JPS6370938A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS6370938A JPS6370938A JP61216451A JP21645186A JPS6370938A JP S6370938 A JPS6370938 A JP S6370938A JP 61216451 A JP61216451 A JP 61216451A JP 21645186 A JP21645186 A JP 21645186A JP S6370938 A JPS6370938 A JP S6370938A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔（既要〕
光情報の記録に用いる特に、追記型光記憶ディスクの記
録媒体の構成に係り、記録媒体の下地膜に極めて薄い単
原子層または複数の原子層の高融点金属膜を形成するこ
とによって、感度のよいかつ記録信号品質の優れた光記
憶ディスクが得られることを提示する。
録媒体の構成に係り、記録媒体の下地膜に極めて薄い単
原子層または複数の原子層の高融点金属膜を形成するこ
とによって、感度のよいかつ記録信号品質の優れた光記
憶ディスクが得られることを提示する。
本発明は、光集束のビームパワーあるいは照射時間の異
なるパルスを基板上の記録媒体に照射して、アナログ信
号等の情報記憶ディスクを形成する光記録媒体に関する
。
なるパルスを基板上の記録媒体に照射して、アナログ信
号等の情報記憶ディスクを形成する光記録媒体に関する
。
係る光記憶ディスク用記録媒体としては、ビスマス（Ｂ
ｉ）やテルル（Ｔｅ）のような融点が４５０℃またはそ
れ以下の低融点金属の蒸着膜を形成し、これに半導体レ
ーザによる光ビームを照射し、該照射エネルギーにより
時間軸長の異なるビットを形成して画像情報等を記録す
ることが行われている。
ｉ）やテルル（Ｔｅ）のような融点が４５０℃またはそ
れ以下の低融点金属の蒸着膜を形成し、これに半導体レ
ーザによる光ビームを照射し、該照射エネルギーにより
時間軸長の異なるビットを形成して画像情報等を記録す
ることが行われている。
然し、近時は前記低融点金属の薄膜とフタロシアニン顔
料（昇華性有機物）とからなる記録媒体膜を形成して照
射ビームエネルギーがより少なくても優れた信号記録、
あるいは記録信号の再生が可能な記録信号の忠実度の高
い光記憶ディスクの検討がされている。
料（昇華性有機物）とからなる記録媒体膜を形成して照
射ビームエネルギーがより少なくても優れた信号記録、
あるいは記録信号の再生が可能な記録信号の忠実度の高
い光記憶ディスクの検討がされている。
第４図は従来における光記録媒体の膜構成断面図、第５
図は光記憶ディスクの斜視図であり１図面に従ってその
構成を説明する。
図は光記憶ディスクの斜視図であり１図面に従ってその
構成を説明する。
第４図断面図において、光透過性のかつ平坦性の優れる
プラスチック基板２１を用いる。
プラスチック基板２１を用いる。
前記基板２１に形成する光記録媒体膜２０の構成は次の
通り。
通り。
真空蒸着法またはスパッタ法により、先ず酸化シリコン
膜５ｉＯｚ２２ （厚さ５０ｎｍ）を形成し、続いてフ
タロシニアン顔料として知られる昇華性有機物（耐光性
有！顔料）１例えば銅フタロシアニン膜２３（厚さ５０
ｎｍ）を形成し、更にその上に例えば低融点４５０°Ｃ
のＴｅ膜膜種４厚さ２０ｎｍ）を形成する。
膜５ｉＯｚ２２ （厚さ５０ｎｍ）を形成し、続いてフ
タロシニアン顔料として知られる昇華性有機物（耐光性
有！顔料）１例えば銅フタロシアニン膜２３（厚さ５０
ｎｍ）を形成し、更にその上に例えば低融点４５０°Ｃ
のＴｅ膜膜種４厚さ２０ｎｍ）を形成する。
めで組立てたエアーサンドインチ構成の光記憶ディスク
である。ディスク基板１５の外径は３０ｃｍ、また図中
、１７とＩＢは対向ディスク基板間のそれぞれて、基板
回転数を１８００ｒｐｍとして情報の記録・再生を試み
た結果によれば、信号記２．にのレージ４パワー閣値が
略４ 、２ｉＷ程度であり、また高周波敬の信号記録に
対する忠実度は略意図するものであることが確認された
。
である。ディスク基板１５の外径は３０ｃｍ、また図中
、１７とＩＢは対向ディスク基板間のそれぞれて、基板
回転数を１８００ｒｐｍとして情報の記録・再生を試み
た結果によれば、信号記２．にのレージ４パワー閣値が
略４ 、２ｉＷ程度であり、また高周波敬の信号記録に
対する忠実度は略意図するものであることが確認された
。
第６図は前記レーザパワーの照射によって、昇華性有機
物及び低融点金属よりなる記録媒体膜を蒸発逸散せしめ
て生成されたピット２７を示す。
物及び低融点金属よりなる記録媒体膜を蒸発逸散せしめ
て生成されたピット２７を示す。
同図（ａ）は、同図（ｂ）におけるピット２７の長さ方
向の後端部１図示Ａ−Ａ指標線位置の巾方向拡大断面形
状を示し、同図（ｂ）は連続的に二つの異なる信号記録
がされたピント２６及び２７の長さ方向断面形状信号の
記録時にはそれぞれ異なる信号記録ビット長を有するピ
ット２６と２７等が形成されるが、この場合、パルス周
期の長い同図（ｂ）に示す長さくβ）が例えば１０μｍ
にもなるピット形成に際しては。
向の後端部１図示Ａ−Ａ指標線位置の巾方向拡大断面形
状を示し、同図（ｂ）は連続的に二つの異なる信号記録
がされたピント２６及び２７の長さ方向断面形状信号の
記録時にはそれぞれ異なる信号記録ビット長を有するピ
ット２６と２７等が形成されるが、この場合、パルス周
期の長い同図（ｂ）に示す長さくβ）が例えば１０μｍ
にもなるピット形成に際しては。
ビット長さ方向後端部においてその両縁が盛り上がる異
常リム２５（同図（ａ））の発生がある。また核酸端部
の記録媒体はその蒸発逸散が不充分なこと６二よるピッ
ト底面の整形なまり３０が生ずる。
常リム２５（同図（ａ））の発生がある。また核酸端部
の記録媒体はその蒸発逸散が不充分なこと６二よるピッ
ト底面の整形なまり３０が生ずる。
これにともない記録信号再生（光情報の読み出し）時に
おけるタイムマージンが２０％程度も変動することにな
り問題がある。
おけるタイムマージンが２０％程度も変動することにな
り問題がある。
第１図は本発明に係る光記録媒体膜構成の実施例断面図
である。
である。
基板１上に高融点の金属１膜２を単原子層または複数原
子層の厚さに形成し、続いて昇華性有機物３．及び低融
点の金属薄膜４よりなる記録媒体膜を積層することによ
って前記の問題点を解決したものである。
子層の厚さに形成し、続いて昇華性有機物３．及び低融
点の金属薄膜４よりなる記録媒体膜を積層することによ
って前記の問題点を解決したものである。
前記昇華性有機物と低融点金属薄膜よりなる記録媒体膜
の下地層に極めて薄い高融点金属３膜を形成すれば、基
板側界面での界面張力を増大させ。
の下地層に極めて薄い高融点金属３膜を形成すれば、基
板側界面での界面張力を増大させ。
レーザビームの照射による記録媒体膜の溶融に際して均
一なピットが形成される。
一なピットが形成される。
これによって信号記録ピントが整形容易となる。
従って、再生タイムマージンの変動が少ない光記憶ディ
スクが形成されることになる。第２図は本発明による光
記録媒体により整形された信号記録ピット形状を示す断
面図と平面図である。
スクが形成されることになる。第２図は本発明による光
記録媒体により整形された信号記録ピット形状を示す断
面図と平面図である。
以下５本発明の一実施例を第１図の光記録媒体膜構成図
と、第３図蒸着装置のＰＪ略断面図を参照しながら説明
する。
と、第３図蒸着装置のＰＪ略断面図を参照しながら説明
する。
第３図に示される真空蒸着装置中、直径３０ｃｍ。
）７さ１ 、２１１ｗのプリグループ形成になるかつそ
の表面は厚さ５０ｎｍ程変の二酸化シリコンＳ ｔ Ｑ
２が形成されたアクリル基板１０が装着される。
の表面は厚さ５０ｎｍ程変の二酸化シリコンＳ ｔ Ｑ
２が形成されたアクリル基板１０が装着される。
そして、真空排気系に連接する排気孔１１により真空度
；５ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒとした後、電子ビー１４蒸着
源１２より高融点金属の例えば、クロム（Ｃｒ、融点１
９００℃）を蒸着させて厚さが略１０ｎｍ程度の金属薄
膜を成膜する。次に昇華性有機物である銅フタロシアニ
ン（Ｃｕ−ＰｈＬｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ融点４００〜
４２０℃）を抵抗加熱蒸着ｔＸ１３から蒸着せしめて該
フタロシアニン膜を厚さ１５ｎｍ成膜する。
；５ Ｘ １０＝Ｔｏｒｒとした後、電子ビー１４蒸着
源１２より高融点金属の例えば、クロム（Ｃｒ、融点１
９００℃）を蒸着させて厚さが略１０ｎｍ程度の金属薄
膜を成膜する。次に昇華性有機物である銅フタロシアニ
ン（Ｃｕ−ＰｈＬｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ融点４００〜
４２０℃）を抵抗加熱蒸着ｔＸ１３から蒸着せしめて該
フタロシアニン膜を厚さ１５ｎｍ成膜する。
続いて、テルル（’ｒｅ、融点４４９°Ｃ）またはＴｅ
化合物の抵抗加熱蒸着ａ１４からテルルまたはテルル化
合物何れかの低融点金属薄膜を厚さ２０ｎｍ成膜する。
化合物の抵抗加熱蒸着ａ１４からテルルまたはテルル化
合物何れかの低融点金属薄膜を厚さ２０ｎｍ成膜する。
第１図は、かような高融点金属薄膜２．銅フタロシアニ
ン膜３．及び低融点金属薄膜４を順次。
ン膜３．及び低融点金属薄膜４を順次。
成膜した光記録媒体膜５の断面図である。
前記光記録媒体膜５を有するディスク基板を第５図の如
（組立て、これを光情報記録の光学ヘッド系に取り付け
、それぞれ異なる信号記録ビットを形成してそのビット
形状を観察した。
（組立て、これを光情報記録の光学ヘッド系に取り付け
、それぞれ異なる信号記録ビットを形成してそのビット
形状を観察した。
第２図はビット長（β）がそれぞれ１．２，３゜５．１
０ （単位はμｍ）とする本発明の記録媒体５の長さ方
向ピント１５．１６．１７と１８の断面図と形成ビノト
ニ の平面図（斜線人のパターン１９）である。
０ （単位はμｍ）とする本発明の記録媒体５の長さ方
向ピント１５．１６．１７と１８の断面図と形成ビノト
ニ の平面図（斜線人のパターン１９）である。
即ち、記録媒体としてＣｒ等の高融点金属３膜２を介在
させることにより、ビット整形性の良い記録ビットが形
成される。
させることにより、ビット整形性の良い記録ビットが形
成される。
前記実施例では高融点金属薄膜２としてＣｒを取り上げ
たが、Ｃｒの他、タングステン、モリブデン２あるいは
チタンを使用するも構わない。
たが、Ｃｒの他、タングステン、モリブデン２あるいは
チタンを使用するも構わない。
また実施例における銅フタロシアニン膜３に替わってス
ルホン化銅フタロシアニン膜を用いてもよい。
ルホン化銅フタロシアニン膜を用いてもよい。
以上説明したように本発明の光記録媒体によれば、基板
下地側に掻めて薄い高融点金属薄膜を具備せしめたこと
から、怒度のよいかつ記録信号のピント形成が忠実性よ
く行われる信号品質の優れた光晶己憶ディスクが実現さ
れる。
下地側に掻めて薄い高融点金属薄膜を具備せしめたこと
から、怒度のよいかつ記録信号のピント形成が忠実性よ
く行われる信号品質の優れた光晶己憶ディスクが実現さ
れる。
第１図は本発明の光記録媒体膜構成の実施例とする断面
図。 第３図は蒸着装置の簡略断面図。 第４図は従来の光記録媒体膜構成断面図。 第５図は光記憶ディス・りの斜視図。 第６図（１１はピントの巾方向断面図（Ａ−Ａ部拡大断
面図）。 同図（ｂｌは長さ方向ビット断面図と正面図図中、１．
１０と２１はディスク基板。 ２は高融点の金属薄膜。 ３と２３は昇華性有機物の膜。 ４と２４は低融点の金属薄膜。 ２０は従来の光記録媒体膜。 及び１９．２８と２９は共にピントである。 プセ、１檻己１屹１ｔ１募イ本月ワとｇ元ｉｎっ１）ｚ
プ芭イク１肌１ｆ戸）Ｅオコ茅 １ 図 刃（乍ごθＲｔ＝よ敏やラケ商ピ・ソ［心り図ど」＝命
図第 ２ 図 第 ５ 図
図。 第３図は蒸着装置の簡略断面図。 第４図は従来の光記録媒体膜構成断面図。 第５図は光記憶ディス・りの斜視図。 第６図（１１はピントの巾方向断面図（Ａ−Ａ部拡大断
面図）。 同図（ｂｌは長さ方向ビット断面図と正面図図中、１．
１０と２１はディスク基板。 ２は高融点の金属薄膜。 ３と２３は昇華性有機物の膜。 ４と２４は低融点の金属薄膜。 ２０は従来の光記録媒体膜。 及び１９．２８と２９は共にピントである。 プセ、１檻己１屹１ｔ１募イ本月ワとｇ元ｉｎっ１）ｚ
プ芭イク１肌１ｆ戸）Ｅオコ茅 １ 図 刃（乍ごθＲｔ＝よ敏やラケ商ピ・ソ［心り図ど」＝命
図第 ２ 図 第 ５ 図
Claims (2)
- （１）基板（１）上に高融点金属の薄膜（２）を単原子
層または複数原子層の厚さに形成し、続いて昇華性有機
物（３）及び低融点の金属薄膜（４）よりなる記録媒体
膜を形成してなることを特徴とする光記録媒体。 - （２）前記高融点金属はその融点が１５００℃以上であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光
記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216451A JPS6370938A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216451A JPS6370938A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370938A true JPS6370938A (ja) | 1988-03-31 |
Family
ID=16688724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61216451A Pending JPS6370938A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370938A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018085381A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 日本放送協会 | 光電変換膜、光電変換膜の製造方法、光電変換素子 |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61216451A patent/JPS6370938A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018085381A (ja) * | 2016-11-21 | 2018-05-31 | 日本放送協会 | 光電変換膜、光電変換膜の製造方法、光電変換素子 |
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