JPH0721584A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPH0721584A JPH0721584A JP5187025A JP18702593A JPH0721584A JP H0721584 A JPH0721584 A JP H0721584A JP 5187025 A JP5187025 A JP 5187025A JP 18702593 A JP18702593 A JP 18702593A JP H0721584 A JPH0721584 A JP H0721584A
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- Japan
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- substrate
- refractive index
- reflectance
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Abstract
(57)【要約】
【目的】基板と記録層との間に保護層を設けた光情報記
録媒体において、保護層の膜厚が設計値より変動して
も、検出される反射光の量の変動が小さいものを提供す
る。 【構成】基板１の屈折率ｎ0 と、これと記録層２との間
に設けた保護層３ａの屈折率ｎ1 とが下記の（１）式を
満たす。 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１）
録媒体において、保護層の膜厚が設計値より変動して
も、検出される反射光の量の変動が小さいものを提供す
る。 【構成】基板１の屈折率ｎ0 と、これと記録層２との間
に設けた保護層３ａの屈折率ｎ1 とが下記の（１）式を
満たす。 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、透明な基板と、この基
板上に設けられた保護層と、この保護層の上に設けられ
た記録層とを備え、前記基板側から光を入射し、その反
射光により前記記録層に記録されている情報を再生する
光情報記録媒体に関し、特に、相変化型光ディスクのよ
うに、記録層の結晶状態と非晶質状態とにおける反射率
の差を利用して再生を行うものとして有効なものに関す
る。
板上に設けられた保護層と、この保護層の上に設けられ
た記録層とを備え、前記基板側から光を入射し、その反
射光により前記記録層に記録されている情報を再生する
光情報記録媒体に関し、特に、相変化型光ディスクのよ
うに、記録層の結晶状態と非晶質状態とにおける反射率
の差を利用して再生を行うものとして有効なものに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクに代表される光情報記録媒体
は、高密度で大容量であることから注目され、これまで
にも様々な用途で使用されている。例えば、再生専用の
光ディスクとしては、音楽を再生するコンパクトディス
ク（ＣＤ）やデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等があり、
音楽分野、コンピュータ分野、ゲーム分野等において広
く使用されている。また、一回だけ記録可能で消去はで
きない追記型光ディスクとしては、文書ファイリングシ
ステム、データファイリングシステム等に使用されてい
る。
は、高密度で大容量であることから注目され、これまで
にも様々な用途で使用されている。例えば、再生専用の
光ディスクとしては、音楽を再生するコンパクトディス
ク（ＣＤ）やデータ再生専用のＣＤ−ＲＯＭ等があり、
音楽分野、コンピュータ分野、ゲーム分野等において広
く使用されている。また、一回だけ記録可能で消去はで
きない追記型光ディスクとしては、文書ファイリングシ
ステム、データファイリングシステム等に使用されてい
る。
【０００３】さらに、記録された情報の消去と再記録が
できる書換え可能型光ディスクは、データの修理や更新
が可能であるともに、書換えによって繰り返し使用でき
るため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして期
待されている。このような書換え可能型光ディスクとし
ては、これまでに光磁気ディスクや相変化型光ディスク
が実用化されており、データファイルとして使用されて
いる。
できる書換え可能型光ディスクは、データの修理や更新
が可能であるともに、書換えによって繰り返し使用でき
るため、光ディスクの用途拡大に貢献するものとして期
待されている。このような書換え可能型光ディスクとし
ては、これまでに光磁気ディスクや相変化型光ディスク
が実用化されており、データファイルとして使用されて
いる。
【０００４】このような光ディスクにおいては、トラッ
キングにサーボ機構を採用するため、ディスク内におけ
る反射率のむらやディスク毎の反射率のばらつきを小さ
くする必要がある。特に、相変化型光ディスクは、記録
層の結晶状態と非晶質状態とにおける反射率の差を利用
して再生を行うものであるために、反射率をより正確に
制御する必要がある。
キングにサーボ機構を採用するため、ディスク内におけ
る反射率のむらやディスク毎の反射率のばらつきを小さ
くする必要がある。特に、相変化型光ディスクは、記録
層の結晶状態と非晶質状態とにおける反射率の差を利用
して再生を行うものであるために、反射率をより正確に
制御する必要がある。
【０００５】光ディスクの反射率は、基板の屈折率，吸
収係数と、基板上に積層されている物質の膜厚，屈折
率，吸収係数と、入射光の波長とにより決まるが、屈折
率と吸収係数は用いる物質と膜の形成方法，形成条件に
よって決まるため、ディスク内における反射率のむらや
ディスク毎の反射率のばらつきは、主として各層の厚み
むらに起因するものである。
収係数と、基板上に積層されている物質の膜厚，屈折
率，吸収係数と、入射光の波長とにより決まるが、屈折
率と吸収係数は用いる物質と膜の形成方法，形成条件に
よって決まるため、ディスク内における反射率のむらや
ディスク毎の反射率のばらつきは、主として各層の厚み
むらに起因するものである。
【０００６】また、このような光ディスクにおいては、
通常、基板の変形や記録層の酸化を防ぐために、基板と
記録層との間に保護層が設けてある。図１に光ディスク
の構造の一例を示す。この例においては、基板１と記録
層２との間に第一の保護層３ａを設けるとともに、記録
層２の上に第二の保護層３ｂを設け、その上に反射層４
を設けている。
通常、基板の変形や記録層の酸化を防ぐために、基板と
記録層との間に保護層が設けてある。図１に光ディスク
の構造の一例を示す。この例においては、基板１と記録
層２との間に第一の保護層３ａを設けるとともに、記録
層２の上に第二の保護層３ｂを設け、その上に反射層４
を設けている。
【０００７】そして、再生の際には、この光ディスクに
基板１側からレーザ光を入射し、その反射光を検出す
る。この時、各層の界面から反射光（Ｒ1 〜Ｒ4 ）が生
じるが、主に、基板１と第一の保護層３ａとの界面にお
ける反射光Ｒ1 と、第一の保護層３ａと記録層２との界
面における反射光Ｒ2 との干渉により生じた光（Ｒ1 ＋
Ｒ2 ）が反射光Ｒとして検出される。
基板１側からレーザ光を入射し、その反射光を検出す
る。この時、各層の界面から反射光（Ｒ1 〜Ｒ4 ）が生
じるが、主に、基板１と第一の保護層３ａとの界面にお
ける反射光Ｒ1 と、第一の保護層３ａと記録層２との界
面における反射光Ｒ2 との干渉により生じた光（Ｒ1 ＋
Ｒ2 ）が反射光Ｒとして検出される。
【０００８】したがって、第一の保護層３ａの膜厚が変
動すると反射光Ｒの量が変動して再生信号にばらつきが
生じるため、従来は、成膜技術の改良等によりこの第一
の保護層３ａの膜厚を一定にする努力がなされていた。
そのため、例えば、スパッタリング法でディスク（基
板）上に保護層を成膜する際に、ディスクを回転させる
とともに、ディスクをセットしたトレイ自体をも回転さ
せる自公転法を導入することなどが行われていた。
動すると反射光Ｒの量が変動して再生信号にばらつきが
生じるため、従来は、成膜技術の改良等によりこの第一
の保護層３ａの膜厚を一定にする努力がなされていた。
そのため、例えば、スパッタリング法でディスク（基
板）上に保護層を成膜する際に、ディスクを回転させる
とともに、ディスクをセットしたトレイ自体をも回転さ
せる自公転法を導入することなどが行われていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法によっても、第一の保護層３ａの膜厚の変動を
十分小さなものにすることはできなかった。本発明は、
このような従来技術の問題点に着目してなされたもので
あり、基板と記録層との間に設けられた保護層の膜厚が
設計値より変動しても、検出される反射光Ｒの量の変動
が小さい光情報記録媒体を提供することを目的とする。
うな方法によっても、第一の保護層３ａの膜厚の変動を
十分小さなものにすることはできなかった。本発明は、
このような従来技術の問題点に着目してなされたもので
あり、基板と記録層との間に設けられた保護層の膜厚が
設計値より変動しても、検出される反射光Ｒの量の変動
が小さい光情報記録媒体を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、透明な基板と、この基板上に設けられた
保護層と、この保護層の上に設けられた記録層とを備
え、前記基板側から光を入射し、その反射光により前記
記録層に記録されている情報を再生する光情報記録媒体
において、前記基板の屈折率ｎ0 と前記保護層の屈折率
ｎ1 とが下記の（１）式を満たすことを特徴とする光情
報記録媒体を提供する。
に、本発明は、透明な基板と、この基板上に設けられた
保護層と、この保護層の上に設けられた記録層とを備
え、前記基板側から光を入射し、その反射光により前記
記録層に記録されている情報を再生する光情報記録媒体
において、前記基板の屈折率ｎ0 と前記保護層の屈折率
ｎ1 とが下記の（１）式を満たすことを特徴とする光情
報記録媒体を提供する。
【００１１】 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１） 前記基板が屈折率ｎ0 ＝１．５８のポリカーボネート樹
脂であり、前記保護層が屈折率ｎ1 ＝１．１〜２．２の
物質からなるものであると好適である。本発明の光情報
記録媒体を構成する基板、および記録層としては、従来
より公知の各材料を使用することができる。なお、基板
に関しては、例えばガラス板、ガラス板の上に光硬化樹
脂層を設けたもの、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン等のプラスチック基
板、あるいはアルミニウム合金等の金属板等が使用され
る。
脂であり、前記保護層が屈折率ｎ1 ＝１．１〜２．２の
物質からなるものであると好適である。本発明の光情報
記録媒体を構成する基板、および記録層としては、従来
より公知の各材料を使用することができる。なお、基板
に関しては、例えばガラス板、ガラス板の上に光硬化樹
脂層を設けたもの、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン等のプラスチック基
板、あるいはアルミニウム合金等の金属板等が使用され
る。
【００１２】保護層の材料としては、金属または半金属
の酸化物、フッ化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化
物、および金属等の無機物や、有機物、さらにはこれら
の混合物や複合材料等が挙げられる。また、記録層の前
記保護層とは反対側にも、記録層の酸化等の経時変化を
防ぐために、前記材料からなる第二の保護層を設けるこ
とが好ましい。
の酸化物、フッ化物、窒化物、硫化物、炭化物、ホウ化
物、および金属等の無機物や、有機物、さらにはこれら
の混合物や複合材料等が挙げられる。また、記録層の前
記保護層とは反対側にも、記録層の酸化等の経時変化を
防ぐために、前記材料からなる第二の保護層を設けるこ
とが好ましい。
【００１３】さらに、記録層の光入射側に反射防止膜を
設けてもよいし、その反対側に反射膜を設けていてもよ
い。反射膜を設ける場合には、熱伝達係数の大きな材料
を用いて、記録層の熱を瞬間的に外部に逃がす構造とす
ることが好ましい。基板と記録層との間にある保護層の
膜厚は、基板の熱変形を防止し、コントラストを確保す
るために２０〜２００ｎｍであることが好ましい。記録
層の膜厚は、コントラストを確保し、ピットの形状を整
えるために１０〜５０ｎｍであることが好ましい。第二
の保護層を設ける場合には、記録層と同様の理由で、そ
の膜厚を５〜３０ｎｍにすることが好ましい。反射層を
設ける場合にも、記録層と同様の理由で、その膜厚を５
０〜１５０ｎｍにすることが好ましい。
設けてもよいし、その反対側に反射膜を設けていてもよ
い。反射膜を設ける場合には、熱伝達係数の大きな材料
を用いて、記録層の熱を瞬間的に外部に逃がす構造とす
ることが好ましい。基板と記録層との間にある保護層の
膜厚は、基板の熱変形を防止し、コントラストを確保す
るために２０〜２００ｎｍであることが好ましい。記録
層の膜厚は、コントラストを確保し、ピットの形状を整
えるために１０〜５０ｎｍであることが好ましい。第二
の保護層を設ける場合には、記録層と同様の理由で、そ
の膜厚を５〜３０ｎｍにすることが好ましい。反射層を
設ける場合にも、記録層と同様の理由で、その膜厚を５
０〜１５０ｎｍにすることが好ましい。
【００１４】本発明の光情報記録媒体において基板上に
設けられる各層、および必要に応じて設けられる、第二
の保護層、反射防止膜、反射膜等の形成方法は、特に限
定されず、公知の方法、例えば、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンビームスパッタリング、イオンビーム蒸
着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、プラズマ
重合等の方法を目的、材料等に応じて適宜選定すること
ができる。
設けられる各層、および必要に応じて設けられる、第二
の保護層、反射防止膜、反射膜等の形成方法は、特に限
定されず、公知の方法、例えば、真空蒸着、スパッタリ
ング、イオンビームスパッタリング、イオンビーム蒸
着、イオンプレーティング、電子ビーム蒸着、プラズマ
重合等の方法を目的、材料等に応じて適宜選定すること
ができる。
【００１５】
【作用】本発明によれば、基板の屈折率ｎ0 と前記保護
層の屈折率ｎ1 とが下記の（１）式を満たすものである
ために、基板と記録層との間に設けられた保護層の膜厚
が、設計値より変動しても検出される反射光Ｒの量の変
動を小さくすることができる。
層の屈折率ｎ1 とが下記の（１）式を満たすものである
ために、基板と記録層との間に設けられた保護層の膜厚
が、設計値より変動しても検出される反射光Ｒの量の変
動を小さくすることができる。
【００１６】 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１） 以下にその理由を示す。図１に示すような構造の光ディ
スクは、本発明の光情報記録媒体の一例であり、基板１
と記録層２との間に（第一の）保護層３ａが設けてあ
る。そして、基板１側から入射された光の反射光Ｒのほ
とんどは、基板１と保護層３ａとの界面における反射光
Ｒ1 と保護層３ａと記録層２との界面における反射光Ｒ
2 との干渉光（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）である。
スクは、本発明の光情報記録媒体の一例であり、基板１
と記録層２との間に（第一の）保護層３ａが設けてあ
る。そして、基板１側から入射された光の反射光Ｒのほ
とんどは、基板１と保護層３ａとの界面における反射光
Ｒ1 と保護層３ａと記録層２との界面における反射光Ｒ
2 との干渉光（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）である。
【００１７】図２のグラフは、保護層３ａの膜厚変動に
対する反射率（Ｒ）の変動を調べた結果の一例である
が、保護層３ａの屈折率がｎ1 ，入射光の波長がλの場
合、反射率（Ｒ）はλ／２ｎ1 を周期として変化する。
ここで反射率（Ｒ）の最高値をＲtop ，最低値をＲbot
とし、反射率の値がＲbot から再びＲbot になるまでの
膜厚の差を「反射率変動周期；Ｔ」、｜Ｒtop−Ｒbot
｜を「反射率変動振幅；Ａ」とすると、保護層の膜厚変
動に対する反射率変動量（曲線の接線の傾き）の最大値
は、「２Ａ／Ｔ」で近似的に表されるため、反射率変動
振幅Ａを小さくするか、反射率変動周期Ｔを大きくする
ことにより、保護層の膜厚変動に伴う反射率の変動を小
さくすることができる。
対する反射率（Ｒ）の変動を調べた結果の一例である
が、保護層３ａの屈折率がｎ1 ，入射光の波長がλの場
合、反射率（Ｒ）はλ／２ｎ1 を周期として変化する。
ここで反射率（Ｒ）の最高値をＲtop ，最低値をＲbot
とし、反射率の値がＲbot から再びＲbot になるまでの
膜厚の差を「反射率変動周期；Ｔ」、｜Ｒtop−Ｒbot
｜を「反射率変動振幅；Ａ」とすると、保護層の膜厚変
動に対する反射率変動量（曲線の接線の傾き）の最大値
は、「２Ａ／Ｔ」で近似的に表されるため、反射率変動
振幅Ａを小さくするか、反射率変動周期Ｔを大きくする
ことにより、保護層の膜厚変動に伴う反射率の変動を小
さくすることができる。
【００１８】反射率（Ｒ）は、前述のように、基板１と
保護層３ａとの界面における反射光（Ｒ1 ）と、保護層
３ａと記録層２との界面における反射光（Ｒ2 ）との干
渉によりほぼ決定するため、Ｒ1 とＲ2 の位相がπだけ
ずれたとき反射率（Ｒ）はほぼ｜Ｒ2 −Ｒ1 ｜となり最
小値になり、Ｒ1 とＲ2 の位相が一致しているとき反射
率（Ｒ）はほぼ（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）となり最大値になる。光
情報記録媒体においては、記録層２に光を入射させる必
要性からＲ1 ＜Ｒ2 であることが望ましい。そして、Ｒ
1 ＜Ｒ2 のとき保護層３ａの膜厚に対する反射率変動振
幅Ａは２×Ｒ1となるため、Ｒ1 を小さくすれば、保護
層３ａの膜厚変動に対する反射率変動振幅Ａを小さくす
ることができる。
保護層３ａとの界面における反射光（Ｒ1 ）と、保護層
３ａと記録層２との界面における反射光（Ｒ2 ）との干
渉によりほぼ決定するため、Ｒ1 とＲ2 の位相がπだけ
ずれたとき反射率（Ｒ）はほぼ｜Ｒ2 −Ｒ1 ｜となり最
小値になり、Ｒ1 とＲ2 の位相が一致しているとき反射
率（Ｒ）はほぼ（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）となり最大値になる。光
情報記録媒体においては、記録層２に光を入射させる必
要性からＲ1 ＜Ｒ2 であることが望ましい。そして、Ｒ
1 ＜Ｒ2 のとき保護層３ａの膜厚に対する反射率変動振
幅Ａは２×Ｒ1となるため、Ｒ1 を小さくすれば、保護
層３ａの膜厚変動に対する反射率変動振幅Ａを小さくす
ることができる。
【００１９】ここで、基板の屈折率がｎ0 ，保護層の屈
折率がｎ1 で、各層の吸収係数が０の場合に反射率（Ｒ
1 ）は、 Ｒ1 ＝（１−ｎ1 ／ｎ0 ）2 ／（１＋ｎ1 ／ｎ0 ）2 と表され、基板の屈折率ｎ0 に応じ、保護層の屈折率ｎ
1 に対して図３のグラフのような関係にある。これを
「保護層の屈折率ｎ1 」／「基板の屈折率ｎ0 」と反射
率（Ｒ1 ）との関係で示したグラフを図４に示すが、こ
のグラフから、基板１と保護層３ａとの屈折率差を小さ
くすればＲ1 が小さくなることが分かる。
折率がｎ1 で、各層の吸収係数が０の場合に反射率（Ｒ
1 ）は、 Ｒ1 ＝（１−ｎ1 ／ｎ0 ）2 ／（１＋ｎ1 ／ｎ0 ）2 と表され、基板の屈折率ｎ0 に応じ、保護層の屈折率ｎ
1 に対して図３のグラフのような関係にある。これを
「保護層の屈折率ｎ1 」／「基板の屈折率ｎ0 」と反射
率（Ｒ1 ）との関係で示したグラフを図４に示すが、こ
のグラフから、基板１と保護層３ａとの屈折率差を小さ
くすればＲ1 が小さくなることが分かる。
【００２０】屈折率ｎ0 ，吸収係数０，膜厚∞の基板１
と、屈折率ｎ1 ，吸収係数０，膜厚ｄ1 の保護層３ａ
と、屈折率５．０，吸収係数４．０，膜厚∞の記録層２
とからなる構造において、保護層３ａの屈折率ｎ1 を
１．０、１．５、２．０、２．５、３．０、３．５と変
化させて、保護層３ａの膜厚変動に対する反射率（Ｒ）
の変動をシミュレーションした結果を図５にグラフで示
す。入射光の波長は８３０ｎｍとした。
と、屈折率ｎ1 ，吸収係数０，膜厚ｄ1 の保護層３ａ
と、屈折率５．０，吸収係数４．０，膜厚∞の記録層２
とからなる構造において、保護層３ａの屈折率ｎ1 を
１．０、１．５、２．０、２．５、３．０、３．５と変
化させて、保護層３ａの膜厚変動に対する反射率（Ｒ）
の変動をシミュレーションした結果を図５にグラフで示
す。入射光の波長は８３０ｎｍとした。
【００２１】この結果より、基板１と保護層３ａとの屈
折率差が大きくなるほど、保護層３ａの膜厚変動に対す
る反射率（Ｒ）の変動が大きい（反射率変動振幅が大き
く、反射率変動周期が短い）ことが分かる。これと同様
に、基板１の屈折率を１．０とした時の結果を図６に、
基板１の屈折率を２．０とした時の結果を図７にそれぞ
れ示す。これらの結果より、基板の屈折率が変わって
も、基板と保護層との屈折率差が大きくなるほど、保護
層３ａの膜厚変動に対する反射率（Ｒ）の変動が大きい
ことが分かる。
折率差が大きくなるほど、保護層３ａの膜厚変動に対す
る反射率（Ｒ）の変動が大きい（反射率変動振幅が大き
く、反射率変動周期が短い）ことが分かる。これと同様
に、基板１の屈折率を１．０とした時の結果を図６に、
基板１の屈折率を２．０とした時の結果を図７にそれぞ
れ示す。これらの結果より、基板の屈折率が変わって
も、基板と保護層との屈折率差が大きくなるほど、保護
層３ａの膜厚変動に対する反射率（Ｒ）の変動が大きい
ことが分かる。
【００２２】これらの結果から、反射率の変動値（反射
率変動振幅の大きさ）と保護層３ａの屈折率との関係を
図８にグラフで示す。また、反射率の変動値と「保護層
の屈折率／基板の屈折率」との関係を図９にグラフで示
す。図９のグラフから分かるように、反射率の変動値を
２０％以内に小さくするためには、ｎ1 ／ｎ0 を１／
１．４（≒０．７）以上１．４以下にすればよい。すな
わち、保護層の屈折率を基板の屈折率の±４０％以内の
値とすればよいことになる。これにより、本発明におけ
る（１）式が導き出される。
率変動振幅の大きさ）と保護層３ａの屈折率との関係を
図８にグラフで示す。また、反射率の変動値と「保護層
の屈折率／基板の屈折率」との関係を図９にグラフで示
す。図９のグラフから分かるように、反射率の変動値を
２０％以内に小さくするためには、ｎ1 ／ｎ0 を１／
１．４（≒０．７）以上１．４以下にすればよい。すな
わち、保護層の屈折率を基板の屈折率の±４０％以内の
値とすればよいことになる。これにより、本発明におけ
る（１）式が導き出される。
【００２３】 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１） また、これらの結果から、膜厚が５０Å変化した時の反
射率変動量の最大値と保護層の屈折率との関係を、基板
の屈折率毎に示したグラフを図１０に示す。このグラフ
より、基板の屈折率が１．５８で入射光の波長が８３０
ｎｍの場合に、膜厚が５０Å変化した時の反射率変動量
の最大値を１％以内にするには、保護層の屈折率を２．
２以下にする必要があることが分かる。
射率変動量の最大値と保護層の屈折率との関係を、基板
の屈折率毎に示したグラフを図１０に示す。このグラフ
より、基板の屈折率が１．５８で入射光の波長が８３０
ｎｍの場合に、膜厚が５０Å変化した時の反射率変動量
の最大値を１％以内にするには、保護層の屈折率を２．
２以下にする必要があることが分かる。
【００２４】したがって、通常の光ディスクの基板とし
て使用されるポリカーボネート樹脂の屈折率は１．５８
であるため、保護層として屈折率が２．２以下の物質を
使用すると、膜厚が５０Å変化した時の反射率変動量の
最大値を１％以内にすることができる。なお、請求項２
におけるｎ1 ≧１．１は、上記（１）式の（１／１．
４）ｎ0≦ｎ1 に、ｎ0 ＝１．５８を代入して算出した
ものである。
て使用されるポリカーボネート樹脂の屈折率は１．５８
であるため、保護層として屈折率が２．２以下の物質を
使用すると、膜厚が５０Å変化した時の反射率変動量の
最大値を１％以内にすることができる。なお、請求項２
におけるｎ1 ≧１．１は、上記（１）式の（１／１．
４）ｎ0≦ｎ1 に、ｎ0 ＝１．５８を代入して算出した
ものである。
【００２５】上記シミュレーションにおいては入射光の
波長を８３０ｎｍとしているが、入射光の波長を４０
０，５００，６００，７００，８００，９００ｎｍとし
た時の、保護層３ａの膜厚変動に対する反射率（Ｒ）の
変動をシミュレーションした結果を図１１にグラフで示
す。このグラフから、入射光の波長を変えても反射率変
動振幅Ａはほとんど変化しないことが分かる。しかし、
入射光の波長を変えると反射率変動周期Ｔ（＝λ／２ｎ
1 ）が変わり、入射光の波長が小さいほど反射率変動量
が大きくなる。
波長を８３０ｎｍとしているが、入射光の波長を４０
０，５００，６００，７００，８００，９００ｎｍとし
た時の、保護層３ａの膜厚変動に対する反射率（Ｒ）の
変動をシミュレーションした結果を図１１にグラフで示
す。このグラフから、入射光の波長を変えても反射率変
動振幅Ａはほとんど変化しないことが分かる。しかし、
入射光の波長を変えると反射率変動周期Ｔ（＝λ／２ｎ
1 ）が変わり、入射光の波長が小さいほど反射率変動量
が大きくなる。
【００２６】そして、入射光の波長がλ（ｎｍ）である
場合には、反射率変動周期Ｔが（８３０／λ）倍となる
ため、保護層の屈折率を下記の（２）式の範囲内とすれ
ばよい。 830/(830 ＋ 0.4λ) ｎ0 ≦ｎ1 ≦ (830 ＋ 0.4λ)/830 ｎ0 ……（２） これに基づく、基板の屈折率ｎ0 が１．５８の時の保護
層の屈折率ｎ1 の最適範囲を図１２のグラフに表した。
場合には、反射率変動周期Ｔが（８３０／λ）倍となる
ため、保護層の屈折率を下記の（２）式の範囲内とすれ
ばよい。 830/(830 ＋ 0.4λ) ｎ0 ≦ｎ1 ≦ (830 ＋ 0.4λ)/830 ｎ0 ……（２） これに基づく、基板の屈折率ｎ0 が１．５８の時の保護
層の屈折率ｎ1 の最適範囲を図１２のグラフに表した。
【００２７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。ガ
ラス（屈折率ｎ0 ＝１．５）基板の上に保護層としてＳ
ｉＯX （ｎ1 ＝１．９）を、膜厚が５０〜２００ｎｍと
なるようにスパッタリングにより成膜し、その上に記録
層としてＳｂＴｅＧｅを１００ｎｍの膜厚でスパッタリ
ングにより成膜して得られた各層状物に対して、成膜直
後と２６０℃で１０分間アニールした後とにおいて基板
側から波長８３０ｎｍのレーザ光を当て、その反射率を
測定した結果を図１３にグラフで示す。ここで、ｎ1 ／
ｎ0 ＝１．２７であり、この例は本発明の範囲内のもの
である。
ラス（屈折率ｎ0 ＝１．５）基板の上に保護層としてＳ
ｉＯX （ｎ1 ＝１．９）を、膜厚が５０〜２００ｎｍと
なるようにスパッタリングにより成膜し、その上に記録
層としてＳｂＴｅＧｅを１００ｎｍの膜厚でスパッタリ
ングにより成膜して得られた各層状物に対して、成膜直
後と２６０℃で１０分間アニールした後とにおいて基板
側から波長８３０ｎｍのレーザ光を当て、その反射率を
測定した結果を図１３にグラフで示す。ここで、ｎ1 ／
ｎ0 ＝１．２７であり、この例は本発明の範囲内のもの
である。
【００２８】同様に、比較例として、ガラス（屈折率ｎ
0 ＝１．５）基板の上に保護層としてＺｎＳ（ｎ1 ＝
２．３）を、膜厚が５０〜２００ｎｍとなるようにスパ
ッタリングにより成膜し、その上に記録層としてＳｂＴ
ｅＧｅを１００ｎｍの膜厚でスパッタリングにより成膜
して得られた各層状物に対して、成膜直後と２６０℃で
１０分間アニールした後とにおいて基板側から波長８３
０ｎｍのレーザ光を当て、その反射率を測定した結果を
図１４にグラフで示す。ここで、ｎ1 ／ｎ0 ＝１．５３
であり、この例は本発明の範囲外のものである。
0 ＝１．５）基板の上に保護層としてＺｎＳ（ｎ1 ＝
２．３）を、膜厚が５０〜２００ｎｍとなるようにスパ
ッタリングにより成膜し、その上に記録層としてＳｂＴ
ｅＧｅを１００ｎｍの膜厚でスパッタリングにより成膜
して得られた各層状物に対して、成膜直後と２６０℃で
１０分間アニールした後とにおいて基板側から波長８３
０ｎｍのレーザ光を当て、その反射率を測定した結果を
図１４にグラフで示す。ここで、ｎ1 ／ｎ0 ＝１．５３
であり、この例は本発明の範囲外のものである。
【００２９】したがって、ｎ1 ／ｎ0 が本発明の範囲内
である実施例においては、図１３のグラフから分かるよ
うに、反射率変動振幅が８％と小さく反射率変動周期が
長いため、保護層の膜厚が変動しても反射率の変動を小
さく抑えることができる。これに比べてｎ1 ／ｎ0 が本
発明の範囲外である比較例においては、図１４のグラフ
から分かるように、反射率変動振幅が２６％と大きく反
射率変動周期が短いため、保護層の膜厚の変動に対する
反射率の変動が大きいものとなる。
である実施例においては、図１３のグラフから分かるよ
うに、反射率変動振幅が８％と小さく反射率変動周期が
長いため、保護層の膜厚が変動しても反射率の変動を小
さく抑えることができる。これに比べてｎ1 ／ｎ0 が本
発明の範囲外である比較例においては、図１４のグラフ
から分かるように、反射率変動振幅が２６％と大きく反
射率変動周期が短いため、保護層の膜厚の変動に対する
反射率の変動が大きいものとなる。
【００３０】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、透明な基板と、この基板上に設けられた保護層と、
この保護層の上に設けられた記録層とを備え、前記基板
側から光を入射し、その反射光により前記記録層に記録
されている情報を再生する光情報記録媒体において、基
板の屈折率ｎ0 と前記保護層の屈折率ｎ1 とを下記の
（１）式を満たすものとしたために、基板と記録層との
間に設けられた保護層の膜厚が設計値より変動しても、
検出される反射光Ｒの量の変動を小さくすることができ
る。
ば、透明な基板と、この基板上に設けられた保護層と、
この保護層の上に設けられた記録層とを備え、前記基板
側から光を入射し、その反射光により前記記録層に記録
されている情報を再生する光情報記録媒体において、基
板の屈折率ｎ0 と前記保護層の屈折率ｎ1 とを下記の
（１）式を満たすものとしたために、基板と記録層との
間に設けられた保護層の膜厚が設計値より変動しても、
検出される反射光Ｒの量の変動を小さくすることができ
る。
【００３１】 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１） 特に、前記基板が屈折率ｎ0 ＝１．５８のポリカーボネ
ート樹脂であり、前記保護層が屈折率ｎ1 ＝１．１〜
２．２の物質からなるものであると、入射光の波長が８
３０ｎｍの場合に、膜厚が５０Å変化した時の反射率変
動量の最大値を１％以内にすることができるため好適で
ある。
ート樹脂であり、前記保護層が屈折率ｎ1 ＝１．１〜
２．２の物質からなるものであると、入射光の波長が８
３０ｎｍの場合に、膜厚が５０Å変化した時の反射率変
動量の最大値を１％以内にすることができるため好適で
ある。
【００３２】その結果、保護膜の成膜の際に、保護層の
膜厚に、保護層の面内におけるまたはディスク間におけ
るばらつきが生じても、基板側から入射された光の反射
率の変動を小さく抑えることができるため、不良品とさ
れる割合を低くすることができる。また、入射光の波長
が短い場合には、膜厚の変動に対する反射率変動量が大
きくなるため、本発明は特に有用なものとなる。さら
に、相変化型光ディスクのように、記録層の結晶状態と
非晶質状態とにおける反射率の差を利用して再生を行う
ものについても、反射率の変動を抑えることで再生特性
を向上することができることから、本発明が特に有効な
ものとなる。
膜厚に、保護層の面内におけるまたはディスク間におけ
るばらつきが生じても、基板側から入射された光の反射
率の変動を小さく抑えることができるため、不良品とさ
れる割合を低くすることができる。また、入射光の波長
が短い場合には、膜厚の変動に対する反射率変動量が大
きくなるため、本発明は特に有用なものとなる。さら
に、相変化型光ディスクのように、記録層の結晶状態と
非晶質状態とにおける反射率の差を利用して再生を行う
ものについても、反射率の変動を抑えることで再生特性
を向上することができることから、本発明が特に有効な
ものとなる。
【図１】本発明の光情報記録媒体の一例の構造を示す概
要図である。
要図である。
【図２】図１に示す構造の光情報記録媒体について、保
護層の膜厚変動に対する反射率（Ｒ）の変動を調べた結
果を示すグラフである。
護層の膜厚変動に対する反射率（Ｒ）の変動を調べた結
果を示すグラフである。
【図３】基板と保護層との界面における反射光Ｒ1 につ
いて、その反射率（Ｒ1 ）と、保護層の屈折率との関係
を、基板の屈折率毎に示したグラフである。
いて、その反射率（Ｒ1 ）と、保護層の屈折率との関係
を、基板の屈折率毎に示したグラフである。
【図４】図３の結果を、「保護層の屈折率／基板の屈折
率」と反射率（Ｒ1 ）との関係で示したグラフである。
率」と反射率（Ｒ1 ）との関係で示したグラフである。
【図５】基板（ｎ0 ＝１．５８）、保護層、および記録
層からなる構造の光情報記録媒体において、保護層の屈
折率を変えた時の、保護層の膜厚変動に対する反射率
（Ｒ）の変動を示したグラフである。
層からなる構造の光情報記録媒体において、保護層の屈
折率を変えた時の、保護層の膜厚変動に対する反射率
（Ｒ）の変動を示したグラフである。
【図６】基板（ｎ0 ＝１．０）、保護層、および記録層
からなる構造の光情報記録媒体において、保護層の屈折
率を変えた時の、保護層の膜厚変動に対する反射率
（Ｒ）の変動を示したグラフである。
からなる構造の光情報記録媒体において、保護層の屈折
率を変えた時の、保護層の膜厚変動に対する反射率
（Ｒ）の変動を示したグラフである。
【図７】基板（ｎ0 ＝２．０）、保護層、および記録層
からなる構造の光情報記録媒体において、保護層の屈折
率を変えた時の、保護層の膜厚変動に対する反射率
（Ｒ）の変動を示したグラフである。
からなる構造の光情報記録媒体において、保護層の屈折
率を変えた時の、保護層の膜厚変動に対する反射率
（Ｒ）の変動を示したグラフである。
【図８】図５〜７の結果に基づき、反射率（Ｒ）と保護
層の屈折率との関係を、基板の屈折率毎に示したグラフ
である。
層の屈折率との関係を、基板の屈折率毎に示したグラフ
である。
【図９】図８の結果を、「保護層の屈折率／基板の屈折
率」と反射率（Ｒ）との関係で示したグラフである。
率」と反射率（Ｒ）との関係で示したグラフである。
【図１０】膜厚が５０Å変化した時の反射率変動量の最
大値と保護層の屈折率との関係を、基板の屈折率毎に示
したグラフである。
大値と保護層の屈折率との関係を、基板の屈折率毎に示
したグラフである。
【図１１】入射光の波長を変えた時の、保護層の膜厚変
動に対する反射率（Ｒ）の変動を示したグラフである。
動に対する反射率（Ｒ）の変動を示したグラフである。
【図１２】基板の屈折率が１．５８の時の、保護層の屈
折率の最適範囲を示したグラフである。
折率の最適範囲を示したグラフである。
【図１３】本発明の実施例における保護層の膜厚変動に
対する反射率（Ｒ）の変動を示したグラフである。
対する反射率（Ｒ）の変動を示したグラフである。
【図１４】比較例における保護層の膜厚変動に対する反
射率（Ｒ）の変動を示したグラフである。
射率（Ｒ）の変動を示したグラフである。
１ 基板 ２ 記録層 ３ａ 保護層
Claims (2)
- 【請求項１】 透明な基板と、この基板上に設けられた
保護層と、この保護層の上に設けられた記録層とを備
え、前記基板側から光を入射し、その反射光により前記
記録層に記録されている情報を再生する光情報記録媒体
において、 前記基板の屈折率ｎ0 と前記保護層の屈折率ｎ1 とが下
記の（１）式を満たすことを特徴とする光情報記録媒
体。 （１／１．４）ｎ0 ≦ｎ1 ≦１．４ｎ0 ……（１） - 【請求項２】 前記基板が屈折率ｎ0 ＝１．５８のポリ
カーボネート樹脂であり、前記保護層が屈折率ｎ1 ＝
１．１〜２．２の物質からなるものである請求項１記載
の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187025A JPH0721584A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187025A JPH0721584A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0721584A true JPH0721584A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=16198881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187025A Withdrawn JPH0721584A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0721584A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102351583A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-15 | 中山大学 | 一种利用家蝇处理人粪便制备有机肥的方法 |
| CN102351582A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-15 | 中山大学 | 一种利用大头金蝇处理人粪便制备有机肥的方法 |
| CN102351579A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-15 | 中山大学 | 一种利用棕尾别麻蝇处理人粪便制备有机肥的方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5187025A patent/JPH0721584A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102351583A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-15 | 中山大学 | 一种利用家蝇处理人粪便制备有机肥的方法 |
| CN102351582A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-15 | 中山大学 | 一种利用大头金蝇处理人粪便制备有机肥的方法 |
| CN102351579A (zh) * | 2011-07-07 | 2012-02-15 | 中山大学 | 一种利用棕尾别麻蝇处理人粪便制备有机肥的方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |