JP2002319182A - 情報記録担体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 記録マークに与えるクロストークを低減し、
記録密度を向上させる情報記録担体及びその製造方法を
提供する。 【解決手段】 情報記録担体９は、支持体に形成された
グルーブとランドとを交互に有する微細パターン３上に
記録層７と、透光層８とが順次積層され、かつ前記グル
ーブは、前記グルーブを分断する領域にアドレスピット
ＡＰが形成されている。また、このアドレスピットＡＰ
は、グルーブ形成用情報からアドレス情報に切り換え、
このアドレス情報に基づき、このグルーブ形成用のエネ
ルギー線を用いて形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的手段によっ
て記録及び／又は再生を行う情報記録担体及びその製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、情報記録担体を相対運動させて情
報を読み出すシステムがあり、システムの再生には光学
的手段、磁気的手段、静電容量的手段などが用いられて
いる。このうち光学的手段によって記録及び／又は再生
を行うシステムは日常生活に深く浸透している。例えば
波長６５０ｎｍの光を利用した円盤状再生専用型情報記
録担体としては、画像情報が予め記録されているＤＶＤ
ビデオ、プログラム等が予め記録されているＤＶＤ−Ｒ
ＯＭ、音楽情報が予め記録されているＤＶＤオーディ
オ、ＳＡＣＤ等が知られている。

【０００３】また、記録・再生型情報記録担体として
は、相変化を利用したＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ＋ＲＷ
が、光磁気を利用したＡＳＭＯ、ｉＤ等がある。一方、
情報記録担体の記録密度を上げるために、レーザの波長
を短くし、青紫色の発光を実現する研究が長年続けられ
てきた。近年発明された第２高調波発振素子や窒化ガリ
ウム系化合物半導体発光素子（例えば特許２７７８４０
５号公報に記載）は、波長λが３５０〜４５０ｎｍ近傍
で発光するために、記録密度を大幅に高める重要な発光
素子になり得る。また、この近傍の波長に対応した対物
レンズの設計も進んでおり、特にＮＡ（開口数）をＤＶ
Ｄで使用されるＮＡ０．６を越えて、０．７以上とした
対物レンズが開発中である。

【０００４】このように波長λを３５０〜４５０ｎｍに
短縮し、ＮＡを０．７以上とした情報記録担体再生装置
の開発が進められており、これらの技術により現在のＤ
ＶＤの記録容量を遙かに越える光ディスクシステムを開
発することが期待できる。また、青紫色レーザーと高い
ＮＡを前提として設計された、飛躍的に高い記録密度を
有する情報記録担体の出現が望まれる。そのような記録
再生型ディスクの一例として、本発明人は特願２００１
−８２２７８号においてアドレスピットをグルーブに伴
った、ランド記録方式を提案している。

【０００５】図１２は、特願２００１−８２２７８号で
提案した情報記録担体の断面構造を示す図である。即
ち、情報記録担体１１は、凹凸状の微細パターン１０が
形成された支持体６上に順次形成された記録層７と、透
光層８とから少なくともなるものであり、例えば支持体
６は、この上に形成されている記録層７及び透光層８を
機械的に保持する機能を有するベース（例えば射出成形
されたポリカーボネート）であり、記録層７は、情報を
読み出し、あるいは情報を記録ないしは書き換える機能
を有した薄膜層（例えば相変化記録材料や色素材料、光
磁気材料）であり、透光層８は収束した再生光を光学的
歪みの少ない状態で記録層７に導く機能を有する層（例
えばポリカーボネートシート）である。記録または再生
は、この透光層８を通して、ランドＬのみに選択的に情
報が記録される。

【０００６】図１３は、従来の情報記録担体における微
細パターンの構造を示す図である。なお、図１３は、ユ
ーザーによる記録が行われた状態を示す。ここで、微細
パターン１０は微視的に略平行な溝連続体からなり、凸
部であるランドＬと、凹部であるグルーブＧからなり、
グルーブＧ同士は、互いに平行を保ち、トラックピッチ
Ｐで形成されている。ここでグルーブＧとは、「これで
わかる光ディスク」（特許庁編、社団法人発明協会２０
００年発行）に記載された表４．４−１の定義に従った
もので、グルーブＧは、「基板表面に記録トラックを形
成するために、あらかじめ螺旋状または同心円状に設け
られた凹状溝」である。

【０００７】そして、記録又は再生に必要とされるアド
レスは、グルーブＧ内に、それを切断する有限の長さを
有するアドレスピットＡＰとして埋め込まれている。な
おアドレスピットＡＰの高さは、ランドＬの高さと略同
じとして形成されている。そして、ユーザーによるデー
タ書き込みはランドＬ内で行われ、各種長さのマークＭ
が記録される。ここで、アドレスピットＡＰは、その長
さＡＰＬが複数種類あっても、単一種類であってもよ
く、特にその長さがＡＰＬ＜λ／ＮＡである場合には、
隣接する記録マークＭの読み取りへの干渉が最小限に抑
えられる。なおここでλは記録または再生するレーザー
波長を表し、ＮＡは記録または再生に使用するピックア
ップの対物レンズ開口数を表す。

【０００８】このようにして、埋め込まれたアドレスピ
ットＡＰは、公知の２分割ディテクター、または４分割
ディテクターによってプッシュプル再生すれば検出する
ことが容易であり、記録時に正確な所望のアドレスに合
わせて記録することができる。微細パターン１０は、図
示はしないが、記録または再生時にクロックを抽出する
ために、グルーブＧ同士は、共に平行を正確に保ちなが
ら蛇行していてもよいものである。特に情報記録担体１
１がディスク状である場合には、平行を保って蛇行した
結果、蛇行は角速度一定（constant angular velocit
y、ＣＡＶ）で記録されており、ディスク面内全域で同
じ角速度が保たれている。また別の例として、半径毎に
異なるゾーンを形成し、そのゾーン内では一定角速度で
ありながらも、各ゾーン間では角速度が異なるようにな
っている構成も取り得る。

【０００９】本発明人は、実際にこのような情報記録担
体１１を試作したところ、その記録容量が、理論限界よ
りも随分低いことを発見した。これを分析した結果、ア
ドレスピットＡＰが記録マークＭに与えるクロストーク
が非常に多く、これが記録密度低下につながっているこ
とが分かった。すなわちアドレスピットＡＰをプッシュ
プル再生がぎりぎり可能なほど、十分短く形成すること
が必要である。このためには、ランドＬとアドレスピッ
トＡＰを同時に形成することが要求される。ランドＬと
アドレスピットＡＰを同時に形成する方法としては、レ
ーザ等に代表されるエネルギー線ビームを２本用意し、
それぞれをトラックピッチＰの半分の位置（Ｐ／２）に
配置し、一方をランドＬ専用、他方をアドレスピットＡ
Ｐ専用として用いる方法がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アドレ
スピットＡＰ部分では、２つのビームの合成となるため
に、その長さＡＰＬは必然的に長いものになってしまっ
ていた。この長さを短くするために、アドレスピットＡ
Ｐ形成のためのエネルギーを減じると、ランドＬとの接
続ができなくなり、ほどよい制御ができないという問題
もあった。そこで、本発明は、上記した問題点を解消す
べく、記録マークに与えるクロストークを低減し、記録
密度を向上させる情報記録担体及びその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の第1の発明は、
支持体に形成されたグルーブとランドとを交互に有する
微細パターン上に記録層と、透光層とが順次積層され、
かつ前記グルーブは、前記グルーブを分断する領域にア
ドレスピットが形成されたことを特徴とする情報記録担
体を提供する。第２の発明は、基体上にポジ型のエネル
ギー線感応層を塗布する工程と、このポジ型のエネルギ
ー線感応層にエネルギー線を照射して、交互に形成され
るグルーブとランド、及び前記グルーブを分断する領域
にアドレスピットを有する第１微細パターンを形成する
工程と、この第１微細パターン上にメッキ層を形成する
工程と、このメッキ層を前記基体から剥離して、第２微
細パターンを有するメッキ型を作製する工程と、このメ
ッキ型を支持体上に転写して第３微細パターンを形成し
た後、この第３微細パターン上に記録層、透光層を順次
形成する工程と、からなる情報記録担体の製造方法にお
いて、前記アドレスピットは、前記グルーブ形成用情報
からアドレス情報に切り換え、このアドレス情報に基づ
き、前記グルーブ形成用のエネルギー線を用いて形成し
たことを特徴とする情報記録担体の製造方法を提供す
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について図１乃
至図１１を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態
における情報記録担体の製造方法の（基板準備工程）を
示す図である。図２は、本発明の実施形態における情報
記録担体の製造方法の（エネルギー線感応膜形成工程）
を示す図である。図３は、本発明の実施形態における情
報記録担体の製造方法の（微細パターン形成工程）を示
す図である。図４は、本発明の実施形態における情報記
録担体の製造方法の（メッキ形成工程）を示す図であ
る。図５は、本発明の実施形態における情報記録担体の
製造方法の（メッキ型形成工程）を示す図である。図６
は、本発明の実施形態における情報記録担体の製造方法
の（支持体形成工程）を示す図である。図７は、本発明
の実施形態における情報記録担体の製造方法の（記録層
形成工程）を示す図である。図８は、本発明の実施形態
における情報記録担体の製造方法により作製された情報
記録担体を示す図である。図９は、本発明の実施形態に
おける情報記録担体の製造方法により形成される微細パ
ターンを示す平面図である。図１０は、微細パターン記
録を行う第１のエネルギー線照射装置を示す図である。
図１１は、微細パターン記録を行う第２のエネルギー線
照射装置を示す図である。従来例と同一構成には同一符
号を付し、その説明を省略する。

【００１３】（基体準備工程）まずは、図１に示すよう
に、平坦な基体１を準備する。基体１は、表面が光学グ
レード並みにフラットに仕上げられ、酸化珪素や、無ア
ルカリガラス、７９１３ガラスなどのセラミック基板、
珪素、モリブデン、タングステンやこれらの合金（酸化
物、窒化物、炭化物の例を含む）を表面に有した金属基
板などから選ばれる。

【００１４】（エネルギー線感応膜形成工程）図２に示
すように、この平坦な基体１表面にポジ型のエネルギー
線感応膜２を片面に塗布する。エネルギー線感応膜２
は、エネルギー線の照射を受けて、分解または重合する
性質を持つ材料である。特にポジ型とは、エネルギー線
の照射を受けて、分解する方向に作用する性質を有する
ものであり、その分解過程は１ステップであっても、複
数ステップ（例えば２または３ステップ、あるいはそれ
以上）であっても良い。

【００１５】ここで、エネルギー線感応膜２の１〜３以
上ステップ分解過程について以下に説明する。１ステッ
プ分解過程の代表例としては、エネルギー線が、高照度
の遠紫外線である場合には、ポリカーボネート樹脂やポ
リスチレン樹脂などをエネルギー線感応膜２として用い
ることができ、表面の昇華または爆発現象により、穴を
形成させることができる。また、１ステップ分解過程の
別の例としては、エネルギー線が、高照度のｇ線（４３
６ｎｍ）である場合には、酸化テルル薄膜を用いること
ができ、表面の昇華により穴を形成することができる。

【００１６】２ステップ分解過程の代表例としては、エ
ネルギー線が、紫外線である場合、クレゾールノボラッ
ク樹脂とナフトキノンジアジドの混合材料からなる膜を
エネルギー線感応膜２として用いることができる。表面
への照射により、ナフトキノンジアジドが化学的に分解
してクレゾールノボラック樹脂の不溶化を解除する。こ
の段階では穴が開かないが、続いてアルカリ現像液を表
面に流すことによって、照射部分が溶解し、穴を形成す
ることができる。

【００１７】３ステップ分解過程の代表例としては、エ
ネルギー線が、遠紫外線や電子線である場合、ポリヒド
ロキシスチレン樹脂と、オニウム塩などから酸発生剤膜
をエネルギー線感応膜２として用いることができる。表
面への照射により、酸発生剤が化学的に分解して酸を発
生させる。この段階では穴が開かないが、続いて加熱す
ることによって、酸が膜内を拡散して、ポリヒドロキシ
スチレン樹脂を分解する。続いて、アルカリ現像液を表
面に流すことによって、照射部分が溶解し、穴を形成す
ることができる。

【００１８】（微細パターン形成工程）続いて、図１０
或いは図１１に示すエネルギー線照射装置３０、４０を
用いて、図示しないプロセッサをＯＮ、ＯＦＦさせて、
ポジ型のエネルギー線感応性膜２上に収束エネルギー線
を照射して、グルーブＧ及びアドレスピットＡＰを形成
して、図３及び図９に示す微細パターン３を形成する。

【００１９】ここで、収束エネルギー線照射を行う第１
及び第２エネルギー線照射装置３０、４０について図１
０及び図１１を用いて説明する。まずは、第１のエネル
ギー線照射装置３０について図１０を用いて説明する。
第１のエネルギー線照射装置３０は、平坦な基体１を支
持する平坦基体支持ユニット１１０と、エネルギー線照
射ユニット１２０と、このエネルギー線照射ユニット１
２０を稼動させる相対運動付与ユニット１００とからな
る。平坦基体支持ユニット１１０はエネルギー線感応膜
２を表面に有した平坦な基体１を設置し、少なくともエ
ネルギー線照射により記録を行う間、支持できるユニッ
トである。具体的には高精度に研磨されたテーブルが該
当し、それに基体１が設置できるように固定機構（ねじ
止め、真空吸着、静電吸着など）が付与されたものであ
る。

【００２０】エネルギー線照射ユニット１２０は、エネ
ルギー線を出射するエネルギー線源１２１と、このエネ
ルギー線を情報記録に相応しいビーム形状に整形或いは
信号変調するビーム整形器１２２と、このビーム整形器
１２２で整形或いは信号変調されたエネルギー線を平坦
基体支持ユニット１１０上に設置された平坦な基体１上
に導く反射鏡１２３とからなる。また、アドレス情報に
従って反転信号を生成、送信するプロセッサ（図示せ
ず）が、ビーム整形器１２２に接続される。この際、平
坦基体支持ユニット１１０と反射鏡１２３との間にエネ
ルギー線を収束させるためのレンズ（図示せず）を設置
するようにしても良い。

【００２１】このエネルギー線源１２１は、波長１０〜
１５００ｎｍの電磁波（γ線、Ｘ線、極端紫外線、遠紫
外線、紫外線、可視光、赤外線など）や、粒子線（α
線、β線、陽子線、中性子線、電子線など）を出射す
る。エネルギー線源１２１の具体例としては、エネルギ
ー線源１２１が紫外線から遠紫外線（例えば３６４ｎ
ｍ、３５５ｎｍ、３５１ｎｍ、３２５ｎｍ、２７５ｎ
ｍ、２６６ｎｍ、２５７ｎｍ、２４８ｎｍ、２４４ｎｍ
などの波長）を出射する照射装置などがある。ビーム整
形器１２２の具体例としては、電気光学結晶素子による
変調器（ＥＯＭ）や音響光学結晶素子による変調器（Ａ
ＯＭ）、または電気光学結晶素子による偏向器（ＥＯ
Ｄ）や音響光学結晶素子による偏向器（ＡＯＤ）などが
ある。また、エネルギー線源１２１が電子線の照射装置
の場合には、ビーム整形器１２２は、ブランキング電極
やビーム偏向器となる。

【００２２】反射鏡１２３は、平坦な基体１にエネルギ
ー線を導くためのものであるので、エネルギー線を直
接、基体１に照射できる構成である場合には不要であ
る。なお、必要な場合には、アドレス情報受信から反転
送信するまでの時間を遅延させたり、短縮あるいは伸張
させたりする回路をプロセッサ（図示せず）に内蔵また
はプロセッサとビーム整形器１２２の間に設置してもよ
い。

【００２３】相対ユニット１００は、モーターやリニア
ドライブ等からなり、回転、Ｘ軸方向移動、Ｙ軸方向移
動、Ｚ軸方向移動又はこれらの複合移動を行うことがで
きる。また、この相対ユニット１００は、エネルギー線
照射ユニット１２０側又は平坦基体支持ユニット１１０
側のどちらか一方、又はこれらの両方に配置される。こ
こでは、エネルギー線照射ユニット１２０側に配置さ
れ、このエネルギー線照射ユニット１２０を相対運動さ
せる。

【００２４】次に、第２のエネルギー線照射装置４０に
ついて、図１１を用いて説明する。第２のエネルギー線
照射装置４０は、第１のエネルギー線照射装置３０にお
いて、相対ユニット１００を平坦基体支持ユニット１１
０側に配置したものであり、この平坦基体支持ユニット
１１０を稼動させて、基体１を相対運動させるようにし
たものである。

【００２５】次に、具体的に、収束エネルギー線のスポ
ットＥＳを用いて微細パターン３を形成する方法につい
て図９を用いて説明する。第１のエネルギー線照射装置
３０を用いた場合には、基体１を平坦基体支持ユニット
１１０上に載置し、エネルギー線照射ユニット１２０の
エネルギー線源１２１から１本のエネルギー線を出射
し、この１本のエネルギー線をビーム整形器１２２で整
形或いは信号変調して反射鏡１２３で反射した後、相対
ユニット１００を相対運動させて、エネルギー線照射ユ
ニット１２０を稼動させながら、基体１のエネルギー線
感応膜２を照射する。

【００２６】そして、アドレス情報がＯＦＦとなってい
る時には、プロセッサをＯＮにし、グルーブ形成用情報
に基づいて、収束したエネルギー線のスポットをＥＳ
（以下、単にスポットＥＳという）を基体１のエネルギ
ー線感応膜２に照射して、グルーブＧの一部分Ｇ１を形
成する（エネルギー線感応膜２を分解する）。続いて、
アドレス情報がＯＮとなった時には、プロセッサをＯＦ
Ｆにし、グルーブ形成用情報からアドレス情報に切り換
えられたエネルギー線をエネルギー線感応膜２に断続的
に照射して、アドレスピットＡＰを形成する（エネルギ
ー線感応膜２を分解しない）。

【００２７】この後、再びアドレス情報がＯＦＦとなっ
た時には、プロセッサを再度ＯＮにし、アドレス情報か
らグルーブ形成用情報に切り換えられたエネルギー線を
エネルギー線感応膜２に照射して、グルーブＧの一部分
Ｇ３を形成する（エネルギー線感応膜２を分解する）。
このようにして、グルーブＧ１、Ｇ３及びアドレスピッ
トＡＰを形成する。上記したと同様の操作を繰り返すこ
とによって微細パターン３を形成する。

【００２８】次に、第２のエネルギー線照射装置４０を
用いた場合には、相対ユニット１００を相対運動させ
て、平坦基体支持ユニット１１０を稼動させながら行う
以外は、第１のエネルギー線照射装置３０を用いた場合
と同様に行って図９に示す微細パターン３を形成する。

【００２９】グルーブＧをライン状に形成するには、前
記したように、平坦基体支持ユニット１１０かエネルギ
ー線照射ユニット１２０のどちらか一方を稼動させるこ
とによって形成できる。また、均一なトラックピッチＰ
も、同様にして、この相対運動を利用して行うことがで
きる。

【００３０】このように、１本のエネルギー線によって
行われるために、微細パターン３におけるグルーブＧと
アドレスピットＡＰとの相互距離は極めて正確となる。
また、２つのエネルギー線による合成ではないために、
アドレスピットＡＰの長さは、エネルギー線の解像度に
よって決まる。このため、２つのエネルギー線を用いる
場合よりも１本のエネルギー線の解像度を向上させるこ
とにより、短いアドレスピットＡＰを形成することがで
きる。

【００３１】なお、（エネルギー感応膜形成工程）にお
いて説明したとおり、ポジ型のエネルギー線感応膜２の
分解過程は、１ステップまたは複数ステップを取りう
る。従って、１ステップのポジ型のエネルギー線感応膜
２を使用した場合には、エネルギー線照射を行った直後
に微細パターン３が形成されるが、複数ステップの場合
には、しかるべき所定の処理（例えば２ステップの場合
にはアルカリ現像処理、３ステップの場合には加熱及び
アルカリ現像処理）を行うことにより、微細パターン３
が形成される。即ち、ポジ型のエネルギー線感応膜２の
表面には、グルーブＧ及びアドレスピットＡＰが凹部と
して、ランドＬが凸部として形成される。

【００３２】（メッキ層形成工程）次に、図４に示すよ
うに、微細パターン３が形成された基体１上にメッキ層
４を形成する。ポジ型のエネルギー線感応性膜２または
平坦な基体１が導電体である場合には、ポジ型エネルギ
ー線感応性膜２上に直接メッキを施して、メッキ層４を
形成する。また、ポジ型のエネルギー線感応性膜２、平
坦基体１の一方が不導体や半導体である場合には、前処
理としてポジ型エネルギー線感応性膜２表面上に薄い導
電膜（図示せず）を施し、その後にメッキを施してメッ
キ層４を形成する。

【００３３】なお、以下では、薄い導電膜は、メッキ層
４の一部分と考えることにする。メッキ層４としては、
厚さ１００〜５００μｍのニッケル、コバルトなどを用
いることができる。薄い導電膜は、厚さ１０〜３００ｎ
ｍのニッケル、ニッケル・パラジウム合金、ニッケル・
リン合金、ニッケル・ボロン合金、ニッケル・リン・ボ
ロン合金、金、銀、銀・パラジウム合金、銀・パラジウ
ム・銅合金などを用いることができる。必要に応じて、
メッキ層４のポジ型のエネルギー線感応性膜２とは反対
側に補強板を接着してもよい。そのような補強板として
は、ガラス、アルミ、ステンレスなどの０．３〜２０ｍ
ｍ程度の板を用いることができる。

【００３４】（メッキ型形成工程）次に、図５に示すよ
うに、ポジ型のエネルギー線感応膜２が形成された基体
１からメッキ型５を剥離して微細パターン３Ａを有する
メッキ型５を作製する。この剥離は、ポジ型のエネルギ
ー線感応性膜２とメッキ型５との間から物理的に行う。
前記した薄い導電膜を有する場合には、薄い導電膜とメ
ッキ層４の間で剥離を行う。この剥離を化学的に行う
と、メッキ型５に付着したポジ型のエネルギー線感応性
膜２の残さを低減でき、欠陥の少ない微細パターン３Ａ
を有するメッキ型５を得ることができる。

【００３５】なお、基体１から剥離されたメッキ型５の
微細パターン３Ａは、（微細パターン形成工程）で形成
された微細パターン３とは、凹凸関係が逆となってい
る。すなわち、グルーブＧとアドレスピットＡＰは凸状
となり、ランドＬは、凹状となる。なお、後続の（支持
体成形工程）を考慮して、メッキ型５の微細パターン３
Ａの形状は保持したまま、メッキ型５の全体形状を修正
加工してもよい。

【００３６】（支持体成形工程）次に、図６に示すよう
に、このメッキ型５を支持体６上に転写して微細パター
ン３Ｂを形成する。図６に示すように、この工程には、
公知の射出成形、圧縮成形、射出圧縮成形、２Ｐ成形な
どを用いることができる。なお、支持体６に形成された
微細パターン３Ｂは、（メッキ型形成工程）における微
細パターン３Ａとは、凹凸関係が逆であり、基体１に形
成された微細パターン３と同一である。

【００３７】（記録層形成工程）次に、図７に示すよう
に、支持体６の微細パターン３Ｂ上に記録層７を形成す
る。記録層７は、情報を読み出し、あるいは情報を記録
ないしは書き換える機能を有した薄膜層である。この記
録層７の材料としては、相変化材料に代表される記録前
後において反射率変化や屈折率変化を生じる材料、ある
いは光磁気材料に代表される記録前後においてカー回転
角変化を生じる材料、あるいは色素材料に代表される記
録前後において屈折率変化や深さ変化を生じる材料があ
る。

【００３８】相変化材料の具体例としては、インジウ
ム、アンチモン、テルル、セレン、ゲルマニウム、ビス
マス、バナジウム、ガリウム、白金、金、銀、銅、アル
ミニウム、シリコン、パラジウム、錫、砒素などの合金
（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ化物
の例を含む）を用いることができ、特にＧｅＳｂＴｅ
系、ＡｇＩｎＴｅＳｂ系、ＣｕＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡ
ｌＳｂＴｅ系などの合金が好適である。これらの合金に
微量添加元素としてＣｕ、Ｂａ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐ
ｔ，Ｓｉ，Ｓｒ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｌｉ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｚ
ｎ，Ｆｅ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｃｓ，Ｇａ，Ｐｄ，Ｂｉ，Ｓ
ｎ，Ｔｉ、Ｖ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ａｓ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｐ
ｄ、Ｐｔ、Ｎｉの群から選ばれる少なくとも１種以上の
元素を合計で０．０１原子％以上１０原子％未満含有す
ることもできる。

【００３９】なお、各元素の組成は、例えばＧｅＳｂＴ
ｅ系としてＧｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅、Ｇｅ₁Ｓｂ₂Ｔｅ₄、 Ｇｅ
ＳｂＴｅ系にＳｎ、Ｉｎ等の金属を添加した系、ＡｇＩ
ｎＳｂＴｅ系として、Ａｇ₄Ｉｎ₄Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₆、Ａｇ₄
Ｉｎ₄Ｓｂ₆₄Ｔｅ₂₈、Ａｇ₂Ｉｎ₆Ｓｂ₆₄Ｔｅ₂₈、Ａｇ₃Ｉ
ｎ₅Ｓｂ₆₄Ｔｅ₂₈、Ａｇ₂Ｉｎ₆Ｓｂ₆₆Ｔｅ₂₆、ＡｇＩｎ
ＳｂＴｅ系にＣｕ、Ｆｅ、Ｇｅ等の金属や半導体を添加
した系、ＣｕＡｌＳｂＴｅ系、ＡｇＡｌＳｂＴｅ系など
がある。

【００４０】また、光磁気材料の具体例としては、テル
ビウム、コバルト、鉄、ガドリニウム、クロム、ネオジ
ム、ジスプロシウム、ビスマス、パラジウム、サマリウ
ム、ホルミウム、プロセオジム、マンガン、チタン、パ
ラジウム、エルビウム、イッテルビウム、ルテチウム、
錫などの合金（合金とは酸化物、窒化物、炭化物、硫化
物、フッ化物の例を含む）を用いることができ、特にＴ
ｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏなどに代表さ
れるように遷移金属と希土類の合金で構成するのが好適
である。更に、コバルトと白金の交互積層膜を用いて記
録層７としてもよい。

【００４１】また、色素材料の具体例としては、ポルフ
ィリン色素、シアニン色素、フタロシアニン色素、ナフ
タロシアニン色素、アゾ色素、ナフトキノン色素、フル
ギド色素、ポリメチン色素、アクリジン色素などを用い
ることができる。これら記録層７の形成方法としては、
気相成膜法または液層成膜法を用いることができる。気
相成膜法の代表例としては抵抗加熱型や電子ビーム型の
真空蒸着、直流スパッタリングや高周波スパッタリン
グ、反応性スパッタリング、 イオンビームスパッタリ
ング、イオンプレーティング、ＣＶＤ法等を用いること
ができる。また、液層成膜法の代表例としては、スピン
コート法や浸漬引き上げ法等を用いることができる。

【００４２】（透光層形成工程）次に、図８に示すよう
に、記録層７上に透光層８を形成して情報記録担体９を
作製する。透光層８は、収束した再生光を光学的歪みの
少ない状態で記録層７に導く機能を有する材料から構成
される。例えば、再生波長λにおいて透過率を７０％以
上、望ましくは８０％以上有した材料を好適に用いるこ
とができる。この透光層８は、光学的な異方性が少な
く、具体的には複屈折が９０度（垂直）入射ダブルパス
にて±１００ｎｍ以下、望ましくは±５０ｎｍ以下とし
た厚み５０〜１２０μｍのシート状材料が用いられる。

【００４３】このような特性を有する材料としてポリカ
ーボネートやポリメチルメタクリレート、三酢酸セルロ
ース、二酢酸セルロース、ポリスチレン、ポリカーボネ
ート・ポリスチレン共重合体、ポリビニルクロライド、
脂環式ポリオレフィン、ポリメチルペンテンなどを用い
ることができる。

【００４４】なお、透光層８は、剛性の高い材料を用い
ることもでき、例えば透明セラミック（例えばソーダラ
イムガラス、ソーダアルミノ珪酸ガラス、ホウ珪酸ガラ
ス、石英ガラス）や熱硬化性樹脂、エネルギー線硬化樹
脂（例えば紫外線硬化樹脂、可視光硬化樹脂、電子線硬
化樹脂）、湿気硬化樹脂、２液混合硬化樹脂が好適に用
いられる。また、透光層８は、単層に限らず、これら材
料を組み合わせた複数層からなってもよい。

【００４５】透光層８の形成方法は、シート状材料の単
層で構成する場合には熱融着が用いられ、各種硬化性樹
脂の単層で構成する場合には場合には、スピンコート、
スクリーン印刷、ロールコート、ナイフコートなどを用
いることができる。またシート状材料と各種硬化性樹脂
の２層で構成する場合には、各種硬化性樹脂をシート状
材料と記録層７の間に挟み、スピン振り切り貼り合わせ
する方法などが挙げられる。

【００４６】以上のように、本発明の実施形態によれ
ば、グルーブＧとアドレスピットＡＰとの相互距離を正
確にして、かつアドレスピットＡＰの長さを短くできる
ので、記録マークＭに与えるクロストークが低減され、
記録密度を向上させることができる。

【００４７】なお、本発明の実施形態では、基本的な部
分のみについて説明したが、用途に応じて種々変形や機
能追加が可能である。例えば、情報記録担体９を２枚準
備し、支持体６同士を互いに対向させて貼り合わせても
よい。また、情報記録担体９の透光層８上に、記録層７
と透光層８をセットでもう一層ずつ重ねてもよい。この
ようにすれば、情報記録担体９の容量を約２倍に増すこ
とができる。また、記録層７と透光層８のセットの積層
を複数回繰り返して、多層の情報記録担体としてもよ
い。

【００４８】記録層７は、図面上単層で示したが、記録
特性や再生特性を向上させる目的や保存安定性向上の目
的等で、複数の薄膜材料で構成してもよい。例えば補助
膜として、例えばシリコン、タンタル、亜鉛、マグネシ
ウム、カルシウム、アルミニウム、クロム、ジルコニウ
ムなどの合金（酸化物、窒化物、炭化物、硫化物、フッ
化物の例を含む）や高反射膜（アルミニウム、金、銀な
ど）を併用して積層してもよい。更に、図示しないが、
透光層８の記録層７とは反対側に公知の静電気防止層、
潤滑層、ハードコート層などを形成してもよい。

【００４９】図示しないが、支持体６の記録層７とは反
対側にレーベル印刷を施してもよい。記録に用いる所定
領域以外に、情報記録担体９を認識するためのホログラ
ムや目視可能な微細パターンを形成してもよい。情報記
録担体９は、再生装置への装着性やハンドリング上の保
護性を向上するために、情報記録担体全体をカートリッ
ジに入れた構成としてもよい。

【００５０】

【発明の効果】本発明によれば、グルーブとアドレスピ
ットとの相互距離を正確にして、かつアドレスピットの
長さを短くできるので、記録マークに与えるクロストー
クが低減され、記録密度を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（基板準備工程）を示す図である。

【図２】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（エネルギー線感応膜形成工程）を示す図であ
る。

【図３】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（微細パターン形成工程）を示す図である。

【図４】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（メッキ形成工程）を示す図である。

【図５】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（メッキ型形成工程）を示す図である。

【図６】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（支持体形成工程）を示す図である。

【図７】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法の（記録層形成工程）を示す図である。

【図８】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法により作製された情報記録担体を示す図である。

【図９】本発明の実施形態における情報記録担体の製造
方法により形成される微細パターンを示す平面図であ
る。

【図１０】微細パターン記録を行う第１のエネルギー線
照射装置を示す図である。

【図１１】微細パターン記録を行う第２のエネルギー線
照射装置を示す図である。

【図１２】特願２００１−８２２７８号で提案した情報
記録担体の断面構造を示す図である。

【図１３】従来の情報記録担体における微細パターンの
構造を示す図である。

【符号の説明】

１…基体、２…エネルギー線感応膜、３…微細パター
ン、４…メッキ層、５…メッキ型、６…支持体、７…記
録層、８…透光層、９…情報記録担体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 望月 聖樹 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 糸長 誠 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 KB03 5D075 EE03 FG11 FG17 FG18 GG16 5D121 AA02 BB01 BB21

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】支持体に形成されたグルーブとランドとを
   交互に有する微細パターン上に記録層と、透光層とが順
   次積層され、かつ前記グルーブは、前記グルーブを分断
   する領域にアドレスピットが形成されたことを特徴とす
   る情報記録担体。
2. 【請求項２】基体上にポジ型のエネルギー線感応層を塗
   布する工程と、 このポジ型のエネルギー線感応層にエネルギー線を照射
   して、交互に形成されるグルーブとランド、及び前記グ
   ルーブを分断する領域にアドレスピットを有する第１微
   細パターンを形成する工程と、 この第１微細パターン上にメッキ層を形成する工程と、 このメッキ層を前記基体から剥離して、第２微細パター
   ンを有するメッキ型を作製する工程と、 このメッキ型を支持体上に転写して第３微細パターンを
   形成した後、この第３微細パターン上に記録層、透光層
   を順次形成する工程と、からなる情報記録担体の製造方
   法において、 前記アドレスピットは、前記グルーブ形成用情報からア
   ドレス情報に切り換え、このアドレス情報に基づき、前
   記グルーブ形成用のエネルギー線を用いて形成したこと
   を特徴とする情報記録担体の製造方法。