JP2525184B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2525184B2 JP2525184B2 JP62135464A JP13546487A JP2525184B2 JP 2525184 B2 JP2525184 B2 JP 2525184B2 JP 62135464 A JP62135464 A JP 62135464A JP 13546487 A JP13546487 A JP 13546487A JP 2525184 B2 JP2525184 B2 JP 2525184B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光ビームを用いて情報が記録再生される光
情報記録媒体に関するものである。
情報記録媒体に関するものである。
（従来の技術） 光情報記録媒体において、記録薄膜に光ビームを照射
し、記録薄膜を構成する材料の非晶質−結晶質または結
晶質−結晶質相転移による光学定数の変化にともなう反
射率変化を生起せしめ、情報を記録する方法が知られて
いる。このような記録材料としては、ゲルマニウム・テ
ルル化合物，テルル低酸化物，三セレン化アンチモン等
が知られているが、これらはいずれも記録膜光照射部の
反射率ｎ′を光ビーム未照射部の反射率ｎよりも高くし
て情報を記録するものである。
し、記録薄膜を構成する材料の非晶質−結晶質または結
晶質−結晶質相転移による光学定数の変化にともなう反
射率変化を生起せしめ、情報を記録する方法が知られて
いる。このような記録材料としては、ゲルマニウム・テ
ルル化合物，テルル低酸化物，三セレン化アンチモン等
が知られているが、これらはいずれも記録膜光照射部の
反射率ｎ′を光ビーム未照射部の反射率ｎよりも高くし
て情報を記録するものである。
例えば記録膜として用いられるGeTe薄膜は室温におい
ては非晶質構造であり、反射率ｎ＝4.2,消衰係数ｋ＝0.
7という光学定数をもつ。この薄膜が180℃以上に加熱さ
れると結晶質構造に転移しｎ′＝5.4,k＝2.4という新た
な光学定数をもつように変化する。そしてこの結晶質薄
膜は室温まで冷却されても光学定数は不変である。した
がつてガラス基板上に厚さ100nmのGeTe薄膜を被着した
従来の光情報記録媒体に記録用レーザービームを照射
し、レーザービーム照射部の記録膜を非晶質から結晶質
へと転移させると周知の如く波長λ＝830nmにおける反
射率は、上述の如き光学定数の変化により、光の干渉作
用が変化して15％から48％へと変化し、情報記録部位の
反射率が高くなる性質を有している。
ては非晶質構造であり、反射率ｎ＝4.2,消衰係数ｋ＝0.
7という光学定数をもつ。この薄膜が180℃以上に加熱さ
れると結晶質構造に転移しｎ′＝5.4,k＝2.4という新た
な光学定数をもつように変化する。そしてこの結晶質薄
膜は室温まで冷却されても光学定数は不変である。した
がつてガラス基板上に厚さ100nmのGeTe薄膜を被着した
従来の光情報記録媒体に記録用レーザービームを照射
し、レーザービーム照射部の記録膜を非晶質から結晶質
へと転移させると周知の如く波長λ＝830nmにおける反
射率は、上述の如き光学定数の変化により、光の干渉作
用が変化して15％から48％へと変化し、情報記録部位の
反射率が高くなる性質を有している。
又、同じく記録膜として用いられるTe−０薄膜は、室
温においては微結晶構造でありｎ＝3.5,k＝0.5という光
学定数をもつが、レーザー光が照射されるとTe結晶の粒
子が大きくなり、ｎ＝3.8,k＝0.8という新たな光学定数
に変化する。そしてこの結晶質膜は室温まで冷却されて
も光学定数は不変である。したがつてPMMA基板上に厚さ
120nmのTe−０薄膜を被着した構造の光情報記録媒体に
おいてはレーザービーム照射による上記の様な光学定数
の変化により周知の如く光の干渉作用が変化し、波長λ
＝830nmにおける反射率は15％から27％へと変化し、情
報記録部位の反射率が高くなる性質を有している。さら
に記録膜として用いられるSb2Se3薄膜は、室温において
は非晶質構造でありｎ＝3.95,k＝0.1という光学定数を
もつが、この薄膜63が180℃以上に加熱されると結晶質
構造に転移し、ｎ＝4.75,k＝0.54という新たな光学定数
をもつようになる。そしてこの結晶質薄膜は室温まで冷
却されても光学定数は不変である。したがつてガラス基
板上に、厚さ40nmのSb2Se3記録膜と40nmのBi2Te3薄膜を
被着した構造の光情報記録媒体に、記録用レーザービー
ムを照射すると、レーザービーム照射部の記録膜は非晶
質から結晶質へと転移するので、この部分の波長λ＝83
0nmにおける反射率は、上述と同様に10％から30％へと
変化し、情報記録部位の反射率が高くなる。
温においては微結晶構造でありｎ＝3.5,k＝0.5という光
学定数をもつが、レーザー光が照射されるとTe結晶の粒
子が大きくなり、ｎ＝3.8,k＝0.8という新たな光学定数
に変化する。そしてこの結晶質膜は室温まで冷却されて
も光学定数は不変である。したがつてPMMA基板上に厚さ
120nmのTe−０薄膜を被着した構造の光情報記録媒体に
おいてはレーザービーム照射による上記の様な光学定数
の変化により周知の如く光の干渉作用が変化し、波長λ
＝830nmにおける反射率は15％から27％へと変化し、情
報記録部位の反射率が高くなる性質を有している。さら
に記録膜として用いられるSb2Se3薄膜は、室温において
は非晶質構造でありｎ＝3.95,k＝0.1という光学定数を
もつが、この薄膜63が180℃以上に加熱されると結晶質
構造に転移し、ｎ＝4.75,k＝0.54という新たな光学定数
をもつようになる。そしてこの結晶質薄膜は室温まで冷
却されても光学定数は不変である。したがつてガラス基
板上に、厚さ40nmのSb2Se3記録膜と40nmのBi2Te3薄膜を
被着した構造の光情報記録媒体に、記録用レーザービー
ムを照射すると、レーザービーム照射部の記録膜は非晶
質から結晶質へと転移するので、この部分の波長λ＝83
0nmにおける反射率は、上述と同様に10％から30％へと
変化し、情報記録部位の反射率が高くなる。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながらレーザーデイスク，コンパクトデイスク
等の再生専用型光情報媒体においては、情報はピツトと
呼ばれる凹凸として記録されておりピツト部では光ビー
ムの回折・干渉効果により再生光ビームの反射率が低く
なる。
等の再生専用型光情報媒体においては、情報はピツトと
呼ばれる凹凸として記録されておりピツト部では光ビー
ムの回折・干渉効果により再生光ビームの反射率が低く
なる。
かかるごとく、記録薄膜光ビーム照射部の反射率を光
ビーム未照射部よりも高くして情報を記録する書換可能
もしくは追加記録型光情報記録媒体においては、再生光
ビームにて情報を読出す際に得られる再生信号の極性
が、再生専用型光情報媒体の再生信号の極性とは逆にな
る。したがつて、かかる追加記録型等の光情報記録媒体
を再生専用型光情報媒体再生装置によつて情報を読み出
すには、再生専用型光情報媒体再生装置に再生信号の極
性を反転させる機能を付加しなければならず再生装置が
高価になる。また、再生信号の極性を反転させる機能を
もたない再生装置においては、上述する追加記録型光情
報記録媒体に記録された情報を再生することができない
という欠点がある。
ビーム未照射部よりも高くして情報を記録する書換可能
もしくは追加記録型光情報記録媒体においては、再生光
ビームにて情報を読出す際に得られる再生信号の極性
が、再生専用型光情報媒体の再生信号の極性とは逆にな
る。したがつて、かかる追加記録型等の光情報記録媒体
を再生専用型光情報媒体再生装置によつて情報を読み出
すには、再生専用型光情報媒体再生装置に再生信号の極
性を反転させる機能を付加しなければならず再生装置が
高価になる。また、再生信号の極性を反転させる機能を
もたない再生装置においては、上述する追加記録型光情
報記録媒体に記録された情報を再生することができない
という欠点がある。
（問題点を解決するための手段） 本発明は上述した欠点を解消し、再生専用型光情報媒
体再生装置にて情報を再生することができる追加記録型
等の光情報記録媒体を提供することを目的とするもの
で、その特徴は記録薄膜に光ビームを照射し、記録膜光
照射部の光学反射率を高くすることにより情報を記録す
る追加記録型等の光情報記録媒体において、記録膜の光
ビーム入射側に屈折率ｎが2.5〜6.0の範囲内であり、か
つ消衰係数が０〜1.3の範囲内である光学定数を有する
薄膜を積層したことにある。
体再生装置にて情報を再生することができる追加記録型
等の光情報記録媒体を提供することを目的とするもの
で、その特徴は記録薄膜に光ビームを照射し、記録膜光
照射部の光学反射率を高くすることにより情報を記録す
る追加記録型等の光情報記録媒体において、記録膜の光
ビーム入射側に屈折率ｎが2.5〜6.0の範囲内であり、か
つ消衰係数が０〜1.3の範囲内である光学定数を有する
薄膜を積層したことにある。
（実施例） 第１図は本発明による光情報記録媒体の一実施例を示
したものである。即ち、11はガラス基板で、記録膜13と
して厚さ100nmのテルル化ゲルマニウム（GeTe）薄膜を
有し、ガラス基板11と記録膜13との間に屈折率ｎ＝3.2
消衰係数ｋ＝0.13という光学定数をもつ厚さ65nmのセレ
ン化ゲルマニウム（GeSe）薄膜が積層された構造の光情
報記録媒体である。記録再生用光ビーム14はガラス基板
を通して記録膜に照射される。
したものである。即ち、11はガラス基板で、記録膜13と
して厚さ100nmのテルル化ゲルマニウム（GeTe）薄膜を
有し、ガラス基板11と記録膜13との間に屈折率ｎ＝3.2
消衰係数ｋ＝0.13という光学定数をもつ厚さ65nmのセレ
ン化ゲルマニウム（GeSe）薄膜が積層された構造の光情
報記録媒体である。記録再生用光ビーム14はガラス基板
を通して記録膜に照射される。
第２図は、GeTe記録膜13の光ビーム入射側にGeSe薄膜
を積層した、本実施例による光情報記録媒体の反射率と
GeSe薄膜膜厚との関係を示している。21はレーザービー
ム未照射部、即ち情報未記録部の反射率を示し、22はレ
ーザービーム照射部即ち情報記録部の反射率を示してい
る。
を積層した、本実施例による光情報記録媒体の反射率と
GeSe薄膜膜厚との関係を示している。21はレーザービー
ム未照射部、即ち情報未記録部の反射率を示し、22はレ
ーザービーム照射部即ち情報記録部の反射率を示してい
る。
ここで膜厚が０、即ちGeSe薄膜が存在しない従来例で
は第２図の如く情報記録部の反射率22は情報未記録部の
反射率21よりも高いが、GeSe薄膜12をGeTe記録膜13の光
ビーム入射側に積層した本実施例による光情報記録媒体
では、GeSe薄膜膜厚を40〜90nmもしくは180〜230nmに選
ぶと、第２図から分る様に情報記録部の反射率22は情報
未記録部の反射率21よりも低くすることができる。本実
施例のGeSe薄膜12の膜厚が65nmのとき情報記録部の反射
率は４％、情報未記録部の反射率は21％である。即ち前
述せる通常の再生専用型光情報記録媒体と同様、情報記
録部の反射率が情報未記録部に比して低い結果が得られ
る。したがつて、レーザービーム14を照射し情報を記録
した本実施例による光情報記録媒体を、再生専用型光情
報記録媒体再生装置に再生信号極性反転の機能を付加す
ることなく、該再生専用型光情報記録媒体再生装置にて
情報を再生することができる。
は第２図の如く情報記録部の反射率22は情報未記録部の
反射率21よりも高いが、GeSe薄膜12をGeTe記録膜13の光
ビーム入射側に積層した本実施例による光情報記録媒体
では、GeSe薄膜膜厚を40〜90nmもしくは180〜230nmに選
ぶと、第２図から分る様に情報記録部の反射率22は情報
未記録部の反射率21よりも低くすることができる。本実
施例のGeSe薄膜12の膜厚が65nmのとき情報記録部の反射
率は４％、情報未記録部の反射率は21％である。即ち前
述せる通常の再生専用型光情報記録媒体と同様、情報記
録部の反射率が情報未記録部に比して低い結果が得られ
る。したがつて、レーザービーム14を照射し情報を記録
した本実施例による光情報記録媒体を、再生専用型光情
報記録媒体再生装置に再生信号極性反転の機能を付加す
ることなく、該再生専用型光情報記録媒体再生装置にて
情報を再生することができる。
なお、第１図の実施例においては、記録膜13としてGe
Te薄膜を用いているが、GeTeのGeの一部をSnあるいはPb
で置換したGeSnTe,GePbTe,GeSnPbTe膜、その他GeTeを主
成分とし第三の元素を添加した薄膜においてもGeTe薄膜
と同様本発明を通用することができる。
Te薄膜を用いているが、GeTeのGeの一部をSnあるいはPb
で置換したGeSnTe,GePbTe,GeSnPbTe膜、その他GeTeを主
成分とし第三の元素を添加した薄膜においてもGeTe薄膜
と同様本発明を通用することができる。
また、本実施例においては、記録再生用光ビーム14は
ガラス基板11側から照射されるため、ガラス基板11とGe
Te記録膜13との間にGeSe薄膜を積層しているが、記録再
生用光ビーム14をGeTe記録膜13側から照射する場合に
は、GeSe薄膜−GeTe記録膜−ガラス基板の順に積層した
構造にすることにより本実施例と同じ効果を得ることが
できる。
ガラス基板11側から照射されるため、ガラス基板11とGe
Te記録膜13との間にGeSe薄膜を積層しているが、記録再
生用光ビーム14をGeTe記録膜13側から照射する場合に
は、GeSe薄膜−GeTe記録膜−ガラス基板の順に積層した
構造にすることにより本実施例と同じ効果を得ることが
できる。
第４図は本発明による光情報記録媒体の他の実施例を
示したもので、第１図のガラス基板11のかわりにポリメ
チルメタクリレート（PMMA）基板を用い、記録膜43とし
て厚さ120nmのテルル酸化物（Te−０）薄膜を用い、基
板41と記録膜43との間に屈折率ｎ＝3.8,消衰係数ｋ＝0.
17という光学定数をもつ、厚さ50nmのゲルマニウム（G
e）薄膜42が積層された構造の光情報記録媒体である。
記録再生用光ビーム44はPMMA基板を通して記録膜に照射
される。
示したもので、第１図のガラス基板11のかわりにポリメ
チルメタクリレート（PMMA）基板を用い、記録膜43とし
て厚さ120nmのテルル酸化物（Te−０）薄膜を用い、基
板41と記録膜43との間に屈折率ｎ＝3.8,消衰係数ｋ＝0.
17という光学定数をもつ、厚さ50nmのゲルマニウム（G
e）薄膜42が積層された構造の光情報記録媒体である。
記録再生用光ビーム44はPMMA基板を通して記録膜に照射
される。
第５図は、TeO記録膜43の光ビーム入射側にGe薄膜42
を積層した、本実施例による光情報記録媒体の反射率と
Ge薄膜42の膜厚との関係を示している。51はレーザービ
ーム未照射部即ち情報未記録部の反射率を示し、52はレ
ーザービーム照射部即ち情報記録部の反射率を示してい
る。ここで、膜厚が０、即ちGe薄膜が存在しない従来例
では情報記録部の反射率は情報未記録部の反射率よりも
高いが、Ge薄膜42をTeO記録膜43の光ビーム入射側に積
層した本実施例による光情報記録媒体では、Ge薄膜42の
膜厚を20〜90nmもしくは125〜195nmに選ぶと、第５図か
ら分る様に情報記録部の反射率52は情報未記録部の反射
率51よりも低くすることができる。本実施例のGe薄膜42
の膜厚が50nmのとき情報記録部の反射率は23％、情報未
記録部の反射率は40％である。即ち前述せる通常の再生
専用型光情報記録媒体と同様、情報記録部の反射率が情
報未記録部に比して低い結果が得られる。したがつて、
レーザービーム44を照射し情報を記録した本実施例によ
る光情報記録媒体を、再生専用型光情報記録媒体再生装
置に再生信号極性反転の機能を付加することなく該再生
専用型光情報記録媒体再生装置にて情報を再生すること
ができる。
を積層した、本実施例による光情報記録媒体の反射率と
Ge薄膜42の膜厚との関係を示している。51はレーザービ
ーム未照射部即ち情報未記録部の反射率を示し、52はレ
ーザービーム照射部即ち情報記録部の反射率を示してい
る。ここで、膜厚が０、即ちGe薄膜が存在しない従来例
では情報記録部の反射率は情報未記録部の反射率よりも
高いが、Ge薄膜42をTeO記録膜43の光ビーム入射側に積
層した本実施例による光情報記録媒体では、Ge薄膜42の
膜厚を20〜90nmもしくは125〜195nmに選ぶと、第５図か
ら分る様に情報記録部の反射率52は情報未記録部の反射
率51よりも低くすることができる。本実施例のGe薄膜42
の膜厚が50nmのとき情報記録部の反射率は23％、情報未
記録部の反射率は40％である。即ち前述せる通常の再生
専用型光情報記録媒体と同様、情報記録部の反射率が情
報未記録部に比して低い結果が得られる。したがつて、
レーザービーム44を照射し情報を記録した本実施例によ
る光情報記録媒体を、再生専用型光情報記録媒体再生装
置に再生信号極性反転の機能を付加することなく該再生
専用型光情報記録媒体再生装置にて情報を再生すること
ができる。
第６図は本発明による光情報記録媒体の他の実施例を
示したものである。即ち、61はガラス基板で記録膜63と
して厚さ40nmの三セレン化アンチモン（Sb2Se3）とを用
い、光吸収膜64として厚さ40nmの三テルル化ビスマス
（Bi2Te3）を用い、基板61と記録膜63との間に、屈折率
ｎ＝3.1、消衰係数ｋ＝0.13という光学定数をもつ厚さ6
0nmの三硫化アンチモン（Sb2S3）薄膜62が積層された構
造の光情報記録媒体である。記録再生用光ビーム65はガ
ラス基板61を通して記録膜63に照射される。
示したものである。即ち、61はガラス基板で記録膜63と
して厚さ40nmの三セレン化アンチモン（Sb2Se3）とを用
い、光吸収膜64として厚さ40nmの三テルル化ビスマス
（Bi2Te3）を用い、基板61と記録膜63との間に、屈折率
ｎ＝3.1、消衰係数ｋ＝0.13という光学定数をもつ厚さ6
0nmの三硫化アンチモン（Sb2S3）薄膜62が積層された構
造の光情報記録媒体である。記録再生用光ビーム65はガ
ラス基板61を通して記録膜63に照射される。
第７図はSb2Se3記録膜の光ビーム入射側にSb2S3薄膜
を積層した本実施例による光情報記録媒体の反射率とSb
2S3薄膜層との関係を示している。71はレーザービーム
未照射部即ち情報未記録部の反射率を示し、72はレーザ
ービーム照射部即ち情報記録部の反射率を示している。
Sb2S3薄膜が存在しない膜厚が０である従来例では、情
報記録部の反射率は情報未記録部の反射率よりも高い
が、Sb2S3薄膜をSb2Se3記録膜の光ビーム入射側に積層
した本実施例による光情報記録媒体では、Sb2S3薄膜膜
厚を26〜110nmに選ぶと情報記録部の反射率は情報未記
録部の反射率よりも低くすることができる。本実施例の
Sb2S3薄膜膜厚が60nmのとき情報記録部の反射率は17
％、情報未記録部の反射率は46％である。即ち前述せる
再生専用型光情報記録媒体と同様、情報記録部の反射率
が情報未記録部に比して低い結果が得られる。したがつ
て、レーザービームを照射し情報を記録した本実施例に
よる光情報記録媒体を、再生専用型光情報記録媒体再生
装置に、再生信号極性反転の機能を付加することなく、
該再生専用型光情報記録媒体再生装置にて情報を再生す
ることができる。
を積層した本実施例による光情報記録媒体の反射率とSb
2S3薄膜層との関係を示している。71はレーザービーム
未照射部即ち情報未記録部の反射率を示し、72はレーザ
ービーム照射部即ち情報記録部の反射率を示している。
Sb2S3薄膜が存在しない膜厚が０である従来例では、情
報記録部の反射率は情報未記録部の反射率よりも高い
が、Sb2S3薄膜をSb2Se3記録膜の光ビーム入射側に積層
した本実施例による光情報記録媒体では、Sb2S3薄膜膜
厚を26〜110nmに選ぶと情報記録部の反射率は情報未記
録部の反射率よりも低くすることができる。本実施例の
Sb2S3薄膜膜厚が60nmのとき情報記録部の反射率は17
％、情報未記録部の反射率は46％である。即ち前述せる
再生専用型光情報記録媒体と同様、情報記録部の反射率
が情報未記録部に比して低い結果が得られる。したがつ
て、レーザービームを照射し情報を記録した本実施例に
よる光情報記録媒体を、再生専用型光情報記録媒体再生
装置に、再生信号極性反転の機能を付加することなく、
該再生専用型光情報記録媒体再生装置にて情報を再生す
ることができる。
以上の様な反射率の逆転現象の生ずる理由についてさ
らに詳細に説明する。
らに詳細に説明する。
今透明基板に屈折率n,膜厚ｄなる記録膜を被着した場
合、記録光の波長をλとすると、反射率は光干渉効果に
よつて ｎ・ｄ＝λ/2・ｍ ……（１） （ただしｍ＝1,2,3,…） なる条件で極小値を示し、 ｎ・ｄ＝λ/4・（2m＋１） ……（２） （ただしｍ＝0,1,2,…） なる条件で極大値を示す。
合、記録光の波長をλとすると、反射率は光干渉効果に
よつて ｎ・ｄ＝λ/2・ｍ ……（１） （ただしｍ＝1,2,3,…） なる条件で極小値を示し、 ｎ・ｄ＝λ/4・（2m＋１） ……（２） （ただしｍ＝0,1,2,…） なる条件で極大値を示す。
ここで、従来の光情報記録媒体においては前述の如
く、記録膜光照射部の反射率の方が光ビーム未照射部よ
りも高くなる様にして情報を記録する。これに対して上
述の実施例においては、屈折率n1膜厚d1なる記録膜の光
ビーム入射側に屈折率n2，膜厚d2なる薄膜を積層し、 n2・d2＝1/2・n1・d1 となるようd2を選択する。又、n1d1＝1/2・λとなる様
にd1を選択する。すると記録膜を含めた光ビーム未照射
部の光学的厚さn1d1＋n2d2は n1d1＋n2d2＝（１＋1/2）n1d1＝3/4λ ……（４） （＝0.75λ） となり光ビーム未照射部において反射率は極大となる。
く、記録膜光照射部の反射率の方が光ビーム未照射部よ
りも高くなる様にして情報を記録する。これに対して上
述の実施例においては、屈折率n1膜厚d1なる記録膜の光
ビーム入射側に屈折率n2，膜厚d2なる薄膜を積層し、 n2・d2＝1/2・n1・d1 となるようd2を選択する。又、n1d1＝1/2・λとなる様
にd1を選択する。すると記録膜を含めた光ビーム未照射
部の光学的厚さn1d1＋n2d2は n1d1＋n2d2＝（１＋1/2）n1d1＝3/4λ ……（４） （＝0.75λ） となり光ビーム未照射部において反射率は極大となる。
一方光ビーム照射部の屈折率n1′は本発明の実施例に
示した記録膜においては1.1n1＝≦n1′≦1.35n1である
から光ビーム照射部の光学的厚さn1′d1＋n2d2は 1.6n1d1≦n1′・d1＋n2d2≦1.85n1d1 である。従つて、 0.8λ≦n1′・d1＋n2d2≦0.93λ となり、反射率は極大値よりも小さくなり極小値に近づ
く。したがつて光照射部と光未照射部の反射率が逆転す
ることになる。
示した記録膜においては1.1n1＝≦n1′≦1.35n1である
から光ビーム照射部の光学的厚さn1′d1＋n2d2は 1.6n1d1≦n1′・d1＋n2d2≦1.85n1d1 である。従つて、 0.8λ≦n1′・d1＋n2d2≦0.93λ となり、反射率は極大値よりも小さくなり極小値に近づ
く。したがつて光照射部と光未照射部の反射率が逆転す
ることになる。
以上の各実施例においてｎ＝2.5以上及びｋ＝1.3以下
の薄膜を記録膜の光ビーム入射側に積層すると、情報記
録部の反射率が情報未記録部の反射率よりも低くなる逆
転現象が生ずるので、以下この点についてさらに詳述す
る。
の薄膜を記録膜の光ビーム入射側に積層すると、情報記
録部の反射率が情報未記録部の反射率よりも低くなる逆
転現象が生ずるので、以下この点についてさらに詳述す
る。
即ち、光ビーム未照射部の反射率が光ビーム照射部の
反射率よりも高くなる条件は、記録膜および該記録膜の
光ビーム入射側に積層される薄膜の屈折率と消衰係数の
組合せにより変化するが、上述の各実施例で示した記録
膜光未照射部の屈折率n1が3.5〜4.2,消衰係数0.1〜0.7
記録膜光照射部の屈折率n1′が3.8〜5.4,消衰係数0.8〜
2.4の場合、第３図に示す様に記録膜光ビーム入射側に
積層される薄膜の屈折率n2は2.5以上でなければならな
い。なお実用性を考慮すると消衰係数は1.3以下である
必要がある。
反射率よりも高くなる条件は、記録膜および該記録膜の
光ビーム入射側に積層される薄膜の屈折率と消衰係数の
組合せにより変化するが、上述の各実施例で示した記録
膜光未照射部の屈折率n1が3.5〜4.2,消衰係数0.1〜0.7
記録膜光照射部の屈折率n1′が3.8〜5.4,消衰係数0.8〜
2.4の場合、第３図に示す様に記録膜光ビーム入射側に
積層される薄膜の屈折率n2は2.5以上でなければならな
い。なお実用性を考慮すると消衰係数は1.3以下である
必要がある。
第３図は第１図に示した様なガラス基板11,GeTe記録
膜13及びGeTe記録膜の光ビーム入射側に積層される薄膜
12を有する光情報記録媒体において、薄膜12を種々変え
て該薄膜12の屈折率n2と、得られた光情報記録媒体の反
射率との関係を示す。31は情報未記録部の反射率を、32
は情報記録部の反射率を示す。この図から再生専用型光
情報記録媒体と同様に、情報記録部の反射率が情報未記
録部の反射率よりも低くなる逆転現象の生ずるのは、上
記薄膜の屈折率n2が2.5以上であることがわかる。
膜13及びGeTe記録膜の光ビーム入射側に積層される薄膜
12を有する光情報記録媒体において、薄膜12を種々変え
て該薄膜12の屈折率n2と、得られた光情報記録媒体の反
射率との関係を示す。31は情報未記録部の反射率を、32
は情報記録部の反射率を示す。この図から再生専用型光
情報記録媒体と同様に、情報記録部の反射率が情報未記
録部の反射率よりも低くなる逆転現象の生ずるのは、上
記薄膜の屈折率n2が2.5以上であることがわかる。
第４図及び第６図についても、それぞれGe及びSb2S3
のかわりに種々の薄膜を用いることにより、上述の逆転
現象が起るのはこれら薄膜の屈折率n2が2.5以上の場合
であることがわかる。
のかわりに種々の薄膜を用いることにより、上述の逆転
現象が起るのはこれら薄膜の屈折率n2が2.5以上の場合
であることがわかる。
また、以上の実施例においては、記録再生用光ビーム
はガラスもしくはPMMA樹脂等の基板側から照射されるた
め、基板と記録膜との間にGeSe,Sb2S3等の薄膜を調整層
として積層しているが、記録再生用ビームを基板と反対
側から照射する場合には調整層薄膜→記録膜→吸収膜→
基板の順に積層した構造にすることにより本実施例と同
じ効果を得ることができる。
はガラスもしくはPMMA樹脂等の基板側から照射されるた
め、基板と記録膜との間にGeSe,Sb2S3等の薄膜を調整層
として積層しているが、記録再生用ビームを基板と反対
側から照射する場合には調整層薄膜→記録膜→吸収膜→
基板の順に積層した構造にすることにより本実施例と同
じ効果を得ることができる。
なお、以上の実施例においては、基板11にガラスもし
くはポリメチルメタクリレート（PMMA）を用いている
が、本発明はこれに限らず例えばエポキシ，ポリカーボ
ネート，ポリエステル，ポリオレフイン等の光透過性樹
脂も用いることができる。
くはポリメチルメタクリレート（PMMA）を用いている
が、本発明はこれに限らず例えばエポキシ，ポリカーボ
ネート，ポリエステル，ポリオレフイン等の光透過性樹
脂も用いることができる。
又、以上の実施例において、記録膜の光ビーム入射側
に積層される薄膜としてGeSe,Sb2S3,Ge等の薄膜を使用
したが、本発明はこれらに限ることなく、屈折率ｎ＝2.
5以上であれば他の材料も使用できる。消衰係数ｋ＝1.3
未満であることが望ましい。従つて例えばSb2Se3,GeS,S
i,SnSe,CdTe,CdSe,CdSを用いることが出来る。
に積層される薄膜としてGeSe,Sb2S3,Ge等の薄膜を使用
したが、本発明はこれらに限ることなく、屈折率ｎ＝2.
5以上であれば他の材料も使用できる。消衰係数ｋ＝1.3
未満であることが望ましい。従つて例えばSb2Se3,GeS,S
i,SnSe,CdTe,CdSe,CdSを用いることが出来る。
（効果） 以上詳述したように基体と該基体上に形成された記録
膜を有し該記録膜に光ビームを照射して記録膜の相転移
を生起せしめ、記録膜光照射部の光学反射率を高くする
ことにより情報を記録する光情報記録媒体において、記
録膜の光ビーム入射側に屈折率ｎが2.5〜6.0の範囲内で
あり、かつ消衰係数が０〜1.3の範囲内である光学定数
を有する薄膜を積層したことを特徴とする本発明光情報
記録媒体は、該薄膜による光干渉効果のため光照射され
た情報記録部の反射率が光未照射の情報非記録部の反射
率よりも低くなり、再生専用型光情報記録媒体再生装置
に再生信号極性反転機能を付加することなく該再生装置
にて情報を再生することができ、再生専用型光情報記録
媒体と互換性を有する。
膜を有し該記録膜に光ビームを照射して記録膜の相転移
を生起せしめ、記録膜光照射部の光学反射率を高くする
ことにより情報を記録する光情報記録媒体において、記
録膜の光ビーム入射側に屈折率ｎが2.5〜6.0の範囲内で
あり、かつ消衰係数が０〜1.3の範囲内である光学定数
を有する薄膜を積層したことを特徴とする本発明光情報
記録媒体は、該薄膜による光干渉効果のため光照射され
た情報記録部の反射率が光未照射の情報非記録部の反射
率よりも低くなり、再生専用型光情報記録媒体再生装置
に再生信号極性反転機能を付加することなく該再生装置
にて情報を再生することができ、再生専用型光情報記録
媒体と互換性を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図及び第
３図はその作用の説明に供する線図、第４図は本発明の
他の実施例を示す断面図、第５図はその作用の説明に供
する線図、第６図は本発明のさらに他の実施例を示す断
面図、第７図はその作用の説明に供する線図である。 11,41,61……基板、12,42,62……調整層 13,43,63……記録膜
３図はその作用の説明に供する線図、第４図は本発明の
他の実施例を示す断面図、第５図はその作用の説明に供
する線図、第６図は本発明のさらに他の実施例を示す断
面図、第７図はその作用の説明に供する線図である。 11,41,61……基板、12,42,62……調整層 13,43,63……記録膜
Claims (4)
- 【請求項１】基体と、光ビームの照射により相転移を生
起し情報を記録する記録膜とを有し、前記記録膜は膜厚
が40〜120nmの範囲内であり、情報未記録部の屈折率が
3.5〜4.2の範囲内でありかつ消衰係数が0.1〜0.7の範囲
内であり、情報記録部の屈折率が3.8〜5.4の範囲内であ
りかつ消衰係数が0.8〜2.4である光情報記録媒体におい
て、前記記録膜の光ビーム入射側に屈折率が2.5〜6.0の
範囲内でありかつ消衰係数が０〜1.3の範囲内であり情
報未記録部の反射率が情報記録部の反射率よりも高くな
るような膜厚が選択された薄膜を具備することを特徴と
する光情報記録媒体。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒
体であって、前記薄膜が膜厚40〜90nm又は180〜230nmの
範囲内にあるセレン化ゲルマニウム（GeSe）であること
を特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒
体であって、前記薄膜が膜厚20〜90nm又は125〜195nmの
範囲内にあるゲルマニウム（Ge）であることを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項４】特許請求の範囲第１項記載の光情報記録媒
体であって、前記薄膜が膜厚26〜110nm又は160〜200nm
の範囲内にある三硫化アンチモン（Sb2S3）であること
を特徴とする光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135464A JP2525184B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62135464A JP2525184B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63300441A JPS63300441A (ja) | 1988-12-07 |
| JP2525184B2 true JP2525184B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=15152325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62135464A Expired - Lifetime JP2525184B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2525184B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02266978A (ja) * | 1989-04-10 | 1990-10-31 | Nippon Columbia Co Ltd | 光情報記録媒体 |
| JP4637800B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-02-23 | 富士フイルム株式会社 | 光ディスク及びその製造方法、スタンパー、信号処理方法、信号処理装置、画像描画方法、並びに光ディスク記録装置 |
| KR20080041273A (ko) * | 2005-08-31 | 2008-05-09 | 후지필름 가부시키가이샤 | 광디스크, 그 제조 방법, 스탬퍼, 신호 처리 방법, 신호처리 장치, 화상 묘화 방법, 광디스크 기록 장치 및 광기록매체 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257291A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62135464A patent/JP2525184B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63300441A (ja) | 1988-12-07 |
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