JPH01256036A - 情報記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
情報記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH01256036A JPH01256036A JP63083808A JP8380888A JPH01256036A JP H01256036 A JPH01256036 A JP H01256036A JP 63083808 A JP63083808 A JP 63083808A JP 8380888 A JP8380888 A JP 8380888A JP H01256036 A JPH01256036 A JP H01256036A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- information recording
- recording medium
- recording film
- information
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 27
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 claims description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 15
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 10
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的コ
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって高速かつ高密度に光学的な情
報を記録・再生できる情報記録媒体及びその製造方法に
関する。
報を記録・再生できる情報記録媒体及びその製造方法に
関する。
（従来の技術）
レーザ光を利用して高密度な情報の記録・再生を行なう
従来の情報記録媒体としては、例えば第４図に示すよう
に、予めトラッキング用の溝を設けたポリカーボネート
などからなる透明基板１上に、Ｔｅの低酸化物や、Ｔｅ
及び有機化合物からなる記録膜１１を形成したものがよ
く知られている。このようなＴｅの低酸化物などからな
る記録膜１１を用いた情報記録媒体では、レーザ光が照
射された領域を蒸発させてピットを形成することにより
記録が行われる。
従来の情報記録媒体としては、例えば第４図に示すよう
に、予めトラッキング用の溝を設けたポリカーボネート
などからなる透明基板１上に、Ｔｅの低酸化物や、Ｔｅ
及び有機化合物からなる記録膜１１を形成したものがよ
く知られている。このようなＴｅの低酸化物などからな
る記録膜１１を用いた情報記録媒体では、レーザ光が照
射された領域を蒸発させてピットを形成することにより
記録が行われる。
また、最近では、記録膜としてレーザ光の照射により相
変化を起し得る材料からなるものを用いた情報記録媒体
も発表されている。
変化を起し得る材料からなるものを用いた情報記録媒体
も発表されている。
しかし、従来の蒸発・穴あけ型の情報記録媒体では、レ
ーザ出力が大きければ記録が可能であるが、記録・再生
装置の小形化・簡易化を図るために半導体レーザのよう
な出力の小さいレーザ光源を用いると、充分な感度が得
られないという問題があった。しかも、透明基板上に形
成された記録膜上に直接接着剤を介して保護用基板を貼
り合せた構造にすることができれば取扱いが容易となる
が、蒸発・穴あけ型の情報記録媒体では記録膜を蒸発さ
せるためにいわゆるエアサンドイッチ型構造をとらざる
を得ず、取扱いの面でも不利である。
ーザ出力が大きければ記録が可能であるが、記録・再生
装置の小形化・簡易化を図るために半導体レーザのよう
な出力の小さいレーザ光源を用いると、充分な感度が得
られないという問題があった。しかも、透明基板上に形
成された記録膜上に直接接着剤を介して保護用基板を貼
り合せた構造にすることができれば取扱いが容易となる
が、蒸発・穴あけ型の情報記録媒体では記録膜を蒸発さ
せるためにいわゆるエアサンドイッチ型構造をとらざる
を得ず、取扱いの面でも不利である。
一方、従来の相変化型の情報記録媒体では、記録膜を構
成する材料が複雑であり、生産性、コストなどの点で不
利であった。
成する材料が複雑であり、生産性、コストなどの点で不
利であった。
゛特に、光カードのような情報記録媒体においては、製
造が容易で、かつ低パワー書込みが可能な記録膜の開発
が必須であるといえる。
造が容易で、かつ低パワー書込みが可能な記録膜の開発
が必須であるといえる。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
、半導体レーザのような低パワーのレーザ光によっても
充分な感度で記録でき、生産性もよく低コストの情報記
録媒体を提供することを目的とする。
、半導体レーザのような低パワーのレーザ光によっても
充分な感度で記録でき、生産性もよく低コストの情報記
録媒体を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段と作用）
本発明の情報記録媒体は、記録膜としてＮｉＯｘ（ただ
し、０．１＜ ｘ ＜ ０．８ ）で表わされるニッケ
ルの低酸化物を用いたことを特徴とするものである。
し、０．１＜ ｘ ＜ ０．８ ）で表わされるニッケ
ルの低酸化物を用いたことを特徴とするものである。
本発明において記録膜として用いられる、ＮｉＯｘ（た
だし、０．１＜ ｘ ＜ ０．８ ）で表わされるニッ
ケルの低酸化物は、記録の際に照射されるレーザ光に対
して高い感度を示し、透過率、反射率などの光学的特性
が変化する。特に、Ｎ ｉ ＯｘのＸが０．３〜０．７
である場合には感度が高い。したがって、半導体レーザ
のような出力の小さいレーザ光源を用いても、十分な感
度で記録することができる。そして、基板上にＮ ｉ
Ｏｘ記録膜を形成し、この記録膜上に直接接着剤層を介
して他の基板を貼り合わせた構造を採用しても何ら問題
なく十分な感度を維持できるので、取扱いが極めて容易
となる。
だし、０．１＜ ｘ ＜ ０．８ ）で表わされるニッ
ケルの低酸化物は、記録の際に照射されるレーザ光に対
して高い感度を示し、透過率、反射率などの光学的特性
が変化する。特に、Ｎ ｉ ＯｘのＸが０．３〜０．７
である場合には感度が高い。したがって、半導体レーザ
のような出力の小さいレーザ光源を用いても、十分な感
度で記録することができる。そして、基板上にＮ ｉ
Ｏｘ記録膜を形成し、この記録膜上に直接接着剤層を介
して他の基板を貼り合わせた構造を採用しても何ら問題
なく十分な感度を維持できるので、取扱いが極めて容易
となる。
また、本発明の情報記録媒体の製造方法としては、基板
上にＮｉＯｘ（ただし、０．１＜ Ｘ ＜ ０．８ ）
で表わされるニッケルの低酸化物からなる記録膜を形成
する際に、■ニッケルをターゲットとして少なくともア
ルゴンガスと酸素ガスとを含む混合ガスによる反応性ス
パッタリングを行う方法、■ニッケルをターゲットとし
て酸素ガスによる反応性蒸着を行う方法、■酸化ニッケ
ルをターゲットとして真空蒸着を行う方法、又は■酸化
ニッケルをターゲットとしてアルゴンガスによるスパッ
タリングを行う方法が挙げられる。
上にＮｉＯｘ（ただし、０．１＜ Ｘ ＜ ０．８ ）
で表わされるニッケルの低酸化物からなる記録膜を形成
する際に、■ニッケルをターゲットとして少なくともア
ルゴンガスと酸素ガスとを含む混合ガスによる反応性ス
パッタリングを行う方法、■ニッケルをターゲットとし
て酸素ガスによる反応性蒸着を行う方法、■酸化ニッケ
ルをターゲットとして真空蒸着を行う方法、又は■酸化
ニッケルをターゲットとしてアルゴンガスによるスパッ
タリングを行う方法が挙げられる。
本発明方法では、形成すべき記録膜の組成範囲が広く、
製造条件のマージンが大きいので、生産性を改善するの
に有利である。
製造条件のマージンが大きいので、生産性を改善するの
に有利である。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。なお
、以下の実施例においては、第１図又は第２図図示の情
報記録媒体を作製した。
、以下の実施例においては、第１図又は第２図図示の情
報記録媒体を作製した。
第１図図示の情報記録媒体は、予めトラッキング用の溝
を設けた厚さ １．２ｎのポリカーボネート製の透明基
板１上にＮｉＯｘ記録膜２を形成したものである。
を設けた厚さ １．２ｎのポリカーボネート製の透明基
板１上にＮｉＯｘ記録膜２を形成したものである。
第２図図示の情報記録媒体は、前処理した厚さ４００ｐ
のポリカーボネート製の透明基板１上にＮ ｉ Ｏｘ記
録膜２を形成し、この記録膜２の上に直接ウレタン系接
着剤層３を介して厚さ４００−のポリカーボネート製の
保護フィルム４を貼り合せ、更に標準のカードサイズに
打ち抜いたものである。
のポリカーボネート製の透明基板１上にＮ ｉ Ｏｘ記
録膜２を形成し、この記録膜２の上に直接ウレタン系接
着剤層３を介して厚さ４００−のポリカーボネート製の
保護フィルム４を貼り合せ、更に標準のカードサイズに
打ち抜いたものである。
実施例１
まず、記録膜を構成するＮ ｉ Ｏｘで表わされるニッ
ケルの低酸化物自体の光学的特性を調べるために以下の
ような実験を行った。すなわち、ニッケルをターゲット
として、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスによるＲ
Ｆ反応性スパッタリングにより、ガラス基板上にＮ ｉ
ＯＸ膜を形成した。
ケルの低酸化物自体の光学的特性を調べるために以下の
ような実験を行った。すなわち、ニッケルをターゲット
として、アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガスによるＲ
Ｆ反応性スパッタリングにより、ガラス基板上にＮ ｉ
ＯＸ膜を形成した。
この際、混合ガス中のアルゴンガスと酸素ガスとの流量
比を変えることにより、ＮｉＯｘのＸを０〜１．０まで
変化させた。なお、印加電圧は５００Ｗ 、ガス圧は５
ｍ Ｔ ｏｒｒに設定した。この条件では、Ｎ ｉ
Ｏｘ膜の堆積速度は５〜２５ｎＩＩｌ／ｌｌ１ｉｎであ
った。
比を変えることにより、ＮｉＯｘのＸを０〜１．０まで
変化させた。なお、印加電圧は５００Ｗ 、ガス圧は５
ｍ Ｔ ｏｒｒに設定した。この条件では、Ｎ ｉ
Ｏｘ膜の堆積速度は５〜２５ｎＩＩｌ／ｌｌ１ｉｎであ
った。
これら組成の異なるＮｉＯｘ膜について、半導“体レー
ザの波長の１つである８３０ｒ＋ｍの光を照射し、光の
吸収率を測定したところ、第３図に示すような結果が得
られた。第３図から明らかなように、ＮｉＯｘ膜はＸが
０．１〜０．８の範囲で高い吸収率を示し、Ｘが０．３
〜０．７の範囲では特に高い吸収率を示す。
ザの波長の１つである８３０ｒ＋ｍの光を照射し、光の
吸収率を測定したところ、第３図に示すような結果が得
られた。第３図から明らかなように、ＮｉＯｘ膜はＸが
０．１〜０．８の範囲で高い吸収率を示し、Ｘが０．３
〜０．７の範囲では特に高い吸収率を示す。
次に、Ｘが０．１−０．８のＮ ｉ Ｏｘ膜に、波長８
３０ｎＩＩｌのレーザ光を照射したところ、被照射部の
透過率変化が認められ、光記録が可能であることがわか
った。
３０ｎＩＩｌのレーザ光を照射したところ、被照射部の
透過率変化が認められ、光記録が可能であることがわか
った。
また、７００〜９００ ｎｍの波長の光に対しても上記
と同様な結果が得られ、光記録が可能であることがわか
った。
と同様な結果が得られ、光記録が可能であることがわか
った。
なお、Ｘ線回折によれば、ＮｉＯｘ膜はＮｉ及びＮｉＯ
を含むアモルファス構造又は結晶質構造を示すが、いず
れの構造でも記録が可能であった。
を含むアモルファス構造又は結晶質構造を示すが、いず
れの構造でも記録が可能であった。
実施例２
ニッケルをターゲットとし、アルゴンガスと酸素ガスと
の混合ガスによるＲＦ反応性スパッタリングを行い、予
めトラッキング用の溝を設けた厚さ １．２ｍｍのポリ
カーボネート製透明基板１上にＮｉＯｘ記録膜２を成膜
し、第１図図示の情報記録媒体を作製した。成膜条件と
しては、印加電圧を５００Ｗ 、ガス圧を５ｍＴｏｒｒ
、アルゴンガス流量を１８．５ｓｅｃｍ、酸素ガス流量
を１．５ｓｅｃｍ （アルゴンと酸素との流量比−１２
：１）に設定し、ＮｉＯｘの堆積速度は１８％ｍ／ ｍ
ｉｎであった。成膜されたＮ ｉ Ｏｘ記録膜２は膜厚
が８０％ｍで、Ｘ−〇、５であった。
の混合ガスによるＲＦ反応性スパッタリングを行い、予
めトラッキング用の溝を設けた厚さ １．２ｍｍのポリ
カーボネート製透明基板１上にＮｉＯｘ記録膜２を成膜
し、第１図図示の情報記録媒体を作製した。成膜条件と
しては、印加電圧を５００Ｗ 、ガス圧を５ｍＴｏｒｒ
、アルゴンガス流量を１８．５ｓｅｃｍ、酸素ガス流量
を１．５ｓｅｃｍ （アルゴンと酸素との流量比−１２
：１）に設定し、ＮｉＯｘの堆積速度は１８％ｍ／ ｍ
ｉｎであった。成膜されたＮ ｉ Ｏｘ記録膜２は膜厚
が８０％ｍで、Ｘ−〇、５であった。
この情報記録媒体では、波長８３０ｒ＋ｎ＋の光の透過
率は２０％であった。次に、波長８３０ｎｍのＧａＡ、
ｌ？Ａｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ｐに集光
し、出カフｍＷで照射した。この結果、被照射部におけ
る波長８３０ｎｉの光の透過率は６５％に変化した。
率は２０％であった。次に、波長８３０ｎｍのＧａＡ、
ｌ？Ａｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ｐに集光
し、出カフｍＷで照射した。この結果、被照射部におけ
る波長８３０ｎｉの光の透過率は６５％に変化した。
実施例３
酸化ニッケルをターゲットとし、アルゴンガスによるＲ
Ｆスパッタリングを行い、予めトラッキング用の溝を設
けた厚さ １．２Ｍのポリカーボネート製透明基板１上
にＮｉＯｘ記録膜２を成膜し、第１図図示の情報記録媒
体を作製した。成膜条件としては、印加電圧を ５００
Ｗ 、ガス圧を５ ｍ Ｔ ｏｒｒに設定し、ＮｉＯｘ
の堆積速度は１０１１１１１／＋１１１１１であった。
Ｆスパッタリングを行い、予めトラッキング用の溝を設
けた厚さ １．２Ｍのポリカーボネート製透明基板１上
にＮｉＯｘ記録膜２を成膜し、第１図図示の情報記録媒
体を作製した。成膜条件としては、印加電圧を ５００
Ｗ 、ガス圧を５ ｍ Ｔ ｏｒｒに設定し、ＮｉＯｘ
の堆積速度は１０１１１１１／＋１１１１１であった。
成膜されたＮｉＯｘ記録膜２は膜厚が８０ｎｉｌで、Ｘ
−０，７であった。
−０，７であった。
この情報記録媒体では、波長８３０ｎｍの光の透過率は
２５％であった。次に、波長８３０ｎｎ＋のＧａＡ１Ａ
ｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ｐに集光し、出
カフｍＷで照射した。この結果、被照射部における波長
８３０ｎ１１の光の透過率は６５％に変化した。
２５％であった。次に、波長８３０ｎｎ＋のＧａＡ１Ａ
ｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ｐに集光し、出
カフｍＷで照射した。この結果、被照射部における波長
８３０ｎ１１の光の透過率は６５％に変化した。
実施例４
酸化ニッケルをターゲットとして真空蒸着を行い、予め
トラッキング用の溝を設けた厚さ ｘ、２ｍｍのポリカ
ーボネート製透明基板１上にＮｉＯｘ記録膜２を成膜し
、第１図図示の情報記録媒体を作製した。成膜条件とし
ては、真空度を５Ｘ１０−６Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎｉ
Ｏｘの堆積速度は３０ｎＩＩｌ／ｍｉｎであった。成膜
されたＮｉＯｘ記録膜２は膜厚が８０ｒｖで、ｘ＝０．
５であった。
トラッキング用の溝を設けた厚さ ｘ、２ｍｍのポリカ
ーボネート製透明基板１上にＮｉＯｘ記録膜２を成膜し
、第１図図示の情報記録媒体を作製した。成膜条件とし
ては、真空度を５Ｘ１０−６Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎｉ
Ｏｘの堆積速度は３０ｎＩＩｌ／ｍｉｎであった。成膜
されたＮｉＯｘ記録膜２は膜厚が８０ｒｖで、ｘ＝０．
５であった。
この情報記録媒体では、波長８３０ｎ［ｌＩの光の透過
率は２０％であった。次に、波長８３０ｒ＋ｍのＧａＡ
、ｉ？Ａｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ｐに集
光し、出カフｍＷで照射した。この結果、被照射部にお
ける波長８３０ｎｍの光の透過率は６５％に変化した。
率は２０％であった。次に、波長８３０ｒ＋ｍのＧａＡ
、ｉ？Ａｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ｐに集
光し、出カフｍＷで照射した。この結果、被照射部にお
ける波長８３０ｎｍの光の透過率は６５％に変化した。
実施例Ｗ
ニッケルをターゲットとし、酸素ガスによる反応性蒸着
を行い、予めトラッキング用の溝を設けた厚さ １．２
Ｍのポリカーボネート製透明基板１上にＮ ｉ Ｏｘ記
録膜２を成膜し、第１図図示の情報記録媒体を作製した
。成膜条件としては、ガス流入中の圧力を５ Ｘ １０
−’ Ｔ ｏｒｒに設定し、ＮｉＯｘの堆積速度は３５
ｎｍ／ｍｉｎであった。成膜されたＮｉＯｘ記録膜２は
膜厚が８０ｎｍで、ｘ−０，７であった。
を行い、予めトラッキング用の溝を設けた厚さ １．２
Ｍのポリカーボネート製透明基板１上にＮ ｉ Ｏｘ記
録膜２を成膜し、第１図図示の情報記録媒体を作製した
。成膜条件としては、ガス流入中の圧力を５ Ｘ １０
−’ Ｔ ｏｒｒに設定し、ＮｉＯｘの堆積速度は３５
ｎｍ／ｍｉｎであった。成膜されたＮｉＯｘ記録膜２は
膜厚が８０ｎｍで、ｘ−０，７であった。
この情報記録媒体では、波長８３０ｎＩ１１の光の透過
率は２５％であった。次に、波長８３０ｎＩＩｌのＧａ
Ａ）Ａｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ＩＥＲに
集光し、出カフｍＷで照射した。この結果、被照射部に
おける波長８３０ｎｎ＋の光の透過率は６５％に変化し
た。
率は２５％であった。次に、波長８３０ｎＩＩｌのＧａ
Ａ）Ａｓレーザ光を、記録膜２上でビーム径５ＩＥＲに
集光し、出カフｍＷで照射した。この結果、被照射部に
おける波長８３０ｎｎ＋の光の透過率は６５％に変化し
た。
実施例６
ニッケルをターゲットとし、アルゴンガスと酸素ガスと
の混合ガスによるＲＦ反応性スパッタリングを行い、前
処理した厚さ ４００ｐのポリカーボネート製透明基板
１上にＮｉＯｘ記録膜２を成膜した。成膜条件としては
、印加電圧を５００Ｗ 、ガス圧を５ｍＴｏｒｒ、アル
ゴンガス流量を１８．５ｓｅｃｍｓ酸呆ガス流量を１．
５ｓｅｃｍ （アルゴンと酸素との流量比−１２：１）
に設定し、Ｎ ｉ Ｏｘの堆積速度は１８ｎＩＩｌ／ｌ
ｌ１ｉｎであった。成膜されたＮ ｉ ＯＸ記録膜２は
膜厚が８０ｎｍで、ｘ−０，５であった。この段階で、
波長８３０ｎｍの光の透過率は２０％であった。このＮ
ｉ Ｏｘ記録膜２上に直接ウレタン系接着剤３を介し
て厚さ ４００４のポリカーボネート製の保護フィルム
４を貼り合せた後、標準のカードサイズに打ち抜いて第
２図図示の情報記録媒体を作製した。
の混合ガスによるＲＦ反応性スパッタリングを行い、前
処理した厚さ ４００ｐのポリカーボネート製透明基板
１上にＮｉＯｘ記録膜２を成膜した。成膜条件としては
、印加電圧を５００Ｗ 、ガス圧を５ｍＴｏｒｒ、アル
ゴンガス流量を１８．５ｓｅｃｍｓ酸呆ガス流量を１．
５ｓｅｃｍ （アルゴンと酸素との流量比−１２：１）
に設定し、Ｎ ｉ Ｏｘの堆積速度は１８ｎＩＩｌ／ｌ
ｌ１ｉｎであった。成膜されたＮ ｉ ＯＸ記録膜２は
膜厚が８０ｎｍで、ｘ−０，５であった。この段階で、
波長８３０ｎｍの光の透過率は２０％であった。このＮ
ｉ Ｏｘ記録膜２上に直接ウレタン系接着剤３を介し
て厚さ ４００４のポリカーボネート製の保護フィルム
４を貼り合せた後、標準のカードサイズに打ち抜いて第
２図図示の情報記録媒体を作製した。
この情報記録媒体では、透明基板１側から測定した波長
８３０ｎｉの光の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｎ＋のＧａＡノＡｓレーザ
光を、記録膜上でビーム径５ｐに集光し、出力１０ｍ
Ｗで照射した。この結果、透明基板１側から測定した波
長８３０ｎｍの光の反射率は１２％に変化した。
８３０ｎｉの光の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｎ＋のＧａＡノＡｓレーザ
光を、記録膜上でビーム径５ｐに集光し、出力１０ｍ
Ｗで照射した。この結果、透明基板１側から測定した波
長８３０ｎｍの光の反射率は１２％に変化した。
実施例７
酸化ニッケルをターゲットとし、アルゴンガスによるＲ
Ｆスパッタリングを行った以外は実施例６と同様にして
、第２図図示の情報記録媒体を作製した。成膜条件とし
ては、印加電圧を５００Ｗ 。
Ｆスパッタリングを行った以外は実施例６と同様にして
、第２図図示の情報記録媒体を作製した。成膜条件とし
ては、印加電圧を５００Ｗ 。
ガス圧を５ ｍ Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎ ｉ Ｏｘの
堆積速度は１Ｏｎｉ１０＋ｉｎであった。成膜されたＮ
ｉ Ｏｘ記録膜２は膜厚が８ｏｎＩ１１で、ｘ−０，
７であった。なお、成膜後の段階で、波長８３０ｒｖの
光の透過率は２５％であった。
堆積速度は１Ｏｎｉ１０＋ｉｎであった。成膜されたＮ
ｉ Ｏｘ記録膜２は膜厚が８ｏｎＩ１１で、ｘ−０，
７であった。なお、成膜後の段階で、波長８３０ｒｖの
光の透過率は２５％であった。
この情報記録媒体では、透明基板１側から測定した波長
８３０ｎｍの光の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｍのＧａＡ、ｅＡｓレーザ
光を、記録膜上でビーム径５ｔＩＯＩＲに集光し、出力
１０ｍ Ｗで照射した。この結果、透明基板１側からｎ
１定した波長８３０ｎｍの光の反射率は１２％に変化し
た。
８３０ｎｍの光の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｍのＧａＡ、ｅＡｓレーザ
光を、記録膜上でビーム径５ｔＩＯＩＲに集光し、出力
１０ｍ Ｗで照射した。この結果、透明基板１側からｎ
１定した波長８３０ｎｍの光の反射率は１２％に変化し
た。
実施例８
酸化ニッケルをターゲットとし、真空蒸着を行った以外
は実施例６と同様にして、第２図図示の情報記録媒体を
作製した。成膜条件としては、真空度を５ Ｘ １Ｏ−
６Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎ ｉ Ｏｘの堆積速度は３０
ｒｖ／ａ＋ｉｎであった。成膜されたＮｉＯｘ記録膜２
は膜厚が８０ｎｍで、ｘ−０，５であった。なお、成膜
後の段階で、波長８３０ｒ＋ｍの光の透過率は２０％で
あった。
は実施例６と同様にして、第２図図示の情報記録媒体を
作製した。成膜条件としては、真空度を５ Ｘ １Ｏ−
６Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎ ｉ Ｏｘの堆積速度は３０
ｒｖ／ａ＋ｉｎであった。成膜されたＮｉＯｘ記録膜２
は膜厚が８０ｎｍで、ｘ−０，５であった。なお、成膜
後の段階で、波長８３０ｒ＋ｍの光の透過率は２０％で
あった。
この情報記録媒体では、透明基板１側から測定した波長
８３００−の先の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｍのＧａＡ、ｉ’Ａｓレー
ザ光を、記録膜上でビーム径５ｐに集光し、出力１０ｍ
Ｗで照射した。この結果、透明基板１側から測定した波
長８３０ｎｍの光の反射率は１２％に変化した。
８３００−の先の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｍのＧａＡ、ｉ’Ａｓレー
ザ光を、記録膜上でビーム径５ｐに集光し、出力１０ｍ
Ｗで照射した。この結果、透明基板１側から測定した波
長８３０ｎｍの光の反射率は１２％に変化した。
実施例９
ニッケルをターゲットとし、酸素ガスによる反応性蒸着
を行った以外は実施例６と同様にして、第２図図示の情
報記録媒体を作製した。成膜条件としては、ガス流入中
の圧力を５ Ｘ １Ｏ−４Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎ ｉ
Ｏｘの堆積速度は３５％ｍ／ｌｌ１ｉｎであった。成
膜されたＮ ｉ Ｏｘ記録膜２は膜厚が８Ｏｒ＋ｍで、
ｘ−０，７であった。なお、成膜後の段階で、波長ＨＯ
ｎｍの光の透過率は２５％であった。
を行った以外は実施例６と同様にして、第２図図示の情
報記録媒体を作製した。成膜条件としては、ガス流入中
の圧力を５ Ｘ １Ｏ−４Ｔ ｏｒｒに設定し、Ｎ ｉ
Ｏｘの堆積速度は３５％ｍ／ｌｌ１ｉｎであった。成
膜されたＮ ｉ Ｏｘ記録膜２は膜厚が８Ｏｒ＋ｍで、
ｘ−０，７であった。なお、成膜後の段階で、波長ＨＯ
ｎｍの光の透過率は２５％であった。
この情報記録媒体では、透明基板１側から測定した波長
８３０ｎｍの光の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｍのＧａＡｌ！Ａｓレーザ
光を、記録膜上でビーム径５ＩＩＭに集光し、出力１０
ｍ Ｗで照射した。この結果、透明基板１側から測定し
た波長８３０ｒ＋ｎ＋の光の反射率は１２％に変化した
。
８３０ｎｍの光の反射率は３５％であった。次に、透明
基板１側から、波長８３０ｎｍのＧａＡｌ！Ａｓレーザ
光を、記録膜上でビーム径５ＩＩＭに集光し、出力１０
ｍ Ｗで照射した。この結果、透明基板１側から測定し
た波長８３０ｒ＋ｎ＋の光の反射率は１２％に変化した
。
なお、実施例２〜９の情報記録媒体について、書込みに
波長７８０ｎｍの半導体レーザを用いた場合にも、全く
同様な結果が得られることが確認された。
波長７８０ｎｍの半導体レーザを用いた場合にも、全く
同様な結果が得られることが確認された。
［発明の効果］
以上詳述したように本発明によれば、半導体レーザのよ
うな低出力のレーザ光に対しても充分な感度で記録でき
、生産性もよく、再現性も得やすい安価な情報記録媒体
を提供することができ、ひいては記録装置の小型化、低
廉化を図ることができるなど顕著な効果を奏するもので
ある。
うな低出力のレーザ光に対しても充分な感度で記録でき
、生産性もよく、再現性も得やすい安価な情報記録媒体
を提供することができ、ひいては記録装置の小型化、低
廉化を図ることができるなど顕著な効果を奏するもので
ある。
第１図は本発明の実施例２〜５における情報記録媒体の
断面図、第２図は本発明の実施例６〜９における情報記
録媒体の断面図、第３図はＮ ｉ ＯＸ膜のＸの値と波
長８３０ｎｍの光の吸収率との関係を示す特性図、第４
図は従来の情報記録媒体の断面図である。 １・・・透明基板、２・・・Ｎ ｉ Ｏｘ記録膜、３・
・・接着剤層、４・・・保護フィルム。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第２図 第３図
断面図、第２図は本発明の実施例６〜９における情報記
録媒体の断面図、第３図はＮ ｉ ＯＸ膜のＸの値と波
長８３０ｎｍの光の吸収率との関係を示す特性図、第４
図は従来の情報記録媒体の断面図である。 １・・・透明基板、２・・・Ｎ ｉ Ｏｘ記録膜、３・
・・接着剤層、４・・・保護フィルム。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 １ 図 第２図 第３図
Claims (7)
- （１）レーザ光の照射により情報を記録する情報記録媒
体において、記録膜としてＮｉＯ＿ｘ（ただし、０．１
＜ｘ＜０．８）で表わされるニッケルの低酸化物を用い
たことを特徴とする情報記録媒体。 - （２）基板上にＮｉＯ＿ｘ（ただし、０．１＜ｘ＜０．
８）で表わされるニッケルの低酸化物からなる記録膜を
形成し、この記録膜上に直接接着剤層を介して他の基板
を貼り合わせたことを特徴とする請求項（１）記載の情
報記録媒体。 - （３）記録膜を構成するＮｉＯ＿ｘのｘが０．３〜０．
７であることを特徴とする請求項（１）又は（２）記載
の情報記録媒体。 - （４）レーザ光を照射することにより情報を記録する情
報記録媒体を製造するにあたり、ニッケルをターゲット
として少なくともアルゴンガスと酸素ガスとを含む混合
ガスによる反応性スパッタリングを行い、基板上にＮｉ
Ｏ＿ｘ（ただし、０．１＜ｘ＜０．８）で表わされるニ
ッケルの低酸化物からなる記録膜を形成することを特徴
とする情報記録媒体の製造方法。 - （５）レーザ光を照射することにより情報を記録する情
報記録媒体を製造するにあたり、ニッケルをターゲット
として酸素ガスによる反応性蒸着を行い、基板上にＮｉ
Ｏ＿ｘ（ただし、０．１＜ｘ＜０．８）で表わされるニ
ッケルの低酸化物からなる記録膜を形成することを特徴
とする情報記録媒体の製造方法。 - （６）レーザ光を照射することにより情報を記録する情
報記録媒体を製造するにあたり、酸化ニッケルをターゲ
ットとして真空蒸着を行い、基板上にＮｉＯ＿ｘ（ただ
し、０．１＜ｘ＜０．８）で表わされるニッケルの低酸
化物からなる記録膜を形成することを特徴とする情報記
録媒体の製造方法。 - （７）レーザ光を照射することにより情報を記録する情
報記録媒体を製造するにあたり、酸化ニッケルをターゲ
ットとしてアルゴンガスによるスパッタリングを行い、
基板上にＮｉＯ＿ｘ（ただし、０．１＜ｘ＜０．８）で
表わされるニッケルの低酸化物からなる記録膜を形成す
ることを特徴とする情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083808A JP2656296B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
| US07/333,268 US4961979A (en) | 1988-04-05 | 1989-04-05 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083808A JP2656296B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256036A true JPH01256036A (ja) | 1989-10-12 |
| JP2656296B2 JP2656296B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=13812966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083808A Expired - Lifetime JP2656296B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2656296B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2835534A1 (fr) * | 2002-02-06 | 2003-08-08 | Saint Gobain | CIBLE CERAMIQUE NiOx NON STOECHIOMETRIQUE |
| CN108172646A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 仁川大学校产学协力团 | 透明光电元件以及用于制造透明光电元件的方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8124211B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
| JP2008276900A (ja) | 2007-04-02 | 2008-11-13 | Ricoh Co Ltd | 追記型光記録媒体 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP63083808A patent/JP2656296B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2835534A1 (fr) * | 2002-02-06 | 2003-08-08 | Saint Gobain | CIBLE CERAMIQUE NiOx NON STOECHIOMETRIQUE |
| WO2003066928A1 (fr) * | 2002-02-06 | 2003-08-14 | Saint-Gobain Glass France | CIBLE CERAMIQUE NiOx NON STOECHIOMETRIQUE |
| US8932436B2 (en) | 2002-02-06 | 2015-01-13 | Saint-Gobain Glass France | Non-stoichiometric NiOx ceramic target |
| CN108172646A (zh) * | 2016-12-05 | 2018-06-15 | 仁川大学校产学协力团 | 透明光电元件以及用于制造透明光电元件的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2656296B2 (ja) | 1997-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6768710B2 (en) | Optical information recording medium, method for producing the same, and method and apparatus for recording information thereon | |
| JPS61171389A (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JP2002133712A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| EP1548722B1 (en) | Optical information recording medium and method for manufacturing same | |
| JP2834131B2 (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| US7573803B2 (en) | Optical recording disc | |
| JPH01256036A (ja) | 情報記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3752177B2 (ja) | 追記型光学的情報記録媒体、その製造方法 | |
| US20060126482A1 (en) | Optical recording disc | |
| US7540006B2 (en) | Optical information recording medium and manufacture method thereof | |
| US20060188683A1 (en) | Optical recording disc | |
| JPS6394444A (ja) | 新規な光記録媒体 | |
| JPS6339387A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS63176185A (ja) | 情報記録材料 | |
| JPS59218644A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2696754B2 (ja) | 光情報記録媒体 | |
| JPS63227389A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS61168147A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPS61272190A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS63104886A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH02217289A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH02151482A (ja) | 情報記録用薄膜 | |
| JPS62278091A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH0341634A (ja) | 情報担体ディスク | |
| JP2002211128A (ja) | 光情報記録媒体 |