JP2517645B2 - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP2517645B2 JP2517645B2 JP63151538A JP15153888A JP2517645B2 JP 2517645 B2 JP2517645 B2 JP 2517645B2 JP 63151538 A JP63151538 A JP 63151538A JP 15153888 A JP15153888 A JP 15153888A JP 2517645 B2 JP2517645 B2 JP 2517645B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- track
- groove
- recording
- optical recording
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光記録媒体に関し、詳しくは光学的に情報の
記録再生を行うカード状の光記録媒体に関する。
記録再生を行うカード状の光記録媒体に関する。
近年、社会の情報化が進み、多種多様の情報を効率良
く取扱う手段として、光デイスク、光カード、光テープ
等の光学的情報の記録又は再生を行う情報記録担体及び
情報の記録再生装置が多く提案されている。前記情報記
録担体には、二値化された情報が反射率の変化、ピツト
（穴）の有無の様な表面形状の変化に伴う反射光の強度
の変化に変換して検出出来るものがある。
く取扱う手段として、光デイスク、光カード、光テープ
等の光学的情報の記録又は再生を行う情報記録担体及び
情報の記録再生装置が多く提案されている。前記情報記
録担体には、二値化された情報が反射率の変化、ピツト
（穴）の有無の様な表面形状の変化に伴う反射光の強度
の変化に変換して検出出来るものがある。
光学的反射率の変化に依る記録担体としては、記録層
にレーザービームなどのエネルギービームをスポツト状
に照射して記録層の一部を状態変化させて記録する、所
謂ヒートモード記録材料が提案されている。これらの記
録材料は情報の書き込み後、現像処理などの必要がな
く、「書いた後直読する」等の出来る、所謂DRAW［ダイ
レクト リード アフター ライト（direct read af
ter write）］媒体であって高密度記録が可能であり、
追加書き込みも可能である。
にレーザービームなどのエネルギービームをスポツト状
に照射して記録層の一部を状態変化させて記録する、所
謂ヒートモード記録材料が提案されている。これらの記
録材料は情報の書き込み後、現像処理などの必要がな
く、「書いた後直読する」等の出来る、所謂DRAW［ダイ
レクト リード アフター ライト（direct read af
ter write）］媒体であって高密度記録が可能であり、
追加書き込みも可能である。
光学的な情報の記録・再生装置に於いて、書き込み・
読み出しのトラツクサーボの為、媒体表面にあらかじめ
一定の間隔で溝を形成しておく方式がある。この方式で
は溝が読み出しの案内役を果す為、レーザービームのト
ラツク制御精度が向上し、従来の溝無し基板を用いた方
式よりも高速アクセスが可能となる。
読み出しのトラツクサーボの為、媒体表面にあらかじめ
一定の間隔で溝を形成しておく方式がある。この方式で
は溝が読み出しの案内役を果す為、レーザービームのト
ラツク制御精度が向上し、従来の溝無し基板を用いた方
式よりも高速アクセスが可能となる。
このトラツク溝の基板への形成には、基板が熱可塑性
樹脂である場合には、融点以上の温度での射出成型や熱
プレス成型等の方法によりスタンパー型を熱転写する方
法、或いは基板上に光硬化性樹脂組成物を塗布し、スタ
ンパー型を密着させ、紫外線等を照射して該光硬化性樹
脂組成物を硬化させる方法によりスタンパー型を光転写
する方法が従来より知られている。
樹脂である場合には、融点以上の温度での射出成型や熱
プレス成型等の方法によりスタンパー型を熱転写する方
法、或いは基板上に光硬化性樹脂組成物を塗布し、スタ
ンパー型を密着させ、紫外線等を照射して該光硬化性樹
脂組成物を硬化させる方法によりスタンパー型を光転写
する方法が従来より知られている。
次に、光記録媒体として従来のカード状光記録媒体
（以後光カードと呼ぶ）を例に挙げて説明する。
（以後光カードと呼ぶ）を例に挙げて説明する。
第２図（ａ）においてトラツク溝26を有する透明基材
21に光記録層22を塗布によって成膜し、この光記録層を
保護する目的で接着層23を介して不透明カード基材24を
貼り合わせた構成を有する。
21に光記録層22を塗布によって成膜し、この光記録層を
保護する目的で接着層23を介して不透明カード基材24を
貼り合わせた構成を有する。
また第２図（ｂ）上に示したように、光カード面上に
設けられたトラツクのうち最初の数トラツクから数十ト
ラツクは、記録再生領域の始まりを示すスタートピツト
が形成されているスタートピツト形成領域30であり、同
様に最後の数トラツクから数十トラツクは記録再生領域
の終わりを示すストツプピツト形成領域31である。この
スタートピツト及びストツプピツトはプリフオーマツト
信号ピツトと呼ばれ、トラツク溝と同様、透明基材に予
め形成されている。
設けられたトラツクのうち最初の数トラツクから数十ト
ラツクは、記録再生領域の始まりを示すスタートピツト
が形成されているスタートピツト形成領域30であり、同
様に最後の数トラツクから数十トラツクは記録再生領域
の終わりを示すストツプピツト形成領域31である。この
スタートピツト及びストツプピツトはプリフオーマツト
信号ピツトと呼ばれ、トラツク溝と同様、透明基材に予
め形成されている。
ところで、従来の光カードにおいては、最も外側のト
ラツク溝のすぐ内側の数トラツク〜数十トラツクにプリ
フオーマツト信号ピツトが形成されているが、この記録
再生領域に光記録層を塗布によって形成する場合、その
膜厚が記録再生領域の周辺部分、即ち、プリフオーマツ
ト信号ピツトが形成されている記録再生領域端部のトラ
ツク上で薄くなり、この部分の反射率が低下したり不均
一となるため、記録再生領域端部のトラツク上に形成さ
れたプリフオーマツト信号ピツトの再生信号のC/N値の
低下、更には再生エラーが起こり再生装置が作動しない
等の問題点がある。
ラツク溝のすぐ内側の数トラツク〜数十トラツクにプリ
フオーマツト信号ピツトが形成されているが、この記録
再生領域に光記録層を塗布によって形成する場合、その
膜厚が記録再生領域の周辺部分、即ち、プリフオーマツ
ト信号ピツトが形成されている記録再生領域端部のトラ
ツク上で薄くなり、この部分の反射率が低下したり不均
一となるため、記録再生領域端部のトラツク上に形成さ
れたプリフオーマツト信号ピツトの再生信号のC/N値の
低下、更には再生エラーが起こり再生装置が作動しない
等の問題点がある。
周辺部分の膜厚が薄くなる理由については、光記録層
材料を溶媒に溶解または分散させて塗布した場合、周囲
から乾燥し、乾燥した部分と未乾燥の部分との境界部で
は光記録層材料が未乾燥部分へ移動するためと考えられ
る。
材料を溶媒に溶解または分散させて塗布した場合、周囲
から乾燥し、乾燥した部分と未乾燥の部分との境界部で
は光記録層材料が未乾燥部分へ移動するためと考えられ
る。
本発明は記録再生領域のトラツク部の光記録層の膜厚
を均一にし、信頼性の高い光記録媒体を提供することを
目的とするものである。
を均一にし、信頼性の高い光記録媒体を提供することを
目的とするものである。
本発明の光記録媒体は凹凸プリフオーマツトが形成さ
れた基板と塗布により形成された記録層を有する光記録
媒体において、該基板がプリフオーマツト信号ピツトが
形成されたトラツクの外側にトラツク溝と平行に任意の
断面形状の溝を少なくとも１本以上有することを特徴と
するものである。
れた基板と塗布により形成された記録層を有する光記録
媒体において、該基板がプリフオーマツト信号ピツトが
形成されたトラツクの外側にトラツク溝と平行に任意の
断面形状の溝を少なくとも１本以上有することを特徴と
するものである。
即ち、膜厚の薄い光記録層の周辺部分がダミー溝形成
領域内にとどまる為、記録再生領域端部のプリフオーマ
ツト信号ピツトの形成されているトラツク部の膜厚と、
記録再生領域の中心部分との膜厚との差が小さくなる。
その為、プリフオーマツト信号ピツトが形成されている
トラツク部分の反射率の低下や反射率の不均一が少なく
なり、記録再生領域端部のトラツクに形成された信号ピ
ツトの読み取りエラーを防止することができる。
領域内にとどまる為、記録再生領域端部のプリフオーマ
ツト信号ピツトの形成されているトラツク部の膜厚と、
記録再生領域の中心部分との膜厚との差が小さくなる。
その為、プリフオーマツト信号ピツトが形成されている
トラツク部分の反射率の低下や反射率の不均一が少なく
なり、記録再生領域端部のトラツクに形成された信号ピ
ツトの読み取りエラーを防止することができる。
次に本発明を図を用いて詳細に説明する。
第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は本発明に於ける光記
録媒体の一実施態様を示す断面図及び平面図である。
録媒体の一実施態様を示す断面図及び平面図である。
即ち、プリフオーマツト信号ピツトが形成された最も
外側のトラツク溝と平行に任意の断面形状の溝を少なく
とも１本以上形成したものである（以降この溝をダミー
溝と称す）。このダミー溝27の幅，深さ，ピツチは記録
再生領域内のトラツク溝の幅，深さ，ピツチによって選
ばれるが、幅0.6μｍ〜６μm,深さ0.05μｍ〜0.5μm,ピ
ツチ1.2μｍ〜15μｍの範囲内で、特に幅１μｍ〜５μ
m,深さ0.1μｍ〜0.5μm,ピツチ９μｍ〜12μｍが好まし
い。更に溝の幅や深さを段階的に変化させてもよい。ま
たダミー溝の断面形状としては任意に選ばれるが、トラ
ツク溝の断面形状と同様の形状が好ましい。
外側のトラツク溝と平行に任意の断面形状の溝を少なく
とも１本以上形成したものである（以降この溝をダミー
溝と称す）。このダミー溝27の幅，深さ，ピツチは記録
再生領域内のトラツク溝の幅，深さ，ピツチによって選
ばれるが、幅0.6μｍ〜６μm,深さ0.05μｍ〜0.5μm,ピ
ツチ1.2μｍ〜15μｍの範囲内で、特に幅１μｍ〜５μ
m,深さ0.1μｍ〜0.5μm,ピツチ９μｍ〜12μｍが好まし
い。更に溝の幅や深さを段階的に変化させてもよい。ま
たダミー溝の断面形状としては任意に選ばれるが、トラ
ツク溝の断面形状と同様の形状が好ましい。
更に、ダミー溝の形成方法としては基板にトラツク溝
と平行に形成するという点で、トラツク溝及びプリフオ
ーマツト信号の形成と同時に作られるのが好ましいが、
トラツク溝、プリフオーマツト信号ピツトを基板に形成
する前又は後に設けられても良い。ダミー溝形成領域は
スタートピツト形成領域の上、及びストツプピツト形成
領域の下であればその範囲は特に限定されないが、透明
基板と不透明基材の接着には凹凸のない平面が望ましい
ため、スタートピツト形成領域の上側及びストツプピツ
ト形成領域の下側の1mm〜5mmが好ましい。
と平行に形成するという点で、トラツク溝及びプリフオ
ーマツト信号の形成と同時に作られるのが好ましいが、
トラツク溝、プリフオーマツト信号ピツトを基板に形成
する前又は後に設けられても良い。ダミー溝形成領域は
スタートピツト形成領域の上、及びストツプピツト形成
領域の下であればその範囲は特に限定されないが、透明
基板と不透明基材の接着には凹凸のない平面が望ましい
ため、スタートピツト形成領域の上側及びストツプピツ
ト形成領域の下側の1mm〜5mmが好ましい。
更に、ダミー溝はスタートピツト形成領域の上側とス
トツプピツト形成領域の下側の両側に設けられるのが望
ましいが、どちらか一方だけに設けられていてもよい。
トツプピツト形成領域の下側の両側に設けられるのが望
ましいが、どちらか一方だけに設けられていてもよい。
また、光デイスクの場合にも本発明は有効であり、こ
の場合ダミー溝は記録再生領域の内周部及び／又は外周
部に設けられる。この時のダミー溝形成領域は、記録再
生領域の内側及び／又は外側の1mm〜5mmが好ましい。
の場合ダミー溝は記録再生領域の内周部及び／又は外周
部に設けられる。この時のダミー溝形成領域は、記録再
生領域の内側及び／又は外側の1mm〜5mmが好ましい。
トラツク溝26やプリフオーマツト信号ピツト、及びダ
ミー溝を有する透明基板21としては光学的な記録・再生
に於いて不都合の少ないものが好ましく、また、トラツ
ク溝，プリフオーマツト信号ピツト及びダミー溝の形成
の為に成型性の良い熱可塑性のものが好ましい。例えば
アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアセター
ル樹脂、ポリオレフイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロ
ース誘導体などを用いる事が出来る。
ミー溝を有する透明基板21としては光学的な記録・再生
に於いて不都合の少ないものが好ましく、また、トラツ
ク溝，プリフオーマツト信号ピツト及びダミー溝の形成
の為に成型性の良い熱可塑性のものが好ましい。例えば
アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアセター
ル樹脂、ポリオレフイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロ
ース誘導体などを用いる事が出来る。
不透明基材24としては、通常の基材として用いる事が
出来るあらゆる材料が使用可能であり、具体的にはポリ
塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ塩
化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル等アクリル系重
合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラール、アセチル
セルロース、スチレン／ブタジエン共重合体、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリカーボネートなどが用いら
れる。場合に依っては、鉄、ステンレス、アルミニウ
ム、スズ、銅、亜鉛等の金属シート、合成紙、紙等も用
い得る。更には、上記の様な材料の積層体も用いられ
る。これら不透明基材24には、必要に応じてコロナ放電
処理、プラズマ処理、プライマー処理などの接着性改良
の為の前処理をしてもよい。
出来るあらゆる材料が使用可能であり、具体的にはポリ
塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重合体、ポリ塩
化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル等アクリル系重
合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラール、アセチル
セルロース、スチレン／ブタジエン共重合体、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリカーボネートなどが用いら
れる。場合に依っては、鉄、ステンレス、アルミニウ
ム、スズ、銅、亜鉛等の金属シート、合成紙、紙等も用
い得る。更には、上記の様な材料の積層体も用いられ
る。これら不透明基材24には、必要に応じてコロナ放電
処理、プラズマ処理、プライマー処理などの接着性改良
の為の前処理をしてもよい。
光記録層22としては、再生エネルギービームの波長が
650nm以上、特に700〜900nmである場合には、記録部で
あるピツトに於ける反射率と未記録部のそれとの差が大
きいものが好ましい。また、記録のエネルギービームの
照射によって反射率の変化が生ずるのに必要とされるエ
ネルギーが小さい方が好ましい。更に、再生のエネルギ
ービームによって記録部および未記録部の反射率の変化
しないものが好ましい。例えばTe,Sb,Mo,Ge,V,Sn等の酸
化物、Te−Sn,TeOx−Geなどの化合物等はエネルギービ
ームの照射により相転移を生じて反射率が変化する。ま
た、Te−CH4,Te−CS2,Te−スチレン,Sn−SO2,GeS−Sn,S
nS−Ｓなどの金属と有機化合物または無機硫化物との複
合物や、SiO2/Ti/SiO2/Al等の多層膜も使用可能であ
る。
650nm以上、特に700〜900nmである場合には、記録部で
あるピツトに於ける反射率と未記録部のそれとの差が大
きいものが好ましい。また、記録のエネルギービームの
照射によって反射率の変化が生ずるのに必要とされるエ
ネルギーが小さい方が好ましい。更に、再生のエネルギ
ービームによって記録部および未記録部の反射率の変化
しないものが好ましい。例えばTe,Sb,Mo,Ge,V,Sn等の酸
化物、Te−Sn,TeOx−Geなどの化合物等はエネルギービ
ームの照射により相転移を生じて反射率が変化する。ま
た、Te−CH4,Te−CS2,Te−スチレン,Sn−SO2,GeS−Sn,S
nS−Ｓなどの金属と有機化合物または無機硫化物との複
合物や、SiO2/Ti/SiO2/Al等の多層膜も使用可能であ
る。
更に、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチレ
ンなどの熱可塑性樹脂中に銀などの金属粒子を分散させ
たもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面に金属粒子を
凝集させたものなども使用可能である。またカルコゲン
或は発色型のMoO3−Cu,MoO3−Sn−Cuなども用いられ、
場合に依っては、泡形成型の有機薄膜と金属薄膜との多
層体も用いる事が出来る。
ンなどの熱可塑性樹脂中に銀などの金属粒子を分散させ
たもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面に金属粒子を
凝集させたものなども使用可能である。またカルコゲン
或は発色型のMoO3−Cu,MoO3−Sn−Cuなども用いられ、
場合に依っては、泡形成型の有機薄膜と金属薄膜との多
層体も用いる事が出来る。
また、エネルギービームで光学的な物性変化可能な有
機薄膜も使用可能で、例えば、アントラキノン誘導体、
特にインダスレン骨格を有する物、ジオキサジン化合物
及びその誘導体、トリフエノジチアジン化合物、フエナ
ンスレン誘導体、シアニン化合物、メロシアニン化合
物、ピリリウム系化合物、キサンテン系化合物、トリフ
エニルメタン系化合物、クロコニウム系色素、クロコン
類等の色素を挙げる事が出来、これらは溶液塗布による
連続製造が可能な事から、本発明には好ましいものであ
る。
機薄膜も使用可能で、例えば、アントラキノン誘導体、
特にインダスレン骨格を有する物、ジオキサジン化合物
及びその誘導体、トリフエノジチアジン化合物、フエナ
ンスレン誘導体、シアニン化合物、メロシアニン化合
物、ピリリウム系化合物、キサンテン系化合物、トリフ
エニルメタン系化合物、クロコニウム系色素、クロコン
類等の色素を挙げる事が出来、これらは溶液塗布による
連続製造が可能な事から、本発明には好ましいものであ
る。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこ
れにより何ら限定されるものではない。
れにより何ら限定されるものではない。
実施例1. 透明基板として厚さ0.4mmの紫外線吸収剤入りのポリ
メチルメタクアクリレートフイルム（日東樹脂製）に熱
プレス法によってトラツク溝、プリフオーマツト信号ピ
ツト及びダミー溝を形成した。トラツク溝ピツチ10μ
ｍ、トラツク溝幅３μｍ、溝の深さ0.2μｍで、ダミー
溝もトラツク溝と同様にピツチ10μｍ、ダミー溝幅３μ
ｍ、ダミー溝深さ0.2μｍ、更にトラツク溝とダミー溝
の間隔７μｍとし、またダミー溝形成領域はスタートピ
ツト形成領域及びストツプピツト形成領域の上下4mmと
した。次にトラツク溝を形成した記録再生領域及びダミ
ー溝の形成領域上に、1,1,5,5−テトラキス（ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）−2,4−ペンタジエニウム過塩素
酸塩をジアセトンアルコールに溶解分散させた溶液をス
ピンコートによって記録再生領域の中央のトラツク部の
乾燥膜厚が1000Åとなるように塗布し乾燥させた。
メチルメタクアクリレートフイルム（日東樹脂製）に熱
プレス法によってトラツク溝、プリフオーマツト信号ピ
ツト及びダミー溝を形成した。トラツク溝ピツチ10μ
ｍ、トラツク溝幅３μｍ、溝の深さ0.2μｍで、ダミー
溝もトラツク溝と同様にピツチ10μｍ、ダミー溝幅３μ
ｍ、ダミー溝深さ0.2μｍ、更にトラツク溝とダミー溝
の間隔７μｍとし、またダミー溝形成領域はスタートピ
ツト形成領域及びストツプピツト形成領域の上下4mmと
した。次にトラツク溝を形成した記録再生領域及びダミ
ー溝の形成領域上に、1,1,5,5−テトラキス（ｐ−ジエ
チルアミノフエニル）−2,4−ペンタジエニウム過塩素
酸塩をジアセトンアルコールに溶解分散させた溶液をス
ピンコートによって記録再生領域の中央のトラツク部の
乾燥膜厚が1000Åとなるように塗布し乾燥させた。
その上にエチレン−酢酸ビニル共重合系接着剤（商品
名ヒロダイン7500 EXP−80;ヒロダイン製）を介して不
透明基材として0.3mm厚のポリカーボネート板を接着し
て本発明の光記録媒体を製造した。
名ヒロダイン7500 EXP−80;ヒロダイン製）を介して不
透明基材として0.3mm厚のポリカーボネート板を接着し
て本発明の光記録媒体を製造した。
この光記録媒体に発振波長830nm,パワー0.4mWの半導
体レーザー光を透明基板側から照射して、プリフオーマ
ツト信号ピツトの形成されている最も外側のトラツクの
反射率（R1）と記録再生領域の中央部のトラツクの反射
率（R2）を測定した。
体レーザー光を透明基板側から照射して、プリフオーマ
ツト信号ピツトの形成されている最も外側のトラツクの
反射率（R1）と記録再生領域の中央部のトラツクの反射
率（R2）を測定した。
次いで、記録再生領域の最も外側のトラツクに形成さ
れているプリフオーマツト信号ピツトを同波長，同パワ
ーの半導体レーザー光で再生し、トラツキングのはずれ
る確率（トラツキングエラーレート）を測定した。
れているプリフオーマツト信号ピツトを同波長，同パワ
ーの半導体レーザー光で再生し、トラツキングのはずれ
る確率（トラツキングエラーレート）を測定した。
比較例1. 上記実施例１において形成したダミー溝を省略した他
は、実施例１と同様にして光記録媒体を製造した。この
光記録媒体のプリフオーマツト信号ピツトの形成されて
いるトラツクの反射率（R1）と、記録再生領域の中央部
のトラツクの反射率（R2）を測定した。
は、実施例１と同様にして光記録媒体を製造した。この
光記録媒体のプリフオーマツト信号ピツトの形成されて
いるトラツクの反射率（R1）と、記録再生領域の中央部
のトラツクの反射率（R2）を測定した。
次いで、記録再生領域の最も外側のトラツクに形成さ
れているプリフオーマツト信号ピツトを同波長，同パワ
ーの半導体レーザー光で再生し、トラツキングエラーレ
ートを測定した。その結果を以下に示す。
れているプリフオーマツト信号ピツトを同波長，同パワ
ーの半導体レーザー光で再生し、トラツキングエラーレ
ートを測定した。その結果を以下に示す。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明は記録再生領域の端部の
トラツク上の記録層の膜厚と、記録再生領域の中央部の
トラツク上の記録層の膜厚との差を小さくすることがで
き、記録再生領域のトラツク部の再生光による反射率を
均一にすることができ、記録再生領域端部のトラツク部
のトラツクはずれの確率を減少させることができ、読取
りエラーを防止することができる。
トラツク上の記録層の膜厚と、記録再生領域の中央部の
トラツク上の記録層の膜厚との差を小さくすることがで
き、記録再生領域のトラツク部の再生光による反射率を
均一にすることができ、記録再生領域端部のトラツク部
のトラツクはずれの確率を減少させることができ、読取
りエラーを防止することができる。
第１図（ａ）は本発明に係る光記録媒体の１実施態様の
模式的断面図であり、第１図（ｂ）はその平面図であ
る、 第２図（ａ）は従来の光記録媒体の模式的断面図であ
り、第２図（ｂ）はその平面図である。 21……透明基板、22……光記録層 23……接着層、24……不透明カード基材 26……トラツク溝、27……ダミー溝 28……記録再生領域 29……トラツク形成領域 30……スタートピツト形成領域 31……ストツプピツト形成領域 32……ダミー溝形成領域
模式的断面図であり、第１図（ｂ）はその平面図であ
る、 第２図（ａ）は従来の光記録媒体の模式的断面図であ
り、第２図（ｂ）はその平面図である。 21……透明基板、22……光記録層 23……接着層、24……不透明カード基材 26……トラツク溝、27……ダミー溝 28……記録再生領域 29……トラツク形成領域 30……スタートピツト形成領域 31……ストツプピツト形成領域 32……ダミー溝形成領域
Claims (1)
- 【請求項１】凹凸プリフオーマツトが形成された基板と
塗布により形成された記録層を有する光記録媒体におい
て、該基板がプリフオーマツト信号ピツトが形成された
トラツクの外側にトラツク溝と平行に溝を少なくとも１
本以上有することを特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63151538A JP2517645B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63151538A JP2517645B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025241A JPH025241A (ja) | 1990-01-10 |
| JP2517645B2 true JP2517645B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=15520701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63151538A Expired - Fee Related JP2517645B2 (ja) | 1988-06-20 | 1988-06-20 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2517645B2 (ja) |
-
1988
- 1988-06-20 JP JP63151538A patent/JP2517645B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH025241A (ja) | 1990-01-10 |
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