JP2003022580A - 情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置 - Google Patents
情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置Info
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Abstract
いる場合にも、高出力高品質な再生信号と、正確にアド
レスや記録情報を読み取ることができる情報記録担体及
びその製造方法、情報記録担体の再生装置及び記録装置
を提供する。 【解決手段】 基体1上に塗布されたポジ型のエネルギ
ー線感応層2にエネルギー線を照射して、両側面に周期
の等しいウォブルを有する微細パターン3を形成し、こ
の微細パターン3上にメッキ層4を形成した後、基体1
から剥離して、微細パターン3Aを有する第1メッキ型
5を作製し、この第1メッキ型5上に第2メッキ層6を
形成した後、この第2メッキ層6を第1メッキ型5から
剥離して、第3微細パターン3Bを有する第2メッキ型
7を作製し、この第2メッキ型7を支持体8上に転写し
て微細パターン3Cを形成した後、この微細パターン3
C上に記録層9、透光層10を順次形成する。
Description
て記録再生を行う情報記録担体、情報記録担体の製造方
法、情報記録担体の再生装置及び情報記録担体の記録装
置に関するものである。
報を記録再生は、光ディスクシステム等によって行なわ
れている。この光ディスクシステムに用いられる情報記
録担体の一つとして、DVD(デジタルバーサタイルデ
ィスク)があるが、このDVDは、厚さ0.6mm、直
径120mmの透明プラスチック支持基板の表面に成形
により凸凹形状で刻印された情報トラックや情報ピット
列からなる情報記録面を有している。情報トラックは、
情報を記録するためのものである。また、情報ピット列
は、これを走査して、情報を再生するためのものであ
る。
面上に、金、アルミニウム等の高反射膜からなる反射層
が形成され、記録型情報記録担体の場合には、この情報
記録面上に、色素膜が形成される。上記した情報記録面
上に色素膜が形成された記録型としては、DVD−Rと
呼ばれる追記記録型がある。また、上記の情報記録面上
に光磁気記録膜が形成された書換記録型もある。
タイルディスク・レコーダブル)は、具体的には図32
に示すような構造を有している。図32は、従来の記録
型DVDを示す断面図である。DVD70は、表面に情
報記録面710を有する透明なプラスティックからなる
支持基板71上に記録層72、接着層73が順次積層さ
れ、この接着層73上には、ダミー基板74が貼り合わ
されたものである。なお、情報記録面710は、凹凸形
状で刻印された情報トラックや情報ピット列を有してい
る。
レーザ光を照射する側から見て、この照射側に突き出た
凸部が用いられ、この凸部には、溝からなる情報トラッ
クやピットからなるアドレス情報等がレーザ光の走査方
向に対して直線または、断続したピットとして形成され
ている。これは、いわゆるスタンパ方式と呼ばれる形成
方法によって形成される。この断続したピットは、ユー
ザーが任意選択した所定の情報トラックに位置決めして
正確に記録を行うためのものである。このスタンパ方式
による記録型DVDの製造方法では、カッティング形成
した情報トラックやアドレス情報は、支持基板71の凹
部Nになるように作製される。そして、DVD70は、
支持基板71側から波長635nmのレーザ光を、情報
記録面710の情報トラック、すなわち、支持基板71
上の凹部Nに照射して、記録再生される。ここでは、支
持基板71上の凹部Nをグルーブ、凸部Oをランドとい
う。
度な次世代型情報記録担体の開発が盛んである。図33
は、DVDより高密度な次世代情報記録担体を示す断面
図である。図32で用いたと同一構成には同一符号を付
し、その説明を省略する。高密度な次世代情報記録担体
75は、表面に凹凸部の情報記録面710を有する支持
基板71に、記録層72を介して、0.1mmの透光層
76を積層したものである。支持基板71は、厚さ1.
1mm、直径120mmの透明プラスティックからな
り、DVDと同様なスタンパ方式によって製造されてい
る。そして、次世代情報記録担体75に対する記録再生
方法は、透光層76側から波長400nmのレーザ光を
情報記録面710の情報トラック、支持体71上の凹部
N(グルーブ)に照射して行う。
75でも支持基板71上の凹部Nに対して記録再生が行
われる。一方、別の見方をしてみると、DVD70は、
記録再生レーザ光を照射する側から見て凸部に記録再生
を行うのに対して、次世代情報記録担体75は、記録再
生レーザ光を照射する側から見て凹部にレーザ光を照射
して記録再生を行うということができる。換言すれば、
情報トラックとなるグルーブは、DVD70では、記録
再生用レーザ光を照射する側から見るならば、凸部にな
るのに対して、次世代情報記録担体75では、凹部にな
る。
人らはこのような高密度な次世代情報記録担体75に対
して実際に記録再生を行ったところ、支持基板71のグ
ルーブである凹部Nに記録再生した場合には、ランドで
ある凸部Oに記録再生する場合に比較し、再生信号出力
が減少すると共に、情報品質の低下を招き、再生信号の
エラーレートが増大するといった問題があった。更に、
凹部Nに記録される情報信号は、品質が劣るため、高密
度な記録を行うことができなかった。このような品質劣
化の原因は、記録層72の熱拡散の方向が反転すること
によると思われる。このため、このランドである凸部O
に情報を記録して再生することが考えられたが、ランド
では、再生されるアドレスが混信を起こし、正確なアド
レス情報そのものを再生できないといった不都合を生じ
ていた。そこで、本発明は、上記した問題点を解消すべ
く、支持基板の反対側からレーザ光を照射して用いる場
合にも、高出力高品質な再生信号と、正確にアドレス情
報を読み取ることができる情報記録担体及びその製造方
法を提供することを目的とする。また、このような情報
記録担体を記録再生する情報記録担体の再生装置及び情
報記録担体の記録装置を提供することを目的とする。
基体上にポジ型のエネルギー線感応層を塗布する第1工
程と、このポジ型のエネルギー線感応層にエネルギー線
を照射して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを
有し、交互に形成されたグルーブとランドとを有する第
1微細パターンを形成する第2工程と、この第1微細パ
ターン上に第1メッキ層を形成した後、この第1メッキ
層を前記基体から剥離して、前記第1微細パターンの前
記グルーブ及び前記ランドと逆の関係となる第2微細パ
ターンを有する第1メッキ型を作製する第3工程と、こ
の第1メッキ型の前記第2微細パターン上に第2メッキ
層を形成した後、この第2メッキ層を前記第1メッキ型
から剥離して、前記第1微細パターンのグルーブ及びラ
ンドと同じ関係となる第3微細パターンを有する第2メ
ッキ型を作製する第4工程と、この第2メッキ型を支持
体上に転写して第4微細パターンを形成した後、この第
4微細パターン上に記録層、透光層を順次形成する第5
工程と、からなることを特徴とする情報記録担体の製造
方法を提供する。第2の発明は、基体上にネガ型のエネ
ルギー線感応層を塗布する第1工程と、このネガ型のエ
ネルギー線感応層にエネルギー線を照射して、両側面に
周期及び位相の等しいウォブルを有し、交互に形成され
たグルーブとランドを有する第1微細パターンを形成す
る第2工程と、この第1微細パターン上に第1メッキ層
を形成した後、この第1メッキ層を前記基体から剥離し
て、前記第1微細パターンの前記グルーブ及び前記ラン
ドと逆の関係となる第2微細パターンを有する第1メッ
キ型を作製する第3工程と、この第1メッキ型を支持体
上に転写して第3微細パターンを形成した後、この第3
微細パターン上に記録層、透光層を順次形成する第4工
程と、からなることを特徴とるする情報記録担体の製造
方法を提供する。第3の発明は、前記ウォブルは、アド
レスデータが振幅変移変調によって変調されていること
を特徴とする請求項1又は2記載の製造方法を提供す
る。第4の発明は、前記ウォブルは、アドレスデータが
周波数変移変調によって変調されていることを特徴とす
る請求項1又は2記載の製造方法を提供する。第5の発
明は、前記ウォブルは、アドレスデータが位相変移変調
によって変調されていることを特徴とする請求項1又は
2記載の製造方法を提供する。第6の発明は、表面に凸
部と凹部とが交互に形成された平行溝連続体からなる微
細パターンを有する支持体と、前記微細パターン上に形
成された記録層と、前記記録層上に形成された厚さ0.
05〜0.12mmの透光層とからなる少なくともな
り、前記凸部又は前記凹部のピッチをP、前記記録層を
再生する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物
レンズの開口数をNAとするとき、前記微細パターン
は、P≦λ/NAの関係を有すると共に、前記透光層側
から見て凸部の両側壁には、変調されたアドレス情報が
周期及び位相を同じくしてウォブルとして形成されてい
ることを特徴とする情報記録担体を提供する。第7の発
明は、表面に凸部と凹部とが交互に形成された平行溝連
続体からなる微細パターンを有する支持体と、前記微細
パターン上に形成された記録層と、前記記録層上に形成
された厚さ0.05〜0.12mmの透光層とからなる
少なくともなり、前記凸部又は前記凹部のピッチをP、
前記記録層を再生する再生光の波長をλ、前記再生光を
出力する対物レンズの開口数をNAとするとき、前記微
細パターンは、P≦λ/NAの関係を有すると共に、前
記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調されたアド
レス情報が互いに平行なウォブルとして形成されている
ことを特徴とする情報記録担体を提供する。第8の発明
は、前記アドレス情報は、周波数変移変調によって変調
されたものであることを特徴とする請求項6又は7記載
の情報記録担体を提供する。第9の発明は、前記アドレ
ス情報は、位相変移変調によって変調されたものである
ことを特徴とする請求項6又は7記載の情報記録担体を
提供する。第10の発明は、再生光の波長がλで、RI
N−125dB/Hz以下のノイズを有する発光素子
と、開口数NAの対物レンズとを有し、請求項6又は7
記載の情報記録担体を再生する再生装置であって、請求
項6又は7記載の情報記録担体を装着し、前記λが35
0〜450nm、前記NAが0.75〜0.9であり、
前記再生光を前記情報記録担体の前記透光層側から見て
凸部に照射して再生を行う構成にしたことを特徴とする
再生装置を提供する。第11の発明は、記録光の波長が
λで、RIN−125dB/Hz以下のノイズを有する
発光素子と、開口数NAの対物レンズとを有し、請求項
6又は7記載の情報記録担体を記録する記録装置であっ
て、前記λが350〜450nm、前記NAが0.75
〜0.9であり、前記記録光を前記情報記録担体の前記
透光層側から見て凸部に照射して記録を行う構成にした
ことを特徴とする記録装置を提供する。
至図31を用いて説明する。図1は、本発明の実施形態
における情報記録担体の製造方法の(基板準備工程)を
示す図である。図2は、本発明の実施形態における情報
記録担体の製造方法の(エネルギー線感応膜形成工程)
を示す図である。図3は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の(第1微細パターン形成工程)
を示す図である。図4は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の(第1メッキ層形成工程)を示
す図である。図5は、本発明の実施形態における情報記
録担体の製造方法の(第1メッキ型作製工程)を示す図
である。図6は、本発明の実施形態における情報記録担
体の製造方法の(第2メッキ層形成工程)を示す図であ
る。図7は、本発明の実施形態における情報記録担体の
製造方法の(第2メッキ型作製工程)を示す図である。
図8は、本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の(支持体形成工程)を示す図である。
録担体の製造方法の(記録層形成工程)を示す図であ
る。図10は、本発明の実施形態における情報記録担体
の製造方法により作製された情報記録担体を示す図であ
る。図11は、本発明の実施形態における情報記録担体
の製造方法により形成される微細パターンを示す平面図
である。図12は、微細パターン記録を行う第1のエネ
ルギー線照射装置を示す図である。図13は、微細パタ
ーン記録を行う第2のエネルギー線照射装置を示す図で
ある。図14は、本発明の実施形態の(ネガ型メッキ型
作製工程)にネガ型のエネルギー感応膜を適用した場合
の工程を示す図である。図15は、本発明の実施形態の
(ネガ型支持体形成工程)を示す図である。
記録担体の製造方法により形成される微細パターンを示
す拡大平面図である。図17は、本発明における情報記
録担体を、ディスク形状のCLV記録に適応した場合の
情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。図18
は、本発明における情報記録担体を、ディスク形状のC
LV記録に適応し、更にユーザー記録を行った場合の情
報記録担体を上方から見た拡大平面図である。図19
は、第4微細パターンに記録した第1の振幅変移変調波
を示す図である。図20は、第4微細パターンに記録し
た第2の振幅変移変調波を示す図である。図21は、第
4微細パターンに記録した第3の振幅変移変調波を示す
図である。
第1の周波数変移変調波を示す図である。図23は、第
4の微細パターンに記録した第2の周波数変移変調波を
示す図である。図24は、第4の微細パターンに記録し
た第3の周波数変移変調波を示す図である。図25は、
第4の微細パターンに記録した第1の位相変移変調波を
示す図である。図26は、第4の微細パターンに記録し
た第2の位相変移変調波を示す図である。図27は、第
4の微細パターンに記録した第3の位相変移変調波を示
す図である。図28は、本発明の実施形態における第1
の再生装置を示すブロック図である。図29は、本発明
の実施形態における第1の再生装置に用いられるフォト
ディテクタを示す平面図である。図30は、本発明の実
施形態における第2の再生装置を示すブロック図であ
る。図31は、本発明の実施形態における記録装置を示
すブロック図である。従来例と同一構成には同一符号を
付し、その説明を省略する。
に、平坦な基体1を準備する。基体1は、表面が光学グ
レード並みにフラットに仕上げられ、酸化珪素や、無ア
ルカリガラス、7913ガラスなどのセラミック基板、
珪素、モリブデン、タングステンやこれらの合金(酸化
物、窒化物、炭化物の例を含む)を表面に有した金属基
板などから選ばれる。
すように、この平坦な基体1表面にポジ型のエネルギー
線感応膜2を片面に塗布する。エネルギー線感応膜2
は、エネルギー線の照射を受けて、分解または重合する
性質を持つ材料である。特に、ポジ型とは、エネルギー
線の照射を受けて、分解する方向に作用する性質を有す
るものであり、その分解過程は1ステップであっても、
複数ステップ(例えば2または3ステップ、あるいはそ
れ以上)であっても良い。
上ステップ分解過程について以下に説明する。1ステッ
プ分解過程の代表例としては、エネルギー線が、高照度
の遠紫外線である場合には、ポリカーボネート樹脂やポ
リスチレン樹脂などをエネルギー線感応膜2として用い
ることができ、表面の昇華または爆発現象により、穴を
形成させることができる。また、1ステップ分解過程の
他の例としては、エネルギー線が、高照度のg線(43
6nm)に代表される紫外線やそれ以下の波長を有する
遠紫外線である場合には、酸化テルル薄膜、酸化バナジ
ウム薄膜、酸化モリブデン薄膜、酸化イットリウム薄
膜、酸化バラジウム薄膜、酸化銀薄膜、酸化タングステ
ン薄膜、酸化亜鉛薄膜等を用いることができ、表面の昇
華により穴を形成することができる。
ネルギー線が、紫外線である場合、クレゾールノボラッ
ク樹脂とナフトキノンジアジドの混合材料からなる膜を
エネルギー線感応膜2として用いることができる。表面
への照射により、ナフトキノンジアジドが化学的に分解
してクレゾールノボラック樹脂の不溶化を解除する。こ
の段階では穴が開かないが、続いてアルカリ現像液を表
面に流すことによって、照射部分が溶解し、穴を形成す
ることができる。
ネルギー線が、遠紫外線や電子線である場合、ポリヒド
ロキシスチレン樹脂と、オニウム塩など酸発生剤とから
少なくともなる膜をエネルギー線感応膜2として用いる
ことができる。表面への照射により、酸発生剤が化学的
に分解して酸を発生させる。この段階では穴が開かない
が、続いて加熱することによって、酸が膜内を拡散し
て、ポリヒドロキシスチレン樹脂を分解する。続いて、
アルカリ現像液を表面に流すことによって、照射部分が
溶解し、穴を形成することができる。
わりに、収束エネルギー線に感応したところだけ不溶性
となるネガ型エネルギー感応膜を用いることもできる。
ネガ型のエネルギー線感応膜を使用した場合、ポジ型の
エネルギー感応膜を使用した場合と異なり、その後のメ
ッキ工程数を、1工程増加させたり、1工程減少させた
りすることで、本発明の製造方法に対応することができ
るようになる。エネルギー線感応膜2としてネガ型エネ
ルギー感応膜を用いた製造方法については後述する。
或いは図13に示す第1及び第2のエネルギー線照射装
置30、40を用いて、図示しないプロセッサから信号
をON、OFFさせて、ポジ型のエネルギー線感応膜2
上に収束エネルギー線を照射する。そして、アドレスウ
ォブルを有したグルーブGを形成して、図3及び図11
に示す第1微細パターン3を形成する。この際、グルー
ブGの両側面のウォブルの周期及び位相が等しくなるよ
うに形成する。
ブGは、アドレス情報に基づいて、収束エネルギー線を
左右に振ったり、左右に振ると同時に照射強度を変化さ
せて形成される。前記した左右とは、グルーブGの進行
方向に対して、直角の方向を指す。すなわちトラック方
向に対して、直交する方向である。例えば、後述するよ
うに、第1微細パターン3を転写して作製された情報記
録担体11(図10参照)がディスク状である場合に
は、前記した左右方向は、半径方向になる。なお、以下
では、エネルギー線感応膜2の収束エネルギー線が照射
された部分をグルーブGと呼ぶことにする。
及び第2のエネルギー線照射装置30、40について図
12及び図13を用いて説明する。まずは、第1のエネ
ルギー線照射装置30について図12を用いて説明す
る。第1のエネルギー線照射装置30は、エネルギー線
感応膜2が形成された平坦な基体1を支持する平坦基体
支持ユニット110と、エネルギー線照射ユニット12
0と、このエネルギー線照射ユニット120を稼動させ
る相対運動付与ユニット100とからなる。平坦基体支
持ユニット110はエネルギー線感応膜2を表面に有
し、エネルギー線感応膜2が形成された平坦な基体1を
設置し、少なくともエネルギー線照射により記録を行う
間、支持できるユニットである。具体的には高精度に研
磨されたテーブルが該当し、それに基体1が設置できる
ように固定機構(ねじ止め、真空吸着、静電吸着など)
が付与されたものである。
ルギー線を出射するエネルギー線源121と、このエネ
ルギー線を情報記録に相応しいビーム形状に信号変調す
るビーム整形器122と、このビーム整形器122で信
号変調されたエネルギー線を平坦基体支持ユニット11
0上に設置され、エネルギー線感応膜2が形成された平
坦な基体1上に導く反射鏡123とからなる。また、ア
ドレス情報に従って、変調信号を生成、送信するプロセ
ッサ(図示せず)が、ビーム整形器122に接続され
る。この際、平坦基体支持ユニット110と反射鏡12
3との間にエネルギー線を収束させるためのレンズ(図
示せず)を設置するようにしても良い。
1500nmの電磁波(γ線、X線、極端紫外線、遠紫
外線、紫外線、可視光、赤外線など)や、粒子線(α
線、β線、陽子線、中性子線、電子線など)を出射す
る。エネルギー線源121の具体例としては、エネルギ
ー線源121が紫外線から遠紫外線(例えば364n
m、355nm、351nm、325nm、275n
m、266nm、257nm、248nm、244nm
などの波長)を出射する照射装置などがある。ビーム整
形器122の具体例としては、電気光学結晶素子による
偏向器(EOD)や音響光学結晶素子による偏向器(A
OD)などがある。また、エネルギー線源121が電子
線の照射装置の場合には、ビーム整形器122は、ブラ
ンキング電極やビーム偏向器となる。
形成された平坦な基体1にエネルギー線を導くためのも
のであるので、エネルギー線を直接、エネルギー線感応
膜2が形成された基体1に照射できる構成である場合に
は不要である。なお、必要な場合には、アドレス情報の
情報受信から送信するまでの時間を遅延させたり、短縮
あるいは伸張させたりする回路をプロセッサ(図示せ
ず)に内蔵またはプロセッサとビーム整形器122の間
に設置してもよい。
ドライブ等からなり、回転、X軸方向移動、Y軸方向移
動、Z軸方向移動又はこれらの複合移動を行うことがで
きる。必要に応じて位置モニターを設置し、モニターさ
れた位置に応じて制御を行うようにしても良い。また、
この相対ユニット100は、エネルギー線照射ユニット
120側又は平坦基体支持ユニット110側のどちらか
一方、又はこれらの両方に配置される。ここでは、エネ
ルギー線照射ユニット120側に配置され、このエネル
ギー線照射ユニット120を相対運動させる。
ついて、図13を用いて説明する。第2のエネルギー線
照射装置40は、第1のエネルギー線照射装置30にお
いて、相対ユニット100を平坦基体支持ユニット11
0側に配置したものであり、この平坦基体支持ユニット
110を稼動させて、エネルギー線感応膜2が形成され
た基体1を相対運動させるようにしたものである。
ー線照射装置30、40を用いて、収束エネルギー線の
スポットESによる図3及び図11に示す第1微細パタ
ーン3の形成方法について説明する。第1のエネルギー
線照射装置30を用いた場合には、エネルギー線感応膜
2が形成された基体1を平坦基体支持ユニット110上
に載置し、エネルギー線照射ユニット120のエネルギ
ー線源121から収束エネルギー線を出射し、この収束
エネルギー線をビーム整形器122で信号変調して反射
鏡123で反射した後、相対ユニット100を相対運動
させて、エネルギー線照射ユニット120を稼動させな
がら、ポジ型のエネルギー線感応膜2に照射して凹部か
らなるアドレスウォブルを有したグルーブGを形成す
る。
2と収束エネルギー線との相互作用を利用することによ
り実現できる。即ち、収束エネルギー線のスポットES
(以下、単にスポットESという)によりポジ型のエネ
ルギー線感応膜2を照射して、複数のアドレスウォブル
を有するグルーブGとこのグルーブGに隣接したランド
Lが形成された第1微細パターン3を得ることができ
る。前記したようにグルーブGは、凹部であり、ランド
Lは凸部を形成する。
解過程は、1ステップ又は複数ステップを取ることがで
きる。したがって、1ステップのポジ型のエネルギー線
感応膜2を使用した場合には、収束エネルギー線照射を
行った直後に第1微細パターン3が形成されるが、複数
ステップの場合には、所定の処理(例えば、2ステップ
の場合にはアルカリ現像処理、3ステップの場合には、
過熱及びアルカリ現像処理)を行うことにより、グルー
ブGとランドLとが交互に繰り返された第1微細パター
ン3を得ることができる。
は、前記したように、平坦基体支持ユニット110かエ
ネルギー線照射ユニット120のどちらか一方を稼動さ
せることによって形成できる。また、均一なトラックピ
ッチPも、同様にして、この相対運動を利用して行うこ
とができる。
は、収束エネルギー線を連続照射する位置を左右に振っ
て形成する。前述したとおり左右とは、グルーブGの進
行方向に対して直角の方向、すなわちトラック方向に対
して、直交する方向である。
ち、進行方向に対して直角の位置は、形成されるグルー
ブGの両側面に相当するので、収束エネルギー線を直角
に振ることにより、グルーブGの両側面が蛇行し、周期
及び位相の揃った蛇行グルーブGが形成される。周期及
び位相の揃ったグルーブGであるから、言い換えれば、
第1微細パターン3に形成されたグルーブGの両側面は
常に平行である。
時に、照射強度を変化させて形成してもよい。このタイ
ミングは、アドレス情報用制御機構(図示せず)により
制御することができる。たとえば、アドレス情報がON
となった時間だけ、収束エネルギー線照射を行い、アド
レスウォブルを有するグルーブGを基体1上のエネルギ
ー線感応膜2に形成する。
用いた場合には、相対ユニット100を相対運動させ
て、平坦基体支持ユニット110を稼動させながら行う
以外は、第1のエネルギー線照射装置30を用いた場合
と同様に行って図3及び図11に示す第1微細パターン
3を形成する。この図3及び図11で得られた第1微細
パターン3が形成された基板1をカッティング原盤とい
う。
に形成するアドレス情報とは、後述する図10に示す情
報記録担体11の場所によって連続変化する番地を表し
たもので、情報記録担体11の全面に対して割り当てら
れた絶対アドレス、部分領域について割り当てられた相
対アドレス、トラック番号、セクタ番号、フレーム番
号、フィールド番号、時間情報などから選ばれるデータ
である。これらは、記録トラック(例えばグルーブG)
の進行に従って、連続的にインクリメントまたはデクリ
メントする。この他、アドレス情報に伴って、少量のデ
ータからなる特定情報を併せ持ってもよい。
共通のデータであり、例えば情報記録担体の種別、情報
記録担体のサイズ、情報記録担体の想定記録容量、情報
記録担体の想定記録線密度、情報記録担体の想定記録線
速度、情報記録担体のトラックピッチ、記録ストラテジ
情報、再生パワー情報、製造者情報、製造番号、ロット
番号、管理番号、著作権関連情報、暗号作成のためのキ
ー、暗号解読のためのキー、暗号化されたデータ、記録
許可コード、記録拒否コード、再生許可コード、再生拒
否コードなどから少なくとも選ばれるものである。
進法または16進法によって記述されたものを2進法に
変換した情報(例えばBCDコードやグレイコード)で
あってもよい。またデータエラーを防止するためのエラ
ー訂正コードを伴っていてもよいものである。
は、グルーブGの蛇行によって形成される。ビーム整形
器122に接続される信号は、前述したとおりアドレス
情報のデジタルデータを元に、変調信号を生成するプロ
セッサ(図示せず)から送信される。ここで、生成され
る変調波は、アドレス情報がデジタルである場合には、
振幅変移変調波250(250、251、252)、周
波数変移変調波260(260、261、262)、位
相変移変調波270(270、271、272)のいず
れか、またはこれらの変形によって構成される。
が、振幅変移変調では基本波の有無または振幅強度が一
定値を越えるか否かによって、アドレスのデジタルデー
タが表現(例えば1、0)される。周波数変移変調で
は、基本波の周波数の高低によって、アドレスのデジタ
ルデータが表現(例えば1、0)される。位相変移変調
では、所定周期間隔毎の基本波の位相角度の相違(例え
ば一周期間隔毎の基本波の位相角度の相違)によって、
アドレスのデジタルデータが表現(例えば1、0)され
る。
ドレスを高効率に形成することが可能となる。これらの
変調の基本波は、正弦波(余弦波)、三角波、矩形波な
どから選ぶことができる。このうち、正弦波(余弦波)
を選択すると、再生時の高調波成分が最小にできるの
で、電力効率向上及びジッター抑制ができて好適であ
る。
の第1及び第2のエネルギー線照射装置30,40によ
り、スポット光ESが進行方向に対して直角方向に変調
されることになる。すなわち、変調信号の時間軸方向
が、グルーブGのトラック方向に変換され、さらに変調
信号の振幅方向が、グルーブGの直角方向に変換されて
形成される。
すように、第1微細パターン3が形成された基体1上に
第1メッキ層4を形成する。ポジ型のエネルギー線感応
膜2または平坦な基体1が導電体である場合には、ポジ
型のエネルギー線感応膜2上に直接メッキを施して、第
1メッキ層4を形成する。また、ポジ型のエネルギー線
感応膜2、平坦な基体1の一方が不導体や半導体である
場合には、前処理としてポジ型のエネルギー線感応膜2
表面上に薄い導電膜(図示せず)を施し、その後にメッ
キを施して第1メッキ層4を形成する。
の一部分と考えることにする。第1メッキ層4として
は、厚さ100〜500μm、望ましくは200〜40
0μm、最も望ましくは240〜310μmのニッケル
やコバルト、或いはこれらを含む合金などを用いること
ができる。薄い導電膜は、厚さ50〜150nm、望ま
しくは100nm前後のニッケル、ニッケル・パラジウ
ム合金、ニッケル・リン合金、ニッケル・ボロン合金、
ニッケル・リン・ボロン合金、金、銀、銀・パラジウム
合金、銀・パラジウム・銅合金などを用いることができ
る。必要に応じて、第1メッキ層4のポジ型のエネルギ
ー線感応膜2とは反対側に補強板を接着してもよい。そ
のような補強板としては、ガラス、アルミ、ステンレス
などの0.3〜20mm程度の板を用いることができ
る。
すように、ポジ型のエネルギー線感応膜2が形成された
基体1から第1メッキ層4を剥離して第1微細パターン
3Aを有する第1メッキ型5を作製する。この剥離は、
ポジ型のエネルギー線感応膜2と第1メッキ層4との間
から物理的に行う。前記した薄い導電膜を有する場合に
は、薄い導電膜と第1メッキ層4の間で剥離を行う。こ
の剥離を化学的に行うと、第1メッキ層4に付着したポ
ジ型のエネルギー線感応膜2の残さを低減でき、欠陥の
少ない第2微細パターン3Aを有する第1メッキ型5を
得ることができる。
2微細パターン3Aは、(微細パターン形成工程)で形
成された第1微細パターン3とは、凹凸関係が逆となっ
ている。なお、後続の(支持体成形工程)を考慮して、
第1メッキ型5の第2微細パターン3Aの形状は保持し
たまま、第1メッキ型5の全体形状を修正加工してもよ
い。
すように、第2微細パターン3Aが形成された第1メッ
キ型5上に第2メッキ層6を形成する。
すように、第1メッキ型5から第2メッキ層6を剥離し
て第3微細パターン3Bが形成された第2メッキ型7を
作製する。この際、第2メッキ型7の第3微細パターン
3Bは、(微細パターン形成工程)で形成された第1微
細パターン3とは同じ凹凸関係になっている。
に、この第2メッキ型7を支持体8上に転写して第4微
細パターン3Cを形成する。この工程には、公知の射出
成形、圧縮成形、射出圧縮成形、2P成形などを用いる
ことができる。支持体8上に形成された第4微細パター
ン3Cは、基体1に形成された第1微細パターン3とは
逆の凹凸関係にある。
られる。合成樹脂の代表例としては、ポリカーボネート
やポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリカー
ボネート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライ
ド、脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの
各種熱可塑性樹脂や熱硬化樹脂、各種エネルギー線硬化
樹脂(紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化樹
脂の例を含む)を好適に用いることができる。
を配合した合成樹脂であってもよい。なお、機械的に保
持する必要性から支持体8の厚みは0.3〜3mm、望
ましくは0.5〜2mmが好適に用いられる。また、後
述する図10に示す情報記録担体11が円盤状である場
合には、従来の光ディスクとの互換性から、支持体8、
記録層9(図9参照)、透光層10(図10参照)等の
合計厚みが1.2mmとなるように、支持体8の厚みを
設計するのが最も望ましい。
に、支持体8の第4微細パターン3C上に記録層9を形
成する。記録層9は、情報を読み出し、あるいは情報を
記録ないしは書き換える機能を有した薄膜層である。こ
の記録層9の材料としては、相変化材料に代表される記
録前後において反射率変化や屈折率変化、或いはその両
方の変化を生じる材料、あるいは光磁気材料に代表され
る記録前後においてカー回転角変化を生じる材料、ある
いは色素材料に代表される記録前後において屈折率変化
や深さ変化、或いはその両方の変化を生じる材料があ
る。
ム、アンチモン、テルル、セレン、ゲルマニウム、ビス
マス、バナジウム、ガリウム、白金、金、銀、銅、アル
ミニウム、シリコン、パラジウム、錫、砒素などの合金
(合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物
の例を含む)を用いることができ、特にGeSbTe
系、AgInTeSb系、CuAlSbTe系、AgA
lSbTe系などの合金が好適である。これらの合金に
微量添加元素としてCu、Ba、Co、Cr、Ni、P
t、Si、Sr、Au、Cd、Li、Mo、Mn、Z
n、Fe、Pb、Na、Cs、Ga、Pd、Bi、S
n、Ti、V、Ge、Se、S、As、Tl、In、P
d、Pt、Niの群から選ばれる少なくとも1種以上の
元素を合計で0.01原子%以上10原子%未満含有す
ることもできる。
としてGe2Sb2Te5、Ge1Sb 2Te4、Ge8Sb
69Te23、Ge8Sb74Te18、Ge5Sb71Te24、G
e5Sb76Te19、Ge10Sb68Te22、Ge10Sb72
Te18があり、 GeSbTe系にSn、In等の金属
を添加した系があり、AgInSbTe系として、Ag
4In4Sb66Te26、Ag4In4Sb64Te28、Ag2
In6Sb64Te28、Ag 3In5Sb64Te28、Ag2I
n6Sb66Te26、AgInSbTe系にCu、Fe、
Ge等の金属や半導体を添加した系がある。また、Cu
AlSbTe系、AgAlSbTe系などがある。
ム、コバルト、鉄、ガドリニウム、クロム、ネオジム、
ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウム、
ホルミウム、プロセオジム、マンガン、チタン、パラジ
ウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウム、錫な
どの合金(合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、
フッ化物の例を含む)を用いることができ、特にTbF
eCo、GdFeCo、DyFeCoなどに代表される
ように遷移金属と希土類の合金で構成するのが好適であ
る。更に、コバルトと白金の交互積層膜を用いて記録層
9としてもよい。
色素、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフタロシ
アニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フルギド色
素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用いること
ができる。これら記録層9の形成方法としては、気相成
膜法または液層成膜法を用いることができる。気相成膜
法の代表例としては、抵抗加熱型や電子ビーム型の真空
蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリング、反
応性スパッタリング、 イオンビームスパッタリング、
イオンプレーティング、CVD法等を用いることができ
る。また、液層成膜法の代表例としては、スピンコート
法や浸漬引き上げ法等を用いることができる。
うに、記録層9上に透光層10を形成して情報記録担体
11を作製する。この結果、支持体8側から見た時の凹
部は、(微細パターン形成工程)における収束エネルギ
ー線で形成されたグルーブGとなる。このため、情報記
録担体11の透光層10側からレーザ光を照射して、グ
ルーブ上に形成された記録層9の再生を行うに際し、グ
ルーブGの両側面のウォブル信号が同じになるようにす
ることができる。
みの少ない状態で記録層9に導く機能を有する材料から
構成される。例えば、再生波長λにおいて透過率を70
%以上、望ましくは80%以上有した材料を好適に用い
ることができる。この透光層10は、光学的な異方性が
少ないことが必要であり、再生光の減少を抑制するため
に、具体的には複屈折が90度(垂直)入射ダブルパス
にて±100nm以下、望ましくは±50nm以下とし
た厚み50〜120μm、望ましくは70〜100μm
のシート状材料が用いられる。
ーボネートやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロ
ース、二酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどの合成
樹脂を用いることができる。
いることもでき、例えば透明セラミック(例えばソーダ
ライムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガ
ラス、石英ガラス)や熱硬化性樹脂、エネルギー線硬化
樹脂(例えば紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線
硬化樹脂)、湿気硬化樹脂、2液混合硬化樹脂が好適に
用いられる。透光層10は、単層に限らず、これら材料
を組み合わせた複数層からなってもよい。
単層で構成する場合には熱融着が用いられ、各種硬化性
樹脂の単層で構成する場合には、スピンコート、スクリ
ーン印刷、ロールコート、ナイフコートなどを用いるこ
とができる。また、シート状材料と各種硬化性樹脂の2
層で構成することもできる。この場合には、各種硬化性
樹脂を透光層10と記録層9の間に挟み、スピン振り切
りを行う。そして遠心力によって各種硬化性樹脂を薄膜
化して、貼り合わせする方法などが挙げられる。
量は、再生時の情報記録担体11の球面収差を考慮し
て、最大で±0.003mmが望ましい。特に、対物レ
ンズNAが0.85以上では、望ましくは±0.002
mm以下とする。更に、対物レンズNAが0.9では、
望ましくは±0.001mm以下とする。
ば、ポジ型のエネルギー感応膜2を用いて情報記録担体
11を作製する際、(第1メッキ層形成工程)〜(第2
メッキ型形成工程)を有するので、支持体8のランド両
側面のウォブル周期及び位相を同一にすることができ
る。
側から見て凸部に相当する情報記録担体11を製造でき
る。そして、レーザ光照射側から見て凸部に情報記録が
できるために、高出力高品質の再生信号が得られ、エラ
ーレートが少なく、高密度の記録再生ができる。また、
レーザ光照射側から見て凸部における両側面のウォブル
周期及び位相が同一であるので、混信を起こさず、正確
なアドレス情報を再生することができる。
場合について説明したが、ネガ型の場合についても同様
に行うことができる。ネガ型の場合について図14及び
図15を用いて説明する。 (ネガ型メッキ型作製工程)図14に示すように、ネガ
型の場合には、ポジ型と同様の工程で行うと、凹凸が逆
転した関係となるので、グルーブとランドの関係も逆転
する。図1乃至図5に示す(基板準備工程)乃至(第1
メッキ型作製工程)と同様の工程を経て、図5に示す第
1メッキ型5に形成されている第2微細パターン3Aと
逆の第5微細パターン3Dを有する図14に示す第3メ
ッキ型12を作製する。
示すように、この第3メッキ型12を支持体8に転写し
て第6微細パターン3Eを形成する。この第3メッキ型
12は、図7に示した第2メッキ型7と同一である。こ
の後、図9乃至図10に示す(記録層形成工程)乃至
(透光層形成工程)と同様の工程を経て、図10に示す
情報記録担体11を得る。
合には、情報記録担体11の製造方法において、ポジ型
のエネルギー線感応膜2を用いた場合の(第2メッキ層
形成工程)〜(第2メッキ型作製工程)を省略した工程
により、レーザ光照射側から見て凸部の両側面のウォブ
ルの周期及び位相を同じにすることができる。
側から見て凸部に相当する情報記録担体11が製造でき
る。そして、レーザ光照射側から見て凸部に情報記録が
できるために、高出力高品質の再生信号が得られ、エラ
ーレートが少なく、高密度の記録再生ができる。また、
レーザ光照射側から見て凸部における両側面のウォブル
周期及び位相が同一であるので、混信を起こさず、正確
なアドレス情報を再生することができる。
形状上の特徴について図16乃至図18を用いて補足説
明する。ここで、情報記録担体11は、ディスク状の情
報記録担体とし、線速度一定(constant linear veloci
ty、CLV)の様式で記録されている。図16中、グル
ーブGは、3本、ランドLは、2本の例を示し、ランド
部Lの内周側側壁をLi、外周側側壁をLoとし、グル
ーブ部Gの内周側側壁をGi、外周側側壁をGoとして
いる。ここで、LiとGo、LoとGiは、同じ壁面を
示している。
れてアドレスが記録されている。情報記録担体11は、
(第1メッキ層形成工程)〜(第2メッキ型形成工程)
を用いて製作されているので、グルーブGの両側面(G
i及びGo)のウォブルの周期及び位相を同一にして形
成されている。従って、グルーブGの両側面、すなわち
内周側側壁Gi及び外周側側壁Goは、常に平行に形成
されている。なお、図16では、CLVの様式での記録
としたが、CAV(角速度一定、constant angular vel
ocity、CAV)の様式で記録してもよい。この場合に
は、グルーブGの両側面(Gi及びGo)が平行に形成
されるのみならず、ランドLの両側面(Li及びLo)
も平行となる。
は、3本の例を示し、前記したグルーブGには、半径方
向に蛇行してアドレスが記録されている。そして、グル
ーブGの中心線は、一点鎖線直線で示され、この近接し
た2本の中心線の間隔は、ピッチPで示されている。ウ
ォブルしたグルーブGの蛇行幅peak to peakが点線直線
で示され、これをΔとする。情報記録担体11を再生す
る場合、前述したようにグルーブGに焦点が結ばれる。
ここで、その再生スポット径(=λ/NA)をSとして
示している(ここでλは再生装置搭載の再生レーザーの
波長、NAは再生レーザーを集光するための対物レンズ
の開口数)。
(Pはピッチ)とし、記録層9のグルーブGに相当する
部分にのみ記録することによって、高出力であり、且つ
時間軸方向の揺らぎの少ない記録マークMを書くことが
できる。また、情報記録担体11の再生にあっては、再
生光により消えにくい記録マークMを記録することがで
きる。これらの効果は、ピッチPをSよりも減じること
により、蓄熱効果が生まれ、エネルギー密度の高い、す
なわちコントラストの高い記録が行えることによる。
λは、350〜450nmの範囲であり、高NAレンズ
を使用すると、NAは、0.75〜0.9となるから、
ピッチPは、250〜600nmに設定される。更に、
HDTV(ハイディフィニションテレビジョン)による
デジタル画像を、2時間前後収録することを考慮した場
合には、記録容量が20GB以上必要であるから、ピッ
チPは、250〜450nmが望ましい。NAが0.8
5〜0.9とした場合には、250〜400nmが特に
望ましい。NAが0.85〜0.9であるとともに、λ
を350〜410nmとした場合には、250〜360
nmが特に望ましい。
わち、凸部と凹部の高低差は、λ/8n〜λ/20nが
相応しい。ここで、nは、透光層11のλにおける屈折
率である。記録層9の反射率が、第4微細パターン3C
の存在によって減少することから、この高低差は、小さ
い方が望ましく、再生信号のエラーレートを劣化させな
いための限界として、λ/10n以下が適切である。ま
たトラッキングを行う際のプッシュプル信号(差信号)
がこの高低差と共に増大するから、トラッキングの可能
な限界値として、λ/18n以上が必要である。すなわ
ち、λ/10n〜λ/18nが最も好適である。
て設計した場合には、Δ<Pとして蛇行幅Δを定めるこ
とが必要である。このように形成すると、隣接トラック
どおし(例えばグルーブGどおし)が物理的に接触しな
いので、記録時のクロスライトが回避できる。
変化記録材料を選択し、反射率、位相差またはその両方
の高低差によって記録を行う場合について、具体的に実
験を行った。すなわち、情報記録担体11に対して、相
変化記録によるランダムデータを書き込み、プッシュプ
ル法によるアドレスの再生を試みたところ、アドレス検
出が可能な限界としては、0.01S≦Δであり、0.
01Sを下回って作製されたグルーブGに対しては、相
変化記録によるランダムデータがノイズとして顕著に重
畳されて、アドレスのエラーレートが急増した。
よる低い反射率状態(例えばアモルファス状態)であっ
ても、充分アドレスが再生できた。0.15S<Δの場
合には、隣接トラックからの再生クロストークの影響が
現れ、アドレス信号の時間軸方向の揺らぎが発生し、安
定性が劣化した。従って、特にΔ<P且つ、0.01S
≦Δ≦0.15Sの関係を満たす条件が最も相応しい。
み、記録マークMが記録され、この記録マークMは、変
調信号のONまたはOFFを示すものであり、各種長さ
のものがある。マークMは、前述したとおり記録層9に
形成されるものであり、記録層9が相変化材料である場
合には、反射率または位相差またはその両方の高低差に
よって記録される。
の第4微細パターン3CがCLV記録として製造された
場合には、CLVとしてユーザー記録を行う。一方、情
報記録担体11の第4微細パターン3Cが角速度一定
(constant angular velocity、CAV)記録として製
造された場合には、CAVとしてユーザー記録を行う。
この結果、グルーブGより正確なアドレス情報を再生し
ながら、アドレスに同期したユーザーデータを正確に記
録することができる。
用いる振幅変移変調波250(250、251、25
2)、周波数変移変調波260(260、261、26
2)、位相変移変調波270(270、271、27
2)について図19乃至図27を用いて以下に説明す
る。前述したとおり、これら変調波は、ビーム整形器1
22に入力される信号形状であると同時に、第1微細パ
ターン3に形成されるグルーブ形状と同じである。すな
わち、これら変調波の時間軸方向が、第1微細パターン
3のグルーブGのトラック方向に変換され、同時に変調
信号の振幅方向が、グルーブGの直角方向に変換されて
記録される。
は、第4微細パターン3CのグルーブGのトラック方向
に変換され、同時に変調信号の振幅方向が、グルーブG
の直角方向に変換されて記録される。以下の説明では、
第4微細パターン3Cを構成するグルーブGの形状とし
て説明するが、ビーム整形器122に入力される信号形
状としても同じである。
52について図19乃至図21を用いて説明する。図1
9に示すように、振幅変移変調波250は、データを振
幅変移変調によって形状記録するものであり、具体的に
はグルーブGを一定の周期で蛇行させた振幅部分250
1と非振幅部分2500とからなる。言い換えれば、振
幅部分2501は、グルーブGの蛇行部分であり、非振
幅部分2500は、グルーブGが蛇行しない部分であ
る。そして、振幅部分2501と非振幅部分2500は
データビットの1と0にそれぞれ対応する。
れている。その数には制限がないが、多すぎると非振幅
部分2500の長さも必然的に長くなるので、再生時に
ゲートを生成する基本波を検出しにくくなる。従って、
2〜100波、望ましくは3〜30波が適当である。こ
のように振幅の有無、または振幅強度が一定値を越える
か否かによってデジタルデータ(図19では1011
0)が記録される。記録されたデータの読み取りには、
後述するプッシュプル法を用いることができる。また、
振幅変移変調波250は、振幅部分2501と非振幅部
分2500のそれぞれの長さや、その振幅の大きさにつ
いて制限を与えるものではない。例えば図19中、振幅
部分2501の長さは、非振幅部分2500よりも長く
設定している。
1は、振幅部分2511と非振幅部分2510によって
構成されており、振幅部分2511の振幅が各々ばらば
らであるが、これでも構わないし、意図的にその振幅を
多段階として、3値以上の多値記録を実現してもよいも
のである。更に、図21に示す振幅変移変調波252の
ように、振幅部分2521の振幅が、各々揃っており、
且つ振幅部分2521の長さが、非振幅部分2520の
長さと同じになっていてもよいものである。
データをデジタル記録する場合には、図21に示すよう
に等方的なレイアウトとした場合が望ましい。すなわち
振幅部分2521の高さが揃っており、振幅部分252
1と非振幅部分2520との長さを互いに等しくする
と、再生時に0,1判定を充分な振幅閾値で行うことが
でき、なおかつシリーズ化したデータを1つの時間閾値
で読み取ることができるので、再生回路が簡単になる。
の影響を最小にできるというメリットがある。また、記
録するコードが理想的に対称であったとすると、振幅部
分2521の総計長さと非振幅部分2520の総計長さ
は等しくなり、再生信号に直流成分がないことになる。
これはデータのデコード及びサーボに負担がかからない
ことになり、有利である。
報記録担体11には、振幅変移変調波250,251,
252によりアドレスが記録される。グルーブGの側壁
蛇行有無に対応して、0,1を記録するので、0,1の
判別能力には優れたものがある。すなわち、アドレスは
比較的少ないC/Nであっても低いエラーレートを得る
ことができる。また、ユーザーによる記録層9への記録
が行われた状態であっても、その記録に伴うランダムノ
イズの影響は少なくすることができ、低いエラーレート
を維持することができる。
22乃至図24を用いて説明する。これは、データを周
波数変移変調によって形状記録するものであり、グルー
ブGを異なる周波数で蛇行させた複数の部分よりなる。
具体的には、2値(バイナリ)データの場合、高周波数
部分と低周波数部分とを用いて形状記録される。n値デ
ータの多値とする場合は、n種類の周波数部分を用いた
周波数変移変調によって形状記録される。
状記録した一例であり、高周波数部分2601と低周波
数部分2600とからなっている。高周波数部分260
1と低周波数部分2600は、データビットの1と0に
それぞれ対応し、1チャネルビット毎に周波数が切り替
わってデジタル記録されている。それぞれの周波数部分
を構成する波の数に制限はなく、1波以上の波で構成さ
れている。しかし再生装置において周波数を正しく検知
すること及びデータ転送速度をある程度得るため、冗長
になりすぎないことを考慮すると、1〜100波、望ま
しくは1〜30波の範囲で、前記した各データビットに
対応した周波数部分のそれぞれを構成するのが望まし
い。
00それぞれの振幅は、一致していてよい。しかし、振
幅比に制限はなく、再生装置の周波数特性を考慮して、
高周波数部分2601の振幅を、低周波数部分2600
よりも大きく形成してもよい。このように構成すると、
再生装置での高い周波数における出力減衰を補完するこ
とができ、読み取り能力が向上する。記録されたデータ
の読み取りには、公知のプッシュプル法を用いることが
できる。
1は、高周波数部分2601及び低周波数部分2600
で構成されるチャネルビットの物理長さや、その振幅の
大きさについて制限を与えるものではない。例えば、図
22では、低周波数部分2600の物理長さは、高周波
数部分2601より長く設定している。図23に示すよ
うに、周波数変移変調261は、高周波数部分2611
と低周波数部分2610の振幅が、各々揃っており、且
つ高周波数部分2611の長さが、低周波数部分261
0の長さと同じになっていてもよいものである。
充分な振幅閾値で行うことができ、なおかつシリーズ化
したデータを1つの時間閾値で読み取ることができるの
で、再生回路が簡単になる。また再生データにジッタが
あった場合にも、その影響を最小にできるというメリッ
トがある。記録するコードが理想的に対称であったとす
ると、高周波数部分2611の長さ総計と低周波数部分
2610の長さ総計は、等しくなり、再生信号に直流成
分がないことになる。これは、データのデコード及びサ
ーボに負担がかからないことになり、有利である。
1、2611と低周波数部分2600、2610がそれ
ぞれ、チャネルビットの切り替え点で立ち上がるように
接続されている。しかしながら、この時、50%の確率
で位相ジャンプが発生するので、高周波成分が生成さ
れ、周波数あたりの電力効率が悪くなる。
めに、周波数変移変調262のチャネルビット切り替え
点で位相連続性が保たれるように、高周波数部分262
1と低周波数部分2620を配置した例である。すなわ
ち、高周波数部分2621の終了と低周波数部分262
0の開始が同じ位相方向になるように低周波数部分26
20の開始位相を選択する。また、逆も同じで、低周波
数部分2620の終了と高周波数部分2621の開始が
同じ位相方向になるように高周波数部分2621の開始
位相を選択する。
たれ、電力効率が向上するとともに、再生エンベロープ
が一定となるので情報記録担体11に記録されたアドレ
スのデータエラーレートが向上する。また、高周波数部
分2621(2601、2611、2621)と低周波
数部分2620(2600、2610、2620)の周
波数の選択は任意であるが、情報記録担体11にユーザ
がデータを記録する周波数帯との干渉を避けるために、
高周波数部分2621は低周波数部分2620と比べ、
著しく高い周波数にならないことが求められる。
を良好にするために高周波数部分2621と低周波数部
分2620の周波数差は、ある程度有し、分離性を良好
に保つことが望ましい。これらの観点から、高周波数部
分2621と低周波数部分2620の周波数比(高周波
数/低周波数)は、1.05〜5.0の範囲内、特に
1.09〜1.67の範囲内であることが望ましい。言
い換えると、2つの周波数の位相関係は、基準位相を2
πとしたとき、2π±(π/20.5)〜±(π/0.
75)の範囲内、特に2π±(π/12)〜±(π/
2)(すなわち360±15度〜±90度)の範囲とす
ることが望ましい。
(高周波数/低周波数)を1.5倍とすると、2つの周
波数は、単一波の位相を−π/2.5(高周波数)と+
π/2.5(低周波数)にずらした位相関係となる(基
準位相を2πとしたとき、2π±(π/2.5))。す
なわち、360±72度にずらした関係となる。これら
2つの周波数は単一の周波数(ここでは0.5)の整数
倍(ここでは3倍と2倍)で表現できる。
点が生じる。0.5のウインドを持った回路により、ク
ロックの生成も容易になる。復調を同期検波回路により
行うこともでき、その場合はエラーレートを著しく減少
させることができる。このように本発明の実施形態にお
ける情報記録担体11には、周波数変移変調260,2
61、262によりアドレスが記録される。蛇行周波数
の変化に対応して、0,1を記録するので、0,1の判
別能力には優れたものがある。すなわち、アドレスは比
較的少ないC/Nであっても低いエラーレートを得るこ
とができる。
行われた状態であっても、その記録に伴うランダムノイ
ズの影響は少なくすることができ、低いエラーレートを
維持することができる。また、周波数と周期を組み合わ
せて、データを表現することもできる。図示はしない
が、(高い周波数)÷(高い周波数の周期数)=(低い
周波数)÷(低い周波数の周期数)となるように、互い
のウォブル周期を定めると、ウォブルの周波数を切り替
えるときにウォブルの位相が一致し、グルーブGの形状
がウォブルの周波数が切り替わるところでスムーズに変
位させることができる。
きの誤差が減り、ウォブル中に埋め込まれている情報の
復調誤差が減る効果を有するようになる。例えば、記録
周波数として、150KHzのウォブルで「0」という
情報を8周期分記録し、131.25kHzのウォブル
で「1」という情報を7周期分記録した場合、150k
Hzと131.25kHzとの切り替え部分の位相が一
致するので、良好な情報を記録することができる効果が
ある。
25乃至図27を用いて説明する。図25に示すよう
に、データを位相変移変調によって形状記録するもので
あり、具体的にはグルーブGを一定の周波数で蛇行させ
た複数の部分よりなる。2値(バイナリ)データの場合
は、前進位相部分と後退位相部分の2種類で構成し、n
値データの多値とする場合は、n種類の位相にそれぞれ
対応するn個の位相部分で構成する。
状記録した一例であり、前進位相部分2701と後進位
相部分2700とからなっている。そして、前進位相部
分2701と後進位相部分2700は、データビットの
1と0にそれぞれ対応し、1チャネルビット毎に位相が
切り替わってデジタル記録されている。具体的には、前
進位相部分2701は、正弦波のsin0で表され、後
進位相部分2700は、正弦波のsin(−π)で表さ
れる。前進位相部分2701と後進位相部分2700
は、それぞれ1波で構成されているが、位相差はπもあ
るので、エンベロープ検波や同期検波によって充分分離
再生することができる。
00の周波数は、いずれも同じであるが、それぞれを構
成する波の数に制限はなく、1波以上の波で構成され
る。しかし再生装置において位相を正しく検知するこ
と、及びデータ転送速度をある程度得るため、冗長にな
りすぎないことを考慮すると、1〜100波、望ましく
は1〜30波の範囲で、前記した各データビットに対応
した周波数部分のそれぞれを構成するのが望ましい。
00のそれぞれの物理長さは、同じであっても異なって
いてもよい。ぞれぞれの物理長さを同じとすると、再生
時にシリーズ化したデータ1つ1つを一定の時間(クロ
ック)で区切ることができるので、再生回路が簡単にな
る。再生データにジッタがあった場合にも、その影響を
最小にできるというメリットがある。前進位相部分27
01と後進位相部分2700それぞれの振幅は一致して
いても異なっていてもよいが、再生のしやすさを考慮す
ると一致していることが望ましい。
1は、バイナリデータのみならず多値データも扱うこと
ができる。何種類の位相まで扱えるかは、各データビッ
トの位相差をどの程度の細かさまで分離できるかに依っ
ている。本出願人は、情報記録担体11から、実験的に
その分離限界を求めたところ、位相差がπ/8まで分離
できることを確かめた。言い換えると、多値のチャネル
ビットでは、それを構成する多種の位相部分は、それぞ
れの最小位相差をπ/8〜πまで扱うことが可能である
(πはバイナリの最小位相差に相当)。すなわち2値か
ら16値のデータまで扱うことができる。
データを記録した例を示すもので、位相部分[sin
(−3π/4)]2710、位相部分[sin(−π/
4)]2711、位相部分[sin(π/4)]271
2、位相部分[sin(3π/4)]2713の4種類
の位相を扱う。それぞれの位相部分の最小位相差は、π
/2であるので、充分データを分離取得することができ
る。便宜上位相部分[sin(−3π/4)]2710
は、データ「1」、位相部分[sin(−π/4)]2
711は、データ「2」、位相部分[sin(π/
4)]2712は、データ「3」、位相部分[sin
(3π/4)]2713は、データ「4」に対応させて
いる。
は、多値データを多次元データとしてもよい。例えば、
データを2次元の「x,y」とすると、データ「1」を
データ「0,0」、データ「2」をデータ「0,1」、
データ「3」をデータ「1,0」、データ「4」をデー
タ「1,1」と置き換えて扱ってもよい。
記録担体11でアドレスを扱う別の例を示した図であ
る。すなわち基本波が鋸波になっており、立ち上がりと
立ち下がりの非対称な形状と捉える。それぞれを別々に
制御することで位相の違いを表現している。図25で
は、データ「1」を立ち上がり緩やか、立ち下がり急峻
部分2721(以下、下り急峻部分2721と呼ぶ)、
データ「0」を立ち上がり急峻、立ち下がり穏やか部分
2720(以下、登り急峻部分2720と呼ぶ)として
記録している。
録する場合においては、図27に示すように、下り急峻
部分2721、登り急峻部分2720、下り急峻部分2
721、下り急峻部分2721、登り急峻部分2720
の順で形状記録される。このような登りと下りの角度の
違いによってデータを記録する方法は、高帯域フィルタ
ーに入力し、微分成分を抽出することで復調でき、低い
C/N環境下でも再生できる利点がある。
記録担体11には、位相変移変調270,271、27
2によりアドレスが記録される。蛇行数の位相変化に対
応して、0,1を記録するので、0,1の判別能力には
優れたものがある。特に、位相変移変調は、周波数が一
定であるために、アドレス復調回路の前段に設けるフィ
ルタを1つの周波数に特化したバンドパスフィルタとす
ることができ、ユーザー記録により生じたノイズを含
め、あらゆるノイズを効果的に除去することができる。
Nであっても低いエラーレートを得ることができる。ま
た、ユーザーによる記録層9への記録が行われた状態で
あっても、その記録に伴うランダムノイズを効果的に除
去することができ、低いエラーレートを維持することが
できる。
報記録担体11の再生にあたっては、公知の2分割また
は4分割フォトディテクタを内蔵した再生装置を用いる
ことができる。再生装置に装着された情報記録担体11
がディスク状であった場合、その内周側に配置された分
割フォトディテクタ面の出力と、外周側に配置された分
割フォトディテクタ面の出力との差を取ることによっ
て、信号が出力される(プッシュプル法)。
対応した信号を出力することになるので、情報記録担体
11の形状である振幅変移変調波250、251、25
2、周波数変移変調波260、261、262、位相変
移変調波270、271、272が、電気信号として復
元される。すなわち、グルーブGのトラック方向が、再
生信号の時間軸方向に変換され、グルーブGの直角方向
が再生信号の振幅方向に変換される。これは、情報記録
担体11製造時に使用したビーム整形器122に入力さ
れた信号と同じであり、入力信号をほぼ相似形の信号と
して、そのまま復元されることになる。
を正弦波として記録する例を説明したが、基本波を余弦
波とした記録であってもよい。アドレスウォブルは、上
記のような種類から選択して用いることが可能であり、
情報記録担体11の用途に応じて選択することができ
る。
Gを形成するのみならず、2つ乃至3つの異なる変調波
を選択して、異なる領域にそれぞれ時分割記録するよう
にしてもよいし、2つの変調方式を選択して、同じ領域
に重畳して多重記録するようにしてもよい。
を重畳記録してもよい。すなわち、振幅変移変調波25
0、251、252、周波数変移変調波260、26
1、262に対して、それを構成する周波数側と同じ周
波数、または異なる周波数を重畳してよい。特に周波数
変移変調波260に対しては、高周波数側または低周波
数側のいずれかの周波数を重畳してもよい。同様に高周
波数側または低周波数側のいずれかの周波数の整数倍、
または整数分の1の周波数を重畳してもよい。位相変移
変調波270に対しては、それを構成する周波数の整数
倍、または整数分の1の周波数を重畳してもよい。
畳波から、公知のバンドパスフィルタや位相検出器等に
よって単一周波数波と振幅変移変調波250、周波数変
移変調波260、位相変移変調波270を分離すること
が可能である。例えば、位相変移変調波270に対して
実験を試みたところ、単一周波数を重畳記録する際に、
位相変移変調の振幅と単一周波数波の振幅比が所定値、
1:5〜5:1の範囲内であれば問題なく分離再生でき
る。
を情報とすることもできる。例えば、正弦波で形成され
るウォブルの情報を「0」、鋸波または三角波で形成さ
れるウォブルの情報を「1」とすることも可能である。
また、正弦波で形成されるウォブルの情報を「0」、矩
形波で形成されるウォブルの情報を「1」、登り急峻鋸
波で形成されるウォブルを「2」、下り急峻鋸波で形成
されるウォブルを「3」、三角波で形成されるウォブル
を「4」、ウォブルを有していない直線で形成される部
分の情報を「5」というように定めておくこともでき
る。再生装置でウォブルの形状までも検出することとす
れば、5進法での情報表示が可能となり、アドレス情報
の高密度化を計ることができる効果も生じる。
本的な部分のみについて説明したが、用途に応じて種々
の変形や機能追加が可能である。上記した実施例はお互
いに構成要素を入れ替えることも可能であるし、本文で
記載した別の構成要素と交換することも可能である。例
えば、情報記録担体11の形状に限定はなく、ディスク
状、カード状、テープ状の情報記録担体であってもよ
い。また円形であっても、四角形でも、楕円形でも構わ
ない。更に、穴が開けられていてもよいものである。情
報記録担体11がディスク状の場合、その大きさに制限
はなく、例えば直径20〜400mmの各種サイズを取
ることができ、直径30、32、35、41、51、6
0、65、80、88、120、130、200、30
0、356mmなどであってもよい。
支持体8同士を互いに対向させて貼り合わせてもよい。
また、情報記録担体11の透光層10上に、記録層9と
透光層10をセットでもう一層ずつ重ねてもよい。この
ようにすれば、情報記録担体11の容量を約2倍に増す
ことができる。更に、記録層9と透光層10のセットの
積層を複数回繰り返して、多層の情報記録担体としても
よい。
LVの様式、CAVの様式のみならず、半径毎に異なる
ゾーンを形成し、各ゾーン毎で制御が異なるZCAV
(zoneconstant angular velocity)やZCLV(zone
constant linear velocity)の様式による形成であって
もよい。例えば、ZCAVで形成する場合には、ゾーン
内でCLVが実現され、情報記録担体11(基体1)全
体ではCAVに近い制御が行われる。ZCLVで記録す
る場合には、ゾーン内でCAVが実現され、情報記録担
体11(基体1)全体ではCLVに近い制御が行われ
る。また、第1乃至第6の微細パターン3、3A、3
B、3C、3D、3Eのうち、グルーブGとランドLは
それぞれ平坦としたが、これに限るものではない。例え
ばグルーブG、ランドLの少なくとも一方が、その断面
図において、V形状、またはΛ形状としてもよいもので
ある。
特性や再生特性を向上させる目的や保存安定性向上の目
的等で、複数の薄膜材料で構成してもよい。例えば補助
材料として、例えばシリコン、タンタル、亜鉛、マグネ
シウム、カルシウム、アルミニウム、クロム、ジルコニ
ウムなどの合金(酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フ
ッ化物の例を含む)や高反射膜(アルミニウム、金、銀
などやこれらを1つ以上含む各種合金などのヒートシン
ク材料)を併用して積層してもよい。特に、記録層9を
相変化材料とした場合には、例えばZnS、SiO、S
iN、SiC、AlO、AlN、MgF、ZrOなどの
誘電体材料を先述の記録材料に積層することによって、
反射率を適正化し、再生光量の増大や、書き換え回数、
再生特性、記録特性、再生安定性、保存安定性の向上を
することができる。
9とは、反対側に公知の静電気防止層、潤滑層、ハード
コート層などを形成してもよい。静電気防止層の具体的
な材料としては、エネルギー線硬化樹脂や熱硬化樹脂な
どに界面活性剤や導電性微粒子などを分散させたものを
用いることができる。潤滑層の具体的な材料としては、
炭化水素高分子にシリコンやフッ素を修飾し、表面エネ
ルギを調整した液体潤滑剤を用いることができる。潤滑
層の厚みは、0.1nm〜10nm程度が望ましい。ま
た、ハードコート層の具体的な材料としては、波長λの
光を70%以上透過する熱硬化樹脂、各種エネルギ線硬
化樹脂(紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化
樹脂の例を含む)、湿気硬化樹脂、複数液混合硬化樹
脂、溶剤含有熱可塑性樹脂を用いることができる。
を考慮して、JIS規格K5400の鉛筆ひっかき試験
値がある一定以上値であることが望ましい。情報記録担
体再生装置の対物レンズの最も硬い材料はガラスであ
り、これを考慮するとハードコート層の鉛筆ひっかき試
験値は、H以上が特に望ましい。この試験値以下である
とハードコート層が削れることによる塵埃の発生が著し
くなり、エラーレートが急激に悪くなるからである。ハ
ードコート層の厚みは、耐衝撃性を考慮して、0.00
1mm以上が望ましく、情報記録担体11全体の反りを
考慮して、0.01mm以下が望ましい。ハードコート
層の他の材料として、波長λの光を70%以上透過し、
鉛筆ひっかき試験値H以上のカーボン、モリブデン、シ
リコンなどの単体やその合金(酸化物、窒化物、硫化
物、フッ化物、炭化物の例を含む)を用いることもでき
る(膜厚1〜1000nm)。
とは反対側にレーベル印刷を施してもよい。印刷材料に
は例えば、各種顔料や染料を含んだ各種エネルギ線ー硬
化樹脂(紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬化
樹脂の例を含む)を好適に用いることができ、視認性を
考慮して0.001mm以上が望ましく、情報記録担体
11全体の反りを考慮して0.05mm以下が望まし
い。記録に用いる所定領域以外に、情報記録担体11を
認識するためのホログラムや目視可能な微細パターンを
形成してもよい。
やハンドリング上の保護性を向上するために、情報記録
担体全体をカートリッジに入れた構成としてもよい。情
報記録担体11にユーザー記録する記録マークMは、マ
ークポジション記録、マークエッジ記録のいずれも用い
ることができる。記録に用いられる信号は、いわゆる
(d、k)符号と呼ばれる最短マーク長をd+1、最長
マーク長をk+1とした変調信号である。この時、
(d、k)変調信号は、固定長符号であっても可変長符
号であっても用いることができる。具体的には最短マー
クを2Tとした(1.7)変調、17PP変調、DRL
変調、(1.8)変調、(1.9)変調などを用いるこ
とができる。
表例としては、D1,7変調(特願2001−8020
5に記載)が挙げられる。これはまた、固定長符号であ
るD4,6変調(特開2000−332613に記載)
を基本とした(1.7)変調や(1,9)変調にも置き
換えてもよい。前述した17PP変調は、可変長符号の
(1,7)変調の1つであり、特開平11−34615
4号公報に詳しく掲載されている。また、最短マークを
3Tとした可変長符号の(2.7)変調、(2.8)変
調、固定長符号の(2.10)変調としてEFM変調、
EFMプラス変調、D8−15変調(特開2000−2
86709号公報記載)なども用いることができる。同
様に最短マークを4Tとした変調方式(例えば(3,1
7)変調)や、5Tとした変調方式(例えば(4,2
1)変調)なども用いることができる。
の実施形態における第1の再生装置500について図2
8及び図29を用いて説明する。図28に示すように、
第1の再生装置500は、情報記録担体11からの反射
光を読み取るピックアップ50と、この情報記録担体1
1を回転するモータ51と、ピックアップ50及びモー
タ51の駆動を制御するサーボ52と、ピックアップ5
0で読み取った情報信号を復調する復調器54と、復調
器54で復調した信号を外部に送出するインターフェー
ス(I/F)55と、全体を制御するコントローラ60
とから少なくともなる。
がDVDで使用されているEFMプラス変調(8−16
変調)であれば、16ビットデータを、オリジナルの8
ビットデータに戻す操作を行うデジタル変換器である。
ターンテーブル53と情報記録担体11とは、中心穴Q
を填めあいにして接続されているが、これらは固定接続
でもよいし、自由に着脱できる半固定接続でもよい。ま
た、情報記録担体11は、カートリッジに装着されたも
のであってもよく、中央に開閉機構がある公知のカート
リッジをそのまま用いることができる。
されており、ターンテーブル53と情報記録担体11と
は、中心穴Qを填めあいにして接続されている。モータ
51はターンテーブル53を介し、情報記録担体11を
保持し、再生のための相対運動を付与する。信号出力
は、図示しない外部出力端子に接続されていてもよい
し、図示しない表示装置や、オーディオ装置、印字装置
に直接接続されていてもよい。
nmの間の単一波長、望ましくは400〜435nmの
間の単一波長で発光する発光素子50aと、開口数0.
75〜0.9の対物レンズ50bと、情報記録担体11
からの反射光を受光する4分割フォトディテクタ50c
を少なくとも備えている。そして、これらによって再生
光99を形成するものである。前記した発光素子50a
は、窒化ガリウム系化合物半導体レーザであってもよい
し、第2高調波生成素子を有したレーザであってもよ
い。本出願人の実測によれば、第2高調波生成素子は、
レーザRIN(Relative Intensity
Noise)が−134dB/Hzであり、一方、窒
化ガリウム系化合物半導体レーザの場合は、RINが−
125dB/Hzである。窒化ガリウム系化合物半導体
レーザの方が、ノイズが9dB大きいものの、どちらも
好適に用いることができる。
図29を用いて説明する。図29は、フォトディテクタ
50cの分割状態と、情報記録担体11との相対関係を
示す平面図である。図29に示すように、フォトディテ
クタ50cは、4分割に分割されている。すなわち、4
分割された素子A、B、C、Dが、情報記録担体11の
半径方向、接線方向に関係づけられて配置されている。
A、B、C、Dのそれぞれの各素子が受光して得られる
電流は、Ia、Ib、Ic、Idであり、総和信号を生
成するときは、すべての電流を合計してIa+Ib+I
c+Idとなす。また差信号(プッシュプル信号)を生
成するときは、接線方向の合計同士を引き算することに
よって、(Ia+Ib)−(Ic+Id)を生成する。
が、ピックアップ50の駆動制御用サーボ、及びモータ
51の駆動制御用サーボの2つに分けてもよい。復調器
54には、図示しない公知のイコライザーとPRML復
号回路が内蔵されていてもよい。例えばイコライザ(波
形等化器)として、非線形な入出力特性を有する複数の
変換系が独立した可変重みで結合されて、ニューラルネ
ットワークを構成する、いわゆるニューラルネットイコ
ライザ(特許第2797035号)や、再生信号の振幅
レベルを所定値に制限してからフィルタリング処理す
る、いわゆるリミットイコライザ(特開平11−259
985号公報)、再生信号と波形等化目標値との誤差を
求めて、それを最小とするように波形等化器の周波数を
適応的に可変する、いわゆる誤差選択型イコライザ(特
開2001−110146号公報記載)などを好適に用
いることができる。
測値制御/等化誤差演算回路を含み、ビタビ・アルゴリ
ズムの復号に用いる予測値を演算するとともに、波形等
化器の等化誤差を最小とするように周波数特性を最適化
する、いわゆるアダプティブビタビデコーダ(特開20
00−228064号公報、及び特開2001−186
027号公報)を好適に用いることができる
て説明する。ここでは、第4微細パターン3Cを有した
情報記録担体11のグルーブGに記録されたユーザデー
タを再生するものとして説明する。ピックアップ50の
発光素子50aから対物レンズ50bを介して、再生光
99を出射し、情報記録担体11の第4微細パターン3
Cに集光させる。具体的には透光層10の厚みに相当す
る50〜120μmの深度にある第4微細パターン3C
にフォーカスを行う。続いて、グルーブGにトラッキン
グを行う。
光をフォトディテクタ50cで受光して記録信号を読み
取る。この時、フォトディテクタ50cの総和信号が、
復調器54に送られ、情報が復元される。このように、
記録信号の読み取りは、第4微細パターン3C上のグル
ーブGにトラッキングを取り、グルーブGに記録されて
いる記録マークMを再生することによって行われること
になる。なお、説明を省略したが、フォーカスにはフォ
ーカスエラー信号を生成し、トラッキングにはトラッキ
ングエラー信号を生成する必要がある。
ー信号は、4分割フォトディテクタ出力の半径方向の差
信号(すなわち(Ia+Ib)−(Ic+Id))によ
って生成され、サーボ52に送られる。そして、コント
ローラ60の制御に基づいて、受信したフォーカスエラ
ー信号やトラッキングエラー信号より、サーボ52内で
フォーカスサーボ信号、トラッキングサーボ信号を生成
してピックアップ50に送る。一方、サーボ52からは
回転サーボ信号も生成して、モータ51に送る。復調器
54では、前記した記録信号を復調し、必要に応じて誤
り訂正を行い、得られたデーターストリームをインター
フェース(I/F)55に送る。そして、コントローラ
60の制御に基づいて信号を外部に送出する。
装置500によれば、情報記録担体11を装着してお
り、これらは、λ=350〜450nmの間の単一波長
を有する発光素子50aと、開口数NA0.75〜0.
9の対物レンズ50bと、4分割フォトディテクタ50
cによって生成される再生光99に適合して設計された
ものであるから、情報記録担体11を良好に再生するこ
とができる。第1の再生装置500は、記録層9に記録
されたユーザーデータを読み出すための再生装置であ
り、長時間にわたって連続して記録されたコンテンツを
再生することができる。例えばビデオレコーディングさ
れたHDTV番組や映画の再生に用いることができる。
生装置510について、図30を用いて説明する。第2
の再生装置510は、図28及び図29に示す第1の再
生装置500において、ピックアップ50とコントロー
ラ60との間にピックアップで読取ったアドレス情報復
調器56を少なくとも備えたものであり、それ以外は同
様である。例えば、ビデオレコーディングされたHDT
V番組や映画の頭出し再生や、データの記録されたコン
ピュータデータの頭出し再生のための再生装置である。
調器54へ送られる信号は、4分割フォトディテクタ5
0cの総和信号(Ia+Ib+Ic+Id)である。一
方、ピックアップ50からアドレス情報復調器56へ送
られる信号は、4分割フォトディテクタ50cの半径方
向の差信号((Ia+Ib)−(Ic+Id))であ
る。情報記録担体11に溝蛇行として形成されたアドレ
ス情報は、その蛇行が半径方向になされているために、
この差信号をモニターすることで抽出できる。
は、振幅変移変調復調器、周波数変移変調復調器、位相
変移変調復調器の少なくとも1つからなるものである。
具体的には、振幅変移変調復調器の場合、包絡線検波回
路など、周波数変移変調復調器の場合には周波数検波回
路や同期検波回路など、位相変移変調復調器の場合には
同期検波回路や遅延検波回路、包絡線検波回路などを好
適に用いることができる。4分割フォトディテクタの半
径方向の差信号から、補助信号領域200を構成する振
幅変移変調波250、周波数変移変調波260、位相変
移変調波270が入力されて、これらが復号される。と
ころで、半径方向の差信号には、総和信号が少ないなが
ら洩れ込んでくることがある。これを避けるために、補
助信号の周波数帯域に合わせたバンドパスフィルタをア
ドレス情報復調器56の前に接続してもよい。
て説明する。ここでは、微細パターン3Cを有した情報
記録担体11のグルーブGの支持体に形成されたアドレ
ス情報、及び記録層9に記録されたユーザデータを再生
するものとして説明する。ピックアップ50の発光素子
50aから対物レンズ50bを介して、再生光99を出
射し、情報記録担体11の第4微細パターン3Cに集光
させる。具体的には、透光層10の厚みに相当する50
〜120μmの深度にある第4微細パターン3Cにフォ
ーカスを行う。続いて、グルーブGにトラッキングを行
う。
ター50cより差信号が生成され、アドレス情報復調器
56に送られる。そして、アドレス情報が読み取られ
る。この時、再生したアドレス情報と、コントローラ6
0に入力されているデータ頭出しのためのアドレスとを
照合する。ここで一致が見られない場合には、コントロ
ーラ60はサーボ52に信号を送りサーチの指示を行
う。サーチは、ピックアップ50の半径方向スキャンを
行いながら、モータ51の回転数を半径移動に伴って、
半径に見合う回転数に設定しなおす。
らの差信号を受けているアドレス復調器56から出力さ
れるアドレスが、所定のアドレスと照合され、これらが
一致するまでサーチが続けられる。一致が見られると、
半径方向のスキャンは、中止され、連続再生に切り替え
られる。総和信号(Ia+Ib+Ic+Id)が入力さ
れた復調器54からの出力が、頭出しして得られたデー
タストリームの復調となり、インターフェース(I/
F)55に入力される。そしてコントローラ60の制御
に基づいて信号を外部に送出する。
装置510によれば、情報記録担体11を装着してお
り、これらは、λ=350〜450nmの間の単一波長
を有する発光素子50aと、開口数NA0.75〜0.
9の対物レンズ50bによって生成される再生光99に
適合して設計されたものであるから、情報記録担体11
を良好に再生することができると同時に、アドレスをも
再生して、データストリームの頭出し再生を行うことが
できる。
600について図31を用いて説明する。図28乃至図
30と同一構成には同一符号を付し、その説明を省略す
る。記録装置600は、図30に示す第2の再生装置5
10において復調器54の代わりに、ピックアップ50
とI/F55との間に、変調信号を情報記録担体11の
記録に相応しいように変形する波形変換器83とオリジ
ナルデータを変調する変調器82を直列に接続したもの
であり、それ以外は同様である。この記録装置600
は、例えば、所定のアドレスに新規にコンピュータデー
タを記録したり、所定のアドレスより連続してHDTV
番組や映画をビデオレコーディング記録したりするため
の記録装置である。
あれば、オリジナルデータの8ビットを16ビットに変
換する変調器である。波形変換器83は、変調器82か
ら受け取った変調信号を情報記録担体11の記録に相応
しいように変形する。具体的には、情報記録担体11の
記録層9の記録特性に合わせた記録パルスに変換する変
換器であり、例えば、記録層9が相変化材料である場合
には、いわゆるマルチパルスが形成される。即ち、変調
信号をチャネルビットもしくはそれ以下の単位に分割さ
れ、パワーを矩形波状に変化させるものである。ここ
で、マルチパルスを構成するピークパワー、ボトムパワ
ー、イレイスパワー、パルス時間などがコントローラ6
0の指示に従って設定される。
する。ここでは、第4微細パターン3Cを有した情報記
録担体11のグルーブGの支持体に形成されたアドレス
情報を読み出し、その情報に基づいて、ユーザーデータ
を記録層9に記録するものとして説明する。ピックアッ
プ50の発光素子50aから対物レンズ50bを介し
て、再生光99を出射し、情報記録担体11の第4微細
パターン3Cに集光させる。具体的には、透光層10の
厚みに相当する50〜120μmの深度にある第4微細
パターン3Cにフォーカスを行う。続いてグルーブGに
トラッキングを行う。続いてピックアップ50からの半
径方向の差信号((Ia+Ib)−(Ic+Id))を
アドレス情報復調器56に送り、アドレス情報が読み取
られる。この時、コントローラ60に入力されている、
データ頭出しのためのアドレスと照合する。ここで一致
が見られない場合には、コントローラ60はサーボ52
に信号を送りサーチの指示を行う。
キャンを行いながら、モータ51の回転数を半径移動に
伴って、半径に見合う回転数に設定し直す。スキャンの
過程では、ピックアップ50からの差信号を受けている
アドレス情報復調器56から出力されるアドレスが、所
定のアドレスと照合され、これらが一致するまでサーチ
が続けられる。一致が見られると、半径方向のスキャン
は、中止され、記録動作に切り替えられる。即ち、イン
ターフェース(I/F)81から入力されたデータが、
コントローラ60の制御に基づいて変調器82によって
変調される。続いて、コントローラ60の制御に基づい
て変調されたデータが波形変換器83に入力され、記録
に相応しい様式に変換されてピックアップ50に出力さ
れる。
設定された記録パワーに変更して、記録光89を生成
し、情報記録担体11に照射される。このようにして情
報記録担体11の所定のアドレスに記録が行われる。記
録中も記録光89によって半径方向の差信号((Ia+
Ib)−(Ic+Id))を読み取ることは、可能であ
り、アドレス復調器56よりアドレスを抽出することが
できる。従って、ユーザー希望のアドレスまでの限定し
た領域記録も可能である。
ジション記録、マークエッジ記録のいずれでも用いるこ
とができる。また記録に用いられる信号は、先述したよ
うにいわゆる(d、k)符号と呼ばれる最短マーク長を
d+1、最長マーク長をk+1とした変調信号である。
この時、(d、k)変調信号は、固定長符号であっても
可変長符号であっても用いることができる。
記録装置600によれば、情報記録担体11を装着して
おり、これらはλ=350〜450nmの間の単一波長
を有する発光素子50aと、開口数NA0.75〜0.
9の対物レンズ50bによって生成される再生光99及
び記録光89に適合して設計されたものであるから、情
報記録担体11に良好に記録することができると同時
に、アドレスをも再生して、記録のための任意位置出し
を行うことができる。
な部分のみについて説明したが、上記記載した内容以外
に、本発明を阻害しない範囲での種々変形や追加が可能
である。また、本発明は、第1及び第2の再生装置50
0,510及び記録装置600に関して、請求項に記載
した範囲以外に、第1及び第2の再生装置500,51
0及び記録装置600の各動作についても含むものであ
る。装置の諸動作を、各々ステップに置き換えることに
より生成される再生方法、及び記録方法を含むものであ
る。また再生方法の各ステップを実行するコンピュータ
プログラム、及び記録方法の各ステップを実行するコン
ピュータプログラムを含むものである。
担体を、具体的にした実施例1〜5について比較例1及
び2と併せて説明する。 実施例1 図31に示した記録装置600及び図30に示した第2
の再生装置510を用いて、記録再生を行う相変化記録
型ディスク状情報記録担体11を用意する。ここで、記
録装置600及び第2の再生装置510は、共にλ=4
05nmであり、NA=0.85である光ピックアップ
50(S=λ/NA=476nm)を有したものであ
る。
成について説明する。支持体8は、厚さ1.1mmのポ
リカーボネートからなり、記録層9は、AgInSbT
eに対して、記録補助の目的でAg98Pd1Cu1、Zn
SSiO2(80:20、mol%)を併用したもので
あり、支持体8に対して、AgPdCu、ZnSSiO
2、AgInSbTe、ZnSSiO2の順でスパッタリ
ング成膜法によって積層したものである。透光層10
は、記録層9に対し、厚さ0.005mmの紫外線硬化
型透明接着剤を介して、厚さ0.095mmのポリカー
ボネートが接着されたものである。この透光層10のλ
における屈折率nは、1.6となっている。
みて凸部にアドレス情報が変調されてウオブル形成され
ており、この凸部は両側壁が周期及び位相を同じくし
て、図16の第4微細パターン3Cのように形成されて
いる。言い換えれば、凸部は、両側壁が平行として形成
されている。図17に示す第4微細パターン3Cと同じ
であり、ピッチPがP≦Sであり、0.01S≦Δ≦
0.15Sとなるように形成されている。
54nm、第4微細パターン3Cの凸部と凹部の高低差
は、23nmとなるように形成されている。また、変調
ウォブルは、正弦波(余弦波)を基本波とする図24に
示す周波数変移変調波262からなり、2π±(π/
2.5)であり、周波数切り替え点で波が連続するよう
位相が選択されたものである。そして、透光層10側よ
りレーザ光を照射して記録層9を反射率の低いアモルフ
ァス状態から、反射率の高い結晶状態へ相変化させて、
初期化されたものである。
録について説明する。実施例1の情報記録担体11をλ
405nm、NA0.85のピックアップ50を備えた
図31に示す記録装置600に装着し、透光層10側か
ら見て凸部(グルーブG)より再生した差信号をアドレ
ス情報復調器56に導き、得られたアドレス情報と所望
のアドレスとを照合しながら、ピックアップ50を所望
のアドレスまで誘導し、透光層10から見た凸部(グル
ーブG)の記録層9に(d、k)符号により、記録マー
クMの記録を行う。この際、(d、k)符号は、17P
P変調であり、記録マークMの最短マーク長(=2T)
は、0.149μmである。
記録ピークパワー6.0mW、バイアスパワー2.6m
W、マルチパルス間ならびに冷却パルスのボトムパワー
0.1mW、線速度5.3m/sである。そして、波形
変換器83によりいわゆるマルチパルスに変換した記録
であり、先頭パルスとそれに続くパルスの幅を記録周期
1Tの0.4倍、冷却パルスを記録周期1Tの0.4倍
とした3値パワー変調を採用している。
11の評価を以下のように行う。実施例1の情報記録担
体11をλ405nm、NA0.85のピックアップ5
0を有した図30に示す第2の再生装置510に装着
し、透光層10側から見た凸部(グルーブG)の再生を
行って評価を行う。ピックアップ50の総和信号より、
変調振幅(=(I8H−I8L)/I8H)が0.52
の信号が得られた。また、復調器54から得られる再生
信号は、2×10-5の良好なエラーレートであり、実用
上問題のないデータが抽出できることがわかった。アド
レス情報復調器56から得られるアドレス情報のエラー
レートは、記録部分で1%程度であり、アドレスデータ
を良好に復元できた。このアドレス情報のエラーレート
は、記録層9への記録を行った後の再生で、5%以下で
あると、誤り訂正処理により、エラーのほとんどないデ
ータ復元ができるので、極めて相応しいものである。
する。図1に示すように、光学グレードに仕上げられ
た、ソーダライムガラス状の基体1(酸化珪素70%含
有)を用意し、続いて図2のように、この平坦な基体1
表面にポジ型のエネルギー線感応膜2を均一に塗布す
る。このポジ型のエネルギー線感応膜2は、エネルギー
線の照射を受けて、2ステップで分解するものであり、
クレゾールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドの混
合材料を用いる。
置30を用い、図示しないプロセッサを経由して、外部
よりビーム整形器122に周波数変移変調波262を入
力し、ポジ型のエネルギー線感応性膜2上に収束エネル
ギー線を照射する。なお、エネルギー線源121は、2
66nmを発光するレーザであり、ビーム整形器122
は、アドレスの変調信号に対応して、収束エネルギー線
を半径方向に偏向する電気光学結晶素子による偏向器
(EOD)である。このようにして、図11に示す如
く、第1微細パターン3を、グルーブGの両側面のウォ
ブルの周期及び位相が等しくなるよう記録する。続いて
アルカリ現像処理を行って、そして、アドレスウォブル
を有したグルーブGを形成して、図3に示す第1微細パ
ターン3を形成する。
ーン3が形成された基体1上に、薄い導電膜(図示せ
ず)を介して、250μm厚のニッケルからなる第1メ
ッキ層4を形成する。続いて図5に示すように、これら
を剥離して第2微細パターン3Aを有する第1メッキ型
5を作製する。続いて図6に示すように、第2微細パタ
ーン3Aが形成された第1メッキ型5上に第2メッキ層
6を形成した。そして図7に示すように、第1メッキ型
5から第2メッキ層6を剥離して第3微細パターン3B
が形成された第2メッキ型7(ニッケル製300μm
厚)を作製する。
を射出成形機に取り付け、この第2メッキ型7に溶融し
たポリカーボネート樹脂を注入し、冷却して、図8に示
す支持体8を作製する。支持体8の表面には、第3微細
パターン3Bを有する第2メッキ型7から反転転写され
て、第4微細パターン3Cが形成される。
変調とし、最短マーク長(=2T)を0.154μmと
した以外は、実施例1と同様である。また、前記と同様
に記録を行って、透光層10側から見た凸部(グルーブ
G)の再生を行って評価を行った。変調振幅(=(I1
0H−I10L)/I10H)が0.60の信号が得ら
れた。また、復調器54から得られる再生信号は、8×
10-6の良好なエラーレートであり、実用上問題のない
データが抽出できることがわかった。更に、アドレス情
報のエラーレートは、記録部分で1%程度であり、アド
レスデータを良好に復元できた。
5変調とし、最短マーク長(=3T)を0.185μm
とした以外は実施例1と同様である。また、前記と同様
に記録を行った。そして、透光層10側から見た凸部
(グルーブG)の再生を行って評価を行ったところ、変
調振幅(=(I12H−I12L)/I12H)が0.
63の信号が得られた。また、復調器54から得られる
再生信号は、4×10-6の良好なエラーレートであり、
実用上問題のないデータが抽出できることがわかった。
更に、アドレス情報のエラーレートは、記録部分で1%
程度であり、アドレスデータを良好に復元できた。
(グルーブG)にアドレス情報を、位相変移変調波27
2によりウオブルを記録した情報記録担体11とした以
外は実施例1と同様である。また、前記と同様に、記録
を行った。そして、透光層10側から見た凸部(グルー
ブG)の再生を行って評価を行ったところ、変調振幅
(=(I8H−I8L)/I8H)が0.52の信号が
得られた。また、復調器54から得られる再生信号は、
2×10-5の良好なエラーレートであり、実用上問題の
ないデータが抽出できた。アドレス情報エラーレートも
記録部分で0.1%程度であり、アドレスデータを良好
に復元できた。
の再生装置510を用いて、記録再生を行う実施例5の
相変化記録型ディスク状の情報記録担体11を用意す
る。ここで、記録装置600及び再生装置510は、共
にλ=405nmであり、NA=0.85である光ピッ
クアップ50(S=λ/NA=476nm)を有したも
のである。実施例5の情報記録担体11の作製について
以下に説明する。図1のように、光学グレードに仕上げ
られた、珪素基体1を用意し、続いて図2のように、こ
の平坦な基体1表面にネガ型のエネルギー線感応膜2を
均一に塗布する。このネガ型のエネルギー線感応膜2
は、エネルギー線の照射を受けて、2ステップで不溶化
するものであり、架橋型アクリレート樹脂を用いてい
る。
置30を用い、図示しないプロセッサを経由して、外部
よりビーム整形器122に周波数変移変調波262を入
力し、ポジ型のエネルギー線感応性膜2上に収束エネル
ギー線を照射する。なお、エネルギー線源121は、電
子線照射装置であり、ビーム整形器122は、アドレス
の変調信号に対応して、収束エネルギー線を半径方向に
偏向するビーム偏向器である。このようにして、第1微
細パターン3を、ランドLの両側面のウォブルの周期及
び位相が等しくなるようにして記録する。
スウォブルを有したランドLを形成する。なお、この時
の製作寸法は、ピッチPがP≦Sであり、0.01S≦
Δ≦0.15Sとなるように形成する。具体的にはP=
320nmであり、Δ=54nmとなるように形成す
る。また、変調ウォブルは、正弦波(余弦波)を基本波
とした周波数変移変調波262からなり、2π±(π/
2.5)であり、さらに周波数切り替え点で波が連続す
るよう位相が選択されたものである。
のメッキを施し、これを剥離して、図14に示すよう
に、第5微細パターン3Dを有する第3メッキ型12を
形成した(ニッケル製250μm)。図15に示すよう
に、この第3メッキ型12を射出成形機に取り付け、溶
融したポリカーボネート樹脂を注入し、冷却して、図8
に示す支持体8を作製する。支持体8の表面には第5微
細パターン3Dを反転した、第6微細パターン3Eが形
成される。
録層9及び透光層10を形成する。これらの層の形成方
法は、実施例1と同じように行う。また、作製した情報
記録担体11に、透光層10側よりレーザ光を照射して
記録層9を反射率の低いアモルファス状態から、反射率
の高い結晶状態へ相変化させて、初期化を行う。
ついて説明する。実施例5の情報記録担体をλ=405
nm、NA=0.85のピックアップ50を有した記録
装置600に装着し、情報記録担体11の透光層10側
から見て凸部(ランドL)より再生した差信号をアドレ
ス情報復調器56に導き、得られたアドレス情報と所望
のアドレスとを照合しながら、ピックアップ50を所望
のアドレスまで誘導し、透光層10から見た凸部(ラン
ドL)の記録層9に(d、k)符号により、記録マーク
Mの記録を行う。この際、(d、k)符号は、17PP
変調であり、記録マークMの最短マーク長(=2T)
は、0.149μmである。
録ピークパワー6.0mW、バイアスパワー2.6m
W、マルチパルス間ならびに冷却パルスのボトムパワー
0.1mW、線速度5.3m/sである。そして、波形
変換器83により、いわゆるマルチパルスに変換した記
録であり、先頭パルスとそれに続くパルスの幅を記録周
期1Tの0.4倍、冷却パルスを記録周期1Tの0.4
倍とした3値パワー変調を採用している。
下のように行った。実施例5の情報記録担体をλ=40
5nm、NA=0.85のピックアップ50を有した図
30に示す第2の再生装置510に装着し、透光層10
から見た凸部(ランドL)の再生して、評価を行った。
ピックアップ50の総和信号より、変調振幅(=(I8
H−I8L)/I8H)が0.53の信号が得られた。
また、復調器54から得られる再生信号は、2.1×1
0-5の良好なエラーレートであり、実用上問題のないデ
ータが抽出できることがわかった。また、アドレス情報
復調器56から得られるアドレス情報のエラーレート
は、記録部分で1%程度であり、アドレスデータを良好
に復元できた。
記録担体11は、十分な変調振幅が得られ、エラーレー
トを十分低く抑えることができ、アドレス信号の復調も
良好に行えるものであることがわかった。
する第1メッキ型5を用いて、支持体8を射出成形する
ことが異なり、それ以外は、実施例1と同じ作製方法で
作製されたものである。この製造方法は、DVDで用い
られるスタンパ法と同じ製造方法である。このようにし
て作製された情報記録担体を実施例1と同様に、図31
に示す記録装置600を用いて、透光層10側から見た
凸部に対して選択的に、(d、k)符号による記録を行
い、図30に示す第2の再生装置510を用いて、透光
層10から見た凸部の再生して評価を行った。
り、アドレスを得て位置出しを行うことは不可能であっ
た。透光層10側から見た凸部は、両側壁の周期及び位
相が同じではなく、すなわち、互いに平行ではないため
で、異なるアドレスが同時に混信して再生することによ
る。なお、位置出しは行えなかったが、広域に記録を試
み、図30に示す第2の再生装置510において略同一
半径の再生を行ったところ、ピックアップ50の総和信
号より、変調振幅(=(I8H−I8L)/I8H)が
0.52の信号が得られた。また、復調器54から得ら
れる再生信号は、2×10-5の良好なエラーレートであ
り、実用上問題のないデータが抽出できることがわかっ
た。しかしアドレス情報復調器56から得られるアドレ
ス情報は、記録装置600と同様、混信した支離滅裂な
データであった。
作製した。このようにして製造した情報記録担体を記録
装置600を用いて、透光層10側から見た凹部に対し
て選択的に、(d、k)符号による記録を行った。この
際、アドレス情報は、正しく復調され、正確な位置決め
をした記録を行うことができた。次に、図30に示す第
2の再生装置510を用いて、透光層10側から見た凹
部の再生して評価を行った。ピックアップ50の差信号
より、アドレス情報復調器56から得られるアドレス情
報は、記録部分で1%程度であり、アドレスデータは良
好に復元できた。
(=(I8H−I8L)/I8H)が0.37程度の弱
い信号であり、更に、復調器54から得られる再生信号
は、2×10-3のエラーレートであり、エラーの多いデ
ータが再生された。以上、実施例1〜5及び比較例1及
び2に示したように、透光層10が0.05〜0.12
mmであり、透光層10側からみて凸側に両側壁が周期
及び位相を同じとしてアドレス情報が変調された情報記
録担体11を用い、この凸部に記録及び再生を行うこと
によって、記録層9記録の変調振幅、エラーレート及び
アドレスエラーレートのすべてを満足する情報記録担体
とすることができる。
て凸部に情報記録ができるために、高出力高品質の再生
信号が得られ、エラーレートが少なく、高密度の記録再
生ができる。またレーザ光照射側から見て凸部における
両側面のウォブル周期及び位相が同一であるので、混信
を起こさず、正確なアドレス情報を再生することができ
る。
方法の(基板準備工程)を示す図である。
方法の(エネルギー線感応膜形成工程)を示す図であ
る。
方法の(第1微細パターン形成工程)を示す図である。
方法の(第1メッキ層形成工程)を示す図である。
方法の(第1メッキ型作製工程)を示す図である。
方法の(第2メッキ層形成工程)を示す図である。
方法の(第2メッキ型作製工程)を示す図である。
方法の(支持体形成工程)を示す図である。
方法の(記録層形成工程)を示す図である。
造方法により作製された情報記録担体を示す図である。
造方法により形成される微細パターンを示す平面図であ
る。
照射装置を示す図である。
照射装置を示す図である。
程)にネガ型のエネルギー感応膜を適用した場合の工程
を示す図である。
程)を示す図である。
造方法により形成される微細パターンを示す拡大平面図
である。
状のCLV記録に適応した場合の情報記録担体を上方か
ら見た拡大平面図である。
のCLV記録に適応し、更にユーザー記録を行った場合
の情報記録担体を上方から見た拡大平面図である。
変調波を示す図である。
変調波を示す図である。
変調波を示す図である。
変移変調波を示す図である。
変移変調波を示す図である。
変移変調波を示す図である。
移変調波を示す図である。
移変調波を示す図である。
移変調波を示す図である。
示すブロック図である。
用いられるフォトディテクタを示す平面図である。
示すブロック図である。
ロック図である。
す断面図である。
ーン、3A…第2微細パターン、3B…第3微細パター
ン、3C…第4微細パターン、3D…第5微細パター
ン、3E…第6微細パターン、4…第1メッキ層、5…
第1メッキ型、6…第2メッキ層、7…第2メッキ型、
8…支持体、9…記録層、10…透光層、11…情報記
録担体、12…第3メッキ型、50…ピックアップ、、
50a…発光素子、50b…対物レンズ、50c…4分
割フォトディテクタ、51…モータ、52…サーボ、5
3…ターンテーブル、54…復調器、55、81…イン
ターフェース(I/F)、56…アドレス復調器、60
…コントローラ、82…変調器、83…波形変換器、8
9…記録光、99…再生光、250、251、252…
振幅変移変調波、260、261、262…周波数変移
変調波、270、271、272…位相変移変調波、5
00、510…再生装置、600…記録装置、ES…照
射エネルギー線スポット、G…グルーブ、L…ランド、
M…記録マーク、P…ピッチ、S…再生スポット径
Claims (11)
- 【請求項1】基体上にポジ型のエネルギー線感応層を塗
布する第1工程と、 このポジ型のエネルギー線感応層にエネルギー線を照射
して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを有し、
交互に形成されたグルーブとランドとを有する第1微細
パターンを形成する第2工程と、 この第1微細パターン上に第1メッキ層を形成した後、
この第1メッキ層を前記基体から剥離して、前記第1微
細パターンの前記グルーブ及び前記ランドと逆の関係と
なる第2微細パターンを有する第1メッキ型を作製する
第3工程と、 この第1メッキ型の前記第2微細パターン上に第2メッ
キ層を形成した後、この第2メッキ層を前記第1メッキ
型から剥離して、前記第1微細パターンのグルーブ及び
ランドと同じ関係となる第3微細パターンを有する第2
メッキ型を作製する第4工程と、 この第2メッキ型を支持体上に転写して第4微細パター
ンを形成した後、この第4微細パターン上に記録層、透
光層を順次形成する第5工程と、 からなることを特徴とする情報記録担体の製造方法。 - 【請求項2】基体上にネガ型のエネルギー線感応層を塗
布する第1工程と、 このネガ型のエネルギー線感応層にエネルギー線を照射
して、両側面に周期及び位相の等しいウォブルを有し、
交互に形成されたグルーブとランドを有する第1微細パ
ターンを形成する第2工程と、 この第1微細パターン上に第1メッキ層を形成した後、
この第1メッキ層を前記基体から剥離して、前記第1微
細パターンの前記グルーブ及び前記ランドと逆の関係と
なる第2微細パターンを有する第1メッキ型を作製する
第3工程と、 この第1メッキ型を支持体上に転写して第3微細パター
ンを形成した後、この第3微細パターン上に記録層、透
光層を順次形成する第4工程と、からなることを特徴と
する情報記録担体の製造方法。 - 【請求項3】前記ウォブルは、アドレスデータが振幅変
移変調によって変調されていることを特徴とする請求項
1又は2記載の製造方法。 - 【請求項4】前記ウォブルは、アドレスデータが周波数
変移変調によって変調されていることを特徴とする請求
項1又は2記載の製造方法。 - 【請求項5】前記ウォブルは、アドレスデータが位相変
移変調によって変調されていることを特徴とする請求項
1又は2記載の製造方法。 - 【請求項6】表面に凸部と凹部とが交互に形成された平
行溝連続体からなる微細パターンを有する支持体と、 前記微細パターン上に形成された記録層と、 前記記録層上に形成された厚さ0.05〜0.12mm
の透光層とからなる少なくともなり、 前記凸部又は前記凹部のピッチをP、前記記録層を再生
する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物レン
ズの開口数をNAとするとき、 前記微細パターンは、P≦λ/NAの関係を有すると共
に、前記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調され
たアドレス情報が周期及び位相を同じくしてウォブルと
して形成されていることを特徴とする情報記録担体。 - 【請求項7】表面に凸部と凹部とが交互に形成された平
行溝連続体からなる微細パターンを有する支持体と、 前記微細パターン上に形成された記録層と、 前記記録層上に形成された厚さ0.05〜0.12mm
の透光層とからなる少なくともなり、 前記凸部又は前記凹部のピッチをP、前記記録層を再生
する再生光の波長をλ、前記再生光を出力する対物レン
ズの開口数をNAとするとき、 前記微細パターンは、P≦λ/NAの関係を有すると共
に、前記透光層側から見て凸部の両側壁には、変調され
たアドレス情報が互いに平行なウォブルとして形成され
ていることを特徴とする情報記録担体。 - 【請求項8】前記アドレス情報は、周波数変移変調によ
って変調されたものであることを特徴とする請求項6又
は7記載の情報記録担体。 - 【請求項9】前記アドレス情報は、位相変移変調によっ
て変調されたものであることを特徴とする請求項6又は
7記載の情報記録担体。 - 【請求項10】再生光の波長がλで、RIN−125d
B/Hz以下のノイズを有する発光素子と、開口数NA
の対物レンズとを有し、請求項6又は7記載の情報記録
担体を再生する再生装置であって、 前記λが350〜450nm、前記NAが0.75〜
0.9であり、前記再生光を前記情報記録担体の前記透
光層側から見て凸部に照射して再生を行う構成にしたこ
とを特徴とする情報記録担体の再生装置。 - 【請求項11】記録光の波長がλで、RIN−125d
B/Hz以下のノイズを有する発光素子と、開口数NA
の対物レンズとを有し、請求項6又は7記載の情報記録
担体を記録する記録装置であって、 前記λが350〜450nm、前記NAが0.75〜
0.9であり、前記記録光を前記情報記録担体の前記透
光層側から見て凸部に照射して記録を行う構成にしたこ
とを特徴とする情報記録担体の記録装置。
Priority Applications (9)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002125978A JP2003022580A (ja) | 2001-05-02 | 2002-04-26 | 情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置 |
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Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001134954 | 2001-05-02 | ||
JP2001-134954 | 2001-05-02 | ||
JP2002125978A JP2003022580A (ja) | 2001-05-02 | 2002-04-26 | 情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003022580A true JP2003022580A (ja) | 2003-01-24 |
Family
ID=26614625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002125978A Pending JP2003022580A (ja) | 2001-05-02 | 2002-04-26 | 情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US6693873B2 (ja) |
JP (1) | JP2003022580A (ja) |
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JPH11250504A (ja) | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Sony Corp | 光記録媒体及びその製造方法 |
JPH11273090A (ja) | 1998-03-24 | 1999-10-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク、光ディスク記録再生装置、光ディスク記録再生方法、光ディスク原盤製造装置 |
JP2000285523A (ja) | 1999-03-30 | 2000-10-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスク |
JP2000311386A (ja) | 1999-04-26 | 2000-11-07 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 光ディスク |
JP2001101714A (ja) | 1999-09-28 | 2001-04-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 光ディスクとその記録装置 |
CA2420971C (en) | 2000-10-10 | 2014-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Optical disk |
US7133331B2 (en) * | 2000-12-28 | 2006-11-07 | Victor Company Of Japan, Limited | Recording medium having a substrate containing microscopic pattern of parallel groove and land sections and recording/reproducing equipment therefor |
JP2003022580A (ja) * | 2001-05-02 | 2003-01-24 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体、情報記録担体の製造方法、情報記録担体再生装置及び情報記録担体記録装置 |
CN1220981C (zh) * | 2001-10-15 | 2005-09-28 | 日本胜利株式会社 | 信息记录载体 |
US7177262B2 (en) * | 2002-04-19 | 2007-02-13 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Reproducing system and corresponding information recording medium having wobbled land portions |
-
2002
- 2002-04-26 JP JP2002125978A patent/JP2003022580A/ja active Pending
- 2002-05-01 US US10/135,844 patent/US6693873B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-08 US US10/728,960 patent/US6873595B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-12-10 US US11/008,405 patent/US7139236B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-10-10 US US11/539,931 patent/US7366083B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-10 US US11/539,955 patent/US7580342B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-02-20 US US12/034,220 patent/US7492698B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-16 US US12/336,168 patent/US20090103423A1/en not_active Abandoned
-
2009
- 2009-07-20 US US12/505,815 patent/US7821912B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090279414A1 (en) | 2009-11-12 |
US20080159110A1 (en) | 2008-07-03 |
US7580342B2 (en) | 2009-08-25 |
US20080008079A1 (en) | 2008-01-10 |
US20050099934A1 (en) | 2005-05-12 |
US20040114501A1 (en) | 2004-06-17 |
US7821912B2 (en) | 2010-10-26 |
US6693873B2 (en) | 2004-02-17 |
US7366083B2 (en) | 2008-04-29 |
US20090103423A1 (en) | 2009-04-23 |
US7492698B2 (en) | 2009-02-17 |
US7139236B2 (en) | 2006-11-21 |
US20020172139A1 (en) | 2002-11-21 |
US20070086290A1 (en) | 2007-04-19 |
US6873595B2 (en) | 2005-03-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040930 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060814 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061219 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A02 | Decision of refusal |
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