JP2003054128A

JP2003054128A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2003054128A
Application number: JP2001241674A
Authority: JP
Inventors: Toshishige Fujii; 俊茂藤井; Masato Harigai; 眞人針谷; Takeshi Miki; 剛三樹; Yoshiyuki Kageyama; 喜之影山; Tomoaki Sugawara; 智明菅原
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-08-09
Filing date: 2001-08-09
Publication date: 2003-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】光記録媒体としては、CD-R、DVD-R等の追記
型光記録媒体が知られているが、これらは製造コストが
高いという問題がある。そこで、WO記録媒体が開発され
てきたが、反射率が低く、Ｃ／Ｎが低くなるという欠点
がある。本発明は、この欠点をなくした光記録媒体を提
供する。【解決手段】透明基板１上に記録層２が１層設けられ
ている光記録媒体において、記録層２が主としてInとTe
とからなる合金膜であり、かつInとTeの原子数比が67：
33〜90：10の範囲にある光記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、エネルギービーム
の照射により記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記
録・再生が可能である光記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】レーザービームの照射による記録可能な
光記録媒体としてCD-R、DVD-R等の追記型光記録媒体な
どがある。これらの光記録媒体はCD-ROMあるいはDVD-RO
Mと再生互換性があり、小規模の配布用記録媒体や保存
用の記録媒体として使用されている。しかし、CD-R、DV
D-Rは有機色素を塗布するため、ROMの工程と比較して格
段に製造コストが高くなるという問題があった。

【０００３】そこで、CD-ライトワンス（以下WOとい
う）、DVD-WO記録媒体が開発されてきた。WO記録媒体に
は穴あけ記録方式、相変化記録方式、合金化記録方式等
がある。コストの面から考えれば穴あけ記録方式が有望
であるが、穴あけ記録方式ではC／Nが低くなってしまう
という問題があった。これは穴を開けたピット部分にお
いて溶融した膜がピット内に水玉のようになって残った
り、周辺部に盛り上がったりすることが原因であった。
また、穴あけ記録方式の場合、記録層は１層から構成さ
れているが、これが通常使用されてきた材料であるとRO
Mの高い反射率に対応できず規格外製品となってしまっ
ていた。ROM対応の高い反射率を１層の記録層で実現し
ようとすると、記録層の材料としてＡｌ、Ａｇ、Ｃｕな
どが考えられるが、反射率が高すぎ、とても通常のレー
ザー照射では穴が開かなかった。

【０００４】特開平３−２４０５８９号公報には、記録
層としてSb₂S₃を用い、反射膜としてAuを用いる相変化
記録方式の光記録媒体が提案されているが、この構成は
２種類のスパッタを必要とし、工程が増えることにより
高コストとなる欠点がある。また、特開平５−２２５６
０６号公報には、記録層としてBiとTeの積層構造を採用
し、記録とともに合金化し、分光反射率が低下するよう
な膜厚比となっている合金化記録方式の光記録媒体が提
案されているが、この技術も２層以上の膜のスパッタを
必要とし、工程が増え、高コストとなる欠点がある。さ
らに、特開平１−１６２２４７号公報には、記録層とし
てGaとTeからなる合金を用い、GaとTeの使用割合をGa:T
eとして２：１〜１：１もしくは２：３〜１：３に設定
する相変化記録方式の光記録媒体が提案されているが、
この技術では成膜時の状態が非晶質であり反射率が低い
ため初期化処理が必要である。そのため工程が増えコス
トの増大を招いていた。

【０００５】なお、記録層を構成する材料を融点まで加
熱すればよい相変化記録方式に比べ、該材料を沸点以上
に加熱する穴あけ記録方式では、大きな熱量が必要であ
る。そのため、穴あけ記録方式では、相変化記録方式に
比べ例えば大きな半導体レーザーパワーを必要とする
が、高線速記録を目的とすると半導体レーザーのパワー
が不足し、感度が不足するという問題がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、高い反射率を有するとともに、高いＣ／Ｎを有す
る光記録媒体を安価に提供することにある。また本発明
の別の目的は、高い感度を有するとともに、高線速記録
に十分対応可能な光記録媒体を安価に提供することにあ
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、透明
基板上に記録層が１層設けられるとともに、エネルギー
ビームの照射により前記記録層に光学的変化を生じさ
せ、情報の記録・再生が可能である光記録媒体におい
て、前記記録層が主としてInとTeとからなる合金膜であ
り、かつInとTeの原子数比が67：33〜90：10の範囲にあ
ることを特徴とする光記録媒体である。この構成によれ
ば、高い反射率を有するとともに、高いＣ／Ｎを有する
光記録媒体を安価に提供することができる。

【０００８】請求項２の発明は、透明基板上に記録層が
１層設けられるとともに、エネルギービームの照射によ
り前記記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記録・再
生が可能である光記録媒体において、前記記録層が主と
してInとTeとからなる合金膜であり、かつInとTeの原子
数比が40：60〜50：50の範囲にあることを特徴とする光
記録媒体である。この構成によれば、高い反射率を有す
るとともに、高いＣ／Ｎを有する光記録媒体を安価に提
供することができる。

【０００９】請求項３の発明は、透明基板上に記録層が
１層設けられるとともに、エネルギービームの照射によ
り前記記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記録・再
生が可能である光記録媒体において、前記記録層が主と
してInとTeとからなる合金膜であり、かつ前記記録層が
酸化されていることを特徴とする光記録媒体である。こ
の構成によれば、高い反射率を有するとともに、高いＣ
／Ｎを有する光記録媒体を安価に提供することができ
る。

【００１０】請求項４の発明は、前記記録層が、酸素を
１〜２０ａｔ％の割合で含むことを特徴とする請求項３
に記載の光記録媒体である。この構成によれば、一層高
い反射率を有するとともに、高いＣ／Ｎを有する光記録
媒体を安価に提供することができる。

【００１１】請求項５の発明は、前記記録層が、ZrとAl
との混合物を添加物として含み、かつ前記記録層が前記
混合物を１〜１５ａｔ％の割合で含むことを特徴とする
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の光記録媒体で
ある。この構成によれば、一層高い反射率を有するとと
もに、高いＣ／Ｎを有し、なおかつ保存特性に優れた光
記録媒体を安価に提供することができる。

【００１２】請求項６の発明は、前記記録層が、1×10
^-5J／cm² 〜 8×10^-5J／cm²の範囲の表面張力を有する
元素（ただし、前記表面張力は前記元素の融点で測定さ
れた値である）を添加物として含むことを特徴とする請
求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体であ
る。この構成によれば、一層高い反射率を有するととも
に、高いＣ／Ｎを有する光記録媒体を安価に提供するこ
とができる。

【００１３】請求項７の発明は、前記元素がZn、Bi、G
e、Ga、Pb、Sb、Se、Eu、Tb またはDyであり、前記記録
層が前記元素を１〜１５ａｔ％の割合で含むことを特徴
とする請求項６に記載の光記録媒体である。この構成に
よれば、一層高い反射率を有するとともに、高いＣ／Ｎ
を有する光記録媒体を安価に提供することができる。

【００１４】請求項８の発明は、透明基板上に記録層が
１層設けられるとともに、エネルギービームの照射によ
り前記記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記録・再
生が可能である光記録媒体において、前記記録層が主と
してInとTeとからなる合金膜であり、かつInとTeの原子
数比が0.5：99.5〜20：80の範囲にあることを特徴とす
る光記録媒体である。この構成によれば、高い反射率を
有するとともに、高いＣ／Ｎを有する光記録媒体を安価
に提供することができる。

【００１５】請求項９の発明は、前記記録層が、ZrとAl
との混合物を添加物として含み、かつ前記記録層が前記
混合物を１〜１５ａｔ％の割合で含むことを特徴とする
請求項８に記載の光記録媒体である。この構成によれ
ば、一層高い反射率を有するとともに、高いＣ／Ｎを有
し、なおかつ保存特性に優れた光記録媒体を安価に提供
することができる。

【００１６】請求項１０の発明は、前記記録層が、1×1
0^-5J／cm² 〜 8×10^-5J／cm²の範囲の表面張力を有する
元素（ただし、前記表面張力は前記元素の融点で測定さ
れた値である）を添加物として含むことを特徴とする請
求項８または９に記載の光記録媒体である。この構成に
よれば、一層高い反射率を有するとともに、高いＣ／Ｎ
を有する光記録媒体を安価に提供することができる。

【００１７】請求項１１の発明は、前記元素がZn、Bi、
Ge、Ga、Pb、Sb、Se、Eu、Tb またはDyであり、前記記
録層が前記元素を１〜１５ａｔ％の割合で含むことを特
徴とする請求項１０に記載の光記録媒体である。この構
成によれば、一層高い反射率を有するとともに、高いＣ
／Ｎを有する光記録媒体を安価に提供することができ
る。

【００１８】請求項１２の発明は、透明基板上に記録層
が１層設けられるとともに、エネルギービームの照射に
より前記記録層に光学的変化を生じさせ、情報の記録・
再生が可能である光記録媒体において、前記記録層が主
としてInとTeとからなる合金膜であり、InとTeの原子数
比が0.5：99.5〜20：80の範囲にあり、かつ前記記録層
が沸点が９５０℃以下の元素を含むことを特徴とする光
記録媒体である。この構成によれば、高い感度を有する
とともに、高線速記録に十分対応可能な光記録媒体を安
価に提供することができる。

【００１９】請求項１３の発明は、前記沸点が９５０℃
以下の元素がS、P、Se、ZnまたはIである請求項１２に
記載の光記録媒体である。この構成によれば、一層高い
感度を有するとともに、高線速記録に十分対応可能な光
記録媒体を安価に提供することができる。

【００２０】請求項１４の発明は、前記記録層が前記元
素を０．５〜２０ａｔ％の割合で含むことを特徴とする
請求項１２または１３に記載の光記録媒体である。この
構成によれば、一層高い感度を有するとともに、高線速
記録に十分対応可能な光記録媒体を安価に提供すること
ができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の光記録媒体の一
例（ＤＶＤ）を説明するための断面図である。図１にお
いて、透明基板１上に記録層２、紫外線硬化樹脂層３、
接着層４、カバー基板５が順次積層されている。

【００２２】本発明の光記録媒体は、以下に示すような
記録層２の特定の形態に特徴がある。すなわち：（１）記録層２が主としてInとTeとからなる合金膜であ
り、かつInとTeの原子数比が67：33〜90：10の範囲にあ
る。（２）記録層２が主としてInとTeとからなる合金膜であ
り、かつInとTeの原子数比が40：60〜50：50の範囲にあ
る。（３）記録層２が主としてInとTeとからなる合金膜であ
り、かつ記録層２が酸化されている。（４）記録層２が主としてInとTeとからなる合金膜であ
り、かつInとTeの原子数比が0.5：99.5〜20：80の範囲
にある。（５）記録層２が主としてInとTeとからなる合金膜であ
り、InとTeの原子数比が0.5：99.5〜20：80の範囲にあ
り、かつ記録層２が沸点が９５０℃以下の元素を含む。

【００２３】前記（１）〜（４）の態様において、光記
録媒体の保存特性を高めるために、記録層２にZrとAlと
の混合物を添加物として含有させてもよい。この場合、
記録層２は、前記混合物を１〜１５ａｔ％の割合で含む
ことが好ましい。

【００２４】また、前記（１）〜（４）の態様におい
て、一層高いＣ／Ｎを提供するために、記録層２に1×1
0^-5J／cm² 〜 8×10^-5J／cm²の範囲の表面張力を有する
元素（ただし、前記表面張力は前記元素の融点で測定さ
れた値である）を添加物として含有させてもよい。この
ような元素は、例えばZn、Bi、Ge、Ga、Pb、Sb、Se、E
u、Tb またはDy等が挙げられる。該元素の添加割合は、
記録層２中、１〜１５ａｔ％が例示される。

【００２５】なお、前記（３）の態様において、記録層
２は、酸素を１〜２０ａｔ％の割合で含むことが好まし
い。

【００２６】前記（５）の態様において、沸点が９５０
℃以下の元素としては、S、P、Se、ZnまたはI等が挙げ
られる。この場合、記録層２は前記元素を０．５〜２０
ａｔ％の割合で含むのが好ましい。なお、これら元素の
沸点を下記に示す（Teの沸点及び融点も併せて記載す
る）。

【００２７】

【００２８】なお、記録層２は、公知の各種気相成長
法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム
法などにより形成することができる。

【００２９】また、透明基板１またはカバー基板５の材
料としては、例えばガラス、セラミックス、樹脂などが
挙げられる。代表例としてはポリカーボネート、アクリ
ル、エポキシ、ポリスチレン、ポリプロピレン、シリコ
ーン、フッ素樹脂、ＡＢＳ、ウレタンなどが挙げられる
が、成形性の点から樹脂基板が好ましく、とくに加工
性、光学特性などの点からポリカーボネートが好まし
い。また、基板の形状はディスク状、カード状、あるい
はシート状であってもよい。

【００３０】カバー基板５は、ラジカルＵＶ方式、カチ
オン方式、ヒートシール方式、両面接着シート方式など
の公知の貼り合せ方式により積層することができる。紫
外線硬化樹脂層３は、設けても設けなくてもよいが、紫
外線硬化樹脂層３を設けない構成では、カバー基板５は
ラジカルＵＶ方式のように酸素や水分を透過しない方式
で設けることが望ましい。

【００３１】光記録媒体において、記録層に記録する場
合その反射率変化はhigh to lowでなければROM互換とな
らないが、本発明の前記（１）〜（４）の態様によれ
ば、その記録原理は穴あけ記録方式、相変化記録方式の
いずれも採用することができる。本発明の前記（１）〜
（４）の態様において、穴あけ記録方式を採用する場
合、記録層の構成材料の表面張力が問題となる。表面張
力が強いものでは記録層の構成材料が小さな玉状の固ま
りとなって、エネルギービームによって形成された穴の
内部や周辺に残ることがあり、表面張力の弱いものでは
穴の内部に不規則な形の残留物が見られるようになる。
そこで表面張力を適当な値に調整する必要が生じるが、
本発明者らは鋭意検討の結果、記録層を前記のような特
定の態様に設定することにより、穴あけ記録方式に適し
た表面張力に調整でき、きれいなピットを開けることが
可能になり、Ｃ／Ｎを向上させることに成功した。とく
に前記（１）〜（４）の態様において、記録層に表面張
力が1×10^-5J／cm² 〜 8×10 ^-5J／cm²である元素を添加
することが好ましく、中でもZn、Bi、Ge、Ga、Pb、Sb、
Se、Eu、Tb またはDyがＣ／Ｎを向上させる効果が高い
ことを見出した。また、前記（５）の態様において、本
発明者らは、InとTeの原子数比を0.5：99.5〜20：80の
範囲に設定することにより反射率が高くなり、１層の記
録層のみでもＲＯＭ規格の反射率を満たすことができ、
さらに記録層中に沸点が950℃以下の元素を添加するこ
とにより大きくその感度が改良されることを見出した。
前記元素を添加物とすることにより、溶融したＩｎＴｅ
合金膜を蒸発した添加物が押し広げ、低いレーザーパワ
ーもしくは高線速における書き込みを大きく改善するこ
とができる。なぜ前記添加物が感度を改善することがで
きるのか、現時点では明らかにできなかったが、レーザ
ーが当たって添加物が蒸発する時間とTeが融解する時間
との差がほとんどないために蒸発に伴う爆発力が記録ピ
ットの迅速な形成に寄与するものと考えられる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明す
る。（実施例１）図１に記載したような光記録媒体（ＤＶ
Ｄ）を作製した。ピッチ０．７４μｍ、深さ４００Åの
溝付き、厚さ０．６mm、直径φ１２０mmのポリカーボネ
ート樹脂製透明基板１上に、記録層２を厚み４００Åと
してスパッタ法により積層した。なお、この記録層２
は、InとTeとからなる合金膜であり、InとTeの原子数比
を種々設定した。続いて、記録層２上に紫外線硬化樹脂
層３を、スピンコート及び紫外線照射により形成した。
次に、接着層４を介してカバー基板５をラジカルＵＶ方
式で貼り合せ、光記録媒体を得、Ｃ／Ｎおよび反射率を
測定した。評価条件は、記録線速３．５m／s、線密度＝
０．２６７μｍ／bit、記録レーザー波長６３５nm、Ｎ
Ａ＝０．６である。合金膜の組成をIn _xTe_1-xとしたと
きのｘ（ａｔ％）に対するＣ／Ｎおよび反射率の測定結
果を、図２および図３にそれぞれ示す。

【００３３】（実施例２）合金膜の材料としてIn₂Te₃を
用い、かつスパッタ中の雰囲気に酸素を混合させたこと
以外は、実施例１を繰り返した。合金膜の組成を（In₂T
e₃）_1-xＯ_xしたときのｘ（ａｔ％）に対するＣ／Ｎおよ
び反射率の測定結果を、図４および図５にそれぞれ示
す。

【００３４】（実施例３）合金膜の材料としてZr₅Al₅In
₆₃Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表１に示す。なお、表１中の保存特性と
は、８０℃で１００時間光記録媒体を保存した後のＣ／
Ｎ値の保持率を意味している。

【００３５】（実施例４）合金膜の材料としてZn₁₀In₆₃
Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り返
した。結果を表１に示す。

【００３６】（実施例５）合金膜の材料としてBi₁₀In₆₃
Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り返
した。結果を表１に示す。

【００３７】（実施例６）合金膜の材料としてGe₁₀In₆₃
Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り返
した。結果を表１に示す。

【００３８】（実施例７）合金膜の材料としてGa₁₀In₆₃
Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り返
した。結果を表１に示す。

【００３９】（実施例８）合金膜の材料としてPb₁₀In₆₃
Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り返
した。結果を表１に示す。

【００４０】（実施例９）合金膜の材料としてSb₁₀In₆₃
Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り返
した。結果を表１に示す。

【００４１】（実施例１０）合金膜の材料としてSe₁₀In
₆₃Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表１に示す。

【００４２】（実施例１１）合金膜の材料としてEu₁₀In
₆₃Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表１に示す。

【００４３】（実施例１２）合金膜の材料としてTb₁₀In
₆₃Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表１に示す。

【００４４】（実施例１３）合金膜の材料としてDy₁₀In
₆₃Te₂₇（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表１に示す。

【００４５】

【表１】

【００４６】（実施例１４）合金膜の材料としてZr₅Al₅
In₅Te₈₅（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰
り返した。結果を表２に示す。

【００４７】（実施例１５）合金膜の材料としてZn₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００４８】（実施例１６）合金膜の材料としてBi₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００４９】（実施例１７）合金膜の材料としてGe₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５０】（実施例１８）合金膜の材料としてGa₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５１】（実施例１９）合金膜の材料としてPb₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５２】（実施例２０）合金膜の材料としてSb₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５３】（実施例２１）合金膜の材料としてSe₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５４】（実施例２２）合金膜の材料としてEu₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５５】（実施例２３）合金膜の材料としてTb₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５６】（実施例２４）合金膜の材料としてDy₁₀In
₆Te₈₄（ａｔ％）を用いたこと以外は、実施例１を繰り
返した。結果を表２に示す。

【００５７】

【表２】

【００５８】（実施例２５）図１に記載したような光記
録媒体（ＤＶＤ）を作製した。ピッチ０．７４μｍ、深
さ４００Åの溝付き、厚さ０．６mm、直径φ１２０mmの
ポリカーボネート樹脂製透明基板１上に、記録層２を厚
み４００Åとしてスパッタ法により積層した。なお、こ
の記録層２は、表１に示すような各種元素を１０ａｔ％
含むものであり、残部はIn₈Te₉₂である。続いて、記録
層２上に紫外線硬化樹脂層３を、スピンコート及び紫外
線照射により形成した。次に、接着層４を介してカバー
基板５をラジカルＵＶ方式で貼り合せ、光記録媒体を
得、感度の評価を行った。評価条件は、記録線速３．５
m／s（１倍速）、線密度＝０．２６７μｍ／bit、記録
レーザー波長６３５nm、ＮＡ＝０．６であり、記録層２
における穴あけ記録が可能となるレーザーパワーを１倍
速と２倍速とで比較した。結果を表３に示す。

【００５９】

【表３】

【００６０】図６は、前記実施例２５で作製した光記録
媒体の記録層を主体がIn₈Te₉₂であるものとし、添加元
素としてＳを用い、Ｓの添加割合を振った場合の１倍速
におけるレーザーパワー（記録パワー）およびＣ／Ｎを
示している。図６において、Ｓを０．５ａｔ％以上添加
すると感度が高くなり、２０ａｔ％超の添加でＣ／Ｎが
低下している。なお、ここでの記録は３Ｔの矩形波記録
である。

【００６１】

【発明の効果】本発明によれば、高い反射率を有すると
ともに、高いＣ／Ｎを有する光記録媒体を安価に提供す
ることができる。また本発明によれば、一層高い感度を
有するとともに、高線速記録に十分対応可能な光記録媒
体を安価に提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一例（ＤＶＤ）を説明す
るための断面図である。

【図２】実施例１において、合金膜の組成をIn_xTe_1-xと
したときのｘ（ａｔ％）に対するＣ／Ｎの測定結果を示
す図である。

【図３】実施例１において、合金膜の組成をIn_xTe_1-xと
したときのｘ（ａｔ％）に対する反射率の測定結果を示
す図である。

【図４】実施例２において、合金膜の組成を（In₂Te₃）
_1-xＯ_xしたときのｘ（ａｔ％）に対するＣ／Ｎの測定結
果を示す図である。

【図５】実施例２において、合金膜の組成を（In₂Te₃）
_1-xＯ_xしたときのｘ（ａｔ％）に対する反射率の測定結
果を示す図である。

【図６】本発明の光記録媒体のＳの添加割合と、記録パ
ワー及びＣ／Ｎとの関係を示す図である。

【符号の説明】

１透明基板２記録層３紫外線硬化樹脂層４接着層５カバー基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者影山喜之東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者菅原智明東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA12 EA23 FB05 FB07 FB09 FB10 FB12 FB15 FB16 FB19 FB21 FB25 FB26 FB29 FB30 5D029 JA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板上に記録層が１層設けられると
ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
記録媒体において、前記記録層が主としてInとTeとから
なる合金膜であり、かつInとTeの原子数比が67：33〜9
0：10の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】透明基板上に記録層が１層設けられると
ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
記録媒体において、前記記録層が主としてInとTeとから
なる合金膜であり、かつInとTeの原子数比が40：60〜5
0：50の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】透明基板上に記録層が１層設けられると
ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
記録媒体において、前記記録層が主としてInとTeとから
なる合金膜であり、かつ前記記録層が酸化されているこ
とを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】前記記録層が、酸素を１〜２０ａｔ％の
割合で含むことを特徴とする請求項３に記載の光記録媒
体。
【請求項５】前記記録層が、ZrとAlとの混合物を添加
物として含み、かつ前記記録層が前記混合物を１〜１５
ａｔ％の割合で含むことを特徴とする請求項１ないし４
のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項６】前記記録層が、1×10^-5J／cm² 〜 8×10
^-5J／cm²の範囲の表面張力を有する元素（ただし、前記
表面張力は前記元素の融点で測定された値である）を添
加物として含むことを特徴とする請求項１ないし５のい
ずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項７】前記元素がZn、Bi、Ge、Ga、Pb、Sb、S
e、Eu、Tb またはDyであり、前記記録層が前記元素を１
〜１５ａｔ％の割合で含むことを特徴とする請求項６に
記載の光記録媒体。
【請求項８】透明基板上に記録層が１層設けられると
ともに、エネルギービームの照射により前記記録層に光
学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である光
記録媒体において、前記記録層が主としてInとTeとから
なる合金膜であり、かつInとTeの原子数比が0.5：99.5
〜20：80の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
【請求項９】前記記録層が、ZrとAlとの混合物を添加
物として含み、かつ前記記録層が前記混合物を１〜１５
ａｔ％の割合で含むことを特徴とする請求項８に記載の
光記録媒体。
【請求項１０】前記記録層が、1×10^-5J／cm² 〜 8×
10^-5J／cm²の範囲の表面張力を有する元素（ただし、前
記表面張力は前記元素の融点で測定された値である）を
添加物として含むことを特徴とする請求項８または９に
記載の光記録媒体。
【請求項１１】前記元素がZn、Bi、Ge、Ga、Pb、Sb、
Se、Eu、Tb またはDyであり、前記記録層が前記元素を
１〜１５ａｔ％の割合で含むことを特徴とする請求項１
０に記載の光記録媒体。
【請求項１２】透明基板上に記録層が１層設けられる
とともに、エネルギービームの照射により前記記録層に
光学的変化を生じさせ、情報の記録・再生が可能である
光記録媒体において、前記記録層が主としてInとTeとか
らなる合金膜であり、InとTeの原子数比が0.5：99.5〜2
0：80の範囲にあり、かつ前記記録層が沸点が９５０℃
以下の元素を含むことを特徴とする光記録媒体。
【請求項１３】前記沸点が９５０℃以下の元素がS、
P、Se、ZnまたはIである請求項１２に記載の光記録媒
体。
【請求項１４】前記記録層が前記元素を０．５〜２０
ａｔ％の割合で含むことを特徴とする請求項１２または
１３に記載の光記録媒体。