JPS6132718A - 合成樹脂成型金型の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、半導体の製造技術を利用して得られる微細
凹凸パターンを利用して得られる合成樹脂成型金型の製
法に関する。

（背景技術） 透明な樹脂の表面に形成された微細凹凸パターンによる
光の回折パターンは美しく虹の如き印象をあたえる。従
って表面に形成された微細凹凸パターンを持つ合成樹脂
板等は装飾用の器具等に利用できる。

而して透明な樹脂の表面に精度の高い微細凹凸パターン
を形成出来る技術が望まれていた。

（発明の目的） この発明はシリコン半導体の製造技術を応用して合成樹
脂の表面に微細凹凸パターンの形成出来る合成樹脂成型
金型の製法を提供せんとするものである。

（発明の構成） この発明の要旨とするところは、シリコン基板１を熱酸
化して表面に酸化膜２を形成し、該酸化膜２上にホトレ
ジスト３を塗布し、これに所用の微細パターンのフォト
マスクを用いて紫外線露光を行い、酸化膜２の表面に微
細パターンを焼付は現像後、フン力水素等の化学エッチ
ング液により、露出している酸化膜２をエンチング除去
し、且つ、ホトレジスト３を除去することを特徴とする
合成樹脂成型金型の製法である。

以下この発明を図示せる一実施例により説明する。

第１図乃至第７図はこの発明の一実施例である。

まず第１図に示すようにシリコン基板１を熱酸化して表
面に酸化膜２を形成し、第２図に示すように該酸化膜２
上にホトレジスト３を塗布する。酸化膜２の厚みは１ミ
クロン程度以上が必要である。該酸化膜２上にホトレジ
スト３を塗布するのにはスピナーを用いて行う。

次に所用の微細パターンのフォトマスクを用いて紫外線
露光を行い、現像後ポストベークをおこなう。この作業
により酸化膜２の表面に微細パターンを焼付けるのであ
る。微細パターンとしては、例えば、５ミクロン程度の
間隔を開けた５ミクロン角程度の方形の繰り返しパター
ンである。

第３図はこの微細パターンを焼付けた状態をしめす。

続いて化学エツチング液により、酸化膜２をエツチング
除去する。この時残存しているホトレジスト３は保護マ
スクとして機能し、露出している酸化膜３の部分のみが
除去される。

しかるのち通常の方法によりホトレジスト３を除去する
。

以上のようにして、第５図に示すような微細な溝４を表
面に持つ合成樹脂成型金型５が完成するのである。

第６図及び第７図に示すのはこの合成樹脂成型金型５を
使用する場合である。微細な溝４を持つ表面に、透明と
なる合成樹脂６を注入して硬化成型させるのである。こ
のようにして合成樹脂６を合成樹脂成型金型５より離型
すると表面に微細凹凸パターンの形成された合成樹脂成
型品が完成する。この合成樹脂成型品は透明な樹脂の表
面に精度の高い微細凹凸パターンを形成しているので光
の回折パ多−ンは美しく虹の如き印象をあたえるのであ
る。この実施例では５ミクロン角の方形のパターンを格
子点とした虹色の回折パターンが観察されるのである。

（発明の効果） 以上のようにこの発明によれば、半導体製造技術を用い
て透明な樹脂の表面に精度の高い微細凹凸パターンを形
成する合成樹脂成型金型が製造できるのである。しかも
この合成樹脂成型金型の製法は写真技術を基礎としいる
ので微細加工の必要な合成樹脂成型金型が容易に形成で
きるのである。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第７図はこの発明の一実施例を示す断面図で
ある。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）シリコン基板１を熱酸化して表面に酸化膜２を形
   成し、該酸化膜２上にホトレジスト３を塗布し、これに
   所用の微細パターンのフォトマスクを用いて紫外線露光
   を行い、酸化膜２の表面に微細パターンを焼付け現像後
   、化学エッチング液により、露出している酸化膜２をエ
   ッチング除去し、且つ、ホトレジスト３を除去すること
   を特徴とする合成樹脂成型金型の製法。