JP2002237096A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JP2002237096A JP2001034734A JP2001034734A JP2002237096A JP 2002237096 A JP2002237096 A JP 2002237096A JP 2001034734 A JP2001034734 A JP 2001034734A JP 2001034734 A JP2001034734 A JP 2001034734A JP 2002237096 A JP2002237096 A JP 2002237096A
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optical
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optical recording
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Kazunori Ito
和典 伊藤
Hajime Yuzurihara
肇 譲原
Nobuaki Onaki
伸晃 小名木
Katsuyuki Yamada
勝幸 山田
Shinya Narumi
慎也 鳴海
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Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の書き換え型記録媒
体において、高線速記録時の記録特性が良好な製品を提
供すること。 【解決手段】 光ビームを照射することにより記録層材
料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行な
い、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体において、蛇
行溝を有するポリカーボネートなどの透明基板上に、少
なくとも光学膜厚（ｎｄ＝屈折率×膜厚）が８０ｎｍ≦
ｎｄ≦２００ｎｍの範囲にある第１の誘電体層と、消去
状態における光学膜厚が２０ｎｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍの範
囲の相変化記録材料層、１０ｎｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍの範
囲の第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順番で製膜
してなり、さらにこの上に同じ厚さのポリカーボネート
などの透明基板を接着してなることを特徴とする光記録
媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ビームを照射す
ることにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情
報の記録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化光
記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特許０２６５２４４３号公報には、ＣＤ
−ＲＷに関してのＥＦＭ信号に対するアドレス情報など
を図６ａに示される情報担体（１）に記録する方法、ま
た、ＤＶＤに関してもアドレス情報などを基板にインプ
ットするために蛇行溝を用いる方法が開示されており、
この情報担体（１）は、図６ｃ、図６ｄに平面形状が示
され、その断面構造が図６ｂに示されるような正弦波ウ
ォブルのサーボトラック（４）を有し、このサーボトラ
ック（４）は、トラック変調により生成される周波数成
分の平均周波数を２２．０５ＫＨｚに保持し、情報担体
（１）を、トラック変調の周波数が位置情報信号に応じ
て変調されるような形式のものとすることができる旨記
載されている。しかしながら、この基板にインプットす
る情報はそれぞれの規格でさまざまな条件があり、ディ
スクを製造する場合には、個別に溝の条件と記録膜の構
成条件を最適化する必要がある。本発明は、４．７ＧＢ
ＤＶＤ＋ＲＷの規格を満足するディスクの条件を規定
するものであるが、これに関するものはまだ開示されて
いない。
【０００３】近年、書換え型の光ディスクとしては、高
密度記録に対応するＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で、等速記
録が可能なものがすでに製品化されている状況である。
これらの書き換え可能な光ディスクはその読み出しおよ
び書き込みのために、その基板には、蛇行する案内溝が
存在し、この案内溝には書き込みの際に必要なクロック
や信号のアドレス位置などの情報が入力されてなること
が一般的である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上記従来技術に鑑みて、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の
書き換え型記録媒体において、高線速記録時の記録特性
が良好な製品を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題は、本発明の
（１）「光ビームを照射することにより記録層材料に光
学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、か
つ書換えが可能な相変化光記録媒体において、蛇行溝を
有するポリカーボネートなどの透明基板上に、少なくと
も光学膜厚ｎｄ（ｎｄ＝屈折率ｎ×膜厚ｄ）が８０ｎｍ
≦ｎｄ≦２００ｎｍの範囲にある第１の誘電体層と、消
去状態における光学膜厚が２０ｎｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍの
範囲の相変化記録材料層、１０ｎｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍの
範囲の第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順番で製
膜してなり、さらにこの上に同じ厚さのポリカーボネー
トなどの透明基板を接着してなることを特徴とする光記
録媒体」、（２）「蛇行溝を有するポリカーボネートの
屈折率（ｎ）は１．５〜１．６５の範囲であり、厚さが
０．５９〜０．６２ｍｍであることを特徴とする前記第
（１）項に記載の光記録媒体」、（３）「蛇行溝を有す
るポリカーボネートの複屈折が５０ｎｍ以下の範囲であ
ることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体」、（４）「上記蛇行溝のピッチは０．７０〜０．８
ｍｍであり、蛇行溝に入力されるクロック情報は周期的
な蛇行を用い、アドレスやディスクの情報は周期的な蛇
行の位相を１８０度反転することによって入力し、蛇行
溝の振幅は１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴
とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」、（５）
「上記蛇行溝のウォブル周期が０．４〜０．４５μｍで
あることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体」、（６）「上記蛇行溝の深さは２２〜４０ｎｍであ
ることを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒
体」、（７）「上記蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅は０．１７
〜０．３０μｍであることを特徴とする前記第（１）項
に記載の光記録媒体」、（８）「記録マークがＧｒｏｏ
ｖｅに記録され、記録マークの幅は溝幅に対し０．９〜
１．５の範囲であることを特徴とする前記第（１）項に
記載の光記録媒体」により達成される。
【０００６】本発明では、相変化記録膜に記録される記
録マークからの信号特性が良好であると同時に、上記案
内溝に入力されているウォブル情報を低い誤り率で読み
出すために必要な書換え型光ディスクに用いられる多層
記録膜の光学特性や基板の光学特性および基板に形成さ
れる案内溝の形状を規定するものであり、これらの効果
によりすでに普及しているＤＶＤ−ＲＯＭドライブによ
る再生互換性の高い書換え型光ディスクを提供すること
を目的としている。この目的においては、多層記録膜に
おいては各層の光学膜厚すなわち屈折率ｎと膜厚ｄの
積、光学膜厚ｎｄと、基板においてはその屈折率と複屈
折率およびそれに形成される案内溝のウォブル形状が重
要となる。
【０００７】本発明者等は、現在、製品化が進んでいる
ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量の書き換え型記録媒体である
４．７ＧＢ ＤＶＤ＋ＲＷの製品を得るために開発活動
を行なった結果、上記案内溝に入力されているウォブル
情報を低い誤り率で読み出しが可能であり、かつ記録マ
ークからの信号が低い誤り率で再生されるための多層記
録膜の光学特性や基板の光学特性、および基板に形成さ
れる案内溝の形状が以下の条件のときに良好に実現で
き、再生互換性の高い書換え型光ディスクが得られるこ
とを見出した。
【０００８】即ち、第１に、光ビームを照射することに
より記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記
録、再生を行ない、かつ書換えが可能な相変化光記録媒
体において、蛇行溝を有するポリカーボネートなどの透
明基板上に、少なくとも光学膜厚ｎｄ（ｎｄ＝屈折率ｎ
×膜厚ｄ）が８０ｎｍ≦ｎｄ≦２００ｎｍの範囲にある
第１の誘電体層と、消去状態における光学膜厚が２０ｎ
ｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍの範囲の相変化記録材料層、１０ｎ
ｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍの範囲の第２の誘電体層、及び金属
反射層をこの順番でスパッタ製膜すること、第２に、蛇
行溝を有するポリカーボネートの屈折率（ｎ）は１．５
〜１．６５の範囲であり、厚さが０．５９〜０．６２ｍ
ｍであること、第３に、蛇行溝を有するポリカーボネー
トの複屈折が５０ｎｍ以下の範囲であること、第４に、
上記蛇行溝のピッチは、０．７０〜０．８ｍｍであり、
蛇行溝に入力されるクロック情報は周期的な蛇行を用
い、アドレスやディスクの情報は周期的な蛇行の位相を
１８０度反転することによって入力し、蛇行溝の振幅は
１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であること、第５に、上記蛇
行溝のウォブル周期が０．４〜０．４５μｍであるこ
と、第６に、上記蛇行溝の深さは、２２〜３５ｎｍであ
ること、第７に、上記蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅は０．１
７〜０．３０μｍであること、第８に、記録マークはＧ
ｒｏｏｖｅに記録され、記録マークの幅が溝幅に対し
０．９＜１．５であること、がわかった。所以、本発明
によれば上記に示す光記録媒体が得られる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について実施例を上
げて説明する。図１は、本発明の実施例の光記録媒体構
造の概略図である。案内溝を有するポリカーボネイト基
板（１）上に、スパッタリング法により下部保護層とし
て第１の誘電体層（２）、記録層（３）、上部保護層と
しての第２の誘電体層（４）および第３の誘電体層
（４’）、反射放熱層（５）を製膜し、反対側の基板
（１’）と接着する基板は媒体として機能する各層が積
層されていてもいなくても良い。接着層（７）は、粘着
シートあるいはラジカルＵＶ樹脂、カチオン重合樹脂等
が使用できる。また、反射放熱層（５）上にスピンコー
トにより塗布されたＵＶ硬化樹脂からなる環境保護層
（６）が積層されていても良い。各層の製膜条件はスパ
ッタ装置を用い、第１・第２および保護層（２），
（４）：投入電力３ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気圧）
２ｍＴｏｒｒ、相変化記録膜（３）：投入電力１ｋＷ，
Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２ｍＴｏｒｒ、第３の保護
層（４’）：投入電力１ｋＷ，Ａｒガス圧力（製膜室気
圧）２ｍＴｏｒｒ、反射膜：投入電力９ｋＷ，Ａｒガス
圧力（製膜室気圧）２ｍＴｏｒｒとした。もちろん各層
の製膜条件はこの条件に限られない。第１・第２・第３
の保護層、記録層、反射層は各種気相成長法、例えば、
真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法等に
より形成できる。
【００１０】
【実施例】（実施例１）ピッチサイズ０．７４μｍで、
蛇行量が３５ｎｍ、Ｇｒｏｏｖｅ幅０．２５μｍの蛇行
溝を有するポリカーボネート基板上に、ＳｉＯ2２０ｍ
ｏｌ％のＺｎＳ・ＳｉＯ2混合ターゲットを用いる第１
の誘電体層を６５〜８５ｎｍ、Ａｇ０．５原子％、Ｉｎ
５原子％、Ｓｂ６４原子％、Ｔｅ２５原子％、Ｇｅ２原
子％の組成の記録層を１５〜２０ｎｍ、第１の誘電体層
と同じ第２の誘電体層を１２ｎｍ、ＳｉＣ：ＳｉＯ
2（１：１）の混合ターゲットを用いる第３の誘電体層
を２〜８ｎｍ、Ａｇターゲットを用いる反射層８０〜１
５０ｎｍをスパッタ法により成膜して相変化光記録媒体
を作成した。この第１・第２の誘電体層の屈折率は２．
０、ブランクディスクの記録層の屈折率は２．３、第３
の誘電対層の屈折率は、２．５であった。したがって、
このディスクにおける各層のｎｄは表１の１−１のごと
くなる。
【００１１】このようにして作成した数種類のディスク
の反射率・変調度・ジッタを比較例とともに表１−２に
示す。比較例としては、第１・第２の誘電体層および記
録層のｎｄが請求項１より大きい場合と小さい場合につ
いて示す。互換性の高い相変化書き換え型光ディスクを
得る場合には、２層ＤＶＤ−ＲＯＭディスクの規格値を
満足する必要があるが、相変化書き換え型の光ディスク
においては下記の条件が必要であることがわかってい
る。 反射率＝１８〜３０％ 変調度＞０．６０ ジッタ＜９％ ※ＤＶＤ−ＲＯＭのジッタ規格値は＜８％だが、ピック
アップの傾きが±０．７５ｄｅｇ．のときに＜１５％で
読み取り誤り率が小さいことがわかっており、相変体の
場合はこの条件を満たす最小ジッタは９％である。
【００１２】相変化記録膜に記録される記録マークから
の信号特性が良好であると同時に、案内溝に入力されて
いるウォブル情報を低い誤り率で読み出すために必要な
書換え型光ディスクに用いられる多層記録膜の光学特性
を詳細に検討した結果、たとえばＤＶＤ＋ＲＷ規格に適
するディスクの各条件は以下に示すものが良いことがわ
かった。
【００１３】各層の構成は以下のとおりである。記録層
は、ＣＤ−ＲＷに用いられているＡｇＩｎＳｂＴｅ組成
の材料に対しＧｅｌ原子％から５原子％を添加したもの
を用いた。この場合、記録層の光学特性は請求項１に示
す３０ｎｍ≦ｎｄ≦５０ｎｍの範囲がよい。具体的には
Ａｇ０．５原子％、Ｉｎ５原子％、Ｓｂ６４原子％、Ｔ
ｅ２５原子％、Ｇｅ２原子％付近の組成の記録層を用い
たブランクディスクでは、記録層の屈折率は約２．３と
なり、この場合の膜厚Ｄｐｃは９ｎｍ≦Ｄｐｃ≦２３ｎ
ｍの範囲が望ましく、より好ましくは１３ｎｍ≦Ｄｐｃ
≦１９ｎｍの範囲が良い。
【００１４】第１の誘電体層は、ＺｎＳとＳｉＯ2の混
合ターゲットを用いた。この混合比は調整されても良い
が、ＳｉＯ2の混合比は５０％を超えない範囲が望まし
く、その膜厚条件としては請求項１に示す光学膜厚が満
たされていることが必要であり、好ましくはｎｄが１２
０から１８０の範囲が良い。具体的には、ＺｎＳ−（２
０ｍｏｌ％ ＳｉＯ2）のＺｎＳ−ＳｉＯ2を投入電力３
ｋＷ、Ａｒガス圧力（製膜室気圧）２ｍＴｏｒｒのＲＦ
スパッタにより製膜した場合、誘電体層の屈折率は約
２．０となる。この場合、その膜厚Ｄｄｉ1は４０ｎｍ
≦Ｄｄｉ1≦１００ｎｍの範囲が好ましく、より好まし
くは７０ｎｍ≦Ｄｄｉ1≦９０ｎｍの範囲が良い。Ｓｉ
Ｏ2の混合比については、５０％を超える場合、スパッ
タ速度が著しく低下するために生産上スループットの低
下により、コスト高になってしまう不具合が生ずる。ま
た、上述したＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜の光学膜厚につ
いては、これより小さい場合には、記録信号の再生時に
光ディスクからの反射率が目的の範囲より低くなった
り、繰り返し記録特性が悪くなるといった不具合が生ず
る。また、膜厚がこの範囲より大きい場合には反射率が
高くなることによって実質の変調度が小さくなり、結果
として再生時の誤り率が大きくなってしまうなどの不具
合を生ずる。
【００１５】第２の誘電体層は、第１の誘電体層と同じ
く、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物を用いることができる。
第１の誘電体層と同様のスパッタ条件で得られた屈折率
約２．０の膜厚範囲としては、５ｎｍ≦Ｄｄｉ2≦３５
ｎｍが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ≦Ｄｄｉ2≦
２０ｎｍが良い。
【００１６】実際の光ディスクの使用環境においては、
第３の誘電体層がなくとも実用上問題ないことも確認さ
れているが、実施例１に示す場合のように、上部保護層
としての第２誘電体層は付加的に第３の誘電体層として
ＳｉＣとＳｉＯ2の混合物の積層構造とすることによっ
て、より信頼性の高い記録媒体が実現できる。第３の誘
電体層は、反射層にＡｇやＡｇ合金を用いる際に、硫化
物を含む第２の誘電体層と接触し、硫化することなど、
ＡｇやＡｇ合金の劣化を防ぐことを目的としている。こ
の層の材料は、上記硫化防止に対する阻止能の観点から
は、主成分が酸化物以外の誘電体材料であれば良く、Ｓ
ｉＯ2などの酸化物の含有量は３０％以下が良い。
【００１７】第３の誘電体層を用いた場合は、第２の誘
電体層の厚さＤｄｉ2が、９ｎｍ≦Ｄｄｉ2≦１５ｎｍ、
第３の誘電体の膜厚Ｄｄｉ3が２ｎｍ≦Ｄｄｉ3≦８ｎｍ
が好ましい。この場合のｎｄの範囲は、第３の誘電体の
屈折率が上記製膜条件下では約２．５であるため、２３
ｎｍ≦ｎｄ≦７０ｎｍであり、請求項１に示す範囲であ
る。これ以下の範囲の場合には、記録マークのコントラ
ストが不足する問題が生じ、これ以上の場合には繰り返
し記録特性が悪くなるといった不具合が生ずる。
【００１８】反射放熱層に用いる材料はＡｇを用いた。
反射層に用いる材料としては、Ａｌ合金やＡｕなどの金
属膜も可能であるが、ＡｇあるいはＡｇに対し、Ｐｄ、
Ｉｎ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃｒなどの元素、あるいはそ
の混合物であってＡｇに対し１０％までの含有量で共晶
となる金属であればどのような元素の添加も可能である
が、このような共晶系合金などが記録特性上は好ましい
結果が得られる。膜厚は、６０〜２００ｎｍがよい。６
０ｎｍ以下では放熱効果が得られない。また、厚すぎる
場合は界面剥離を生じ易くなる。また、基板に用いるポ
リカーボネートの光学条件については、以下に示す。
【００１９】（実施例２）実施例１と同じ膜構成の光デ
ィスクについて蛇行溝を有するポリカーボネートのｎ屈
折率・厚さ・複屈折について評価した結果、屈折率は
１．５〜１．６５が良く、高い場合はディスク全体の反
射率低下が起こり、低い場合には反射率の増加により変
調度が不足してしまう。また、複屈折に関しては５０ｎ
ｍ以下が良く、高い場合はディスク全体の反射率低下が
起こる。特に、ディスク半径方向に分布がある場合に
は、反射率も同様な分布を示すようになるため、なるべ
く小さい値であることが必要である。厚さに関しては、
０．５９〜０．６２ｍｍが良く、薄すぎると記録再生装
置のクランプの甘さから回転数の不安定が起こる場合が
あり、薄すぎたり厚すぎる場合にはピックアップのフォ
ーカス性能に問題が生ずる。また、円周方向の厚さムラ
がこの範囲を超える場合には、信号強度が周内で変動し
てしまう問題も生ずることがわかった。
【００２０】上述したような第１、第２、第３の誘電体
層および基板のｎｄを最適化することによって、たとえ
ば、ＤＶＤ−ＲＯＭの２．５倍速以上の高線速記録が可
能で、さらにオーバーライト特性が良好な光記録媒体が
実現できる。さらに、このような光学条件にすることに
よって、後述する溝条件とあいまって、記録時に必要な
蛇行溝に入力されたクロック情報やアドレス情報などが
低い誤り率で読み出すことができる光記録媒体が実現で
きる。
【００２１】（実施例３）ＤＶＤ＋ＲＷメディアは、蛇
行溝に入力されるクロック情報は周期的な蛇行を用い、
アドレスやディスクの情報は周期的な蛇行の位相を１８
０度反転することによって入力してなる。
【００２２】蛇行溝から読み出されるウォブル情報のキ
ャリア・ノイズの振幅は、実際の蛇行溝を２０ｎｍ以上
４０ｎｍ以下にした場合に良好な結果を与え、好ましく
は２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下が良い。これ以下の場合に
はキャリアの量が小さくなりすぎ、結果として位相反転
により蛇行溝に刻まれたアドレス情報やメディアの情報
の読み出し誤り率が大きくなってしまう。また、これよ
りも大きい場合には、隣接する蛇行溝からの干渉を受け
ることによって、ノイズ成分が大きくなってきて、結果
として情報の読み取り誤り率が高くなってしまう。さら
に、スタンパの作成時、つまり露光工程において変調素
子の負荷が大きくなり、メディア全周にわたって安定し
た溝が形成できなくなる恐れもある。
【００２３】実施例２と同じ膜構成の光ディスクについ
て蛇行溝の振幅とウォブル周期を変えて、クロックやア
ドレス情報の読み取り誤り率の尺度としてＷｏｂｂｌｅ
Ｃ／Ｎ比の評価結果を図２に示す。安定し、アドレス
やクロック情報を得るのに充分なキャリア／ノイズ比を
Ａであらわしたが、ウォブルの振幅が約１５ｎｍあれば
これより大きい値となることがわかるが、確実にＣＮ比
を確保したい場合は２０ｎｍ以上が良い。また、さらに
振幅を大きくしていくと、隣接するトラックとの干渉に
よりウォブルをグルーブと平行方向に分割されたＰＤに
より、その信号を取り出すと図３のように波形に強弱が
できる。この信号（Ｖｗｏｂｂｌｅ）の最大値／最小値
をプロットしたものが図４である。Ｖｗｏｂｂｌｅの最
大／最小比が２．５を超えるとクロックやアドレス情報
の読み取り誤り率が上昇することが、アドレス情報の読
み取り誤り率の評価からわかったが、この上昇ポイント
はウォブル振幅で約４０ｎｍであった。
【００２４】ウォブル周期を変えた場合は、周波数成分
が変動するため、図２のＣＮ比が当然小さくなるため安
定したアドレス情報が得られなくなる。実験の結果から
は、蛇行溝のウォブル周期は４．０〜４．５μｍである
ことが必要であった。
【００２５】（実施例４）深さ・Ｇｒｏｏｖｅ幅を変え
て、反射率・記録後のトラッククロス信号・プッシュプ
ル信号・アドレス情報の読み取り誤り率を評価した結果
を表２に示す。光ディスクの膜構成は実施例２と同じで
ある。結果から蛇行溝の深さは、２２〜３５ｎｍが良
く、望ましくは２４ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が良い。これ
より小さい場合には、記録装置がＧｒｏｏｖｅを判定す
るプッシュプル信号が小さくなりすぎるために安定した
サーボ特性が得られなくなってしまい、トラッキングで
きなくなってしまう。これより大きい場合には、反射率
の低下を招き、ＤＶＤ−ＲＯＭ装置による再生互換が取
れなくなってしまう。反射率低下は第１の誘電体層の厚
さによってコントロール可能であるが、この場合は記録
特性が悪くなってしまう。次に、蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ
幅は０．１７〜０．３０μｍが良く、好ましくは０．２
〜０．２８μｍの範囲であることが良好な結果をもたら
す。これより小さい場合には反射率低下が起こり、大き
すぎる場合はデータサーチ時にトラッククロス信号が小
さくなりすぎ、サーチがうまくできない不具合を生ず
る。
【００２６】（実施例５）実施例２と同じ膜構成の光デ
ィスクについて記録マークの幅を変えてジッタ・変調度
・記録後のトラッククロス信号を評価した。記録マーク
は、Ｇｒｏｏｖｅに記録されること、記録マークの幅が
溝幅に対し１＜１．５であること、によって良好な記録
特性を得ることができる。上記の記録材料は高密度記録
に適しており、前述したような各層の光学膜厚を満足す
ることによって、トラックピッチ０．７４μｍのＧｒｏ
ｏｖｅのみの記録で、４．７Ｇ Ｂｙｔｅのデータ容量
を確保することが可能である。また、この材料は浅い溝
深さとあいまってＧｒｏｏｖｅ幅より幅の広いマークが
形成される。この媒体の特徴的なマーク形状は図５に示
す。これによって変調度が大きく取れて、ＤＶＤ−ＲＯ
Ｍと同程度の値が得られ、結果として再生互換の高い記
録媒体が得られる。記録マークが小さい場合には変調度
がとれなくなり、ジッタも悪化する。また、マーク幅が
大き過ぎる場合には変調度が大きくなるが、トラックク
ロス信号が小さくなり、サーチがうまくできない。ジッ
タ、特にオーバーライト特性が悪化してしまう。また、
隣接マークとの干渉により、データエラー率も大きくな
ってしまうなどの問題を生じた。
【００２７】
【表１−１】 ※※ 規格を満足しない項目は”*”で表示
【００２８】
【表１−２】 ※ オーバライト回数は＞９％を超える回数で記載 ※※ 規格を満足しない項目は”*”で表示
【００２９】
【表２】 ＊印は規格値ぎりぎりか規格値に満たない −は測定不能 アドレスエラーは１０００アドレス中の個数
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明の請求項１により、相変化記録膜に記
録される記録マークからの信号特性が良好であると同時
に、案内溝に入力されているウォブル情報を低い誤り率
で読み出すために必要な書換え型光ディスクに用いられ
る多層記録膜の光学特性を規定することにより、相変化
記録膜に記録される記録マークからの信号特性が良好で
あると同時に、案内溝に入力されているウォブル情報を
低い誤り率で読み出すことが可能となる。さらに、比較
的相変化記録ディスクとしては高反射率が得られるため
に、既存のＤＶＤ−ＲＯＭドライブやプレーヤーに対し
再生互換性が高い記録媒体を得ることができ、請求項
２、３により、蛇行溝を有するポリカーボネートのｎ
（屈折率）、厚さ、複屈折の範囲を規定することで均一
性の高い再生互換性が高い記録媒体を得ることができ、
請求項４、５、６、７により、請求項１の層構成とあい
まって信号特性が良好であると同時に、案内溝に入力さ
れているウォブル情報を低い誤り率で読み出すために必
要な書換え型光ディスクが実現でき、請求項８により、
浅い溝深さとあいまってｇｒｏｏｖｅ幅より幅の広いマ
ークが形成されることよって、変調度が大きくとれて、
Ｄ ＶＤ−ＲＯＭ規格を満足する値が得られ、結果とし
て再生互換の高い記録媒体が得られるという極めて優れ
た効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の光記録媒体構造の概略図であ
る。
【図２】本発明における振幅とウォブルＣＮ比の評価結
果を示した図である。
【図３】本発明におけるＷｏｂｂｌｅ信号波形（隣接ト
ラック間干渉あり）を示した図である。
【図４】本発明におけるＷｏｂｂｌｅ振幅波形の最大／
最小比の振り幅依存性を示す図である。
【図５】本発明における記録マークの形状を示した図で
ある。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 第１の誘電体層 ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層 ４’ 第３の誘電体層 ５ 反射層 ６ 環境保護層 ７ 接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５４１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５４１Ｄ ５６１ ５６１Ｍ ５６１Ｑ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 鳴海 慎也 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA31 EA48 FA01 FA12 FA21 FA23 FA37 FB04 FB05 FB09 FB12 FB17 FB19 FB21 FB29 GA03 5D029 JA01 JC06 KA07 KB03 KC06 KC07 LB01 LB07 LC06 RA08 WA02 WB14 WB17

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光ビームを照射することにより記録層材
    料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行な
    い、かつ書換えが可能な相変化光記録媒体において、蛇
    行溝を有するポリカーボネートなどの透明基板上に、少
    なくとも光学膜厚ｎｄ（ｎｄ＝屈折率ｎ×膜厚ｄ）が８
    ０ｎｍ≦ｎｄ≦２００ｎｍの範囲にある第１の誘電体層
    と、消去状態における光学膜厚が２０ｎｍ≦ｎｄ≦５０
    ｎｍの範囲の相変化記録材料層、１０ｎｍ≦ｎｄ≦７０
    ｎｍの範囲の第２の誘電体層、及び金属反射層をこの順
    番で製膜してなり、さらにこの上に同じ厚さのポリカー
    ボネートなどの透明基板を接着してなることを特徴とす
    る光記録媒体。
  2. 【請求項２】 蛇行溝を有するポリカーボネートの屈折
    率ｎは１．５〜１．６５の範囲であり、厚さｄが０．５
    ９〜０．６２ｍｍであることを特徴とする請求項１に記
    載の光記録媒体。
  3. 【請求項３】 蛇行溝を有するポリカーボネートの複屈
    折が５０ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項
    １に記載の光記録媒体。
  4. 【請求項４】 上記蛇行溝のピッチは０．７０〜０．８
    ｍｍであり、蛇行溝に入力されるクロック情報は周期的
    な蛇行を用い、アドレスやディスクの情報は周期的な蛇
    行の位相を１８０度反転することによって入力し、蛇行
    溝の振幅は１５ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴
    とする請求項１に記載の光記録媒体。
  5. 【請求項５】 上記蛇行溝のウォブル周期が０．４〜
    ０．４５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の
    光記録媒体。
  6. 【請求項６】 上記蛇行溝の深さが２２〜４０ｎｍであ
    ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
  7. 【請求項７】 上記蛇行溝のＧｒｏｏｖｅ幅が０．１７
    〜０．３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載
    の光記録媒体。
  8. 【請求項８】 記録マークがＧｒｏｏｖｅに記録され、
    記録マークの幅は溝幅に対し０．９〜１．５の範囲であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
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