他の実施態様では、情報光記録媒
体が、透明基板の表面をスパッタした後ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
して第１干渉層を形成する第１のステップと、Ｇｅ2 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ5 のターゲットをアルゴンガスでスパッタして
相変化層を形成する第２のステップと、ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
して第２干渉層を形成する第３のステップと、Ｓｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより反射層
５を形成する第４のステップとを含む製造方法で製造さ
れる。
体が、透明基板の表面をスパッタした後ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
して第１干渉層を形成する第１のステップと、Ｇｅ2 Ｓ
ｂ2 Ｔｅ5 のターゲットをアルゴンガスでスパッタして
相変化層を形成する第２のステップと、ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物の焼結ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
して第２干渉層を形成する第３のステップと、Ｓｉター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより反射層
５を形成する第４のステップとを含む製造方法で製造さ
れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２７】相変化層３は、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 を主成
分とする。相変化層３の厚さは、１０〜２０ｎｍであ
る。より効果を顕著にするためには、相変化層３の厚さ
は、１０〜１６ｎｍであることが好ましい。必要に応じ
て、相変化層３にＮなどの元素を少量添加しても良い。
これらの元素を少量添加することによって、相変化層３
の結晶粒界が大きくなるのを防止することができる。結
晶粒界が大きくなるのを防止することにより、再生信号
ノイズの増加を防止できる。
分とする。相変化層３の厚さは、１０〜２０ｎｍであ
る。より効果を顕著にするためには、相変化層３の厚さ
は、１０〜１６ｎｍであることが好ましい。必要に応じ
て、相変化層３にＮなどの元素を少量添加しても良い。
これらの元素を少量添加することによって、相変化層３
の結晶粒界が大きくなるのを防止することができる。結
晶粒界が大きくなるのを防止することにより、再生信号
ノイズの増加を防止できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２８】第２干渉層４は、ＺｎＳとＳｉＯ2 の混合
物である。第２干渉層４の厚さは、４０〜１００ｎｍで
ある。より効果を顕著にするためには、第２干渉層４の
厚さは、４０〜５５ｎｍであることが好ましい。第２干
渉層４中の、ＳｉＯ2 の存在比は１０〜２０モル％が望
ましい。また、第２干渉層４の屈折率は約２．２である
ことが望ましい。
物である。第２干渉層４の厚さは、４０〜１００ｎｍで
ある。より効果を顕著にするためには、第２干渉層４の
厚さは、４０〜５５ｎｍであることが好ましい。第２干
渉層４中の、ＳｉＯ2 の存在比は１０〜２０モル％が望
ましい。また、第２干渉層４の屈折率は約２．２である
ことが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】第１干渉層２はスパッタリングによって形
成される。スパッタリングは、１×１０-6Ｔｏｒｒ以下
の真空中に排気後、行われる。第１干渉層２を形成する
前に、透明基板１の表面を、約０．２ｎｍほど、アルゴ
ンでスパッタエッチングする。この後、ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガスでスパッ
タする。ＳｉＯ2 の含有量は１７モル％である。このス
パッタによって第１干渉層２が形成される。第１干渉層
２の厚さは２３５ｎｍである。
成される。スパッタリングは、１×１０-6Ｔｏｒｒ以下
の真空中に排気後、行われる。第１干渉層２を形成する
前に、透明基板１の表面を、約０．２ｎｍほど、アルゴ
ンでスパッタエッチングする。この後、ＺｎＳとＳｉＯ
2 の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガスでスパッ
タする。ＳｉＯ2 の含有量は１７モル％である。このス
パッタによって第１干渉層２が形成される。第１干渉層
２の厚さは２３５ｎｍである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】第２のステップにおいて、第１干渉層２上
に、相変化層３が形成される。相変化層３の厚さは１３
ｎｍである。相変化層３は、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 のター
ゲットを、アルゴンガスでスパッタすることにより、形
成される。
に、相変化層３が形成される。相変化層３の厚さは１３
ｎｍである。相変化層３は、Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 のター
ゲットを、アルゴンガスでスパッタすることにより、形
成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】第３のステップにおいて、相変化層３上
に、第２干渉層４が形成される。第２干渉層４は、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2 の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガ
スでスパッタすることにより形成される。ＳｉＯ2 の含
有量は１７モル％である。第１干渉層２の厚さは４５ｎ
ｍである。
に、第２干渉層４が形成される。第２干渉層４は、Ｚｎ
ＳとＳｉＯ2 の混合物の焼結ターゲットを、アルゴンガ
スでスパッタすることにより形成される。ＳｉＯ2 の含
有量は１７モル％である。第１干渉層２の厚さは４５ｎ
ｍである。
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板と、 この透明基板よりも上層に設けられＺｎＳとＳｉＯ2と
の混合物を含む第１干渉層と、 この第１干渉層よりも上層に設けられＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5
を含む相変化層と、 この相変化層よりも上層に設けられＺｎＳとＳｉＯ2と
の混合物を含む第２干渉層と、 この第２干渉層よりも上層に設けられＳｉを含む反射層
とを含むことを特徴とする情報光記録媒体。 - 【請求項２】 前記相変化層の厚さが１０乃至２０ｎｍ
であり、前記第２干渉層の厚さが４０乃至１００ｎｍで
あり、前記反射層の厚さが５０乃至１００ｎｍであり、
前記第１干渉層の厚さが２００乃至２５０ｎｍであるこ
とを特徴とする請求項１記載の情報光記録媒体。 - 【請求項３】 前記反射層および透明基板の少なくとも
一方に保護層が設けられることを特徴とする請求項２記
載の情報光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060669A JP2984538B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 情報光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060669A JP2984538B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 情報光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07272322A true JPH07272322A (ja) | 1995-10-20 |
| JP2984538B2 JP2984538B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=13148972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060669A Expired - Fee Related JP2984538B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | 情報光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2984538B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH035929A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Teijin Ltd | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JPH04263133A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Nec Corp | 情報光記録媒体とその記録再生方法 |
| JPH04263134A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Nec Corp | 光学記録媒体およびその記録再生方法 |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6060669A patent/JP2984538B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH035929A (ja) * | 1989-06-01 | 1991-01-11 | Teijin Ltd | 光記録媒体及びその製造方法 |
| JPH04263133A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Nec Corp | 情報光記録媒体とその記録再生方法 |
| JPH04263134A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-18 | Nec Corp | 光学記録媒体およびその記録再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2984538B2 (ja) | 1999-11-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980210 |
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