JPS61250856A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
- Publication number
- JPS61250856A JPS61250856A JP60093436A JP9343685A JPS61250856A JP S61250856 A JPS61250856 A JP S61250856A JP 60093436 A JP60093436 A JP 60093436A JP 9343685 A JP9343685 A JP 9343685A JP S61250856 A JPS61250856 A JP S61250856A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording
- thin
- thin film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
不発明は、元ビームを用いて情報が配置され２光情報記
録媒体に関し、特に１５号？忠実に記虚町生す４ことが
で＠２悄渚記録媒体に関−ｒるものであゐ０ （；ｉＬ米の技術〕 従来よフ元ビームを照射することによシ記＠薄膜材料の
相転移によ乙反射率変化を生起せしめ、情Ｉ５を記録す
２光情報記録媒体が知らノ１ていＺｏこの様な記録材料
さして不用頌人はテルル化ゲルマニウムＧｅＴｅ薄膜會
特願昭５９−１３７４５号にて提案した。
録媒体に関し、特に１５号？忠実に記虚町生す４ことが
で＠２悄渚記録媒体に関−ｒるものであゐ０ （；ｉＬ米の技術〕 従来よフ元ビームを照射することによシ記＠薄膜材料の
相転移によ乙反射率変化を生起せしめ、情Ｉ５を記録す
２光情報記録媒体が知らノ１ていＺｏこの様な記録材料
さして不用頌人はテルル化ゲルマニウムＧｅＴｅ薄膜會
特願昭５９−１３７４５号にて提案した。
か＼２光Ｈ−ｙ報記碌媒体に元ビーム全照射し情報全記
録す２時、元ビーム照射部の記＠薄膜の温度が上昇し、
相転移が起シ情報が記録されＺが、相転移にともない体
積の収縮が起え。ＧｅＴｅにおいては９チの体積減少が
あＺｏ−刃元ビーム照射を受けて温度上昇した記録薄膜
に接していえ基体は記録薄膜からの熱拡散により温度上
昇し、該基体の線熱膨張率（プラスチック材料で一般に
Ｉ Ｘ １０−’／。
録す２時、元ビーム照射部の記＠薄膜の温度が上昇し、
相転移が起シ情報が記録されＺが、相転移にともない体
積の収縮が起え。ＧｅＴｅにおいては９チの体積減少が
あＺｏ−刃元ビーム照射を受けて温度上昇した記録薄膜
に接していえ基体は記録薄膜からの熱拡散により温度上
昇し、該基体の線熱膨張率（プラスチック材料で一般に
Ｉ Ｘ １０−’／。
Ｃ程度）に応じて膨張する。このようにして元ビームが
照射され情報が記録されるピット部位では、基体が膨張
し記＠薄膜が収縮すふため、配分薄膜にクラックが発生
し情報を忠実に記録再生することができないという欠点
がめった。
照射され情報が記録されるピット部位では、基体が膨張
し記＠薄膜が収縮すふため、配分薄膜にクラックが発生
し情報を忠実に記録再生することができないという欠点
がめった。
〔問題点全解決丁４ための手段〕
不発明はＧｅＴｅ ｋ主成分とすｈ ２Ｑ膜の相転移に
ょ多情報を記録すＺ光情報記録媒体の上述の如き欠点全
解消し、情報全忠実に記−再生することのでき；６ ′
ｊ′ｔ＠報記録媒体を提供することｔ目的とするもので
その特徴は、基体上にＧｅＴｅ ｆ主成分とする記録薄
膜を形成し、該記録薄膜上に給熱膨張率が２ Ｘ １０
’／ ０Ｃ以下、融点カフ２５℃以上で６Ａ材料から
な４ｍ膜全積層し、該薄膜の膜厚′ｌ］１−１ｏ。
ょ多情報を記録すＺ光情報記録媒体の上述の如き欠点全
解消し、情報全忠実に記−再生することのでき；６ ′
ｊ′ｔ＠報記録媒体を提供することｔ目的とするもので
その特徴は、基体上にＧｅＴｅ ｆ主成分とする記録薄
膜を形成し、該記録薄膜上に給熱膨張率が２ Ｘ １０
’／ ０Ｃ以下、融点カフ２５℃以上で６Ａ材料から
な４ｍ膜全積層し、該薄膜の膜厚′ｌ］１−１ｏ。
師としたことにめ２０
〔実施例〕
以下杢発明會芙施例に従って詳１湘に説明する。
第１図は本発明によえｆ、情報記録媒体の一実施例で１
１はポリメチルメタクリレート基体、１２はＧｅＴｅ記
録薄膜、１３は二酸化シリコンＳｉＯ工薄膜であえ。こ
こで使用され４基体は公知の材料であえポリメチルメタ
クリレートの他ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
エステル、ポリ塩化ビニル及びポリスルホン等の合成樹
脂、ガラスあ４いはアルミ等の金属を用い２ことができ
、記録再生用元ビームに対して透明であっても不透明で
あっても良イ。１３はＳｉｎ、薄膜であフ、４〜５×１
ｏ−１０ｃの線膨張率と１７２２０Ｃの融点をもつ溶融
シリカケ電子ビーム蒸着あえいはスパッタリングによっ
て記録薄膜上に被着させ乙。１良厚は１００ ｎｍ以上
を必要とする。
１はポリメチルメタクリレート基体、１２はＧｅＴｅ記
録薄膜、１３は二酸化シリコンＳｉＯ工薄膜であえ。こ
こで使用され４基体は公知の材料であえポリメチルメタ
クリレートの他ポリカーボネート、エポキシ樹脂、ポリ
エステル、ポリ塩化ビニル及びポリスルホン等の合成樹
脂、ガラスあ４いはアルミ等の金属を用い２ことができ
、記録再生用元ビームに対して透明であっても不透明で
あっても良イ。１３はＳｉｎ、薄膜であフ、４〜５×１
ｏ−１０ｃの線膨張率と１７２２０Ｃの融点をもつ溶融
シリカケ電子ビーム蒸着あえいはスパッタリングによっ
て記録薄膜上に被着させ乙。１良厚は１００ ｎｍ以上
を必要とする。
不実施例においては、記録薄膜上に５ｉｎｓ薄膜が被着
されていえため、光ビーム照射部の記録薄膜と該記録ｆ
Ｊ４膜に接すＺ上記基体の温度が上昇し基体及び記録薄
膜は奴を械的変形を起こそうとするが、ＳｔＯ，薄膜は
融点が筒く線膨張係数が小さいので基体及び記録薄膜の
変形全抑制する。したがって光 ゛ビーム照射に
よって情報が記録さｆ′Ｌ４ピット部位におけふ記録薄
膜にクラランは発生せず情報の忠実な記録再生ができ石
。
されていえため、光ビーム照射部の記録薄膜と該記録ｆ
Ｊ４膜に接すＺ上記基体の温度が上昇し基体及び記録薄
膜は奴を械的変形を起こそうとするが、ＳｔＯ，薄膜は
融点が筒く線膨張係数が小さいので基体及び記録薄膜の
変形全抑制する。したがって光 ゛ビーム照射に
よって情報が記録さｆ′Ｌ４ピット部位におけふ記録薄
膜にクラランは発生せず情報の忠実な記録再生ができ石
。
不発明において記録薄膜上に形成される薄膜材料の線熱
膨張係数が２ Ｘ １０ ’／ ０Ｃ以下であυ融点が
７２５℃μ上である理由全以下に説明する。
膨張係数が２ Ｘ １０ ’／ ０Ｃ以下であυ融点が
７２５℃μ上である理由全以下に説明する。
ＧｅＴｅ薄膜Ｆｉ１７０℃±５℃の範囲におイテ非晶質
から結晶質への相転移を示し、それに伴ない屈折率、吸
収係数の光学定数が変化し元ビームを照射すゐと反射率
や透過率の差が生まれえ。このＧｅＴｅ薄膜に元ビーム
を照射してｍ８ｗ記録す２時該光ビームのエネルギーは
、ＧｅＴｅ記録薄膜の温度が該記録薄膜の相転移温度（
１７０℃）以上で融点（７２５℃）以下となＺように選
択され、一般には２５０ｏＣ〜７０００Ｃトな２ような
値が選ばｔ′Ｌ工。シたがって、基体及び記録薄膜の変
形を抑制し記録膜に発生するクラック全防止するには、
記録薄膜上に被着さＢ４材料の融点は７２５００以上で
あえことが必要であと。
から結晶質への相転移を示し、それに伴ない屈折率、吸
収係数の光学定数が変化し元ビームを照射すゐと反射率
や透過率の差が生まれえ。このＧｅＴｅ薄膜に元ビーム
を照射してｍ８ｗ記録す２時該光ビームのエネルギーは
、ＧｅＴｅ記録薄膜の温度が該記録薄膜の相転移温度（
１７０℃）以上で融点（７２５℃）以下となＺように選
択され、一般には２５０ｏＣ〜７０００Ｃトな２ような
値が選ばｔ′Ｌ工。シたがって、基体及び記録薄膜の変
形を抑制し記録膜に発生するクラック全防止するには、
記録薄膜上に被着さＢ４材料の融点は７２５００以上で
あえことが必要であと。
又、線熱膨張係数は出来芝だけ小さい方がよいが、各種
材料について比較したところ、線熱膨張係数が２ Ｘ
１０−’／ ’ Ｃ以下の材料において記録薄膜のクラ
ックを防止丁芝効来が大きいことを見出した。又Ｓ１０
□薄膜の膜厚が１００ ｎｍ以上のとき記録光ビームに
て情報全記録しても記録薄膜にクラックが発生せず信号
の忠実な記録ができ２こと、膜厚が１１００ｎ未満のと
きは記録光ビームにて情報を記録すると記録薄膜にクラ
ックが発生し信号の忠実な記録ができない。
材料について比較したところ、線熱膨張係数が２ Ｘ
１０−’／ ’ Ｃ以下の材料において記録薄膜のクラ
ックを防止丁芝効来が大きいことを見出した。又Ｓ１０
□薄膜の膜厚が１００ ｎｍ以上のとき記録光ビームに
て情報全記録しても記録薄膜にクラックが発生せず信号
の忠実な記録ができ２こと、膜厚が１１００ｎ未満のと
きは記録光ビームにて情報を記録すると記録薄膜にクラ
ックが発生し信号の忠実な記録ができない。
不実施例において用いたＳｉｎ、薄膜は、記録光ビーム
に対し透過性であ之ので、Ｓｉｎ、薄膜側から元ビーム
全照射し情報全記録再生丁ふことができ、基体として例
えばアルミニウム等の如き光ビーム非透過性基体を用い
４ことがでさＺ利点がある。
に対し透過性であ之ので、Ｓｉｎ、薄膜側から元ビーム
全照射し情報全記録再生丁ふことができ、基体として例
えばアルミニウム等の如き光ビーム非透過性基体を用い
４ことがでさＺ利点がある。
不実施例において、ＧｅＴｅ記録薄膜上に被着され２薄
膜材料として５ｉＯ−、’ａ：用いたが、本発明の他の
実施例として、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、
インジウム、セリウムの酸化物や、カルシウム、マグネ
シウム、ランタンのフッ化物、ケイ □素ゲルマニ
ウム等の半金属を用い、真空蒸着、スパッタリング、陽
極酸化など公知の技術で記録薄膜上に形成することがで
きＺｏこれらの材料を用い □た不発明によ乙記碌
媒体においても、Ｓｉｎ、を用いた場合と同様に、記録
薄膜上に被層され２薄膜の膜厚は１００画以上會必要と
し、１１００ｎ未満の時は、情報記録時に記録薄膜にク
ラック會発生することが □あシ１肯報の忠実な記
録は困難となｚ。
膜材料として５ｉＯ−、’ａ：用いたが、本発明の他の
実施例として、ケイ素、アルミニウム、チタン、亜鉛、
インジウム、セリウムの酸化物や、カルシウム、マグネ
シウム、ランタンのフッ化物、ケイ □素ゲルマニ
ウム等の半金属を用い、真空蒸着、スパッタリング、陽
極酸化など公知の技術で記録薄膜上に形成することがで
きＺｏこれらの材料を用い □た不発明によ乙記碌
媒体においても、Ｓｉｎ、を用いた場合と同様に、記録
薄膜上に被層され２薄膜の膜厚は１００画以上會必要と
し、１１００ｎ未満の時は、情報記録時に記録薄膜にク
ラック會発生することが □あシ１肯報の忠実な記
録は困難となｚ。
第３図は不発明によＺ光情報記録媒体の他の実施例でり
１はガラス基体、２２＋、まＧｅ Ｔｅ記録薄膜、２３
は電子ビーム蒸着された線熱膨張保Ｖが９ Ｘ １０
’／ ＯＣ，４点ｄ？ １８６０°ｃ′″ｃｓ、＝酸化
ｆ タフ’ｌ’ｉ０．ノ薄膜で膜厚は１００ ｎｍであ
え。不実施例の記録媒体に最適記録エネルギーの元ビー
ム全照射して情報の記録再生を行ったが、記録薄膜にク
ラックの発生はなく人力信号に忠゛天な再生信号が得ら
れた。
１はガラス基体、２２＋、まＧｅ Ｔｅ記録薄膜、２３
は電子ビーム蒸着された線熱膨張保Ｖが９ Ｘ １０
’／ ＯＣ，４点ｄ？ １８６０°ｃ′″ｃｓ、＝酸化
ｆ タフ’ｌ’ｉ０．ノ薄膜で膜厚は１００ ｎｍであ
え。不実施例の記録媒体に最適記録エネルギーの元ビー
ム全照射して情報の記録再生を行ったが、記録薄膜にク
ラックの発生はなく人力信号に忠゛天な再生信号が得ら
れた。
以上詳述したように、基体と該基体上に形成されたＧａ
Ｔｅを主成分と丁２記録薄、膜全有し、該記録薄膜に元
ビームを照射し記録薄膜の相転移にともなう反射率変化
β乙いは透過率変化によって情報を記録′ｊ４光情報記
録媒体に背いて、該記録薄膜上に線熱膨張係数が２ Ｘ
１０ ’／ ０Ｃ以下でろ多融点が７２５℃以上であ
え材料の薄膜全積層し、該薄膜の膜厚ｉ１００ｎｍ以上
としたことを特徴とする光情報記録媒体は、基体の熱変
形とそれにもとづく記録薄膜のクラックを防止し、忠実
なｌ骨報の記録再生をすることができ乙。
Ｔｅを主成分と丁２記録薄、膜全有し、該記録薄膜に元
ビームを照射し記録薄膜の相転移にともなう反射率変化
β乙いは透過率変化によって情報を記録′ｊ４光情報記
録媒体に背いて、該記録薄膜上に線熱膨張係数が２ Ｘ
１０ ’／ ０Ｃ以下でろ多融点が７２５℃以上であ
え材料の薄膜全積層し、該薄膜の膜厚ｉ１００ｎｍ以上
としたことを特徴とする光情報記録媒体は、基体の熱変
形とそれにもとづく記録薄膜のクラックを防止し、忠実
なｌ骨報の記録再生をすることができ乙。
第１１個は本発明によｚ光情報記録媒体の一実施例の断
面図であり、第２図は不発明の他の実施例を示す断面図
であえ。 １１・・・ポリメチルメタクリレート基体１２・・・Ｇ
ｅＴｅ￥４膜 １３ ”・Ｓｉｎ、 Ｎ膜２１−−−
ガラス基体 ２２ ＊＊＊ ＧｅＴｅ薄膜２３・・ｅ
Ｔｉｅ、薄膜 ソＩ 第１図 ｙ； ／ど− 能２図 １ ホ’ＪＸｆｌＬＸ９７ソＬ−）ｌ ｅｅＴｅ ろ ５こＯｌ し１ 雪゛１ラス ２２ Ｑ４ｚＴｅ １３ Ｔ；Ｑ。
面図であり、第２図は不発明の他の実施例を示す断面図
であえ。 １１・・・ポリメチルメタクリレート基体１２・・・Ｇ
ｅＴｅ￥４膜 １３ ”・Ｓｉｎ、 Ｎ膜２１−−−
ガラス基体 ２２ ＊＊＊ ＧｅＴｅ薄膜２３・・ｅ
Ｔｉｅ、薄膜 ソＩ 第１図 ｙ； ／ど− 能２図 １ ホ’ＪＸｆｌＬＸ９７ソＬ−）ｌ ｅｅＴｅ ろ ５こＯｌ し１ 雪゛１ラス ２２ Ｑ４ｚＴｅ １３ Ｔ；Ｑ。
Claims (1)
- 基体と該基体上に形成されたテルル化ゲルマニウムを
主成分とする記録薄膜を有し、該記録薄膜に光ビームを
照射し、記録薄膜の相転移にともなう反射率あるいは透
過率の変化によつて情報を記録する光情報記録媒体にお
いて、該記録薄膜上に線膨張係数が２×１０＾−＾５／
℃以下であり融点が、７２５℃以上である材料の薄膜を
積層し該薄膜の膜厚を１００ｎｍ以上としたことを特徴
とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60093436A JPS61250856A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60093436A JPS61250856A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61250856A true JPS61250856A (ja) | 1986-11-07 |
Family
ID=14082262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60093436A Pending JPS61250856A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61250856A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042839A (ja) * | 1973-08-20 | 1975-04-18 | ||
| JPS5188024A (ja) * | 1975-01-29 | 1976-08-02 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60093436A patent/JPS61250856A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5042839A (ja) * | 1973-08-20 | 1975-04-18 | ||
| JPS5188024A (ja) * | 1975-01-29 | 1976-08-02 |
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