JP2515554B2 - 光カ―ド - Google Patents
光カ―ドInfo
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- JP2515554B2 JP2515554B2 JP62172918A JP17291887A JP2515554B2 JP 2515554 B2 JP2515554 B2 JP 2515554B2 JP 62172918 A JP62172918 A JP 62172918A JP 17291887 A JP17291887 A JP 17291887A JP 2515554 B2 JP2515554 B2 JP 2515554B2
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- card
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は光カードに関し、詳しくは光学的に情報の記
録再生を行なうカード状の情報記録担体に関する。
録再生を行なうカード状の情報記録担体に関する。
［従来の技術］ 近年、社会の情報化が進み、多種多様の情報を効率良
く取扱う手段として、光ディスク、光カード、光テープ
等の光学的に情報の記録又は再生を行う情報記録担体及
び光学的情報記録再生装置が多く提案されている。前記
情報記録担体には、二値化された情報が反射率の変化、
ピット（穴）の有無の様な表面形状の変化に伴なう反射
光強度の変化、磁気光学効果による偏光面の変化を強度
変化に変換して検出出来るものがある。前述した情報記
録担体の特徴としては、記録密度が高く、且つ非接触で
記録再生が可能な為に、寿命が長い等の優れた点があ
る。
く取扱う手段として、光ディスク、光カード、光テープ
等の光学的に情報の記録又は再生を行う情報記録担体及
び光学的情報記録再生装置が多く提案されている。前記
情報記録担体には、二値化された情報が反射率の変化、
ピット（穴）の有無の様な表面形状の変化に伴なう反射
光強度の変化、磁気光学効果による偏光面の変化を強度
変化に変換して検出出来るものがある。前述した情報記
録担体の特徴としては、記録密度が高く、且つ非接触で
記録再生が可能な為に、寿命が長い等の優れた点があ
る。
そして、携帯性に優れ、且つ大きさに比べて大容量で
あるカード状の情報記録担体（以下、光カードとす
る。）についても最近盛んに研究、開発されており、提
案もされ始めている。
あるカード状の情報記録担体（以下、光カードとす
る。）についても最近盛んに研究、開発されており、提
案もされ始めている。
以下、光学的に情報の記録・再生を行う情報記録担体
として、光カードを取り上げて説明する。
として、光カードを取り上げて説明する。
光学的に情報の記録・再生方法について述べると、た
とえばエネルギービームにより磁化方向を反転させる光
磁気記録、また凹凸ピット形成による記録、或は光学的
反射率の高低による記録が行われるが、通常、SN比が高
く、製作の容易な光学的反射率の高低による記録担体が
広く用いられている。
とえばエネルギービームにより磁化方向を反転させる光
磁気記録、また凹凸ピット形成による記録、或は光学的
反射率の高低による記録が行われるが、通常、SN比が高
く、製作の容易な光学的反射率の高低による記録担体が
広く用いられている。
光学的反射率の高低による記録担体としては、例え
ば、銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散してなる記
録層を有するカード類が提案されている。この記録層へ
の情報の書込みは、レーザビームを記録層に照射して記
録ピットを形成して行なわれている。
ば、銀粒子をゼラチンマトリックス中に分散してなる記
録層を有するカード類が提案されている。この記録層へ
の情報の書込みは、レーザビームを記録層に照射して記
録ピットを形成して行なわれている。
一方また、記録層にレーザビームなどのエネルギービ
ームをスポット状に照射して、記録層の一部を状態変化
させて記録する、いわゆるヒートモード記録材料が提案
されている。これらの記録層としては、テルル、ビスマ
スなどの金属薄膜、ポリスチレン、ニトロセルロースな
どの有機薄膜、シアニン類などの色素薄膜、或いは相転
移を利用したテルル低酸化物膜などが用いられている。
これらの記録材料は、情報の書込みの後現像処理などの
必要がなく、「書いた後直続する」ことのできる、いわ
ゆるDRAW（ダイレクト リード アフター ライト;dir
ect read after write）媒体であり、高密度記録が可能
であり追加書込みも可能である。
ームをスポット状に照射して、記録層の一部を状態変化
させて記録する、いわゆるヒートモード記録材料が提案
されている。これらの記録層としては、テルル、ビスマ
スなどの金属薄膜、ポリスチレン、ニトロセルロースな
どの有機薄膜、シアニン類などの色素薄膜、或いは相転
移を利用したテルル低酸化物膜などが用いられている。
これらの記録材料は、情報の書込みの後現像処理などの
必要がなく、「書いた後直続する」ことのできる、いわ
ゆるDRAW（ダイレクト リード アフター ライト;dir
ect read after write）媒体であり、高密度記録が可能
であり追加書込みも可能である。
第３図は、従来のDRAW型光カードの記録フォーマット
を示す模式的平面図である。
を示す模式的平面図である。
同第３図において、記録担体である光カード１上には
記録領域２が設けられ、記録領域２はトラック３が複数
配列されて形成されている。更にトラック３にはスター
トビットおよびストップビットが形成され、トラック３
は数1000ビット程度の情報容量を有している。また、各
トラック３はレファレンスライン５（以下、Ｒラインと
する。）によって区切られている。なお、矢印Ａは再生
時における光カード１の移動方向である。
記録領域２が設けられ、記録領域２はトラック３が複数
配列されて形成されている。更にトラック３にはスター
トビットおよびストップビットが形成され、トラック３
は数1000ビット程度の情報容量を有している。また、各
トラック３はレファレンスライン５（以下、Ｒラインと
する。）によって区切られている。なお、矢印Ａは再生
時における光カード１の移動方向である。
第４図は、光カード再生方法の概略的構成図である。
同第４図において、光カード１は回転機構６によって
矢印Ａ方向に移動可能である。光カード１に記録された
情報は、トラック３毎に光ヘッド11によって読取られ再
生される。まず、半導体レーザー等の光源７からの光が
レンズ系８によって集光され、情報が記録されているト
ラック３を照明する。照明されたトラック３の像は結像
光学系９によってセンサ10上に結像し、前記トラック３
に記録されている情報に対応した電気信号がセンサ10か
ら出力される。
矢印Ａ方向に移動可能である。光カード１に記録された
情報は、トラック３毎に光ヘッド11によって読取られ再
生される。まず、半導体レーザー等の光源７からの光が
レンズ系８によって集光され、情報が記録されているト
ラック３を照明する。照明されたトラック３の像は結像
光学系９によってセンサ10上に結像し、前記トラック３
に記録されている情報に対応した電気信号がセンサ10か
ら出力される。
前記トラック３の読取りが終了すると、光カード１が
矢印Ａ方向に、又は光ヘッド11がトラック３の配列方向
（矢印Ｃ方向）に移動して、次のトラック３の情報読取
りが同様に行われる。
矢印Ａ方向に、又は光ヘッド11がトラック３の配列方向
（矢印Ｃ方向）に移動して、次のトラック３の情報読取
りが同様に行われる。
又、光カード１上の任意のトラック３をアクセスする
には、光ヘッド11を矢印Ｃ方向に移動させる。光ヘッド
11は、Ｒライン５をカウントする事によって読取り対象
である目標トラック３が属するトラック３を選択し、該
トラック３に到達したら停止する。続いて、回転機構６
によって光カード１を矢印Ａ方向に移動させ、目標トラ
ック３上の情報の読取りを行う。
には、光ヘッド11を矢印Ｃ方向に移動させる。光ヘッド
11は、Ｒライン５をカウントする事によって読取り対象
である目標トラック３が属するトラック３を選択し、該
トラック３に到達したら停止する。続いて、回転機構６
によって光カード１を矢印Ａ方向に移動させ、目標トラ
ック３上の情報の読取りを行う。
［発明が解決しようとする問題点］ このように従来の光カード１等の情報記録担体は、光
学的記録再生装置の光ヘッド11に配設した光源７から照
明された光によって、光学的に情報の記録又は再生が行
われる。
学的記録再生装置の光ヘッド11に配設した光源７から照
明された光によって、光学的に情報の記録又は再生が行
われる。
上記した様に、光カードの再生時にはトラッキングし
ている間、光カード１は回転機構６によって矢印Ａ方向
に移動し情報の読取りを行っているのであるが、Ａ方向
への移動に伴って光カードが反転移動する為に停止する
時があり、読出し光のエネルギーによって極めて徐々に
ではあるが書き込みが進行し、遂にはトラッキング信号
を検出するのに困難な状態となる事が見出された。
ている間、光カード１は回転機構６によって矢印Ａ方向
に移動し情報の読取りを行っているのであるが、Ａ方向
への移動に伴って光カードが反転移動する為に停止する
時があり、読出し光のエネルギーによって極めて徐々に
ではあるが書き込みが進行し、遂にはトラッキング信号
を検出するのに困難な状態となる事が見出された。
本発明は上記の問題点を解決する目的でなされたもの
であり、DRAW型光カードに於いて、光カードの移動に伴
う反転停止時に於ける読出し光による書き込みを防止
し、かつ安定した高い反射率を有する光記録不可能部分
を設けた光カードを提供しようとするものである。
であり、DRAW型光カードに於いて、光カードの移動に伴
う反転停止時に於ける読出し光による書き込みを防止
し、かつ安定した高い反射率を有する光記録不可能部分
を設けた光カードを提供しようとするものである。
［問題点を解決するための手段］ 即ち、本発明は、表面にトラック溝を有する透明基材
と、該トラック溝面上に設けられた光記録層と、該光記
録層と接する様に設けられた不透明カード基材とからな
り、かつ前記光記録層の一部にジイモニウム塩又はアミ
ニウム塩を含有する薄膜からなる光記録不可能部分が設
けられていることを特徴とする光カードである。
と、該トラック溝面上に設けられた光記録層と、該光記
録層と接する様に設けられた不透明カード基材とからな
り、かつ前記光記録層の一部にジイモニウム塩又はアミ
ニウム塩を含有する薄膜からなる光記録不可能部分が設
けられていることを特徴とする光カードである。
以下、本発明に係る光カードを図面に示す具体例によ
り説明する。第１図は本発明に係る光カードの一実施態
様を示す断面図である。
り説明する。第１図は本発明に係る光カードの一実施態
様を示す断面図である。
同第１図において、本発明に係る光カードは、トラッ
ク溝25を有する透明基材21のトラック溝面上に光記録層
22を設けると共にトラック溝面の両端部（図示せず）の
光記録層22に記録不可能な部分である光記録不可能部分
27を設け、該光記録層22と光記録不可能部分27の上に不
透明カード基材24を、接着層23を介して接する用に設け
てなるものである。
ク溝25を有する透明基材21のトラック溝面上に光記録層
22を設けると共にトラック溝面の両端部（図示せず）の
光記録層22に記録不可能な部分である光記録不可能部分
27を設け、該光記録層22と光記録不可能部分27の上に不
透明カード基材24を、接着層23を介して接する用に設け
てなるものである。
必要に依っては、光カードに磁気記録層、ICメモリ
ー、彫刻画像、写真、文字、マーク、インプリントと称
する浮き出し文字などを光カードの表面または裏面に併
設してもよい。この様にする事によって、１枚のカード
で種々の再生方式に対応でき、また偽造をより効果的に
防止できる。
ー、彫刻画像、写真、文字、マーク、インプリントと称
する浮き出し文字などを光カードの表面または裏面に併
設してもよい。この様にする事によって、１枚のカード
で種々の再生方式に対応でき、また偽造をより効果的に
防止できる。
トラック溝25を有する透明基材21としては、光学的な
記録・再生に於いて不都合の少ないものが好ましく、ま
たトラック溝の形成に成型性の良い熱可塑性のものが好
ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹
脂、ポリアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリア
ミド樹脂、セルロース誘導体などを用いる事が出来る。
記録・再生に於いて不都合の少ないものが好ましく、ま
たトラック溝の形成に成型性の良い熱可塑性のものが好
ましい。例えば、アクリル系樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹
脂、ポリアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリア
ミド樹脂、セルロース誘導体などを用いる事が出来る。
不透明カード基材24としては、通常のカード基材とし
て用いる事が出来るあらゆる材料が使用可能であり、具
体的にはポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル等
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン／ブタジエン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合に依っては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛等の金属シート、合成
紙、紙等も用い得る。更には、上記の様な材料の積層体
も用いられる。これら不透明カード基材24には、必要に
応じてコロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー処理
などの接着性改良の為の前処理をしてもよい。
て用いる事が出来るあらゆる材料が使用可能であり、具
体的にはポリ塩化ビニル、塩化ビニル／酢酸ビニル共重
合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル等
アクリル系重合体、ポリスチレン、ポリビニルブチラー
ル、アセチルセルロース、スチレン／ブタジエン共重合
体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート
などが用いられる。場合に依っては、鉄、ステンレス、
アルミニウム、スズ、銅、亜鉛等の金属シート、合成
紙、紙等も用い得る。更には、上記の様な材料の積層体
も用いられる。これら不透明カード基材24には、必要に
応じてコロナ放電処理、プラズマ処理、プライマー処理
などの接着性改良の為の前処理をしてもよい。
光記録層22としては、再生のエネルギービームの波長
が650nm以上、特に700〜900nmである場合には、記録部
であるピットに於ける反射率と未記録部のそれとの差が
大きいものが好ましい。また、記録のエネルギービーム
の照射によって反射率の変化が生ずるのに必要とされる
エネルギーが小さい方が好ましい。更に、再生のエネル
ギービームによって記録部および未記録部の反射率の変
化しないものが好ましい。例えば、Te,Sb,Mo,Ge,V,Sn等
の酸化物、Te−Sn,TeOx−Geなどの化合物等はエネルギ
ービームの照射により相転移を生じて反射率が変化す
る。また、Te−CH4,Te−CS2,Te−スチレン,Sn−SO2,GeS
−Sn,SnS−Ｓなどの金属と有機化合物または無機硫化物
との複合物や、SiO2/Ti/SiO2/Al等の多層膜も使用可能
である。更に、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリ
エチレンなどの熱可塑性樹脂中に銀などの金属粒子を分
散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面に金属
粒子を凝集させたものなども使用可能である。また、カ
ルコゲン或は発色型のMoO3−Cu,MoO3−Sn−Cuなども用
いられ、場合に依っては、泡形成型の有機薄膜と金属薄
膜との多層体も用いる事が出来る。
が650nm以上、特に700〜900nmである場合には、記録部
であるピットに於ける反射率と未記録部のそれとの差が
大きいものが好ましい。また、記録のエネルギービーム
の照射によって反射率の変化が生ずるのに必要とされる
エネルギーが小さい方が好ましい。更に、再生のエネル
ギービームによって記録部および未記録部の反射率の変
化しないものが好ましい。例えば、Te,Sb,Mo,Ge,V,Sn等
の酸化物、Te−Sn,TeOx−Geなどの化合物等はエネルギ
ービームの照射により相転移を生じて反射率が変化す
る。また、Te−CH4,Te−CS2,Te−スチレン,Sn−SO2,GeS
−Sn,SnS−Ｓなどの金属と有機化合物または無機硫化物
との複合物や、SiO2/Ti/SiO2/Al等の多層膜も使用可能
である。更に、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリ
エチレンなどの熱可塑性樹脂中に銀などの金属粒子を分
散させたもの、あるいはこの熱可塑性樹脂の表面に金属
粒子を凝集させたものなども使用可能である。また、カ
ルコゲン或は発色型のMoO3−Cu,MoO3−Sn−Cuなども用
いられ、場合に依っては、泡形成型の有機薄膜と金属薄
膜との多層体も用いる事が出来る。
また、エネルギービームで光学的な物性変化可能な有
機薄膜も使用可能で、例えば、アントラキノン誘導体、
特にインダスレン骨格を有する物、ジオキサジン化合物
及びその誘導体、トリフェノジチアジン化合物、フェナ
ンスレン誘導体、シアニン化合物、メロシアニン化合
物、ピリリウム系化合物、キサンテン系化合物、トリフ
ェニルメタン系化合物、クロコニウム系色素、クロコン
類等の色素を挙げる事が出来、これらは溶液塗布による
連続製造が可能な事から、本発明には好ましいものであ
る。
機薄膜も使用可能で、例えば、アントラキノン誘導体、
特にインダスレン骨格を有する物、ジオキサジン化合物
及びその誘導体、トリフェノジチアジン化合物、フェナ
ンスレン誘導体、シアニン化合物、メロシアニン化合
物、ピリリウム系化合物、キサンテン系化合物、トリフ
ェニルメタン系化合物、クロコニウム系色素、クロコン
類等の色素を挙げる事が出来、これらは溶液塗布による
連続製造が可能な事から、本発明には好ましいものであ
る。
次に、本発明に係る光カードの製造方法について説明
する。
する。
まず、ポリメチルメタアクリレート樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂などの透明基材21にトラック溝25を熱プレス
法などにより形成する。次いで、このトラック溝面上
に、ジイモニウム塩又はアミニウム塩類を溶剤に溶解し
た溶液、または少量の樹脂を溶剤に分散混練したものを
塗布することにより第２図の光記録不可能部分27を形成
する。然る後に、光記録不可能部分27をも含めたトラッ
ク溝部分26上に光記録層22を形成する。
ネート樹脂などの透明基材21にトラック溝25を熱プレス
法などにより形成する。次いで、このトラック溝面上
に、ジイモニウム塩又はアミニウム塩類を溶剤に溶解し
た溶液、または少量の樹脂を溶剤に分散混練したものを
塗布することにより第２図の光記録不可能部分27を形成
する。然る後に、光記録不可能部分27をも含めたトラッ
ク溝部分26上に光記録層22を形成する。
光記録不可能部分27と光記録層22の膜厚は0.1μｍ程
度の薄膜に形成する。次いで、不透明カード基材24に光
記録不可能部分27と光記録層22が接する様にして、間隙
に熱接着性の接着層23を挟み込んで重ね合わせ、90〜15
0℃程度に加熱された熱定着ロールにて圧着する事によ
り光カードを製造することができる。
度の薄膜に形成する。次いで、不透明カード基材24に光
記録不可能部分27と光記録層22が接する様にして、間隙
に熱接着性の接着層23を挟み込んで重ね合わせ、90〜15
0℃程度に加熱された熱定着ロールにて圧着する事によ
り光カードを製造することができる。
場合によっては、上述の様にして製造されたDRAW型光
カードに、更にキズ防止の為のハードコート層を透明基
材21の上に設ける事も可能である。或は、耐光性を増す
ために、紫外線吸収性フィルムを透明基材21の上に形成
する事も可能である。或いは、透明基材それ自身が紫外
線吸収剤を含む樹脂である場合には、ハードコート層を
設けるだけで、耐光性と耐久性を増す事が出来るので好
ましい構成となる。
カードに、更にキズ防止の為のハードコート層を透明基
材21の上に設ける事も可能である。或は、耐光性を増す
ために、紫外線吸収性フィルムを透明基材21の上に形成
する事も可能である。或いは、透明基材それ自身が紫外
線吸収剤を含む樹脂である場合には、ハードコート層を
設けるだけで、耐光性と耐久性を増す事が出来るので好
ましい構成となる。
光記録不可能部分27としては、ジイモニウム塩又はア
ミニウム塩を含有する薄膜が用いられるが、そのジイモ
ニウム塩又はアミニウム塩は下記の一般式（Ｉ）で表わ
される化合物が用いられる。
ミニウム塩を含有する薄膜が用いられるが、そのジイモ
ニウム塩又はアミニウム塩は下記の一般式（Ｉ）で表わ
される化合物が用いられる。
［但し、式中のＲは低級アルキル基、Ｘ は酸アニオ
ン、ｍは０又は1,2の整数、Ａは 前記ｍ＝２のとき を示す］ その具体例としては、下記の化合物I,II等が挙げられ
る。
ン、ｍは０又は1,2の整数、Ａは 前記ｍ＝２のとき を示す］ その具体例としては、下記の化合物I,II等が挙げられ
る。
これ等のジイモニウム塩又はアミニウム塩を含有する
薄膜は、反射率が10〜12％の高い値を有する。この様
に、ジイモニウム塩又はアミニウム塩を含有する光記録
不可能部分の反射率が10〜12％と高いので、一般に用い
られている記録媒体（反射率８〜16％）のすべてに対し
て使用可能である。また、薄膜の形成方法としては、デ
ィップ法、スプレー法、スピナー法、バーコート法、ブ
レードコート法、ロールコート法、カーテンコート法等
の塗布方法を用いる事が出来る。
薄膜は、反射率が10〜12％の高い値を有する。この様
に、ジイモニウム塩又はアミニウム塩を含有する光記録
不可能部分の反射率が10〜12％と高いので、一般に用い
られている記録媒体（反射率８〜16％）のすべてに対し
て使用可能である。また、薄膜の形成方法としては、デ
ィップ法、スプレー法、スピナー法、バーコート法、ブ
レードコート法、ロールコート法、カーテンコート法等
の塗布方法を用いる事が出来る。
次に、上記の様な光記録層への情報の書き込みおよび
光カードに書き込まれた情報の読み出しについて説明す
る。
光カードに書き込まれた情報の読み出しについて説明す
る。
記録層への情報の書き込みは、波長300〜1000nmのエ
ネルギービームをレンズ等を介して集光して照射し、記
録ピットを形成する。この際のエネルギーの強度は0.1
〜100mW、パルス幅は5nsec〜500msec、ビーム径は0.5〜
10μｍである事が好ましい。照射されるエネルギービー
ムとしては半導体レーザー、アルゴンレーザー、ヘリウ
ム−ネオンレーザー、クリプトンレーザーなどのレーザ
ービームがトラック溝の検出の為に好ましい。
ネルギービームをレンズ等を介して集光して照射し、記
録ピットを形成する。この際のエネルギーの強度は0.1
〜100mW、パルス幅は5nsec〜500msec、ビーム径は0.5〜
10μｍである事が好ましい。照射されるエネルギービー
ムとしては半導体レーザー、アルゴンレーザー、ヘリウ
ム−ネオンレーザー、クリプトンレーザーなどのレーザ
ービームがトラック溝の検出の為に好ましい。
一方、本発明に係る光カードに書き込まれた情報の読
み出しは、記録層を変質させない程度の低エネルギーの
エネルギービームを、レンズ等を介して集光して光カー
ドの透明基材側から照射し、ピットの有無を反射光の強
度と位相変化とを関連づけて検出する事によって行なわ
れる。
み出しは、記録層を変質させない程度の低エネルギーの
エネルギービームを、レンズ等を介して集光して光カー
ドの透明基材側から照射し、ピットの有無を反射光の強
度と位相変化とを関連づけて検出する事によって行なわ
れる。
［作用］ 本発明の光カードは、表面にトラック溝を有する透明
基材のトラック溝面上に設けられた光記録層の一部にジ
イモニウム塩又はアミニウム塩を含有する薄膜からなる
光記録不可能部分が設けられているので、光カードの再
生時反転移動に伴う反転停止時に於ける読み出し光の書
き込みによる反射率低下に対して安定性が高く、かつ反
射率10〜12％の光記録不可能部分を設けることが可能に
なる。
基材のトラック溝面上に設けられた光記録層の一部にジ
イモニウム塩又はアミニウム塩を含有する薄膜からなる
光記録不可能部分が設けられているので、光カードの再
生時反転移動に伴う反転停止時に於ける読み出し光の書
き込みによる反射率低下に対して安定性が高く、かつ反
射率10〜12％の光記録不可能部分を設けることが可能に
なる。
これにより光カードのトラッキング時に於ける光カー
ドの移動の反転時に起こる光カードの停止に伴う読み出
し光による書き込みが全く起こらなくなるばかりでな
く、光記録不可能部分から安定した高い反射率を得るこ
とができる為、トラッキング時にオートフォーカスがは
ずれることがない。
ドの移動の反転時に起こる光カードの停止に伴う読み出
し光による書き込みが全く起こらなくなるばかりでな
く、光記録不可能部分から安定した高い反射率を得るこ
とができる為、トラッキング時にオートフォーカスがは
ずれることがない。
［実施例］ 以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこ
れにより何ら限定されるものではない。
れにより何ら限定されるものではない。
実施例１ 透明基材として、幅54mm、長さ85.6mm、厚さ0.4mmの
ポリメチルメタアクリレートフィルム（日東樹脂（株）
製）に熱プレスにてトラック溝を形成した。トラック溝
ピッチは10μｍ、トラック溝幅３μｍ、トラック溝深さ
0.2μｍとした。
ポリメチルメタアクリレートフィルム（日東樹脂（株）
製）に熱プレスにてトラック溝を形成した。トラック溝
ピッチは10μｍ、トラック溝幅３μｍ、トラック溝深さ
0.2μｍとした。
次に、このトラック溝面上の両端の部分に幅13mm（第
２図の光記録不可能部分27）で、前記の化合物Ｉの色素
をジアセトンアルコールに溶解した溶液をロールコータ
ーで塗布し、乾燥後、トラック溝部分に下記の（II）式
の色素をジアセトンアルコールに溶解した溶液をスピナ
ー塗布して厚さ約1000Åの記録層を形成した。なお、光
記録不可能部分の厚さは約1000Åであった。
２図の光記録不可能部分27）で、前記の化合物Ｉの色素
をジアセトンアルコールに溶解した溶液をロールコータ
ーで塗布し、乾燥後、トラック溝部分に下記の（II）式
の色素をジアセトンアルコールに溶解した溶液をスピナ
ー塗布して厚さ約1000Åの記録層を形成した。なお、光
記録不可能部分の厚さは約1000Åであった。
一方、不透明カード基材として、厚さ0.4mmの白色硬
質塩化ビニルフィルムに、熱接着層（塩化ビニル−酢酸
ビニル−マレイン酸樹脂）を介して、上記光記録層と接
するようにして重ね合わせ、表面温度100℃の熱ロール
にて圧着して貼り合わせ、光カードを製造した。光記録
不可能部分の反射率は11％であった。
質塩化ビニルフィルムに、熱接着層（塩化ビニル−酢酸
ビニル−マレイン酸樹脂）を介して、上記光記録層と接
するようにして重ね合わせ、表面温度100℃の熱ロール
にて圧着して貼り合わせ、光カードを製造した。光記録
不可能部分の反射率は11％であった。
この様にして得られた光カードを用いると、カードの
反転移動の停止時に於いても読み出し光による書き込み
が起こらず、10万回の往復テストに於いてもトラッキン
グエラーが発生しなかった。
反転移動の停止時に於いても読み出し光による書き込み
が起こらず、10万回の往復テストに於いてもトラッキン
グエラーが発生しなかった。
実施例２ 透明基材として、厚さ0.4mmのポリカーボネート（パ
ンライトAD−5503,帝人化成（株）製）に熱プレス法に
てトラック溝を形成した。トラック形状は、実施例１と
全く同様とした。
ンライトAD−5503,帝人化成（株）製）に熱プレス法に
てトラック溝を形成した。トラック形状は、実施例１と
全く同様とした。
光記録不可能部分に前記の化合物IIの色素をジアセト
ンアルコールに溶解したものを、ロールコーターで塗布
し乾燥後、実施例１で用いた（II）式で示される色素の
溶液をスピナー塗布し、厚さ1000Åの記録層を形成し
た。なお、光記録不可能部分の厚さは約900Åであっ
た。
ンアルコールに溶解したものを、ロールコーターで塗布
し乾燥後、実施例１で用いた（II）式で示される色素の
溶液をスピナー塗布し、厚さ1000Åの記録層を形成し
た。なお、光記録不可能部分の厚さは約900Åであっ
た。
一方、不透明カード基材として、厚さ0.4mmの白色ポ
リカーボネートフィルムに熱接着剤（ダイセル化学工
業、プラクセルＨ−７）を介し、上記光記録材料の光記
録層と接する様にして重ね合わせ、表面温度100℃の熱
ロールにて圧着して貼り合わせ、光カードを製造した。
光記録不可能部分の反射率は10％であった。
リカーボネートフィルムに熱接着剤（ダイセル化学工
業、プラクセルＨ−７）を介し、上記光記録材料の光記
録層と接する様にして重ね合わせ、表面温度100℃の熱
ロールにて圧着して貼り合わせ、光カードを製造した。
光記録不可能部分の反射率は10％であった。
この様にして得られた光カードを用いると、カードの
反転移動の停止時に於いても読み出し光による書き込み
が起こらず、10万回の往復テストに於いてもトラッキン
グエラーが発生しなかった。
反転移動の停止時に於いても読み出し光による書き込み
が起こらず、10万回の往復テストに於いてもトラッキン
グエラーが発生しなかった。
［発明の効果］ 本発明は、表面にトラック溝を有する透明基材と、該
トラック溝面上に設けられた光記録層と、該光記録層の
接する様に設けられた不透明カード基材とからなり、か
つ前記光記録層の一部に光記録不可能部分を有する光カ
ードに於いて、ジイモニウム塩又はアミニウム塩類を溶
剤に溶解した溶液、または少量の樹脂を溶剤に分散混練
したものを塗布することで記録不可能部分を設けること
により、光カードの再生時反転移動に伴う反転停止時に
於ける読み出し光の書き込みによる反射率低下に対して
安定性が高く、かつ反射率10〜12％の記録不可能部分を
設けることが可能になる。
トラック溝面上に設けられた光記録層と、該光記録層の
接する様に設けられた不透明カード基材とからなり、か
つ前記光記録層の一部に光記録不可能部分を有する光カ
ードに於いて、ジイモニウム塩又はアミニウム塩類を溶
剤に溶解した溶液、または少量の樹脂を溶剤に分散混練
したものを塗布することで記録不可能部分を設けること
により、光カードの再生時反転移動に伴う反転停止時に
於ける読み出し光の書き込みによる反射率低下に対して
安定性が高く、かつ反射率10〜12％の記録不可能部分を
設けることが可能になる。
これにより光カードのトラッキング時に於ける光カー
ドの移動の反転時に起こる光カードの停止に伴う読み出
し光による書き込みが全く起こらなくなるばかりでな
く、記録不可能部分から安定した高い反射率を得ること
ができる為、トラッキング時にオートフォーカスがはず
れることがない。
ドの移動の反転時に起こる光カードの停止に伴う読み出
し光による書き込みが全く起こらなくなるばかりでな
く、記録不可能部分から安定した高い反射率を得ること
ができる為、トラッキング時にオートフォーカスがはず
れることがない。
第１図は本発明に係る光カードの一実施態様を示す概略
断面図、第２図は光記録層に設けられた光記録不可能部
分を示す説明図、第３図は従来例に於ける光カードの記
録フォーマットを示す模式的平面図および第４図は従来
例に於ける光カード再生方法の概略的構成図である。 21……透明基材、22……光記録層 23……接着層、24……不透明カード基材 25……トラック溝、26……トラック溝部分 27……光記録不可能部分
断面図、第２図は光記録層に設けられた光記録不可能部
分を示す説明図、第３図は従来例に於ける光カードの記
録フォーマットを示す模式的平面図および第４図は従来
例に於ける光カード再生方法の概略的構成図である。 21……透明基材、22……光記録層 23……接着層、24……不透明カード基材 25……トラック溝、26……トラック溝部分 27……光記録不可能部分
Claims (1)
- 【請求項１】表面にトラック溝を有する透明基材と、該
トラック溝面上に設けられた光記録層と、該光記録層と
接する様に設けられた不透明カード基材とからなり、か
つ前記光記録層の一部にジイモニウム塩又はアミニウム
塩を含有する薄膜からなる光記録不可能部分が設けられ
ていることを特徴とする光カード。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172918A JP2515554B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 光カ―ド |
| DE87307752T DE3788477D1 (de) | 1986-09-03 | 1987-09-02 | Optische Karte und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
| EP19870307752 EP0259151B1 (en) | 1986-09-03 | 1987-09-02 | Optical card and process for producing it |
| US07/581,188 US5248584A (en) | 1986-09-03 | 1990-09-11 | Optical card and method for reading information recorded in it |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62172918A JP2515554B2 (ja) | 1987-07-13 | 1987-07-13 | 光カ―ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6419542A JPS6419542A (en) | 1989-01-23 |
| JP2515554B2 true JP2515554B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=15950765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62172918A Expired - Fee Related JP2515554B2 (ja) | 1986-09-03 | 1987-07-13 | 光カ―ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2515554B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6363144A (ja) * | 1986-09-03 | 1988-03-19 | Canon Inc | 光カ−ド |
-
1987
- 1987-07-13 JP JP62172918A patent/JP2515554B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6419542A (en) | 1989-01-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |