JP2001067637A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＱＭＤと同様な効果を有し、低ノイズで、面記
録密度が高く、しかも情報の書き込み・読みだしに現在
ＨＤＤで広く用いられている浮上磁気ヘッド方式が適用
可能な磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】非磁性硬質基板上に磁性膜が形成されてな
る磁気記録媒体において、磁性膜が膜の下面から上面に
貫通する多数の磁性金属結晶粒柱とこれらの磁性金属結
晶粒柱を互いに分離する熱可塑性樹脂とからなる磁気記
録媒体とする。このような媒体は、非磁性硬質基板上に
熱可塑性樹脂膜を形成後、表面に周期的に均一に分布し
た同一形状の多数の柱状凸部を有する金型を熱可塑性樹
脂膜に押しつけたのち離型することによって金型の柱状
凸部に対応する柱状凹部を樹脂膜に形成し、柱状凹部に
残存する樹脂を除去して基板に達する孔とし、この孔を
埋め樹脂膜表面をも覆う磁性金属膜を成膜した後、磁性
金属膜表面から樹脂膜表面に達する研磨を行って鏡面と
し、その上に保護膜を形成することにより作製できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、現在コンピュー
タの外部記憶装置として主流となっているハードディス
クドライブに用いられる磁気記録媒体およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤ
と略記）に用いられる磁気記録媒体（以下、単に媒体と
も称する）は、現在実験レベルで１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ
² の面記録密度に達している。

【０００３】図５に、従来の一般的な媒体の模式図を示
す。

【０００４】図５（ａ）は媒体の基本となる膜構成を示
す模式的断面図である。媒体は非磁性基板としてのアル
ミニウム合金またはガラスを材料とした硬質基板１
_a （厚さ数百μｍ）上に、下地膜４（純クロムからな
る，あるいはクロムを母体としてモリブデンまたはタン
グステンを添加した合金からなる厚さ数十ｎｍの膜），
磁性膜２（コバルトを母体としてクロム，ニッケル，タ
ンタル，白金などを添加した合金からなる厚さ１０ｎｍ
〜２０ｎｍの膜），カーボンからなる保護膜３（厚さ約
１０ｎｍ）がこの順に連続的に成膜されている。下地膜
４はその上に形成される磁性膜２に対する種結晶として
働く。例えば、六方晶の対称性を持つコバルトの結晶で
は、磁性膜を構成するコバルト多結晶のｃ軸を基板面に
平行な方向に揃える目的で設けられる。

【０００５】上記各膜が現在もっとも一般的なスパッタ
リング法によって成膜された媒体では、その面記録密度
の限界は数十Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ² と考えられている。面
記録密度が１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ² では、１ｂｉｔの記
録に要する面積は６×１０⁴ｎｍ² 程度となる。書き込
まれたｂｉｔ情報を読みだすときのノイズを低減するた
めには、磁性膜を構成する磁性金属多結晶の結晶粒径を
小さくしていくことが必要である。しかし、結晶粒径を
小さくしていくと、結晶粒は熱ゆらぎによる擾乱を受け
易くなってきて、書き込んだ情報（磁化の向き）を保持
することが困難となっていく。現在熱による擾乱を考慮
したときに、磁化の向きを安定に保持できる結晶粒の大
きさの限界の直径は９ｎｍ程度と見積もられている。こ
のことは、１０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ² の記録密度での１ｂ
ｉｔの情報は、熱安定性の限界まで結晶粒のサイズを小
さくできたとして１０００個程度の結晶粒によって保持
されていることを意味している。

【０００６】現在高面記録密度の媒体の磁性膜にもっと
も一般的に使われているＣｏを母体金属とした磁性金属
合金の結晶粒は六方晶の構造をしている。スパッタリン
グ法で形成した磁性膜では、（非磁性粒が磁性粒の粒界
に析出した結果として）磁性金属の結晶粒を非磁性金属
（例えばＣｒ）が取り囲んだ構造をしている。このよう
な構造をしているため、磁性結晶粒が直接隣接して多結
晶膜を構成している場合に比べ磁性結晶粒子間の相互作
用は小さく、結果として媒体のノイズが減少する。相互
作用の小さい結晶粒子で膜が構成されているということ
は、膜中の特定の結晶粒子の磁化の向きを独立して反転
することが可能であることを意味し、磁性結晶粒が直接
隣接している結びつきの強い結晶粒子から構成されてい
る膜では隣接する磁性結晶粒の磁化の向きを変えずに特
定の結晶粒子の磁化の向きだけを変えることは困難（ノ
イズが大きい）であることを意味している。

【０００７】図５（ｂ）は磁性膜の断面を概念的に示し
たものである。図中に示した矢印は磁性金属結晶粒のｃ
軸を表している。磁性膜２は磁性金属結晶粒塊２３_b と
非磁性金属２４とから構成され、磁性金属結晶粒塊２３
_b のｃ軸は、実際にはこの図のようにランダムな方向に
向いている。下地膜はこの傾向を抑えｃ軸の方向を揃え
るために設けられているが、磁性金属結晶粒塊２３_b の
粒子径が小さくなると熱による擾乱によってｃ軸の配向
の乱雑さは増加する。

【０００８】図６は、磁性金属が理想的に結晶配向した
場合の一例であり、図６（ａ）は磁性膜の平面図，図６
（ｂ）は磁性膜の断面図である。図６は磁性金属結晶粒
塊２３_b が下地膜を種として柱状に成長し均一な粒径を
していること、かつ、各磁性金属結晶粒塊２３_b は非磁
性金属２４により取り囲まれ互いに孤立してはいるが、
結晶軸はよく配向していることを表している。

【０００９】図６に示した理想的な磁性膜の内部構造を
実現する目的で、磁性膜を成膜するスパッタリング法の
磁性金属ターゲットに数重量％から数十重量％の範囲内
で、例えば酸化シリコンを混入する方法がある。この方
法で成膜した磁性膜は磁性金属の結晶粒と酸化物の結晶
粒の分離性が大きく、図７の磁性膜断面図に示すように
磁性金属結晶粒塊２３_a をシリコン酸化膜２０_b が取り
囲んだようなクラニュラー（粒状の）構造となる。この
結果として、磁性金属結晶粒塊間の相互作用は小さくな
り、ノイズの面でも向上することが知られている。ただ
し、現在得られている磁性膜の内部構造は、図７のよう
に膜の厚さ方向でも磁性金属結晶粒塊間に酸化物が入り
込み、下地膜による十分な配向制御ができるまでには至
っていない。

【００１０】上述した磁性膜の粒子径を小さくしていく
と粒子の磁化の配向を安定に保持できないという問題を
解決するためには、例えば図８に示すように、非磁性基
板としてのシリコン基板１_b 上に、下地膜４を介して、
磁性膜を上下面に貫通する多数の磁性金属結晶粒柱２３
_c とこれらの磁性金属結晶粒柱２３_c を互いに分離する
シリコン酸化膜２０_b からなる磁性膜２，保護膜３が形
成された構造の媒体が考えられる。この構造の媒体は量
子化磁気ディスク（Ｑｕａｎｔｉｚｅｄ Ｍａｇｎｅｔ
ｉｃ Ｄｉｓｋｓ）（以下、ＱＭＤと略記する）といわ
れ、磁性膜のシリコン酸化膜に側面を囲まれた磁性金属
結晶粒柱が１ｂｉｔに対応することになる。図９は、そ
の製造工程を媒体の断面構造を用いて示したものであ
る。先ず、図９（ａ）に示すように、非磁性基板として
のシリコン基板１_b 上に、下地膜４，シリコン酸化膜２
０_b ，クロム膜５０，ＰＭＭＡ６０を順次成膜する。次
に、ＰＭＭＡ６０に周期的に均一に分布した同一形状の
多数の図形を矢印のように電子ビームを照射してパター
ニングする（図９（ｂ））。このパターニングされたＰ
ＭＭＡ６０をエッチングマスクとしてクロム膜５０のエ
ッチングを行ってクロム膜５０に孔を開ける（図９
（ｃ））。続いて、ＰＭＭＡ６０を除去した後、パター
ニングされたクロム膜６０をエッチングマスクとしてシ
リコン酸化膜２０_bに細長い孔を下地膜４まで貫通させ
る（図９（ｄ））。その後、クロム膜５０を除去した
後、電気めっき法を用いて下地膜４からＮｉまたはＣｏ
などの磁性金属２３をシリコン酸化膜２０_b の上面まで
成長させる（図９（ｅ））。続いて、シリコン酸化膜２
０_b 上に盛り上がった部分の磁性金属２３を機械研磨法
によって除去することによってシリコン酸化膜２０_b の
表面と磁性金属結晶粒柱２３_c とこれらの磁性金属結晶
粒柱２３_c を互いに分離するシリコン酸化膜２０_b とか
らなる磁性膜を形成し表面を平坦な鏡面とした（図９
（ｆ））後、この鏡面上にカーボンからなる保護膜３を
形成して媒体とする（図９（ｇ））。

【００１１】図１０は、上述のようにして形成した磁性
膜２の場合に、すなわち、酸化膜の細長い孔に磁性金属
を埋め込んだ場合に、磁化の向きがどのようになるかを
表している。図１０では、磁化の向きがシリコン基板１
_b 面に垂直な場合を表しているが、例えばシリコン基板
１_b 面に平行な配置でもよい。埋め込まれた形状内が単
一磁区の場合、自発磁化（磁界のない場合の磁化の向
き）の向きはこの埋め込まれた形状によって決定され
る。図１０では、磁化の向きが同じでシリコン基板１_b
面に垂直で上向きと下向きの二方向しかない状態にある
ことを示している。これは磁区の自発磁化の向きが形状
異方性エネルギーを小さくするように決まることを利用
している。従来の媒体では、１ｂｉｔは１０００個程度
の弱く磁気的に結合した結晶粒塊から構成されている。
一方、ＱＭＤでは、１ｂｉｔに対応する単位領域内で結
晶粒柱は他の領域からは磁気的に孤立している。しか
し、その単位となる領域にある多結晶粒は（非磁性金属
を含まない強磁性金属から構成され）強い交換力によっ
て結合しているため、大きな単一の磁性結晶粒のように
振る舞う。この結果、ＱＭＤの１ｂｉｔに相当する領域
を反転させるのに要する熱エネルギーは従来の非磁性金
属を磁性金属結晶の間に析出させた構造に比較して大き
く、熱的な擾乱に対して安定な媒体を得ることが可能と
なる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】従来、上述のＱＭＤの
製造に際しては、磁性金属を埋め込む開口部（孔）は、
電子線リソグラフィーを用い、シリコンＬＳＩを作製す
る製造方法が採られている。この方式では、現在広く量
産に用いられている，基板上に磁性膜などを、例えばス
パッタリング法で順次成膜していく方法に比較して、工
数，工程時間，工程単価，歩留りといった面でコストの
増加となるため量産にはむかない。

【００１３】さらに、従来のＱＭＤにおいては、磁性金
属を埋め込んだ直径約１０ｎｍの領域が１ｂｉｔに対応
し、かつ、各ｂｉｔの書き込み・読みだしは従来の浮上
磁気ヘッド方式ではなく、ＡＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏ
ｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）やＳＴＭ（Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）に用い
られるプローブを用いることが前提となるため、記憶装
置の構成が複雑となる問題があった。

【００１４】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
のであって、ＱＭＤと同様な効果を有し、低ノイズで、
面記録密度が高く、しかも情報の書き込み・読みだしに
現在ＨＤＤで広く用いられている浮上磁気ヘッド方式が
適用可能な磁気記録媒体およびそれを容易に安価に量産
できる製造方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の課題は、この発明
によれば、非磁性硬質基板上に磁性膜が形成されてなる
磁気記録媒体において、磁性膜が膜の下面から上面に貫
通する多数の磁性金属結晶粒柱とこれらの磁性金属結晶
粒柱を互いに分離する熱可塑性樹脂とからなる構造の磁
気記録媒体とすることによって解決される。

【００１６】非磁性硬質基板と磁性膜の間に下地膜が設
けられていてもよい。

【００１７】このような磁気記録媒体は、非磁性硬質基
板上に熱可塑性樹脂膜を形成後、または、非磁性硬質基
板上に下地膜を形成しその上に熱可塑性樹脂膜を形成
後、表面に周期的に均一に分布した同一形状の多数の柱
状凸部を有する金型を前記熱可塑性樹脂膜に押しつけた
のち離型することによって前記金型の柱状凸部に対応す
る柱状凹部を樹脂膜に形成し、柱状凹部の底に残存する
樹脂を除去して基板に達する孔とし、その後、この孔を
埋め樹脂膜表面をも覆うように磁性金属膜を成膜した
後、磁性金属膜表面から樹脂膜表面に達する研磨を行っ
て孔部の磁性金属表面とこれを囲む樹脂表面を一面とし
て鏡面とし、その鏡面に保護膜を形成することによって
製造することがてきる。従来のＱＭＤの製造のように、
電子線リゾグラフィーで磁性金属の埋め込み形状を１個
づつパターニングする必要はなくなり、容易に、安価に
量産できる。

【００１８】また、表面に周期的に均一に分布した同一
形状の多数の柱状凹部を有するプラスチック基板の柱状
凹部に磁性金属が埋め込まれている磁気記録媒体とする
ことによっても解決される。

【００１９】この場合にも、プラスチック基板と磁性金
属の間に下地膜が設けられていてもよい。

【００２０】このような磁気記録媒体は、表面に周期的
に均一に分布した同一形状の多数の柱状凹部を有するプ
ラスチック基板表面に、または、前記柱状凹部表面に下
地膜が形成されたプラスチック基板表面に、柱状凹部を
埋めてさらに基板表面をも覆うように磁性金属膜を成膜
した後、磁性金属膜表面から研磨を行って基板のプラス
チック表面と柱状凹部の磁性金属表面を一面として鏡面
とし、その鏡面に保護膜を形成することによって製造さ
れる。

【００２１】さらに、基板の両面に上述のような製造方
法を適用することにより、基板の両面にそれぞれ上述の
ような磁性膜が形成されている磁気記録媒体を得ること
ができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】図１に、この発明に係わる磁気記
録媒体の一例の模式的断面図を示す。非磁性硬質基板と
してのシリコン基板１_b 上に熱可塑性樹脂２０とそれに
よって分離された磁性金属結晶粒柱２３_c とからなる磁
性膜２が形成され、その上に保護膜３が形成された構成
である。

【００２３】図２は、図１に示した磁気記録媒体の製造
方法の一例を示す工程図である。図２（ａ）に示すよう
に、シリコン基板１_b 上に熱可塑性樹脂（例えば、ポリ
カーボネートまたはポリオレフィン）をスピンコータで
均一に成膜し硬化させて熱可塑性樹脂膜２０_a を形成し
た後、多数の周期的に均一に分布した円形の柱状凸部１
０１の形成されたステンレス鋼製の金型１００を熱可塑
性樹脂膜２０_a に矢印のように型押しし図２（ｂ）に示
すように離型することにより、熱可塑性樹脂膜２０_a に
図２（ｃ）に示すように柱状凹部２１を形成し、柱状凹
部２１の底に残った樹脂を反応性イオンエッチング法
（純酸素またはＡｒガスと酸素の混合ガスのプラズマを
用いる）で除去して図２（ｄ）に示すようなシリコン基
板１_b の表面に達する孔２２を形成する。この後、図２
（ｅ）に示すように、孔２２のパターニングが行われた
熱可塑性樹脂膜２０_a の上面に孔２２を埋めるように磁
性金属２３（純Ｃｏ，純Ｆｅ，純Ｎｉなどの強磁性金属
膜）をスパッタリング法で成膜する。続いて、磁性金属
２３の表面から熱可塑性樹脂膜２０_a の表面に達する機
械研磨を行って、図２（ｆ）に示すように熱可塑性樹脂
２０の表面および孔２２を埋めている磁性金属結晶粒柱
２３_c の表面を一面とする鏡面とする。この鏡面上にグ
ラファイトをターゲット材料としてスパッタリング法に
より保護膜３を形成して、図２（ｇ）に示すような、熱
可塑性樹脂２０とそれにより分離された磁性金属結晶粒
柱２３_c とからなる磁性膜２を有する磁気記録媒体を得
る。

【００２４】図３に、この発明に係わる媒体の種々の異
なる磁性膜構成を示す模式的断面図を示す。図３（ａ）
は、磁性金属結晶粒柱２３_c の長手方向がシリコン基板
１_bに対してほぼ垂直である磁性膜２を有する媒体であ
る。図３（ｂ）は、シリコン基板１_b と磁性膜２との間
に下地膜４を有する媒体で、シリコン基板１_b 上に下地
膜４（純Ｃｒ，ＣｒＭｏ，ＣｒＷなどの合金または純Ｎ
ｉ，Ｎｉの合金などからなる）を数十μｍの厚さで形成
した後、図２に示した製造工程によって作製される。図
３（ｃ）は、シリコン基板１_b と磁性金属結晶粒柱２３
_c との間に薄く熱可塑性樹脂が介在する磁性膜２を有す
る媒体で、図２に示した製造工程において、熱可塑性樹
脂膜２０_b に図２（ｃ）に示すように柱状凹部を形成し
た後、柱状凹部の底に残った樹脂を反応性イオンエッチ
ング法で除去することなしに磁性金属膜を形成すること
によって作製される。図３（ｄ）は、シリコン基板１_b
の両面に熱可塑性樹脂２０とそれにより分離された磁性
金属結晶粒柱２３_c からなる磁性膜２を有する媒体、図
３（ｅ）は、シリコン基板１_b の両面に下地膜４を介し
て熱可塑性樹脂２０とそれにより分離された磁性金属結
晶粒柱２３_c が設けられた媒体を示す。

【００２５】以上の説明においては、非磁性硬質基板と
してシリコン基板を用いたが、シリコン基板に限られる
ものではなく、アルミニウム合金基板，硬質ガラス基板
を用いてもよい。

【００２６】図４は、この発明に係わる媒体のさらに異
なる膜構成を示す模式的断面図を示す。図４（ａ）は、
プラスチック基板１_c の表面に設けられた多数の周期的
に均一に分布した同一形状の柱状凹部１１に磁性金属２
３を埋め込みその上に保護膜３を形成した構成の媒体
で、前もって表面に凹部１１が形成されたプラスチック
基板１_c の表面に柱状凹部１１を埋め込みさらに基板表
面を覆うようにスパッタリング法で磁性金属膜２３_a を
形成し、磁性金属膜表面からプラスチック基板１ _c に達
するまで機械研磨して基板表面と柱状凹部１１に埋め込
まれた磁性金属２３の表面が一面となる鏡面とし、その
上に保護膜３をスパッタリング法で形成することによっ
て作製される。図４（ｂ）は、プラスチック基板１_c の
両面に設けられた多数の周期的に均一に分布した同一形
状の柱状凹部１１に磁性金属２３が埋め込まれ、その上
に保護膜３を形成した構成の媒体を示す。また、図４
（ｃ）および図４（ｄ）は、プラスチック基板１_c と磁
性金属２３の間に下地膜５が介在する構成の媒体を示
し、柱状凹部１１の内面に下地膜４を設けた後に磁性金
属膜２３_a を成膜することによって得られる。

【００２７】以上の説明においては、熱可塑性樹脂膜表
面またはプラスチック基板表面に形成される多数の周期
的に均一に分布した同一形状の柱状凹部の平面形状は直
径１０ｎｍの円としたが、円に限られることはなく、図
１１に示すような種々の形状でもよい。これらの平面形
状の大きさはいずれも直径数十ｎｍの円内に収まる程度
が好ましい。

【００２８】

【発明の効果】この発明によれば、非磁性硬質基板上に
磁性膜を備えてなる磁気記録媒体において、磁性膜が膜
の下面から上面に貫通する多数の磁性金属結晶粒柱とこ
れらの磁性金属結晶粒柱を互いに分離する熱可塑性樹脂
とからなる媒体とすることによって、ＱＭＤと同様な効
果が得られ、低ノイズで、１００Ｇｂｉｔｓ／ｉｎ² を
超える高面記録密度が可能で、しかも情報の書き込み・
読みだしに現在ＨＤＤで広く用いられている浮上磁気ヘ
ッド方式が適用可能な媒体が得られる。

【００２９】このような媒体は、非磁性硬質基板上に熱
可塑性樹脂膜を形成後、表面に周期的に均一に分布した
同一形状の多数の柱状凸部を有する金型を前記熱可塑性
樹脂膜に押しつけることによって前記金型の柱状凸部に
対応する柱状凹部を樹脂膜に形成し、この樹脂膜の柱状
凹部の底に残存する樹脂を除去して樹脂膜を貫通する孔
とし、その後、この孔を埋め樹脂膜表面をも覆うように
磁性金属膜を成膜した後、磁性金属膜表面から樹脂膜表
面に達する研磨を行って樹脂膜表面と孔部の磁性金属膜
表面とを一面の鏡面とし、その鏡面上に保護膜を形成す
ることによって、従来のＱＭＤの製造のように電子リゾ
グラフィーで１個づつ磁性金属の埋め込み形状をパター
ニングする方法に比して容易に安価に量産することがで
きる。

【００３０】また、表面に周期的に均一に分布した同一
形状の多数の柱状凹部を有するプラスチック基板の柱状
凹部に磁性金属が埋め込まれており、このプラスチック
基板および磁性金属表面を一面として保護膜が形成され
ている媒体とすることによっても、同様に、優れた媒体
を得ることができる。

【００３１】このような媒体は、表面に周期的に均一に
分布した同一形状の多数の柱状凹部を有するプラスチッ
ク基板上に、または、基板の柱状凹部内面に下地膜を形
成した基板上に、柱状凹部を埋めさらにプラスチック基
板の表面を覆うように磁性金属膜を成膜した後、磁性金
属膜表面から基板表面に達する研磨を行ってプラスチッ
ク基板表面と柱状凹部の磁性金属膜表面を一面の鏡面と
し、その鏡面上に保護膜を形成することにより、容易
に、安価に量産することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係わる媒体の一例の模式的断面図

【図２】図１に示した媒体の製造方法の一例の工程図

【図３】この発明に係わる媒体の異なる例の模式的断面
図

【図４】この発明に係わる媒体のさらに異なる例の模式
的断面図

【図５】従来の媒体の一例の説明図

【図６】理想的な媒体の一例の説明図

【図７】グラニュラー構造磁性膜の模式的断面図

【図８】ＱＭＤの一例の模式的断面図

【図９】図８に示した媒体の製造工程の一例の工程図

【図１０】ＱＭＤの磁性膜の二値化した磁区の説明図

【図１１】この発明に係わる磁性金属多結晶粒柱の平面
形状の例

【符号の説明】

１ 非磁性基体 １_a 硬質基板 １_b シリコン基板 １_c プラスチック基板 ２ 磁性膜 ３ 保護膜 ４ 下地膜 １１ 柱状凹部 ２０ 熱可塑性樹脂 ２０_a 熱可塑性樹脂膜 ２０_b シリコン酸化膜 ２１ 柱状凹部 ２２ 孔 ２３ 磁性金属 ２３_a 磁性金属膜 ２３_b 磁性金属結晶粒塊 ２３_c 磁性金属結晶粒柱 ２４ 非磁性金属 ５０ クロム膜 ６０ ＰＭＭＡ １００ 金型 １０１ 柱状凸部

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】非磁性硬質基板上に磁性膜を備えてなる磁
   気記録媒体において、前記磁性膜が膜の下面から上面に
   貫通する多数の磁性金属結晶粒柱とこれらの磁性金属結
   晶粒柱を互いに分離する熱可塑性樹脂とからなることを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】非磁性硬質基板と磁性膜の間に下地膜が設
   けられていることを特徴とする請求項１記載の磁気記録
   媒体。
3. 【請求項３】非磁性硬質基板上に熱可塑性樹脂膜を形成
   後、表面に周期的に均一に分布した同一形状の多数の柱
   状凸部を有する金型を前記熱可塑性樹脂膜に押しつける
   ことによって前記金型の柱状凸部に対応する柱状凹部を
   樹脂膜に形成し、この樹脂膜の柱状凹部の底に残存する
   樹脂を除去して樹脂膜を貫通する孔とし、その後、この
   孔を埋め樹脂膜表面をも覆うように磁性金属膜を成膜し
   た後、磁性金属膜表面から樹脂膜表面に達する研磨を行
   って樹脂膜表面と孔部の磁性金属膜表面とを一面の鏡面
   とし、その鏡面上に保護膜を形成することを特徴とする
   磁気記録媒体の製造方法。
4. 【請求項４】非磁性硬質基板上に下地膜を設け、この下
   地膜上に熱可塑性樹脂膜が形成されることを特徴とする
   請求項３記載の磁気記録媒体の製造方法。
5. 【請求項５】表面に周期的に均一に分布した同一形状の
   多数の柱状凹部を有するプラスチック基板の柱状凹部に
   磁性金属が埋め込まれており、このプラスチック基板お
   よび磁性金属表面を一面として保護膜が形成されている
   ことを特徴とする磁気記録媒体。
6. 【請求項６】プラスチック基板と磁性金属の間に下地膜
   が設けられていることを特徴とする請求項５記載の磁気
   記録媒体。
7. 【請求項７】表面に周期的に均一に分布した同一形状の
   多数の柱状凹部を有するプラスチック基板の柱状凹部を
   埋めさらにプラスチック基板の表面を覆うように磁性金
   属膜を成膜した後、磁性金属膜表面から基板表面に達す
   る研磨を行ってプラスチック基板表面と柱状凹部の磁性
   金属膜表面を一面の鏡面とし、その鏡面上に保護膜を形
   成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
8. 【請求項８】表面に周期的に均一に分布した同一形状の
   多数の柱状凹部を有するプラスチック基板の柱状凹部内
   表面に下地膜を形成した後、磁性金属膜を成膜すること
   を特徴とする請求項７記載の磁気記録媒体の製造方法。
9. 【請求項９】非磁性硬質基板の両面に磁性膜が形成され
   ていることを特徴とする請求項１または２記載の磁気記
   録媒体。
10. 【請求項１０】プラスチック基板両面に柱状凹部が形成
    され、それぞれの柱状凹部に磁性金属が埋め込まれてい
    ることを特徴とする請求項５または６記載の磁気記録媒
    体。