JPH07235078A - 相変化型光ディスク - Google Patents
相変化型光ディスクInfo
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- JPH07235078A JPH07235078A JP6022428A JP2242894A JPH07235078A JP H07235078 A JPH07235078 A JP H07235078A JP 6022428 A JP6022428 A JP 6022428A JP 2242894 A JP2242894 A JP 2242894A JP H07235078 A JPH07235078 A JP H07235078A
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- layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 少なくとも透明基板と、結晶−非晶質の相変
化を生じる記録層とから成る相変化型光ディスクにおい
て、記録層の結晶状態および非晶質状態の消衰定数
ｋc ，ｋa が式（１） ｋa ＜ｋcrit. ＜ｋc （１） （ここで、ｋcrit. は消衰定数の臨界値であり、 ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ ｎa は記録層の非晶質状態の屈折率、ｄは記録層の膜厚
（オングストロ−ム）を表す）の関係を満足する。 【効果】 記録層と透明基板間に挟まれた誘電体保護層
の厚みに対する反射率の周期的な変化が、非晶質状態と
結晶状態とで逆位相に近い状態となり、振幅の大きな再
生信号を得ることが可能となる。
化を生じる記録層とから成る相変化型光ディスクにおい
て、記録層の結晶状態および非晶質状態の消衰定数
ｋc ，ｋa が式（１） ｋa ＜ｋcrit. ＜ｋc （１） （ここで、ｋcrit. は消衰定数の臨界値であり、 ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ ｎa は記録層の非晶質状態の屈折率、ｄは記録層の膜厚
（オングストロ−ム）を表す）の関係を満足する。 【効果】 記録層と透明基板間に挟まれた誘電体保護層
の厚みに対する反射率の周期的な変化が、非晶質状態と
結晶状態とで逆位相に近い状態となり、振幅の大きな再
生信号を得ることが可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、少なくとも透明基板
と、結晶−非晶質の相変化を生じる記録層とから成る相
変化型光ディスクに関するものであり、特に、再生信号
振幅の大きい相変化型光ディスクに関する。
と、結晶−非晶質の相変化を生じる記録層とから成る相
変化型光ディスクに関するものであり、特に、再生信号
振幅の大きい相変化型光ディスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光記録媒体は、高度情報化社会に
おける記録媒体の中心的役割を担うものとして注目さ
れ、積極的な研究が進められている。このような光記録
媒体の形態として、光ディスクは最も有力なものであ
り、現在文書ファイルやデ−タファイルなどに実用化さ
れつつある。
おける記録媒体の中心的役割を担うものとして注目さ
れ、積極的な研究が進められている。このような光記録
媒体の形態として、光ディスクは最も有力なものであ
り、現在文書ファイルやデ−タファイルなどに実用化さ
れつつある。
【０００３】このような光ディスクには、コンパクトデ
ィスクやレ−ザ−ディスクに代表される再生専用型、ユ
−ザ−による情報の書き込みが可能な追記型、情報の書
き換えが可能な書き換え可能型の三種類がある。このう
ち書き換え可能型には光磁気方式と相変化方式とがあ
り、相変化方式には結晶−非晶質の相変化を生じる材料
を記録層として用いる。
ィスクやレ−ザ−ディスクに代表される再生専用型、ユ
−ザ−による情報の書き込みが可能な追記型、情報の書
き換えが可能な書き換え可能型の三種類がある。このう
ち書き換え可能型には光磁気方式と相変化方式とがあ
り、相変化方式には結晶−非晶質の相変化を生じる材料
を記録層として用いる。
【０００４】この記録層に強いパワ−のレ−ザ光を短時
間照射し、融点以上に急熱して融解させた後に急冷する
ことにより非晶質状態が形成され、これより弱いパワ−
のレ−ザ光の照射で融点より低い結晶化可能温度範囲ま
で昇温することにより結晶状態が形成される。このよう
な相変化型光ディスクの従来のものは、基板上に３層ま
たは４層の多層膜を有する積層構造となっている。即
ち、ポリカ−ボネ−ト樹脂などの透明基板上に直接記録
層を形成せずに、記録層の上下面を透明な保護層で保護
したり反射層を設けてあるため、保護層は干渉層として
の作用も有する。
間照射し、融点以上に急熱して融解させた後に急冷する
ことにより非晶質状態が形成され、これより弱いパワ−
のレ−ザ光の照射で融点より低い結晶化可能温度範囲ま
で昇温することにより結晶状態が形成される。このよう
な相変化型光ディスクの従来のものは、基板上に３層ま
たは４層の多層膜を有する積層構造となっている。即
ち、ポリカ−ボネ−ト樹脂などの透明基板上に直接記録
層を形成せずに、記録層の上下面を透明な保護層で保護
したり反射層を設けてあるため、保護層は干渉層として
の作用も有する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の相変化型光ディスクにおいては、結晶状態と
非晶質状態における光の反射率が、透明基板と記録層と
の間の保護層の厚みに対して同じ様に増減するため大き
な信号振幅を得ることは困難であった。本発明は、この
ような課題を解決するものであり、記録層の複素屈折率
ｎ＋ｉｋ（ｎは屈折率、ｋは消衰定数を表す）を適当な
値に選ぶことにより、大きな信号振幅を得ることを目的
とする。
うな従来の相変化型光ディスクにおいては、結晶状態と
非晶質状態における光の反射率が、透明基板と記録層と
の間の保護層の厚みに対して同じ様に増減するため大き
な信号振幅を得ることは困難であった。本発明は、この
ような課題を解決するものであり、記録層の複素屈折率
ｎ＋ｉｋ（ｎは屈折率、ｋは消衰定数を表す）を適当な
値に選ぶことにより、大きな信号振幅を得ることを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも透
明基板と、結晶−非晶質の相変化を生じる記録層とから
成り、消去状態が結晶、記録状態が非晶質である相変化
型光ディスクにおいて、記録層が結晶状態である場合の
光学定数と、非晶質状態である場合の光学定数とが、あ
る関係式を満足するときに大きな信号振幅が得られるこ
とを特徴とする相変化型光ディスクに関する。
明基板と、結晶−非晶質の相変化を生じる記録層とから
成り、消去状態が結晶、記録状態が非晶質である相変化
型光ディスクにおいて、記録層が結晶状態である場合の
光学定数と、非晶質状態である場合の光学定数とが、あ
る関係式を満足するときに大きな信号振幅が得られるこ
とを特徴とする相変化型光ディスクに関する。
【０００７】すなわち本発明は、記録層の結晶状態およ
び非晶質状態の消衰定数ｋc ，ｋaが式（１） ｋa ＜ｋcrit. ＜ｋc （１） （ここで、ｋcrit. は衰消定数の臨界値であり、 ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ ｎa は記録層の非晶質状態の屈折率、ｄは記録層の膜厚
（オングストロ−ム）を表す）の関係を満足する相変化
型光ディスクである。
び非晶質状態の消衰定数ｋc ，ｋaが式（１） ｋa ＜ｋcrit. ＜ｋc （１） （ここで、ｋcrit. は衰消定数の臨界値であり、 ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ ｎa は記録層の非晶質状態の屈折率、ｄは記録層の膜厚
（オングストロ−ム）を表す）の関係を満足する相変化
型光ディスクである。
【０００８】さらに、本発明は、記録層の非晶質状態の
屈折率ｎa が ｎa ＜ｎcrit. （ここで、ｎcrit. は屈折率の臨界値であり、 ｎcrit. ＝Ｃｋa 2 ＋Ｄ Ｃ＝ｄ／６２５０ Ｄ＝−ｄ／３００＋５ を表す）の関係を満足する相変化型光ディスクに関す
る。
屈折率ｎa が ｎa ＜ｎcrit. （ここで、ｎcrit. は屈折率の臨界値であり、 ｎcrit. ＝Ｃｋa 2 ＋Ｄ Ｃ＝ｄ／６２５０ Ｄ＝−ｄ／３００＋５ を表す）の関係を満足する相変化型光ディスクに関す
る。
【０００９】前記記録層の厚みは、１０００オングスト
ロ−ム以下が好ましく、１００〜５００オングストロ−
ムの範囲が良好な記録・消去・再生を行なうためにより
好ましい。本発明の相変化型光ディスクによれば、記録
層と透明基板間に挟まれた誘電体保護層の厚み（以下、
下層膜厚という）に対する反射率の周期的な変化が、非
晶質状態と結晶状態とで逆位相に近い状態となり、振幅
の大きな再生信号を得ることができる。
ロ−ム以下が好ましく、１００〜５００オングストロ−
ムの範囲が良好な記録・消去・再生を行なうためにより
好ましい。本発明の相変化型光ディスクによれば、記録
層と透明基板間に挟まれた誘電体保護層の厚み（以下、
下層膜厚という）に対する反射率の周期的な変化が、非
晶質状態と結晶状態とで逆位相に近い状態となり、振幅
の大きな再生信号を得ることができる。
【００１０】すなわち、相変化型光ディスクでは、２つ
の状態間の反射率差が再生信号となる。通常、この２つ
の状態の反射率は、下層膜厚に対して周期的に変化し、
かつその変化が同位相状態に近いため、振幅の大きな再
生信号を得るには限界があった。これにくらべて、本発
明の相変化型光ディスクでは、光学定数が前記範囲の記
録層を用いることにより、下層膜厚に対する反射率の周
期的な変化が、非晶質状態と結晶状態とで逆位相に近い
状態となり、振幅の大きな再生信号を得ることが可能と
なる。以下に本発明の詳細な説明を行なう。
の状態間の反射率差が再生信号となる。通常、この２つ
の状態の反射率は、下層膜厚に対して周期的に変化し、
かつその変化が同位相状態に近いため、振幅の大きな再
生信号を得るには限界があった。これにくらべて、本発
明の相変化型光ディスクでは、光学定数が前記範囲の記
録層を用いることにより、下層膜厚に対する反射率の周
期的な変化が、非晶質状態と結晶状態とで逆位相に近い
状態となり、振幅の大きな再生信号を得ることが可能と
なる。以下に本発明の詳細な説明を行なう。
【００１１】再生信号は、図８に示すようにレ−ザ−光
の入射側界面にて反射する光（Ｌ1）と、それに対向す
る側の界面にて反射する光（Ｌ2 ）との合成により決定
され、Ｌ1 ，Ｌ2 の振幅の大小関係および位相差により
再生信号の振幅が決められる。Ｌ1 ，Ｌ2 の位相差は記
録層の膜厚、光学定数により決定される。図９に下層膜
厚に対する結晶状態、非晶質状態の反射率の変化を示
す。Ｌ1 ，Ｌ2 の大小関係が下層膜厚に対して周期的に
変化するため、結晶状態、非晶質状態の反射率はともに
図９に示したように周期的に変化する。図９に示した結
晶状態と非晶質状態のそれぞれに対する反射率最大とな
る下層膜厚の差（反射率最小となる下層膜厚の差でも同
じ）を周期ずれと定義する。記録層の結晶状態の消衰係
数ｋc 、非晶質状態の消衰係数ｋa がともに大きな値を
取る場合、どちらもＬ1 が支配的となり、再生信号振幅
は下層膜厚に対して結晶状態と非晶質状態の周期ずれは
発生しない。
の入射側界面にて反射する光（Ｌ1）と、それに対向す
る側の界面にて反射する光（Ｌ2 ）との合成により決定
され、Ｌ1 ，Ｌ2 の振幅の大小関係および位相差により
再生信号の振幅が決められる。Ｌ1 ，Ｌ2 の位相差は記
録層の膜厚、光学定数により決定される。図９に下層膜
厚に対する結晶状態、非晶質状態の反射率の変化を示
す。Ｌ1 ，Ｌ2 の大小関係が下層膜厚に対して周期的に
変化するため、結晶状態、非晶質状態の反射率はともに
図９に示したように周期的に変化する。図９に示した結
晶状態と非晶質状態のそれぞれに対する反射率最大とな
る下層膜厚の差（反射率最小となる下層膜厚の差でも同
じ）を周期ずれと定義する。記録層の結晶状態の消衰係
数ｋc 、非晶質状態の消衰係数ｋa がともに大きな値を
取る場合、どちらもＬ1 が支配的となり、再生信号振幅
は下層膜厚に対して結晶状態と非晶質状態の周期ずれは
発生しない。
【００１２】非晶質状態のｋa 、結晶状態のｋc を、前
記式（１）の関係を満足する範囲から選ぶことにより、
非晶質状態においてはＬ2 が支配的となり、また結晶状
態においてはＬ1 が支配的となるため、再生信号振幅は
結晶状態と非晶質状態とで下層膜厚に対して周期ずれが
発生する。図１０に示す様に、消衰定数ｋには周期ずれ
を発生させる臨界値（ｋcrit. ）が存在し、ｋ＝ｋ
crit. においてＬ1 とＬ2 を合成した振幅、すなわち再
生信号が最小になる。
記式（１）の関係を満足する範囲から選ぶことにより、
非晶質状態においてはＬ2 が支配的となり、また結晶状
態においてはＬ1 が支配的となるため、再生信号振幅は
結晶状態と非晶質状態とで下層膜厚に対して周期ずれが
発生する。図１０に示す様に、消衰定数ｋには周期ずれ
を発生させる臨界値（ｋcrit. ）が存在し、ｋ＝ｋ
crit. においてＬ1 とＬ2 を合成した振幅、すなわち再
生信号が最小になる。
【００１３】非晶質状態の屈折率ｎa もＬ1 ，Ｌ2 の大
小関係を決定するのに大きな役割を有しており、ｎa が
大きな値の場合は記録層と透明基板間の誘電体保護層
（下層誘電体保護層）と記録層との界面の反射率が高く
なりＬ1 が支配的になるため、結晶状態の再生信号との
周期ずれは発生しない。ｎa が ｎa ＜ｎcrit. を満足するときＬ2 が支配的となり周期ずれが発生す
る。図１１に示すように、ｎにもｋと同様に周期ずれを
発生させる臨界値（ｎcrit. ）が存在し、ｎ＝ｎcr it.
において再生信号は最小になる。
小関係を決定するのに大きな役割を有しており、ｎa が
大きな値の場合は記録層と透明基板間の誘電体保護層
（下層誘電体保護層）と記録層との界面の反射率が高く
なりＬ1 が支配的になるため、結晶状態の再生信号との
周期ずれは発生しない。ｎa が ｎa ＜ｎcrit. を満足するときＬ2 が支配的となり周期ずれが発生す
る。図１１に示すように、ｎにもｋと同様に周期ずれを
発生させる臨界値（ｎcrit. ）が存在し、ｎ＝ｎcr it.
において再生信号は最小になる。
【００１４】記録層の膜厚が厚い場合は、記録層内を透
過するレ−ザ−光の減衰が大きく、Ｌ2 を小さくしてし
まうため、周期ずれは発生しない。したがって記録層は
１０００オングストロ−ム以下とすることにより、周期
ずれさせることが可能になる。図１に、本発明の相変化
型光ディスクの一実施例の断面図を示す。図１において
１は基板、２は誘電体保護層、３は記録層、４は誘電体
保護層、５は金属反射層である。なお本発明において反
射層のうえに変形防止、機械強度向上のため、光硬化樹
脂または熱硬化樹脂によるハ−ドコ−ト層を設けてもよ
い。
過するレ−ザ−光の減衰が大きく、Ｌ2 を小さくしてし
まうため、周期ずれは発生しない。したがって記録層は
１０００オングストロ−ム以下とすることにより、周期
ずれさせることが可能になる。図１に、本発明の相変化
型光ディスクの一実施例の断面図を示す。図１において
１は基板、２は誘電体保護層、３は記録層、４は誘電体
保護層、５は金属反射層である。なお本発明において反
射層のうえに変形防止、機械強度向上のため、光硬化樹
脂または熱硬化樹脂によるハ−ドコ−ト層を設けてもよ
い。
【００１５】基板１の構成材料としてはポリカ−ボネ−
ト、ガラス、アクリル樹脂など、レ−ザ−の波長に対し
て透明な材料であれば任意の材料のなかから選ぶことが
可能である。誘電体保護層２および４の材料としては高
温高湿環境化における信頼性、変形防止などの観点よ
り、一般に、ＳｉＯX ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔａ2
Ｏ5 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，ＺｎＳまたはＳｉＣなどの
金属および半金属の酸化物、窒化物または硫化物を単独
または混合して用いることができる。
ト、ガラス、アクリル樹脂など、レ−ザ−の波長に対し
て透明な材料であれば任意の材料のなかから選ぶことが
可能である。誘電体保護層２および４の材料としては高
温高湿環境化における信頼性、変形防止などの観点よ
り、一般に、ＳｉＯX ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔａ2
Ｏ5 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，ＡｌＮ，ＺｎＳまたはＳｉＣなどの
金属および半金属の酸化物、窒化物または硫化物を単独
または混合して用いることができる。
【００１６】記録層３の材料としては、前記光学定数範
囲を満足するもののなかから任意に選ぶことが可能であ
り、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅにより実現可能である。光
学定数は、各材料の組成割合や、スパッタ条件を調整す
ることにより、所望の値とすることができる。つぎに、
光学計算により記録層の膜厚と光学定数の臨界値（ｎ
crit. ，ｋcrit . ）の相関を求めた。計算に用いた基
板、誘電体保護層および金属反射層の光学定数を表１に
示す。
囲を満足するもののなかから任意に選ぶことが可能であ
り、例えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅにより実現可能である。光
学定数は、各材料の組成割合や、スパッタ条件を調整す
ることにより、所望の値とすることができる。つぎに、
光学計算により記録層の膜厚と光学定数の臨界値（ｎ
crit. ，ｋcrit . ）の相関を求めた。計算に用いた基
板、誘電体保護層および金属反射層の光学定数を表１に
示す。
【００１７】図２は記録層のｎa を変えたときのｋ
crit. の変化である。これよりｋcrit.をｎa の関数で
表わすと ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ で近似される。図３に示すように、Ａ，Ｂは記録層の膜
厚（ｄ）（単位：オングストロ−ム）により決定され、 Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ で表わすことができる。
crit. の変化である。これよりｋcrit.をｎa の関数で
表わすと ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ で近似される。図３に示すように、Ａ，Ｂは記録層の膜
厚（ｄ）（単位：オングストロ−ム）により決定され、 Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ で表わすことができる。
【００１８】図４は記録層のｋa を変えたときのｎ
crit. の変化である。これよりｎcrit.をｋa の関数で
表わすと ｎcrit. ＝Ｃｋa 2 ＋Ｄ で近似される。図５に示すように、Ｃ，Ｄは記録層の膜
厚により決定され、 Ｃ＝ｄ／６２５０ Ｄ＝−ｄ／３００＋５ で表わすことができる。
crit. の変化である。これよりｎcrit.をｋa の関数で
表わすと ｎcrit. ＝Ｃｋa 2 ＋Ｄ で近似される。図５に示すように、Ｃ，Ｄは記録層の膜
厚により決定され、 Ｃ＝ｄ／６２５０ Ｄ＝−ｄ／３００＋５ で表わすことができる。
【００１９】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。
【００２０】
【実施例１、比較例１】層構成設計の具体例として記録
層にＧｅ40Ｓｂ8 Ｔｅ50を、誘電体保護層にＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2 を、金属反射層にＡｌを用いた。表２にこれらの
材料の複素屈折率の実測値を示す。図６に表２の光学定
数を用いて計算した、誘電体保護層２の厚みと、結晶化
前後の反射率との相関を示す。反射率は基板を介してレ
−ザ−光を入射したときの値である。結晶化前の反射率
と結晶化後の反射率とがほぼ半周期の周期ずれをおこし
ており、誘電体保護層２の厚み１５００オングストロ−
ム近傍、またはそれに整数倍の誘電体保護層２の周期を
加えた厚みにおいて、結晶化前反射率の極小値と結晶化
後反射率の極大値とにより、大きな信号振幅を得ること
ができる。比較例１として、表３の記録層の光学定数を
用いたときの誘電体保護層２の厚みと、結晶化前後の反
射率の相関を示す。
層にＧｅ40Ｓｂ8 Ｔｅ50を、誘電体保護層にＺｎＳ＋Ｓ
ｉＯ2 を、金属反射層にＡｌを用いた。表２にこれらの
材料の複素屈折率の実測値を示す。図６に表２の光学定
数を用いて計算した、誘電体保護層２の厚みと、結晶化
前後の反射率との相関を示す。反射率は基板を介してレ
−ザ−光を入射したときの値である。結晶化前の反射率
と結晶化後の反射率とがほぼ半周期の周期ずれをおこし
ており、誘電体保護層２の厚み１５００オングストロ−
ム近傍、またはそれに整数倍の誘電体保護層２の周期を
加えた厚みにおいて、結晶化前反射率の極小値と結晶化
後反射率の極大値とにより、大きな信号振幅を得ること
ができる。比較例１として、表３の記録層の光学定数を
用いたときの誘電体保護層２の厚みと、結晶化前後の反
射率の相関を示す。
【００２１】図７より結晶化前後で反射率の周期ずれは
ほとんどないことが分かる。結晶状態反射率が最大とな
る下層膜厚における反射率とコントラストを、実施例１
および比較例１について求めた結果を表４に示す。コン
トラストは結晶化後反射率をＲc ，結晶化前反射率をＲ
a とすると次式で表わされる。 コントラスト＝（Ｒc −Ｒa ）／Ｒc （Ｒc −Ｒa ）は再生信号強度、Ｒc は雑音強度を決定
しているので、コントラストはＣ／Ｎ比を決める重要な
要素である。比較例１に比較して、実施例１は大きなコ
ントラストが得られ、高いＣ／Ｎ比が得られる。
ほとんどないことが分かる。結晶状態反射率が最大とな
る下層膜厚における反射率とコントラストを、実施例１
および比較例１について求めた結果を表４に示す。コン
トラストは結晶化後反射率をＲc ，結晶化前反射率をＲ
a とすると次式で表わされる。 コントラスト＝（Ｒc −Ｒa ）／Ｒc （Ｒc −Ｒa ）は再生信号強度、Ｒc は雑音強度を決定
しているので、コントラストはＣ／Ｎ比を決める重要な
要素である。比較例１に比較して、実施例１は大きなコ
ントラストが得られ、高いＣ／Ｎ比が得られる。
【００２２】
【実施例２、比較例２】ガラス基板上にＺｎＳ＋ＳｉＯ
2 １５００オングストロ−ム、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ２５０
オングストロ−ム、ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 １００オングスト
ロ−ム、Ａｌ１０００オングストロ−ムの順にスパッタ
法により積層し、図１に示す層構成の記録媒体を作成し
た。このときスパッタ条件、各材料の組成を調整するこ
とにより表２の光学定数と一致するように成膜を行なっ
た。このときのｋcrit. を求めると１．８４であり、ｋ
a は０．８０、ｋc は２．９５である。
2 １５００オングストロ−ム、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ２５０
オングストロ−ム、ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 １００オングスト
ロ−ム、Ａｌ１０００オングストロ−ムの順にスパッタ
法により積層し、図１に示す層構成の記録媒体を作成し
た。このときスパッタ条件、各材料の組成を調整するこ
とにより表２の光学定数と一致するように成膜を行なっ
た。このときのｋcrit. を求めると１．８４であり、ｋ
a は０．８０、ｋc は２．９５である。
【００２３】また比較例２として、記録層の光学定数を
スパッタ条件、組成により表３の値に調整した以外は実
施例２と同一層構成の記録媒体を成膜した。この膜は、
ｋcr it. ＝１．７５に対し、ｋa ＝２．０７、ｋc ＝
４．３３であり、式（１）の関係を満足しない。 実施
例２および比較例２の記録媒体の結晶化前後の反射率変
化を測定した。結晶化は２５０℃のオ−ブン内に１０分
間放置することにより行なった。表５に結晶化前後での
反射率およびコントラストを示す。
スパッタ条件、組成により表３の値に調整した以外は実
施例２と同一層構成の記録媒体を成膜した。この膜は、
ｋcr it. ＝１．７５に対し、ｋa ＝２．０７、ｋc ＝
４．３３であり、式（１）の関係を満足しない。 実施
例２および比較例２の記録媒体の結晶化前後の反射率変
化を測定した。結晶化は２５０℃のオ−ブン内に１０分
間放置することにより行なった。表５に結晶化前後での
反射率およびコントラストを示す。
【００２４】比較例２に比較して、実施例２はコントラ
ストが大きく、高いＣ／Ｎ比が得られた。比較例２の記
録層を用いても、誘電体保護層２の厚みを最適化するこ
とにより、Ｒa を下げて、コントラストを大きくするこ
とは可能であるが、この場合Ｒc も同時に下がるためフ
ォ−カスサ−ボ、トラッキングサ−ボが不安定になる可
能性がある。
ストが大きく、高いＣ／Ｎ比が得られた。比較例２の記
録層を用いても、誘電体保護層２の厚みを最適化するこ
とにより、Ｒa を下げて、コントラストを大きくするこ
とは可能であるが、この場合Ｒc も同時に下がるためフ
ォ−カスサ−ボ、トラッキングサ−ボが不安定になる可
能性がある。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【表２】
【００２７】
【表３】
【００２８】
【表４】
【００２９】
【表５】
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、記録層と透明基板間に
挟まれた誘電体保護層の厚みに対する反射率の周期的な
変化が、非晶質状態と結晶状態とで逆位相に近い状態と
なるので、振幅の大きな再生信号を得ることができる。
挟まれた誘電体保護層の厚みに対する反射率の周期的な
変化が、非晶質状態と結晶状態とで逆位相に近い状態と
なるので、振幅の大きな再生信号を得ることができる。
【図１】この発明の一例を示す相変化型光ディスクの断
面図である。
面図である。
【図２】消衰定数ｋcrit. の屈折率ｎa 依存性を示す図
である。
である。
【図３】定数Ａ，Ｂの記録層膜厚依存性を示す図であ
る。
る。
【図４】屈折率ｎcrit. の消衰定数ｋa 依存性を示す図
である。
である。
【図５】定数Ｃ，Ｄの記録層膜厚依存性を示す図であ
る。
る。
【図６】この発明の光学定数範囲を用いた、結晶状態と
非晶質状態の反射率の下層誘電体保護層膜厚依存性を示
す図である。
非晶質状態の反射率の下層誘電体保護層膜厚依存性を示
す図である。
【図７】この発明の光学定数範囲外を用いた、結晶状態
と非晶質状態の反射率の下層誘電体保護層膜厚依存性を
示す図である。
と非晶質状態の反射率の下層誘電体保護層膜厚依存性を
示す図である。
【図８】入射されたレ−ザ−光の記録層の両界面での反
射を示す図である。
射を示す図である。
【図９】結晶状態と非晶質状態の反射率の下層誘電体保
護層膜厚に対する周期ずれを示す図である。
護層膜厚に対する周期ずれを示す図である。
【図１０】反射率の下層誘電体保護層膜厚に対する周期
ずれを発生させるｋcrit. を示す図である。
ずれを発生させるｋcrit. を示す図である。
【図１１】反射率の下層誘電体保護層膜厚に対する周期
ずれを発生させるｎcrit. を示す図である。
ずれを発生させるｎcrit. を示す図である。
１ 透明基板 ２ 下層誘電体保護層 ３ 記録層 ４ 上層誘電体保護層 ５ 反射層
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも透明基板と、結晶−非晶質の
相変化を生じる記録層とから成る相変化型光ディスクに
おいて、前記記録層の結晶状態の消衰係数ｋ c ，および
非晶質状態の消衰定数ｋa が式（１） ｋa ＜ｋcrit. ＜ｋc （１） （ここで、ｋcrit. は消衰定数の臨界値であり、 ｋcrit. ＝Ａ（ｎa −３）2 ＋Ｂ Ａ＝ｄ／２５００＋１／８ Ｂ＝−３ｄ／２５００＋２ ｎa は記録層の非晶質状態の屈折率、ｄは記録層の膜厚
（オングストロ−ム）を表す）の関係を満足する相変化
型光ディスク。 - 【請求項２】 前記記録層の非晶質状態の屈折率ｎa が ｎa ＜ｎcrit. （ここで、ｎcrit. は屈折率の臨界値であり、 ｎcrit. ＝Ｃｋa 2 ＋Ｄ Ｃ＝ｄ／６２５０ Ｄ＝−ｄ／３００＋５ を表す）の関係を満足する請求項１記載の相変化型光デ
ィスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6022428A JPH07235078A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 相変化型光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6022428A JPH07235078A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 相変化型光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07235078A true JPH07235078A (ja) | 1995-09-05 |
Family
ID=12082428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6022428A Withdrawn JPH07235078A (ja) | 1994-02-21 | 1994-02-21 | 相変化型光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07235078A (ja) |
-
1994
- 1994-02-21 JP JP6022428A patent/JPH07235078A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010508 |