JPH10208279A - 回折光学素子の製造方法及び光ピックアップヘッド装置 - Google Patents

回折光学素子の製造方法及び光ピックアップヘッド装置

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JPH10208279A
JPH10208279A JP9008865A JP886597A JPH10208279A JP H10208279 A JPH10208279 A JP H10208279A JP 9008865 A JP9008865 A JP 9008865A JP 886597 A JP886597 A JP 886597A JP H10208279 A JPH10208279 A JP H10208279A
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JP
Japan
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resist
optical element
light
diffractive optical
substrate
Prior art date
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JP9008865A
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English (en)
Inventor
Kenji Igarashi
健二 五十嵐
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 0次光×1次光の光利用効率を向上させるこ
とができるブレ−ズ回折光学素子を提供すること。 【解決手段】 基板に塗布されたレジストをピッチ形状
のレジストパタ−ンに形成し、この形成されたピッチ形
状のレジストをマスクとしてエッチングし、このエッチ
ングされた基板に重金属膜を形成し、この溝を埋めるよ
うに上記基板上にレジスト膜を形成し、この溝に対して
所定の入射角をもつようにX線を照射し、この溝に残さ
れたレジストパタ−ンから無電解メッキ等により型を製
作し、射出成形により回折光学素子を製作するようにし
ている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、0次光×(プラス
またはマイナス)1次光の回折効率を向上することがで
きるブレーズ回折光学素子およびその製造方法と、この
製造方法により製造した回折光学素子を搭載した光ピッ
クアップヘッド装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般には、半導体露光技術またはエッチ
ング技術で製作する断面が矩形形状である回折光学素子
が使用されていた。しかしながら、近年断面がブレーズ
形状である回折光学素子の製作に関する特許も頻繁に提
案され始めている。
【0003】その中では、『ブレーズ化ホログラムの製
造方法および光ヘッド装置:特開平4−114187
号』では、イオンビームを斜め方向から照射することに
よりブレーズ回折光学素子を製作する試みがなされてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図3に示すように、光
ピックアップヘッド装置などに使用される回折光学素子
は、一般には往路では0次光を使用し、ディスク記録面
からの反射光である復路では1次光を使用している。図
において、半導体レ−ザ23から出射されたレ−ザ光
は、回折光学素子24を通過した後、対物レンズ22に
よりディスク21の記録面に収束される。そして、ディ
スク21の記録面からの反射光は、対物レンズ22を介
して回折光学素子24に入射される。そして、この回折
光学素子24により反射光が−1次光と+1次光に回折
される。この+1次光がディテクタ(PD)25に入射
される。
【0005】これまでの矩形の回折光学素子の回折効率
は、例えば0次光に57%、+1次光に17%、−1次
光に17%というように、±1次光が同等の光量となっ
てしまっていた(図4(a)参照)。
【0006】この結果、0次光57%×1次光17%の
光量が実際に使用できる、つまりディテクタ上で受ける
ことができるトータルの光量となる。すなわち、半導体
レ−ザ23から出射した光の約10%しかディテクタ2
5上に到達できない。
【0007】一方、鋸歯状溝を有するブレーズ回折光学
素子では、素子の溝深さをパラメータにすることによ
り、+1次光と−1次光の比率を制御することができ
(図4(b)参照)、トータルで0次光×(プラスまた
はマイナス)1次光の光量を大きく取ることができる。
そのため、最終的に記録面からの反射光を検出するディ
テクタ上での光量を大きくできるため、光ピックアップ
ヘッド装置に必要とされる光源のパワーに対する負担を
軽減することができる。
【0008】これまでの矩形回折光学素子から、前項に
示す理由によりブレーズ回折光学素子が使用され始めて
いる。しかしながら、これまでブレーズ回折光学素子を
短時間で効率よく、さらにブレーズ形状に制約を受ける
ことなく製作する方法がなかった。このように有効な製
作方法がなかった理由としては、ブレーズにするための
手法が、レジスト形状と基板の結晶方位に依存するエッ
チングレートの違いを利用した異方性エッチングによる
ものでブレーズの形状が設計値通りに直角三角形状の鋸
歯にならなかったり、前述した特開平4−114187
号公報にあるように、イオンビームによる局所的な加工
のため、製作に膨大な時間が必要となるためであった。
【0009】ここでは、ブレーズ回折光学素子を製作す
るプロセスで形成した溝形状をマスクとして使用し、あ
る露光時間に限ってX線を照射することにより、これま
でのイオンビームを利用した局所的な加工ではなく、例
えば20mm角の領域を一括で露光することができるた
め、製作時間を大幅に短縮することができる。また、エ
ッチングレートの違いを利用した製作方法では、基板の
結晶方位に依存する限定された形状にしか形成できなか
った制約を受けることがなくなった。
【0010】本発明は上記の点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、0次光×1次光の光利用効率を向上さ
せることができる回折光学素子およびその製造方法を提
供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】請求項1に係わる回折光
学素子の製造方法は、基板上にレジストを塗布するレジ
スト塗布工程と、このレジスト塗布工程により塗布され
たレジストをピッチ形状のレジストパタ−ンを形成する
レジストパタ−ン形成工程と、このレジストパタ−ン形
成工程で形成されたピッチ形状のレジストをマスクとし
て基板をエッチングするエッチング工程と、このエッチ
ング工程でエッチングされた基板に重金属膜を形成する
重金属膜形成工程と、上記レジストにより溝を埋めるレ
ジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、上記溝に対
して所定の入射角をもつようにX線を照射するX線照射
工程と、上記溝に残されたレジストパタ−ンから無電解
メッキ等により型を製作し、この型を用いて射出成形に
より回折光学素子を製作する光学素子形成工程とを具備
したことを特徴とする。
【0012】請求項2に係わる光ピックアップヘッド装
置は、請求項1で製作した回折光学素子を搭載し、光源
から出射する光ビームを本回折光学素子に入射し、0次
光を以て記録面に照射し、その記録面からの反射光を再
度本回折光学素子に入射し、+1次光または−1次光の
うち回折効率の高い側の光を以てディテクタで受ける光
学系を有することを特徴とする。
【0013】半導体プロセスによって形成したレジスト
パターンをマスクにして、基板をエッチングによって溝
加工した後、重金属系の膜を形成し、これをマスクとし
て、斜めからX線を露光することによりレジストパター
ンをブレーズ化する。
【0014】
【発明の実施の形態】図1及び図2を参照して回折光学
素子の製造方法について説明する。まず、図1(A)に
おいて、11は5インチ〜6インチ程度のシリコン基板
である。まず、このシリコン基板11上にレジスト塗布
装置等を用いてレジスト12を塗布する(図1
(B))。
【0015】そして、このレジスト12を光ピックアッ
プヘッド装置に搭載する目的で設計した回折光学素子の
形状(平面図:ピッチ、曲率など)に製作したマスクパ
ターンで露光/現像し、図1(C)に示すようにレジス
トパターン12aを形成する。 そして、このレジスト
パタ−ン12aをマスクとして、リアクティブイオンエ
ッチング(RIE)等により最も大きいピッチとブレー
ズの傾斜面の角度で決まる必要な深さdまで基板11を
図1(D)に示すようにエッチングする。
【0016】次に、このレジスト12aを剥離した後、
その上にスパッタまたは無電解メッキ等により、重金属
系(Au,Ta,W等)の膜13を図1(E)に示すよ
うに1μm程度の厚さに形成する。
【0017】次に、図2(F)に示すように、再度レジ
スト14を塗布し、レジスト14により溝15が埋まる
ように塗布する。そして、図2(G)に示すように、基
板11に対してθだけ傾斜させてX線を照射させる。こ
のX線の照射により図2(H)に示すように、重金属系
の膜13をマスクとしてレジスト14をエッチングす
る。
【0018】この際に、図5(A)に示すように、X線
の入射角度θを制御、つまりX線の到達する深さdを制
御することにより、図5(B)に示すように、ブレ−ズ
にしたレジストパタ−ンを形成する(図2(H))。
【0019】次に、無電解メッキ等を施すことにより型
となる材料16を形成する(図2(I))。そして、こ
の材料16を基板11から剥離する。このようにして、
回折光学素子を製造するための型17が形成される(図
2(J))。
【0020】そして、この型を用いて射出成形または圧
縮成形等により回折光学素子を製造する。なお、上記し
た実施の形態では、X線を用いて基板11を露光するよ
うにしたが、電子蓄積リングを光源とするシンクロトロ
ン放射によるX線を用いることにより、広がり角の小さ
いX線を発生させて利用することで、ブレーズの角度精
度を高めることができる。
【0021】このように、X線を利用することにより、
ブレーズを精度よく形成することができる。あらかじ
め、製作した矩形のレジストパターン(その後、重金属
系の膜を形成)をマスク代りとしてX線露光することに
より、ブレーズにしたレジストパターンを得ることがで
きる。
【0022】これまでのエッチングレートを利用した異
方性エッチングのようにブレーズ形状に制約を受けるこ
となく、イオンビーム加工のように非効率的でなく、短
時間で効率よくブレーズ回折光学素子を製作することが
できる。
【0023】このようにして製作されたブレ−ズ回折光
学素子を用いた光ピックアップヘッド装置について図3
を参照して説明する。図3において、21は光ディスク
である。この光ディスク21の裏面には各種情報を記録
する記録面が形成されている。この光ディスク21と所
定距離隔てて対物レンズ22が設置されている。この対
物レンズ22と所定距離隔てて半導体レ−ザ23が載置
されている。そして、この半導体レ−ザ23と対物レン
ズ22との間にブレ−ズ回折光学素子24が載置されて
いる。
【0024】さらに、ブレ−ズ回折光学素子24の斜め
後方に1次光(図中では+1次光)を検出するためのデ
ィテクタ25が載置されている。そして、半導体レ−ザ
23から放たれたレ−ザ光は、ブレ−ズ回折光学素子2
4を通過した後、光ディスク21の記録面で反射した
後、再度対物レンズ22を逆方向から通過した後、ブレ
−ズ回折光学素子24を通過し、その+1次光はディテ
クタ25に入射される。そして、このディテクタ25に
より光量が検出される。そして、ブレ−ズ回折光学素子
24を利用することにより、ディテクタ25で受光でき
る光パワ−を大きくすることができ、光ピックアップヘ
ッド装置に必要とされるLD(レ−ザダイオ−ド)のよ
うな光源のパワ−に対する負担を軽減することができ
る。従って、光ピックアップヘッド装置を安価なものと
することができる。また、光源の光出力を小さくできる
ことで熱の発生を抑えることができ、熱による周囲への
悪影響を軽減することができる。
【0025】
【発明の効果】請求項1記載の発明によれば、矩形のレ
ジストパターンに重金属系の膜を形成し、その重金属系
の膜をマスクとしてX線露光することにより、精度良く
形成されたブレーズ化したレジストパターンを得ること
ができる。そして、そのレジストパタ−ンから型を製作
し、回折光学素子を製作するようにしたので、光利用効
率の高い回折光学素子を提供することができる。
【0026】請求項2記載の発明によれば、請求項1で
製作した回折光学素子を搭載することにより、光利用効
率を向上させることができる。これにより、光ピックア
ップヘッド装置に必要とされる例えばLD(レ−ザダイ
オ−ド)のような光源のパワ−に対する負担を軽減する
ことができる。従って、安価な光ピックアップヘッド装
置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係わる回折光学素子の
製造工程を説明するための工程図の一部。
【図2】本発明の一実施の形態に係わる回折光学素子の
製造工程を説明するための工程図の一部。
【図3】本発明の一実施の形態に係わる光ピックアップ
ヘッド装置の光学系の構造を示す図。
【図4】本発明の一実施の形態に係わる回折効率を説明
するための図。
【図5】本発明の一実施の形態に係わるX線の入射角度
の決め方を示す図。
【符号の説明】
11…基板、12,14…レジスト、13…重金属系薄
膜、16…材料、17…型。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にレジストを塗布するレジスト塗
    布工程と、 このレジスト塗布工程により塗布されたレジストをピッ
    チ形状のレジストパタ−ンに形成するレジストパタ−ン
    形成工程と、 このレジストパタ−ン形成工程で形成されたピッチ形状
    のレジストをマスクとして基板をエッチングするエッチ
    ング工程と、 このエッチング工程でエッチングされた基板に重金属膜
    を形成する重金属膜形成工程と、 上記レジストにより溝を埋めるレジスト膜形成工程と、 上記溝に対して所定の入射角をもつようにX線を照射す
    るX線照射工程と、 上記溝に残されたレジストパタ−ンから無電解メッキ等
    により型を製作し、この型を用いて射出成形により回折
    光学素子を製作する光学素子形成工程とを具備したこと
    を特徴とする回折光学素子の製造方法。
  2. 【請求項2】 記録面を有する媒体の記録面に光ビ−ム
    を出射する光源と、 この光源と媒体との中間位置に載置された対物レンズ
    と、 この対物レンズと光源との間に設置された上記請求項1
    で製作された回折光学素子と、 この回折光学素子と上記光源との間の光軸よりずれた位
    置に載置されたディテクタとを具備し、上記光源から出
    射する光ビームを光学回折光学素子に入射し、0次光を
    以て記録面に照射し、その記録面からの反射光を再度上
    記回折光学素子に入射し、+1次光または−1次光のう
    ち回折効率の高い側の光を以てディテクタで受ける光学
    系を有することを特徴とする光ピックアップヘッド装
    置。
JP9008865A 1997-01-21 1997-01-21 回折光学素子の製造方法及び光ピックアップヘッド装置 Pending JPH10208279A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100468856B1 (ko) * 2002-11-18 2005-01-29 삼성전자주식회사 상변환물질막을 가지는 광기록매체 및 그 제조방법
US6914868B1 (en) 1999-12-07 2005-07-05 Dphi Acquisitions, Inc. Low profile optical head

Cited By (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6914868B1 (en) 1999-12-07 2005-07-05 Dphi Acquisitions, Inc. Low profile optical head
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