JP2003011513A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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JP2003011513A
JP2003011513A JP2001203094A JP2001203094A JP2003011513A JP 2003011513 A JP2003011513 A JP 2003011513A JP 2001203094 A JP2001203094 A JP 2001203094A JP 2001203094 A JP2001203094 A JP 2001203094A JP 2003011513 A JP2003011513 A JP 2003011513A
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optical recording
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optical
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JP2001203094A
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Toshishige Fujii
俊茂 藤井
Yoshiyuki Kageyama
喜之 影山
Masato Harigai
眞人 針谷
Tomoaki Sugawara
智明 菅原
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 光記録媒体としては、CD-R、DVD-R等の追記
型光記録媒体が知られているが、これらは製造コストが
高いという問題がある。そこで、WO記録媒体が開発され
てきたが、反射率が低く、C/Nが低くなるという欠点
がある。本発明は、この欠点をなくした光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 透明基板1上に記録層2が1層設けられ
ている光記録媒体において、記録層2が主としてGaとTe
とからなる合金膜であり、かつGaとTeの原子数比が25:
75〜10:90の範囲にある光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エネルギービーム
の照射により記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記
録・再生が可能である光記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】レーザービームの照射による記録可能な
光記録媒体としてCD-R、DVD-R等の追記型光記録媒体な
どがある。これらの光記録媒体はCD-ROMあるいはDVD-RO
Mと再生互換性があり、小規模の配布用記録媒体や保存
用の記録媒体として使用されている。しかし、CD-R、DV
D-Rは有機色素を塗布するため、ROMの工程と比較して格
段に製造コストが高くなるという問題があった。
【0003】そこで、CD-ライトワンス(以下WOとい
う)、DVD-WO記録媒体が開発されてきた。WO記録媒体に
は穴あけ記録方式、相変化記録方式、合金化記録方式等
がある。コストの面から考えれば穴あけ記録方式が有望
であるが、穴あけ記録方式ではC/Nが低くなってしまう
という問題があった。これは穴を開けたピット部分にお
いて溶融した膜がピット内に水玉のようになって残った
り、周辺部に盛り上がったりすることが原因であった。
また、穴あけ記録方式の場合、記録層は1層から構成さ
れているが、これが通常使用されてきた材料であるとRO
Mの高い反射率に対応できず規格外製品となってしまっ
ていた。ROM対応の高い反射率を1層の記録層で実現し
ようとすると、記録層の材料としてAl、Ag、Cuな
どが考えられるが、反射率が高すぎ、とても通常のレー
ザー照射では穴が開かなかった。
【0004】特開平3−240589号公報には、記録
層としてSb2S3を用い、反射膜としてAuを用いる相変化
記録方式の光記録媒体が提案されているが、この構成は
2種類のスパッタを必要とし、工程が増えることにより
高コストとなる欠点がある。また、特開平5−2256
06号公報には、記録層としてBiとTeの積層構造を採用
し、記録とともに合金化し、分光反射率が低下するよう
な膜厚比となっている合金化記録方式の光記録媒体が提
案されているが、この技術も2層以上の膜のスパッタを
必要とし、工程が増え、高コストとなる欠点がある。さ
らに、特開平1−162247号公報には、記録層とし
てGaとTeからなる合金を用い、GaとTeの使用割合をGa:T
eとして2:1〜1:1もしくは2:3〜1:3に設定
する相変化記録方式の光記録媒体が提案されているが、
この技術では成膜時の状態が非晶質であり反射率が低い
ため初期化処理が必要である。そのため工程が増えコス
トの増大を招いていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、高い反射率を有するとともに、高いC/Nを有す
る光記録媒体を安価に提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、透明
基板上に記録層が1層設けられるとともに、エネルギー
ビームの照射により前記記録層に光学的変化を生じさ
せ、情報の記録・再生が可能である光記録媒体におい
て、前記記録層が主としてGaとTeとからなる合金膜であ
り、かつGaとTeの原子数比が25:75〜10:90の範囲にあ
ることを特徴とする光記録媒体である。この構成によれ
ば、高い反射率を有するとともに、高いC/Nを有する
光記録媒体を安価に提供することができる。
【0007】請求項2の発明は、透明基板上に記録層が
1層設けられるとともに、エネルギービームの照射によ
り前記記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記録・再
生が可能である光記録媒体において、前記記録層が主と
してGaとTeとからなる合金膜であり、かつGaとTeの原子
数比が50:50〜40:60の範囲にあることを特徴とする光
記録媒体である。この構成によれば、高い反射率を有す
るとともに、高いC/Nを有する光記録媒体を安価に提
供することができる。
【0008】請求項3の発明は、透明基板上に記録層が
1層設けられるとともに、エネルギービームの照射によ
り前記記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記録・再
生が可能である光記録媒体において、前記記録層が主と
してGaとTeとからなる合金膜であり、かつ前記記録層が
酸化されていることを特徴とする光記録媒体である。こ
の構成によれば、高い反射率を有するとともに、高いC
/Nを有する光記録媒体を安価に提供することができ
る。
【0009】請求項4の発明は、前記記録層が、酸素を
1〜20at%の割合で含むことを特徴とする請求項3
に記載の光記録媒体である。この構成によれば、一層高
い反射率を有するとともに、高いC/Nを有する光記録
媒体を安価に提供することができる。
【0010】請求項5の発明は、前記記録層が、ZrとAl
との混合物を添加物として含み、かつ前記記録層が前記
混合物を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする
請求項1ないし4のいずれか1項に記載の光記録媒体で
ある。この構成によれば、一層高い反射率を有するとと
もに、高いC/Nを有し、なおかつ保存特性に優れた光
記録媒体を安価に提供することができる。
【0011】請求項6の発明は、前記記録層が、1×10
-5J/cm2 〜 8×10-5J/cm2の範囲の表面張力を有する
元素(ただし、前記表面張力は前記元素の融点で測定さ
れた値である)を添加物として含むことを特徴とする請
求項1ないし5のいずれか1項に記載の光記録媒体であ
る。この構成によれば、一層高い反射率を有するととも
に、高いC/Nを有する光記録媒体を安価に提供するこ
とができる。
【0012】請求項7ないし15の発明は、前記元素が
Zn、Bi、Ge、Dy、Pb、Sb、Se、Eu、またはTbであり、前
記記録層が前記元素を1〜15at%の割合で含むこと
を特徴とする請求項6に記載の光記録媒体である。この
構成によれば、一層高いC/Nを有する光記録媒体を安
価に提供することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の光記録媒体の一
例(DVD)を説明するための断面図である。図1にお
いて、透明基板1上に記録層2、紫外線硬化樹脂層3、
接着層4、カバー基板5が順次積層されている。
【0014】本発明の光記録媒体は、記録層2が、主と
してGaとTeとからなる合金膜であり、かつGaとTeの原子
数比が25:75〜10:90の範囲にあることを特徴としてい
る。あるいは、該比は、50:50〜40:60とすることもで
きる。
【0015】また、本発明の目的を達成するために、記
録層2を主としてGaとTeとからなる合金膜とし、この記
録層を酸化してもよい。この場合、記録層2は、酸素を
1〜20at%の割合で含むことが好ましい。
【0016】また、光記録媒体の保存特性を高めるため
に、記録層2にZrとAlとの混合物を添加物として含有さ
せてもよい。この場合、記録層2は、前記混合物を1〜
15at%の割合で含むことが好ましい。
【0017】さらに、一層高いC/Nを提供するため
に、記録層2に1×10-5J/cm2 〜 8×10-5J/cm2の範囲
の表面張力を有する元素(ただし、前記表面張力は前記
元素の融点で測定された値である)を添加物として含有
させてもよい。このような元素は、例えばZn、Bi、Ge、
Dy、Pb、Sb、Se、Eu、Tb等が挙げられる。該元素の添加
割合は、記録層2中、1〜15at%が例示される。
【0018】なお、記録層2は、公知の各種気相成長
法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム
法などにより形成することができる。
【0019】また、透明基板1またはカバー基板5の材
料としては、例えばガラス、セラミックス、樹脂などが
挙げられる。代表例としてはポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリスチレン、ポリプロピレン、シリコ
ーン、フッ素樹脂、ABS、ウレタンなどが挙げられる
が、成形性の点から樹脂基板が好ましく、とくに加工
性、光学特性などの点からポリカーボネートが好まし
い。また、基板の形状はディスク状、カード状、あるい
はシート状であってもよい。
【0020】カバー基板5は、ラジカルUV方式、カチ
オン方式、ヒートシール方式、両面接着シート方式など
の公知の貼り合せ方式により積層することができる。紫
外線硬化樹脂層3は、設けても設けなくてもよいが、紫
外線硬化樹脂層3を設けない構成では、カバー基板5は
ラジカルUV方式のように酸素や水分を透過しない方式
で設けることが望ましい。
【0021】光記録媒体において、記録層に記録する場
合その反射率変化はhigh to lowでなければROM互換とな
らないが、本発明によれば、その記録原理は穴あけ記録
方式、相変化記録方式のいずれも採用することができ
る。本発明において、穴あけ記録方式を採用する場合、
記録層の構成材料の表面張力が問題となる。表面張力が
強いものでは記録層の構成材料が小さな玉状の固まりと
なって、エネルギービームによって形成された穴の内部
や周辺に残ることがあり、表面張力の弱いものでは穴の
内部に不規則な形の残留物が見られるようになる。そこ
で表面張力を適当な値に調整する必要が生じるが、本発
明者らは鋭意検討の結果、記録層を主としてGaとTeとか
らなる合金膜とし、かつGaとTeの原子数比を25:75〜1
0:90の範囲に設定することにより、穴あけ記録方式に
適した表面張力に調整でき、きれいなピットを開けるこ
とが可能になり、C/Nを向上させることに成功した。
また本発明者らは、記録層に表面張力が1×10-5J/cm2
〜 8×10-5J/cm2である元素を添加することが好まし
く、中でもZn、Bi、Ge、Dy、Pb、Sb、Se、Eu、TbがC/N
を向上させる効果が高いことを見出した。
【0022】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明す
る。 (実施例1)図1に記載したような光記録媒体(DV
D)を作製した。ピッチ0.74μm、深さ400Åの
溝付き、厚さ0.6mm、直径φ120mmのポリカーボネ
ート樹脂製透明基板1上に、記録層2を厚み400Åと
してスパッタ法により積層した。なお、この記録層2
は、GaとTeとからなる合金膜であり、GaとTeの原子数比
を種々設定した。続いて、記録層2上に紫外線硬化樹脂
層3を、」スピンコート及び紫外線照射により形成し
た。次に、接着層4を介してカバー基板5をラジカルU
V方式で貼り合せ、光記録媒体を得、C/Nおよび反射
率を測定した。評価条件は、記録線速3.5m/s、線密
度=0.267μm/bit、記録レーザー波長635n
m、NA=0.6である。合金膜の組成をGaxTe1-xとし
たときのx(at%)に対するC/Nおよび反射率の測
定結果を、図2および図3にそれぞれ示す。
【0023】(実施例2)合金膜の材料としてGa2Te3
用い、かつスパッタ中の雰囲気に酸素を混合させたこと
以外は、実施例1を繰り返した。合金膜の組成を(Ga2T
e31-xxしたときのx(at%)に対するC/Nおよ
び反射率の測定結果を、図4および図5にそれぞれ示
す。
【0024】(実施例3)合金膜の材料としてZr5Al5Ga
36Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り
返した。結果を表1に示す。なお、表1中の保存特性と
は、80℃で100時間光記録媒体を保存した後のC/
N値の保持率を意味している。
【0025】(実施例4)合金膜の材料としてZn10Ga36
Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り返
した。結果を表1に示す。
【0026】(実施例5)合金膜の材料としてBi10Ga36T
e54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り返
した。結果を表1に示す。
【0027】(実施例6)合金膜の材料としてGe10Ga36
Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り返
した。結果を表1に示す。
【0028】(実施例7)合金膜の材料としてDy10Ga36
Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り返
した。結果を表1に示す。
【0029】(実施例8)合金膜の材料としてPb10Ga36
Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り返
した。結果を表1に示す。
【0030】(実施例9)合金膜の材料としてSb10Ga36
Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り返
した。結果を表1に示す。
【0031】(実施例10)合金膜の材料としてSe10Ga
36Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り
返した。結果を表1に示す。
【0032】(実施例11)合金膜の材料としてEu10Ga
36Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り
返した。結果を表1に示す。
【0033】(実施例12)合金膜の材料としてTb10Ga
36Te54(at%)を用いたこと以外は、実施例1を繰り
返した。結果を表1に示す。
【0034】
【表1】
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、高い反射率を有すると
ともに、高いC/Nを有する光記録媒体を安価に提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光記録媒体の一例(DVD)を説明す
るための断面図である。
【図2】実施例1において、合金膜の組成をGaxTe1-x
したときのx(at%)に対するC/Nの測定結果を示
す図である。
【図3】実施例1において、合金膜の組成をGaxTe1-x
したときのx(at%)に対する反射率の測定結果を示
す図である。
【図4】実施例2において、合金膜の組成を(Ga2Te3
1-xxしたときのx(at%)に対するC/Nの測定結
果を示す図である。
【図5】実施例2において、合金膜の組成を(Ga2Te3
1-xxしたときのx(at%)に対する反射率の測定結
果を示す図である。
【符号の説明】
1 透明基板 2 記録層 3 紫外線硬化樹脂層 4 接着層 5 カバー基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菅原 智明 東京都大田区中馬込1丁目3番6号 株式 会社リコー内 Fターム(参考) 2H111 EA03 EA22 EA37 FA14 FA30 FB04 FB05 FB07 FB09 FB10 FB12 FB15 FB19 FB20 FB21 FB24 FB30 5D029 JA01

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板上に記録層が1層設けられると
    ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
    学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
    記録媒体において、前記記録層が主としてGaとTeとから
    なる合金膜であり、かつGaとTeの原子数比が25:75〜1
    0:90の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項2】 透明基板上に記録層が1層設けられると
    ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
    学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
    記録媒体において、前記記録層が主としてGaとTeとから
    なる合金膜であり、かつGaとTeの原子数比が50:50〜4
    0:60の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
  3. 【請求項3】 透明基板上に記録層が1層設けられると
    ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
    学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
    記録媒体において、前記記録層が主としてGaとTeとから
    なる合金膜であり、かつ前記記録層が酸化されているこ
    とを特徴とする光記録媒体。
  4. 【請求項4】 前記記録層が、酸素を1〜20at%の
    割合で含むことを特徴とする請求項3に記載の光記録媒
    体。
  5. 【請求項5】 前記記録層が、ZrとAlとの混合物を添加
    物として含み、かつ前記記録層が前記混合物を1〜15
    at%の割合で含むことを特徴とする請求項1ないし4
    のいずれか1項に記載の光記録媒体。
  6. 【請求項6】 前記記録層が、1×10-5J/cm2 〜 8×10
    -5J/cm2の範囲の表面張力を有する元素(ただし、前記
    表面張力は前記元素の融点で測定された値である)を添
    加物として含むことを特徴とする請求項1ないし5のい
    ずれか1項に記載の光記録媒体。
  7. 【請求項7】 前記元素がZnであり、前記記録層がZnを
    1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項6
    に記載の光記録媒体。
  8. 【請求項8】 前記元素がBiであり、前記記録層がBiを
    1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項6
    に記載の光記録媒体。
  9. 【請求項9】 前記元素がGeであり、前記記録層がGeを
    1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項6
    に記載の光記録媒体。
  10. 【請求項10】 前記元素がDyであり、前記記録層がDy
    を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項
    6に記載の光記録媒体。
  11. 【請求項11】 前記元素がPbであり、前記記録層がPb
    を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項
    6に記載の光記録媒体。
  12. 【請求項12】 前記元素がSbであり、前記記録層がSb
    を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項
    6に記載の光記録媒体。
  13. 【請求項13】 前記元素がSeであり、前記記録層がSe
    を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項
    6に記載の光記録媒体。
  14. 【請求項14】 前記元素がEuであり、前記記録層がEu
    を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項
    6に記載の光記録媒体。
  15. 【請求項15】 前記元素がTbであり、前記記録層がTb
    を1〜15at%の割合で含むことを特徴とする請求項
    6に記載の光記録媒体。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009520372A (ja) * 2005-12-20 2009-05-21 ユニバーシティ、オブ、サウサンプトン 相変化メモリ材料、デバイスおよび方法

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