JP2002352475A

JP2002352475A - 情報記録担体

Info

Publication number: JP2002352475A
Application number: JP2002041250A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Kondo; 哲也近藤
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2001-03-22
Filing date: 2002-02-19
Publication date: 2002-12-06
Also published as: US20030053404A1

Abstract

(57)【要約】【課題】クロスイレースを低減し、記録密度低減
を抑制した情報記録担体を提供する。【解決手段】情報記録担体１は、グルーブ部Ｇとラン
ド部Ｌとが交互に形成された略平行溝連続体からなる微
細パターン２０を有した支持体１３と、この微細パター
ン１３上に形成された記録層１２と、記録層１２上に形
成された透光層１１とから少なくともなり、グルーブ部
Ｇ又はランド部ＬのピッチをＰ、再生光の波長をλ、対
物レンズの開口数をＮＡとする時、微細パターン２０が
Ｐ≦λ／ＮＡの関係を有して形成され、アドレスピット
が単一長さＡＰＬであり、ＡＰＬ＜Ｓなる関係を満た
す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録担体に対
して相対運動をさせて情報を読み出す再生装置に用いら
れる情報記録担体に関し、特に光学的手段によって記録
及び／又は再生を行う情報記録担体に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報記録担体を相対運動させて情
報を読み出すシステムがあり、システムの再生には光学
的手段、磁気的手段、静電容量的手段などが用いられて
いる。このうち光学的手段によって記録及び／又は再生
を行うシステムは日常生活に深く浸透している。例えば
波長６５０ｎｍの光を利用した円盤状再生専用型情報記
録担体としては、画像情報が予め記録されているＤＶＤ
ビデオ、プログラム等が予め記録されているＤＶＤ−Ｒ
ＯＭ、音楽情報が予め記録されているＤＶＤオーディ
オ、ＳＡＣＤ等が知られている。

【０００３】また、記録・再生型情報記録担体として
は、相変化を利用したＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷ
が、光磁気を利用したＡＳＭＯ、ｉＤ等がある。

【０００４】一方、情報記録担体の記録密度を上げるた
めに、レーザの波長を短くし、青紫色の発光を実現する
研究が長年続けられてきた。近年発明された第２高調波
発振素子や窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（例え
ば特許２７７８４０５号公報に記載）は、波長λ＝３５
０〜４５０ｎｍ近傍で発光するために、記録密度を大幅
に高める重要な発光素子になり得る。また、この近傍の
波長に対応した対物レンズの設計も進んでおり、特にＮ
Ａ（開口数）をＤＶＤで使用されるＮＡである０．６を
超えて、０．７以上とした対物レンズが開発中である。

【０００５】このように波長λを３５０〜４５０ｎｍに
短縮し、ＮＡを０．７以上とした情報記録担体再生装置
の開発が進められており、これらの技術により現在のＤ
ＶＤの記録容量を遙かに超える光ディスクシステムを開
発することが期待できる。また青紫色レーザと高いＮＡ
を前提として設計された、飛躍的に高い記録密度を有す
る情報記録担体の出現が望まれる。

【０００６】一方、近年の記録再生型ディスクではラン
ドグルーブ方式と呼ばれる微細トラック構造を採用して
いる。高ＮＡ録再システム用に設計された情報記録担体
の一例を図１６及び図１７を用いて説明する。図１６
は、ランドグルーブ方式と呼ばれる従来の情報記録担体
１００を示す断面図である。また図１６は、図１７の情
報記録担体１００のトラック構造を示すために、情報記
録担体１００の上方から見た拡大平面図である。

【０００７】図１６に示すように、情報記録担体１００
は、支持体１３０上に順次形成された記録層１２０と、
透光層１１０とからなる。支持体１３０には、微細パタ
ーン２００が形成されており、その面上に記録層１２０
が直接形成されている。なお、微細パターン１２０はラ
ンド部Ｌとグルーブ部Ｇとからなる微細パターンを有し
ている。

【０００８】そして、記録の際には、図１７に示すよう
に、ランド部Ｌとグルーブ部Ｇの両方に記録マークＭが
形成される。

【０００９】微細パターン２００の諸寸法に注目してみ
ると、グルーブ部Ｇとグルーブ部Ｇの最短距離をピッチ
Ｐ（ランド部Ｌとランド部Ｌの最短距離も同様にピッチ
Ｐ）とすると、再生スポット径Ｓに対して、Ｐ＞Ｓの関
係を満たすように微細パターン２００が形成されてい
る。

【００１０】なお、この再生スポット径Ｓは、再生に用
いるレーザの波長λと対物レンズの開口数ＮＡから、Ｓ
＝λ／ＮＡで計算されるものであり、言い換えれば、ピ
ッチＰは、Ｐ＞λ／ＮＡの関係を満たすように設計され
ているこの情報記録担体１００は、透光層１１０側から
記録光を入射し、記録層１２０上のランド部Ｌ、グルー
ブ部Ｇの両方に記録マークを形成する。また支持体層１
３０または透光層１１０側から再生光を入射させ、記録
層１２０での反射光を取り出して再生される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本出願
人は情報記録担体１００を実際に試作し、記録再生実験
を行ったところ、クロスイレ−ス現象が顕著であること
を見出した。クロスイレースとは、例えばランド部Ｌに
情報記録を行うと、グルーブ部Ｇにあらかじめ記録した
信号にその情報が重ね記録される現象である。言い換え
ればランド部Ｌに情報を記録することによって、グルー
ブ部Ｇに記録されていた情報が消去される現象である。
なおこの現象はランド部Ｌとグルーブ部Ｇが逆となった
例、すなわちグルーブ部Ｇに情報記録を行い、ランド部
Ｌの既記録情報を観察したときにも見られる。このよう
にクロスイレースが生じると、隣接トラックの情報が損
傷を受ける。従って、大容量の情報システムにあっては
損失情報量が非常に大きなものとなり、ユーザーへの影
響が甚大となってしまう。

【００１２】このため、この情報記録担体１００を用い
て、ランド部Ｌ又はグルーブ部Ｇのいずれか一方のみに
情報を記録することが考えられるが、そのような情報記
録を行うと記録容量が減少し、高密度記録のポテンシャ
ルを有する情報記録担体のメリットが半減してしまうと
いう課題があった。

【００１３】そこで、本発明はこのような従来の問題を
解消すべく、クロスイレースを低減し、高密度記録され
た情報記録担体を提供することを目的とする。

【００１４】また、そのような情報記録担体に相応しい
アドレス埋め込み方式を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために、〜請求項が確定しましたら記載します〜

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１乃
至図１５を用いて説明する。図１は本発明における第１
実施形態の情報記録担体を示す断面図である。また、図
２は本発明における第１実施形態の情報記録担体を上方
から見た拡大平面図である。更に、図３は本発明におけ
る第２、３実施形態の情報記録担体を上方から見た拡大
平面図である。また、図４は本発明における第４実施形
態の情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。ま
た、図５は本発明における第４実施形態の情報記録担体
をＣＬＶ記録に適応した場合に、その情報記録担体を上
方から見た拡大平面図である。また、図６は本発明にお
ける第４実施形態の情報記録担体をＣＬＶ記録に適応し
た場合に、その情報記録担体を上方から見た拡大平面図
である。また、図７はアドレスコードを分散記録した第
１実施形態の具体的な例を示す図である。更に、図８は
アドレスコードを分散記録した第２実施形態の具体的な
例を示す図である。また、図９はアドレスコードを分散
記録した第３実施形態の具体的な例を示す図である。更
に、図１０はアドレスコードを分散記録した第４実施形
態の具体的な例を示す図である。また、図１１は本発明
なるベースバンド変調を説明するための図である。更
に、図１２は本発明なるベースバンド変調を具体的に説
明するための図である。更に、図１３は本発明における
第５実施形態の情報記録担体を示す断面図である。ま
た、図１４は本発明における第６実施形態の情報記録担
体を示す断面図である。更に、図１５は本発明における
第７実施形態の情報記録担体を示す断面図である。

【００１７】まず、本発明の最も基本的な構成を図１及
び図２を用いて説明する。本発明の情報記録担体１は、
凹凸状の微細パターン２０が形成された支持体１３上に
順次形成された記録層１２と、透光層１１とから少なく
ともなる。この微細パターン２０における凹凸は、略平
行溝連続体を形成している。なお、この情報記録担体１
の形状は、ディスク状、カード状或いはテープ状のいず
れの形態であっても構わない。また円形であっても、四
角形でも、楕円形でも構わない。更に、穴が開けられて
いてもよいものである。なお、再生光または記録光は、
透光層１１側より入射される。

【００１８】ここで、支持体１３、記録層１２及び透光
層１１について詳細に説明する。支持体１３は、この上
に形成されている記録層１２及び透光層１１を機械的に
保持する機能を有するベースである。支持体１３の材料
としては、合成樹脂、セラミック、金属のいずれかが用
いられる。合成樹脂の代表例としては、ポリカーボネー
トやポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカ
ーボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロラ
イド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなど
の各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種エネルギ線硬化
樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹
脂の例を含む）を好適に用いることができる。なお、こ
れらは金属粉またはセラミック粉などを配合した合成樹
脂であってもよい。

【００１９】また、セラミックの代表例としてはソーダ
ライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガ
ラス、石英ガラスなどを用いることができる。また、金
属の代表例としてはアルミニウムのような透光性を有し
ない金属板も用いることもできる。なお機械的に保持す
る必要性から支持体１３の厚みは０．３〜３ｍｍ、望ま
しくは０．５〜２ｍｍが好適に用いられる。また、情報
記録担体１が円盤状である場合には、従来の光ディスク
との互換性から、支持体１３、記録層１２，透光層１１
等の合計厚みが１．２ｍｍとなるように、支持体１３の
厚みを設計するのが望ましい。

【００２０】記録層１２は、情報を読み出し、或いは情
報を記録乃至は書き換える機能を有した薄膜層である。
この記録層１２には、ランド部Ｌ又はグルーブ部Ｇのい
ずれか一方に情報が記録される。この記録層１２の材料
としては、相変化材料に代表される、記録前後において
反射率変化や屈折率変化、或いはその両方の変化を起こ
す材料、光磁気材料に代表される記録前後においてカー
回転角変化を起こす材料、色素材料に代表される記録前
後において屈折率変化や深さ変化又はその両方の変化を
起こす材料が用いられる。

【００２１】相変化材料の具体例としては、インジウ
ム、アンチモン、テルル、セレン、ゲルマニウム、ビス
マス、バナジウム、ガリウム、白金、金、銀、銅、アル
ミニウム、シリコン、パラジウム、錫、砒素などの合金
（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物
の例を含む）を用いることができ、特にＧｅＳｂＴｅ
系、ＡｇＩｎＴｅＳｂ系、ＣｕＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡ
ｌＳｂＴｅ系などの合金が好適である。これらの合金に
微量添加元素としてＣｕ、Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐ
ｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ｔｉ、Ｖ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種以上の
元素を合計で０．０１原子％以上１０原子％未満含有す
ることもできる。なお各元素の組成は、例えばＧｅＳｂ
Ｔｅ系としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、Ｇｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ₄、Ｇｅ
₈Ｓｂ₆₉Ｔｅ₂₃、Ｇｅ₈Ｓｂ₇₄Ｔｅ₁₈、Ｇｅ₅Ｓｂ₇₁Ｔｅ
₂₄、Ｇｅ₅Ｓｂ₇₆Ｔｅ₁₉、Ｇｅ₁₀Ｓｂ₆₈Ｔｅ₂₂、Ｇｅ₁₀
Ｓｂ₇₂Ｔｅ₁₈があり、ＧｅＳｂＴｅ系にＳｎ、Ｉｎ等の
金属を添加した系があり、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系として、
Ａｇ₄Ｉｎ₄Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₆、Ａｇ₄Ｉｎ₄Ｓｂ₆₄Ｔｅ₂₈、Ａ
ｇ₂Ｉｎ₆Ｓｂ₆₄Ｔｅ₂₈、Ａｇ₃Ｉｎ₅Ｓｂ₆₄Ｔｅ₂₈、Ａｇ
₂Ｉｎ₆Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₆、ＡｇＩｎＳｂＴｅ系にＣｕ、Ｆ
ｅ、Ｇｅ等の金属や半導体を添加した系がある。また、
ＣｕＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡｌＳｂＴｅ系などがある。

【００２２】また、光磁気材料の具体例としては、テル
ビウム、コバルト、鉄、ガドリニウム、クロム、ネオジ
ム、ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウ
ム、ホルミウム、プロセオジム、マンガン、チタン、パ
ラジウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウム、
錫などの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化
物、フッ化物の例を含む）を用いることができ、特にＴ
ｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどに代表さ
れるように遷移金属と希土類の合金で構成するのが好適
である。更に、コバルトと白金の交互積層膜を用いて記
録層１２としてもよい。

【００２３】また、色素材料の具体例としては、シアニ
ン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、
アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色素、ポリメチ
ン色素、アクリジン色素、ポルフィリン色素などを用い
ることができる。

【００２４】これら記録層１２の形成方法としては、気
相成膜法または液層成膜法を用いることができる。気相
成膜法の代表例としては抵抗加熱型や電子ビーム型の真
空蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリング、
反応性スパッタリング、イオンビームスパッタリン
グ、イオンプレーティング、ＣＶＤ法等を用いることが
できる。また液層成膜法の代表例としては、スピンコー
ト法や浸漬引き上げ法等を用いることができる。

【００２５】透光層１１は，収束した再生光を光学的歪
みの少ない状態で記録層１２に導く機能を有する。例え
ば、再生波長λにおいて透過率を７０％以上、望ましく
は８０％以上有した材料を好適に用いることができる。
この透光層１１は、光学的な異方性が少ないことが必要
であり、再生光の減少を抑制するために、具体的には複
屈折が９０度（垂直）入射ダブルパスにて±１００ｎｍ
以下、望ましくは±５０ｎｍ以下とした材料が用いられ
る。このような特性を有する材料としてポリカーボネー
トやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロース、二
酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネート・ポ
リスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、脂環式ポ
リオレフィン、ポリメチルペンテンなどの合成樹脂を用
いることができる。

【００２６】なお、透光層１１は、記録層１２を機械
的、化学的に保護する機能を有するようにしても良い。
このような機能を有する材料として、剛性の高い材料を
用いることができ、例えば透明セラミック（例えばソー
ダライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸
ガラス、石英ガラス）や熱硬化性樹脂、エネルギ線硬化
樹脂（例えば紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線
硬化樹脂）が好適に用いられる。なお透光層１１の厚み
は、情報記録担体１が傾斜した場合の収差を抑える観点
から０．４ｍｍ以下が望ましく、また記録層１２へのス
クラッチ傷を防止する観点から０．０５ｍｍ以上が望ま
しい。すなわち０．０５〜０．４ｍｍの範囲である。よ
り望ましくは０．０６〜０．１２ｍｍの範囲である。ま
た、厚みの一面中でのバラツキは、対物レンズのＮＡが
大きいことから、最大で±０．００３ｍｍが望ましい。
特に対物レンズＮＡが０．８５以上では望ましくは±
０．００２ｍｍ以下とする。更に、特に対物レンズＮＡ
が０．９では望ましくは±０．００１ｍｍ以下とする。

【００２７】次に、本発明の特徴である微細パターン２
０について図２を用いて説明する。前述したように、微
細パターン２０は、微視的に略平行な溝連続体からな
り、マクロ的に見ると、ライン状のみならず、同芯円状
であっても、螺旋状であってもよいものである。図２に
示すように、微細パターン２０における図１の凸部は、
ランド部Ｌ、図１の凹部は、グルーブ部Ｇとなり、ラン
ド部Ｌとグルーブ部Ｇが交互に平行を保って形成されて
いる。

【００２８】なお、ここでグルーブ部Ｇとは、「これで
わかる光ディスク」（特許庁編、社団法人発明協会２０
００年発行）に記載された表４．４−１の定義に従って
いる。すなわちグルーブ部Ｇは、「基板表面に記録トラ
ックを形成するために、あらかじめ螺旋状または同心円
状に設けられた凹状溝」である。またランド部Ｌも同様
に同書の定義に従う。すなわちランド部Ｌは、「基板表
面に記録トラックを形成するために、あらかじめ螺旋状
または同心円状に設けられた凸状部」である。なお、こ
こで「基板」とは、本発明での支持体１１に相当する名
称である。

【００２９】そして、グルーブ部Ｇとグルーブ部Ｇの間
隔をピッチＰ（ランド部Ｌとランド部Ｌの間隔も同様に
ピッチＰ）とすると、再生スポット径Ｓに対して、Ｐ≦
Ｓの関係を満たすようになっている。なお、ここで再生
スポット径Ｓは、再生に用いるレーザ光の波長λと対物
レンズの開口数ＮＡから、Ｓ＝λ／ＮＡで計算される。
言い換えれば、ピッチＰは、Ｐ≦λ／ＮＡの関係を満た
すようになっている。例えば先述の青紫レーザを使用す
るとλは３５０〜４５０ｎｍの範囲であり、高ＮＡレン
ズを使用するとＮＡは０．７５〜０．９となるから、ピ
ッチＰは２５０〜６００ｎｍに設定される。さらにＨＤ
ＴＶ（ＨｉｇｈＤｅｆｉｎｉｔｉｏｎＴｅｌｅｖｉｓ
ｉｏｎ）によるデジタル画像を２時間前後収録すること
を考慮した場合には、ピッチＰは２５０〜４５０ｎｍが
望ましい。特にＮＡが０．８５〜０．９とした場合に
は、２５０〜４００ｎｍが特に望ましい。特にＮＡが
０．８５〜０．９であるとともに、λを３５０〜４１０
ｎｍとした場合には、２５０〜３６０ｎｍが特に望まし
い。なおグルーブ部Ｇの深さは、λ／８ｎ〜λ／２０ｎ
が相応しい。なお、ここでｎは透光層１１のλにおける
屈折率である。特に記録層１２の反射率が微細パターン
２０の存在によって減少することから、グルーブ部Ｇの
深さは浅い方が望ましく、再生信号のジッターを劣化さ
せないための限界としてλ／１０ｎ以下が適切である。
また、ランド部Ｌまたはグルーブ部Ｇにトラッキングを
行う際のプッシュプル信号の出力がグルーブ部Ｇの深さ
と共に増大するから、トラッキングの可能な限界値とし
て、λ／１８ｎ以上が適切である。すなわちλ／１０ｎ
〜λ／１８ｎが好適である。

【００３０】このように、本発明なる情報記録担体１
は、記録層１２のグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌのいずれか
一方に記録を行うようにしたので、記録が距離を置いて
行われ、クロスイレースが低減される。そしてＰ≦Ｓと
したので、記録密度の減少も抑えられる。なお、ここで
クロスイレース現象について、従来の情報記録担体１０
０と比較して評価を行った結果を紹介する。記録層１２
の材料に相変化材料を用いた情報記録担体について、第
２トラックに記録、再生してその出力を測定後、第１ト
ラックと第３トラックに１０回ずつ第２トラックとは別
の周波数で記録を行って、再度第２トラックの出力を測
定した。そして再生した出力差をクロスイレース量とし
て定義すると、従来の情報記録担体１００では最大で−
５ｄＢものクロスイレースが認められたのに対し、本発
明の情報記録担体１では、−２ｄＢ程度のクロスイレー
スに抑えられた。言い換えれば本発明なる情報記録担体
１を用いれば、従来の情報記録担体１００に比較して、
３ｄＢもクロスイレースが改善されることになる。

【００３１】また、記録層１２の材料に光磁気材料を用
いた場合についても同様な評価を行ったところ、従来の
情報記録担体１００では、４ｄＢの出力減少があるのに
対して、本発明の情報記録担体１では、１ｄＢの出力減
少しかなかった。言い換えれば、光磁気材料の場合であ
っても、本発明なる情報記録担体１を用いれば、従来の
情報記録担体１００に比較して、３ｄＢもクロスイレー
スが改善されることになる。

【００３２】更に、記録層１２の材料に色素材料を用い
た場合についても同様な評価を行ったところ、従来の情
報記録担体１００では、１２ｄＢもの大幅な出力減少が
あるのに対して、本発明の情報記録担体１では、２ｄＢ
の出力減少しかなかった。言い換えれば、色素材料の場
合であっても、本発明なる情報記録担体１を用いれば、
従来の情報記録担体１００に比較して、１０ｄＢもクロ
スイレースが改善されることになる。

【００３３】ところで、本発明なる情報記録担体１は、
記録層１２のグルーブ部Ｇまたはランド部Ｌのいずれか
に情報が記録された情報記録担体であるが、そのどちら
に情報を記録する方が再生上相応しいか検討したとこ
ろ、ランド部Ｌに記録した方が、エラーレートが少な
く、書き換え特性も優れるということが分かった。この
ことは、ランド部Ｌがグルーブ部Ｇよりも透光層１１に
近い側であり、再生光及び記録光が透光層１１側から入
射することを考えると、ランド部Ｌ領域は記録層１２を
構成する材料の熱流動がある程度抑えられるためではな
いかと考えられる。

【００３４】以上のように本発明の第１実施形態によれ
ば、グルーブ部Ｇ間又はランド部Ｌ間のピッチをＰ、レ
ーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとする
時、微細パターン２０をピッチＰ≦λ／ＮＡとなるよう
に形成し、かつランド部Ｌまたはグルーブ部Ｇのいずれ
か一方に記録を行う構成としたので、クロスイレースを
低減することができると共に高密度記録された情報記録
担体が得られる。また本発明の第２実施形態によれば、
本発明の第１実施形態のうち、ランド部Ｌに選択的に記
録することによってエラーレートが少なく、書き換え特
性も優れる情報記録担体が得られる。

【００３５】次に、本発明なる情報記録担体１の第２の
目的である、アドレス埋め込み方法について説明する。
なお以降は本発明をランド部Ｌ記録に特定して説明を行
う。記録型の情報記録担体では、ユーザーの求める任意
の場所に正確に記録することが求められる。図２に平面
図で示したようなグルーブ部Ｇとランド部Ｌが交互に形
成されただけの情報記録担体では、記録装置または再生
装置との相対位置に基づく位置出ししか行えず、正確さ
を欠く。従って、微細パターン２０のどこかにアドレス
情報を埋め込むことが必要になる。例えば公知の光ディ
スクのように、グルーブ部Ｇとランド部Ｌの交互構成
を、あるマクロな間隔毎（例えばミリオーダーの間隔
毎）に自由平面に置き換え、そこに複数の長さを有する
ピットを配置することが考えられる。そしてそのピット
の長さの組み合わせによって、アドレス情報となす。こ
のような自由平面におけるピットの読み取りは、ＣＤと
同様に深さを位相変化として読み出せるので、容易な方
法である。しかしながらこのような自由平面をアドレス
領域として設けると容量の損失が大きくなる。読み出し
信頼性を考慮すると、それは約１０％の損失であり、許
容しがたい。

【００３６】そこで情報記録担体１の第２の発明では、
このランド記録に相応しいアドレス埋め込み方法を提案
する。図３は本発明なる情報記録担体１の微細パターン
構造を平面図で示したものである。すなわち平行に設け
られたランド部Ｌとグルーブ部Ｇと、グルーブ部Ｇを切
断して設けられたアドレスピットＡＰから少なくともな
る。アドレスピットＡＰは孤立した有限の長さを有する
ピットであり、その高さはランド部Ｇとほぼ同じになる
ように設けられている。そしてアドレスピットＡＰは情
報記録担体１全面に分散して記録されている。アドレス
ピットの長さＡＰＬは単一であっても複数種類あっても
よい。例えば複数の長さを有する場合には、マーク長記
録と同様、コードを長さ情報として扱って、アドレス情
報を記録する。なお埋め込まれたアドレス情報は公知の
２分割ディテクター、または４分割ディテクターによっ
てプッシュプル再生すれば検出することが容易である。
すなわち図３に示すが如くランド部Ｌで記録再生を行う
と、グルーブ部Ｇはオフセンターの位置にあるので、左
右の出力の差分を取ることによって、アドレスピットＡ
Ｐの検出が可能なのである。なお、アドレスピットＡＰ
のランド部Ｌに対する相対位置は任意であり、例えばデ
ィスク状の情報記録担体１である場合は、アドレスピッ
トＡＰはランド部Ｌに対して外周側に設けられていて
も、内周側に設けられていても構わない。

【００３７】ところで、情報記録担体１には、記録によ
って様々な長さのマークＭが記録される。マークＭはア
ドレスピットＡＰと隣接する場合があるので、マークＭ
の読み取り時にある確率で干渉（クロストーク）を与え
る。アドレスピット長さＡＰＬが複数種類ある場合には
このクロストーク量が変動することになるため、マーク
Ｍのジッター（時間軸方向のゆらぎ）が増大したり、エ
ラーレートが著しく悪化することがある。つまりアドレ
スピット長さＡＰＬが複数種類ある場合は、情報記録担
体１の記録密度をある程度下げざるを得なくなる。

【００３８】本発明なる情報記録担体１の第３の発明
は、アドレスピット長さＡＰＬを一定の長さとする情報
記録担体を提供する。アドレスピットＡＰは情報記録担
体１に分散して記録されており、その長さＡＰＬは単一
である。あらかじめ定めたテーブル規則によって、アド
レス情報が記録される。例えば所定の等間隔毎にアドレ
スピットＡＰを設けることができるようになっており、
その場所におけるアドレスピットＡＰの有無によってア
ドレス情報を記録する。あるいはマークポジション記録
と同様、各アドレスピットＡＰ間の距離を可変してアド
レス情報を記録する。これらのことによって、複数の長
さを有したデータを記録することができる。以上述べた
ように、アドレスピット長さＡＰＬが単一長さであるこ
との効果は、クロストークを最小限に抑えることがで
き、記録密度の低下を防ぐことが可能ということであ
る。

【００３９】本発明なる情報記録担体１の第４の発明
は、クロストークを最小限に抑える寸法条件を提供する
ものである。本出願人はアドレスピット長さＡＰＬに着
目し、実験的に検討した結果、アドレスピット長さＡＰ
Ｌを再生スポット径Ｓ以下とすることによって、記録密
度を落とす必要がないことを見出した。言い換えれば、
情報記録担体１の設計時点でアドレスピット長さＡＰＬ
が再生スポット径Ｓ以下となるように、λ、ＮＡ、ＡＰ
Ｌを選定すれば、従来の記録再生システムを損なわずに
アドレス情報を埋め込むことができる。

【００４０】以上述べたように、本発明なる情報記録担
体１は、Ｐ≦Ｓに設計したランド記録とすることによっ
てクロスイレースを低減した情報記録担体を提供するこ
とができる。そしてグルーブ部Ｇを切断して、孤立した
有限の長さのアドレスピットＡＰを設けることによっ
て、記録容量の減少を抑制した情報記録担体を提供する
ことができる。またアドレスピットＡＰの長さＡＰＬを
一定としたことによって、記録マークＭとアドレスピッ
トＡＰのクロストーク量を一定とした情報記録担体を提
供することができる。またアドレスピットＡＰの長さＡ
ＰＬを、ＡＰＬ＜Ｓに設計することによって、クロスト
ーク量を最小限にし、記録容量を減少させずにアドレス
ピットＡＰを埋め込んだ情報記録担体を提供することが
できる。

【００４１】なお、図２、３を用いて説明した情報記録
担体１は本発明の基本的な構成を示す一例であって、こ
の平面図に限るものではない。例えば、大局的に見れば
グルーブ部Ｇとグルーブ部Ｇ、ランド部Ｌとランド部
Ｌ、グルーブ部Ｇとランド部Ｌは互いに平行であるが、
クロックを埋め込むために、これらが微小に蛇行しても
よい。例えばこれら溝が所定の周波数のクロックを埋め
込むために、図４に図示するように正弦波状に蛇行して
いてもよい。ここでグルーブ部Ｇとランド部Ｌはそれぞ
れ、Δの幅（ｐｅａｋｔｏｐｅａｋ）で蛇行してい
る。そして再生にあたっては、プッシュプル信号を読み
取ることにより、正弦波をそのまま取り出すことができ
るので、正弦波周波数に応じたクロックを抽出すること
ができる。本発明なる情報記録担体１の第５の発明は、
これら溝蛇行をΔ＜Ｐの範囲で形成するものである。こ
のように形成すると、隣接トラックと物理的に接触しな
いので、再生時の蛇行周波数毎の出力変動を抑えること
ができる。具体的に、情報記録担体１の記録層１２に相
変化記録材料を選択し、反射率の高低差によって記録を
行う場合には、反射率の低い物理状態（例えばアモルフ
ァス状態）であっても、Δ＜Ｐとし、さらに０．０１Ｓ
≦Δであれば、クロックを抽出することができる。ただ
し、０．１Ｓ＜Δの場合には、隣接トラックのクロスト
ークの影響が現れ、正弦波信号の時間軸方向の揺らぎが
発生し、クロックの抽出は可能であるものの、安定性が
劣化した。従って、Δ＜Ｐであり、特にΔ＜Ｐ且つ、
０．０１Ｓ≦Δ≦０．１Ｓの関係を満たす条件が最も相
応しいといえる。

【００４２】また、情報記録担体１がディスク状である
場合には、前記した蛇行は線速度一定（constant linea
r velocity、ＣＬＶ）、または角速度一定（constant a
ngular velocity、ＣＡＶ）で記録されている。例えば
ＣＬＶで記録された場合には、ディスク面内全域で同じ
線速度が保たれる。このようにすると、蛇行したグルー
ブ部Ｇ、ランド部Ｌは、ほとんどの場合、互いに非平行
となる。しかし、例えば先述のように、記録層１２のラ
ンド部Ｌに記録を行うとすると、ランド部Ｌから基準ク
ロックを抽出することが必要になるから、ランド部Ｌに
クロックとなる正弦波が記録される。従って、図５の拡
大平面図に示したように、ランド部Ｌの両側壁は互いに
平行にすることが必要である。すなわち図５ではランド
部Ｌを３本、グルーブ部Ｇを２本図示しており、ランド
部Ｌの内周側側壁をＬｉ、外周側側壁をＬｏとして図示
している。また同様にグルーブ部Ｇの内周側側壁をＧ
ｉ、外周側側壁をＧｏとする。ここで、ＬｉとＧｏ、Ｌ
ｏとＧｉは同じ壁面を指している。そしてクロックは正
弦波信号としてランド部ＬにＣＬＶ記録でされるから、
図示したとおり、３つのランド部Ｌ同士はほとんどの場
合、互いに平行にはならない。しかしながら、両側壁か
ら各々の位相ずれに伴う混信を避けて正弦波信号を正し
く抽出するためには、ランド部Ｌの内周側側壁Ｌｉと外
周側側壁Ｌｏは互いに常に平行になるように作成するこ
とが必須となる。これは逆の見方をすると、残りの部分
であるグルーブ部Ｇを構成するグルーブ部Ｇの内周側側
壁Ｇｉと外周側側壁Ｇｏは、平行にならないことを意味
する。

【００４３】また、例えばＣＡＶの場合には、ディスク
面内全域で同じ角速度が保たれている。このようにする
と、蛇行したグルーブ部Ｇ及びランド部Ｌは互いに常に
完全平行とすることができるので、隣接溝とのクロスト
ーク量は常に一定となり、この結果、蛇行周波数の出力
変動及び時間軸方向の変動を、最小限に抑制した理想的
な再生を行うことができる。すなわち、図６の拡大平面
図に示したように、角速度の性質から、ランド部Ｌ同士
が平行になると同時に、グルーブ部Ｇ同士も平行とな
る。図６ではランド部Ｌを３本、グルーブ部Ｇを２本図
示しており、ランド部Ｌの内周側側壁をＬｉ、外周側側
壁をＬｏとする。また同様にグルーブ部Ｇの内周側側壁
をＧｉ、外周側側壁をＧｏとする。ここでランド部Ｌの
内周側側壁Ｌｉとグルーブ部Ｇの外周側側壁Ｇｏ、ラン
ド部Ｌの外周側側壁Ｌｏとグルーブ部Ｇの内周側側壁Ｇ
ｉは同じ壁面を指している。例えば先述のように、記録
層１２のランド部Ｌに記録を行うとすると、ランド部Ｌ
からクロックを抽出することが必要になるから、ランド
部Ｌにクロックとなる正弦波が記録される。そしてその
クロックはＣＡＶで記録されるから、図６のとおり、３
つのランド部Ｌは、完全に平行となる。同時に残りの部
分である、グルーブ部Ｇも完全に平行となる。すなわ
ち、正弦波信号を正しく抽出するためにランド部Ｌの内
周側側壁Ｌｉと外周側側壁Ｌｏは互いに平行になるよう
に作成することが必須となるが、ＣＡＶ記録では同時に
グルーブ部Ｇの内周側側壁Ｇｉと外周側側壁Ｇｏも互い
に平行になるように作成される。

【００４４】言い換えれば、ＣＬＶ記録、ＣＡＶ記録い
ずれであっても、ランド部Ｌ記録においては、少なくと
もランド部Ｌを構成する両側壁、すなわちランド部Ｌの
内周側側壁Ｌｉ及び外周側側壁Ｌｏは互いに平行である
ことが必要である。そして特にＣＡＶ記録においては、
ランド部Ｌのみならず、グルーブ部Ｇを構成する両側壁
ＧｉとＧｏも互いに平行であり、ランド部Ｌの内周側側
壁Ｌｉ、ランド部Ｌの外周側側壁Ｌｏ、グルーブ部Ｇの
内周側側壁Ｇｉ、グルーブ部Ｇの外周側側壁Ｇｏがすべ
て平行となる。

【００４５】ところで、ＣＡＶ記録では、ディスク全面
を一定の角速度で構成するのみならず、半径毎に異なる
ゾーンを形成し、そのゾーン内では一定角速度でありな
がらも、各ゾーン間では角速度が異なるようにしてもよ
い。

【００４６】なお、アドレス情報は、先述のとおり、ア
ドレスピットＡＰに埋め込まれているが、補完する意味
でランド部Ｌの側壁にも振幅変調（ＡＭ）、周波数変調
（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）またはこれらの変形によっ
て記録されていてもよい。具体的には、振幅変調（Ａ
Ｍ）では正弦波の有無によってアドレス情報の１、０が
表現される。また周波数変調（ＦＭ）では、正弦波の周
波数を２つ設定しておき、その周波数の高低によって、
アドレス情報の１、０が表現される。また位相変調（Ｐ
Ｍ）では、正弦波の位相角度を２つ設定しておき、その
位相角度の大小によって、アドレス情報の１、０が表現
される。なお、これら変調による信号波形は、そのまま
ランド部Ｌの側壁の蛇行として形状記録される。

【００４７】ところで、アドレス情報を側壁に蛇行変調
記録するのは、必然的に正弦波蛇行により記録された基
準クロックを部分的に寸断して行うことになるが、これ
ら変調方式を採用することにより、アドレス情報を高効
率に記録することが可能であるので、寸断を充分短い領
域（距離、時間）に留めることができる。なお、これら
側壁に変調記録形成されたアドレス情報は、正弦波によ
るクロック埋め込みと同様に、プッシュプル信号で読み
取ることができる。従って、特に記録層１２のランド部
Ｌに記録を行う場合には、先述のクロック埋め込みと同
様の理由により、ランド部Ｌの両側壁（図５、図６中の
Ｌｉ及びＬｏ）が互いに平行となるように振幅変調（Ａ
Ｍ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）等のアド
レス情報記録がなされる。

【００４８】なお、これらの変調によるアドレス情報に
対し、クロック形成用の正弦波を重畳して記録していて
もよい。このような場合にはクロックが途切れることな
く形成することになるので、常に安定したクロックを抽
出できるという利点がある。ただし、復号にあたって
は、バンドパスフィルタ等を用い、クロックの正弦波と
アドレス情報の変調波を分離することが必要である。

【００４９】なお、アドレス情報は、振幅変調（Ａ
Ｍ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）から１つ
の変調方式を選択して側壁記録するのみならず、２つ乃
至３つの変調方式を選択して異なる領域にそれぞれ側壁
記録するようにしてもよい。また２つの変調方式を選択
して、同じ領域に重畳して側壁に記録するようにしても
よい。

【００５０】ところで、アドレスピットＡＰまたはラン
ド部Ｌの側壁に形成されるアドレス情報は、高度に分解
して分散記録されたものであってもよい。例えばダミー
データ「１０１」と組み合わせて、「１０１Ｘ」（Ｘは
０か１）というデータの組み合わせで記録し、一定間隔
毎にこのデータ列を配置する記録方法である。すなわち
図７に示すように、データトリガＴｒとして「１０１」
が一定間隔ごと（ここでは１１ビットごと）に配置さ
れ、それに続けてＸが配置されている。つまりデータト
リガＴｒ直後のＸのみを抽出すれば、データを復元でき
る。この例では、「１」をデータと考えると、データ
有、無、有の順に復元できるので、アドレス情報として
は「１０１」が再生できる。この記録方法は、扱うデー
タ列を時間をかけて読み込んでもよいフォーマットの場
合に有効である。

【００５１】なお、この方式の変形として、図８に示す
ようにデータトリガＴｒと、データを所定のビット間隔
分、離して形成してもよい。ここではデータトリガＴｒ
が「１１」であり、１１ビットごとに配置されている。
そしてデータは「１０１」の有無で一定間隔ごとに記録
されている。すなわちデータトリガＴｒに続いて、４ビ
ットめから６ビットめのデータを取り込むことによっ
て、１ビットのデータが復元される。できる。この例で
は、データ有、無、有の順に復元できるので、アドレス
情報としては「１０１」が再生できる。この記録方法
は、データトリガＴｒと、データが離れているので、読
み誤りを減らすことができる。

【００５２】また、高度分散記録の第３の例としては、
第１の特定データパターン（例えば「１１」）を一定間
隔毎に配置（記録）しておく。そして第２の特定データ
パターン（例えば「１０１」）を、第１の特定データパ
ターンの間に配置する。第２の特定データパターンを配
置する位置は、第１の特定データパターンに対して、所
定のビット（距離、時間）進んだ位置とし、特に２通り
の位置を割り当てておく。すなわち図９の例のように示
すように、第１の特定データパターンとして、データト
リガＴｒ「１１」が一定間隔ごと（ここでは１１ビット
ごと）に配置され、その間に第２の特定データパターン
「１０１」が配置されている。この第２の特定データパ
ターンの配置位置は、３ビットめから５ビットめ、また
は５ビットめから７ビットめの２通りが用意されてい
て、そのどちらの位置に配置されているか判定して復号
を行う。この例では、３ビットめ開始、５ビットめ開
始、３ビットめ開始の順に配置されているから、アドレ
ス情報としては「１０１」が再生できる。この記録方法
は、データ「１０１」が読み取れるかどうかを信頼性判
定の基準の一つに追加できることから、特にアドレス情
報に高い信頼性を持たせたい時に有効な方法である。

【００５３】なお、上記高度分散記録の第３の例の説明
では、第１の特定データパターンと第２の特定データパ
ターンを用いて、その位置差を用いた分散記録の方法を
説明したが、特定データパターンとして極めて読み取り
精度の高いパターンを用意できる場合には、第１の特定
データパターンと第２の特定データパターンは同じもの
としてもよい。すなわち一定時間間隔で記録された特定
データパターンに対して、その時間間隔よりも短い特定
パターンを抽出し、さらにその距離間隔（時間間隔）を
測定することによって、復号するようにしてもよい。具
体的には例えば図１０に示すように、第１の特定データ
パターンとして、データトリガＴｒ「１１」が一定間隔
ごと（ここでは１１ビットごと）に配置され、その間に
Ｔｒと共通である第２の特定データパターン「１１」が
配置されている。この第２の特定データパターンの配置
位置は、３ビットめから５ビットめ、または５ビットめ
から７ビットめの２通りが用意されていて、そのどちら
の位置に配置されているかを判定して復号を行う。この
例では、３ビットめ開始、５ビットめ開始、３ビットめ
開始の順に配置されているから、アドレス情報としては
「１０１」が再生できる。この記録方法は、特定データ
パターンを１つ用意すればよいだけであるので、再生回
路を簡素化できる利点がある。

【００５４】以上、各種高度分散記録について説明して
きた。すなわちこの記録方法によれば、（いずれの方法
にしても）アドレス情報は、１ビットずつに分解された
データとして記録される。具体的には、まず数ビット程
度のダミーデータをデータトリガＴｒとして用意する。
続いて単一データの連続からなるデータ列（例えば０の
連続）を用意し、データトリガＴｒが一定間隔ごとに配
置されるように、一旦単一データ列で接続する。そして
１ビットずつに分解されたアドレス情報は、単一データ
列の一部を、所定の規則によって変換するように記録さ
れる。すなわち、そしてデータトリガＴｒより所定の距
離進んだ位置のビットを所定の規則によって変換して記
録される。

【００５５】一方、再生にあたっては、アドレスピット
ＡＰまたはランド部Ｌの側壁から一旦すべてのデータが
取り出され、そのデータ列より、一定間隔ごとに配置さ
れたデータトリガＴｒが検出される。そしてデータトリ
ガＴｒを除いたデータから、所定の規則と照合して、１
ビットのデータを抽出する。そして抽出した１ビットデ
ータを集積してアドレス情報が復元される。

【００５６】以上、本発明なる高度分散記録方法と再生
方法について記した。なお、アドレスピットＡＰを使用
したアドレス情報記録にあたっては、先述したようにそ
の長さＡＰＬは一定としておく。特に正弦波蛇行溝とア
ドレスピットＡＰを共存させる場合には、その相対位相
関係を一定としておくと、検出が容易になる。この位相
関係は、０〜３６０度まで任意の角度で設定してよい
が、例えばアドレスピットＡＰは、正弦波蛇行溝に対し
て１８０度の位置を割り当てておく。このようにする
と、再生したプッシュプル信号は正弦波信号のセンター
ラインにアドレスピット信号が突出した形状となる。正
弦波から作り出されたクロック信号から、１８０度の位
相近傍にゲートトリガーを形成することができるので、
このゲートにアドレスピット信号が飛び込んできたとき
に、これを信号として取り出すことができる。

【００５７】この位相関係の最も好ましい例は、先に図
４に示したような、正弦波蛇行溝に対して、９０度の位
置を割り当てておくものである。このように構成する
と、そのプッシュプル信号は、正弦波信号の上にアドレ
スピット信号が突出した形状となるので、再生信号を正
弦波最大レベル以上の電圧にてスライスするだけで、ア
ドレスピット信号を抽出することができる。もちろん先
述の位相ゲートと組み合わせれば、その信頼性はさらに
増すことになる。

【００５８】ところで、アドレス情報には０の連続、ま
たは１の連続が多く、読み出しデータ列に直流成分が生
じる可能性がある。これを回避するために、あらかじめ
データをベースバンド変調して記録する方法を取っても
よい。即ちアドレスピットＡＰに記録するデータ列や、
ランド部Ｌの側壁に蛇行変調して記録するデータ列を、
あらかじめ別のコードに置き換えて、０と１の連続を一
定値以下にする。そのような方法として、マンチェスタ
符号、ＰＥ変調、ＭＦＭ変調、Ｍ２変調、ＮＲＺＩ変
調、ＮＲＺ変調、ＲＺ変調、微分変調などがあり、これ
らを単独または組み合わせて用いることができる。

【００５９】本発明なる情報記録担体１に特に相応しい
ベースバンド変調の方法として、マンチェスタ符号（バ
イフェイズ変調、二相変調）がある。これは記録しよう
とするデータ１ビットに対して、図１１のように２ビッ
トを当てはめる方法である。即ち記録しようとするデー
タ０に対して００または１１を、データ１に対して０１
または１０を割り当てる。そしてデータの接続に際して
は、必ず前の符号の反転符号から入るようにする。

【００６０】その結果、図１２に示すように、１０００
０１というアドレス情報は、００１０１０１０１０１１
という符号列になる。オリジナルのアドレス情報は、０
の連続を４つ含み、また、０の出現確率は、１の２倍と
なった非対称なデータである。それに対し変調を行う
と、０または１の連続は、最大２つで済み、また０と１
の出現確率は等しい対称なデータに変換される。このよ
うに同一ビットの連続が一定値以下に制限されるような
ベースバンド変調は、その読み取りの安定性を向上させ
る効果があるので、長いアドレス情報を扱う際に相応し
い前処理となる。

【００６１】以上、アドレスの埋め込み方法について、
縷々説明してきた。なお、記録されるアドレス情報と
は、情報記録担体１の全面に対して割り当てられた絶対
アドレス、部分領域について割り当てられた相対アドレ
ス、トラック番号、セクタ番号、フレーム番号、フィー
ルド番号、時間情報、エラー訂正コードなどから選ばれ
るデータであり、例えば１０進法または１６進法によっ
て記述されたものを２進法に変換した情報（例えばＢＣ
Ｄコードやグレイコード）である。

【００６２】なお、アドレスピットＡＰ記録や側壁変調
記録は、それが分散した記録方法であっても比較的多量
のデータを扱えるので、アドレス情報に限らず、その他
副情報をも扱うことができる。例えば情報記録担体の種
別、情報記録担体のサイズ、情報記録担体の想定記録容
量、情報記録担体の想定記録線密度、情報記録担体の想
定記録線速度、情報記録担体のトラックピッチ、記録ス
トラテジ情報、再生パワー情報、製造者情報、製造番
号、ロット番号、管理番号、著作権関連情報、暗号作成
のためのキー、暗号解読のためのキー、暗号化されたデ
ータ、記録許可コード、記録拒否コード、再生許可コー
ド、再生拒否コードなどから少なくとも選ばれた特定情
報を挙げることができ、これらデータ用のエラー訂正コ
ードを伴っていてもよい。

【００６３】また、アドレスの記録様式と、記録層１２
に記録される信号様式との関連については特に触れない
で説明してきたが、これらは互いに関連を持った信号様
式としてもよい。例えば、アドレスピットＡＰの配置さ
れる位置が、記録層１２に記録される信号様式と関連が
あり、アドレスピットＡＰの配置される位置が、記録層
１２に記録される信号の同期信号の位置と一致していて
もよい。すなわち、記録層１２への記録がランド部Ｌに
行われるとすると、ランド部Ｌに記録される同期信号
と、アドレスピットＡＰが平行になるように配置しても
よい。記録層１２に記録される同期信号は一定距離（時
間）毎に配置されるので、これとアドレスピットＡＰが
シンクロすると記録層１２への記録時の位置精度は飛躍
的に向上するからである。また先述したとおり、アドレ
スピットＡＰは、記録信号へ干渉する性質があるから、
読み取り性能の高い、ユニークなコードを同期信号に割
り当てるならば、干渉によるエラーは相対的に少なくで
きるので、さらに望ましいことになる。なおここで、ユ
ニークなコードとは、予め定めた変調テーブルには現れ
ないコードを指し、例えば記録層１２に記録される信号
の変調方式をＥＦＭプラスとした場合には、０００１０
０１００１０００１００・０００００００００００１０
００１などを用いることができる。

【００６４】ところで、本発明は図１〜図１２の説明な
る情報記録担体１に限定されるものではない。本発明の
趣旨に則った種々変形や応用が可能である。図面で示し
た実施例はお互いに構成要素を入れ替えることも可能で
あるし、本文で記載した別の構成要素と交換することも
可能である。また、図１を用いて説明した情報記録担体
１は本発明の基本的な構成を示す一例であって、この断
面図に限るものではない。すなわち本発明の要点に則っ
て、様々な断面構造の情報記録担体に応用することが可
能である。

【００６５】図１３〜１５は本発明を適応した情報記録
担体の応用例である。例えば図１３に示すように、図１
に記載した透光層１１が透光層１１ａと接着性透光層１
１ｂとからなり、これ以外は同一とすることもできる。
なおここで透光層１１ａは、前記した透光層１１と同様
のものである。そして接着性透光層１１ｂは、記録層１
２と透光層１１ａを強固に接着するための層であり、波
長λの光を７０％以上、望ましくは８０％以上透過し、
接着性または粘着性のある熱硬化樹脂、各種エネルギ線
硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬
化樹脂の例を含む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹
脂、溶剤含有熱可塑性樹脂などを用いることができる。
この接着性透光層１１ｂの厚みは接着力が発現する最低
厚みとして０．００１ｍｍ以上、接着性材料の応力割れ
の発生防止を考慮して０．０４ｍｍ以下が望ましく、
０．００１ｍｍ以上、０．０３ｍｍ以下がより望まし
い。更に望ましくは０．００１ｍｍ以上、０．０２ｍｍ
であるが、情報記録担体２全体の反りをも考慮すると、
０．００１ｍｍ以上、０．０１ｍｍ以下が最も望まし
い。

【００６６】また、例えば図１４に示すように、図１に
記載した微細パターン２０の刻まれた支持体１３を、平
坦な支持体１３と微細パターン２１が形成された樹脂層
１４の２層構造体に置き換えてもよい。なおこの樹脂層
１４は、熱硬化樹脂、各種エネルギ線硬化樹脂（紫外線
硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹脂の例を含
む）、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹脂、溶剤含有熱
可塑性樹脂などを用いることができる。この樹脂層１４
には、再生光が届かないので、透過率は限定されない。
樹脂層１４の厚さは、情報記録担体３全体の反りを考慮
すると０．０２ｍｍ以下が望ましい。

【００６７】また、例えば図１４に示すように、図１に
記載した微細パターン２０の刻まれた支持体１３を、平
坦な支持体１３と微細パターン２２を有したパターン転
写層１５の２層構造体に置き換え、更に透光層１１を図
５同様に接着性透光層１１ｂと透光層１１ａとからなる
構成に置き換えてもよい。ここでパターン転写層１５と
は、微細パターン２２を具備するための極めて厚みの薄
い膜である。このパターン層１５の材料としては、金属
やその合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化
物、フッ化物の例を含む）や樹脂から選ばれ、その厚み
は５〜２００ｎｍ程度が選ばれる。樹脂の代表例として
は、アルカリ現像可能なノボラック感光樹脂、アルカリ
現像可能なポリヒドロキシスチレン感光樹脂などがあ
る。

【００６８】また、図１乃至図１５に示した情報記録担
体１乃至４の各構成要素は、再生特性を劣化させない範
囲内で相互に入れ替えまたは組み合わせてもよい。例え
ば情報記録担体１乃至４を２枚用意し、支持体１３同士
を互いに対向させて貼り合わせてもよい。また情報記録
担体１乃至４の透光層１１上に、記録層１２と透光層１
１をセットでもう一層ずつ重ねてもよい。このようにす
れば、情報記録担体１乃至４の容量を約２倍に増すこと
ができる。また記録層１２と透光層１１のセットの積層
を複数回繰り返して、多層の情報記録担体としてもよ
い。

【００６９】また、記録層１２は、図面上単層で示した
が、記録特性や再生特性を向上させる目的や保存安定性
向上の目的等で、複数の薄膜材料で構成してもよい。例
えば補助膜として、例えばシリコン、タンタル、亜鉛、
マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、クロム、ジ
ルコニウムなどの合金（酸化物、窒化物、炭化物、硫化
物、フッ化物の例を含む）や高反射膜（アルミニウム、
金、銀やこれらを１つ以上含む各種合金などのヒートシ
ンク材料）を併用して積層してもよい。特に記録層１２
を相変化材料とした場合には、補助膜を併用して反射率
を１２〜２４％とすることにより、記録特性、再生特
性、保存安定性、及び再生安定性を格段に向上させるこ
とができる。

【００７０】更に、図示しないが、透光層１１の記録層
１２とは反対側に公知の静電気防止層、潤滑層、ハード
コート層などを形成してもよい。潤滑層の具体的な材料
としては、炭化水素高分子にシリコンやフッ素を修飾
し、表面エネルギを調整した液体潤滑剤を用いることが
できる。なお潤滑層の厚みは、０．１ｎｍ〜１０ｎｍ程
度が望ましい。

【００７１】また、ハードコート層の具体的な材料とし
ては、波長λの光を７０％以上透過する熱硬化樹脂、各
種エネルギ線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹
脂、電子線硬化樹脂の例を含む）、湿気硬化樹脂、複数
液混合硬化樹脂、溶剤含有熱可塑性樹脂を用いることが
できる。

【００７２】なお、ハードコート層は、透光層１１の耐
摩耗性を考慮して、ＪＩＳ規格Ｋ５４００の鉛筆ひっか
き試験値がある一定以上値であることが望ましい。情報
記録担体再生装置の対物レンズの最も硬い材料はガラス
であり、これを考慮するとハードコート層の鉛筆ひっか
き試験値は、Ｈ以上が特に望ましい。この試験値以下で
あるとハードコート層が削れることによる塵埃の発生が
著しくなり、エラーレートが急激に悪くなるからであ
る。また、ハードコート層の厚みは、耐衝撃性を考慮し
て０．００１ｍｍ以上が望ましく、また情報記録担体１
全体の反りを考慮して０．０１ｍｍ以下が望ましい。

【００７３】また、ハードコート層の別の材料として、
波長λの光を７０％以上透過し、鉛筆ひっかき試験値Ｈ
以上のカーボン、モリブデン、シリコンなどの単体やそ
の合金（酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、炭化物の
例を含む）を用いることもできる（膜厚１〜１０００ｎ
ｍ）。

【００７４】更にまた、図示しないが、支持体１３の記
録層１２とは反対側にレーベル印刷を施してもよい。印
刷材料には例えば、各種顔料や染料を含んだ各種エネル
ギ線硬化樹脂（紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子
線硬化樹脂の例を含む）を好適に用いることができ、視
認性を考慮して０．００１ｍｍ以上が望ましく、また、
情報記録担体１、２、３、４全体の反りを考慮して０．
０５ｍｍ以下が望ましい。

【００７５】また微細パターン２０、２１、２２のう
ち、グルーブ部Ｇとランド部Ｌはそれぞれ平坦とした
が、これに限るものではない。例えばグルーブ部Ｇ、ラ
ンド部Ｌの少なくとも一方が、その断面図において、Ｖ
形状、またはΛ形状としてもよいものである。

【００７６】また、アドレスピットＡＰの記録はアドレ
ス情報や副情報を扱い、ランド部Ｌの蛇行形成による側
壁記録は正弦波による基準クロックを主に扱うとしてき
た。しかし本発明はこれに限らず、それぞれの役割を逆
転させてもよい。すなわちアドレスピットＡＰを、基準
クロックを生成するために一定距離（時間）毎に配置す
るように用い、ランド部Ｌの蛇行形成による側壁記録
で、振幅変調（ＡＭ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変調
（ＰＭ）の少なくとも１つを用いてアドレス情報や副情
報を記録するようにしてもよい。

【００７７】また、アドレスピットＡＰを一切用いず、
グルーブ部Ｇまたはランド部Ｌの蛇行形成による側壁記
録で、振幅変調（ＡＭ）、周波数変調（ＦＭ）、位相変
調（ＰＭ）の少なくとも１つを用いてアドレス情報や副
情報を記録するようにしてもよい。ただしこの時、基準
クロックが生成しにくくなるので、主として正弦波によ
る基準クロックが記録されており、それを寸断するよう
にアドレス情報や副情報が記録されて構成されているの
が望ましい。

【００７８】また更に情報記録担体１は、その平面上
に、記録に用いる所定領域（記録再生領域）以外に、再
生専用領域を形成してもよい。この再生専用領域は、ピ
ットで形成してもよいし、振幅変調（ＡＭ）、周波数変
調（ＦＭ）、位相変調（ＰＭ）の少なくとも１つから選
択して側壁記録した蛇行溝で形成してもよい。またバー
コードで形成してもよい。これらの再生専用領域は、記
録または再生にあたって、記録装置または再生装置をチ
ューニングするための情報を提供することができる。ま
た、情報記録担体の個別認別情報や著作権情報、コピー
制限情報なども扱うことができる。なおこの再生専用領
域の配置位置は任意であるが、ディスク状の情報記録担
体であれば、その内周側に再生専用領域、外周側に記録
再生領域を配置するようにし、これらが互いに重ならな
いように形成することが考えられる。特にこれら２つの
領域が接しており、トラックが１点で接続され、連続再
生が可能となっているのが最も望ましい。

【００７９】また更に、記録に用いる所定領域以外に、
情報記録担体１を認識するためのホログラムや目視可能
な微細パターンを形成してもよい。

【００８０】また、情報記録担体１乃至４は、再生装置
や記録装置への装着性やハンドリング上の保護性を向上
するために、情報記録担体全体をカートリッジに入れた
構成としてもよい。

【００８１】また、情報記録担体１乃至４がディスク状
の場合、その大きさに制限はなく、例えば直径２０〜４
００ｍｍの各種サイズを取ることができ、直径３２、４
１、５１、６０、６５、８０、８８、１２０、１３０、
２００、３００、３５６ｍｍなどであってもよい。

【００８２】実施例実施例１〜３及び比較例１次に本発明なる情報記録担体２について、直径１２０ミ
リのディスク状の情報記録担体を作成し、評価した実施
例を紹介する。情報記録担体２はレーザ光源λ＝４０５
ｎｍ、対物レンズＮＡ０．７５、すなわちＳ＝５４０ｎ
ｍとした記録再生ドライブを想定したディスクである。
情報記録担体２は微細パターン２０を表面に有した支持
体１３は１．１ｍｍ厚ポリカーボネート樹脂とした。ま
た記録層１２は相変化材料の１つであるＡｇＩｎＳｂＴ
ｅを含む複層記録層（厚さ３００ｎｍ）とした。具体的
には微細パターン２０側より接着性透光層１１ｂに向か
って順に、ＡｇＰｄＣｕ、ＺｎＳＳｉＯ、ＡｇＩｎＳｂ
Ｔｅ、ＺｎＳＳｉＯとした。接着性透光層１１ｂは、波
長λ＝４０５ｎｍの光を７０％以上透過し、接着性のあ
るポリエステルアクリレート系紫外線硬化樹脂とし、そ
の厚みは０．０１ｍｍとした。また透光層１１ａは、再
生波長λにおいて透過率を８０％以上有し、複屈折が９
０度（垂直）入射ダブルパスにて±５０ｎｍ以下とした
材料であるポリカーボネートを用い、その厚みは０．０
９ｍｍとした。従って支持体１３、記録層１２，接着性
透光層１１ｂ、透光層１１ａの合計厚みが約１．２ミリ
となる。また微細構造２０は、図４に記載した表面構造
とした。すなわち微視的に見ればグルーブ部Ｇとランド
部Ｌは互いに平行であり、ピッチＰは３７０ｎｍに設定
されている。そしてこれらグルーブ部Ｇとランド部Ｌ
は、クロックが生成されるように正弦波状に蛇行してお
り、その蛇行幅Δは１０ｎｍとなっている。そしてグル
ーブ部Ｇを切断して、アドレスピットＡＰが埋め込まれ
ている。その高さはランド部Ｌと同じになっている。ア
ドレスピットＡＰは単一の長さＡＰＬで構成されてお
り、その長さはＳを越えないような各種長さ、３００ｎ
ｍ（実施例１）、４００ｎｍ（実施例２）、５００ｎｍ
（実施例３）としている。

【００８３】そして、このような情報記録担体に対し、
ランド部Ｌに相変化記録が行われている。具体的には、
Ｄ８−１５変調（特開２０００−２８６７０９公報記
載）によって、長さ３Ｔ〜１１Ｔの信号がマークＭを形
成することによって記録されている。その最短マークの
長さＭＭＬは、２００ｎｍとなっており、半径２４〜５
８ｍｍまで記録したディスクにおいては、２０ＧＢの容
量をなすものである。

【００８４】このような情報記録担体２を、レーザ光源
λ＝４０５ｎｍ、対物レンズＮＡ０．７５を具備した記
録再生ディスクに装着して再生を行い、ランド部Ｌに記
録されたＤ８−１５変調信号のエラーレートを測定し
た。なおエラーレートは、３Ｅ−４なる値を超えると訂
正不能となるので、この値を限界値と見なし、判定を行
った。

【００８５】表１は、λ、ＮＡ、Ｓ、Ｐ、ＭＭＬ、Δ、
及び再生信号のエラーレートと判定結果を一覧としたも
のである。実施例１〜４はＰ＜Ｓ、ＭＭＬ＜Ｓ、Δ＜Ｐ
なる関係を満たし、更にＡＰＬ＜Ｓなる関係を満たして
いる。エラーレートを見ると、ＡＰＬが長くなるにつれ
て徐々に悪くなるが、いずれも規定値以下となってい
る。また表１には比較例１として、ＡＰＬ＝６００ｎｍ
なる例も挙げている。この場合、エラーレートが規定値
を超える。ＡＰＬ＞Ｓなる関係にあるので、システムは
成立しないといえる。

【００８６】

【表１】実施例４〜６及び比較例２次に本発明なる情報記録担体２について、直径１２０ミ
リのディスク状の情報記録担体を作成し、評価した実施
例を紹介する。情報記録担体２はレーザ光源λ＝４０５
ｎｍ、対物レンズＮＡ０．８５、すなわちＳ＝４７６ｎ
ｍとした記録再生ドライブを想定したディスクである。
情報記録担体２は微細パターン２０を表面に有した支持
体１３は１．１ｍｍ厚ポリカーボネート樹脂とした。ま
た記録層１２は相変化材料の１つであるＳｂＴｅＧｅを
含む複層記録層（厚さ２００ｎｍ）とした。具体的には
微細パターン２０側より接着性透光層１１ｂに向かって
順に、ＡｇＰｄＣｕ、ＺｎＳＳｉＯ、ＳｂＴｅＧｅ、Ｚ
ｎＳＳｉＯとした。接着性透光層１１ｂは、波長λ＝４
０５ｎｍの光を７０％以上透過し、接着性のあるエポキ
シアクリレート系紫外線硬化樹脂とし、その厚みは０．
０１ｍｍとした。また透光層１１ａは、再生波長λにお
いて透過率を８０％以上有し、複屈折が９０度（垂直）
入射ダブルパスにて±５０ｎｍ以下とした材料であるポ
リカーボネートを用い、その厚みは０．０９ｍｍとし
た。従って支持体１３、記録層１２，接着性透光層１１
ｂ、透光層１１ａの合計厚みが約１．２ミリとなる。

【００８７】また、微細構造２０は、図４に記載した表
面構造とした。すなわち微視的に見ればグルーブ部Ｇと
ランド部Ｌは互いに平行であり、ピッチＰは３３０ｎｍ
に設定されている。そしてこれらグルーブ部Ｇとランド
部Ｌは、クロックが生成されるように正弦波状に蛇行し
ており、その蛇行幅Δは７．５ｎｍとなっている。そし
てグルーブ部Ｇを切断して、アドレスピットＡＰが埋め
込まれている。その高さはランド部Ｌと同じになってい
る。アドレスピットＡＰは単一の長さＡＰＬで構成され
ており、その長さはＳを越えないような各種長さ、３７
０ｎｍ（実施例４）、４２０（実施例５）、４７０ｎｍ
（実施例６）としている。

【００８８】そして、このような情報記録担体に対し、
ランド部Ｌに相変化記録が行われている。具体的には、
Ｄ８−１５変調（特開２０００−２８６７０９公報記
載）によって、長さ３Ｔ〜１１Ｔの信号がマークＭを形
成することによって記録されている。その最短マークの
長さＭＭＬは、１７８ｎｍとなっており、半径２４〜５
８ｍｍまで記録したディスクにおいては、２５ＧＢの容
量をなすものである。

【００８９】このような情報記録担体２を、レーザ光源
λ＝４０５ｎｍ、対物レンズＮＡ０．８５を具備した記
録再生ディスクに装着して再生を行い、ランド部Ｌに記
録されたＤ８−１５変調信号のエラーレートを測定し
た。なおエラーレートは、３Ｅ−４なる値を超えると訂
正不能となるので、この値を限界値と見なし、判定を行
った。

【００９０】表２は、λ、ＮＡ、Ｓ、Ｐ、ＭＭＬ、Δ、
及び再生信号のエラーレートと判定結果を一覧としたも
のである。実施例４〜６はＰ＜Ｓ、ＭＭＬ＜Ｓ、Δ＜Ｐ
なる関係を満たし、更にＡＰＬ＜Ｓなる関係を満たして
いる。エラーレートを見ると、ＡＰＬが長くなるにつれ
て徐々に悪くなるが、いずれも規定値以下となってい
る。また表２には比較例２として、ＡＰＬ＝５２０ｎｍ
なる例も挙げている。この場合、エラーレートが規定値
を超える。ＡＰＬ＞Ｓなる関係にあるので、システムは
成立しないといえる。

【００９１】

【表２】実施例７〜９及び比較例３次に本発明なる情報記録担体２について、直径１２０ミ
リのディスク状の情報記録担体を作成し、評価した実施
例を紹介する。情報記録担体２はレーザ光源λ＝３７０
ｎｍ、対物レンズＮＡ０．９、すなわちＳ＝４１１ｎｍ
とした記録再生ドライブを想定したディスクである。情
報記録担体２は微細パターン２０を表面に有した支持体
１３は１．１ｍｍ厚ポリメチルメタクリレート樹脂とし
た。また記録層１２は相変化材料の１つであるＣｕＡｌ
ＴｅＳｂを含む複層記録層（厚さ１１０ｎｍ）とした。
具体的には微細パターン２０側より接着性透光層１１ｂ
に向かって順に、ＡｇＰｄＣｕ、ＺｎＳＳｉＯ、ＣｕＡ
ｌＴｅＳｂ、ＺｎＳＳｉＯとした。接着性透光層１１ｂ
は、波長λ＝３７０ｎｍの光を７０％以上透過し、粘着
性のあるウレタンアクリレート系紫外線硬化樹脂とし、
その厚みは０．０３ｍｍとした。また透光層１１ａは、
再生波長λにおいて透過率を８０％以上有し、複屈折が
９０度（垂直）入射ダブルパスにて±５０ｎｍ以下とし
た材料であるポリカーボネートを用い、その厚みは０．
０７ｍｍとした。従って支持体１３、記録層１２，接着
性透光層１１ｂ、透光層１１ａの合計厚みが約１．２ミ
リとなる。

【００９２】また、微細構造２０は、図４に記載した表
面構造とした。すなわち微視的に見ればグルーブ部Ｇと
ランド部Ｌは互いに平行であり、ピッチＰは２８０ｎｍ
に設定されている。そしてこれらグルーブ部Ｇとランド
部Ｌは、クロックが生成されるように正弦波状に蛇行し
ており、その蛇行幅Δは７ｎｍとなっている。そしてグ
ルーブ部Ｇを切断して、アドレスピットＡＰが埋め込ま
れている。その高さはランド部Ｌと同じになっている。
アドレスピットＡＰは単一の長さＡＰＬで構成されてお
り、その長さはＳを越えないような各種長さ、２５０ｎ
ｍ（実施例７）、３５０（実施例８）、４００ｎｍ（実
施例９）としている。

【００９３】そして、このような情報記録担体に対し、
ランド部Ｌに相変化記録が行われている。具体的には、
ＥＦＭプラス変調によって、長さ３Ｔ〜１１Ｔの信号が
マークＭを形成することによって記録されている。その
最短マークの長さＭＭＬは、１５２ｎｍとなっており、
半径２４〜５８ｍｍまで記録したディスクにおいては、
３２ＧＢの容量をなすものである。

【００９４】このような情報記録担体２を、レーザ光源
λ＝３７０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．９を具備した記録
再生ディスクに装着して再生を行い、ランド部Ｌに記録
されたＥＦＭプラス変調信号のエラーレートを測定し
た。なおエラーレートは、３Ｅ−４なる値を超えると訂
正不能となるので、この値を限界値と見なし、判定を行
った。

【００９５】表３は、λ、ＮＡ、Ｓ、Ｐ、ＭＭＬ、Δ、
及び再生信号のエラーレートと判定結果を一覧としたも
のである。実施例７〜９はＰ＜Ｓ、ＭＭＬ＜Ｓ、Δ＜Ｐ
なる関係を満たし、更にＡＰＬ＜Ｓなる関係を満たして
いる。エラーレートを見ると、ＡＰＬが長くなるにつれ
て徐々に悪くなるが、いずれも規定値以下となってい
る。

【００９６】また表３には比較例３として、ＡＰＬ＝４
５０ｎｍなる例も挙げている。この場合、エラーレート
が規定値を超える。ＡＰＬ＞Ｓなる関係にあるので、シ
ステムは成立しないといえる。

【００９７】

【表３】以上、実施例では記録する変調信号を、Ｄ８−１５変調
と、ＥＦＭプラス変調を用いたがこれに限るものではな
い。固定長符号であっても可変長符号であっても用いる
ことができる。最短マークを２Ｔとした（１．７）変
調、１７ＰＰ変調、ＤＲＬ変調、（１．８）変調、
（１．９）変調なども用いることができる。例えば、固
定長符号の（１，７）変調の代表例としては、Ｄ１，７
変調（特願２００１−８０２０５に記載）が挙げられ
る。これはまた固定長符号であるＤ４，６変調（特開２
０００−３３２６１３に記載）を基本とした（１．７）
変調や（１，９）変調にも置き換えてもよい。なお先述
した１７ＰＰ変調は、可変長符号の（１，７）変調の１
つであり、特開平１１−３４６１５４号に詳しい。ま
た、最短マークを３ＴとしたＥＦＭ変調、（２．７）変
調、（２．８）変調なども用いることができる。同様に
最短マークを４Ｔとした変調方式（例えば（３，１７）
変調）や、５Ｔとした変調方式（例えば（４，２１）変
調）なども用いることができる。

【００９８】

【発明の効果】本発明なる情報記録担体１はＰ≦Ｓに設
計した微細構造とし、ランド記録とすることによって、
クロスイレースを低減した情報記録担体を提供すること
ができる。またグルーブ部Ｇを切断して、孤立した有限
の長さのアドレスピットＡＰを設けることによって、記
録容量の減少を抑制した情報記録担体を提供することが
できる。またアドレスピットＡＰの長さＡＰＬを一定と
したことによって、記録マークＭとアドレスピットＡＰ
のクロストーク量を一定とした情報記録担体を提供する
ことができる。またアドレスピットＡＰの長さＡＰＬ
を、ＡＰＬ＜Ｓに設計することによって、クロストーク
量を最小限にし、記録容量を減少させずにアドレスピッ
トＡＰを埋め込んだ情報記録担体を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における第１実施形態の情報記録担体を
示す断面図である。

【図２】本発明における第１実施形態の情報記録担体を
上方から見た拡大平面図である。

【図３】本発明における第２、３実施形態の情報記録担
体を上方から見た拡大平面図である。

【図４】本発明における第４実施形態の情報記録担体を
上方から見た拡大平面図である。

【図５】本発明における第４実施形態の情報記録担体
を、ＣＬＶ記録に適応した場合の、上方から見た拡大平
面図である。

【図６】本発明における第４実施形態の情報記録担体
を、ＣＬＶ記録に適応した場合の、上方から見た拡大平
面図である。

【図７】アドレスコード分散記録の第１実施形態の具体
的な例を示す図である。

【図８】アドレスコード分散記録の第２実施形態の具体
的な例を示す図である。

【図９】アドレスコード分散記録の第３実施形態の具体
的な例を示す図である。

【図１０】アドレスコード分散記録の第４実施形態の具
体的な例を示す図である。

【図１１】ベースバンド変調前とベースバンド変調後に
おける基本データの変化を示す図である。

【図１２】ベースバンド変調前とベースバンド変調後に
おけるデータ列の変化の具体的な例を示す図である。

【図１３】本発明における第５実施形態の情報記録担体
を示す断面図である。

【図１４】本発明における第６実施形態の情報記録担体
を示す断面図である。

【図１５】本発明における第７実施形態の情報記録担体
を示す断面図である。

【図１６】従来の情報記録担体を示す断面図である。

【図１７】従来の情報記録媒体を上方から見た拡大平面
図である。

【符号の説明】

１，２，３，４情報記録担体１１ａ透光層１１ｂ接着透光層１２記録層１３支持体１４樹脂層２０，２１，２２微細パターン１１０透光層１２０記録層１３０支持体２００微細パターン

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｇ１１Ｂ 7/24 ５６１Ｐ５６１Ｑ５６３５６３Ａ５６５５６５Ｆ 7/135 7/135 Ａ 11/105 ５０１ 11/105 ５０１Ａ５２１５２１Ｅ５２１Ｆ５２１Ｈ５２１Ｊ５３１５３１Ｅ５３１Ｋ５５１５５１Ｌ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】グルーブ部とランド部とが交互に形成され
た平行溝連続体からなる微細パターンを有する支持体
と、前記微細パターン上に形成された記録層と、前記記録層上に形成された透光層とから少なくともな
り、前記グルーブ部又は前記ランド部のピッチをＰ、前記記
録層を再生する再生光の波長をλ、前記再生光を出力す
る対物レンズの開口数をＮＡとするとき、前記微細パターンはＰ≦λ／ＮＡの関係を有して形成さ
れると共に、前記ランド部にのみ選択的に記録を行うこ
とを特徴とする情報記録担体。
【請求項２】前記グルーブ部には、前記グルーブ部を切
断すると共に、孤立した有限長を有するアドレスピット
が、前記ランド部とほぼ同じ高さで形成されていること
を特徴とする請求項１記載の情報記録担体。
【請求項３】前記アドレスピットは単一の長さであるこ
とを特徴とする請求項２記載の情報記録担体。
【請求項４】前記アドレスピットの単一の長さＡＰＬ
は、ＡＰＬ＜λ／ＮＡの関係を有することを特徴とする
請求項３記載の情報記録担体。
【請求項５】前記ランド部は蛇行しており、その蛇行幅
Δが、Δ＜Ｐの関係を有することを特徴とする請求項１
乃至請求項４いずれか一項に記載の情報記録担体。
【請求項６】前記ランド部には基準クロックが正弦波と
して記録されており、少なくとも前記ランド部を形成す
る両側壁が互いに平行であることを特徴とする請求項５
記載の情報記録担体。
【請求項７】前記ランド部には、アドレス情報が、振幅
変調、周波数変調、位相変調の少なくとも１つの変調方
法によって記録されていると共に、前記ランド部を形成
する両側壁が互いに平行であることを特徴とする請求項
５記載の情報記録担体。
【請求項８】前記グルーブ部には、アドレス情報が、グ
ルーブを切断する単一長さＡＰＬのアドレスピットの有
無によって記録されており、前記アドレスピットは、前記ランド部と同じ高さ、且
つ、前記ランド部に蛇行記録された正弦波に対して９０
度の位相差を有して形成され、その単一長さＡＰＬは、
ＡＰＬ＜λ／ＮＡの関係を有することを特徴とする請求
項６記載の情報記録担体。
【請求項９】前記アドレス情報は、一定間隔毎に設けら
れたデータトリガと、前記データトリガ間の所定位置に
割り当てられたデータとから少なくとも構成されてお
り、前記データの有無によって、アドレス情報が記録されて
いることを特徴とする請求項７又は請求項８記載の情報
記録担体。
【請求項１０】前記アドレス情報は、一定間隔毎に設け
られたデータトリガと、前記データトリガ間の所定位置
に割り当てられたデータとから少なくとも構成されてお
り、前記データトリガと、データの相対距離によって、アド
レス情報が記録されていることを特徴とする請求項７又
は請求項８記載の情報記録担体。
【請求項１１】前記微細パターンの高さは、λ／８ｎか
らλ／２０ｎの間で形成されることを特徴とする請求項
１乃至請求項１０いずれか一項に記載の情報記録担体。
【請求項１２】前記透光層は、その厚みが０．０５ｍｍ
〜０．４ｍｍの範囲であり、再生波長λにおいて透過率
が７０％以上であり、垂直入射ダブルパス複屈折が±１
００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求
項１１いずれか一項に記載の情報記録担体。
【請求項１３】前記記録層は、相変化材料、色素材料、
光磁気材料のいずれか一つの材料によって形成されるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項１２いずれか一項に
記載の情報記録担体。
【請求項１４】前記再生光の波長λが３７０ｎｍ〜４５
０ｎｍで、前記対物レンズの開口数ＮＡが０．７５〜
０．９で、前記支持体と前記記録層と前記透光層の合計
厚みが１．２ｍｍであり、その直径が１２０ｍｍのディ
スク状であることを特徴とする請求項１乃至請求項１３
いずれか一項に記載の情報記録担体。