JPH07121906A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 プリフォーマットが施された記録層とその記
録層の外周にリファレンス領域の設けられた光記録媒体
において、光記録領域と同一平面内のリファレンス領域
に、光記録領域に隣接してシーク誤り量検出パターンを
設ける。 【効果】 光ヘッドがシーク動作を行なった際、誤って
光記録領域から外れてしまった場合でも、短時間で光記
録領域に戻すことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録、
再生を行なう光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、社会の情報化が進み、多種多様の
情報を効率良く取り扱う手段として、光ディスク、光カ
ード、光テープなどの光学的に情報の記録または再生を
行なう情報記録担体および光学的情報記録再生装置が多
く提案されている。前記情報記録担体には、二値化され
た情報が反射率の変化、ビット（穴）の有無のような表
面形状の変化に伴う反射光強度の変化、磁気光学効果に
よる偏光面の変化を強度変化に変換して検出できるもの
がある。前述した情報記録担体の特徴としては、記録密
度が高く、かつ非接触で記録再生が可能であることか
ら、寿命が長いなどの優れた点がある。

【０００３】さらに携帯性に優れ、かつ大きさに比べて
大容量である光カード型光学的情報記録媒体（以下、光
カードと称する）についても最近盛んに研究、開発され
ており、提案もされ始めている。

【０００４】図４は従来のＤＲＡＷ（ダイレクト リー
ド アフター ライト；direct read after write）型
光カードの記録フォーマットを示す模式的平面図であ
る。同図において、記録担体である光カード１上には記
録領域２が設けられ、その記録領域２には、１本当り数
１０００バイトの情報容量を有するトラック３が複数配
列されて形成されている。

【０００５】また通常、記録領域の外周にはプリフォー
マットパターンがなく、光記録は行なわれないリファレ
ンス（reference）領域４が配置されている。このリフ
ァレンス領域４が設けられている理由は、（１）光カー
ド記録再生装置（以下Ｒ／Ｗと称する）にカードを挿入
した後のＲ／Ｗから見たカード上の機械的な原位置（ホ
ームポジション、以下ＨＰと称する）の領域、および
（２）Ｒ／ＷがカードをＡ方向およびＣ方向に移動した
際、通常は記録領域内で移動を行なうが、外部振動その
他の要因で、記録領域外まで誤って移動した場合でもＡ
Ｆが作動できる領域を確保しておくためである。

【０００６】光カードに情報を記録再生する動作手順に
ついて以下に述べる。先ず、カードがＲ／Ｗに挿入され
ると、カードのＨＰに光ヘッド（光ピックアップ）が移
動する。ＨＰで光ヘッドがＡＦサーボ動作を行ない、光
カードの光記録層に光ビームの焦点を合わせる。ビーム
の焦点が合うことで、カードが正しくロードされ、かつ
そのカードの反射光量に問題のないことが確認される。

【０００７】その後、記録または再生されるべきトラッ
クへ光ヘッドが移動する。この動作を通常シークと呼
ぶ。シーク動作には多数のトラックを１回でジャンプす
る粗シークと、数本のトラックをジャンプする精密シー
クの２種類がある。前者の粗シークは、シーク用のパル
スモーターを高速回転し、目標トラックの近傍（例えば
±５トラック）まで移動するために用い、後者の精密シ
ークは比較的近い距離にあるトラックまで移動するため
に用い、場合により１トラックジャンプするごとにＡＦ
動作を行なう。目標トラックまで達するシーク動作は通
常、粗シークでほぼ目標トラック近傍まで移動し、Ａ
Ｔ、ＡＦサーボを引き込み、そのトラックのトラックナ
ンバーを再生し、その後、目標トラックとのトラック数
の差を計算し、精密シークにより１本ずつ目標トラック
までシークするという手順で行なわれる。

【０００８】しかし、カード端部（上端または下端）へ
のシークを行なう場合に、カードの寸法誤差やシーク用
モーターの誤差等により、光ヘッドがトラックの設置さ
れていないリファレンス領域へシークされてしまうこと
がしばしば生じる。この場合にはＡＴサーボが作動でき
ないため、カードの内側つまり記録領域方向に、ある設
定された距離を強制的に移動することで、トラックの存
在する記録領域に引き戻す動作を行なう。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、リファ
レンス領域へ移動した距離は、カードの温湿度による収
縮および図４のＣ方向移動モータの誤差を計算すると、
最大２００μｍとなる。通常、前述の強制的な移動量は
精密シークとの関係から、３０μｍ程度に設定されてい
る。そのため、２００μｍもリファレンス領域に入って
しまった光ヘッドを記録領域まで引き戻すためには、強
制移動とその後のＡＴサーボ動作を７回繰り返す必要が
ある。１回の強制移動とＡＴサーボ動作に必要な時間は
約５００ｍｓであることから、誤ってリファレンス領域
へ光ヘッドが移動してしまった場合、目標トラックまで
シークする時間は上述の場合４秒程度となり、通常目標
トラックへ到達する時間が平均１秒であるのと比較する
と、４倍の時間がかかるという問題があった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、プリフォーマ
ットが施された記録層とその記録層の外周にリファレン
ス領域の設けられた光記録媒体において、光記録領域と
同一平面内のリファレンス領域に、光記録領域に隣接し
てシーク誤り量検出パターンが設けられていることを特
徴とする光記録媒体を提供して、光ヘッドがシーク動作
を行なった際、誤って光記録領域から外れてしまった場
合でも、短時間で光記録領域に戻すことができるように
したものである。

【００１１】以下、本発明を図面を用いて説明する。

【００１２】図１は本発明の光カードの１例を示す平面
模式図である。同図において、本発明の光カード１はシ
ーク誤り量検出パターン４がシークを行なう記録領域２
内の右左の端部の上下に４箇所設けられている。

【００１３】本発明におけるシーク誤り量検出パターン
４は、例えば図２に示される記録領域から離れるに従っ
て巾の広がる記録層と反射率の異なる部分５と記録層と
反射率が同じ６の部分とからなる。

【００１４】次に、シーク誤り量の検出方法について述
べる。ヘッドが記録領域から外れ、シーク誤り量検出パ
ターン上に誤って行ってしまった場合（たとえば図２の
Ｂの位置に行った場合）、光ヘッドから照射されたレー
ザービームは、図２のパターン上に照射される。ヘッド
は、ＡＴを引き込む動作を行なおうとするが、トラック
がないためＡＴは引き込むことができない。次に、ヘッ
ドのアクチュエーターをトラックと垂直方向に１００μ
ｍ程度振動させると、図２の反射率の異なるパターンか
ら例えば図５の（１）のような信号を得ることができ
る。その信号間の距離Ｄに基づいて、ヘッドをカードの
内側に移動することができる。

【００１５】シーク誤り量検出パターンは、図２の５お
よび６の反射率が逆の場合も可能である。その時得られ
る信号は、前記の図５の（１）のパターンに対して、
（２）の曲線のようになる。

【００１６】シーク誤り量検出パターンの形成は、記録
層がフォトパターニング可能な材料の場合（例えば、結
晶−非晶質の相転移型記録材料や銀粒子をゼラチンマト
リクスに分散させたタイプが知られている。）、記録層
を形成後プリフォーマットパターンをフォトパターニン
グ法で形成する際に同時に行なうことができる。

【００１７】その他の記録材料の場合には、予め凹凸ま
たは粗面状でプリフォーマットが施された記録層形成を
行なう基板上に、金属系の記録層を蒸着等の真空成膜に
より形成するタイプ、あるいは色素を溶剤に溶かして塗
布により形成するタイプが知られている。この場合に
は、シーク誤り量検出パターンは、予め基板に凹凸状ま
たは粗面状で形成されていることが必要である。凹凸状
または粗面状に基板にプリフォーマットパターンとシー
ク誤り量検出パターンを形成する方法は、従来知られて
いる、インジェクション法、２Ｐ法、コンプレッション
法等のいずれでも良い。

【００１８】光カードの構成は、図３に示した従来知ら
れているものと同様とすることができ、図３における透
明基板７としては、光学的な記録・再生において、不都
合の少ないものが好ましく、またトラック溝を形成する
場合には、その成形性が良い材料が好ましく、例えばア
クリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、ビニル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアセタール
樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロー
ス誘導体などを用いることができる。

【００１９】また、基板の厚さは通常０．１〜０．７ｍ
ｍ、接着層の厚さは２０〜５０μｍ程度が好ましい。

【００２０】また記録層８には、再生のエネルギービー
ムの波長が６５０ｎｍ以上、特に７００〜９００ｎｍで
ある場合には、記録部であるピットにおける反射率と未
記録部のそれとの差が大きいものが好ましい。また、記
録のエネルギービームの照射によって反射率の変化が生
じるのに必要とされるエネルギーが小さい方が好まし
い。さらに、再生のエネルギービームによって記録部お
よび未記録部の反射率の変化しにくいものが好ましい。

【００２１】例えば、Ｔｅ、Ｓｂ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｖ、Ｓ
ｎ等の酸化物、ＧｅＳｎＴｅ、ＩｎＳｎＴｅ、Ｔｅ−Ｓ
ｎ、ＴｅＯｘ−Ｇｅなどの化合物等はエネルギービーム
の照射によって相転位を生じて、反射率が変化する。ま
た、Ｔｅ−ＣＨ₄、Ｔｅ−ＣＳ₂、Ｔｅ−スチレン、Ｓｎ
−ＳＯ₂、ＧｅＳ−Ｓｎ、ＳｎＳ−Ｓなどの金属と有機
化合物または無機硫化物との複合物や、ＳｉＯ₂／Ｔｉ
／ＳｉＯ₂／Ａｌなどの多層膜も使用可能である、さら
に、ニトロセルロース、ポリスチレン、ポリエチレンな
どの熱可塑性樹脂中に銀などの金属粒子を分散させたも
の、あるいはこのような熱可塑性樹脂の表面に金属粒子
を凝集させたものなども使用可能である。また、カルコ
ゲンあるいは発色型のＭｏＯ₃−Ｃｕ、ＭｏＯ₃−Ｓｎ−
Ｃｕ等も用いられる。場合によっては、泡形成型の有機
薄膜と金属薄膜との多層体も用いることができる。

【００２２】また、エネルギービームで光学的な物性変
化可能な有機薄膜も使用可能で、例えば、アントラキノ
ン誘導体（特にインダンスレン骨格を有するもの）、ジ
オキサジン化合物およびその誘導体、トリフェノチアジ
ン化合物、フェナンスレン誘導体、シアニン化合物、メ
ロシアニン化合物、ピリリウム系化合物、キサンテン系
化合物、トリフェニルメタン系化合物、クロコニウム系
色素、クロコン類等の色素を挙げることができ、これら
は溶液塗布による連続製造が可能なことから、本発明に
は好ましいものである。

【００２３】次いで、記録層が形成された透明基板は接
着剤９を介して保護部材１０がラミネートされる。

【００２４】本発明において接着剤９としては、従来知
られている接着剤、例えば酢酸ビニル、アクリル酸エス
テル、塩化ビニル、エチレン、アクリル酸、アクリルア
ミド、などビニルモノマーの重合体および共重合体、ポ
リアミド、ポリエステル、エポキシ系などの熱可塑性接
着剤、アミノ樹脂（ユリア樹脂、メラニン樹脂）、フェ
ノール樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、熱硬化性ビ
ニル樹脂などの接着剤、天然ゴム、ニトリルゴム、クロ
ロゴム、シリコンゴムなどのゴム系接着剤等が使用され
る。特に、ホットメルト型のものはドライプロセスであ
り、大量、連続生産を考える上で好ましい。

【００２５】保護部材１０は、透過型の読取り方式であ
れば透明であることが必要であり、複屈折に対する要求
も基板に対するものと同様でその材質は自ら制限され
る。

【００２６】反射型の読取り方式であれば、保護部材は
不透明でも良く、その材質は広範囲のものから選択する
ことができる。

【００２７】この保護部材は記録層に対し、直接記録層
に光学的に密着して積層してもよい。また、必要に応じ
空気層を介して保護部材を設ける所謂エアギャップタイ
プの形態でも良い。

【００２８】

【実施例】

（実施例１）以下に示すような方法で、図１、図２さら
に図３で示す光カードを作製した。図３のように、透明
基板７として、厚さ０．４ｍｍのポリメタクリレート基
板を洗浄し乾燥した。その上に、相転移型記録層８とし
て、Ｓｂ₂Ｔｅ₂Ｇｅ₅合金をＲＦマグネトロンスパッタ
により厚さ２０ｎｍに成膜した。スパッタ成膜後の記録
層は非晶質状態であった。その記録層に、図１に示すよ
うに、プリフォーマットパターンとその隣接する外周部
に長さ５ｍｍ、幅１２０μｍからなるシーク誤り量検出
パターンを設けたフォトマスク（図２）を密着させ、Ｋ
ｒＦレーザー光を１秒間照射し、レーザー光の照射され
た部分を非晶質から結晶質に相転移させ、プリフォーマ
ットパターンとシーク誤り量検出パターンを同時に形成
した。

【００２９】次に、ホットメルトタイプのエチレン−酢
酸ビニル共重合体からなる接着剤９により、厚さ０．３
ｍｍのポリメチルメタクリレートの保護層１０を貼り合
わせ、光カードとした。

【００３０】（実施例２）プリフォーマットパターンお
よび図２の５で表わされる部分が凸になっているシーク
誤り量検出パターンを持った熱プレス用型を用意し、そ
の型を用い、透明基板７に熱プレス法によってプリフォ
ーマットとシーク誤り量検出パターンと同時に形成し
た。

【００３１】次いで、スパッタ法により厚さ３００ｎｍ
のＳｉＯ₂の薄膜８を形成し、その後に、下記の構造式
（Ｉ）で示されるポリメチン系色素媒体の濃度３．０重
量％のジアセトンアルコール溶液を印刷塗布し、乾燥し
た後、厚さ９００Åの記録層８およびシーク誤り量検出
パターンを形成した。

【００３２】

【化１】 次に、ホットメルトタイプのエチレン−酢酸ビニル共重
合体からなる接着剤９により、厚さ０．３ｍｍのポリメ
チルメタクリレートの保護層を貼り合わせ、光カードと
した。

【００３３】以上の実施例１および２で得られた光カー
ドを使用し、実際にリファレンス領域（図２のＢ）へ光
ヘッドが移動した時の目標トラックまで行く時間を測定
した結果、１．５秒であった。この結果は、従来リファ
レンス領域へヘッドが移動する場合の４秒という所要時
間に比べて２分の１以下となり、トラックへのシーク時
間が大幅に改善された。

【００３４】

【発明の効果】以上説明した通り、光カードの光記録部
に隣接する外周部に、シーク誤り量検出パターンを設け
ることにより、目標トラックへのシーク時間を大幅に短
縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光カードの１例の模式的平面図であ
る。

【図２】図１のカードのシーク誤り量検出パターンを拡
大した図である。

【図３】光カードの１例の模式的断面図である。

【図４】従来の光カードの１例の模式的平面図である。

【図５】本発明の光カードのシーク誤り量検出パターン
上でヘッドを振動させた場合に得られる信号パターンの
例のグラフである。

【符号の説明】

１ 光カード ２ 記録領域 ３ リファレンス領域 ４ シーク誤り量検出パターン ５ 記録層と反射率の異なる部分 ６ 記録層と反射率が同じ部分 ７ 透明基板 ８ 記録層 ９ 接着層 １０ 保護層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 プリフォーマットが施された記録層と該
   記録層の外周にリファレンス領域の設けられた光記録媒
   体において、光記録領域と同一平面内のリファレンス領
   域に、該光記録領域に隣接してシーク誤り量検出パター
   ンが設けられていることを特徴とする光記録媒体。