JPH01161302A - ホログラフィックグレーティング製作方法 - Google Patents
ホログラフィックグレーティング製作方法Info
- Publication number
- JPH01161302A JPH01161302A JP62321739A JP32173987A JPH01161302A JP H01161302 A JPH01161302 A JP H01161302A JP 62321739 A JP62321739 A JP 62321739A JP 32173987 A JP32173987 A JP 32173987A JP H01161302 A JPH01161302 A JP H01161302A
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- JP
- Japan
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- substrate
- photoresist
- resist
- etching
- pattern
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 32
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Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、耐久性に優れたホログラフィックグレーティ
ング(以下HGと云う)の製作方法に関する。
ング(以下HGと云う)の製作方法に関する。
口、従来の技術
従来のHGの製作方法としては、基板にフォトレジスト
を積層し、そのフォトレジストにホログラフィック露光
法によりパターンを形成し、ホログラフィックグレーテ
ィング(HG)を作成していた。レジストに作成された
パターンをそのまま回折格子として使用する場合には、
レジストの特性により、またレジストが耐性に弱いため
に、高温での使用や長期的使用には無理であった。又、
このHGをマスターとしてレプリカをとる場合には、レ
ジストが強度的に弱いので剥離していまい、−個しか製
作できないと云う問題があった。
を積層し、そのフォトレジストにホログラフィック露光
法によりパターンを形成し、ホログラフィックグレーテ
ィング(HG)を作成していた。レジストに作成された
パターンをそのまま回折格子として使用する場合には、
レジストの特性により、またレジストが耐性に弱いため
に、高温での使用や長期的使用には無理であった。又、
このHGをマスターとしてレプリカをとる場合には、レ
ジストが強度的に弱いので剥離していまい、−個しか製
作できないと云う問題があった。
ハ1発明が解決しようとする問題点
本発明は、高品質で厳しい使用条件にも耐え得る、しか
も、マスターとしてより多くのレプリカを取ることがで
きるようなHGを製作する方法を提供することを目的と
する。
も、マスターとしてより多くのレプリカを取ることがで
きるようなHGを製作する方法を提供することを目的と
する。
二0問題点解決のための手段
ホログラフィックグレーティング製作方法として、基板
表面にフォトレジストを積層し、該フォトレジストにホ
ログラフィック露光法によりパターンを形成させ、パタ
ーンを形成したフォトレジストの上からイオンビームエ
ツチングを行うことによりフォトレジスト上に形成され
たパターンを基板上に転写するようにした。
表面にフォトレジストを積層し、該フォトレジストにホ
ログラフィック露光法によりパターンを形成させ、パタ
ーンを形成したフォトレジストの上からイオンビームエ
ツチングを行うことによりフォトレジスト上に形成され
たパターンを基板上に転写するようにした。
ホ6作用
フォトレジストが金属やガラス等に比し耐熱性、耐化学
性、耐久性等に劣るために、フォトレジストに形成され
るパターンを回折格子として使用する場合に色々制限が
あった。この点を改良するために本発明は、レジストに
形成されているパターンを材質的に安定している基板に
転写して、基板に形成されたパターンを回折格子として
使用しようとするものである。レジストに形成されてい
るパターンを基板に転写する方法として、レジストと基
板のエツチンググレートを、所望の振幅形状になるよう
にエツチング用イオンガスを選択して使用することによ
り、エツチングはフォトレジスト層が消滅した後、露出
した基板層を一定の速さで進行し、フォトレジスト層表
面に最初に形成された波形は、エツチングの進行によっ
て波形のピッチが変化することなく、かつ、基板1とフ
ォトレジスト2のエツチンググレートの相違により任意
の増幅率(縦即ち振幅のみが変化する)でもって基板l
に移される。従って、基板層までエツチングを進行させ
ると、フォトレジスト層表面に最初に形成された形状は
波形のピッチを変更させることなく、かつ、振幅を任意
に変更させて転写することができるので、フォトレジス
ト層のパターンがより効果的に基板に転写されることに
なるへ、実施例 第1図〜第4図に本発明の一実施例の工程図を示す、第
1図において、1は基板で表面にフォトレジスト2をス
ピンナーで0.3μmの厚さにコーティングしたもので
ある。このレジスト2にホログラフィック露光法を用い
て正弦波状のレジスト回折格子パターンを第2図に示す
ように記録する6次にパターンが記録されたレジスト2
の上からArガス等でイオンビームエツチングを行う。
性、耐久性等に劣るために、フォトレジストに形成され
るパターンを回折格子として使用する場合に色々制限が
あった。この点を改良するために本発明は、レジストに
形成されているパターンを材質的に安定している基板に
転写して、基板に形成されたパターンを回折格子として
使用しようとするものである。レジストに形成されてい
るパターンを基板に転写する方法として、レジストと基
板のエツチンググレートを、所望の振幅形状になるよう
にエツチング用イオンガスを選択して使用することによ
り、エツチングはフォトレジスト層が消滅した後、露出
した基板層を一定の速さで進行し、フォトレジスト層表
面に最初に形成された波形は、エツチングの進行によっ
て波形のピッチが変化することなく、かつ、基板1とフ
ォトレジスト2のエツチンググレートの相違により任意
の増幅率(縦即ち振幅のみが変化する)でもって基板l
に移される。従って、基板層までエツチングを進行させ
ると、フォトレジスト層表面に最初に形成された形状は
波形のピッチを変更させることなく、かつ、振幅を任意
に変更させて転写することができるので、フォトレジス
ト層のパターンがより効果的に基板に転写されることに
なるへ、実施例 第1図〜第4図に本発明の一実施例の工程図を示す、第
1図において、1は基板で表面にフォトレジスト2をス
ピンナーで0.3μmの厚さにコーティングしたもので
ある。このレジスト2にホログラフィック露光法を用い
て正弦波状のレジスト回折格子パターンを第2図に示す
ように記録する6次にパターンが記録されたレジスト2
の上からArガス等でイオンビームエツチングを行う。
フォトレジスト層がエツチングによりなくなると、基板
で露出した部分が一定速度でエツチングされるため、フ
ォトレジスト層に最初に形成された凹凸はピッチ間隔を
そのまま保った状態で基板層に転移されることになり、
エツチングによりレジスト2上に形成されているパター
ンは凹凸のピッチ間隔を変化させることなく第3図のよ
うに基板1に移動されてくる。イオンビームエツチング
を第4図に示すようにレジスト2上のパターンが基板1
に完全に移動した時点で終了する。
で露出した部分が一定速度でエツチングされるため、フ
ォトレジスト層に最初に形成された凹凸はピッチ間隔を
そのまま保った状態で基板層に転移されることになり、
エツチングによりレジスト2上に形成されているパター
ンは凹凸のピッチ間隔を変化させることなく第3図のよ
うに基板1に移動されてくる。イオンビームエツチング
を第4図に示すようにレジスト2上のパターンが基板1
に完全に移動した時点で終了する。
実際の実施例では、通常基板1として5102、フォト
レジスト2としてマイクロポジット(MP1400−1
7)が用いられており、これらの基板lとフォトレジス
ト2を用いてホログラフィックグレーティングの製作を
行う場合、基板1とレジスト2とに対してエツチングレ
ートがほぼ同じであるArガスをエツチングガスとして
用いることによって、フォトレジスト層がなくなり、基
板が露出した部分でもフォトレジスト層と同じ速さでエ
ツチングが進行するため、フォトレジスト層に最初に形
成された凹凸はほぼそのまま形状を保って基板層に転移
されることになり、エツチングによりレジスト2上に形
成されているパターンが変形されることなく基板1に転
写される。またエツチングガスとして酸素を使用すれば
、基板1がフォトレジスト2よりエツチンググレートが
小さいので波形の凹凸が小さく転写される。即ち、振幅
が縮小されて転写される。逆にエツチングガスとしてフ
ッソ系ガス(例: CHF3 、CF4 )を使用すれ
ば、基板1はフォトレジスト2よりエツチンググレート
が大きいので波形の凹凸が大きく転写される。即ち、振
幅が拡大されて転写される。このようにフォトレジスト
上に形成された波形を波形のピッチを変化させないが、
振幅はエツチングガス或は基板、フォトレジストの材質
を変更することにより任意に変化させて基板に転写する
ことができる。
レジスト2としてマイクロポジット(MP1400−1
7)が用いられており、これらの基板lとフォトレジス
ト2を用いてホログラフィックグレーティングの製作を
行う場合、基板1とレジスト2とに対してエツチングレ
ートがほぼ同じであるArガスをエツチングガスとして
用いることによって、フォトレジスト層がなくなり、基
板が露出した部分でもフォトレジスト層と同じ速さでエ
ツチングが進行するため、フォトレジスト層に最初に形
成された凹凸はほぼそのまま形状を保って基板層に転移
されることになり、エツチングによりレジスト2上に形
成されているパターンが変形されることなく基板1に転
写される。またエツチングガスとして酸素を使用すれば
、基板1がフォトレジスト2よりエツチンググレートが
小さいので波形の凹凸が小さく転写される。即ち、振幅
が縮小されて転写される。逆にエツチングガスとしてフ
ッソ系ガス(例: CHF3 、CF4 )を使用すれ
ば、基板1はフォトレジスト2よりエツチンググレート
が大きいので波形の凹凸が大きく転写される。即ち、振
幅が拡大されて転写される。このようにフォトレジスト
上に形成された波形を波形のピッチを変化させないが、
振幅はエツチングガス或は基板、フォトレジストの材質
を変更することにより任意に変化させて基板に転写する
ことができる。
また、上記のように製作された製品4をマスターとして
、ガラス基板上に塗布した樹脂でレプリカを製作したと
ころ、従来と比較して格段に多くのレプリカを製作する
ことができた。
、ガラス基板上に塗布した樹脂でレプリカを製作したと
ころ、従来と比較して格段に多くのレプリカを製作する
ことができた。
ト、効果
本発明によれば、ホログラフィック露光法により作成さ
れたフォトレジスト回折格子パターンを波形のピッチを
変えることなく、振幅のみを任意に変化させて、基板に
転写することが可能になったことで、より高性能で、し
かも耐熱性、耐化学性に優れた高品質の正弦波溝回折格
子を製作することが可能になった。又、パターンが形成
された基板をマスターにしてレプリカを製作する場合、
パターンが基板上に安定して形成されているから、−枚
の基板から製作できるレプリカの数が飛躍的に増大した
。
れたフォトレジスト回折格子パターンを波形のピッチを
変えることなく、振幅のみを任意に変化させて、基板に
転写することが可能になったことで、より高性能で、し
かも耐熱性、耐化学性に優れた高品質の正弦波溝回折格
子を製作することが可能になった。又、パターンが形成
された基板をマスターにしてレプリカを製作する場合、
パターンが基板上に安定して形成されているから、−枚
の基板から製作できるレプリカの数が飛躍的に増大した
。
第1図は本発明の一実施例の工程図の一部で工程前の状
態図、第2図はホログラフィック露光法によりパターン
を記録した状態図、第3図はイオンビームエツチング工
程中の状態図、第4図は製品完成図である。 1・・・基板、2・・・フォトレジスト、3・・・イオ
ンビーム、4・・・製品。
態図、第2図はホログラフィック露光法によりパターン
を記録した状態図、第3図はイオンビームエツチング工
程中の状態図、第4図は製品完成図である。 1・・・基板、2・・・フォトレジスト、3・・・イオ
ンビーム、4・・・製品。
Claims (1)
- 基板表面にフォトレジストを積層し、該フォトレジスト
にホログラフィック露光法によりパターンを形成させ、
パターンを形成したフォトレジストの上からイオンビー
ムエッチングを行うことによりフォトレジスト上に形成
されたパターンを基板上に転写することを特徴とするホ
ログラフィックグレーティング製作方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62321739A JPH01161302A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | ホログラフィックグレーティング製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62321739A JPH01161302A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | ホログラフィックグレーティング製作方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01161302A true JPH01161302A (ja) | 1989-06-26 |
Family
ID=18135903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62321739A Pending JPH01161302A (ja) | 1987-12-18 | 1987-12-18 | ホログラフィックグレーティング製作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01161302A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04257801A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Sharp Corp | 偏光回折素子の製造方法 |
JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
JPH0634806A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Shimadzu Corp | ダマングレーティングの製作方法 |
US5521030A (en) * | 1990-07-20 | 1996-05-28 | Mcgrew; Stephen P. | Process for making holographic embossing tools |
US7129028B2 (en) | 2000-02-25 | 2006-10-31 | Shimadzu Corporation | Method of forming holographic grating |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59210403A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 回折格子の作製法 |
JPS6123521B2 (ja) * | 1977-07-27 | 1986-06-06 | Rikagaku Kenkyusho |
-
1987
- 1987-12-18 JP JP62321739A patent/JPH01161302A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6123521B2 (ja) * | 1977-07-27 | 1986-06-06 | Rikagaku Kenkyusho | |
JPS59210403A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 回折格子の作製法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH04257801A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Sharp Corp | 偏光回折素子の製造方法 |
JPH0534513A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-12 | Shimadzu Corp | 格子板の製造方法 |
JPH0634806A (ja) * | 1992-07-16 | 1994-02-10 | Shimadzu Corp | ダマングレーティングの製作方法 |
US7129028B2 (en) | 2000-02-25 | 2006-10-31 | Shimadzu Corporation | Method of forming holographic grating |
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