JPH04257801A - 偏光回折素子の製造方法 - Google Patents
偏光回折素子の製造方法Info
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- JPH04257801A JPH04257801A JP3020123A JP2012391A JPH04257801A JP H04257801 A JPH04257801 A JP H04257801A JP 3020123 A JP3020123 A JP 3020123A JP 2012391 A JP2012391 A JP 2012391A JP H04257801 A JPH04257801 A JP H04257801A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は偏光回折素子の製造方法
に係り、詳しくは、光ピックアップに含まれたり、プリ
ンタ、バーコードリーダ等の光走査系等に用いられる高
回折率を有する偏光回折素子の製造方法に関するもので
ある。
に係り、詳しくは、光ピックアップに含まれたり、プリ
ンタ、バーコードリーダ等の光走査系等に用いられる高
回折率を有する偏光回折素子の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】格子間隔が光の波長程度に形成された回
折格子は偏光特性を有し、入射光を異なる偏光成分の光
束に分離することが知られている。従来、偏光回折素子
の製造に際しては、図１０に示すようなガラス等からな
る透光性の基板１の一方の表面にフォトレジスト膜２を
被覆する（図１１）。次に、このフォトレジスト膜２に
対して、いわゆる２光束干渉法等の方法により、所定の
格子間隔となるように露光した後、現像処理を施すこと
により、フォトレジスト膜２による回折格子３を有する
偏光回折素子４を作製する（図１２）。
折格子は偏光特性を有し、入射光を異なる偏光成分の光
束に分離することが知られている。従来、偏光回折素子
の製造に際しては、図１０に示すようなガラス等からな
る透光性の基板１の一方の表面にフォトレジスト膜２を
被覆する（図１１）。次に、このフォトレジスト膜２に
対して、いわゆる２光束干渉法等の方法により、所定の
格子間隔となるように露光した後、現像処理を施すこと
により、フォトレジスト膜２による回折格子３を有する
偏光回折素子４を作製する（図１２）。
【０００３】また、図１２のように作製された偏光回折
素子４を原盤として、電鋳によりＮｉ等からなるスタン
パ５（図１３）を作製した後、このスタンパ５を用いて
、いわゆる２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）法また
は成形等により、樹脂製の回折格子３を有する偏光回折
素子６（レプリカ）を作製するようにしても良い（図１
４）。
素子４を原盤として、電鋳によりＮｉ等からなるスタン
パ５（図１３）を作製した後、このスタンパ５を用いて
、いわゆる２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）法また
は成形等により、樹脂製の回折格子３を有する偏光回折
素子６（レプリカ）を作製するようにしても良い（図１
４）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
にして作製された偏光回折素子４または６は、回折格子
３がフォトレジスト材料またはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）等の樹脂で形成されているため、充分な
耐環境性および光学特性が得られにくい問題を有する。
にして作製された偏光回折素子４または６は、回折格子
３がフォトレジスト材料またはポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）等の樹脂で形成されているため、充分な
耐環境性および光学特性が得られにくい問題を有する。
【０００５】また、フォトレジスト膜２に対して、２光
束干渉法により露光を行う場合、図１５に示すように、
回折格子３の谷部７の幅Ｗ、換言すれば格子間隔が大き
い場合は充分な格子厚さＴを得ることができるが、図１
６のように、谷部７の幅Ｗ’（＜Ｗ）が小さい場合、格
子厚さＴ’（＜Ｔ）が小さくなる問題がある。
束干渉法により露光を行う場合、図１５に示すように、
回折格子３の谷部７の幅Ｗ、換言すれば格子間隔が大き
い場合は充分な格子厚さＴを得ることができるが、図１
６のように、谷部７の幅Ｗ’（＜Ｗ）が小さい場合、格
子厚さＴ’（＜Ｔ）が小さくなる問題がある。
【０００６】一方、図１７に示すように、必要な格子厚
さを得るために、露光量を増加させた場合、例えば、デ
ューティ（谷部７と山部８の幅の比）を５０％としたい
場合でも、谷部７の幅が山部８の幅より大きくなり、デ
ューティ比が所望の値からずれる問題がある。
さを得るために、露光量を増加させた場合、例えば、デ
ューティ（谷部７と山部８の幅の比）を５０％としたい
場合でも、谷部７の幅が山部８の幅より大きくなり、デ
ューティ比が所望の値からずれる問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る偏光回折素
子の製造方法は、上記の課題を解決するために、透光性
基板上にフォトレジスト膜を形成し、回折格子パターン
を露光することにより、格子間隔が入射光の波長程度で
偏光特性を有する回折格子を形成するようにした偏光回
折素子の製造方法において、上記透光性基板としてガラ
ス基板を使用し、上記回折格子パターンが露光および現
像されたフォトレジスト膜をマスクとしてガラス基板上
に直接エッチングして回折格子を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである（請求項１の発明）。
子の製造方法は、上記の課題を解決するために、透光性
基板上にフォトレジスト膜を形成し、回折格子パターン
を露光することにより、格子間隔が入射光の波長程度で
偏光特性を有する回折格子を形成するようにした偏光回
折素子の製造方法において、上記透光性基板としてガラ
ス基板を使用し、上記回折格子パターンが露光および現
像されたフォトレジスト膜をマスクとしてガラス基板上
に直接エッチングして回折格子を形成するようにしたこ
とを特徴とするものである（請求項１の発明）。
【０００８】また、上記エッチングをＣＦ４ 、ＣＨＦ
３ またはＣ２ Ｆ６ 等のフッ化炭素系ガスおよびＨ
２ ガスを混合して形成したイオンビームにより行うよ
うにすることが好ましい（請求項２の発明）。
３ またはＣ２ Ｆ６ 等のフッ化炭素系ガスおよびＨ
２ ガスを混合して形成したイオンビームにより行うよ
うにすることが好ましい（請求項２の発明）。
【０００９】
【作用】上記請求項１の発明によれば、ガラス基板上に
直接回折格子をエッチングして設けるようにしたので、
耐環境性および光学特性に優れた偏光回折素子を得るこ
とができる。
直接回折格子をエッチングして設けるようにしたので、
耐環境性および光学特性に優れた偏光回折素子を得るこ
とができる。
【００１０】また、請求項２の発明によれば、フッ化炭
素系ガスとＨ２ ガスの混合ガスによるイオンビームを
用いてエッチングを行うことにより、ガラス基板と、マ
スクとしてのフォトレジスト膜とのエッチングの選択比
を大きくできるため、格子間隔が小さくても充分深くま
でエッチングが可能になり、高アスペクト比の回折格子
を作製できるようになる。
素系ガスとＨ２ ガスの混合ガスによるイオンビームを
用いてエッチングを行うことにより、ガラス基板と、マ
スクとしてのフォトレジスト膜とのエッチングの選択比
を大きくできるため、格子間隔が小さくても充分深くま
でエッチングが可能になり、高アスペクト比の回折格子
を作製できるようになる。
【００１１】さらに、選択比が大きいため、マスクであ
るフォトレジスト膜の厚みは小さくても良いから、フォ
トレジスト膜の谷部と山部のデューティを正確に所望の
値に設定して、ガラス基板上に作製される回折格子のデ
ューティも正確に所望の値とすることができる。
るフォトレジスト膜の厚みは小さくても良いから、フォ
トレジスト膜の谷部と山部のデューティを正確に所望の
値に設定して、ガラス基板上に作製される回折格子のデ
ューティも正確に所望の値とすることができる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図５に
基づいて説明すれば、以下の通りである。図５に示すよ
うに、偏光回折素子１１は、例えば、石英ガラス等から
なるガラス基板１２の一方の表面に谷部１３ａ・１３ａ
…と山部１３ｂ・１３ｂ…からなる回折格子１３を設け
てなるものである。
基づいて説明すれば、以下の通りである。図５に示すよ
うに、偏光回折素子１１は、例えば、石英ガラス等から
なるガラス基板１２の一方の表面に谷部１３ａ・１３ａ
…と山部１３ｂ・１３ｂ…からなる回折格子１３を設け
てなるものである。
【００１３】次に、回折格子１３の製造手順を説明する
。まず、図１に示すガラス基板１２の表面を洗剤、水ま
たは有機溶剤を用いて洗浄する。続いて、図２に示すよ
うに、ガラス基板１２の一方の表面に、例えば、スピン
コータを用いてフォトレジスト膜１４（例えば、東京応
化社製のＴＳＭＲ３６５ＩＢ）を形成する。
。まず、図１に示すガラス基板１２の表面を洗剤、水ま
たは有機溶剤を用いて洗浄する。続いて、図２に示すよ
うに、ガラス基板１２の一方の表面に、例えば、スピン
コータを用いてフォトレジスト膜１４（例えば、東京応
化社製のＴＳＭＲ３６５ＩＢ）を形成する。
【００１４】次に、２光束干渉法等の方法により、所定
の格子間隔となるように露光を行った後、現像すること
によりフォトレジスト膜１４が除去された谷部１５ａ・
１５ａ…と、フォトレジスト膜１４が残存する山部１５
ｂ・１５ｂ…からなる回折格子パターン１５を形成する
（図３）。
の格子間隔となるように露光を行った後、現像すること
によりフォトレジスト膜１４が除去された谷部１５ａ・
１５ａ…と、フォトレジスト膜１４が残存する山部１５
ｂ・１５ｂ…からなる回折格子パターン１５を形成する
（図３）。
【００１５】次に、この回折格子パターン１５をマスク
とし、ＡｒガスまたはＣＦ４ 、Ｃ２ Ｆ６ 等のフッ
化炭素系のガスによるイオンビーム（ＩＯＮ ＢＥＡＭ
） をガラス基板１２に対して垂直な方向から照射して
エッチングを施す（図４）。なお、図４においては、図
３のガラス基板１２およびフォトレジスト膜１４を拡大
して示す。
とし、ＡｒガスまたはＣＦ４ 、Ｃ２ Ｆ６ 等のフッ
化炭素系のガスによるイオンビーム（ＩＯＮ ＢＥＡＭ
） をガラス基板１２に対して垂直な方向から照射して
エッチングを施す（図４）。なお、図４においては、図
３のガラス基板１２およびフォトレジスト膜１４を拡大
して示す。
【００１６】最後に、不要となったフォトレジスト膜１
４をアセトン等の有機溶剤で除去するか、またはＯ２
ガスで灰化除去することにより、図５の偏光回折素子１
１が得られる。
４をアセトン等の有機溶剤で除去するか、またはＯ２
ガスで灰化除去することにより、図５の偏光回折素子１
１が得られる。
【００１７】次に、本発明の他の実施例を説明する。上
記の実施例では、イオンビームとして、Ａｒガスまたは
フッ化炭素系のガスを使用したが、本実施例では、イオ
ンビームとしてＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 、Ｃ２ Ｆ６ 等
のフッ化炭素系のガスおよびＨ２ ガスを混合して使用
する。これにより、フォトレジスト膜１４に対するガラ
ス基板１２のエッチングの選択比が大きくなり、ガラス
基板１２のエッチング速度が上昇するので、高アスペク
ト比の回折格子１３を得ることができるようになる。
記の実施例では、イオンビームとして、Ａｒガスまたは
フッ化炭素系のガスを使用したが、本実施例では、イオ
ンビームとしてＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 、Ｃ２ Ｆ６ 等
のフッ化炭素系のガスおよびＨ２ ガスを混合して使用
する。これにより、フォトレジスト膜１４に対するガラ
ス基板１２のエッチングの選択比が大きくなり、ガラス
基板１２のエッチング速度が上昇するので、高アスペク
ト比の回折格子１３を得ることができるようになる。
【００１８】例えば、図６のように、ガラス基板１２上
にフォトレジスト膜１４の谷部１５ａ・１５ａ…と山部
１５ｂ・１５ｂ…により回折格子パターン１５を形成し
た後、これをマスクとしてＣＦ４ ガスとＨ２ ガスと
の混合ガスからなるイオンビームでエッチングする場合
を考える。フォトレジスト膜１４の厚みＴが０．３μｍ
の時、ＣＦ４ ガスに対するＨ２ ガスを重量％で５％
混合した混合ガスで３０分間エッチングした場合、図７
において、格子間隔Ｐが０．５μｍで格子深さＤが１μ
ｍ程度の回折格子１３（アスペクト比（Ｄ／Ｐ）は２）
が得られる。
にフォトレジスト膜１４の谷部１５ａ・１５ａ…と山部
１５ｂ・１５ｂ…により回折格子パターン１５を形成し
た後、これをマスクとしてＣＦ４ ガスとＨ２ ガスと
の混合ガスからなるイオンビームでエッチングする場合
を考える。フォトレジスト膜１４の厚みＴが０．３μｍ
の時、ＣＦ４ ガスに対するＨ２ ガスを重量％で５％
混合した混合ガスで３０分間エッチングした場合、図７
において、格子間隔Ｐが０．５μｍで格子深さＤが１μ
ｍ程度の回折格子１３（アスペクト比（Ｄ／Ｐ）は２）
が得られる。
【００１９】上記の例では、デューティは１：１である
が、フォトレジスト膜１４による回折格子パターン１５
の谷部１５ａと山部１５ｂのデューティを変化させるこ
とにより、回折格子１３のデューティを変化させること
ができる。そして、本実施例ではフッ化炭素系ガスにＨ
２ ガスを混合してイオンビームを生成することにより
、フォトレジスト膜１４に対するガラス基板１２のエッ
チングの選択比を大きくできるため、フォトレジスト膜
１４の厚みを過度に大きくする必要がない。
が、フォトレジスト膜１４による回折格子パターン１５
の谷部１５ａと山部１５ｂのデューティを変化させるこ
とにより、回折格子１３のデューティを変化させること
ができる。そして、本実施例ではフッ化炭素系ガスにＨ
２ ガスを混合してイオンビームを生成することにより
、フォトレジスト膜１４に対するガラス基板１２のエッ
チングの選択比を大きくできるため、フォトレジスト膜
１４の厚みを過度に大きくする必要がない。
【００２０】また、フォトレジスト膜１４の厚みを小さ
くできるため、格子間隔Ｐの大小に影響されることなく
適正な露光量で露光を行うことができ、その結果、所望
のデューティでフォトレジスト膜１４による回折格子パ
ターン１５を形成して、所望のデューティで回折格子１
３を作製することができるようになる。
くできるため、格子間隔Ｐの大小に影響されることなく
適正な露光量で露光を行うことができ、その結果、所望
のデューティでフォトレジスト膜１４による回折格子パ
ターン１５を形成して、所望のデューティで回折格子１
３を作製することができるようになる。
【００２１】上記の偏光回折素子１１における透過率と
反射率を図８に示すような測定系で測定した結果を示す
。この測定系は波長７８０ｎｍのレーザ光を出射する半
導体レーザ３２と、コリメートレンズ３３と、（１／２
）波長板３４と、グラムトムソンプリズム３５と、アパ
ーチャ３６（φ２ｍｍ）と、偏光回折素子１１の透過光
および反射光をそれぞれ受光する受光素子３７・３８と
を備えている。図８の測定系を用い、ＴＭ偏光（偏光回
折素子１１の回折格子と平行な方向に磁界成分を有する
）とＴＥ偏光（回折格子と平行な方向に電界成分を有す
る）のそれぞれを偏光回折素子１１の法線方向に対し５
８°の角度を成して入射させ、透過率と回折率を求めた
結果を表１に示す。但し、回折格子のピッチは０．４６
μｍ、回折格子の深さは１．１２μｍである。なお、Ｔ
Ｍ偏光およびＴＥ偏光に対する偏光特性は、（１／２）
波長板３４およびグラムトムソンプリズム３５をそれぞ
れ４５°、９０°回転させることにより評価した。
反射率を図８に示すような測定系で測定した結果を示す
。この測定系は波長７８０ｎｍのレーザ光を出射する半
導体レーザ３２と、コリメートレンズ３３と、（１／２
）波長板３４と、グラムトムソンプリズム３５と、アパ
ーチャ３６（φ２ｍｍ）と、偏光回折素子１１の透過光
および反射光をそれぞれ受光する受光素子３７・３８と
を備えている。図８の測定系を用い、ＴＭ偏光（偏光回
折素子１１の回折格子と平行な方向に磁界成分を有する
）とＴＥ偏光（回折格子と平行な方向に電界成分を有す
る）のそれぞれを偏光回折素子１１の法線方向に対し５
８°の角度を成して入射させ、透過率と回折率を求めた
結果を表１に示す。但し、回折格子のピッチは０．４６
μｍ、回折格子の深さは１．１２μｍである。なお、Ｔ
Ｍ偏光およびＴＥ偏光に対する偏光特性は、（１／２）
波長板３４およびグラムトムソンプリズム３５をそれぞ
れ４５°、９０°回転させることにより評価した。
【００２２】
【表１】
【００２３】以下、上記偏光回折素子１１を使用した光
ピックアップを示す。図９に示すように、この光ピック
アップにおいては、半導体レーザ２１により出射された
レーザ光がコリメートレンズ２２により平行光束とされ
、複合ビームスプリッタ２３により楕円ビームがほぼ真
円ビームに変換された後、反射ミラー２４を介して集光
レンズ２５により光ディスク２６上に集光される。
ピックアップを示す。図９に示すように、この光ピック
アップにおいては、半導体レーザ２１により出射された
レーザ光がコリメートレンズ２２により平行光束とされ
、複合ビームスプリッタ２３により楕円ビームがほぼ真
円ビームに変換された後、反射ミラー２４を介して集光
レンズ２５により光ディスク２６上に集光される。
【００２４】光ディスク２６からの反射光は、集光レン
ズ２５、反射ミラー２４を介して複合ビームスプリッタ
２３に到り、面２３ａにより直角に反射されて面２３ｂ
に到る。この面２３ｂで、面２３ａからの光の一部が直
角に反射され、集光レンズ２６およびシリンドカルレン
ズ２７を介して光検出器２８上に集光されて、ここで、
フォーカスエラーの検出等が行われる。
ズ２５、反射ミラー２４を介して複合ビームスプリッタ
２３に到り、面２３ａにより直角に反射されて面２３ｂ
に到る。この面２３ｂで、面２３ａからの光の一部が直
角に反射され、集光レンズ２６およびシリンドカルレン
ズ２７を介して光検出器２８上に集光されて、ここで、
フォーカスエラーの検出等が行われる。
【００２５】一方、面２３ｂを透過した光は、面２３ｃ
で直角に反射され、上記偏光回折素子１１で０次回折光
および１次回折光に分離されて集光レンズ３０等を介し
光検出器３１に到り、ここで、トラッキングエラーの検
出等が行われる。集光レンズ２６上の情報の検出は、光
検出器２８および３１の双方またはそれらの一方で行わ
れる。
で直角に反射され、上記偏光回折素子１１で０次回折光
および１次回折光に分離されて集光レンズ３０等を介し
光検出器３１に到り、ここで、トラッキングエラーの検
出等が行われる。集光レンズ２６上の情報の検出は、光
検出器２８および３１の双方またはそれらの一方で行わ
れる。
【００２６】
【発明の効果】本発明に係る偏光回折素子の製造方法は
、以上のように、透光性基板上にフォトレジスト膜を形
成し、回折格子パターンを露光することにより、格子間
隔が入射光の波長程度で偏光特性を有する回折格子を形
成するようにした偏光回折素子の製造方法において、上
記透光性基板としてガラス基板を使用し、上記回折格子
パターンが露光および現像されたフォトレジスト膜をマ
スクとしてガラス基板上に直接エッチングして回折格子
を形成するようにした構成である。
、以上のように、透光性基板上にフォトレジスト膜を形
成し、回折格子パターンを露光することにより、格子間
隔が入射光の波長程度で偏光特性を有する回折格子を形
成するようにした偏光回折素子の製造方法において、上
記透光性基板としてガラス基板を使用し、上記回折格子
パターンが露光および現像されたフォトレジスト膜をマ
スクとしてガラス基板上に直接エッチングして回折格子
を形成するようにした構成である。
【００２７】これにより、ガラス基板上に直接回折格子
をエッチングして設けるようにしたので、耐環境性およ
び光学特性に優れた偏光回折素子を得ることができる。
をエッチングして設けるようにしたので、耐環境性およ
び光学特性に優れた偏光回折素子を得ることができる。
【００２８】また、上記エッチングをＣＦ４ 、ＣＨＦ
３ またはＣ２ Ｆ６ 等のフッ化炭素系ガスにＨ２
ガスを混合して形成したイオンビームにより行うように
すると、ガラス基板と、マスクとしてのフォトレジスト
膜とのエッチングの選択比を大きくできるため、格子間
隔が小さくても充分深くまでエッチングが可能になり、
高アスペクト比の回折格子を作製できる。
３ またはＣ２ Ｆ６ 等のフッ化炭素系ガスにＨ２
ガスを混合して形成したイオンビームにより行うように
すると、ガラス基板と、マスクとしてのフォトレジスト
膜とのエッチングの選択比を大きくできるため、格子間
隔が小さくても充分深くまでエッチングが可能になり、
高アスペクト比の回折格子を作製できる。
【００２９】さらに、選択比が大きいため、マスクであ
るフォトレジスト膜の厚みは小さくても良いから、フォ
トレジスト膜の谷部と山部のデューティを正確に所望の
値に設定して、ガラス基板上に作製される回折格子のデ
ューティも正確に所望の値とすることができる。
るフォトレジスト膜の厚みは小さくても良いから、フォ
トレジスト膜の谷部と山部のデューティを正確に所望の
値に設定して、ガラス基板上に作製される回折格子のデ
ューティも正確に所望の値とすることができる。
【図１】本発明の実施例の偏光回折素子におけるガラス
基板を示す縦断面図である。
基板を示す縦断面図である。
【図２】上記ガラス基板にフォトレジスト膜を被覆した
状態を示す縦断面図である。
状態を示す縦断面図である。
【図３】上記フォトレジスト膜に回折格子パターンを形
成した状態を示す縦断面図である。
成した状態を示す縦断面図である。
【図４】上記ガラス基板にエッチングを施す状態を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図５】上記フォトレジスト膜を除去した状態を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の他の実施例においてガラス基板にエッ
チングを施す状態を示す縦断面図である。
チングを施す状態を示す縦断面図である。
【図７】図６のエッチングにより作製された回折格子を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図８】上記偏光回折素子における透過率と回折率の測
定系を示す構成図である。
定系を示す構成図である。
【図９】上記偏光回折素子を含む光ピックアップを示す
構成図である。
構成図である。
【図１０】従来の偏光回折素子における基板を示す縦断
面図である。
面図である。
【図１１】図１０の基板にフォトレジスト膜を被覆した
状態を示す縦断面図である。
状態を示す縦断面図である。
【図１２】図１１のフォトレジスト膜に回折格子パター
ンを形成してなる偏光回折素子を示す縦断面図である。
ンを形成してなる偏光回折素子を示す縦断面図である。
【図１３】図１２の偏光回折素子によりスタンパを作製
する状態を示す縦断面図である。
する状態を示す縦断面図である。
【図１４】図１３のスタンパに基づいてレプリカとして
の偏光回折素子を作製する状態を示す縦断面図である。
の偏光回折素子を作製する状態を示す縦断面図である。
【図１５】従来のフォトレジスト膜による回折格子を示
す縦断面図である。
す縦断面図である。
【図１６】フォトレジスト膜による回折格子の谷部が小
さい場合を示す縦断面図である。
さい場合を示す縦断面図である。
【図１７】谷部が小さい時に露光量を増加させて露光し
た状態を示す縦断面図である。
た状態を示す縦断面図である。
１１ 偏光回折素子
１２ ガラス基板
１３ 回折格子
１４ フォトレジスト膜
Claims (2)
- 【請求項１】透光性基板上にフォトレジスト膜を形成し
、回折格子パターンを露光することにより、格子間隔が
入射光の波長程度で偏光特性を有する回折格子を形成す
るようにした偏光回折素子の製造方法において、上記透
光性基板としてガラス基板を使用し、上記回折格子パタ
ーンが露光および現像されたフォトレジスト膜をマスク
としてガラス基板上に直接エッチングして回折格子を形
成するようにしたことを特徴とする偏光回折素子の製造
方法。 - 【請求項２】上記エッチングをＣＦ４ 、ＣＨＦ３ ま
たはＣ２ Ｆ６ 等のフッ化炭素系ガスおよびＨ２ ガ
スを混合して形成したイオンビームにより行うようにし
たことを特徴とする請求項１記載の偏光回折素子の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020123A JPH04257801A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 偏光回折素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3020123A JPH04257801A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 偏光回折素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04257801A true JPH04257801A (ja) | 1992-09-14 |
Family
ID=12018346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3020123A Pending JPH04257801A (ja) | 1991-02-13 | 1991-02-13 | 偏光回折素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04257801A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06196726A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-15 | Canon Inc | 受光素子及び該受光素子を備える変位検出装置 |
| JP2009531734A (ja) * | 2006-03-28 | 2009-09-03 | エルジー・ケム・リミテッド | ナノパターン形成方法およびこれによって形成されたパターンを有する基板 |
| JP2013007830A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Seiko Epson Corp | 透過型回折格子及び検出装置 |
| JP2019512729A (ja) * | 2016-03-04 | 2019-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ワイヤグリッド偏光板製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55104484A (en) * | 1979-01-31 | 1980-08-09 | Toshiba Corp | Ion etching method |
| JPS5675573A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-22 | Toshiba Corp | Ion etching method |
| JPH01161302A (ja) * | 1987-12-18 | 1989-06-26 | Shimadzu Corp | ホログラフィックグレーティング製作方法 |
| JPH02137803A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Sharp Corp | 回折素子の製造方法 |
| JPH02259702A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Sharp Corp | 偏光回折素子 |
-
1991
- 1991-02-13 JP JP3020123A patent/JPH04257801A/ja active Pending
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| US10983389B2 (en) | 2016-03-04 | 2021-04-20 | Applied Materials, Inc. | Wire grid polarizer manufacturing method |
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