JP2004047046A

JP2004047046A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2004047046A
Application number: JP2003058025A
Authority: JP
Inventors: Toshishige Fujii; 藤井　俊茂; Masato Harigai; 針谷　眞人
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2002-05-21
Filing date: 2003-03-05
Publication date: 2004-02-12

Abstract

【課題】高い反射率とモジュレーション、感度を有する記録膜を開発し、再生信号のＣ／Ｎが良好で耐候性に優れた光記録媒体を安価に提供する。
【解決手段】レーザによる照射により記録・再生する光記録媒体であって、レーザ照射側の基板１上にＡｇを主成分とする薄膜２と、半金属元素を主たる材料とする薄膜３とが順次積層されてなり、半金属元素を主たる材料とする薄膜３には酸素が導入されてなるものとした光記録媒体を提供する。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エネルギービームの照射により記録層に光学的変化を生じさせて記録・再生する光情報記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
レーザ光の照射により記録可能な光記録媒体として、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ等の追記型光記録媒体などがある。これらの光記録媒体はＣＤ−ＲＯＭあるいはＤＶＤ−ＲＯＭと再生互換性があり、小規模の配布メディアや保存用の媒体として使用されている。しかし、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷは有機色素を塗布する為ＲＯＭの工程と比較して格段に製造コストが高くなるという問題があった。そこで、ＣＤ−ライトワンス（以下ＷＯ）、ＤＶＤ−ＷＯメディアが開発されてきた。
【０００３】
ＷＯメディアには穴あけタイプと相変化タイプ、合金化タイプがある。コストの面から考えれば穴あけ記録方式が有利であるが、穴あけ記録ではＣ／Ｎが低くなってしまうという問題があった。これは穴を開けたピット部分において溶融した膜がピット内に水玉のようになって残ったり、周辺部に盛り上がったりすることが原因であった。
【０００４】
また、穴あけ記録方式であれば層構成は一層となるが、それでは通常使用されてきた記録膜ではＲＯＭの高い反射率に対応できず規格外製品となってしまう場合もあった。ＲＯＭ対応の高い反射率を記録膜一層で実現しようとすると、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕなどの材料が記録膜に適用されるが、反射率が高すぎ、通常のレーザ照射では穴が開かなかった。
穴あけ記録材料として、ＴｅとＡｕもしくはＡｇの化合物を用いる例が示されているが、これらの材料の沸点は１０００℃以上であり、光記録媒体としては非常に感度が低いという欠点があった（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００５】
また、４００℃以下の温度で揮発性成分を遊離する第一の層と、この上に耐腐食性金属を形成させ、記録感度を高める試みが開示されているが（例えば、特許文献３参照。）、これは反射率を高めることは目的とされておらず、ＲＯＭ互換とはなり得ない。また、耐腐食性金属としてＡｕ、Ａｇなどを適用しているが、これらは熱伝導率が極めて高く、加熱したエネルギーが拡散により逃げるため、結果的に効果は低く、高線速記録には不適切であった。
【０００６】
また、合金化方式としてはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎの元素の中から選択された層と、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕの元素から選択された元素からなる層にレーザを照射して、この二層を合金化させて記録する方法が開示されているが（例えば、特許文献４参照。）、この場合、ｌｏｗ　ｔｏ　ｈｉｇｈの記録となり、ＲＯＭ互換とはなり得なかった。
【０００７】
また、ＩｎとＴｅの合金で相変化タイプの記録層を成膜する発明についての開示がなされており（例えば、特許文献５参照。）、これにおいてはＩｎ：Ｔｅ＝２：１〜１：１もしくは２：３〜２：５であることにより相変化タイプの光記録媒体を提供することを目的としているが、この発明では成膜時の状態が非晶質であり反射率が低い為、初期化処理が必要である。そのため工程が増えコストの増大を招いていた。
また、融点まで温度を上昇させれば良い相変化タイプに比べ、穴あけ記録方式では記録のために沸点以上まで温度を上げる大きな熱量を必要としている。そのため、相変化タイプに比べ大きなレーザパワーを必要となり、高線速記録のためには半導体レーザのパワーが足りなくなる。すなわち、より高感度な記録膜が要求されている。
【０００８】
また、第１の層（相変化合金薄膜）にＡｇ−Ｚｎ、第２の層（低融点薄膜）にＴｅ、Ｓｅ、Ｓから選ばれる一種類を主成分として、拡散による記録を行う発明が開示されているが（例えば、特許文献６参照。）、これは反射率を高めるために第１の層を３０〜７０ｎｍ、第二の層を５０〜１５０ｎｍと厚くしており、生産時のタクトおよびコストに不利となっていた。また、膜厚を厚くすることにより反射率を大きく上げているが、我々の調査では反射率が高く吸収率が小さすぎるため熱吸収が記録膜上でほとんど起こらず、感度が非常に悪いということが分かった。このためＤＶＤなどの速い線速を求められるメディアでは使用できなかった。また、ＡｇとＴｅ、Ｓｅなどを二層メディアにすると、これらは混ざり合い、非常に低い反射率になるという問題点を有した。
【０００９】
また、光ディスクの記憶容量を増加させるために、多重データ層システムが提案されている。二層以上のデータ層を有する光ディスクは、理論上、レンズの焦点を変更することによって異なる層をアクセスできる（例えば、特許文献７〜１９参照。）。
【００１０】
上述したような従来技術のシステムにおいては、二層以上の記録層がある場合に、記録されているデータを明確に読み取るのがきわめて困難であるという問題を有している。特に間挿記録層は吸収及び反射損失があるため、深い記録層から受け取る信号を大幅に低下させる。よってこのような問題を解決した光データ記憶システムが必要とされている。
【００１１】
上述したように、無機のＷＯ記録媒体の普及には、未だ大きな障害があり、これらの解決を図った記録媒体への要求が高まってきている。
【００１２】
【特許文献１】
特開昭６０−１７９９５３号公報
【特許文献２】
特開昭６０−１７９９５２号公報
【特許文献３】
特開昭５７−１５７７９０号公報
【特許文献４】
特開平４−２２６７８４号公報
【特許文献５】
特開平１−１６２２４７号公報
【特許文献６】
特許第２９４８８９９号公報
【特許文献７】
米国特許第３９４６３６７号明細書
【特許文献８】
米国特許第４２１９７０４号明細書
【特許文献９】
米国特許第４４５０５５３号明細書
【特許文献１０】
米国特許第４９０５２１５号明細書
【特許文献１１】
米国特許第５０９７４６４号明細書
【特許文献１２】
米国特許第４８２９５０５号明細書
【特許文献１３】
米国特許第４８５２０７７号明細書
【特許文献１４】
米国特許第４８４５０２１号明細書
【特許文献１５】
米国特許第４６８２３２１号明細書
【特許文献１６】
米国特許第４２９８９７５号明細書
【特許文献１７】
米国特許第４７３７４２７号明細書
【特許文献１８】
特開昭６０−２０２５４５号公報
【特許文献１９】
特開昭６３−２７６７３２号公報
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明においては、上述の問題点に鑑みて、高い反射率とモジュレーション、感度を有する記録層を開発し、再生信号のＣ／Ｎが良好で耐候性に優れた光記録媒体を安価に提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、レーザ照射により記録・再生する光記録媒体であって、レーザ照射側の基板上に、Ａｇを主成分とする薄膜と、半金属元素を主たる材料とする薄膜とがこの順で積層され、この半金属元素を主たる材料とする薄膜には酸素が導入されてなることを特徴とする光記録媒体である。
このように、レーザ照射により記録・再生できる光記録媒体において、レーザ照射側の基板の透過した側の面上に、透過方向に沿って順に、主にＡｇからなる薄膜、および半金属元素を主たる材料とする薄膜を形成し、この半金属元素を主たる材料とする薄膜に酸素が導入されてなるものとしたことにより、高い反射率と高感度、高モジュレーションが達成された。
これまでＡｇと半金属元素を隣接させて積層すると、これら二層が製膜時に混合してしまうか、読み取りレーザ照射時に混合してしまうなど非常に不安定なメディアとなっていた。本発明において特に酸素を半金属元素中に導入することによりＡｇと半金属元素との間に酸化物障壁が生じ、信頼性が大きく向上した。しかし、本発明において半金属元素は元素周期表で定義されているものを指し、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｐ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｐｏ、Ａｔである。
【００１５】
請求項２の発明においては、光記録媒体を構成する半金属元素を主たる材料とする薄膜に含まれる酸素の割合ｘを、０．０１＜ｘ＜５（ａｔ％）であるものとした。これにより、Ｃ／Ｎはより大きくなり、大きな振幅の波形が得られる。
【００１６】
請求項３の発明においては、光記録媒体を構成する半金属元素を主たる材料とする薄膜の膜厚が、１０〜５０ｎｍであるものとした。
半金属元素を主たる材料とする薄膜の膜厚を１０〜５０ｎｍとすることにより、二層の記録層のみのメディアにもかかわらずＲＯＭ互換が可能になるほどの反射率を達成することができる。また、二層構成でｈｉｇｈ　ｔｏ　ｌｏｗ記録が可能となったためコストの大幅な低減化が可能となる。
【００１７】
請求項４の発明においては、光記録媒体を構成する半金属元素を主たる材料とする薄膜の主元素が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｂから選ばれた少なくとも一種類からなるものとした。
これにより、高感度で高モジュレーションを有する光記録媒体が得られる。特にＴｅは屈折率が高く、二層メディアにした場合非常に高い反射率を示すため、好適である。
【００１８】
請求項５の発明においては、光記録媒体を構成する半金属元素を主たる材料とする薄膜上に、有機保護膜が形成されてなるものとした。
これにより、膜の安定性を高め、保存信頼性を格段に向上させることができる。また、二層構成の場合においては、膜の強度が弱くレーザ照射によって穴があく場合があったが、有機保護膜を形成したことにより、膜の物理的強度が向上する。
【００１９】
請求項６の発明においては、光記録媒体を構成するＡｇを主成分とする薄膜の膜厚が３〜２０ｎｍであるものとした。
これにより、反射率が高く、かつ感度の高い光記録媒体を得ることが可能となる。
【００２０】
請求項７の発明においては、光記録媒体を構成するＡｇを主成分とする薄膜に、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉから選ばれた少なくとも一種類からなる元素が添加されてなるものとした。
これにより、高いモジュレーションで、高感度な光記録媒体が得られる。特に、添加元素としては、Ｉｎが融点が低いために感度が良く、Ｃ／Ｎが高い特性を有するため特に好ましい。
【００２１】
請求項８の発明においては、光記録媒体を構成する半金属元素を主たる材料とする薄膜中の半金属元素の割合が５０％以上であるものとした。
これにより、高感度化、高モジュレーション化を図ることができる。ここで、半金属元素以外に添加元素を混入させることにより、保存特性、感度の向上、および反射率の向上など特性を改善することが可能となる。
【００２２】
請求項９の発明においては、光記録媒体を構成するＡｇを主成分とする薄膜と、半金属元素を主たる材料とする薄膜とを記録層組と定義したとき、一の記録層組と、他の記録層組とが、レーザ透過性媒質を挟持して積層形成されているものとした。
これにより、高い反射率と高モジュレーションを有する多層記録メディアを得ることができる。
【００２３】
請求項１０の発明においては、前記レーザ透過性媒質が、誘電体であるものとした。
また、請求項１１の発明においては、前記レーザ透過性媒質が、接着性媒質であるものとした。
これにより、光記録媒体の作製工程を簡素化でき、信頼性の高いメディアが得られる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の光記録媒体の一例の概略断面図である。図１においては、ＤＶＤとしての構成例を示すが、本発明はこの例に限定されるものではない。
基板（情報基板）１上に、Ａｇを主成分とする薄膜２、半金属元素を主たる材料とする薄膜３よりなる記録層が成膜され、この上に紫外線硬化樹脂層４が積層されている。さらに、カバー基板６が接着層５を介して接着された構造になっている。
【００２５】
この光記録媒体においては、基板１面側から、レーザ照射手段７により、レーザ光を照射すると、レーザ光は基板１を透過し、低融点薄膜および半金属元素を主たる材料とする薄膜３が加熱される。この加熱により、互いの層が相互に拡散してこれらの元素の合金ないし化合物が生成するか、もしくは表面に変形が起こり、レーザ光照射部の光反射率が著しく低下する。
この反射率変化は不可逆であるのでＷＯ型の光記録媒体として使用することができる。
【００２６】
基板１の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、あるいは樹脂が用いられるが、樹脂が成形性やコストの点で好ましい。例えば、ポリカーボネート、メチルメタクリレート、アクリル、エポキシ、ポリスチレン、ポリプロピレン、シリコン、フッ素樹脂、ＡＢＳ、ウレタンなどが挙げられるが、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好ましい。また、基板１の形状はディスク状、カード状、あるいはシート状のいずれであっても良い。
【００２７】
光記録媒体を構成する半金属元素を主たる材料とする薄膜３は、含有割合ｘとしたとき、０．０１＜ｘ＜５（ａｔ％）の酸素が含有されたものとすることが好適である。この半金属元素を主たる材料とする薄膜３の膜厚は、１０〜５０ｎｍとすることが好適である。
【００２８】
半金属元素を主たる材料とする薄膜３の主元素は、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｂから選定される少なくとも一種類からなるものとすることが好適である。特にＴｅは屈折率が高く、二層メディアにした場合非常に高い反射率を示すため好適である。また、半金属元素を主たる材料とする薄膜３上には、有機保護膜を形成してもよい。
【００２９】
また、半金属元素を主たる材料とする薄膜３中の半金属元素の割合は５０％以上であるものとする。これにより、高感度化、高モジュレーション化が図られる。半金属以外に添加元素を混入させることにより、保存特性、感度の向上、および反射率の向上など特性を改善することが可能となる。
【００３０】
光記録媒体を構成するＡｇを主成分とする薄膜２の膜厚は、３〜２０ｎｍが好適である。これにより、反射率が高く、かつ感度の高い光記録媒体を得られる。
【００３１】
Ａｇを主成分とする薄膜２は、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉから選ばれた少なくとも一種類からなる元素が添加されたものとしてもよい。これにより、高いモジュレーションで、高感度な光記録媒体が得られる。特に、添加元素としては、Ｉｎが融点が低いために感度が良く、Ｃ／Ｎが高い特性を有するため特に好ましい。
【００３２】
光記録媒体の貼り合せ方式については、ラジカルＵＶ方式、カチオン方式、ヒートシール方式、両面接着シート方式のいずれであってもよく、特に限定されないが、紫外線硬化樹脂層４を設けない構成の場合においては、ラジカルＵＶ方式のように酸素や水分を透過しない方式が望ましい。
また、本発明の光記録媒体を構成する記録層は、各種気相成長法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム法等によって形成することができる。
【００３３】
図２に本発明の光記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
この例においては、Ａｇを主成分とする薄膜２と半金属元素を主たる材料とする薄膜３とが記録層組を構成するものとし、第１の記録層組１１と第２の記録層組１２とが、レーザ透過性媒質８を挟持して積層形成された構成を有している。このレーザ透過性媒質８の材料としては、例えばＺｎＯ、ＳｉＯ_２等の誘電体や、これらの混合物を適用することができる。
また、レーザ透過性媒質８は、その他の公知の接着性媒質により形成してもよい。
なお、レーザ透過性媒質８は、例えば貼り合せ工程において、ラジカルＵＶ式、カチオン方式、ヒートシール方式、両面接着シート方式等により形成することができる。
【００３４】
【実施例】
以下、本発明の光記録媒体について具体的な実施例を挙げて説明する。
〔実施例１〕
図１に基づいて本発明の光記録媒体の構成を説明する（ＤＶＤの場合）。
ポリカーボネート樹脂製の基板１は、ピッチ０．７４μｍ、深さ４０ｎｍの溝付き、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍであり、その上にＡｇを主成分とする薄膜２を膜厚１０ｎｍ、半金属元素を主たる材料とする薄膜３を膜厚２０ｎｍに、スパッタ法により積層形成し、その上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、紫外線照射することにより紫外線効果樹脂層４を形成した。
Ａｇを主成分とする薄膜２の製膜時には、アルゴン雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）とし、半金属元素を主たる材料とする薄膜３の製膜時には、アルゴンプラス酸素混合ガス雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）とした。
半金属元素を主たる材料とする薄膜３の製膜の際には、酸素の混合割合を０．１〜５％の範囲で振り、それぞれの組成の最適な酸化割合を出した。
カバー基板６との貼り合せは、ラジカルＵＶ方式で行った。
【００３５】
〔実施例２〜８〕、〔比較例１〜６〕
下記表１に示すように、Ａｇを主成分とする薄膜２と半金属元素を主たる材料とする薄膜３の構成を変化させて光記録媒体を作製し、それぞれ、下記に示す評価を行った。
【００３６】
評価条件については、記録線速は３．５ｍ／ｓ（１倍速）、線密度は０．２６７μｍ／ｂｉｔ、記録周波数は２６．２ＭＨｚ、記録レーザ波長は６３５ｎｍ、Ｎ．Ａ．は０．６とし、Ａｇを主成分とする薄膜２と半金属元素を主たる材料とする薄膜３を、それぞれ表１に示されている組成にした場合の反射率、およびＣ／Ｎが５５ｄＢ以上（解像度１ｋＨｚにて測定）となるレーザパワーを、１倍速と２倍速とで比較した。
また、半金属元素を主たる材料とする薄膜３中の酸素割合を蛍光Ｘ線で測定した。
【００３７】
【表１】

【００３８】
上記表１に示すように、基板上にＡｇを主成分とする薄膜２と、半金属元素を主たる材料とする薄膜３とが順次積層され、半金属元素を主たる材料とする薄膜３には、酸素が０．０１＜ｘ＜５（ａｔ％）の割合で導入されたものとした実施例１〜８の光記録媒体においては、いずれも反射率、モジュレーション、および感度ともに良好な結果が得られた。
【００３９】
一方、記録層を構成する薄膜をＡｇを成分とせずに形成した比較例１〜６の光記録媒体においては、いずれも充分な感度およびモジュレーションが得られなかった。
【００４０】
図３に、半金属元素を主成分とする薄膜３をＴｅ膜（Ｏ_２を０．０２ａｔ％混合）とし、Ａｇを主成分とする薄膜２をＡｇ膜（膜厚３、１０、２０ｎｍ）とし、Ｔｅ膜（半金属元素を主成分とする薄膜）の膜厚を変化させた場合の反射率の変化を示す。
【００４１】
図４に、半金属元素を主成分とする薄膜３をＴｅ膜（Ｏ_２を０．０２ａｔ％混合）とし、Ａｇを主成分とする薄膜２をＡｇ膜（膜厚３、１０、２０ｎｍ）とし、Ｔｅ膜（半金属元素を主成分とする薄膜）の膜厚を変化させた場合の記録パワーの変化を示す。なお、１倍速において５５ｄＢ以上の信号強度を示したレーザパワーを示す。
【００４２】
図３、図４に示すように、半金属元素を主成分とする薄膜（Ｔｅ膜）の膜厚が薄いと反射率は低く、膜厚が厚過ぎると、感度が低下する。
また、（Ａｇ膜の膜厚）／（半金属元素を主成分とする薄膜）が０．１〜１．０の範囲にあるようにすることにより、反射率が高く、かつ感度も高いという２つの特性を両立できることがわかる。なおここでの記録は３Ｔの矩形波記録である。
【００４３】
図３、図４から明らかなように、レーザ照射側にＡｇ薄膜があり、その次に半金属元素を主成分とする薄膜を積層する構成とし、半金属元素を主成分とする薄膜に酸素が導入されてなることにより高い反射率と高感度、そして高モジュレーションが達成された。
従来においては、Ａｇと半金属元素を隣接させて積層すると、これらが製膜時に混合してしまうか、読み取りレーザ照射時に混合してしまうなど非常に不安定なメディアとなっていたが、本発明においては、特に酸素を膜中に導入したことにより、Ａｇと半金属元素との間に酸化物障壁を生じさせることができ、信頼性が大きく向上した。
【００４４】
上記表１に示すように、その半金属元素を主たる材料とする薄膜中の酸素含有割合を、０．０１＜ｘ＜５（ｘ＝ａｔ％）とすることにより、Ｃ／Ｎの向上が図られ、大きな振幅の波形が得られることが確かめられた。
【００４５】
図３に示すように、半金属元素を主たる材料とする薄膜の膜厚を、１０〜５０ｎｍとすることにより、二層の記録膜のみのメディアにもかかわらずＲＯＭ互換が可能になるほどの反射率を達成できることが確かめられた。また、二層構成でｈｉｇｈ　ｔｏ　ｌｏｗ記録が可能となったためコストの大幅な低減化が図られた。
【００４６】
また、上記表１に示すように、また、半金属元素を主たる材料とする薄膜３が、主にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｂから選定される少なくとも一種類からなるものとしたことにより、高感度で高モジュレーションを有する光記録媒体が得られた。特にＴｅは屈折率が高く、二層メディアを作製する場合、非常に高い反射率を示すため好適であることがわかった。
【００４７】
図５に、半金属元素を主成分とする薄膜３中の、酸素含有割合に対する反射率保持率の関係を示す。
反射率保持率（％）＝（１週間後の反射率／初期反射率）×１００とし、１週間経過後の反射率の劣化に基づいて保持率を計算した。その結果、図５に示すように、半金属元素を主成分とする薄膜３中の酸素割合が０．１〜５０％とすると、劣化することなく安定した挙動を示した。なお、より安定した挙動を期待するならば、半金属膜中の酸素割合は１〜３０％が望ましいことが分かった。
【００４８】
また、本発明の光記録媒体においては、半金属元素を主成分とする薄膜３上に有機保護膜を積層形成することが望ましい。これにより、膜の安定性を高め、保存信頼性を格段に向上させることができる。また、二層構成では膜の強度が弱くレーザ照射によって穴があくおそれがあるが、有機保護膜を設けることによって、膜の物理的強度を向上させることができる。
【００４９】
更に、Ａｇを主成分とする薄膜２の膜厚を３〜２０ｎｍとすることにより、反射率が高く、感度の高い光記録媒体が得られた。
【００５０】
また表１に示すように、Ａｇを主成分とする薄膜２に添加される元素を、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉから選定される少なくとも一種類とすることにより、高いモジュレーションで、高感度な光記録媒体を得ることができる。添加元素としては、Ｉｎが融点が低いため、感度およびＣ／Ｎの向上が図るために好適な例として挙げられる。
【００５１】
〔実施例９〕
図２に基づいて、本発明の光記録媒体を説明する（ＤＶＤの場合）。
上述した実施例１と同様に、ピッチ０．７４μｍ、深さ４０ｎｍの溝付き、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板１上に、Ａｇを主成分とする薄膜２を膜厚１０ｎｍ、半金属元素を主たる材料とする薄膜３を膜厚２０ｎｍに、順次スパッタ法により積層形成し、レーザ透過性媒質８として、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２（８０：２０）からなる誘電体層を、膜厚１μｍにスパッタ形成し、更に、Ａｇを主成分とする薄膜２を膜厚１０ｎｍ、半金属元素を主たる材料とする薄膜３を膜厚２０ｎｍに順次スパッタ法により積層した。その上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、紫外線照射により紫外線硬化樹脂層４を成膜した。
Ａｇを主成分とする薄膜２の製膜時には、アルゴン雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）、もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）とした。
また、半金属元素を主たる材料とする薄膜３の製膜時には、アルゴン雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）、もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）とした。
酸素混合ガス下での成膜の際には、酸素の混合割合を０．１〜５％の範囲で振り、それぞれの組成の最適な酸化割合を出した。
カバー基板６との貼り合せは、ラジカルＵＶ方式で行った。
【００５２】
このようにして作製した光記録媒体を、上述した実施例１と同じ評価条件で記録し、評価を行ったところ、誘電体層（レーザ透過性媒質）を介在させた二組の記録層組１１、１２は、どちらも同等の記録特性を示し、その記録容量は実施例１のほぼ２倍となった。
【００５３】
〔実施例１０〕
図６に基づいて、本発明の光記録媒体の他の一例について説明する（ＤＶＤの場合）。
上述した実施例１と同様に、ピッチ０．７４μｍ、深さ４０ｎｍの溝付き、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板１上に、Ａｇを主成分とする薄膜２を膜厚１０ｎｍ、半金属元素を主たる材料とする薄膜３を膜厚２０ｎｍに、順次スパッタ法により積層形成した。
続いて、カバー基板６に対し、半金属元素を主たる材料とする薄膜３を膜厚２０ｎｍ、Ａｇを主成分とする薄膜２を膜厚１０ｎｍに、順次スパッタ法により積層形成した。
このようにして作製した基板１とカバー基板６とを、レーザ透過性媒質、この例においては接着性媒質１８を介在させて貼り合わせた。
本例においては、接着性媒質１８として膜厚５０μｍの貼り合わせ用シートを用いた。
Ａｇを主成分とする薄膜２の製膜時には、アルゴン雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）、もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）とした。
また、半金属元素を主たる材料とする薄膜３の製膜時には、アルゴン雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）、もしくはアルゴン＋酸素混合ガス雰囲気下（５×１０^−３Ｔｏｒｒ）とした。
酸素混合ガス下での成膜の際には、酸素の混合割合を０．１〜５％の範囲で振り、それぞれの組成の最適な酸化割合を出した。
カバー基板との貼り合せは、ラジカルＵＶ方式で行った。
【００５４】
このようにして作製した光記録媒体を、上述した実施例１と同じ評価条件で記録し、評価を行ったところ、接着性媒質１８（レーザ透過性媒質）を介在させた二組の記録層組１１、１２は、どちらも同等の記録特性を示し、その記録容量は実施例１のほぼ２倍となった。
【００５５】
【発明の効果】
請求項１に係る発明によれば、高感度の記録膜を有し記録再生の信頼性を向上させた光記録媒体を提供可能となる。
請求項２に係る発明によれば、Ｃ／Ｎ値を大きく取れ、大きな振幅の波形を得ることにより、記録再生の信頼性を向上させた光記録媒体を提供可能となる。
請求項３に係る発明によれば、高反射率を有し、コストダウンが可能な、記録再生の信頼性を向上させた光記録媒体を提供可能となる。
請求項４に係る発明によれば、高感度で高モジュレーションを有し、記録再生の信頼性を向上させた光記録媒体を提供可能となる。
請求項５に係る発明によれば、構成する薄膜の安定性が高く保存信頼性を向上させた、記録再生の信頼性の高い光記録媒体を提供可能となる。
請求項６に係る発明によれば、反射率と感度を高め、記録再生の信頼性を向上させた光記録媒体を提供可能となる。
請求項７に係る発明によれば、感度とＣ／Ｎが高い特性を有する、記録再生の信頼性を向上させた光記録媒体を提供可能となる。
請求項８に係る発明によれば、高感度化、高モジュレーション化を図ることができた。
請求項９に係る発明によれば、高い反射率と高モジュレーションを有する多層記録メディアを得ることができた。
請求項１０、および請求項１１に係る発明によれば、多層構造の光記録媒体の作製工程を簡素化でき、信頼性の高いメディアが得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の一例の概略断面図を示す。
【図２】本発明の光記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
【図３】半金属元素を主たる材料とする薄膜の膜厚と反射率との関係を示す。
【図４】半金属元素を主たる材料とする薄膜の膜厚と記録パワーとの関係を示す。
【図５】半金属元素を主たる材料とする薄膜中の酸素割合に対する反射率保持率の関係を示す。
【図６】本発明の光記録媒体の他の一例の概略断面図を示す。
【符号の説明】
１……基板
２……Ａｇを主成分とする薄膜
３……半金属元素を主たる材料とする薄膜
４……紫外線硬化樹脂層
５……接着層
６……カバー基板
７……レーザ照射手段
８……レーザ透過性媒質
１１……第１の記録層組
１２……第２の記録層組
１８……接着性媒質

Claims

レーザによる照射により記録・再生する光記録媒体であって、当該レーザ照射側の基板上にＡｇを主成分とする薄膜と、半金属元素を主たる材料とする薄膜とがこの順で積層され、当該半金属元素を主たる材料とする薄膜には酸素が導入されてなることを特徴とする光記録媒体。
前記半金属元素を主たる材料とする薄膜に含まれる酸素の割合が０．０１＜ｘ＜５（ａｔ％）であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
前記半金属元素を主たる材料とする薄膜の膜厚が、１０〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
前記半金属元素を主たる材料とする薄膜の主元素が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｓｂから選ばれた少なくとも一種類からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の光記録媒体。
前記半金属元素を主たる材料とする薄膜上に有機保護膜が形成されてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光記録媒体。
前記Ａｇを主成分とする薄膜の膜厚が３〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光記録媒体。
前記主にＡｇを主成分とする薄膜には、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉから選ばれた少なくとも１種類からなる元素が添加されてなることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の光記録媒体。
前記半金属元素を主たる材料とする薄膜中の半金属元素の割合が５０％以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の光記録媒体。
上記Ａｇを主成分とする薄膜および半金属元素を主たる材料とする薄膜により構成されてなる一の記録層組が、他の記録層組と、レーザ透過性媒質を挟持して積層形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の光記録媒体。
前記レーザ透過性媒質が、誘電体であることを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体。
前記レーザ透過性媒質が、接着性媒質であることを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体。