JP2003173542A - 情報記録担体、その再生装置及びその記録装置 - Google Patents
情報記録担体、その再生装置及びその記録装置Info
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- JP2003173542A JP2003173542A JP2001391126A JP2001391126A JP2003173542A JP 2003173542 A JP2003173542 A JP 2003173542A JP 2001391126 A JP2001391126 A JP 2001391126A JP 2001391126 A JP2001391126 A JP 2001391126A JP 2003173542 A JP2003173542 A JP 2003173542A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロスイレースを低減した情報記録担体、そ
の再生装置及びその記録装置を提供する。 【解決手段】 情報記録担体１は、グルーブ部Ｇとラン
ド部Ｌとが交互に形成された平行溝連続体からなる微細
パターン２０を有した支持体１３と、この微細パターン
１３上に形成された記録層１２と、記録層１２上に形成
された透光層１１とから少なくともなり、グルーブ部Ｇ
又はランド部ＬのピッチをＰ、再生光の波長をλ、対物
レンズの開口数をＮＡとする時、微細パターン２０がＰ
＜λ／ＮＡの関係を有して形成され、透光層１１の厚さ
は、０．０７〜０．１２ｍｍである。
の再生装置及びその記録装置を提供する。 【解決手段】 情報記録担体１は、グルーブ部Ｇとラン
ド部Ｌとが交互に形成された平行溝連続体からなる微細
パターン２０を有した支持体１３と、この微細パターン
１３上に形成された記録層１２と、記録層１２上に形成
された透光層１１とから少なくともなり、グルーブ部Ｇ
又はランド部ＬのピッチをＰ、再生光の波長をλ、対物
レンズの開口数をＮＡとする時、微細パターン２０がＰ
＜λ／ＮＡの関係を有して形成され、透光層１１の厚さ
は、０．０７〜０．１２ｍｍである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録担体に対
して相対運動をさせて情報を読み出す再生装置及び記録
装置に用いられる情報記録担体に関し、特に光学的手段
によって記録及び／又は再生を行う情報記録担体、その
再生装置及びその記録装置に関するものである。
して相対運動をさせて情報を読み出す再生装置及び記録
装置に用いられる情報記録担体に関し、特に光学的手段
によって記録及び／又は再生を行う情報記録担体、その
再生装置及びその記録装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、情報記録担体を相対運動させ
て情報を読み出すシステムがあり、システムの再生には
光学的手段、磁気的手段、静電容量的手段などが用いら
れている。このうち光学的手段によって記録及び／又は
再生を行うシステムは日常生活に深く浸透している。例
えば波長λ＝６５０ｎｍの光を利用した再生専用型情報
記録担体としては、画像情報があらかじめ記録されてい
るＤＶＤビデオ、プログラムなどがあらかじめ記録され
ているＤＶＤ−ＲＯＭ、音楽情報があらかじめ記録され
ているＤＶＤオーディオ、ＳＡＣＤなどが知られてい
る。
て情報を読み出すシステムがあり、システムの再生には
光学的手段、磁気的手段、静電容量的手段などが用いら
れている。このうち光学的手段によって記録及び／又は
再生を行うシステムは日常生活に深く浸透している。例
えば波長λ＝６５０ｎｍの光を利用した再生専用型情報
記録担体としては、画像情報があらかじめ記録されてい
るＤＶＤビデオ、プログラムなどがあらかじめ記録され
ているＤＶＤ−ＲＯＭ、音楽情報があらかじめ記録され
ているＤＶＤオーディオ、ＳＡＣＤなどが知られてい
る。
【０００３】また、色素を利用した追記性記録・再生型
情報記録担体としてＤＶＤ−Ｒが、相変化を利用した記
録・再生型情報記録担体としてＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷが、光磁気を利用した記録・再生
型情報記録担体としてＡＳＭＯ、ｉＤ、ＧＩＧＡＭＯが
ある。一方、情報記録担体の記録密度を上げるために、
レーザの波長を短くする研究が長年続けられてきた。近
年発明された第２高調波発振素子や窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子（例えば特許第２７７８４０５号公報
に記載）は、λ＝３５０〜４５０ｎｍ近傍で発光するた
めに、記録密度を大幅に高める重要な発光素子になり得
る。
情報記録担体としてＤＶＤ−Ｒが、相変化を利用した記
録・再生型情報記録担体としてＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ
−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷが、光磁気を利用した記録・再生
型情報記録担体としてＡＳＭＯ、ｉＤ、ＧＩＧＡＭＯが
ある。一方、情報記録担体の記録密度を上げるために、
レーザの波長を短くする研究が長年続けられてきた。近
年発明された第２高調波発振素子や窒化ガリウム系化合
物半導体発光素子（例えば特許第２７７８４０５号公報
に記載）は、λ＝３５０〜４５０ｎｍ近傍で発光するた
めに、記録密度を大幅に高める重要な発光素子になり得
る。
【０００４】また、この近傍の波長に対応した対物レン
ズの設計も進んでおり、特にＮＡ（開口数）をＤＶＤで
使用するＮＡ０．６を越えて、０．７以上としたレンズ
が開発中である。このようにλを３５０〜４５０ｎｍに
短縮し、ＮＡを０．７以上とした情報記録担体再生装置
の開発が進められており、これらの技術により現在のＤ
ＶＤの記録容量を遙かに超える光ディスクシステムを開
発することが期待できる。
ズの設計も進んでおり、特にＮＡ（開口数）をＤＶＤで
使用するＮＡ０．６を越えて、０．７以上としたレンズ
が開発中である。このようにλを３５０〜４５０ｎｍに
短縮し、ＮＡを０．７以上とした情報記録担体再生装置
の開発が進められており、これらの技術により現在のＤ
ＶＤの記録容量を遙かに超える光ディスクシステムを開
発することが期待できる。
【０００５】このようにＤＶＤを越えた短い波長と、高
いＮＡを用いることによって、飛躍的に高い記録密度を
有する情報記録担体を設計することができる。しかしな
がら、情報記録担体が傾いたときのコマ収差も極めて大
きくなるために、光の透過する厚さをＤＶＤよりも格段
に薄くした情報記録担体が必要となる。具体的にはＤＶ
Ｒランドグルーブと呼ばれるディスクシステムが提案さ
れている。このシステムでは、波長４０５ｎｍ発光素子
と、ＮＡ０．８５の対物レンズを用い、光の透過する厚
さが０．１ミリで設計されている。
いＮＡを用いることによって、飛躍的に高い記録密度を
有する情報記録担体を設計することができる。しかしな
がら、情報記録担体が傾いたときのコマ収差も極めて大
きくなるために、光の透過する厚さをＤＶＤよりも格段
に薄くした情報記録担体が必要となる。具体的にはＤＶ
Ｒランドグルーブと呼ばれるディスクシステムが提案さ
れている。このシステムでは、波長４０５ｎｍ発光素子
と、ＮＡ０．８５の対物レンズを用い、光の透過する厚
さが０．１ミリで設計されている。
【０００６】従来の情報記録担体について図１７及び図
１８を用いて説明する。図１７は、従来の情報記録担体
を示す断面図である。図１８は、従来の情報記録媒体を
上方から見た拡大平面図である。図１７に示すように、
情報記録担体１００は、支持体１３０上に順次形成され
た記録層１２０と、透光層１１０とからなる。支持体１
３０には、微細パターン２００が形成されており、その
面上に記録層１２０が直接形成されている。微細パター
ン２００は、ランド部Ｌとグルーブ部Ｇとからなる微細
パターンを有している。そして、記録時には図１８に示
すように、ランド部Ｌとグルーブ部Ｇの両方に記録マー
クＭが形成される（いわゆるランドグルーブ記録であ
る）。微細パターン２００の諸寸法に注目してみると、
グルーブ部Ｇ中心とグルーブ部Ｇ中心の最短距離をピッ
チＰ（ランド部Ｌ中心とランド部Ｌ中心の最短距離も同
様にピッチＰ）とすると、再生スポット径Ｓに対して、
Ｐ＞Ｓの関係を満たすように形成されている。
１８を用いて説明する。図１７は、従来の情報記録担体
を示す断面図である。図１８は、従来の情報記録媒体を
上方から見た拡大平面図である。図１７に示すように、
情報記録担体１００は、支持体１３０上に順次形成され
た記録層１２０と、透光層１１０とからなる。支持体１
３０には、微細パターン２００が形成されており、その
面上に記録層１２０が直接形成されている。微細パター
ン２００は、ランド部Ｌとグルーブ部Ｇとからなる微細
パターンを有している。そして、記録時には図１８に示
すように、ランド部Ｌとグルーブ部Ｇの両方に記録マー
クＭが形成される（いわゆるランドグルーブ記録であ
る）。微細パターン２００の諸寸法に注目してみると、
グルーブ部Ｇ中心とグルーブ部Ｇ中心の最短距離をピッ
チＰ（ランド部Ｌ中心とランド部Ｌ中心の最短距離も同
様にピッチＰ）とすると、再生スポット径Ｓに対して、
Ｐ＞Ｓの関係を満たすように形成されている。
【０００７】また、この再生スポット径Ｓは、再生に用
いるレーザの波長λと対物レンズの開口数ＮＡから、Ｓ
＝λ／ＮＡで計算されるものであり、言い換えれば、ピ
ッチＰは、Ｐ＞λ／ＮＡの関係を満たすように設計され
ている。
いるレーザの波長λと対物レンズの開口数ＮＡから、Ｓ
＝λ／ＮＡで計算されるものであり、言い換えれば、ピ
ッチＰは、Ｐ＞λ／ＮＡの関係を満たすように設計され
ている。
【０００８】この情報記録担体１００は、透光層１１０
側から再生光を入射させ、記録層１２０に記録されてい
る情報を読み取った後、この記録層１２０表面で反射さ
せて透光層１１０側から取り出して再生される。
側から再生光を入射させ、記録層１２０に記録されてい
る情報を読み取った後、この記録層１２０表面で反射さ
せて透光層１１０側から取り出して再生される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
人は情報記録担体１００を実際に試作し、波長３５０〜
４５０ｎｍの範囲の単一波長で発光する発光素子と高Ｎ
Ａ対物レンズ（ＮＡ０．７５〜０．９）によって記録再
生実験を行ったところ、クロスイレ−ス現象が顕著であ
ることを見出した。クロスイレース現象とは、例えば、
ランド部Ｌに情報記録を行うと、グルーブ部Ｇにあらか
じめ記録した信号にその情報が重ね記録される現象であ
る。言い換えれば、ランド部Ｌに記録することによっ
て、グルーブ部Ｇに記録されていた情報が消去される現
象である。なお、この現象は逆の例、即ちグルーブ部Ｇ
に情報記録を行い、ランド部Ｌの既記録情報を観察した
ときにも見られる。
人は情報記録担体１００を実際に試作し、波長３５０〜
４５０ｎｍの範囲の単一波長で発光する発光素子と高Ｎ
Ａ対物レンズ（ＮＡ０．７５〜０．９）によって記録再
生実験を行ったところ、クロスイレ−ス現象が顕著であ
ることを見出した。クロスイレース現象とは、例えば、
ランド部Ｌに情報記録を行うと、グルーブ部Ｇにあらか
じめ記録した信号にその情報が重ね記録される現象であ
る。言い換えれば、ランド部Ｌに記録することによっ
て、グルーブ部Ｇに記録されていた情報が消去される現
象である。なお、この現象は逆の例、即ちグルーブ部Ｇ
に情報記録を行い、ランド部Ｌの既記録情報を観察した
ときにも見られる。
【００１０】このようにクロスイレースが生じると、隣
接トラックの情報が損傷を受けるため、大容量の情報シ
ステムにあっては、損失情報量が非常に大きなものとな
るので、ユーザーへの影響が甚大である。このため、こ
の情報記録担体１００を用いて、ランド部Ｌ又はグルー
ブ部Ｇのいずれか一方のみに記録することが考えられる
が、記録容量が減少し、高密度記録のポテンシャルを有
する情報記録担体のメリットが薄れてしまう。そこで、
従来の問題を解消すべく、クロスイレースを低減し、高
密度記録された情報記録担体、その再生装置及びその記
録装置を提供することを目的とする。特に、３５０〜４
５０ｎｍの波長での記録・再生を前提とした情報記録担
体、その再生装置及びその記録装置を提供することを目
的とする。
接トラックの情報が損傷を受けるため、大容量の情報シ
ステムにあっては、損失情報量が非常に大きなものとな
るので、ユーザーへの影響が甚大である。このため、こ
の情報記録担体１００を用いて、ランド部Ｌ又はグルー
ブ部Ｇのいずれか一方のみに記録することが考えられる
が、記録容量が減少し、高密度記録のポテンシャルを有
する情報記録担体のメリットが薄れてしまう。そこで、
従来の問題を解消すべく、クロスイレースを低減し、高
密度記録された情報記録担体、その再生装置及びその記
録装置を提供することを目的とする。特に、３５０〜４
５０ｎｍの波長での記録・再生を前提とした情報記録担
体、その再生装置及びその記録装置を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明における第１の発
明は、グルーブ部とランド部とが交互に形成された略平
行溝連続体からなる微細パターンを有した支持体と、こ
の微細パターン上に形成された記録層と、前記記録層上
に形成された透光層とから少なくともなり、前記グルー
ブ部又は前記ランド部のピッチをＰ、再生光の波長を
λ、対物レンズの開口数をＮＡとする時、前記微細パタ
ーンがＰ＜λ／ＮＡの関係を有して形成され、前記透光
層の厚さは、０．０７〜０．１２ｍｍであることを特徴
とする情報記録担体を提供する。第２の発明は、前記グ
ルーブ部又は前記ランド部のいずれか一方にのみに反射
率差または位相差の少なくとも１つに基づく記録が行わ
れていることを特徴とする請求項１記載の情報記録担体
を提供する。また、前記反射率差または位相差に基づく
記録がランド部のみに選択的に行われることを特徴とす
る請求項２記載の情報記録担体を提供する。第３の発明
は、前記λが３５０〜４５０ｎｍであり、前記ＮＡが
０．７５〜０．９であることを特徴とする請求項１又は
２記載の情報記録担体を提供する。第４の発明は、前記
反射率差または前記位相差に基づく記録が、変調振幅
０．４以上で行われたことを特徴とする請求項２記載の
情報記録担体を提供する。第５の発明は、前記記録層
は、相変化材料であることを特徴とする請求項１乃至４
記載のうちいずれか１の情報記録担体を提供する。第６
の発明は、前記相変化材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−
Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅのいずれか１つを少なくとも含む合金
材料であることを特徴とする請求項５記載の情報記録担
体を提供する。第７の発明は、前記透光層の前記記録層
と反対側にハードコート層が設けられていることを特徴
とする請求項１乃至６記載のうちいずれか１の情報記録
担体を提供する。第８の発明は、前記微細パターンの一
部又は全てに、補助情報が振幅変調で形状記録されてい
ることを特徴とする請求項１乃至７記載のうちいずれか
１の情報記録担体を提供する。第９の発明は、前記微細
パターンの一部又は全てに、補助情報が周波数変調で形
状記録されていることを特徴とする請求項１乃至７記載
のうちいずれか１の情報記録担体を提供する。第１０の
発明は、前記周波数変調は、周波数の切り替え点で波が
連続するよう位相が選択された周波数変調であることを
特徴とする請求項９記載の情報記録担体を提供する。第
１１の発明は、前記微細パターンの一部又は全てに、補
助情報が位相変調で形状記録されていることを特徴とす
る請求項１乃至７記載のうちいずれか１の情報記録担体
を提供する。第１２の発明は、前記周波数変調を構成す
る高周波数部分と低周波数部分の位相差が±π／２．５
であることを特徴とする請求項９又は１０記載の情報記
録担体を提供する。第１３の発明は、前記周波数変調を
構成する高周波数部分と低周波数部分の位相差が±π／
４であることを特徴とする請求項９又は１０記載の情報
記録担体を提供する。第１４の発明は、前記補助情報
は、予め同一ビットの連続が一定値以下に制限されるよ
うベースバンド変調されたデータであることを特徴とす
る８乃至１３記載のうちいずれか１の情報記録担体を提
供する。第１５の発明は、前記ベースバンド変調は、マ
ンチェスタ符号であることを特徴とする請求項１４に記
載の情報記録担体を提供する。第１６の発明は、前記補
助情報は、前記微細パターンの一部に分散して記録され
ていることを特徴とする請求項８乃至１５記載のうちい
ずれか１の情報記録担体を提供する。第１７の発明は、
再生光の波長がλｎｍで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以
下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡの対物レン
ズとを少なくとも有して、グルーブ部とランド部とが交
互に形成された略平行溝連続体からなる微細パターンを
有する情報記録担体の再生を行う再生装置であって、前
記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜０．
９であり、前記再生光を前記グルーブ部または前記ラン
ド部のいずれか一方にのみ照射して行うことを特徴とす
る再生装置を提供する。また、前記再生光を前記ランド
部に選択的に照射して再生を行うことを特徴とする請求
項１７記載の再生装置を提供する。第１８の発明は、記
録光の波長がλｎｍで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下
のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡの対物レンズ
とを少なくとも有して、グルーブ部とランド部とが交互
に形成された略平行溝連続体からなる微細パターンを有
する情報記録担体に記録する記録装置であって、前記λ
が３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜０．９で
あり、前記記録光を前記グルーブ部または前記ランド部
のいずれか一方にのみ照射して行うことを特徴とする記
録装置を提供する。また、前記記録光を前記ランド部に
選択的に照射して記録を行うことを特徴とする請求項１
８記載の記録装置を提供する。
明は、グルーブ部とランド部とが交互に形成された略平
行溝連続体からなる微細パターンを有した支持体と、こ
の微細パターン上に形成された記録層と、前記記録層上
に形成された透光層とから少なくともなり、前記グルー
ブ部又は前記ランド部のピッチをＰ、再生光の波長を
λ、対物レンズの開口数をＮＡとする時、前記微細パタ
ーンがＰ＜λ／ＮＡの関係を有して形成され、前記透光
層の厚さは、０．０７〜０．１２ｍｍであることを特徴
とする情報記録担体を提供する。第２の発明は、前記グ
ルーブ部又は前記ランド部のいずれか一方にのみに反射
率差または位相差の少なくとも１つに基づく記録が行わ
れていることを特徴とする請求項１記載の情報記録担体
を提供する。また、前記反射率差または位相差に基づく
記録がランド部のみに選択的に行われることを特徴とす
る請求項２記載の情報記録担体を提供する。第３の発明
は、前記λが３５０〜４５０ｎｍであり、前記ＮＡが
０．７５〜０．９であることを特徴とする請求項１又は
２記載の情報記録担体を提供する。第４の発明は、前記
反射率差または前記位相差に基づく記録が、変調振幅
０．４以上で行われたことを特徴とする請求項２記載の
情報記録担体を提供する。第５の発明は、前記記録層
は、相変化材料であることを特徴とする請求項１乃至４
記載のうちいずれか１の情報記録担体を提供する。第６
の発明は、前記相変化材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ
−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−
Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅのいずれか１つを少なくとも含む合金
材料であることを特徴とする請求項５記載の情報記録担
体を提供する。第７の発明は、前記透光層の前記記録層
と反対側にハードコート層が設けられていることを特徴
とする請求項１乃至６記載のうちいずれか１の情報記録
担体を提供する。第８の発明は、前記微細パターンの一
部又は全てに、補助情報が振幅変調で形状記録されてい
ることを特徴とする請求項１乃至７記載のうちいずれか
１の情報記録担体を提供する。第９の発明は、前記微細
パターンの一部又は全てに、補助情報が周波数変調で形
状記録されていることを特徴とする請求項１乃至７記載
のうちいずれか１の情報記録担体を提供する。第１０の
発明は、前記周波数変調は、周波数の切り替え点で波が
連続するよう位相が選択された周波数変調であることを
特徴とする請求項９記載の情報記録担体を提供する。第
１１の発明は、前記微細パターンの一部又は全てに、補
助情報が位相変調で形状記録されていることを特徴とす
る請求項１乃至７記載のうちいずれか１の情報記録担体
を提供する。第１２の発明は、前記周波数変調を構成す
る高周波数部分と低周波数部分の位相差が±π／２．５
であることを特徴とする請求項９又は１０記載の情報記
録担体を提供する。第１３の発明は、前記周波数変調を
構成する高周波数部分と低周波数部分の位相差が±π／
４であることを特徴とする請求項９又は１０記載の情報
記録担体を提供する。第１４の発明は、前記補助情報
は、予め同一ビットの連続が一定値以下に制限されるよ
うベースバンド変調されたデータであることを特徴とす
る８乃至１３記載のうちいずれか１の情報記録担体を提
供する。第１５の発明は、前記ベースバンド変調は、マ
ンチェスタ符号であることを特徴とする請求項１４に記
載の情報記録担体を提供する。第１６の発明は、前記補
助情報は、前記微細パターンの一部に分散して記録され
ていることを特徴とする請求項８乃至１５記載のうちい
ずれか１の情報記録担体を提供する。第１７の発明は、
再生光の波長がλｎｍで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以
下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡの対物レン
ズとを少なくとも有して、グルーブ部とランド部とが交
互に形成された略平行溝連続体からなる微細パターンを
有する情報記録担体の再生を行う再生装置であって、前
記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜０．
９であり、前記再生光を前記グルーブ部または前記ラン
ド部のいずれか一方にのみ照射して行うことを特徴とす
る再生装置を提供する。また、前記再生光を前記ランド
部に選択的に照射して再生を行うことを特徴とする請求
項１７記載の再生装置を提供する。第１８の発明は、記
録光の波長がλｎｍで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ／Ｈｚ以下
のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡの対物レンズ
とを少なくとも有して、グルーブ部とランド部とが交互
に形成された略平行溝連続体からなる微細パターンを有
する情報記録担体に記録する記録装置であって、前記λ
が３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜０．９で
あり、前記記録光を前記グルーブ部または前記ランド部
のいずれか一方にのみ照射して行うことを特徴とする記
録装置を提供する。また、前記記録光を前記ランド部に
選択的に照射して記録を行うことを特徴とする請求項１
８記載の記録装置を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１乃
至乃至図１６を用いて説明する。図１は、本発明におけ
る第１実施形態の情報記録担体を示す断面図である。図
２は、本発明における第１実施形態の情報記録担体を上
方から見た拡大平面図である。図３は、本発明における
第２実施形態の情報記録担体を示す断面図である。図４
は、本発明における第３実施形態の情報記録担体を示す
断面図である。図５は、本発明における第４実施形態の
情報記録担体を示す断面図である。図６は、本発明にお
ける第５実施形態の情報記録担体を示す断面図である。
図７は、本発明における情報記録担体に記録された振幅
変調アドレスを示す拡大平面図である。図８は、本発明
における情報記録担体に記録された周波数変調アドレス
を示す拡大平面図である。図９は、本発明における情報
記録担体に記録された第１の位相変調アドレスを示す拡
大平面図である。図１０は、本発明における情報記録担
体に記録された第２の位相変調アドレスを示す拡大平面
図である。図１１は、ベースバンド変調前とベースバン
ド変調後における基本データの変化を示す図である。図
１２は、ベースバンド変調前とベースバンド変調後にお
けるデータ列の変化の具体的な例を示す図である。図１
３は、本発明における第１の再生装置を示すブロック図
である。図１４は、変調振幅とエラーレートとの関係を
示す図である。図１５は、本発明における第２の再生装
置を示すブロック図である。図１６は、本発明における
記録装置を示すブロック図である。
至乃至図１６を用いて説明する。図１は、本発明におけ
る第１実施形態の情報記録担体を示す断面図である。図
２は、本発明における第１実施形態の情報記録担体を上
方から見た拡大平面図である。図３は、本発明における
第２実施形態の情報記録担体を示す断面図である。図４
は、本発明における第３実施形態の情報記録担体を示す
断面図である。図５は、本発明における第４実施形態の
情報記録担体を示す断面図である。図６は、本発明にお
ける第５実施形態の情報記録担体を示す断面図である。
図７は、本発明における情報記録担体に記録された振幅
変調アドレスを示す拡大平面図である。図８は、本発明
における情報記録担体に記録された周波数変調アドレス
を示す拡大平面図である。図９は、本発明における情報
記録担体に記録された第１の位相変調アドレスを示す拡
大平面図である。図１０は、本発明における情報記録担
体に記録された第２の位相変調アドレスを示す拡大平面
図である。図１１は、ベースバンド変調前とベースバン
ド変調後における基本データの変化を示す図である。図
１２は、ベースバンド変調前とベースバンド変調後にお
けるデータ列の変化の具体的な例を示す図である。図１
３は、本発明における第１の再生装置を示すブロック図
である。図１４は、変調振幅とエラーレートとの関係を
示す図である。図１５は、本発明における第２の再生装
置を示すブロック図である。図１６は、本発明における
記録装置を示すブロック図である。
【００１３】本発明の第１実施形態について図１及び図
２を用いて説明する。本発明の第１実施形態の情報記録
担体１は、凹凸状の微細パターン２０が形成された支持
体１３上に順次形成された記録層１２と、透光層１１
と、から少なくともなる。この微細パターン２０におけ
る凹凸は、略平行溝連続体を形成している。この情報記
録担体１は、波長３５０〜４５０ｎｍの範囲の単一波長
で発光する発光素子と、ＮＡ０．７５〜０．９なる対物
レンズを有した再生専用のものである。また、この情報
記録担体１の形状は、ディスク状、カード状或いはテー
プ状であっても構わない。また、円形であっても、四角
形でも、楕円形でも構わない。更に、穴が開けられてい
てもよいものである。
２を用いて説明する。本発明の第１実施形態の情報記録
担体１は、凹凸状の微細パターン２０が形成された支持
体１３上に順次形成された記録層１２と、透光層１１
と、から少なくともなる。この微細パターン２０におけ
る凹凸は、略平行溝連続体を形成している。この情報記
録担体１は、波長３５０〜４５０ｎｍの範囲の単一波長
で発光する発光素子と、ＮＡ０．７５〜０．９なる対物
レンズを有した再生専用のものである。また、この情報
記録担体１の形状は、ディスク状、カード状或いはテー
プ状であっても構わない。また、円形であっても、四角
形でも、楕円形でも構わない。更に、穴が開けられてい
てもよいものである。
【００１４】ここで、支持体１３、記録層１２及び透光
層１１について詳細に説明する。支持体１３は、この上
に形成されている記録層１２及び透光層１１を機械的に
保持する機能を有するベースである。この材料として
は、合成樹脂、セラミック、金属のいずれかが用いられ
る。合成樹脂の代表例としては、ポリカーボネートやポ
リメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの各種
熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化樹脂
（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂の
例を含む）を好適に用いることができる。なお、これら
は、金属粉またはセラミック粉などを配合した合成樹脂
であってもよい。
層１１について詳細に説明する。支持体１３は、この上
に形成されている記録層１２及び透光層１１を機械的に
保持する機能を有するベースである。この材料として
は、合成樹脂、セラミック、金属のいずれかが用いられ
る。合成樹脂の代表例としては、ポリカーボネートやポ
リメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの各種
熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化樹脂
（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂の
例を含む）を好適に用いることができる。なお、これら
は、金属粉またはセラミック粉などを配合した合成樹脂
であってもよい。
【００１５】前記セラミックの代表例としてはソーダラ
イムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラ
ス、石英ガラスなどを用いることができる。また、金属
の代表例としてはアルミニウムのような透光性を有しな
い金属板も用いることもできる。なお、機械的に保持す
る必要性から支持体１３の厚みは０．３〜３ｍｍ、望ま
しくは０．５〜２ｍｍが好適に用いられる。情報記録担
体１がディスク状である場合には、従来の光ディスクと
の互換性から、支持体１３，記録層１２，透光層１１の
合計厚みが１．２ｍｍとなるように設計するのが最も望
ましい。
イムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラ
ス、石英ガラスなどを用いることができる。また、金属
の代表例としてはアルミニウムのような透光性を有しな
い金属板も用いることもできる。なお、機械的に保持す
る必要性から支持体１３の厚みは０．３〜３ｍｍ、望ま
しくは０．５〜２ｍｍが好適に用いられる。情報記録担
体１がディスク状である場合には、従来の光ディスクと
の互換性から、支持体１３，記録層１２，透光層１１の
合計厚みが１．２ｍｍとなるように設計するのが最も望
ましい。
【００１６】記録層１２は、情報を読み出し、あるいは
情報を記録ないしは書き換える機能を有した薄膜層であ
る。この記録層１２には、ランド部Ｌ又はグルーブ部Ｇ
のいずれか一方に情報が記録されている。この記録層１
２は、記録前後における反射率変化あるいは屈折率変化
あるいはその両方の変化を起こす材料が用いられる。こ
の記録層１２の材料としては、熱記録によりアモルファ
ス−結晶間で反射率変化あるいは屈折率変化あるいはそ
の両方の変化を起こす相変化材料や色素材料がある。
情報を記録ないしは書き換える機能を有した薄膜層であ
る。この記録層１２には、ランド部Ｌ又はグルーブ部Ｇ
のいずれか一方に情報が記録されている。この記録層１
２は、記録前後における反射率変化あるいは屈折率変化
あるいはその両方の変化を起こす材料が用いられる。こ
の記録層１２の材料としては、熱記録によりアモルファ
ス−結晶間で反射率変化あるいは屈折率変化あるいはそ
の両方の変化を起こす相変化材料や色素材料がある。
【００１７】相変化材料としては、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系、Ａｇ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系などがある。これらの
記録材料に添加元素としてＣｕ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍ
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂ
ｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓ，Ａｓ，Ｔｌ，Ｉ
ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種
以上の元素を合計で０．０１原子％以上１０原子％未満
含有することもできる。なお、各元素の組成は、例えば
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5、Ｇｅ1Ｓｂ
2Ｔｅ4、Ｇｅ8Ｓｂ69Ｔｅ23、Ｇｅ8Ｓｂ74Ｔｅ 18、Ｇｅ
5Ｓｂ71Ｔｅ24、Ｇｅ5Ｓｂ76Ｔｅ19、Ｇｅ10Ｓｂ68Ｔｅ
22、Ｇｅ10Ｓｂ 72Ｔｅ18、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系にＳｎ、
Ｉｎ等の金属を添加した系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系
として、Ａｇ4Ｉｎ4Ｓｂ66Ｔｅ26、Ａｇ4Ｉｎ4Ｓｂ64Ｔ
ｅ28、Ａｇ2Ｉｎ6Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ3Ｉｎ5Ｓｂ64Ｔｅ
28、Ａｇ2Ｉｎ6Ｓｂ66Ｔｅ26、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系にＣｕ，Ｆｅ，Ｇｅ等の金属や半導体を添加した系、
Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系
などがある。また、色素材料としては、ポルフィリン色
素、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシア
ニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色
素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用いること
ができる。
系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔ
ｅ系、Ａｇ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系などがある。これらの
記録材料に添加元素としてＣｕ，Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍ
ｎ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂ
ｉ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｓ，Ａｓ，Ｔｌ，Ｉ
ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種
以上の元素を合計で０．０１原子％以上１０原子％未満
含有することもできる。なお、各元素の組成は、例えば
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系としてＧｅ2Ｓｂ2Ｔｅ5、Ｇｅ1Ｓｂ
2Ｔｅ4、Ｇｅ8Ｓｂ69Ｔｅ23、Ｇｅ8Ｓｂ74Ｔｅ 18、Ｇｅ
5Ｓｂ71Ｔｅ24、Ｇｅ5Ｓｂ76Ｔｅ19、Ｇｅ10Ｓｂ68Ｔｅ
22、Ｇｅ10Ｓｂ 72Ｔｅ18、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系にＳｎ、
Ｉｎ等の金属を添加した系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系
として、Ａｇ4Ｉｎ4Ｓｂ66Ｔｅ26、Ａｇ4Ｉｎ4Ｓｂ64Ｔ
ｅ28、Ａｇ2Ｉｎ6Ｓｂ64Ｔｅ28、Ａｇ3Ｉｎ5Ｓｂ64Ｔｅ
28、Ａｇ2Ｉｎ6Ｓｂ66Ｔｅ26、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
系にＣｕ，Ｆｅ，Ｇｅ等の金属や半導体を添加した系、
Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ系
などがある。また、色素材料としては、ポルフィリン色
素、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシア
ニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色
素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用いること
ができる。
【００１８】また、記録層１２として、カー回転角の変
化により、再生する光磁気材料も用いることができる。
具体的には、テルビウム、コバルト、鉄、ガドリニウ
ム、クロム、ネオジム、ジスプロシウム、ビスマス、パ
ラジウム、サマリウム、ホルミウム、プロセオジム、マ
ンガン、チタン、パラジウム、エルビウム、イッテルビ
ウム、ルテチウム、錫などの合金（合金とは酸化物、窒
化物、炭化物、硫化物、フッ化物の例を含む）を用いる
ことができ、特に、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏなどに代表されるように遷移金属と希土類の合
金で構成するのが好適である。更に、コバルトと白金の
交互積層膜を用いて記録層１２としてもよい。
化により、再生する光磁気材料も用いることができる。
具体的には、テルビウム、コバルト、鉄、ガドリニウ
ム、クロム、ネオジム、ジスプロシウム、ビスマス、パ
ラジウム、サマリウム、ホルミウム、プロセオジム、マ
ンガン、チタン、パラジウム、エルビウム、イッテルビ
ウム、ルテチウム、錫などの合金（合金とは酸化物、窒
化物、炭化物、硫化物、フッ化物の例を含む）を用いる
ことができ、特に、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、Ｄｙ
ＦｅＣｏなどに代表されるように遷移金属と希土類の合
金で構成するのが好適である。更に、コバルトと白金の
交互積層膜を用いて記録層１２としてもよい。
【００１９】これら相変化材料や色素材料、光磁気材料
の形成方法は、抵抗加熱型や電子ビーム型 の真空蒸
着、直流スパッタリングや高周波スパッタリング、反応
性スパッタリング、 イオンビームスパッタリング、イ
オンプレーティング、化学気層堆積法（ＣＶＤ）等を用
いることができる。また、色素材料のうち、特に、溶剤
に可溶な材料については、液層被膜形成法、例えばディ
ップコーティング、スピンコーティング、バーコーティ
ング、ナイフコーティング、ロールコーティングなども
用いることができる。
の形成方法は、抵抗加熱型や電子ビーム型 の真空蒸
着、直流スパッタリングや高周波スパッタリング、反応
性スパッタリング、 イオンビームスパッタリング、イ
オンプレーティング、化学気層堆積法（ＣＶＤ）等を用
いることができる。また、色素材料のうち、特に、溶剤
に可溶な材料については、液層被膜形成法、例えばディ
ップコーティング、スピンコーティング、バーコーティ
ング、ナイフコーティング、ロールコーティングなども
用いることができる。
【００２０】透光層１１は、収束した再生光を光学的歪
みの少ない状態で記録層１２に導く機能を有する（再生
光は図１中に矢印で図示）。例えば、再生波長λにおい
て透過率を７０％以上、望ましくは、８０％以上有した
材料を好適に用いることができる。この透光層１１は、
光学的な異方性が少ないことが必要であり、再生光の減
少を抑制を考慮して、具体的には複屈折が９０度（垂
直）入射ダブルパスにて±１００ｎｍ以下、望ましくは
±５０ｎｍ以下、さらに望ましくは±３０ｎｍとした材
料が用いられる。
みの少ない状態で記録層１２に導く機能を有する（再生
光は図１中に矢印で図示）。例えば、再生波長λにおい
て透過率を７０％以上、望ましくは、８０％以上有した
材料を好適に用いることができる。この透光層１１は、
光学的な異方性が少ないことが必要であり、再生光の減
少を抑制を考慮して、具体的には複屈折が９０度（垂
直）入射ダブルパスにて±１００ｎｍ以下、望ましくは
±５０ｎｍ以下、さらに望ましくは±３０ｎｍとした材
料が用いられる。
【００２１】このような特性を有する材料としてポリカ
ーボネートやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロ
ース、二酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどを用い
ることができる。
ーボネートやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロ
ース、二酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどを用い
ることができる。
【００２２】なお、透光層１１は、記録層１２を機械
的、化学的に保護する機能を有するようにしても良い。
このような機能を有する材料として、剛性の高い材料を
用いることができ、例えば、透明セラミック（例えばソ
ーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪
酸ガラス、石英ガラス）や熱硬化性樹脂、エネルギー線
硬化樹脂（例えば紫外線硬化樹脂や可視光硬化樹脂、電
子線硬化樹脂）が好適に用いられる。なお、透光層１１
の厚みは、情報記録担体１が再生光・記録光に対して傾
斜した時のコマ収差を抑える観点から０．１２０ｍｍ以
下が望ましく、また、記録層１２へのスクラッチ傷を防
止する観点から０．０７ｍｍ以上が望ましい。即ち０．
０７０〜０．１２０ｍｍの範囲である。透光層１１が上
記のような材料であるとすると、屈折率（ｚ）は、１．
４５〜１．７となるから、光学要素を考慮した場合、特
に、望ましい厚み範囲は、０．０９３〜０．１０７ｍｍ
の範囲である。また、厚みの一面中でのバラツキは、最
大で±０．００３ｍｍ、望ましくは±０．００２ｍｍ以
下とする。更に望ましくは±０．００１ｍｍ以下とす
る。
的、化学的に保護する機能を有するようにしても良い。
このような機能を有する材料として、剛性の高い材料を
用いることができ、例えば、透明セラミック（例えばソ
ーダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪
酸ガラス、石英ガラス）や熱硬化性樹脂、エネルギー線
硬化樹脂（例えば紫外線硬化樹脂や可視光硬化樹脂、電
子線硬化樹脂）が好適に用いられる。なお、透光層１１
の厚みは、情報記録担体１が再生光・記録光に対して傾
斜した時のコマ収差を抑える観点から０．１２０ｍｍ以
下が望ましく、また、記録層１２へのスクラッチ傷を防
止する観点から０．０７ｍｍ以上が望ましい。即ち０．
０７０〜０．１２０ｍｍの範囲である。透光層１１が上
記のような材料であるとすると、屈折率（ｚ）は、１．
４５〜１．７となるから、光学要素を考慮した場合、特
に、望ましい厚み範囲は、０．０９３〜０．１０７ｍｍ
の範囲である。また、厚みの一面中でのバラツキは、最
大で±０．００３ｍｍ、望ましくは±０．００２ｍｍ以
下とする。更に望ましくは±０．００１ｍｍ以下とす
る。
【００２３】次に、本発明の特徴である微細パターン２
０について図２を用いて説明する。前述したように、微
細パターン２０は、微視的に略平行な溝連続体からな
り、マクロ的に見ると、ライン状のみならず、同芯円状
であっても、螺旋状であってもよいものである。図２に
示すように、微細パターン２０における凸部は、ランド
部Ｌ、凹部は、グルーブ部Ｇとなり、ランド部Ｌとグル
ーブ部Ｇが交互に平行を保って形成されている。
０について図２を用いて説明する。前述したように、微
細パターン２０は、微視的に略平行な溝連続体からな
り、マクロ的に見ると、ライン状のみならず、同芯円状
であっても、螺旋状であってもよいものである。図２に
示すように、微細パターン２０における凸部は、ランド
部Ｌ、凹部は、グルーブ部Ｇとなり、ランド部Ｌとグル
ーブ部Ｇが交互に平行を保って形成されている。
【００２４】ここで、グルーブ部Ｇとは、「これでわか
る光ディスク」（特許庁編、社団法人発明協会２０００
年発行）に記載された表４．４−１の定義に従ってい
る。即ちグルーブ部Ｇは、ディスクの「基板表面に記録
トラックを形成するために、あらかじめ螺旋状または同
心円状に設けられた凹状溝」である。またランド部Ｌも
同様に同書の定義に従う。即ち、ランド部Ｌは、ディス
クの「基板表面に記録トラックを形成するために、あら
かじめ螺旋状または同心円状に設けられた凸状部」であ
る。ここで、「基板」とは、本発明における支持体１３
に相当するものである。
る光ディスク」（特許庁編、社団法人発明協会２０００
年発行）に記載された表４．４−１の定義に従ってい
る。即ちグルーブ部Ｇは、ディスクの「基板表面に記録
トラックを形成するために、あらかじめ螺旋状または同
心円状に設けられた凹状溝」である。またランド部Ｌも
同様に同書の定義に従う。即ち、ランド部Ｌは、ディス
クの「基板表面に記録トラックを形成するために、あら
かじめ螺旋状または同心円状に設けられた凸状部」であ
る。ここで、「基板」とは、本発明における支持体１３
に相当するものである。
【００２５】そして、グルーブ部Ｇとグルーブ部Ｇの最
短距離をピッチＰ（ランド部Ｌとランド部Ｌの最短距離
も同様にピッチＰ）とすると、再生スポット径Ｓに対し
て、Ｐ＜Ｓの関係を満たすようになっている。なおここ
で、再生スポット径Ｓは、再生に用いるレーザ光の波長
λと対物レンズの開口数ＮＡから、Ｓ＝λ／ＮＡで計算
される。言い換えれば、ピッチＰは、Ｐ＜λ／ＮＡの関
係を満たすようになっている。例えば、ピッチＰは、２
５０〜６００ｎｍに設定される。ＨＤＴＶ画像を２時間
前後収録することを考慮した場合には、２５０〜４５０
ｎｍが望ましい。グルーブ部Ｇの深さは、１０〜３００
ｎｍが相応しく、特に、再生光学系のλを考慮して、λ
／（８ｚ）〜λ／（１８ｚ）が好適である。ここで、ｚ
は、透過層１１のλにおける屈折率を表す。例えば、λ
＝４０５ｎｍ、ｚ＝１．６（ポリカーボネート樹脂）を
想定した場合には、グルーブ部Ｇの深さは、１４〜３２
ｎｍが好適に用いられる範囲となる。
短距離をピッチＰ（ランド部Ｌとランド部Ｌの最短距離
も同様にピッチＰ）とすると、再生スポット径Ｓに対し
て、Ｐ＜Ｓの関係を満たすようになっている。なおここ
で、再生スポット径Ｓは、再生に用いるレーザ光の波長
λと対物レンズの開口数ＮＡから、Ｓ＝λ／ＮＡで計算
される。言い換えれば、ピッチＰは、Ｐ＜λ／ＮＡの関
係を満たすようになっている。例えば、ピッチＰは、２
５０〜６００ｎｍに設定される。ＨＤＴＶ画像を２時間
前後収録することを考慮した場合には、２５０〜４５０
ｎｍが望ましい。グルーブ部Ｇの深さは、１０〜３００
ｎｍが相応しく、特に、再生光学系のλを考慮して、λ
／（８ｚ）〜λ／（１８ｚ）が好適である。ここで、ｚ
は、透過層１１のλにおける屈折率を表す。例えば、λ
＝４０５ｎｍ、ｚ＝１．６（ポリカーボネート樹脂）を
想定した場合には、グルーブ部Ｇの深さは、１４〜３２
ｎｍが好適に用いられる範囲となる。
【００２６】微視的に見ればグルーブ部Ｇとグルーブ部
Ｇ、ランド部Ｌとランド部Ｌ、グルーブ部Ｇとランド部
Ｌは互いに平行であるが、クロックやアドレス等のアナ
ログまたは、デジタルの補助情報を埋め込むために、こ
れらが微小に蛇行してもよい。例えば、これら溝がクロ
ックを埋め込むために単一周波数記録され、結果的に支
持体１３表面上において、正弦波状に蛇行していてもよ
い。アドレス等の補助情報（副情報）を埋め込むために
振幅変調（ＡＭ）または周波数変調（ＦＭ）または位相
変調（ＰＭ）されていて、様々なパターンで蛇行してい
てもよい。言い換えるとクロック用の単一周波数を記録
した領域と、アドレスを埋め込むための変調記録領域の
少なくとも一方をグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌのいずれか
に形成しておくことができる。これらアドレス等の補助
情報（副情報）を埋め込むための変調方法については後
に詳述する。
Ｇ、ランド部Ｌとランド部Ｌ、グルーブ部Ｇとランド部
Ｌは互いに平行であるが、クロックやアドレス等のアナ
ログまたは、デジタルの補助情報を埋め込むために、こ
れらが微小に蛇行してもよい。例えば、これら溝がクロ
ックを埋め込むために単一周波数記録され、結果的に支
持体１３表面上において、正弦波状に蛇行していてもよ
い。アドレス等の補助情報（副情報）を埋め込むために
振幅変調（ＡＭ）または周波数変調（ＦＭ）または位相
変調（ＰＭ）されていて、様々なパターンで蛇行してい
てもよい。言い換えるとクロック用の単一周波数を記録
した領域と、アドレスを埋め込むための変調記録領域の
少なくとも一方をグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌのいずれか
に形成しておくことができる。これらアドレス等の補助
情報（副情報）を埋め込むための変調方法については後
に詳述する。
【００２７】情報記録担体１がディスク状である場合に
は、前記した蛇行は、角速度一定（constant angular v
elocity、ＣＡＶ）で記録されてもよいし、線速度一定
（constant linear velocity、ＣＬＶ）で記録されても
よい。あるいは半径毎に異なるゾーンを形成し、各ゾー
ン毎で制御が異なるＺＣＡＶ（zone constant angular
velocity）やＺＣＬＶ（zone constant linear velocit
y）を採用してもよい。
は、前記した蛇行は、角速度一定（constant angular v
elocity、ＣＡＶ）で記録されてもよいし、線速度一定
（constant linear velocity、ＣＬＶ）で記録されても
よい。あるいは半径毎に異なるゾーンを形成し、各ゾー
ン毎で制御が異なるＺＣＡＶ（zone constant angular
velocity）やＺＣＬＶ（zone constant linear velocit
y）を採用してもよい。
【００２８】図示はしないが、アドレス等の補助情報を
埋め込むために、グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌをある
領域にかけて寸断して、固有のピットを形成してもよ
い。グルーブ部Ｇ中にランド部Ｌと隣接して固有のピッ
ト、またはランド部Ｌ中にグルーブ部Ｇと隣接して固有
のピットを配置して、アドレス等の補助情報を埋め込む
ようにしてもよい。また、記録領域以外に、情報記録担
体１を認識するためのホログラムや目視可能な微細パタ
ーンを形成してもよい。
埋め込むために、グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌをある
領域にかけて寸断して、固有のピットを形成してもよ
い。グルーブ部Ｇ中にランド部Ｌと隣接して固有のピッ
ト、またはランド部Ｌ中にグルーブ部Ｇと隣接して固有
のピットを配置して、アドレス等の補助情報を埋め込む
ようにしてもよい。また、記録領域以外に、情報記録担
体１を認識するためのホログラムや目視可能な微細パタ
ーンを形成してもよい。
【００２９】この情報記録担体１は、透光層１１側から
再生光を入射させ、記録層１２に記録されている情報を
読み取った後、この記録層１２表面で反射させて透光層
１１側から取り出して再生される。なお、情報記録担体
１は、記録層１２表面自身がある程度の反射率を有して
いるので、そのままで機能させることができるが、再生
光の反射率を向上させる目的、及び書き換え回数向上
や、耐候性向上など他の機能を付与する目的で反射層や
保護膜を記録層１２に近接して備えてもよい。これら反
射層や保護膜の材料については、後に詳述する。
再生光を入射させ、記録層１２に記録されている情報を
読み取った後、この記録層１２表面で反射させて透光層
１１側から取り出して再生される。なお、情報記録担体
１は、記録層１２表面自身がある程度の反射率を有して
いるので、そのままで機能させることができるが、再生
光の反射率を向上させる目的、及び書き換え回数向上
や、耐候性向上など他の機能を付与する目的で反射層や
保護膜を記録層１２に近接して備えてもよい。これら反
射層や保護膜の材料については、後に詳述する。
【００３０】ここで、本発明の情報記録担体１のクロス
イレースについて従来の情報記録担体１００と比較して
評価を行った。情報記録担体１、１００の構成は、支持
体１３、１３０がポリカーボネート樹脂、記録層１２、
１２０が相変化材料の一種であるＡｇＩｎＳｂＴｅ、透
光層１１、１１０がポリカーボネート樹脂である。評価
は、第２トラックに記録、再生後、第１トラックと第３
トラックに、第２トラックとは別の周波数で１０回ずつ
記録を行って、再度第２トラックの出力を測定して行っ
た。
イレースについて従来の情報記録担体１００と比較して
評価を行った。情報記録担体１、１００の構成は、支持
体１３、１３０がポリカーボネート樹脂、記録層１２、
１２０が相変化材料の一種であるＡｇＩｎＳｂＴｅ、透
光層１１、１１０がポリカーボネート樹脂である。評価
は、第２トラックに記録、再生後、第１トラックと第３
トラックに、第２トラックとは別の周波数で１０回ずつ
記録を行って、再度第２トラックの出力を測定して行っ
た。
【００３１】その結果、従来の情報記録担体１００では
最大で−５ｄＢのクロスイレースが、本発明の情報記録
担体１では、−２ｄＢのクロスイレースが観測された。
即ち、第１トラックと第３トラックに記録を行わない場
合の第２トラックの出力と比較して、従来の情報記録担
体１００では、５ｄＢの出力減少があるのに対して、本
発明の情報記録担体１では、２ｄＢの出力減少しかなか
った。言い換えれば、本発明なる情報記録担体１を用い
れば、従来の情報記録担体１００に比較して、３ｄＢも
クロスイレースが改善されることになる。
最大で−５ｄＢのクロスイレースが、本発明の情報記録
担体１では、−２ｄＢのクロスイレースが観測された。
即ち、第１トラックと第３トラックに記録を行わない場
合の第２トラックの出力と比較して、従来の情報記録担
体１００では、５ｄＢの出力減少があるのに対して、本
発明の情報記録担体１では、２ｄＢの出力減少しかなか
った。言い換えれば、本発明なる情報記録担体１を用い
れば、従来の情報記録担体１００に比較して、３ｄＢも
クロスイレースが改善されることになる。
【００３２】以上のように、本発明の第１実施形態によ
れば、グルーブ部Ｇ間又はランド部Ｌ間のピッチをＰ、
レーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとする
時、微細パターン２０をピッチＰ＜λ／ＮＡとなるよう
に形成し、かつランド部Ｌまたはグルーブ部Ｇのいずれ
か一方に記録を行う構成としたので、クロスイレースを
低減することができると共に高密度記録された情報記録
担体が得られる。
れば、グルーブ部Ｇ間又はランド部Ｌ間のピッチをＰ、
レーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとする
時、微細パターン２０をピッチＰ＜λ／ＮＡとなるよう
に形成し、かつランド部Ｌまたはグルーブ部Ｇのいずれ
か一方に記録を行う構成としたので、クロスイレースを
低減することができると共に高密度記録された情報記録
担体が得られる。
【００３３】次に、本発明における第２実施形態の情報
記録担体２について図３を用いて説明する。本発明の第
１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明を
省略する。図３に示すように、本発明における第２実施
形態の情報記録担体２は、本発明の第１実施形態の透光
層１１が透光層１１ａと接着性透光層１１ｂとからな
り、これ以外は同一である。
記録担体２について図３を用いて説明する。本発明の第
１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明を
省略する。図３に示すように、本発明における第２実施
形態の情報記録担体２は、本発明の第１実施形態の透光
層１１が透光層１１ａと接着性透光層１１ｂとからな
り、これ以外は同一である。
【００３４】透光層１１ａは、前記した透光層１１と同
様のものである。接着性透光層１１ｂは、記録層１２と
透光層１１ａを強固に接着するための層であり、波長λ
の光を７０％以上、望ましくは８０％以上透過し、接着
性のある熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化樹脂（紫外
線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂を含
む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂、溶剤含有熱
可塑性樹脂などを用いることができる。この接着性透光
層１１ｂの厚みは、接着力が発揮する最低厚みとして
０．００１ｍｍ以上、接着性材料の応力割れの発生防止
を考慮して０．０４ｍｍ以下が望ましく、０．００１ｍ
ｍ以上、０．０３ｍｍ以下がより望ましい。更に望まし
くは０．００１ｍｍ以上、０．０２ｍｍであるが、情報
記録担体２全体の反りをも考慮すると、０．００１ｍｍ
以上、０．０１ｍｍ以下が最も望ましい。塗布方法とし
ては、スピンコート法、スプレー法、ディップ法、ブレ
ードコート法、ロールコート法、ナイフコーティング
法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などを用いる
ことができる。
様のものである。接着性透光層１１ｂは、記録層１２と
透光層１１ａを強固に接着するための層であり、波長λ
の光を７０％以上、望ましくは８０％以上透過し、接着
性のある熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化樹脂（紫外
線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂を含
む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂、溶剤含有熱
可塑性樹脂などを用いることができる。この接着性透光
層１１ｂの厚みは、接着力が発揮する最低厚みとして
０．００１ｍｍ以上、接着性材料の応力割れの発生防止
を考慮して０．０４ｍｍ以下が望ましく、０．００１ｍ
ｍ以上、０．０３ｍｍ以下がより望ましい。更に望まし
くは０．００１ｍｍ以上、０．０２ｍｍであるが、情報
記録担体２全体の反りをも考慮すると、０．００１ｍｍ
以上、０．０１ｍｍ以下が最も望ましい。塗布方法とし
ては、スピンコート法、スプレー法、ディップ法、ブレ
ードコート法、ロールコート法、ナイフコーティング
法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などを用いる
ことができる。
【００３５】本発明の第１実施形態と同様に、本発明に
おける第２実施形態の情報記録担体２のクロスイレース
について評価を行ったところ同様な結果が得られた。こ
のため、本発明の第２実施形態によれば、本発明の第１
実施形態と同様な効果を得ることができる。
おける第２実施形態の情報記録担体２のクロスイレース
について評価を行ったところ同様な結果が得られた。こ
のため、本発明の第２実施形態によれば、本発明の第１
実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３６】次に、本発明における第３実施形態の情報
記録担体３について図４を用いて説明する。本発明の第
１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明を
省略する。図４に示すように、本発明における第３実施
形態の情報記録担体３は、本発明の第１実施形態の情報
記録担体１の支持体１３上に表面に微細パターン２１が
形成された樹脂層１４上に順次形成された記録層１２
と、透光層１１とからなる。本発明の第３実施形態は、
支持体１３表面ではなく、樹脂層１４に微細パターン２
１が形成されている点で本発明の第１実施形態と異な
る。
記録担体３について図４を用いて説明する。本発明の第
１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明を
省略する。図４に示すように、本発明における第３実施
形態の情報記録担体３は、本発明の第１実施形態の情報
記録担体１の支持体１３上に表面に微細パターン２１が
形成された樹脂層１４上に順次形成された記録層１２
と、透光層１１とからなる。本発明の第３実施形態は、
支持体１３表面ではなく、樹脂層１４に微細パターン２
１が形成されている点で本発明の第１実施形態と異な
る。
【００３７】この樹脂層１４は、熱硬化樹脂、各種エネ
ルギー線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、
電子線硬化樹脂を含む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬
化樹脂、溶剤含有熱可塑性樹脂などを用いることができ
る。この樹脂層１４には、光が届かないので、透過率の
限定はない。樹脂層１４の厚さは、情報記録担体３全体
の反りを考慮すると０．０２ｍｍ以下が望ましい。
ルギー線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、
電子線硬化樹脂を含む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬
化樹脂、溶剤含有熱可塑性樹脂などを用いることができ
る。この樹脂層１４には、光が届かないので、透過率の
限定はない。樹脂層１４の厚さは、情報記録担体３全体
の反りを考慮すると０．０２ｍｍ以下が望ましい。
【００３８】本発明の第１実施形態と同様に、本発明に
おける第３実施形態の情報記録担体３のクロスイレース
について評価を行ったところ同様な結果が得られた。こ
のため、本発明の第３実施形態によれば、本発明の第１
実施形態と同様な効果を得ることができる。
おける第３実施形態の情報記録担体３のクロスイレース
について評価を行ったところ同様な結果が得られた。こ
のため、本発明の第３実施形態によれば、本発明の第１
実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００３９】次に、本発明における第４実施形態の情報
記録担体４について図５を用いて説明する。本発明の第
１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明を
省略する。図５に示すように、本発明における第４実施
形態の情報記録担体４は、支持体１３上に順次形成され
た微細パターン２２を有したパターン転写層１５と、記
録層１２と、接着性透光層１１ｂと、透光層１１ａとか
らなる。そして、本発明の第４実施形態は、支持体１３
表面はフラットであり、支持体１３と接するパターン転
写層１５に微細パターン２２が形成されている点で本発
明の第２実施形態と異なる。
記録担体４について図５を用いて説明する。本発明の第
１実施形態と同一構成には同一符号を付し、その説明を
省略する。図５に示すように、本発明における第４実施
形態の情報記録担体４は、支持体１３上に順次形成され
た微細パターン２２を有したパターン転写層１５と、記
録層１２と、接着性透光層１１ｂと、透光層１１ａとか
らなる。そして、本発明の第４実施形態は、支持体１３
表面はフラットであり、支持体１３と接するパターン転
写層１５に微細パターン２２が形成されている点で本発
明の第２実施形態と異なる。
【００４０】ここで、パターン転写層１５とは、微細パ
ターン２２を具備するための極めて厚みの薄い膜であ
る。このパターン転写層１５の材料としては、金属やそ
の合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フ
ッ化物の例を含む）や樹脂から選ばれ、その厚みは、５
ｎｍ〜０．０２０ｍｍ程度が選ばれる。樹脂の代表例と
しては、アルカリ現像可能なノボラック感光樹脂、アル
カリ現像可能なポリヒドロキシスチレン感光樹脂などが
ある。
ターン２２を具備するための極めて厚みの薄い膜であ
る。このパターン転写層１５の材料としては、金属やそ
の合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フ
ッ化物の例を含む）や樹脂から選ばれ、その厚みは、５
ｎｍ〜０．０２０ｍｍ程度が選ばれる。樹脂の代表例と
しては、アルカリ現像可能なノボラック感光樹脂、アル
カリ現像可能なポリヒドロキシスチレン感光樹脂などが
ある。
【００４１】本発明の第１実施形態と同様に、本発明に
おける第４実施形態の情報記録担体４のクロスイレース
について評価を行ったところ同様な結果が得られた。こ
のため、本発明の第４実施形態によれば、本発明の第１
実施形態と同様な効果を得ることができる。
おける第４実施形態の情報記録担体４のクロスイレース
について評価を行ったところ同様な結果が得られた。こ
のため、本発明の第４実施形態によれば、本発明の第１
実施形態と同様な効果を得ることができる。
【００４２】以下のように、図１乃至図５に示した情報
記録担体１乃至４の各構成要素は、再生特性を劣化させ
ない範囲内で相互に入れ替えまたは組み合わせてもよ
い。例えば、情報記録担体１乃至４を２枚用意し、支持
体１３同士を互いに対向させて貼り合わせてもよい。ま
た、情報記録担体１乃至４の透光層１１、１１ａ上に、
記録層１２と透光層１１、１１ａをセットでもう一層ず
つ重ねてもよい。このようにすれば、情報記録担体１乃
至４の容量を約２倍に増すことができる。
記録担体１乃至４の各構成要素は、再生特性を劣化させ
ない範囲内で相互に入れ替えまたは組み合わせてもよ
い。例えば、情報記録担体１乃至４を２枚用意し、支持
体１３同士を互いに対向させて貼り合わせてもよい。ま
た、情報記録担体１乃至４の透光層１１、１１ａ上に、
記録層１２と透光層１１、１１ａをセットでもう一層ず
つ重ねてもよい。このようにすれば、情報記録担体１乃
至４の容量を約２倍に増すことができる。
【００４３】また、図示しないが、透光層１１、１１ａ
への埃付着を軽減させる目的として、透光層１１、１１
ａの記録層１２とは反対側に、公知の静電気防止層を形
成してもよい。後述する図１３に示す第１の再生装置４
０のピックアップ５０を構成する対物レンズ５０ｂが、
透光層１１、１１ａへ偶発的に衝突した時の影響軽減を
目的として、透光層１１、１１ａの記録層１２とは反対
側に、ハードコート層、潤滑層などを形成してもよい
（図示せず）。前記ハードコート層の具体的な材料とし
ては、波長λの光を７０％以上透過する熱硬化樹脂、各
種エネルギー線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化
樹脂、電子線硬化樹脂を含む）、湿気硬化樹脂、複数液
混合硬化樹脂、溶剤含有熱可塑性樹脂を用いることがで
きる。
への埃付着を軽減させる目的として、透光層１１、１１
ａの記録層１２とは反対側に、公知の静電気防止層を形
成してもよい。後述する図１３に示す第１の再生装置４
０のピックアップ５０を構成する対物レンズ５０ｂが、
透光層１１、１１ａへ偶発的に衝突した時の影響軽減を
目的として、透光層１１、１１ａの記録層１２とは反対
側に、ハードコート層、潤滑層などを形成してもよい
（図示せず）。前記ハードコート層の具体的な材料とし
ては、波長λの光を７０％以上透過する熱硬化樹脂、各
種エネルギー線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化
樹脂、電子線硬化樹脂を含む）、湿気硬化樹脂、複数液
混合硬化樹脂、溶剤含有熱可塑性樹脂を用いることがで
きる。
【００４４】前記ハードコート層は、透光層１１、１１
ａの耐摩耗性を考慮して、ＪＩＳ規格Ｋ５４００の鉛筆
ひっかき試験値がある一定以上値であることが望まし
い。対物レンズ５０ｂの最も硬い材料はガラスであり、
これを考慮するとハードコート層の鉛筆ひっかき試験値
は、Ｈ以上が特に望ましい。この試験値以下であるとハ
ードコート層が削れることによる塵埃の発生が著しくな
り、エラーレートが急激に悪くなるからである。
ａの耐摩耗性を考慮して、ＪＩＳ規格Ｋ５４００の鉛筆
ひっかき試験値がある一定以上値であることが望まし
い。対物レンズ５０ｂの最も硬い材料はガラスであり、
これを考慮するとハードコート層の鉛筆ひっかき試験値
は、Ｈ以上が特に望ましい。この試験値以下であるとハ
ードコート層が削れることによる塵埃の発生が著しくな
り、エラーレートが急激に悪くなるからである。
【００４５】なお、このハードコート層の厚みは、耐衝
撃性を考慮して０．００１ｍｍ以上が望ましく、また情
報記録担体１全体の反りを考慮して０．０１ｍｍ以下が
望ましい。塗布方法としては、スピンコート法、スプレ
ー法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート
法、ナイフコーティング法、スクリーン印刷法、オフセ
ット印刷法などを用いることができる。
撃性を考慮して０．００１ｍｍ以上が望ましく、また情
報記録担体１全体の反りを考慮して０．０１ｍｍ以下が
望ましい。塗布方法としては、スピンコート法、スプレ
ー法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート
法、ナイフコーティング法、スクリーン印刷法、オフセ
ット印刷法などを用いることができる。
【００４６】前記ハードコート層の別の材料として、波
長λの光を７０％以上透過し、鉛筆ひっかき試験値Ｈ以
上のカーボン、モリブデン、シリコンなどの単体やその
合金（酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、炭化物の例
を含む）を用いることもできる（膜厚１〜１０００ｎ
ｍ）。形成方法としては、抵抗加熱型や電子ビーム型の
真空蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリン
グ、反応性スパッタリング、 イオンビームスパッタリ
ング、イオンプレーティング、化学気層堆積法（ＣＶ
Ｄ）などを用いることができる。
長λの光を７０％以上透過し、鉛筆ひっかき試験値Ｈ以
上のカーボン、モリブデン、シリコンなどの単体やその
合金（酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、炭化物の例
を含む）を用いることもできる（膜厚１〜１０００ｎ
ｍ）。形成方法としては、抵抗加熱型や電子ビーム型の
真空蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリン
グ、反応性スパッタリング、 イオンビームスパッタリ
ング、イオンプレーティング、化学気層堆積法（ＣＶ
Ｄ）などを用いることができる。
【００４７】前記潤滑層の具体的な材料としては、炭化
水素高分子にシリコンやフッ素を修飾し、表面エネルギ
ーを調整した液体潤滑剤を用いることができる。なお、
前記潤滑層の厚みは、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程度が望ま
しい。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー
法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、
ナイフコーティング法、タンポコーティング法、スクリ
ーン印刷法、オフセット印刷法などを用いることができ
る。
水素高分子にシリコンやフッ素を修飾し、表面エネルギ
ーを調整した液体潤滑剤を用いることができる。なお、
前記潤滑層の厚みは、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程度が望ま
しい。塗布方法としては、スピンコート法、スプレー
法、ディップ法、ブレードコート法、ロールコート法、
ナイフコーティング法、タンポコーティング法、スクリ
ーン印刷法、オフセット印刷法などを用いることができ
る。
【００４８】図示しないが、支持体１３の記録層１２と
は反対側にレーベル印刷を施してもよい。たとえば、各
種顔料や染料を含んだ各種エネルギー線硬化樹脂（紫外
線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂を含む）
を好適に用いることができ、視認性を考慮して０．００
１ｍｍ以上が望ましく、また、情報記録担体１、２、
３、４全体の反りを考慮して０．０５ｍｍ以下が望まし
い。印刷方法としては、スクリーン印刷法、オフセット
印刷法などを用いることができる。
は反対側にレーベル印刷を施してもよい。たとえば、各
種顔料や染料を含んだ各種エネルギー線硬化樹脂（紫外
線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂を含む）
を好適に用いることができ、視認性を考慮して０．００
１ｍｍ以上が望ましく、また、情報記録担体１、２、
３、４全体の反りを考慮して０．０５ｍｍ以下が望まし
い。印刷方法としては、スクリーン印刷法、オフセット
印刷法などを用いることができる。
【００４９】情報記録担体１乃至４は、再生装置への装
着性やハンドリング上の保護性を向上するために、情報
記録担体全体をカートリッジに入れた構成としてもよ
い。更に、情報記録担体１乃至４がディスク状の場合、
その大きさに制限はなく、例えば直径２０〜４００ｍｍ
の各種サイズを取ることができ、直径３２、４１、５
１、６０、６５、８０、８８、１２０、１３０、２０
０、３００、３５６ｍｍなどであってもよい。
着性やハンドリング上の保護性を向上するために、情報
記録担体全体をカートリッジに入れた構成としてもよ
い。更に、情報記録担体１乃至４がディスク状の場合、
その大きさに制限はなく、例えば直径２０〜４００ｍｍ
の各種サイズを取ることができ、直径３２、４１、５
１、６０、６５、８０、８８、１２０、１３０、２０
０、３００、３５６ｍｍなどであってもよい。
【００５０】記録層１２としては、記録特性や再生特性
を向上させる目的で、複数の薄膜材料で構成してもよ
く、次の実施形態を用いて、詳しく説明する。情報記録
担体１の記録層１２を４層の薄膜材料とした本発明にお
ける第５実施形態の情報記録担体５について図６を用い
て説明する。本発明の第１実施形態と同一構成には同一
符号を付し、その説明を省略する。図６に示すように、
本発明における第５実施形態の情報記録担体５は、本発
明における第１実施形態の情報記録担体１の代わりに、
微細パターン２０を有した支持体１３の上に順次形成さ
れた反射層１２１と、第１保護層１２２と、記録層１２
３と、第２保護層１２４と、透光層１１とからなる。
を向上させる目的で、複数の薄膜材料で構成してもよ
く、次の実施形態を用いて、詳しく説明する。情報記録
担体１の記録層１２を４層の薄膜材料とした本発明にお
ける第５実施形態の情報記録担体５について図６を用い
て説明する。本発明の第１実施形態と同一構成には同一
符号を付し、その説明を省略する。図６に示すように、
本発明における第５実施形態の情報記録担体５は、本発
明における第１実施形態の情報記録担体１の代わりに、
微細パターン２０を有した支持体１３の上に順次形成さ
れた反射層１２１と、第１保護層１２２と、記録層１２
３と、第２保護層１２４と、透光層１１とからなる。
【００５１】反射層１２１の材質としては、光反射性を
有するＡｌ，Ａｕ，Ａｇなどの金属、及びこれらを主成
分とし、１種類以上の金属または半導体からなる添加元
素を含む合金及びＡｌ，Ａｕ，Ａｇなどの金属に金属窒
化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合
物を混合したものなどがある。Ａｌ，Ａｕ，Ａｇなどの
金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率が高いことから好ましい。この反射層
１２１は、記録層１２３への記録を行なう時の熱伝導を
最適化する役割も有することから、ヒートシンク層と呼
んでもよいものである。
有するＡｌ，Ａｕ，Ａｇなどの金属、及びこれらを主成
分とし、１種類以上の金属または半導体からなる添加元
素を含む合金及びＡｌ，Ａｕ，Ａｇなどの金属に金属窒
化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合
物を混合したものなどがある。Ａｌ，Ａｕ，Ａｇなどの
金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高
く、かつ熱伝導率が高いことから好ましい。この反射層
１２１は、記録層１２３への記録を行なう時の熱伝導を
最適化する役割も有することから、ヒートシンク層と呼
んでもよいものである。
【００５２】前記した合金として、ＡｌあるいはＡｇに
対し、添加元素として、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｒｈ
等などの少なくとも１種の元素を合計で５原子％以下、
１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕに対し、添加
元素として、Ｃｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなど
の少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子
％以上加えたものなどがある。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつ繰り返し性能が向上することから、Ａｌを主成
分とし、添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満としたＡｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔａ
合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかにより構成することが好まし
い。
対し、添加元素として、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｒｈ
等などの少なくとも１種の元素を合計で５原子％以下、
１原子％以上加えたもの、あるいは、Ａｕに対し、添加
元素として、Ｃｒ，Ａｇ、Ｃｕ，Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなど
の少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子
％以上加えたものなどがある。とりわけ、耐腐食性が良
好でかつ繰り返し性能が向上することから、Ａｌを主成
分とし、添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未
満としたＡｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔａ
合金、Ａｌ−Ｚｒ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−
Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかにより構成することが好まし
い。
【００５３】前記添加元素としては、金属単体よりも金
属あるいは半導体を添加した方が結晶粒が小さくなり再
生時のノイズレベルが低下するので好ましい。また、高
温高湿下における安定性を改善する上でも添加物を含ま
せた方がよい。例えば、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ
−Ｚｒ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｒｈ−
Ｃｕ等の合金が上げられる。波長４００ｎｍ前後の青色
半導体レーザを使用するときは、Ａｌ系やＡｇ系の合金
を用いた方が高い反射率を得ることができる。これら反
射層１２１の厚さとしては、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以
下である。
属あるいは半導体を添加した方が結晶粒が小さくなり再
生時のノイズレベルが低下するので好ましい。また、高
温高湿下における安定性を改善する上でも添加物を含ま
せた方がよい。例えば、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ
−Ｚｒ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｒｈ−
Ｃｕ等の合金が上げられる。波長４００ｎｍ前後の青色
半導体レーザを使用するときは、Ａｌ系やＡｇ系の合金
を用いた方が高い反射率を得ることができる。これら反
射層１２１の厚さとしては、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以
下である。
【００５４】反射層１２１を形成する金属或いは合金の
熱伝導率の大きさによって、この膜厚は変化する。例え
ば、Ａｌ−Ｃｒ合金の場合には、Ｃｒの含有量が増加す
るにつれて熱伝導率が低下するため、反射層１２１の膜
厚を厚くしなければ記録ストラテジに適合しなくなる。
Ｃｒ含有量が多い場合には、記録層１２３は、加熱され
やすく冷却しにくくなり、いわゆる徐冷構造をとること
になる。記録ストラテジで記録マークの形成を制御する
ためには、先頭パルスを短縮したり、マルチパルスを短
縮したり、冷却パルスを延長したりの工夫が必要とな
る。
熱伝導率の大きさによって、この膜厚は変化する。例え
ば、Ａｌ−Ｃｒ合金の場合には、Ｃｒの含有量が増加す
るにつれて熱伝導率が低下するため、反射層１２１の膜
厚を厚くしなければ記録ストラテジに適合しなくなる。
Ｃｒ含有量が多い場合には、記録層１２３は、加熱され
やすく冷却しにくくなり、いわゆる徐冷構造をとること
になる。記録ストラテジで記録マークの形成を制御する
ためには、先頭パルスを短縮したり、マルチパルスを短
縮したり、冷却パルスを延長したりの工夫が必要とな
る。
【００５５】反射層１２１は、厚さが５０ｎｍ以上とな
ると光学的には変化せず、反射率の値に影響を与えない
が、冷却速度への影響が大きくなる。その厚さを３００
ｎｍ以上にするには製造する上で時間を要するため、熱
伝導率の高い材質の反射層１２１を用いることにより膜
厚をなるべく抑制する。
ると光学的には変化せず、反射率の値に影響を与えない
が、冷却速度への影響が大きくなる。その厚さを３００
ｎｍ以上にするには製造する上で時間を要するため、熱
伝導率の高い材質の反射層１２１を用いることにより膜
厚をなるべく抑制する。
【００５６】反射層１２１を２層以上に分割すると、情
報記録担体５の再生を行った際のノイズレベルを低減す
ることができる。この反射層１２１は、例えば以下のよ
うにして形成する。支持体１３を１枚ずつ搬送し、各層
を複数の真空槽で成膜する枚葉式スパッタ装置を用い、
全体の膜厚が１５０ｎｍの反射層１２１を形成する場合
には、１つ目の真空槽で第１反射層を成膜速度２ｎｍ/s
で形成し、２つ目と３つ目の真空槽で第２及び第３反射
層を成膜速度６．５ｎｍ/sで形成すれば、１０秒間とい
う短時間でディスクを次々と成膜することができる。こ
のように、成膜速度を変更することにより結晶粒を細か
くすることができるので、情報記録担体５を再生した際
のノイズレベルを低減することが可能となる。
報記録担体５の再生を行った際のノイズレベルを低減す
ることができる。この反射層１２１は、例えば以下のよ
うにして形成する。支持体１３を１枚ずつ搬送し、各層
を複数の真空槽で成膜する枚葉式スパッタ装置を用い、
全体の膜厚が１５０ｎｍの反射層１２１を形成する場合
には、１つ目の真空槽で第１反射層を成膜速度２ｎｍ/s
で形成し、２つ目と３つ目の真空槽で第２及び第３反射
層を成膜速度６．５ｎｍ/sで形成すれば、１０秒間とい
う短時間でディスクを次々と成膜することができる。こ
のように、成膜速度を変更することにより結晶粒を細か
くすることができるので、情報記録担体５を再生した際
のノイズレベルを低減することが可能となる。
【００５７】第１保護層１２２及び第２保護層１２４
は、記録時に支持体１３、記録層１２３などが熱によっ
て変形し、記録特性が劣化することを防止するなど、支
持体１３、記録層１２３を熱から保護する効果ならびに
光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを
改善する効果がある。これらの保護層１２２、１２４
は、記録再生光波長において透明であって屈折率ｎが
１．９≦ｎ≦２．５の範囲にある。
は、記録時に支持体１３、記録層１２３などが熱によっ
て変形し、記録特性が劣化することを防止するなど、支
持体１３、記録層１２３を熱から保護する効果ならびに
光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを
改善する効果がある。これらの保護層１２２、１２４
は、記録再生光波長において透明であって屈折率ｎが
１．９≦ｎ≦２．５の範囲にある。
【００５８】第１保護層１２２と第２保護層１２４と
は、同一の材料、組成でなくてもよく、異種の材料から
構成されていてもかまわない。第２保護層１２２の厚さ
は、分光反射率の極小値を示す波長を決める。更に、第
１保護層１２２及び第２保護層１２４は、記録層の結晶
化を促進して、消去率を向上する効果もある。これらの
保護層１２２、１２４の材料としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ
2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜が
ある。
は、同一の材料、組成でなくてもよく、異種の材料から
構成されていてもかまわない。第２保護層１２２の厚さ
は、分光反射率の極小値を示す波長を決める。更に、第
１保護層１２２及び第２保護層１２４は、記録層の結晶
化を促進して、消去率を向上する効果もある。これらの
保護層１２２、１２４の材料としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ
2 、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜が
ある。
【００５９】特に、Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔ
ａなどの金属あるいは半導体の酸化物の薄膜，Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ａｌなどの金属あるいは半導体の窒化物の薄膜，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉなどの金属あるいは半導体の炭化
物の薄膜， ＺｎＳ，Ｉｎ2Ｓ 3，ＴａＳ4，ＧｅＳ2等の
金属あるいは半導体の硫化物の薄膜、及びこれらの化合
物の２種類以上の混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的
に安定なことから好ましい。
ａなどの金属あるいは半導体の酸化物の薄膜，Ｓｉ，Ｇ
ｅ，Ａｌなどの金属あるいは半導体の窒化物の薄膜，Ｔ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉなどの金属あるいは半導体の炭化
物の薄膜， ＺｎＳ，Ｉｎ2Ｓ 3，ＴａＳ4，ＧｅＳ2等の
金属あるいは半導体の硫化物の薄膜、及びこれらの化合
物の２種類以上の混合物の膜が、耐熱性が高く、化学的
に安定なことから好ましい。
【００６０】更に、保護層１２２、１２４の材料として
は、記録層１２１への拡散がないものが好ましい。これ
らの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物は、必ずしも化学
量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために
組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
酸素、硫黄、窒素、炭素含有量を変えることにより屈折
率ｎを制御する。これらの含有量が増加すると、屈折率
は低下する。
は、記録層１２１への拡散がないものが好ましい。これ
らの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物は、必ずしも化学
量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために
組成を制御したり、混合して用いることも有効である。
酸素、硫黄、窒素、炭素含有量を変えることにより屈折
率ｎを制御する。これらの含有量が増加すると、屈折率
は低下する。
【００６１】特に、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合膜は、記
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎなら
びに消去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。
第１保護層１２２及び第２保護層１２４の厚さは、それ
ぞれおよそ１０〜５００ｎｍである。第１保護層１２２
は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書
換が可能なことから１０〜５０ｎｍが好ましい。
録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎなら
びに消去率などの劣化が起きにくいことから好ましい。
第１保護層１２２及び第２保護層１２４の厚さは、それ
ぞれおよそ１０〜５００ｎｍである。第１保護層１２２
は、Ｃ／Ｎ、消去率などの記録特性、安定に多数回の書
換が可能なことから１０〜５０ｎｍが好ましい。
【００６２】第１保護層１２２の厚さが薄いと反射率が
増加し、記録感度が低下する。また、反射層１２１との
間隔が狭くなり急冷構造となってマークを形成するのに
大きな記録パワーを必要とする。逆に、第１保護層１２
２の厚さが厚くなると、反射層１２１との間隔が広くな
り、徐冷構造となって書き換え性能が劣化し繰り返しオ
ーバーライト回数が減少する。
増加し、記録感度が低下する。また、反射層１２１との
間隔が狭くなり急冷構造となってマークを形成するのに
大きな記録パワーを必要とする。逆に、第１保護層１２
２の厚さが厚くなると、反射層１２１との間隔が広くな
り、徐冷構造となって書き換え性能が劣化し繰り返しオ
ーバーライト回数が減少する。
【００６３】第１保護層１２２の膜厚は、第２保護層１
２４よりも薄く、いわゆる急冷構造をとり、熱的ダメー
ジを軽減するために膜厚は、２〜５０ｎｍとするのがよ
い。好ましくは第１保護層１２２の成膜速度は、第２保
護層１２４の成膜速度よりも遅くする。こうすると、書
き換えによるジッタの増加が抑制され、書き換え回数が
延びる。
２４よりも薄く、いわゆる急冷構造をとり、熱的ダメー
ジを軽減するために膜厚は、２〜５０ｎｍとするのがよ
い。好ましくは第１保護層１２２の成膜速度は、第２保
護層１２４の成膜速度よりも遅くする。こうすると、書
き換えによるジッタの増加が抑制され、書き換え回数が
延びる。
【００６４】記録層１２３の材料は、上述した記録層１
２と同じ相変化材料を用いることができる。記録層の膜
厚は５〜１００ｎｍ、好ましくは、再生信号を増大させ
るために、１０〜３０ｎｍとするのがよい。第２保護層
１２４は、第１保護層１２２と同じ材料が用いられる。
第２保護層１２４の厚さは、１０〜２００ｎｍの範囲に
ある。使用する光源の波長によって最適膜厚は変動する
が、好ましくは、再生信号を増大させるために、４０〜
１５０ｎｍとするのがよい。記録レーザ光が青色（波長
４００ｎｍ程度）の場合には、４０〜６０ｎｍにすると
変調振幅を増大させることができる。
２と同じ相変化材料を用いることができる。記録層の膜
厚は５〜１００ｎｍ、好ましくは、再生信号を増大させ
るために、１０〜３０ｎｍとするのがよい。第２保護層
１２４は、第１保護層１２２と同じ材料が用いられる。
第２保護層１２４の厚さは、１０〜２００ｎｍの範囲に
ある。使用する光源の波長によって最適膜厚は変動する
が、好ましくは、再生信号を増大させるために、４０〜
１５０ｎｍとするのがよい。記録レーザ光が青色（波長
４００ｎｍ程度）の場合には、４０〜６０ｎｍにすると
変調振幅を増大させることができる。
【００６５】以上のように、本発明の第５実施形態によ
れば、本発明の第１乃至第４実施形態の効果に加え、情
報記録担体５の記録特性や再生特性を向上させることが
できる。なお、これら積層構造は、情報記録担体１のみ
ならず、情報記録担体２乃至４に適用してもよい。ま
た、記録特性、再生特性をより一層向上させるために、
更なる補助的な薄膜を各層の層上または層間に形成して
もよい。前記したように、本発明における第１乃至５実
施形態によれば、グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌのいず
れか一方に記録したものであるので、クロスイレースを
低減することができる。
れば、本発明の第１乃至第４実施形態の効果に加え、情
報記録担体５の記録特性や再生特性を向上させることが
できる。なお、これら積層構造は、情報記録担体１のみ
ならず、情報記録担体２乃至４に適用してもよい。ま
た、記録特性、再生特性をより一層向上させるために、
更なる補助的な薄膜を各層の層上または層間に形成して
もよい。前記したように、本発明における第１乃至５実
施形態によれば、グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌのいず
れか一方に記録したものであるので、クロスイレースを
低減することができる。
【００６６】更に、本発明における情報記録担体５を信
号品質という観点から、グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌ
のいずれに記録された方が相応しいか検討したところ、
ランド部Ｌに記録した方が、エラーレートが少なく、さ
らに書き換え特性も優れるということが分かった。この
ことは、ランド部Ｌがグルーブ部Ｇよりも透光層１１に
近い側であり、再生光が透光層１１側から入射すること
を考えると、ランド部Ｌ領域は、材料に熱が蓄積しやす
く、高感度になるばかりか、記録マークの形状が均一な
理想的記録が行える性質を持つためと考えられる（一
方、グルーブ部Ｇに記録した場合は、熱が放熱しやすく
なるので、理想的な記録が行えないと考えられる）。
号品質という観点から、グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌ
のいずれに記録された方が相応しいか検討したところ、
ランド部Ｌに記録した方が、エラーレートが少なく、さ
らに書き換え特性も優れるということが分かった。この
ことは、ランド部Ｌがグルーブ部Ｇよりも透光層１１に
近い側であり、再生光が透光層１１側から入射すること
を考えると、ランド部Ｌ領域は、材料に熱が蓄積しやす
く、高感度になるばかりか、記録マークの形状が均一な
理想的記録が行える性質を持つためと考えられる（一
方、グルーブ部Ｇに記録した場合は、熱が放熱しやすく
なるので、理想的な記録が行えないと考えられる）。
【００６７】次に、本発明なる情報記録担体１に対し
て、アドレスデータ等のアナログまたはデジタルによる
補助情報（副情報）を埋め込むための変調パターンにつ
いて詳述する。補助情報（副情報）は、上述したように
振幅変調（ＡＭ）又は周波数変調（ＦＭ）又は位相変調
（ＰＭ）によって、蛇行したパターンとして形状記録さ
れる。言い換えれば、蛇行したパターンとして、直接記
録（支持体１３または透光層１１に溝形状として成形記
録）されるので、書き換えのできない永久情報でもあ
る。情報記録担体１がディスク状である場合には、接線
方向に拡がる溝に対して蛇行記録されるために、蛇行方
向は、半径方向となる。
て、アドレスデータ等のアナログまたはデジタルによる
補助情報（副情報）を埋め込むための変調パターンにつ
いて詳述する。補助情報（副情報）は、上述したように
振幅変調（ＡＭ）又は周波数変調（ＦＭ）又は位相変調
（ＰＭ）によって、蛇行したパターンとして形状記録さ
れる。言い換えれば、蛇行したパターンとして、直接記
録（支持体１３または透光層１１に溝形状として成形記
録）されるので、書き換えのできない永久情報でもあ
る。情報記録担体１がディスク状である場合には、接線
方向に拡がる溝に対して蛇行記録されるために、蛇行方
向は、半径方向となる。
【００６８】本発明で記録しようとする補助情報（副情
報）のうちアドレスデータとは、情報記録担体１全面に
対して割り当てられた絶対アドレス、部分領域について
割り当てられた相対アドレス、トラック番号、セクタ番
号、フレーム番号、フィールド番号、時間情報、エラー
訂正コードなどから選ばれるデータであり、例えば１０
進法または１６進法によって記述されたものを２進法
（ＢＣＤコードやグレイコードの例を含む）に変換した
データである。
報）のうちアドレスデータとは、情報記録担体１全面に
対して割り当てられた絶対アドレス、部分領域について
割り当てられた相対アドレス、トラック番号、セクタ番
号、フレーム番号、フィールド番号、時間情報、エラー
訂正コードなどから選ばれるデータであり、例えば１０
進法または１６進法によって記述されたものを２進法
（ＢＣＤコードやグレイコードの例を含む）に変換した
データである。
【００６９】なお、アドレスデータ以外の補助情報も扱
うことができ、例えば、情報記録担体の種別、情報記録
担体のサイズ、情報記録担体の想定記録容量、情報記録
担体の想定記録線密度、情報記録担体の想定記録線速
度、情報記録担体のトラックピッチ、記録ストラテジ情
報、再生パワー情報、製造者情報、製造番号、ロット番
号、管理番号、著作権関連情報、暗号作成のためのキ
ー、暗号解読のためのキー、暗号化されたデータ、記録
許可コード、記録拒否コード、再生許可コード、再生拒
否コードなどから少なくとも選ばれた特定コードデータ
を挙げることができ、これらデータ用のエラー訂正コー
ドを伴っていてもよい。
うことができ、例えば、情報記録担体の種別、情報記録
担体のサイズ、情報記録担体の想定記録容量、情報記録
担体の想定記録線密度、情報記録担体の想定記録線速
度、情報記録担体のトラックピッチ、記録ストラテジ情
報、再生パワー情報、製造者情報、製造番号、ロット番
号、管理番号、著作権関連情報、暗号作成のためのキ
ー、暗号解読のためのキー、暗号化されたデータ、記録
許可コード、記録拒否コード、再生許可コード、再生拒
否コードなどから少なくとも選ばれた特定コードデータ
を挙げることができ、これらデータ用のエラー訂正コー
ドを伴っていてもよい。
【００７０】以下の説明では、簡素化するために補助情
報（副情報）がアドレスであるとして説明する。図７
は、振幅変調（ＡＭ）により記録されたアドレス２５０
を拡大図示したものであり、このアドレス２５０が微細
パターン２０を構成するグルーブ部Ｇまたはランド部Ｌ
のいずれかにおいて一部又は全てに形状記録されてい
る。振幅変調（ＡＭ）では、振幅の有無によってデータ
「１」またはデータ「０」の記録が行われる。図７の例
では、データ「１」を振幅有部分２５１、データ「０」
を振幅無部分２５２として記録している。
報（副情報）がアドレスであるとして説明する。図７
は、振幅変調（ＡＭ）により記録されたアドレス２５０
を拡大図示したものであり、このアドレス２５０が微細
パターン２０を構成するグルーブ部Ｇまたはランド部Ｌ
のいずれかにおいて一部又は全てに形状記録されてい
る。振幅変調（ＡＭ）では、振幅の有無によってデータ
「１」またはデータ「０」の記録が行われる。図７の例
では、データ「１」を振幅有部分２５１、データ「０」
を振幅無部分２５２として記録している。
【００７１】そして、アドレスデータの例として１０１
１０を記録する場合においては、図７に示すように、振
幅有部分２５１、振幅無部分２５２、振幅有部分２５
１、振幅有部分２５１、振幅無部分２５２の順で形状記
録される。このように振幅の有無によってデータを記録
する方法は、単純な信号形式ゆえに低いＣ／Ｎ環境であ
っても復調できるという利点がある。特に、隣接トラッ
クからのクロストークの影響を最小にでき、トラックピ
ッチＰを再生スポット径Ｓよりも短縮した本発明になる
情報記録担体１においては、効果的なアドレス記録方法
である。
１０を記録する場合においては、図７に示すように、振
幅有部分２５１、振幅無部分２５２、振幅有部分２５
１、振幅有部分２５１、振幅無部分２５２の順で形状記
録される。このように振幅の有無によってデータを記録
する方法は、単純な信号形式ゆえに低いＣ／Ｎ環境であ
っても復調できるという利点がある。特に、隣接トラッ
クからのクロストークの影響を最小にでき、トラックピ
ッチＰを再生スポット径Ｓよりも短縮した本発明になる
情報記録担体１においては、効果的なアドレス記録方法
である。
【００７２】ここで、振幅有部分２５１と振幅無部分２
５２の長さは、同じであっても異なっていてもよいが、
復調のエラーレートを最良にするためにはそれぞれの長
さを同じとすることが望ましい。振幅有部分２５１を構
成する波の数は、任意であるが、読み取りエラーを防ぐ
ために複数であり、アドレス記録の記録密度を低下させ
ないよう、冗長でない数が相応しい。そのような観点か
ら波の数は、２〜１０程度が望ましい。また、振幅有部
分２５１の振幅幅は、互いに異なっていてもよいが、復
調時のスライスレベルの設定しやすさを考慮すると互い
に同じであることが望ましい。
５２の長さは、同じであっても異なっていてもよいが、
復調のエラーレートを最良にするためにはそれぞれの長
さを同じとすることが望ましい。振幅有部分２５１を構
成する波の数は、任意であるが、読み取りエラーを防ぐ
ために複数であり、アドレス記録の記録密度を低下させ
ないよう、冗長でない数が相応しい。そのような観点か
ら波の数は、２〜１０程度が望ましい。また、振幅有部
分２５１の振幅幅は、互いに異なっていてもよいが、復
調時のスライスレベルの設定しやすさを考慮すると互い
に同じであることが望ましい。
【００７３】また、このアドレス２５０以外に、クロッ
ク用の単一周波数を記録した領域を別に設ける場合に
は、その単一周波数と振幅有部分２５１の周波数は、異
なっていても、同じでもよい。ただし同じである方が、
クロックの抽出に用いる物理長さを若干拡大できること
になるので、クロックの安定抽出がしやすくなり有利で
ある。
ク用の単一周波数を記録した領域を別に設ける場合に
は、その単一周波数と振幅有部分２５１の周波数は、異
なっていても、同じでもよい。ただし同じである方が、
クロックの抽出に用いる物理長さを若干拡大できること
になるので、クロックの安定抽出がしやすくなり有利で
ある。
【００７４】また、図８は、周波数変調（ＦＭ）により
記録されたアドレス３００を拡大図示したものであり、
このアドレス３００が微細パターン２０を構成するグル
ーブ部Ｇまたはランド部Ｌのいずれかにおいて一部又は
全てに形状記録されている。周波数変調（ＦＭ）では、
周波数の大小によってデータ「１」またはデータ「０」
の記録が行われる。図８の例では、データ「１」を高周
波数部分３０１、データ「０」を低周波数部分３０２と
して記録している。そして、アドレスデータの例として
１０１１０を記録する場合においては、図８に示すよう
に、高周波数部分３０１、低周波数部分３０２、高周波
数部分３０１、高周波数部分３０１、低周波数部分３０
２の順で形状記録される。
記録されたアドレス３００を拡大図示したものであり、
このアドレス３００が微細パターン２０を構成するグル
ーブ部Ｇまたはランド部Ｌのいずれかにおいて一部又は
全てに形状記録されている。周波数変調（ＦＭ）では、
周波数の大小によってデータ「１」またはデータ「０」
の記録が行われる。図８の例では、データ「１」を高周
波数部分３０１、データ「０」を低周波数部分３０２と
して記録している。そして、アドレスデータの例として
１０１１０を記録する場合においては、図８に示すよう
に、高周波数部分３０１、低周波数部分３０２、高周波
数部分３０１、高周波数部分３０１、低周波数部分３０
２の順で形状記録される。
【００７５】このように周波数の高低によってデータを
記録する方法は、簡単な回路構成で復調できるという利
点がある。特に、図８で示したように、周波数の切り替
え箇所で波が連続するよう位相を選択すると、再生エン
ベロープが略一定となり、安定したアドレス抽出が実現
できる。なおここで高周波数部分３０１と低周波数部分
３０２の長さは、同じであっても異なっていてもよい
が、復調のエラーレートを最良にするためにはそれぞれ
の長さを同じとすることが望ましい。
記録する方法は、簡単な回路構成で復調できるという利
点がある。特に、図８で示したように、周波数の切り替
え箇所で波が連続するよう位相を選択すると、再生エン
ベロープが略一定となり、安定したアドレス抽出が実現
できる。なおここで高周波数部分３０１と低周波数部分
３０２の長さは、同じであっても異なっていてもよい
が、復調のエラーレートを最良にするためにはそれぞれ
の長さを同じとすることが望ましい。
【００７６】また、高周波数部分３０１と低周波数部分
３０２を構成する波の数は、任意で高周波数部分３０１
と低周波数部分３０２の振幅幅は、互いに異なっていて
もよいが、復調のしやすさを考慮すると互いに同じであ
ることが望ましい。また、高周波数部分３０１と低周波
数部分３０２の周波数の選択は、任意であるが、２つの
周波数の位相差を±π／１２〜±π／０．７５となるよ
うに設定することが望ましい。特に、図８に示すように
周波数比（高周波数／低周波数）を１．５倍とすると、
２つの周波数は単一波の位相を−π／２．５と＋π／
２．５にずらした関係となる。これら２つの周波数は単
一の周波数（ここでは０．５）の整数倍（ここでは３倍
と２倍）で表現できる。従って、復調回路が簡単にでき
るという利点が生じる。また、復調を同期検波により行
うことができ、エラーレートを著しく減少させることが
できる。
３０２を構成する波の数は、任意で高周波数部分３０１
と低周波数部分３０２の振幅幅は、互いに異なっていて
もよいが、復調のしやすさを考慮すると互いに同じであ
ることが望ましい。また、高周波数部分３０１と低周波
数部分３０２の周波数の選択は、任意であるが、２つの
周波数の位相差を±π／１２〜±π／０．７５となるよ
うに設定することが望ましい。特に、図８に示すように
周波数比（高周波数／低周波数）を１．５倍とすると、
２つの周波数は単一波の位相を−π／２．５と＋π／
２．５にずらした関係となる。これら２つの周波数は単
一の周波数（ここでは０．５）の整数倍（ここでは３倍
と２倍）で表現できる。従って、復調回路が簡単にでき
るという利点が生じる。また、復調を同期検波により行
うことができ、エラーレートを著しく減少させることが
できる。
【００７７】更に、別の例として周波数比（高周波数／
低周波数）を１．２８倍とすると、２つの周波数は単一
波の位相を−π／４と＋π／４にずらした関係となる。
従って、この場合も復調を同期検波により行うことがで
き、エラーレートを著しく減少させることができる。
低周波数）を１．２８倍とすると、２つの周波数は単一
波の位相を−π／４と＋π／４にずらした関係となる。
従って、この場合も復調を同期検波により行うことがで
き、エラーレートを著しく減少させることができる。
【００７８】このアドレス３００以外に、クロック用の
単一周波数を記録した領域を別に設ける場合には、その
単一周波数と高周波数部分３０１と低周波数部分３０２
の周波数はそれぞれ異なっていてもよい。ただし、高周
波数部分３０１と低周波数部分３０２のいずれかとクロ
ック領域の単一周波数は、同じである方が、クロックの
抽出に用いる物理長さを若干拡大できることになるの
で、クロックの安定抽出がしやすくなり有利である。
単一周波数を記録した領域を別に設ける場合には、その
単一周波数と高周波数部分３０１と低周波数部分３０２
の周波数はそれぞれ異なっていてもよい。ただし、高周
波数部分３０１と低周波数部分３０２のいずれかとクロ
ック領域の単一周波数は、同じである方が、クロックの
抽出に用いる物理長さを若干拡大できることになるの
で、クロックの安定抽出がしやすくなり有利である。
【００７９】また、図９は、位相変調（ＰＭ）により記
録された第１の位相変調アドレス４００を拡大図示した
ものであり、この第１の位相変調アドレス４００が微細
パターン２０を構成するグルーブ部Ｇまたはランド部Ｌ
のいずれかにおいて一部又は全てに形状記録されてい
る。位相変調（ＰＭ）では、位相の違いによってデータ
「１」またはデータ「０」の記録が行われる。図９の例
では、データ「１」をｓｉｎ０部分４０１、データ
「０」をｓｉｎπ部分４０２として記録している。そし
てアドレスデータの例として１０１１０を記録する場合
においては、図９に示すように、ｓｉｎ０部分４０１、
ｓｉｎπ部分４０２、ｓｉｎ０部分４０１、ｓｉｎ０部
分４０１、ｓｉｎπ部分４０２の順で形状記録される。
録された第１の位相変調アドレス４００を拡大図示した
ものであり、この第１の位相変調アドレス４００が微細
パターン２０を構成するグルーブ部Ｇまたはランド部Ｌ
のいずれかにおいて一部又は全てに形状記録されてい
る。位相変調（ＰＭ）では、位相の違いによってデータ
「１」またはデータ「０」の記録が行われる。図９の例
では、データ「１」をｓｉｎ０部分４０１、データ
「０」をｓｉｎπ部分４０２として記録している。そし
てアドレスデータの例として１０１１０を記録する場合
においては、図９に示すように、ｓｉｎ０部分４０１、
ｓｉｎπ部分４０２、ｓｉｎ０部分４０１、ｓｉｎ０部
分４０１、ｓｉｎπ部分４０２の順で形状記録される。
【００８０】このように位相の違いによってデータを記
録する方法は、同期検波により復調することによって低
いＣ／Ｎ環境下でも再生できる利点がある。なお、ｓｉ
ｎ０部分４０１とｓｉｎπ部分４０２の長さは、同じで
あっても異なっていてもよいが、復調のエラーレートを
最良にするためにはそれぞれの長さを同じとすることが
望ましい。ｓｉｎ０部分４０１とｓｉｎπ部分４０２の
振幅幅は、互いに異なっていてよいが、復調のしやすさ
を考慮すると互いに同じであることが望ましい。また、
２つの位相差をπとし、０とπの２値記録としたが、こ
れに限らず、例えば位相差をπ／２ずつとし、−３π／
４、−π／４、＋π／４、＋３π／４の４値記録とする
ようにしてもよい。
録する方法は、同期検波により復調することによって低
いＣ／Ｎ環境下でも再生できる利点がある。なお、ｓｉ
ｎ０部分４０１とｓｉｎπ部分４０２の長さは、同じで
あっても異なっていてもよいが、復調のエラーレートを
最良にするためにはそれぞれの長さを同じとすることが
望ましい。ｓｉｎ０部分４０１とｓｉｎπ部分４０２の
振幅幅は、互いに異なっていてよいが、復調のしやすさ
を考慮すると互いに同じであることが望ましい。また、
２つの位相差をπとし、０とπの２値記録としたが、こ
れに限らず、例えば位相差をπ／２ずつとし、−３π／
４、−π／４、＋π／４、＋３π／４の４値記録とする
ようにしてもよい。
【００８１】この第１の位相変調アドレス４００以外
に、クロック用の単一周波数を記録した領域を別に設け
る場合には、その単一周波数とｓｉｎ０部分４０１また
はｓｉｎπ部分４０２の周波数は異なっていてもよい。
ただしこれらが一致している方が、クロックの抽出に用
いる物理長さを若干拡大できることになるので、クロッ
クの安定抽出がしやすくなり有利である。
に、クロック用の単一周波数を記録した領域を別に設け
る場合には、その単一周波数とｓｉｎ０部分４０１また
はｓｉｎπ部分４０２の周波数は異なっていてもよい。
ただしこれらが一致している方が、クロックの抽出に用
いる物理長さを若干拡大できることになるので、クロッ
クの安定抽出がしやすくなり有利である。
【００８２】また、この第１の位相変調アドレス４００
に対し、クロック用の単一周波数を重畳記録してもよ
い。即ち、位相変調アドレスに対して、整数倍（１を含
む）、または整数分の１の周波数を重畳してもよい。こ
のようにクロック周波数を重畳する場合には、公知のバ
ンドパスフィルタによって周波数分離が可能であるが、
第１の位相変調アドレス４００とクロックの周波数の差
が大きい方が望ましい。例えば、第１の位相変調アドレ
ス４００の周波数を１とし、クロックの周波数を１／２
とするとこれらの周波数は好適に分離され、アドレス、
クロック共に安定した抽出が可能になる。
に対し、クロック用の単一周波数を重畳記録してもよ
い。即ち、位相変調アドレスに対して、整数倍（１を含
む）、または整数分の１の周波数を重畳してもよい。こ
のようにクロック周波数を重畳する場合には、公知のバ
ンドパスフィルタによって周波数分離が可能であるが、
第１の位相変調アドレス４００とクロックの周波数の差
が大きい方が望ましい。例えば、第１の位相変調アドレ
ス４００の周波数を１とし、クロックの周波数を１／２
とするとこれらの周波数は好適に分離され、アドレス、
クロック共に安定した抽出が可能になる。
【００８３】図１０は、位相変調（ＰＭ）により記録さ
れた第２の位相変調アドレス４５０を拡大図示したもの
であり、微細パターン２０を構成するグルーブ部Ｇまた
はランド部Ｌのいずれかにおいて形状が記録されてい
る。この例では波を立ち上がりと立ち下がりの非対称な
形状と捉え、それぞれを別々に制御することで位相の違
いを表現している。即ち、図１０の例では、データ
「１」を立ち上がり緩やか、立ち下がり急峻部分４５１
（以下、下り急峻部分４５１と呼ぶ）、データ「０」を
立ち上がり急峻、立ち下がり穏やか部分４５２（以下、
登り急峻部分４５２と呼ぶ）として記録している。
れた第２の位相変調アドレス４５０を拡大図示したもの
であり、微細パターン２０を構成するグルーブ部Ｇまた
はランド部Ｌのいずれかにおいて形状が記録されてい
る。この例では波を立ち上がりと立ち下がりの非対称な
形状と捉え、それぞれを別々に制御することで位相の違
いを表現している。即ち、図１０の例では、データ
「１」を立ち上がり緩やか、立ち下がり急峻部分４５１
（以下、下り急峻部分４５１と呼ぶ）、データ「０」を
立ち上がり急峻、立ち下がり穏やか部分４５２（以下、
登り急峻部分４５２と呼ぶ）として記録している。
【００８４】そして、アドレスデータの例として１０１
１０を記録する場合においては、図１０に示すように、
下り急峻部分４５１、登り急峻部分４５２、下り急峻部
分４５１、下り急峻部分４５１、登り急峻部分４５２の
順で形状記録される。このように位相の違いによってデ
ータを記録する方法は、高帯域フィルターに入力し、微
分成分を抽出することで復調でき、低いＣ／Ｎ環境下で
も再生できる利点がある。ここで下り急峻部分４５１、
登り急峻部分４５２の長さは、同じであっても異なって
いてもよいが、復調のエラーレートを最良にするために
はそれぞれの長さを同じとすることが望ましい。
１０を記録する場合においては、図１０に示すように、
下り急峻部分４５１、登り急峻部分４５２、下り急峻部
分４５１、下り急峻部分４５１、登り急峻部分４５２の
順で形状記録される。このように位相の違いによってデ
ータを記録する方法は、高帯域フィルターに入力し、微
分成分を抽出することで復調でき、低いＣ／Ｎ環境下で
も再生できる利点がある。ここで下り急峻部分４５１、
登り急峻部分４５２の長さは、同じであっても異なって
いてもよいが、復調のエラーレートを最良にするために
はそれぞれの長さを同じとすることが望ましい。
【００８５】下り急峻部分４５１、登り急峻部分４５２
の振幅幅は互いに異なっていてよいが、復調のしやすさ
を考慮すると互いに同じであることが望ましい。また、
この第２の位相変調アドレス４５０以外に、クロック用
の単一周波数を記録した領域を別に設ける場合には、そ
の単一周波数と下り急峻部分４５１または登り急峻部分
４５２の周波数は異なっていてよい。ただし、これらが
一致している方が、クロックの抽出に用いる物理長さを
若干拡大できることになるので、クロックの安定抽出が
しやすくなり有利である。
の振幅幅は互いに異なっていてよいが、復調のしやすさ
を考慮すると互いに同じであることが望ましい。また、
この第２の位相変調アドレス４５０以外に、クロック用
の単一周波数を記録した領域を別に設ける場合には、そ
の単一周波数と下り急峻部分４５１または登り急峻部分
４５２の周波数は異なっていてよい。ただし、これらが
一致している方が、クロックの抽出に用いる物理長さを
若干拡大できることになるので、クロックの安定抽出が
しやすくなり有利である。
【００８６】これまでの説明では振幅変調（ＡＭ）、周
波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）の記録方法とし
て、アドレスデータをそのまま直接、溝の蛇行形状とし
て記録する方法を用いて説明してきた。そして、溝蛇行
の基本波は、ｓｉｎ形状を前提としたが、本発明はこれ
に限定されない。例えば溝蛇行の基本波をｃｏｓ形状と
しても同様な効果が認められることはいうまでもない。
波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）の記録方法とし
て、アドレスデータをそのまま直接、溝の蛇行形状とし
て記録する方法を用いて説明してきた。そして、溝蛇行
の基本波は、ｓｉｎ形状を前提としたが、本発明はこれ
に限定されない。例えば溝蛇行の基本波をｃｏｓ形状と
しても同様な効果が認められることはいうまでもない。
【００８７】アドレスデータを異なる方式によって多重
記録したり、時分割記録したりしてもよい。例えば、Ａ
Ｍ＋ＦＭ、ＡＭ＋ＰＭ、ＦＭ＋ＰＭのように異なる方式
を合成記録してもよい。或いは、ある一定時間をＡＭ、
別の一定時間をＦＭとした時分割記録、またはある一定
時間をＡＭ、別の一定時間をＰＭとした時分割記録、ま
たはある一定時間をＦＭ、別の一定時間をＰＭとした時
分割記録を行ってもよい。前述したように、これらに加
え、クロックを抽出するための単一周波数領域をさらに
異なる一定時間に記録した時分割記録としてもよいもの
である。
記録したり、時分割記録したりしてもよい。例えば、Ａ
Ｍ＋ＦＭ、ＡＭ＋ＰＭ、ＦＭ＋ＰＭのように異なる方式
を合成記録してもよい。或いは、ある一定時間をＡＭ、
別の一定時間をＦＭとした時分割記録、またはある一定
時間をＡＭ、別の一定時間をＰＭとした時分割記録、ま
たはある一定時間をＦＭ、別の一定時間をＰＭとした時
分割記録を行ってもよい。前述したように、これらに加
え、クロックを抽出するための単一周波数領域をさらに
異なる一定時間に記録した時分割記録としてもよいもの
である。
【００８８】ところで、溝の蛇行幅であるが、蛇行によ
る振幅は、その値をピッチＰ以下とすることで良好なア
ドレス再生が可能となる。具体的には、蛇行による振幅
をピッチＰ以下とすることで隣接トラックと物理的に接
触しないアドレスが記録できるので、記録によるクロス
トークが回避できる。このような蛇行振幅をピッチＰ以
下としてアドレスを記録した溝に対して、相変化記録に
よるランダムデータを書き込み、プッシュプル法による
アドレス再生を試みたところ、アドレス信号の検出が可
能な限界としては、蛇行振幅（peak to peak）が再生ス
ポット径Ｓの２％以上であり、これを下回って作成され
た溝に対しては、相変化記録によるランダムデータがノ
イズとして顕著に重畳されて、アドレスエラーレートが
急増した。
る振幅は、その値をピッチＰ以下とすることで良好なア
ドレス再生が可能となる。具体的には、蛇行による振幅
をピッチＰ以下とすることで隣接トラックと物理的に接
触しないアドレスが記録できるので、記録によるクロス
トークが回避できる。このような蛇行振幅をピッチＰ以
下としてアドレスを記録した溝に対して、相変化記録に
よるランダムデータを書き込み、プッシュプル法による
アドレス再生を試みたところ、アドレス信号の検出が可
能な限界としては、蛇行振幅（peak to peak）が再生ス
ポット径Ｓの２％以上であり、これを下回って作成され
た溝に対しては、相変化記録によるランダムデータがノ
イズとして顕著に重畳されて、アドレスエラーレートが
急増した。
【００８９】一方、蛇行振幅が再生スポット径Ｓの９％
以上とした場合には、プッシュプル信号に隣接トラック
のクロストークが顕著に重畳され、アドレスエラーレー
トが急増した。従って、蛇行振幅は、ピッチＰ以下が必
須であり、更には再生スポット径Ｓの２〜９％の範囲が
最も相応しいといえる。
以上とした場合には、プッシュプル信号に隣接トラック
のクロストークが顕著に重畳され、アドレスエラーレー
トが急増した。従って、蛇行振幅は、ピッチＰ以下が必
須であり、更には再生スポット径Ｓの２〜９％の範囲が
最も相応しいといえる。
【００９０】本発明は、この直接記録に限定されない。
即ち直接記録では、長いアドレスデータ列を記録する場
合、０が連続するまたは１が連続する可能性があり、デ
ータに直流成分が生じる可能性がある。これを回避する
ためにあらかじめデータをベースバンド変調して記録す
る方法を取ってもよい。即ち、０と１をあらかじめ別の
コードに置き換えて、０と１の連続を一定値以下にす
る。そのような方法として、マンチェスタ符号、ＰＥ変
調、ＭＦＭ変調、Ｍ２変調、ＮＲＺＩ変調、ＮＲＺ変
調、ＲＺ変調、微分変調などを単独または組み合わせて
用いることができる。
即ち直接記録では、長いアドレスデータ列を記録する場
合、０が連続するまたは１が連続する可能性があり、デ
ータに直流成分が生じる可能性がある。これを回避する
ためにあらかじめデータをベースバンド変調して記録す
る方法を取ってもよい。即ち、０と１をあらかじめ別の
コードに置き換えて、０と１の連続を一定値以下にす
る。そのような方法として、マンチェスタ符号、ＰＥ変
調、ＭＦＭ変調、Ｍ２変調、ＮＲＺＩ変調、ＮＲＺ変
調、ＲＺ変調、微分変調などを単独または組み合わせて
用いることができる。
【００９１】本発明なる情報記録担体１に特に相応しい
ベースバンド変調の方法として、マンチェスタ符号（バ
イフェイズ変調、二相変調）がある。これは記録しよう
とするデータ１ビットに対して、図１１に示すように、
２ビットを当てはめる方法である。即ち記録しようとす
るデータ０に対して００または１１を、データ１に対し
て０１または１０を割り当てる。そしてデータの接続に
際しては、必ず前の符号の反転符号から入るようにす
る。
ベースバンド変調の方法として、マンチェスタ符号（バ
イフェイズ変調、二相変調）がある。これは記録しよう
とするデータ１ビットに対して、図１１に示すように、
２ビットを当てはめる方法である。即ち記録しようとす
るデータ０に対して００または１１を、データ１に対し
て０１または１０を割り当てる。そしてデータの接続に
際しては、必ず前の符号の反転符号から入るようにす
る。
【００９２】図１２に示すように、１００００１という
アドレスデータは、００１０１０１０１０１１という符
号列になる。オリジナルのアドレスデータは、０の連続
を４つ含み、また、０の出現確率は、１の２倍となった
非対称なデータである。それに対し変調を行うと、０ま
たは１の連続は、最大２つで済み、また、０と１の出現
確率は等しい対称なデータに変換される。このように同
一ビットの連続が一定値以下に制限されるようなベース
バンド変調は、その読み取りの安定性を向上させる効果
があるので、長いアドレスデータを扱う際に相応しい前
処理となる。
アドレスデータは、００１０１０１０１０１１という符
号列になる。オリジナルのアドレスデータは、０の連続
を４つ含み、また、０の出現確率は、１の２倍となった
非対称なデータである。それに対し変調を行うと、０ま
たは１の連続は、最大２つで済み、また、０と１の出現
確率は等しい対称なデータに変換される。このように同
一ビットの連続が一定値以下に制限されるようなベース
バンド変調は、その読み取りの安定性を向上させる効果
があるので、長いアドレスデータを扱う際に相応しい前
処理となる。
【００９３】更に、アドレスデータを高度に分解して、
分散記録する方法もある。例えばダミーデータ「１０」
と組み合わせて、「１０Ｘ」（Ｘは０か１）というデー
タの組み合わせで記録し、一定間隔毎にこのデータ列を
配置する記録方法である。「１０」をデータトリガとし
て、Ｘのみを抽出すれば、データを復元できる。この方
法は、扱うデータ列を時間をかけて読み込んでもよいフ
ォーマットの場合に有効である。
分散記録する方法もある。例えばダミーデータ「１０」
と組み合わせて、「１０Ｘ」（Ｘは０か１）というデー
タの組み合わせで記録し、一定間隔毎にこのデータ列を
配置する記録方法である。「１０」をデータトリガとし
て、Ｘのみを抽出すれば、データを復元できる。この方
法は、扱うデータ列を時間をかけて読み込んでもよいフ
ォーマットの場合に有効である。
【００９４】分散記録の別の例としては、読み取りの容
易な第１の特定データパターン（例えば「１０１」）を
一定間隔毎に配置（記録）しておく。そして読み取りの
容易な第２の特定データパターン（例えば「１１１
１」）を、第１の特定データパターンの間に配置する。
第２の特定データパターンを配置する位置は、第１の特
定データパターンに対して、あらかじめ定めた所定の距
離（時間）進んだ位置とし、第２特定パターンがあれば
データ１、なければデータ０として記録する。
易な第１の特定データパターン（例えば「１０１」）を
一定間隔毎に配置（記録）しておく。そして読み取りの
容易な第２の特定データパターン（例えば「１１１
１」）を、第１の特定データパターンの間に配置する。
第２の特定データパターンを配置する位置は、第１の特
定データパターンに対して、あらかじめ定めた所定の距
離（時間）進んだ位置とし、第２特定パターンがあれば
データ１、なければデータ０として記録する。
【００９５】そして、読み取りにあたっては、あらかじ
め定めた位置に着目して、第２の特定データパターンの
有無を読み取れる。このようにすれば、記録したアドレ
スデータを読み取ることができるようになる。また、第
２の特定データパターンを配置する位置を第１の特定デ
ータパターンに対して、あらかじめ２通りの所定の距離
（時間）進んだ位置として用意しておき、そのどちらの
位置に第２特定パターンがあるかによって、データ１、
データ０を記録してもよい。
め定めた位置に着目して、第２の特定データパターンの
有無を読み取れる。このようにすれば、記録したアドレ
スデータを読み取ることができるようになる。また、第
２の特定データパターンを配置する位置を第１の特定デ
ータパターンに対して、あらかじめ２通りの所定の距離
（時間）進んだ位置として用意しておき、そのどちらの
位置に第２特定パターンがあるかによって、データ１、
データ０を記録してもよい。
【００９６】以上の説明では、第１の特定データパター
ンと第２の特定データパターンを用いて、その距離差を
用いた分散記録の方法を説明したが、特定データパター
ンとして極めて読み取り精度の高いパターンを用意でき
る場合には、第１の特定データパターンと第２の特定デ
ータパターンは同じものとしてもよい。一定時間間隔で
記録された特定データパターンに対して、その時間間隔
よりも短い特定パターンを抽出し、さらにその時間間隔
を測定することによって、データ１、データ０を特定し
てもよい。
ンと第２の特定データパターンを用いて、その距離差を
用いた分散記録の方法を説明したが、特定データパター
ンとして極めて読み取り精度の高いパターンを用意でき
る場合には、第１の特定データパターンと第２の特定デ
ータパターンは同じものとしてもよい。一定時間間隔で
記録された特定データパターンに対して、その時間間隔
よりも短い特定パターンを抽出し、さらにその時間間隔
を測定することによって、データ１、データ０を特定し
てもよい。
【００９７】以上、溝蛇行によるアドレス情報や、その
他の特定コードデータからなる補助情報（副情報）の記
録について説明してきた。繰り返すが、ここで説明して
きた記録とは、記録層１２への記録ではなく、溝（グル
ーブ部Ｇまたはランド部Ｌ）の蛇行によって形状記録さ
れたものである。この補助情報及び先述のクロック情報
（クロック抽出用単一周波数）の溝蛇行による形状記録
は永久情報であり、改変のできない秘匿性の高いもので
ある。このような記録は、支持体１３または透光層１１
へ成形の手法を用いることによって、形状変化を伴った
記録を行うことができる。ここで成形にあたっては溝蛇
行記録されたスタンパを用いるが、スタンパそのものは
エネルギー線によって、蛇行パターンを形成するいわゆ
るマスタリングの手法によって製作することができる。
他の特定コードデータからなる補助情報（副情報）の記
録について説明してきた。繰り返すが、ここで説明して
きた記録とは、記録層１２への記録ではなく、溝（グル
ーブ部Ｇまたはランド部Ｌ）の蛇行によって形状記録さ
れたものである。この補助情報及び先述のクロック情報
（クロック抽出用単一周波数）の溝蛇行による形状記録
は永久情報であり、改変のできない秘匿性の高いもので
ある。このような記録は、支持体１３または透光層１１
へ成形の手法を用いることによって、形状変化を伴った
記録を行うことができる。ここで成形にあたっては溝蛇
行記録されたスタンパを用いるが、スタンパそのものは
エネルギー線によって、蛇行パターンを形成するいわゆ
るマスタリングの手法によって製作することができる。
【００９８】ところで、前述したように、記録層１２へ
の記録（例えば相変化記録）もグルーブ部Ｇまたはラン
ド部Ｌに行われる。記録層１２への記録時には、溝蛇行
による補助情報やクロック情報を参照しながら行う（例
えばアドレスを読みながら記録を行う）から、記録に供
するトラックと、補助情報やクロック情報を形状記録し
たトラックと一致する必要がある。例えば記録に供する
トラックがランド部Ｌである場合には、補助情報やクロ
ック情報を形状記録したトラックもランド部Ｌとする必
要がある。これが異なると、記録層１２への記録は物理
的に問題なく行うことができるものの、補助情報やクロ
ック情報は隣接した２つのトラックの情報が５０％ずつ
混合して取り出されることになり、正しい補助情報やク
ロック情報を抽出することができなくなる。
の記録（例えば相変化記録）もグルーブ部Ｇまたはラン
ド部Ｌに行われる。記録層１２への記録時には、溝蛇行
による補助情報やクロック情報を参照しながら行う（例
えばアドレスを読みながら記録を行う）から、記録に供
するトラックと、補助情報やクロック情報を形状記録し
たトラックと一致する必要がある。例えば記録に供する
トラックがランド部Ｌである場合には、補助情報やクロ
ック情報を形状記録したトラックもランド部Ｌとする必
要がある。これが異なると、記録層１２への記録は物理
的に問題なく行うことができるものの、補助情報やクロ
ック情報は隣接した２つのトラックの情報が５０％ずつ
混合して取り出されることになり、正しい補助情報やク
ロック情報を抽出することができなくなる。
【００９９】例えば、記録に供するトラックがランド部
Ｌであり、補助情報やクロック情報を形状記録したトラ
ックがグルーブ部Ｇとなっている場合、ランド部Ｌに記
録層１２への記録を行うこと自身には無理がないが、記
録時にアドレス等の補助情報やクロック情報を取り出そ
うとすると、ランド部Ｌを挟んで隣接した２つのグルー
ブ部Ｇの情報を読み取ることになり、異なる２つのグル
ーブ部Ｇの補助情報やクロック情報が５０％ずつ混合し
て取り出されることになる。
Ｌであり、補助情報やクロック情報を形状記録したトラ
ックがグルーブ部Ｇとなっている場合、ランド部Ｌに記
録層１２への記録を行うこと自身には無理がないが、記
録時にアドレス等の補助情報やクロック情報を取り出そ
うとすると、ランド部Ｌを挟んで隣接した２つのグルー
ブ部Ｇの情報を読み取ることになり、異なる２つのグル
ーブ部Ｇの補助情報やクロック情報が５０％ずつ混合し
て取り出されることになる。
【０１００】混合された２つの情報は、分離することが
不可能であり、このため意図するトラックへの記録は行
えないことになる。従って、記録に供するトラックと、
補助情報やクロック情報を形状記録したトラックとは一
致する必要がある。前述したように、記録層１２への記
録はエラーレートを低減させる意味から、特にランド部
Ｌに行うのが相応しい。従って記録に供するトラックを
ランド部Ｌとし、補助情報やクロック情報を溝形状記録
したトラックもランド部Ｌとするのが最も望ましいとい
える。
不可能であり、このため意図するトラックへの記録は行
えないことになる。従って、記録に供するトラックと、
補助情報やクロック情報を形状記録したトラックとは一
致する必要がある。前述したように、記録層１２への記
録はエラーレートを低減させる意味から、特にランド部
Ｌに行うのが相応しい。従って記録に供するトラックを
ランド部Ｌとし、補助情報やクロック情報を溝形状記録
したトラックもランド部Ｌとするのが最も望ましいとい
える。
【０１０１】次に、情報記録担体１乃至５を再生する第
１の再生装置４０について図１３を用いて説明する。こ
こでは、説明を簡素化するために情報記録担体１を用い
ることにするが、その他の情報記録担体（情報記録担体
２、３、４、５）の場合も同様である。図１３に示すよ
うに、第１の再生装置４０は、情報記録担体１からの反
射光を読み取るピックアップ５０と、この情報記録担体
１を回転するモータ５１と、ピックアップ５０及びモー
タ５１の駆動を制御するサーボ５２と、ピックアップ５
０で読み取った情報信号を復調する復調器５４と、復調
器５４で復調した信号を外部に送出するインターフェー
ス（Ｉ／Ｆ）５５と、全体を制御するコントローラ６０
とから少なくともなる。ここで、復調器５４とは、例え
ば、ＤＶＤで使用されている８／１６変調（ＥＦＭプラ
ス）であれば、１６ビットデータを、オリジナルの８ビ
ットデータに戻す操作を行うデジタル変換器である。
１の再生装置４０について図１３を用いて説明する。こ
こでは、説明を簡素化するために情報記録担体１を用い
ることにするが、その他の情報記録担体（情報記録担体
２、３、４、５）の場合も同様である。図１３に示すよ
うに、第１の再生装置４０は、情報記録担体１からの反
射光を読み取るピックアップ５０と、この情報記録担体
１を回転するモータ５１と、ピックアップ５０及びモー
タ５１の駆動を制御するサーボ５２と、ピックアップ５
０で読み取った情報信号を復調する復調器５４と、復調
器５４で復調した信号を外部に送出するインターフェー
ス（Ｉ／Ｆ）５５と、全体を制御するコントローラ６０
とから少なくともなる。ここで、復調器５４とは、例え
ば、ＤＶＤで使用されている８／１６変調（ＥＦＭプラ
ス）であれば、１６ビットデータを、オリジナルの８ビ
ットデータに戻す操作を行うデジタル変換器である。
【０１０２】ターンテーブル５３と情報記録担体１と
は、中心穴Ｑを填めあいにして接続されているが、これ
らは固定接続でもよいし、自由に着脱できる半固定接続
でもよい。また、情報記録担体１は、カートリッジに装
着されたものであってもよく、中央に開閉機構がある公
知のカートリッジをそのまま用いることができる。
は、中心穴Ｑを填めあいにして接続されているが、これ
らは固定接続でもよいし、自由に着脱できる半固定接続
でもよい。また、情報記録担体１は、カートリッジに装
着されたものであってもよく、中央に開閉機構がある公
知のカートリッジをそのまま用いることができる。
【０１０３】モータ５１は、ターンテーブル５３と接続
されており、ターンテーブル５３と情報記録担体１とは
中心穴Ｑを嵌め合いにして接続されている。モータ５１
は、ターンテーブル５３を介し、情報記録担体１を保持
し、再生のための相対運動を付与する。信号出力は、図
示しない外部出力端子に接続されていてもよいし、図示
しない表示装置や、オーディオ装置、印字装置に直接接
続されていてもよい。
されており、ターンテーブル５３と情報記録担体１とは
中心穴Ｑを嵌め合いにして接続されている。モータ５１
は、ターンテーブル５３を介し、情報記録担体１を保持
し、再生のための相対運動を付与する。信号出力は、図
示しない外部出力端子に接続されていてもよいし、図示
しない表示装置や、オーディオ装置、印字装置に直接接
続されていてもよい。
【０１０４】ピックアップ５０は、λ＝３５０〜４５０
ｎｍの間の単一波長、望ましくは４００〜４３５ｎｍの
間の単一波長で発光する発光素子５０ａと、開口数０．
７５〜０．９の対物レンズ５０ｂと、情報記録担体１か
らの反射光を受光する図示しない光検出器（フォトディ
テクター）を備えている。そして、これらによって再生
光７０を形成するものである。前記した発光素子５０ａ
は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよい
し、第２高調波生成素子を有したレーザであってもよ
い。サーボ５２は図面の説明上１つとしたが、ピックア
ップ５０の駆動制御用サーボ、及びモータ５１の駆動制
御用サーボの２つに分けてもよい。
ｎｍの間の単一波長、望ましくは４００〜４３５ｎｍの
間の単一波長で発光する発光素子５０ａと、開口数０．
７５〜０．９の対物レンズ５０ｂと、情報記録担体１か
らの反射光を受光する図示しない光検出器（フォトディ
テクター）を備えている。そして、これらによって再生
光７０を形成するものである。前記した発光素子５０ａ
は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよい
し、第２高調波生成素子を有したレーザであってもよ
い。サーボ５２は図面の説明上１つとしたが、ピックア
ップ５０の駆動制御用サーボ、及びモータ５１の駆動制
御用サーボの２つに分けてもよい。
【０１０５】復調器５４には、図示しない公知のイコラ
イザとＰＲＭＬ復号回路が内蔵されていてもよい。例え
ば、イコライザ（波形等化器）として、非線形な入出力
特性を有する複数の変換系が独立した可変重みで結合さ
れて、ニューラルネットワークを構成する、いわゆるニ
ューラルネットイコライザ（特許第２７９７０３５号）
や、再生信号の振幅レベルを所定値に制限してからフィ
ルタリング処理する、いわゆるリミットイコライザ（特
開平１１−２５９９８５号公報）、再生信号と波形等化
目標値との誤差を求めて、それを最小とするように波形
等化器の周波数を適応的に可変する、いわゆる誤差選択
型イコライザ（特開２００１−１１０１４６号公報記
載）などを特に好適に用いることができる。
イザとＰＲＭＬ復号回路が内蔵されていてもよい。例え
ば、イコライザ（波形等化器）として、非線形な入出力
特性を有する複数の変換系が独立した可変重みで結合さ
れて、ニューラルネットワークを構成する、いわゆるニ
ューラルネットイコライザ（特許第２７９７０３５号）
や、再生信号の振幅レベルを所定値に制限してからフィ
ルタリング処理する、いわゆるリミットイコライザ（特
開平１１−２５９９８５号公報）、再生信号と波形等化
目標値との誤差を求めて、それを最小とするように波形
等化器の周波数を適応的に可変する、いわゆる誤差選択
型イコライザ（特開２００１−１１０１４６号公報記
載）などを特に好適に用いることができる。
【０１０６】また、公知のＰＲＭＬ復号回路のうち、予
測値制御／等化誤差演算回路を含み、ビタビ・アルゴリ
ズムの復号に用いる予測値を演算するとともに、波形等
化器の等化誤差を最小とするように周波数特性を最適化
する、いわゆるアダプティブビタビデコーダ（特開２０
００−２２８０６４号公報、及び特開２００１−１８６
０２７号公報）を特に好適に用いることができる。
測値制御／等化誤差演算回路を含み、ビタビ・アルゴリ
ズムの復号に用いる予測値を演算するとともに、波形等
化器の等化誤差を最小とするように周波数特性を最適化
する、いわゆるアダプティブビタビデコーダ（特開２０
００−２２８０６４号公報、及び特開２００１−１８６
０２７号公報）を特に好適に用いることができる。
【０１０７】次に、第１の再生装置４０の動作について
説明する。ピックアップ５０の発光素子５０ａから再生
光７０を出射して、情報記録担体１の微細パターン２０
に集光させる。具体的には透光層１１の厚みに相当する
０．０７〜０．１２ｍｍの深度にある微細パターン２０
にフォーカスを行う。続いてグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌ
のいずれか一方にトラッキングを行う。このトラッキン
グはあらかじめ定めておいた側を選んで行うが、前述し
たとおり、ランド部Ｌを選択するのが最もよい。そし
て、微細パターン２０からの反射光を図示しない光検出
器で受光して記録信号を読み取る。ここで光検出器は４
分割に分割されており、すべての分割検出器出力の総和
信号（いわゆるＩａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）が、復調器５
４に送られる。ここで、Ｉａ、Ｉｂ、Ｉｃ、Ｉｄは、Ｊ
ＩＳ規格Ｘ６２４１：１９９７で定義されたＤＶＤにお
ける４分割された光検出器の出力にそれぞれ対応する。
この記録信号の読み取りは、微細パターン２０上のグル
ーブ部Ｇまたはランド部Ｌに記録されている記録マーク
Ｍを再生することによって行われることになる。
説明する。ピックアップ５０の発光素子５０ａから再生
光７０を出射して、情報記録担体１の微細パターン２０
に集光させる。具体的には透光層１１の厚みに相当する
０．０７〜０．１２ｍｍの深度にある微細パターン２０
にフォーカスを行う。続いてグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌ
のいずれか一方にトラッキングを行う。このトラッキン
グはあらかじめ定めておいた側を選んで行うが、前述し
たとおり、ランド部Ｌを選択するのが最もよい。そし
て、微細パターン２０からの反射光を図示しない光検出
器で受光して記録信号を読み取る。ここで光検出器は４
分割に分割されており、すべての分割検出器出力の総和
信号（いわゆるＩａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）が、復調器５
４に送られる。ここで、Ｉａ、Ｉｂ、Ｉｃ、Ｉｄは、Ｊ
ＩＳ規格Ｘ６２４１：１９９７で定義されたＤＶＤにお
ける４分割された光検出器の出力にそれぞれ対応する。
この記録信号の読み取りは、微細パターン２０上のグル
ーブ部Ｇまたはランド部Ｌに記録されている記録マーク
Ｍを再生することによって行われることになる。
【０１０８】説明を省略したが、フォーカスにはフォー
カスエラー信号を生成し、トラッキングにはトラッキン
グエラー信号を生成する必要がある。フォーカスエラー
信号やトラッキングエラー信号は、４分割光検出器出力
の半径方向の差信号（いわゆる（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ
＋Ｉｄ））によって生成され、サーボ５２に送られる。
コントローラ６０の制御に基づいて、受信したフォーカ
スエラー信号やトラッキングエラー信号より、サーボ５
２内でフォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号
を生成してピックアップ５０に送る。一方、サーボ５２
からは回転サーボ信号も生成して、モータ５１に送る。
そして、復調器５４では、前記した記録信号を復調し、
必要に応じて誤り訂正を行い、得られたデータストリー
ムをインターフェース（Ｉ／Ｆ）５５に送る。そしてコ
ントローラ６０の制御に基づいて信号を外部に送出す
る。
カスエラー信号を生成し、トラッキングにはトラッキン
グエラー信号を生成する必要がある。フォーカスエラー
信号やトラッキングエラー信号は、４分割光検出器出力
の半径方向の差信号（いわゆる（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ
＋Ｉｄ））によって生成され、サーボ５２に送られる。
コントローラ６０の制御に基づいて、受信したフォーカ
スエラー信号やトラッキングエラー信号より、サーボ５
２内でフォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号
を生成してピックアップ５０に送る。一方、サーボ５２
からは回転サーボ信号も生成して、モータ５１に送る。
そして、復調器５４では、前記した記録信号を復調し、
必要に応じて誤り訂正を行い、得られたデータストリー
ムをインターフェース（Ｉ／Ｆ）５５に送る。そしてコ
ントローラ６０の制御に基づいて信号を外部に送出す
る。
【０１０９】以上のように、本発明における第１の再生
装置４０によれば、情報記録担体１を装着しており、こ
れらはλ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長を有する
発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．９の対物
レンズ５０ｂによって生成される再生光７０に適合して
設計されたものであるから、情報記録担体１を良好に再
生することができる。
装置４０によれば、情報記録担体１を装着しており、こ
れらはλ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長を有する
発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．９の対物
レンズ５０ｂによって生成される再生光７０に適合して
設計されたものであるから、情報記録担体１を良好に再
生することができる。
【０１１０】ここで、第１の再生装置４０に用いる発光
素子５０ａについて述べておくと、発光素子５０ａは、
窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよいし、
第２高調波生成素子を有したレーザであってもよい。し
かしながら、これら２つの異なるレーザは、それぞれの
固有のレーザノイズを有し、特に、窒化ガリウム系化合
物半導体レーザの場合は、ノイズレベルが高いという特
徴を持つ。我々の測定では、第２高調波生成素子を有し
たレーザＲＩＮ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔ
ｙ Ｎｏｉｓｅ）が−１３４ｄＢ／Ｈｚであり、これは
ＤＶＤで用いられる赤色半導体レーザ（λ＝約６５０ｎ
ｍ）とほぼ同等のノイズを有する。
素子５０ａについて述べておくと、発光素子５０ａは、
窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよいし、
第２高調波生成素子を有したレーザであってもよい。し
かしながら、これら２つの異なるレーザは、それぞれの
固有のレーザノイズを有し、特に、窒化ガリウム系化合
物半導体レーザの場合は、ノイズレベルが高いという特
徴を持つ。我々の測定では、第２高調波生成素子を有し
たレーザＲＩＮ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｉｎｔｅｎｓｉｔ
ｙ Ｎｏｉｓｅ）が−１３４ｄＢ／Ｈｚであり、これは
ＤＶＤで用いられる赤色半導体レーザ（λ＝約６５０ｎ
ｍ）とほぼ同等のノイズを有する。
【０１１１】一方、窒化ガリウム系化合物半導体レーザ
の場合は、ＲＩＮが−１２５ｄＢ／Ｈｚであり、これは
第２高調波生成素子を有したレーザＲＩＮと比べて、９
ｄＢも大きい。このノイズは、情報記録担体１からの再
生信号にそのまま加算され、再生信号のＳ／Ｎを著しく
悪くする。即ち、第１の再生装置４０の発光素子５０ａ
に窒化ガリウム系化合物半導体レーザを採用した場合
は、信号特性が劣化するので、ＤＶＤで得た設計指針を
比例的にシフトして適応できないことを意味する。従っ
て、このような第１の再生装置４０の場合には、情報記
録担体１からの再生信号に、レーザ固有のノイズが加算
されることを考慮して、その劣化分を補った信号特性を
有する情報記録担体を用意する必要がある。
の場合は、ＲＩＮが−１２５ｄＢ／Ｈｚであり、これは
第２高調波生成素子を有したレーザＲＩＮと比べて、９
ｄＢも大きい。このノイズは、情報記録担体１からの再
生信号にそのまま加算され、再生信号のＳ／Ｎを著しく
悪くする。即ち、第１の再生装置４０の発光素子５０ａ
に窒化ガリウム系化合物半導体レーザを採用した場合
は、信号特性が劣化するので、ＤＶＤで得た設計指針を
比例的にシフトして適応できないことを意味する。従っ
て、このような第１の再生装置４０の場合には、情報記
録担体１からの再生信号に、レーザ固有のノイズが加算
されることを考慮して、その劣化分を補った信号特性を
有する情報記録担体を用意する必要がある。
【０１１２】次に、本発明における第５実施形態の情報
記録担体５について、反射層１２１、第１保護膜１２
２，記録層１２３、第２保護膜１２４の材料及び膜厚を
変えながら各種作製し、発光素子５０ａに窒化ガリウム
系化合物半導体レーザ（ＲＩＮ：−１２５ｄＢ／Ｈｚ）
を採用した第１の再生装置４０による再生を行って、変
調振幅と再生信号のエラーレートとの関係について調べ
た。なお、情報記録担体５の記録は、最もエラーレート
が下がる、理想的な記録条件で行った。
記録担体５について、反射層１２１、第１保護膜１２
２，記録層１２３、第２保護膜１２４の材料及び膜厚を
変えながら各種作製し、発光素子５０ａに窒化ガリウム
系化合物半導体レーザ（ＲＩＮ：−１２５ｄＢ／Ｈｚ）
を採用した第１の再生装置４０による再生を行って、変
調振幅と再生信号のエラーレートとの関係について調べ
た。なお、情報記録担体５の記録は、最もエラーレート
が下がる、理想的な記録条件で行った。
【０１１３】再生変調振幅は、再生信号の出力ともい
え、相変化記録材料の場合には、クリスタル−アモルフ
ァス間の反射率コントラストと相関のある指数である。
具体的には、情報記録担体５に、いわゆる（ｄ、ｋ）符
号と呼ばれる変調信号を記録する。記録装置については
後述する。
え、相変化記録材料の場合には、クリスタル−アモルフ
ァス間の反射率コントラストと相関のある指数である。
具体的には、情報記録担体５に、いわゆる（ｄ、ｋ）符
号と呼ばれる変調信号を記録する。記録装置については
後述する。
【０１１４】なお、（ｄ、ｋ）変調信号は、固定長符号
であっても可変長符号であっても用いることができ、固
定長符号の（２，１０）変調や、固定長符号の（１，
７）変調、固定長符号の（１，９）変調、可変長符号の
（２，７）変調や可変長符号の（１，７）変調を好適に
用いることができる。固定長符号の（２，１０）変調の
代表例としては、８／１５変調（特開２０００−２８６
７０９号公報記載）や８／１６変調（ＥＦＭプラス）、
８／１７変調（ＥＦＭ）が挙げられる。固定長符号の
（１，７）変調の代表例としては、Ｄ１，７変調（特願
２００１−８０２０５号記載）が挙げられる。固定長符
号の（１，９）変調の代表例としては、Ｄ４，６変調
（特願２０００−８０２０５号記載）が挙げられる。可
変長符号の（１，７）変調の代表例としては、１７ＰＰ
変調（特開平１１−３４６１５４号公報記載）が挙げら
れる。
であっても可変長符号であっても用いることができ、固
定長符号の（２，１０）変調や、固定長符号の（１，
７）変調、固定長符号の（１，９）変調、可変長符号の
（２，７）変調や可変長符号の（１，７）変調を好適に
用いることができる。固定長符号の（２，１０）変調の
代表例としては、８／１５変調（特開２０００−２８６
７０９号公報記載）や８／１６変調（ＥＦＭプラス）、
８／１７変調（ＥＦＭ）が挙げられる。固定長符号の
（１，７）変調の代表例としては、Ｄ１，７変調（特願
２００１−８０２０５号記載）が挙げられる。固定長符
号の（１，９）変調の代表例としては、Ｄ４，６変調
（特願２０００−８０２０５号記載）が挙げられる。可
変長符号の（１，７）変調の代表例としては、１７ＰＰ
変調（特開平１１−３４６１５４号公報記載）が挙げら
れる。
【０１１５】変調振幅は、第１の再生装置４０に情報記
録担体５を平坦に装着（傾きゼロ）して記録信号を再生
し、ピックアップ５０から出力されたＤＣ系の再生信号
をオシロスコープに接続して、符号で使用する最長長さ
の信号から求めた。例えば、ＤＶＤで使用する８／１６
変調の場合には、最長長さが１４Ｔであるから、規格
（ＪＩＳ規格Ｘ６２４１：１９９７）で規定されている
ようにＩ１４ＬとＩ１４Ｈを測定して、変調振幅、即ち
（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）／Ｉ１４Ｈを計算する。エラー
レートは、復調器５４を通して得られた再生信号を測定
して求めた。その結果を図１４に示す。
録担体５を平坦に装着（傾きゼロ）して記録信号を再生
し、ピックアップ５０から出力されたＤＣ系の再生信号
をオシロスコープに接続して、符号で使用する最長長さ
の信号から求めた。例えば、ＤＶＤで使用する８／１６
変調の場合には、最長長さが１４Ｔであるから、規格
（ＪＩＳ規格Ｘ６２４１：１９９７）で規定されている
ようにＩ１４ＬとＩ１４Ｈを測定して、変調振幅、即ち
（Ｉ１４Ｈ−Ｉ１４Ｌ）／Ｉ１４Ｈを計算する。エラー
レートは、復調器５４を通して得られた再生信号を測定
して求めた。その結果を図１４に示す。
【０１１６】図１４に示すように、変調振幅とエラーレ
ートは、明確な相関関係があり、変調振幅が小さくなる
とエラーレートは、著しく大きくなることが分かる。実
用的なエラーレートをＤＶＤ等で定める３×１０-4に設
定すると、必要な変調振幅は０．３４以上となる。情報
記録担体５は、使用環境の温度変化等により反ることが
ある。従ってＤＶＤ同様、０．７度程度の傾きが起こり
うると仮定すると、λ＝３５０〜４５０ｎｍ、ＮＡ＝
０．７５〜０．９、透光層１１の厚み０．０７〜０．１
２ｍｍが複合的にもたらすコマ収差より、エラーレート
は増大することになる。
ートは、明確な相関関係があり、変調振幅が小さくなる
とエラーレートは、著しく大きくなることが分かる。実
用的なエラーレートをＤＶＤ等で定める３×１０-4に設
定すると、必要な変調振幅は０．３４以上となる。情報
記録担体５は、使用環境の温度変化等により反ることが
ある。従ってＤＶＤ同様、０．７度程度の傾きが起こり
うると仮定すると、λ＝３５０〜４５０ｎｍ、ＮＡ＝
０．７５〜０．９、透光層１１の厚み０．０７〜０．１
２ｍｍが複合的にもたらすコマ収差より、エラーレート
は増大することになる。
【０１１７】０．７度傾き付加時のエラーレートが３×
１０-4となるのは、傾きゼロ時の０．７×１０-4に相当
することが実測結果より分かった。即ち、実使用時の傾
きを考慮すると、０．７×１０-4のエラーレートが必要
である。このことから実用的な変調振幅は、０．４以上
であることが分かった。
１０-4となるのは、傾きゼロ時の０．７×１０-4に相当
することが実測結果より分かった。即ち、実使用時の傾
きを考慮すると、０．７×１０-4のエラーレートが必要
である。このことから実用的な変調振幅は、０．４以上
であることが分かった。
【０１１８】このように、窒化ガリウム系化合物半導体
レーザを発光素子として用いた場合に再生信号にノイズ
が加算されることを考慮して、情報記録担体５を変調振
幅が０．４以上になるようにした構成にすれば、エラー
レートをＤＶＤの仕様程度にすることができ、実用的と
なる。なお、図１４のような、変調振幅とエラーレート
の相関関係は前述したどの変調方式を用いてもほぼ同様
な結果が得られることが実験の結果、分かっている。
レーザを発光素子として用いた場合に再生信号にノイズ
が加算されることを考慮して、情報記録担体５を変調振
幅が０．４以上になるようにした構成にすれば、エラー
レートをＤＶＤの仕様程度にすることができ、実用的と
なる。なお、図１４のような、変調振幅とエラーレート
の相関関係は前述したどの変調方式を用いてもほぼ同様
な結果が得られることが実験の結果、分かっている。
【０１１９】変調方式により最長マーク長は変わりうる
が、これら変調方式ではおよそ６Ｔ以上となると信号出
力がほぼ飽和して、一定値を取るからである。従って例
えば情報記録担体１に１７ＰＰ変調で記録を行い、求め
た変調振幅と、８／１６変調で記録を行い、得られる変
調振幅とは、同じ値が得られる。Ｄ１，７変調や１７Ｐ
Ｐ変調のような、（１，７）系の変調の場合の変調振幅
の計算方法は、その最長マークが８Ｔとなるから、変調
振幅は（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈによって求められ
る。
が、これら変調方式ではおよそ６Ｔ以上となると信号出
力がほぼ飽和して、一定値を取るからである。従って例
えば情報記録担体１に１７ＰＰ変調で記録を行い、求め
た変調振幅と、８／１６変調で記録を行い、得られる変
調振幅とは、同じ値が得られる。Ｄ１，７変調や１７Ｐ
Ｐ変調のような、（１，７）系の変調の場合の変調振幅
の計算方法は、その最長マークが８Ｔとなるから、変調
振幅は（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８Ｈによって求められ
る。
【０１２０】次に、より具体的に、以下実施例１〜５を
用いて説明する。なお、比較のために比較例１〜３のサ
ンプルも作製した。 実施例１ 相変化記録型情報記録担体５として、支持体１３に厚さ
１．１ｍｍのポリカーボネートを用い、反射層１２１に
ＡｇＰｄＣｕ、第１保護層１２２にＺｎＳＳｉＯ２、記
録層１２３にＡｇＩｎＳｂＴｅ、第２保護層１２４にＺ
ｎＳＳｉＯ２、透光層１１としてポリカーボネート０．
１０ｍｍを用いて作製した。この情報記録担体５のラン
ド部Ｌにはアドレスデータが±π／２．５であり、さら
に周波数切り替え点で波が連続するよう位相が選択され
た周波数変調を行うことにより蛇行形状に記録されてい
る。この情報記録担体５は、λ４０５ｎｍ、ＮＡ０．８
５を想定して設計したものであり、ランド部Ｌ間のピッ
チＰは、０．３２μｍとした。
用いて説明する。なお、比較のために比較例１〜３のサ
ンプルも作製した。 実施例１ 相変化記録型情報記録担体５として、支持体１３に厚さ
１．１ｍｍのポリカーボネートを用い、反射層１２１に
ＡｇＰｄＣｕ、第１保護層１２２にＺｎＳＳｉＯ２、記
録層１２３にＡｇＩｎＳｂＴｅ、第２保護層１２４にＺ
ｎＳＳｉＯ２、透光層１１としてポリカーボネート０．
１０ｍｍを用いて作製した。この情報記録担体５のラン
ド部Ｌにはアドレスデータが±π／２．５であり、さら
に周波数切り替え点で波が連続するよう位相が選択され
た周波数変調を行うことにより蛇行形状に記録されてい
る。この情報記録担体５は、λ４０５ｎｍ、ＮＡ０．８
５を想定して設計したものであり、ランド部Ｌ間のピッ
チＰは、０．３２μｍとした。
【０１２１】この情報記録担体５をλ４０５ｎｍ、ＮＡ
０．８５のピックアップを有した記録装置に装着し、ラ
ンド部Ｌに対し、記録信号を１７ＰＰ変調とし、最短マ
ーク長（＝２Ｔ）を０．１４９μｍとした変調信号によ
り記録を行った。この情報記録担体５を図１３に示した
λ４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップ５０を有し
た第１の再生装置４０に装着し、ランド部Ｌの再生を行
ったところ、変調振幅（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８
Ｈ）が０．５２の信号が再生できた。続いて、再生信号
のエラーレートを求めたところ、２×１０-5の良好なエ
ラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽出で
きた。また、アドレスエラーレートも記録部分で１％程
度であり、アドレスデータは良好に復元できた。アドレ
スエラーレートは、記録層１２への記録を行った後の再
生で、５％以下であると誤り訂正処理により、エラーの
ほとんどないデータ復元ができるので、相応しいもので
ある。
０．８５のピックアップを有した記録装置に装着し、ラ
ンド部Ｌに対し、記録信号を１７ＰＰ変調とし、最短マ
ーク長（＝２Ｔ）を０．１４９μｍとした変調信号によ
り記録を行った。この情報記録担体５を図１３に示した
λ４０５ｎｍ、ＮＡ０．８５のピックアップ５０を有し
た第１の再生装置４０に装着し、ランド部Ｌの再生を行
ったところ、変調振幅（＝（Ｉ８Ｈ−Ｉ８Ｌ）／Ｉ８
Ｈ）が０．５２の信号が再生できた。続いて、再生信号
のエラーレートを求めたところ、２×１０-5の良好なエ
ラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽出で
きた。また、アドレスエラーレートも記録部分で１％程
度であり、アドレスデータは良好に復元できた。アドレ
スエラーレートは、記録層１２への記録を行った後の再
生で、５％以下であると誤り訂正処理により、エラーの
ほとんどないデータ復元ができるので、相応しいもので
ある。
【０１２２】実施例２
記録信号をＤ４，６変調とし、最短マーク長（＝２Ｔ）
を０．１５４μｍとした以外は、実施例１と同様にして
記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行ったとこ
ろ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２Ｈ）
が０．６０の信号が再生できた。続いて、再生信号のエ
ラーレートを求めたところ、８×１０-6の良好なエラー
レートが得られ、実用上問題のないデータが抽出でき
た。また、アドレスエラーレートも記録部分で１％程度
であり、アドレスデータは、良好に復元できた。
を０．１５４μｍとした以外は、実施例１と同様にして
記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行ったとこ
ろ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２Ｈ）
が０．６０の信号が再生できた。続いて、再生信号のエ
ラーレートを求めたところ、８×１０-6の良好なエラー
レートが得られ、実用上問題のないデータが抽出でき
た。また、アドレスエラーレートも記録部分で１％程度
であり、アドレスデータは、良好に復元できた。
【０１２３】実施例３
記録信号をＤ８−１５変調とし、最短マーク長（＝３
Ｔ）を０．１８５μｍとした以外は実施例１と同様にし
て記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行ったと
ころ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２
Ｈ）が０．６３の信号が再生できた。続いて、再生信号
のエラーレートを求めたところ、４×１０-6の良好なエ
ラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽出で
きた。またアドレスエラーレートも記録部分で１％程度
であり、アドレスデータは、良好に復元できた。
Ｔ）を０．１８５μｍとした以外は実施例１と同様にし
て記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行ったと
ころ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２
Ｈ）が０．６３の信号が再生できた。続いて、再生信号
のエラーレートを求めたところ、４×１０-6の良好なエ
ラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽出で
きた。またアドレスエラーレートも記録部分で１％程度
であり、アドレスデータは、良好に復元できた。
【０１２４】実施例４
ランド部Ｌにアドレスデータを図１０に示す位相変調を
行うことにより蛇行形状を記録した情報記録担体５と
し、記録信号を１７ＰＰ変調とし、最短マーク長（＝２
Ｔ）を０．１４９μｍとした以外は実施例１と同様にし
て記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行ったと
ころ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２
Ｈ）が０．６０の信号が再生できた。続いて、再生信号
のエラーレートを求めたところ、２×１０-5の良好なエ
ラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽出で
きた。また、アドレスエラーレートも記録部分で０．１
％程度であり、アドレスデータも良好に復元できた。
行うことにより蛇行形状を記録した情報記録担体５と
し、記録信号を１７ＰＰ変調とし、最短マーク長（＝２
Ｔ）を０．１４９μｍとした以外は実施例１と同様にし
て記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行ったと
ころ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ１２
Ｈ）が０．６０の信号が再生できた。続いて、再生信号
のエラーレートを求めたところ、２×１０-5の良好なエ
ラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽出で
きた。また、アドレスエラーレートも記録部分で０．１
％程度であり、アドレスデータも良好に復元できた。
【０１２５】実施例５
ランド部Ｌにアドレスデータをマンチェスタ符号により
ベースバンド変調し、±π／２．５であり、さらに周波
数切り替え点で波が連続するよう位相が選択された周波
数変調を行うことにより蛇行形状を記録した情報記録担
体５とし、記録信号をＤ４，６変調とし、最短マーク長
（＝２Ｔ）を０．１５４μｍとした以外は実施例１と同
様にして記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行
ったところ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ
１２Ｈ）が０．６０の信号が再生できた。続いて、再生
信号のエラーレートを求めたところ、８×１０-6の良好
なエラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽
出できた。また、アドレスエラーレートも記録部分で
０．１％程度であり、アドレスデータも良好に復元でき
た。
ベースバンド変調し、±π／２．５であり、さらに周波
数切り替え点で波が連続するよう位相が選択された周波
数変調を行うことにより蛇行形状を記録した情報記録担
体５とし、記録信号をＤ４，６変調とし、最短マーク長
（＝２Ｔ）を０．１５４μｍとした以外は実施例１と同
様にして記録及び再生を行った。ランド部Ｌの再生を行
ったところ、変調振幅（＝（Ｉ１２Ｈ−Ｉ１２Ｌ）／Ｉ
１２Ｈ）が０．６０の信号が再生できた。続いて、再生
信号のエラーレートを求めたところ、８×１０-6の良好
なエラーレートが得られ、実用上問題のないデータが抽
出できた。また、アドレスエラーレートも記録部分で
０．１％程度であり、アドレスデータも良好に復元でき
た。
【０１２６】比較例１
実施例１の情報記録担体５を用い、グルーブ部Ｇに記録
を行う以外は、実施例１と同様にして記録及び再生を行
った。グルーブ部Ｇの再生を行ったところ、変調振幅が
０．３８の信号が再生できた。続いて再生信号のエラー
レートを求めたところ、４×１０-3のエラーレートが得
られ、欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるデータが抽
出できた。また、アドレスデータは、全く混乱し、デー
タを抽出することが不可能であった。
を行う以外は、実施例１と同様にして記録及び再生を行
った。グルーブ部Ｇの再生を行ったところ、変調振幅が
０．３８の信号が再生できた。続いて再生信号のエラー
レートを求めたところ、４×１０-3のエラーレートが得
られ、欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるデータが抽
出できた。また、アドレスデータは、全く混乱し、デー
タを抽出することが不可能であった。
【０１２７】比較例２
透光層１１の厚さを０．０６ｍｍとした以外は実施例１
と同様にして記録及び再生を行った。再生を行ったとこ
ろ、変調振幅が０．４６の信号が再生できたもののアイ
パターンは不鮮明であった。続いて、再生信号のエラー
レートを求めたところ、６×１０-3のエラーレートが得
られ、欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるデータが抽
出できた。アドレスエラーレートも記録部分で１０％も
あり、欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるアドレスデ
ータしか抽出できなかった。また、情報記録担体５に、
対物レンズ５０ｂを強制的に接触、摺動させる試験を行
ったところ、簡単にスクラッチ傷が入り、情報記録担体
として不適当であった。
と同様にして記録及び再生を行った。再生を行ったとこ
ろ、変調振幅が０．４６の信号が再生できたもののアイ
パターンは不鮮明であった。続いて、再生信号のエラー
レートを求めたところ、６×１０-3のエラーレートが得
られ、欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるデータが抽
出できた。アドレスエラーレートも記録部分で１０％も
あり、欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるアドレスデ
ータしか抽出できなかった。また、情報記録担体５に、
対物レンズ５０ｂを強制的に接触、摺動させる試験を行
ったところ、簡単にスクラッチ傷が入り、情報記録担体
として不適当であった。
【０１２８】比較例３
透光層１１の厚さを０．１３ｍｍとした以外は実施例１
と同様にして記録及び再生を行った。再生を行ったとこ
ろ、変調振幅が０．３８の信号が再生でき、アイパター
ンは不鮮明であった。続いて再生信号のエラーレートを
求めたところ、９×１０-3のエラーレートが得られ、欠
陥が多く、所々訂正不能箇所のあるデータが抽出でき
た。アドレスエラーレートも記録部分で１０％もあり、
欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるアドレスデータし
か抽出できなかった。
と同様にして記録及び再生を行った。再生を行ったとこ
ろ、変調振幅が０．３８の信号が再生でき、アイパター
ンは不鮮明であった。続いて再生信号のエラーレートを
求めたところ、９×１０-3のエラーレートが得られ、欠
陥が多く、所々訂正不能箇所のあるデータが抽出でき
た。アドレスエラーレートも記録部分で１０％もあり、
欠陥が多く、所々訂正不能箇所のあるアドレスデータし
か抽出できなかった。
【０１２９】以上、本発明なる第１の再生装置４０と、
それに装着する情報記録担体１乃至５について説明して
きた。ここで説明してきた第１の再生装置４０は、記録
層１２、１２３に記録された情報を読み出すための再生
装置であり、特に長時間にわたって連続して記録された
コンテンツを再生することができる。例えばビデオレコ
ーディングされたＨＤＴＶ番組や映画の再生に用いるこ
とができる。
それに装着する情報記録担体１乃至５について説明して
きた。ここで説明してきた第１の再生装置４０は、記録
層１２、１２３に記録された情報を読み出すための再生
装置であり、特に長時間にわたって連続して記録された
コンテンツを再生することができる。例えばビデオレコ
ーディングされたＨＤＴＶ番組や映画の再生に用いるこ
とができる。
【０１３０】次に、本発明なる第２の再生装置４１につ
いて、図１５を用いて説明する。ここでは、情報記録担
体としては、情報記録担体１を用いた場合について説明
するが、それ以外でも同様である。第２の再生装置４１
は、図１３に示す第１の再生装置４０において、ピック
アップ５０とコントローラ６０との間にピックアップで
読取った補助情報復調器５６を備えたものであり、それ
以外は同様である。そして、例えば、ビデオレコーディ
ングされたＨＤＴＶ番組や映画の頭出し再生や、データ
の記録されたコンピュータデータの頭出し再生のための
再生装置である。
いて、図１５を用いて説明する。ここでは、情報記録担
体としては、情報記録担体１を用いた場合について説明
するが、それ以外でも同様である。第２の再生装置４１
は、図１３に示す第１の再生装置４０において、ピック
アップ５０とコントローラ６０との間にピックアップで
読取った補助情報復調器５６を備えたものであり、それ
以外は同様である。そして、例えば、ビデオレコーディ
ングされたＨＤＴＶ番組や映画の頭出し再生や、データ
の記録されたコンピュータデータの頭出し再生のための
再生装置である。
【０１３１】前述したとおり、ピックアップ５０から復
調器５４へ送られる信号は、図示しない４分割光検出器
のすべての分割検出器出力の総和信号（いわゆるＩａ＋
Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）である。ここで、Ｉａ、Ｉｂ、Ｉ
ｃ、Ｉｄは、ＪＩＳ規格Ｘ６２４１：１９９７で定義さ
れたＤＶＤにおける４分割された光検出器の出力にそれ
ぞれ対応する。一方、ピックアップ５０から補助情報復
調器５６へ送られる信号は、４分割光検出器の半径方向
の差信号（いわゆる（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））
である。情報記録担体１に溝蛇行として形状記録された
補助情報は、蛇行が半径方向になされているために、こ
の差信号をモニターすることで抽出できる。
調器５４へ送られる信号は、図示しない４分割光検出器
のすべての分割検出器出力の総和信号（いわゆるＩａ＋
Ｉｂ＋Ｉｃ＋Ｉｄ）である。ここで、Ｉａ、Ｉｂ、Ｉ
ｃ、Ｉｄは、ＪＩＳ規格Ｘ６２４１：１９９７で定義さ
れたＤＶＤにおける４分割された光検出器の出力にそれ
ぞれ対応する。一方、ピックアップ５０から補助情報復
調器５６へ送られる信号は、４分割光検出器の半径方向
の差信号（いわゆる（Ｉａ＋Ｉｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））
である。情報記録担体１に溝蛇行として形状記録された
補助情報は、蛇行が半径方向になされているために、こ
の差信号をモニターすることで抽出できる。
【０１３２】補助情報復調器５６の具体的な構成は、振
幅変調復調器、周波数変調復調器、位相変調復調器の少
なくとも１つからなるものである。振幅変調復調器の場
合には包絡線検波回路など、周波数変調復調器の場合に
は周波数検波回路や同期検波回路など、位相変調復調器
の場合には同期検波回路や遅延検波回路、包絡線検波回
路などを好適に用いることができる。ところで、半径方
向の差信号には、総和信号が少ないながら洩れ込んでく
ることがある。これを避けるために、補助信号の周波数
帯域に合わせたバンドパスフィルタを補助情報復調器５
６の前に接続してもよい。
幅変調復調器、周波数変調復調器、位相変調復調器の少
なくとも１つからなるものである。振幅変調復調器の場
合には包絡線検波回路など、周波数変調復調器の場合に
は周波数検波回路や同期検波回路など、位相変調復調器
の場合には同期検波回路や遅延検波回路、包絡線検波回
路などを好適に用いることができる。ところで、半径方
向の差信号には、総和信号が少ないながら洩れ込んでく
ることがある。これを避けるために、補助信号の周波数
帯域に合わせたバンドパスフィルタを補助情報復調器５
６の前に接続してもよい。
【０１３３】次に、第２の再生装置４１の動作について
説明する。ピックアップ５０の発光素子５０ａから再生
光７０を出射して、情報記録担体１の微細パターン２０
に集光させる。具体的には透光層１１の厚みに相当する
０．０７〜０．１２ｍｍの深度にある微細パターン２０
にフォーカスを行う。続いてグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌ
のいずれか一方にトラッキングを行う。このトラッキン
グはあらかじめ定めておいた側を選んで行うが、前述し
たとおり、ランド部Ｌを選択するのが最もよい。続いて
ピックアップ５０からの半径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉ
ｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を補助情報復調器５６に送り、
補助情報を読み取る。この時、各種補助情報のうち、ア
ドレス情報に着目し、コントローラ６０に入力されてい
るデータを頭出しするためのアドレスと照合する。
説明する。ピックアップ５０の発光素子５０ａから再生
光７０を出射して、情報記録担体１の微細パターン２０
に集光させる。具体的には透光層１１の厚みに相当する
０．０７〜０．１２ｍｍの深度にある微細パターン２０
にフォーカスを行う。続いてグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌ
のいずれか一方にトラッキングを行う。このトラッキン
グはあらかじめ定めておいた側を選んで行うが、前述し
たとおり、ランド部Ｌを選択するのが最もよい。続いて
ピックアップ５０からの半径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉ
ｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を補助情報復調器５６に送り、
補助情報を読み取る。この時、各種補助情報のうち、ア
ドレス情報に着目し、コントローラ６０に入力されてい
るデータを頭出しするためのアドレスと照合する。
【０１３４】ここで一致が見られない場合には、コント
ローラ６０はサーボ５２に信号を送りサーチの指示を行
う。サーチはピックアップ５０の半径方向スキャンを行
いながら、モータ５１の回転数を半径移動に伴って、半
径に見合う回転数に設定し直す。スキャンの過程では、
ピックアップ５０からの差信号を受けている補助情報復
調器５６から出力されるアドレスが、所定のアドレスと
照合され、これらが一致するまでサーチが続けられる。
一致が見られると、半径方向のスキャンは中止され、連
続再生に切り替えられる。総和信号（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ
＋Ｉｄ）が入力された復調器５４からの出力は、頭出し
して得られたデータストリームの復調となり、インター
フェース（Ｉ／Ｆ）５５に入力される。そしてコントロ
ーラ６０の制御に基づいて信号を外部に送出する。
ローラ６０はサーボ５２に信号を送りサーチの指示を行
う。サーチはピックアップ５０の半径方向スキャンを行
いながら、モータ５１の回転数を半径移動に伴って、半
径に見合う回転数に設定し直す。スキャンの過程では、
ピックアップ５０からの差信号を受けている補助情報復
調器５６から出力されるアドレスが、所定のアドレスと
照合され、これらが一致するまでサーチが続けられる。
一致が見られると、半径方向のスキャンは中止され、連
続再生に切り替えられる。総和信号（Ｉａ＋Ｉｂ＋Ｉｃ
＋Ｉｄ）が入力された復調器５４からの出力は、頭出し
して得られたデータストリームの復調となり、インター
フェース（Ｉ／Ｆ）５５に入力される。そしてコントロ
ーラ６０の制御に基づいて信号を外部に送出する。
【０１３５】以上のように、本発明における第２の再生
装置４１によれば、情報記録担体１を装着しており、こ
れらはλ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長を有する
発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．９の対物
レンズ５０ｂによって生成される再生光７０に適合して
設計されたものであるから、情報記録担体１を良好に再
生することができると同時に、補助情報をも再生して、
データストリームの頭出し再生を行うことができる。
装置４１によれば、情報記録担体１を装着しており、こ
れらはλ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長を有する
発光素子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．９の対物
レンズ５０ｂによって生成される再生光７０に適合して
設計されたものであるから、情報記録担体１を良好に再
生することができると同時に、補助情報をも再生して、
データストリームの頭出し再生を行うことができる。
【０１３６】次に、本発明になる記録装置９０について
図１６を用いて説明する。ここでは、情報記録担体とし
ては、情報記録担体１を用いた場合について説明する
が、それ以外でも同様である。記録装置９０は、図１６
に示す第２の再生装置４１において復調器５４の代わり
に変調信号を情報記録担体１の記録に相応しいように変
形する波形変換器８３とオリジナルデータを変調する変
調器８２を直列に接続したものであり、それ以外は同様
である。この記録装置９０は、例えば、所定のアドレス
に新規にコンピュータデータを記録したり、所定のアド
レスより連続してＨＤＴＶ番組や映画をビデオレコーデ
ィング記録したりするための記録装置である。
図１６を用いて説明する。ここでは、情報記録担体とし
ては、情報記録担体１を用いた場合について説明する
が、それ以外でも同様である。記録装置９０は、図１６
に示す第２の再生装置４１において復調器５４の代わり
に変調信号を情報記録担体１の記録に相応しいように変
形する波形変換器８３とオリジナルデータを変調する変
調器８２を直列に接続したものであり、それ以外は同様
である。この記録装置９０は、例えば、所定のアドレス
に新規にコンピュータデータを記録したり、所定のアド
レスより連続してＨＤＴＶ番組や映画をビデオレコーデ
ィング記録したりするための記録装置である。
【０１３７】変調器８２は、例えばＤＶＤの８／１６変
調（ＥＦＭプラス）であれば、オリジナルデータの８ビ
ットを１６ビットに変換する変調器である。波形変換器
８３は、変調器８２から受け取った変調信号を情報記録
担体１の記録に相応しいように変形する。具体的には情
報記録担体１の記録層１２の記録特性に合わせた記録パ
ルスに変換する変換器であり、例えば記録層１２が相変
化材料である場合には、いわゆるマルチパルスが形成さ
れる。即ち、変調信号をチャネルビットもしくはそれ以
下の単位に分割され、パワーを矩形波状に変化させるも
のである。ここで、マルチパルスを構成するピークパワ
ー、ボトムパワー、イレイスパワー、パルス時間などが
コントローラ６０の指示に従って設定される。
調（ＥＦＭプラス）であれば、オリジナルデータの８ビ
ットを１６ビットに変換する変調器である。波形変換器
８３は、変調器８２から受け取った変調信号を情報記録
担体１の記録に相応しいように変形する。具体的には情
報記録担体１の記録層１２の記録特性に合わせた記録パ
ルスに変換する変換器であり、例えば記録層１２が相変
化材料である場合には、いわゆるマルチパルスが形成さ
れる。即ち、変調信号をチャネルビットもしくはそれ以
下の単位に分割され、パワーを矩形波状に変化させるも
のである。ここで、マルチパルスを構成するピークパワ
ー、ボトムパワー、イレイスパワー、パルス時間などが
コントローラ６０の指示に従って設定される。
【０１３８】次に、記録装置９０の動作について説明す
る。ピックアップ５０の発光素子５０ａから再生光７０
を出射して、情報記録担体１の微細パターン２０に集光
させる。具体的には透光層１１の厚みに相当する０．０
７〜０．１２ｍｍの深度にある微細パターン２０にフォ
ーカスを行う。続いてグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌのいず
れか一方にトラッキングを行う。このトラッキングはあ
らかじめ定めておいた側を選んで行うが、前述したとお
り、ランド部Ｌを選択するのが最もよい。続いて、ピッ
クアップ５０からの半径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉｂ）
−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を補助情報復調器５６に送り、補助
情報を読み取る。
る。ピックアップ５０の発光素子５０ａから再生光７０
を出射して、情報記録担体１の微細パターン２０に集光
させる。具体的には透光層１１の厚みに相当する０．０
７〜０．１２ｍｍの深度にある微細パターン２０にフォ
ーカスを行う。続いてグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌのいず
れか一方にトラッキングを行う。このトラッキングはあ
らかじめ定めておいた側を選んで行うが、前述したとお
り、ランド部Ｌを選択するのが最もよい。続いて、ピッ
クアップ５０からの半径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉｂ）
−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を補助情報復調器５６に送り、補助
情報を読み取る。
【０１３９】この時、各種補助情報のうち、アドレス情
報に着目し、コントローラ６０に入力されているデータ
を頭出しするためのアドレスと照合する。ここで一致が
見られない場合には、コントローラ６０はサーボ５２に
信号を送りサーチの指示を行う。サーチは、ピックアッ
プ５０の半径方向にスキャンを行いながら、モータ５１
の回転数を半径移動に伴って、半径に見合う回転数に設
定し直す。
報に着目し、コントローラ６０に入力されているデータ
を頭出しするためのアドレスと照合する。ここで一致が
見られない場合には、コントローラ６０はサーボ５２に
信号を送りサーチの指示を行う。サーチは、ピックアッ
プ５０の半径方向にスキャンを行いながら、モータ５１
の回転数を半径移動に伴って、半径に見合う回転数に設
定し直す。
【０１４０】スキャンの過程では、ピックアップ５０か
らの差信号を受けている補助情報復調器５６から出力さ
れるアドレスが、所定のアドレスと照合され、これらが
一致するまでサーチが続けられる。一致が見られると、
半径方向のスキャンは中止され、記録動作に切り替えら
れる。即ち、インターフェース（Ｉ／Ｆ）８１から入力
されたデータが、コントローラ６０の制御に基づいて変
調器８２によって変調される。続いて、コントローラ６
０の制御に基づいて変調されたデータが波形変換器８３
に入力され、記録に相応しい様式に変換されてピックア
ップ５０に出力される。
らの差信号を受けている補助情報復調器５６から出力さ
れるアドレスが、所定のアドレスと照合され、これらが
一致するまでサーチが続けられる。一致が見られると、
半径方向のスキャンは中止され、記録動作に切り替えら
れる。即ち、インターフェース（Ｉ／Ｆ）８１から入力
されたデータが、コントローラ６０の制御に基づいて変
調器８２によって変調される。続いて、コントローラ６
０の制御に基づいて変調されたデータが波形変換器８３
に入力され、記録に相応しい様式に変換されてピックア
ップ５０に出力される。
【０１４１】ピックアップ５０では、波形変換器８３で
設定された記録パワーに変更して、記録光８０を生成
し、情報記録担体１に照射される。このようにして情報
記録担体１の所定のアドレスに記録が行われる。記録中
も、記録光８０によって半径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉ
ｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を読み取ることは可能であり、
補助情報復調器５６よりアドレスを抽出することができ
る。従って、ユーザー希望のアドレスまでの限定した領
域記録も可能である。
設定された記録パワーに変更して、記録光８０を生成
し、情報記録担体１に照射される。このようにして情報
記録担体１の所定のアドレスに記録が行われる。記録中
も、記録光８０によって半径方向の差信号（（Ｉａ＋Ｉ
ｂ）−（Ｉｃ＋Ｉｄ））を読み取ることは可能であり、
補助情報復調器５６よりアドレスを抽出することができ
る。従って、ユーザー希望のアドレスまでの限定した領
域記録も可能である。
【０１４２】以上のように、本発明における記録装置９
０によれば、情報記録担体１を装着しており、これらは
λ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長を有する発光素
子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．９の対物レンズ
５０ｂによって生成される再生光７０及び記録光８０に
適合して設計されたものであるから、情報記録担体１に
良好に記録することができると同時に、補助情報をも再
生して、記録のための任意位置出しを行うことができ
る。
０によれば、情報記録担体１を装着しており、これらは
λ＝３５０〜４５０ｎｍの間の単一波長を有する発光素
子５０ａと、開口数ＮＡ０．７５〜０．９の対物レンズ
５０ｂによって生成される再生光７０及び記録光８０に
適合して設計されたものであるから、情報記録担体１に
良好に記録することができると同時に、補助情報をも再
生して、記録のための任意位置出しを行うことができ
る。
【０１４３】以上、本発明なる情報記録担体１乃至５、
第１及び第２の再生装置４０、４１及び記録装置９０に
ついて縷々説明してきた。本発明は、本発明の実施形態
では、基本的な部分のみについて説明したが、上記記載
した内容以外に、本発明を阻害しない範囲での種々変形
や追加が可能である。例えば、微細パターン２０を単層
及び二層とした情報記録担体１以外に、記録層１２と透
光層１１のセットの積層を複数回繰り返して、複層（例
えば三層、四層）などに拡張した情報記録担体としても
よい。
第１及び第２の再生装置４０、４１及び記録装置９０に
ついて縷々説明してきた。本発明は、本発明の実施形態
では、基本的な部分のみについて説明したが、上記記載
した内容以外に、本発明を阻害しない範囲での種々変形
や追加が可能である。例えば、微細パターン２０を単層
及び二層とした情報記録担体１以外に、記録層１２と透
光層１１のセットの積層を複数回繰り返して、複層（例
えば三層、四層）などに拡張した情報記録担体としても
よい。
【０１４４】本発明は、第１及び第２の再生装置４０、
４１及び記録装置９０に関して、請求項に記載した範囲
以外に、第１及び第２の再生装置４０、４１及び記録装
置９０の各動作についても含むものである。装置の諸動
作を、各々ステップに置き換えることにより生成される
再生方法、及び記録方法を含むものである。また再生方
法の各ステップを実行するコンピュータプログラム、及
び記録方法の各ステップを実行するコンピュータプログ
ラムを含むものである。
４１及び記録装置９０に関して、請求項に記載した範囲
以外に、第１及び第２の再生装置４０、４１及び記録装
置９０の各動作についても含むものである。装置の諸動
作を、各々ステップに置き換えることにより生成される
再生方法、及び記録方法を含むものである。また再生方
法の各ステップを実行するコンピュータプログラム、及
び記録方法の各ステップを実行するコンピュータプログ
ラムを含むものである。
【０１４５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、グルー
ブ部とランド部とが交互に形成された略平行溝連続体か
らなる微細パターンを有した支持体と、この微細パター
ン上に形成された記録層と、前記記録層上に形成された
透光層とから少なくともなり、前記グルーブ部又はラン
ド部のピッチをＰ、再生光の波長をλ、対物レンズの開
口数をＮＡとする時、前記略平行溝連続体がＰ＜λ／Ｎ
Ａであり、前記透光層の厚さは、０．０７〜０．１２ｍ
ｍであるので、クロスイレーズの低減ができると共に高
密度記録された情報記録担体が得られる。また、反射率
差または位相差に基づく記録が、変調振幅０．４以上で
行われているので、実用的なエラーレートにすることが
できる。再生光の波長がλｎｍで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ
／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡの
対物レンズとを少なくとも有して、グルーブ部とランド
部とが交互に形成された略平行溝連続体からなる微細パ
ターンを有する情報記録担体の再生を行う再生装置であ
って、前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７
５〜０．９であり、前記再生光を前記ランド部または前
記グルーブ部のいずれか一方にのみ照射して行うので、
クロスイレースを低減できる。微細パターンの一部又は
全てに、アドレスデータ等の補助情報が振幅変調で形状
記録されているので、低いＣ／Ｎ環境であっても復調で
きる。また、微細パターンの一部またはすべてに、アド
レスデータ等の補助情報が周波数変調で形状記録されて
いるので、簡単な回路構成で復調できる。特に周波数切
り替え点で波が連続するよう位相が選択された周波数変
調とすることによって、再生エンベロープが一定とな
り、安定した再生が可能となる。更に、微細パターンの
一部又は全てに、アドレスデータ等の補助情報が位相変
調で形状記録されているので、同期検波により復調する
ことによって低いＣ／Ｎ環境下であっても再生できる。
特に、周波数変調を構成する高周波数部分と低周波数部
分の位相差を±π／２．５とすると同期検波により良好
な信号復調が可能となる。また、アドレスデータ等の補
助情報は、予め同一ビットの連続が一定値以下に制限さ
れるようベースバンド変調されたデータとすることによ
り、読取りの安定性を向上させることができる。
ブ部とランド部とが交互に形成された略平行溝連続体か
らなる微細パターンを有した支持体と、この微細パター
ン上に形成された記録層と、前記記録層上に形成された
透光層とから少なくともなり、前記グルーブ部又はラン
ド部のピッチをＰ、再生光の波長をλ、対物レンズの開
口数をＮＡとする時、前記略平行溝連続体がＰ＜λ／Ｎ
Ａであり、前記透光層の厚さは、０．０７〜０．１２ｍ
ｍであるので、クロスイレーズの低減ができると共に高
密度記録された情報記録担体が得られる。また、反射率
差または位相差に基づく記録が、変調振幅０．４以上で
行われているので、実用的なエラーレートにすることが
できる。再生光の波長がλｎｍで、ＲＩＮ−１２５ｄＢ
／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡの
対物レンズとを少なくとも有して、グルーブ部とランド
部とが交互に形成された略平行溝連続体からなる微細パ
ターンを有する情報記録担体の再生を行う再生装置であ
って、前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７
５〜０．９であり、前記再生光を前記ランド部または前
記グルーブ部のいずれか一方にのみ照射して行うので、
クロスイレースを低減できる。微細パターンの一部又は
全てに、アドレスデータ等の補助情報が振幅変調で形状
記録されているので、低いＣ／Ｎ環境であっても復調で
きる。また、微細パターンの一部またはすべてに、アド
レスデータ等の補助情報が周波数変調で形状記録されて
いるので、簡単な回路構成で復調できる。特に周波数切
り替え点で波が連続するよう位相が選択された周波数変
調とすることによって、再生エンベロープが一定とな
り、安定した再生が可能となる。更に、微細パターンの
一部又は全てに、アドレスデータ等の補助情報が位相変
調で形状記録されているので、同期検波により復調する
ことによって低いＣ／Ｎ環境下であっても再生できる。
特に、周波数変調を構成する高周波数部分と低周波数部
分の位相差を±π／２．５とすると同期検波により良好
な信号復調が可能となる。また、アドレスデータ等の補
助情報は、予め同一ビットの連続が一定値以下に制限さ
れるようベースバンド変調されたデータとすることによ
り、読取りの安定性を向上させることができる。
【図１】本発明における第１実施形態の情報記録担体を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明における第１実施形態の情報記録担体を
上方から見た拡大平面図である。
上方から見た拡大平面図である。
【図３】本発明における第２実施形態の情報記録担体を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図４】本発明における第３実施形態の情報記録担体を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】本発明における第４実施形態の情報記録担体を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図６】本発明における第５実施形態の情報記録担体を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図７】本発明における情報記録担体に記録された振幅
変調アドレスを示す拡大平面図である。
変調アドレスを示す拡大平面図である。
【図８】本発明における情報記録担体に記録された周波
数変調アドレスを示す拡大平面図である。
数変調アドレスを示す拡大平面図である。
【図９】本発明における情報記録担体に記録された第１
の位相変調アドレスを示す拡大平面図である。
の位相変調アドレスを示す拡大平面図である。
【図１０】本発明における情報記録担体に記録された第
２の位相変調アドレスを示す拡大平面図である。
２の位相変調アドレスを示す拡大平面図である。
【図１１】ベースバンド変調前とベースバンド変調後に
おける基本データの変化を示す図である。
おける基本データの変化を示す図である。
【図１２】ベースバンド変調前とベースバンド変調後に
おけるデータ列の変化の具体的な例を示す図である。
おけるデータ列の変化の具体的な例を示す図である。
【図１３】本発明における第１の再生装置を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１４】変調振幅とエラーレートとの関係を示す図で
ある。
ある。
【図１５】本発明における第２の再生装置を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１６】本発明における記録装置を示すブロック図で
ある。
ある。
【図１７】従来の情報記録担体を示す断面図である。
【図１８】従来の情報記録媒体を上方から見た拡大平面
図である。
図である。
１、２、３、４、５…情報記録担体、１１、１１ａ…透
光層、１１ｂ…接着性透光層、１２…記録層、１３…支
持体、１４…樹脂層、２０、２１、２２…微細パター
ン、４０、４１…再生装置、５０…ピックアップ、５０
ａ…発光素子、５０ｂ…対物レンズ、５１…モータ、５
２…サーボ、５３…ターンテーブル、５４…復調器、５
５、８１…インターフェース（Ｉ／Ｆ）、５６…補助情
報復調器、６０…コントローラ、７０…再生光、８０…
記録光、８２…変調器、８３…波形変換器、９０…記録
装置、１２１…反射層、１２２…第１保護層、１２３…
記録層、１２４…第２保護層、２５０…振幅変調による
アドレス、３００…周波数変調によるアドレス、４００
…第１の位相変調アドレス、４５０…第２の位相変調ア
ドレス、Ｇ…グルーブ部、Ｌ…ランド部
光層、１１ｂ…接着性透光層、１２…記録層、１３…支
持体、１４…樹脂層、２０、２１、２２…微細パター
ン、４０、４１…再生装置、５０…ピックアップ、５０
ａ…発光素子、５０ｂ…対物レンズ、５１…モータ、５
２…サーボ、５３…ターンテーブル、５４…復調器、５
５、８１…インターフェース（Ｉ／Ｆ）、５６…補助情
報復調器、６０…コントローラ、７０…再生光、８０…
記録光、８２…変調器、８３…波形変換器、９０…記録
装置、１２１…反射層、１２２…第１保護層、１２３…
記録層、１２４…第２保護層、２５０…振幅変調による
アドレス、３００…周波数変調によるアドレス、４００
…第１の位相変調アドレス、４５０…第２の位相変調ア
ドレス、Ｇ…グルーブ部、Ｌ…ランド部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/24 Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３５Ｈ ５Ｄ７８９
５６１ ５６１Ｎ
５６１Ｑ
11/105 ５２１ 11/105 ５２１Ｆ
５３１ ５３１Ｅ
５３１Ｆ
20/14 ３４１ 20/14 ３４１Ａ
Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JC02 LB04 LB07 LB11
WA02 WB11 WC05 WC06 WD10
WD16
5D044 BC05 BC06 CC01 CC04 CC08
DE37
5D075 EE03 FG04 FG18
5D090 AA01 AA03 AA04 BB03 BB05
BB10 CC01 CC04 CC14 CC16
FF11 GG03 GG10 GG27 KK06
KK09 LL01
5D119 AA11 AA22 BA01 BA02 BA03
BB02 BB04 BB05 JB02
5D789 AA11 AA22 BA01 BA02 BA03
BB02 BB04 BB05 JB02
Claims (18)
- 【請求項１】グルーブ部とランド部とが交互に形成され
た略平行溝連続体からなる微細パターンを有した支持体
と、 この微細パターン上に形成された記録層と、 前記記録層上に形成された透光層とから少なくともな
り、 前記グルーブ部又は前記ランド部のピッチをＰ、再生光
の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとする時、前記
微細パターンがＰ＜λ／ＮＡの関係を有して形成され、
前記透光層の厚さは、０．０７〜０．１２ｍｍであるこ
とを特徴とする情報記録担体。 - 【請求項２】前記グルーブ部又は前記ランド部のいずれ
か一方にのみに反射率差または位相差の少なくとも１つ
に基づく記録が行われていることを特徴とする請求項１
記載の情報記録担体。 - 【請求項３】前記λが３５０〜４５０ｎｍであり、前記
ＮＡが０．７５〜０．９であることを特徴とする請求項
１又は２記載の情報記録担体。 - 【請求項４】前記反射率差または前記位相差に基づく記
録が、変調振幅０．４以上で行われたことを特徴とする
請求項２記載の情報記録担体。 - 【請求項５】前記記録層は、相変化材料であることを特
徴とする請求項１乃至４記載のうちいずれか１の情報記
録担体。 - 【請求項６】前記相変化材料は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａ
ｇ−Ｉｎ−Ｔｅ−Ｓｂ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ
−Ａｌ−Ｓｂ−Ｔｅのいずれか１つを少なくとも含む合
金材料であることを特徴とする請求項５記載の情報記録
担体。 - 【請求項７】前記透光層の前記記録層と反対側にハード
コート層が設けられていることを特徴とする請求項１乃
至６記載のうちいずれか１の情報記録担体。 - 【請求項８】前記微細パターンの一部又は全てに、補助
情報が振幅変調で形状記録されていることを特徴とする
請求項１乃至７記載のうちいずれか１の情報記録担体。 - 【請求項９】前記微細パターンの一部又は全てに、補助
情報が周波数変調で形状記録されていることを特徴とす
る請求項１乃至７記載のうちいずれか１の情報記録担
体。 - 【請求項１０】前記周波数変調は、周波数の切り替え点
で波が連続するよう位相が選択された周波数変調である
ことを特徴とする請求項９記載の情報記録担体。 - 【請求項１１】前記微細パターンの一部又は全てに、補
助情報が位相変調で形状記録されていることを特徴とす
る請求項１乃至７記載のうちいずれか１の情報記録担
体。 - 【請求項１２】前記周波数変調を構成する高周波数部分
と低周波数部分の位相差が±π／２．５であることを特
徴とする請求項９又は１０記載の情報記録担体。 - 【請求項１３】前記周波数変調を構成する高周波数部分
と低周波数部分の位相差が±π／４であることを特徴と
する請求項９又は１０記載の情報記録担体。 - 【請求項１４】前記補助情報は、予め同一ビットの連続
が一定値以下に制限されるようベースバンド変調された
データであることを特徴とする請求項８乃至１３の記載
のうちいずれか１の情報記録担体。 - 【請求項１５】前記ベースバンド変調は、マンチェスタ
符号であることを特徴とする請求項１４に記載の情報記
録担体。 - 【請求項１６】前記補助情報は、前記微細パターンの一
部に分散して記録されていることを特徴とする請求項８
乃至１５記載のうちいずれか１の情報記録担体。 - 【請求項１７】再生光の波長がλで、ＲＩＮ−１２５ｄ
Ｂ／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡ
の対物レンズとを少なくとも有して、グルーブ部とラン
ド部とが交互に形成された略平行溝連続体からなる微細
パターンを有する情報記録担体の再生を行う再生装置で
あって、 前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜
０．９であり、前記記録光を前記グルーブ部または前記
ランド部のいずれか一方にのみ照射して行うことを特徴
とする再生装置。 - 【請求項１８】記録光の波長がλで、ＲＩＮ−１２５ｄ
Ｂ／Ｈｚ以下のノイズを有する発光素子と、開口数ＮＡ
の対物レンズとを少なくとも有して、グルーブ部とラン
ド部とが交互に形成された略平行溝連続体からなる微細
パターンを有する情報記録担体に記録する記録装置であ
って、 前記λが３５０〜４５０ｎｍ、前記ＮＡが０．７５〜
０．９であり、前記再生光を前記グルーブ部または前記
ランド部のいずれか一方にのみ照射して行うことを特徴
とする記録装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001391126A JP2003173542A (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-25 | 情報記録担体、その再生装置及びその記録装置 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000400667 | 2000-12-28 | ||
| JP2000-400667 | 2000-12-28 | ||
| JP2001290997 | 2001-09-25 | ||
| JP2001-290997 | 2001-09-25 | ||
| JP2001391126A JP2003173542A (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-25 | 情報記録担体、その再生装置及びその記録装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006023127A Division JP2006172714A (ja) | 2000-12-28 | 2006-01-31 | 情報記録担体、その再生装置及びその記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003173542A true JP2003173542A (ja) | 2003-06-20 |
| JP2003173542A5 JP2003173542A5 (ja) | 2005-11-17 |
Family
ID=27345612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001391126A Pending JP2003173542A (ja) | 2000-12-28 | 2001-12-25 | 情報記録担体、その再生装置及びその記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003173542A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005124441A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2008-04-17 | ソニー株式会社 | 光学フィルム、液晶パネルおよび液晶表示装置 |
| US7715285B2 (en) | 2003-07-07 | 2010-05-11 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium having a plurality of recording layers |
-
2001
- 2001-12-25 JP JP2001391126A patent/JP2003173542A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7715285B2 (en) | 2003-07-07 | 2010-05-11 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium having a plurality of recording layers |
| JPWO2005124441A1 (ja) * | 2004-06-15 | 2008-04-17 | ソニー株式会社 | 光学フィルム、液晶パネルおよび液晶表示装置 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061121 |
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| A02 | Decision of refusal |
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