JP2002025135A - 光磁気記録媒体および光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体および光磁気記録媒体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 CAD光磁気記録媒体の製造工程の簡略化お
よびコストの低減化を図る。 【解決手段】 光透過性基板1上に、少なくとも情報を
記録保持する記録層6と、記録層6に保持されている情
報の再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層3
とを有する磁気超解像型の光磁気記録媒体10におい
て、記録層6と、読み出し層3との間に、交換結合切断
層5を有し、この交換結合切断層5を、GdFeCo、
TbFeCoのいずれかの窒化物層からなるものとす
る。
よびコストの低減化を図る。 【解決手段】 光透過性基板1上に、少なくとも情報を
記録保持する記録層6と、記録層6に保持されている情
報の再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層3
とを有する磁気超解像型の光磁気記録媒体10におい
て、記録層6と、読み出し層3との間に、交換結合切断
層5を有し、この交換結合切断層5を、GdFeCo、
TbFeCoのいずれかの窒化物層からなるものとす
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録媒体お
よび光磁気記録媒体の製造方法に係わる。
よび光磁気記録媒体の製造方法に係わる。
【0002】
【従来の技術】情報の書換えが可能な記録媒体として、
光磁気記録により情報の記録や再生を行うことができる
光磁気記録媒体が提案され、実用化されている。
光磁気記録により情報の記録や再生を行うことができる
光磁気記録媒体が提案され、実用化されている。
【0003】この光磁気記録媒体においては、近年、磁
気超解像(MSR)と呼ばれる技術により、情報の記録
および再生を行う際に使用するレーザ光のスポット径よ
りも、小さな記録マークから情報の読み出しを行う方式
が提案されており、これにより、高密度記録化を実現す
る手法として注目されている。
気超解像(MSR)と呼ばれる技術により、情報の記録
および再生を行う際に使用するレーザ光のスポット径よ
りも、小さな記録マークから情報の読み出しを行う方式
が提案されており、これにより、高密度記録化を実現す
る手法として注目されている。
【0004】この磁気超解像は、情報の記録および再生
を行う際に照射するレーザ光のスポット内に、温度分布
が生じることを利用して、このレーザ光のスポット内の
低温領域あるいは高温領域をマスクすることにより、レ
ーザ光のスポット径よりも小さい記録マークから情報を
読み出すことが可能となるものである。
を行う際に照射するレーザ光のスポット内に、温度分布
が生じることを利用して、このレーザ光のスポット内の
低温領域あるいは高温領域をマスクすることにより、レ
ーザ光のスポット径よりも小さい記録マークから情報を
読み出すことが可能となるものである。
【0005】このような磁気超解像の一例として、特開
平5−81717号公報に、中央開口検出(Center Ape
rture Detection :CAD)方式についての開示がなさ
れている。この中央開口検出(CAD)方式は、室温に
おいては、面内磁気異方性が優位な磁化状態であり、温
度上昇に伴い、垂直磁気異方性が優位な磁化状態となる
性質を有する読み出し層と、情報を記録保持する記録層
とを具備し、かつ、上記読み出し層と記録層との間に、
非磁性膜が挟み込まれた構成の光磁気記録媒体を適用す
るものである。
平5−81717号公報に、中央開口検出(Center Ape
rture Detection :CAD)方式についての開示がなさ
れている。この中央開口検出(CAD)方式は、室温に
おいては、面内磁気異方性が優位な磁化状態であり、温
度上昇に伴い、垂直磁気異方性が優位な磁化状態となる
性質を有する読み出し層と、情報を記録保持する記録層
とを具備し、かつ、上記読み出し層と記録層との間に、
非磁性膜が挟み込まれた構成の光磁気記録媒体を適用す
るものである。
【0006】上記光磁気記録媒体を構成する記録層に
は、記録あるいは再生を行う際に用いるレーザ光のスポ
ット径よりも小さな記録マークで情報の記録をしてお
く。そして、情報の再生を行う際に、光磁気記録媒体の
読み出し層にレーザ光を照射すると、読み出し層は、こ
のレーザ光により加熱されて温度が上昇する。このと
き、レーザ光は、集光を行う対物レンズにより、回折限
界まで絞り込まれているため、その光強度分布は、ガウ
ス分布になり、読み出し層における温度分布もガウス分
布になることが知られている。そして、この読み出し層
の、レーザ光が照射された部分のスポットの中央部分の
みが磁気補償温度付近まで昇温され、この部分が垂直磁
化状態になる。
は、記録あるいは再生を行う際に用いるレーザ光のスポ
ット径よりも小さな記録マークで情報の記録をしてお
く。そして、情報の再生を行う際に、光磁気記録媒体の
読み出し層にレーザ光を照射すると、読み出し層は、こ
のレーザ光により加熱されて温度が上昇する。このと
き、レーザ光は、集光を行う対物レンズにより、回折限
界まで絞り込まれているため、その光強度分布は、ガウ
ス分布になり、読み出し層における温度分布もガウス分
布になることが知られている。そして、この読み出し層
の、レーザ光が照射された部分のスポットの中央部分の
みが磁気補償温度付近まで昇温され、この部分が垂直磁
化状態になる。
【0007】上述のようにして、読み出し層の垂直磁化
状態となった部分には、記録層からの漏れ磁界が印加さ
れ、記録層に記録されている記録マークが転写される。
ここで、読み出し層の垂直磁化状態となる部分は、照射
されたレーザ光のスポットの中央部分のみであり、それ
以外の部分は、面内磁化状態のままである。したがっ
て、この面内磁化状態の部分が、記録層からの漏れ磁界
に対するマスクの役割をし、この結果、レーザ光のスポ
ット径よりも小さい記録マークから情報を読み出すこと
が可能になる。
状態となった部分には、記録層からの漏れ磁界が印加さ
れ、記録層に記録されている記録マークが転写される。
ここで、読み出し層の垂直磁化状態となる部分は、照射
されたレーザ光のスポットの中央部分のみであり、それ
以外の部分は、面内磁化状態のままである。したがっ
て、この面内磁化状態の部分が、記録層からの漏れ磁界
に対するマスクの役割をし、この結果、レーザ光のスポ
ット径よりも小さい記録マークから情報を読み出すこと
が可能になる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述した(CAD)方
式に適用する光磁気記録媒体は、一般的に、光透過性基
板上に、例えばSiN膜の第1の誘電体層、GdFeC
o膜の希土類−遷移金属合金から成る読み出し層、Gd
Fe膜の希土類−遷移金属合金から成る読み出し補助
層、Si膜の非磁性層、TbFeCo膜の希土類−遷移
金属合金から成る記録層、SiN膜の第2の誘電体層、
およびAlTi膜の熱拡散層が順次積層されて成る構成
を有するものである。
式に適用する光磁気記録媒体は、一般的に、光透過性基
板上に、例えばSiN膜の第1の誘電体層、GdFeC
o膜の希土類−遷移金属合金から成る読み出し層、Gd
Fe膜の希土類−遷移金属合金から成る読み出し補助
層、Si膜の非磁性層、TbFeCo膜の希土類−遷移
金属合金から成る記録層、SiN膜の第2の誘電体層、
およびAlTi膜の熱拡散層が順次積層されて成る構成
を有するものである。
【0009】しかしながら、上述のように多層構造を有
する光磁気記録媒体を作製するためには、これらの各層
をそれぞれスパッタリングによって形成する必要がある
ため、成膜する層の数に相当する数の真空スパッタリン
グ槽を備えた設備が必要になり、製造装置のコスト、さ
らには光磁気記録媒体の製造コストが高くなってしまう
という問題を有している。
する光磁気記録媒体を作製するためには、これらの各層
をそれぞれスパッタリングによって形成する必要がある
ため、成膜する層の数に相当する数の真空スパッタリン
グ槽を備えた設備が必要になり、製造装置のコスト、さ
らには光磁気記録媒体の製造コストが高くなってしまう
という問題を有している。
【0010】そこで、本発明者は、上述したような実情
に鑑みて、CAD方式に適用する光磁気記録媒体につい
て、その製造コストの低減化を図ることとした。
に鑑みて、CAD方式に適用する光磁気記録媒体につい
て、その製造コストの低減化を図ることとした。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明においては、光透
過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層とを有する磁気超解像型の
光磁気記録媒体であり、記録層と、読み出し層との間
に、交換結合切断層を有し、この交換結合切断層は、G
dFeCo、TbFeCoのいずれかの窒化物層からな
るものである光磁気記録媒体を提供する。
過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層とを有する磁気超解像型の
光磁気記録媒体であり、記録層と、読み出し層との間
に、交換結合切断層を有し、この交換結合切断層は、G
dFeCo、TbFeCoのいずれかの窒化物層からな
るものである光磁気記録媒体を提供する。
【0012】また、本発明においては、光透過性基板上
に、少なくとも情報を記録保持する記録層と、記録層に
保持されている情報の再生の際にその情報がコピーされ
る読み出し層と、読み出し補助層とを有する磁気超解像
型の光磁気記録媒体であり、読み出し補助層と、記録層
との間に、交換結合切断層を有し、この交換結合切断層
は、GdFe、TbFeCoのいずれかの窒化物層から
なる光磁気記録媒体を提供する。
に、少なくとも情報を記録保持する記録層と、記録層に
保持されている情報の再生の際にその情報がコピーされ
る読み出し層と、読み出し補助層とを有する磁気超解像
型の光磁気記録媒体であり、読み出し補助層と、記録層
との間に、交換結合切断層を有し、この交換結合切断層
は、GdFe、TbFeCoのいずれかの窒化物層から
なる光磁気記録媒体を提供する。
【0013】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、光
透過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層とを有する磁気超解像型の
光磁気記録媒体の製造方法であり、読み出し層を形成す
る工程と、この読み出し層上に、GdFeCoの窒化物
層からなる交換結合切断層を形成するスパッタリング工
程と、交換結合切断層上に、記録層を形成する工程とを
有するものであって、交換結合切断層の形成工程は、読
み出し層を形成する工程において、工程終了直前に、N
2 を、少なくとも一原子層以上の厚さのGdFeCoの
窒化物を形成するように導入することによって行い、読
み出し層形成用のチャンバーと同一のチャンバーによっ
て行うものとする。
透過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層とを有する磁気超解像型の
光磁気記録媒体の製造方法であり、読み出し層を形成す
る工程と、この読み出し層上に、GdFeCoの窒化物
層からなる交換結合切断層を形成するスパッタリング工
程と、交換結合切断層上に、記録層を形成する工程とを
有するものであって、交換結合切断層の形成工程は、読
み出し層を形成する工程において、工程終了直前に、N
2 を、少なくとも一原子層以上の厚さのGdFeCoの
窒化物を形成するように導入することによって行い、読
み出し層形成用のチャンバーと同一のチャンバーによっ
て行うものとする。
【0014】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、光
透過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層と、読み出し補助層とを有
する磁気超解像型の光磁気記録媒体の製造方法であり、
読み出し層を形成する工程と、読み出し補助層を形成す
るスパッタリング工程と、読み出し補助層上に、GdF
eの窒化物層からなる交換結合切断層を形成するスパッ
タリング工程と、交換結合切断層上に、記録層を形成す
る工程とを有し、交換結合切断層の形成は、読み出し補
助層を形成するスパッタリング工程において、工程終了
直前に、N2 を、少なくとも一原子層以上の厚さのGd
Feの窒化物層を形成するように導入することによって
行い、読み出し補助層形成用のチャンバーと同一のチャ
ンバーによって行うものとする。
透過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層と、読み出し補助層とを有
する磁気超解像型の光磁気記録媒体の製造方法であり、
読み出し層を形成する工程と、読み出し補助層を形成す
るスパッタリング工程と、読み出し補助層上に、GdF
eの窒化物層からなる交換結合切断層を形成するスパッ
タリング工程と、交換結合切断層上に、記録層を形成す
る工程とを有し、交換結合切断層の形成は、読み出し補
助層を形成するスパッタリング工程において、工程終了
直前に、N2 を、少なくとも一原子層以上の厚さのGd
Feの窒化物層を形成するように導入することによって
行い、読み出し補助層形成用のチャンバーと同一のチャ
ンバーによって行うものとする。
【0015】本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、光
透過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層と、読み出し補助層とを有
する磁気超解像型の光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、読み出し層を形成する工程と、読み出し補助層を形
成するスパッタリング工程と、読み出し補助層上に、T
bFeCoの窒化物層からなる交換結合切断層を形成す
るスパッタリング工程と、交換結合切断層上に、記録層
を形成する工程とを有するものであり、交換結合切断層
の形成は、記録層を形成するスパッタリング工程におい
て、工程開始直後に、N2 を、少なくとも一原子層以上
の厚さのTbFeCoの窒化物層を形成するように導入
することによって行い、記録層形成用のチャンバーと同
一のチャンバーによって行うものとする。
透過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層と、読み出し補助層とを有
する磁気超解像型の光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、読み出し層を形成する工程と、読み出し補助層を形
成するスパッタリング工程と、読み出し補助層上に、T
bFeCoの窒化物層からなる交換結合切断層を形成す
るスパッタリング工程と、交換結合切断層上に、記録層
を形成する工程とを有するものであり、交換結合切断層
の形成は、記録層を形成するスパッタリング工程におい
て、工程開始直後に、N2 を、少なくとも一原子層以上
の厚さのTbFeCoの窒化物層を形成するように導入
することによって行い、記録層形成用のチャンバーと同
一のチャンバーによって行うものとする。
【0016】本発明においては、従来の中央開口検出
(Center Aperture Detection :CAD)方式に適用す
る光磁気記録媒体と同様の性能を保持しつつ、成膜コス
トの低減化を効果的に図った光磁気記録媒体が提供され
る。
(Center Aperture Detection :CAD)方式に適用す
る光磁気記録媒体と同様の性能を保持しつつ、成膜コス
トの低減化を効果的に図った光磁気記録媒体が提供され
る。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体は、光透
過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層とを有する磁気超解像型の
光磁気記録媒体であり、記録層と、読み出し層との間
に、交換結合切断層を有し、この交換結合切断層は、G
dFeCo、TbFeCoのいずれかの窒化物層からな
るものとする。
過性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層
と、記録層に保持されている情報の再生の際に、その情
報がコピーされる読み出し層とを有する磁気超解像型の
光磁気記録媒体であり、記録層と、読み出し層との間
に、交換結合切断層を有し、この交換結合切断層は、G
dFeCo、TbFeCoのいずれかの窒化物層からな
るものとする。
【0018】また、本発明の光磁気記録媒体は、光透過
性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層と、
記録層に保持されている情報の再生の際にその情報がコ
ピーされる読み出し層と、読み出し補助層とを有する磁
気超解像型の光磁気記録媒体であり、読み出し補助層
と、記録層との間に、交換結合切断層を有し、この交換
結合切断層は、GdFe、TbFeCoのいずれかの窒
化物層からなるものとする。
性基板上に、少なくとも情報を記録保持する記録層と、
記録層に保持されている情報の再生の際にその情報がコ
ピーされる読み出し層と、読み出し補助層とを有する磁
気超解像型の光磁気記録媒体であり、読み出し補助層
と、記録層との間に、交換結合切断層を有し、この交換
結合切断層は、GdFe、TbFeCoのいずれかの窒
化物層からなるものとする。
【0019】以下、本発明の光磁気記録媒体および本発
明の光磁気記録媒体の製造方法について、例を挙げて図
を参照して説明するが、本発明の光磁気記録媒体、およ
び光磁気記録媒体の製造方法は、以下に示す例に限定さ
れるものではない。
明の光磁気記録媒体の製造方法について、例を挙げて図
を参照して説明するが、本発明の光磁気記録媒体、およ
び光磁気記録媒体の製造方法は、以下に示す例に限定さ
れるものではない。
【0020】本発明に適用した光磁気記録媒体は、いわ
ゆる中央開口検出(Center Aperture Detection :CA
D)方式の磁気超解像により、照射したレーザ光のスポ
ット径よりも小さい記録マークから情報を読み出すこと
が可能とされたものである。図1の光磁気記録媒体の要
部の概略図に示すように、本発明の光磁気記録媒体10
は、光透過性基板1上に、第1の誘電体層2と、読み出
し層3と、読み出し補助層4と、交換結合切断層5と、
記録層6と第2の誘電体層7と、熱拡散層8とが、順次
積層された構成を有するものである。
ゆる中央開口検出(Center Aperture Detection :CA
D)方式の磁気超解像により、照射したレーザ光のスポ
ット径よりも小さい記録マークから情報を読み出すこと
が可能とされたものである。図1の光磁気記録媒体の要
部の概略図に示すように、本発明の光磁気記録媒体10
は、光透過性基板1上に、第1の誘電体層2と、読み出
し層3と、読み出し補助層4と、交換結合切断層5と、
記録層6と第2の誘電体層7と、熱拡散層8とが、順次
積層された構成を有するものである。
【0021】図1に示した構造の本発明の光磁気記録媒
体10は、読み出し補助層4と、記録層6との間に、交
換結合切断層5が形成されて成るものであり、この交換
結合切断層5は、特に、交換結合切断層5と隣接する
層、すなわち読み出し補助層4あるいは記録層6の一部
を窒化することにより形成されたものとする。すなわ
ち、この交換結合切断層5は、GdFe、あるいはTb
FeCoの窒化物層からなるものとする。
体10は、読み出し補助層4と、記録層6との間に、交
換結合切断層5が形成されて成るものであり、この交換
結合切断層5は、特に、交換結合切断層5と隣接する
層、すなわち読み出し補助層4あるいは記録層6の一部
を窒化することにより形成されたものとする。すなわ
ち、この交換結合切断層5は、GdFe、あるいはTb
FeCoの窒化物層からなるものとする。
【0022】光透過性基板1は、照射レーザ光に対し
て、透過性を有する材料により形成されるものとし、例
えば、ポリカーボネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオ
レフィン、スチレン系の樹脂を用いて射出成形により作
製することができる。また、光透過性基板の材料として
樹脂の他、ガラスも適用することができる。光透過性基
板の面上には、ピットやグルーブを構成する所定の微細
凹凸が形成されていても良く、グルーブを形成した場合
には、これを案内溝としてレーザー光を任意の位置へ移
動させることができ、ピットの場合には、これが情報信
号となってレーザー光の照射により記録情報を読み取り
を行うことができる。なお、所定の微細凹凸は、射出成
形や、フォトポリマリゼイション法(2P法)によって
形成することができる。
て、透過性を有する材料により形成されるものとし、例
えば、ポリカーボネート、アクリル樹脂、非晶質ポリオ
レフィン、スチレン系の樹脂を用いて射出成形により作
製することができる。また、光透過性基板の材料として
樹脂の他、ガラスも適用することができる。光透過性基
板の面上には、ピットやグルーブを構成する所定の微細
凹凸が形成されていても良く、グルーブを形成した場合
には、これを案内溝としてレーザー光を任意の位置へ移
動させることができ、ピットの場合には、これが情報信
号となってレーザー光の照射により記録情報を読み取り
を行うことができる。なお、所定の微細凹凸は、射出成
形や、フォトポリマリゼイション法(2P法)によって
形成することができる。
【0023】第1の誘電体層2および第2の誘電体層7
は、C/N特性を向上させ、読み出し層3や記録層6等
の中間に形成される層の腐食を防止する。光透過性基板
1には、塩素イオン等、金属を腐食させる成分が含まれ
ている場合が多いので、第1の誘電体層2および第2の
誘電体層7を形成することにより、金属を腐食させる成
分に直接影響されることを回避することができる。な
お、第1の誘電体層2および第2の誘電体層7は、記録
再生用のレーザ光Lの適用波長に対して、吸収能の低い
材料により形成することが必要である。例えば、SiN
膜等をスパッタリング法によって形成することができ
る。
は、C/N特性を向上させ、読み出し層3や記録層6等
の中間に形成される層の腐食を防止する。光透過性基板
1には、塩素イオン等、金属を腐食させる成分が含まれ
ている場合が多いので、第1の誘電体層2および第2の
誘電体層7を形成することにより、金属を腐食させる成
分に直接影響されることを回避することができる。な
お、第1の誘電体層2および第2の誘電体層7は、記録
再生用のレーザ光Lの適用波長に対して、吸収能の低い
材料により形成することが必要である。例えば、SiN
膜等をスパッタリング法によって形成することができ
る。
【0024】読み出し層3は、第1の誘電体層2上に形
成されて成り、GdFeCo系合金膜等の希土類・遷移
金属(RE−TM)合金膜を、例えば直流スパッタリン
グ等によって、例えば300Å程度の厚さに形成するこ
とができる。この読み出し層3は、室温の補償組成より
希土類金属の含有量が多いRE−richの希土類・遷
移金属合金膜であり室温においては、面内磁気異方性が
優位な面内磁化膜であり、温度上昇に伴い垂直磁気異方
性が優位な垂直磁化状態となる。すなわち、この読み出
し層3は、室温においては高い飽和磁化のために形状異
方性が大きく、磁化方向が面内に倒れている面内磁化状
態であるが、温度上昇に伴って飽和磁化が小さくなり、
磁気補償温度(Tcomp)付近の温度になると、形状異方
性が小さくなって、垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状
態となる。
成されて成り、GdFeCo系合金膜等の希土類・遷移
金属(RE−TM)合金膜を、例えば直流スパッタリン
グ等によって、例えば300Å程度の厚さに形成するこ
とができる。この読み出し層3は、室温の補償組成より
希土類金属の含有量が多いRE−richの希土類・遷
移金属合金膜であり室温においては、面内磁気異方性が
優位な面内磁化膜であり、温度上昇に伴い垂直磁気異方
性が優位な垂直磁化状態となる。すなわち、この読み出
し層3は、室温においては高い飽和磁化のために形状異
方性が大きく、磁化方向が面内に倒れている面内磁化状
態であるが、温度上昇に伴って飽和磁化が小さくなり、
磁気補償温度(Tcomp)付近の温度になると、形状異方
性が小さくなって、垂直磁気異方性が優位な垂直磁化状
態となる。
【0025】読み出し補助層4は、読み出し層3上に、
例えば直流スパッタリングによって形成することがで
き、例えば70Å程度のGdFe系合金膜により成るも
のとする。この読み出し補助層4は、読み出し層3が面
内磁化状態から垂直磁化状態へと変化する温度(読み出
し温度にほぼ等しい)において、読み出し層3の状態変
化を急峻にするために設けられるものである。光磁気記
録媒体では、このような読み出し補助層4を設けて、読
み出し温度における読み出し層3の状態変化を急峻にす
ることで、更なる高密度化を実現することが可能とな
る。
例えば直流スパッタリングによって形成することがで
き、例えば70Å程度のGdFe系合金膜により成るも
のとする。この読み出し補助層4は、読み出し層3が面
内磁化状態から垂直磁化状態へと変化する温度(読み出
し温度にほぼ等しい)において、読み出し層3の状態変
化を急峻にするために設けられるものである。光磁気記
録媒体では、このような読み出し補助層4を設けて、読
み出し温度における読み出し層3の状態変化を急峻にす
ることで、更なる高密度化を実現することが可能とな
る。
【0026】交換結合切断層5は、読み出し層3および
読み出し補助層4と、記録層6とが、交換結合しないよ
うに設けられる。この交換結合切断層5は、従来におい
ては、一般的に、例えば高周波スパッタリング等によっ
て、読み出し補助層4上に、例えばSi膜を30Å程度
の厚さに成膜することによって形成されていたが、本発
明の光磁気記録媒体10においては、交換結合切断層5
を、この交換結合切断層5と隣接する層である読み出し
補助層4、あるいは記録層6を構成する材料の窒化物に
より形成する。この交換結合切断層5の厚さは、読み出
し層3および読み出し補助層4と、記録層6とが、交換
結合することを回避するために充分な厚さである一原子
層以上100〔Å〕以下に形成する。なお、交換結合切
断層5は、100〔Å〕よりも厚く形成しても、切断層
としての効果には変化がなく、かえって生産性が悪くな
るので、100〔Å〕以下に形成する。
読み出し補助層4と、記録層6とが、交換結合しないよ
うに設けられる。この交換結合切断層5は、従来におい
ては、一般的に、例えば高周波スパッタリング等によっ
て、読み出し補助層4上に、例えばSi膜を30Å程度
の厚さに成膜することによって形成されていたが、本発
明の光磁気記録媒体10においては、交換結合切断層5
を、この交換結合切断層5と隣接する層である読み出し
補助層4、あるいは記録層6を構成する材料の窒化物に
より形成する。この交換結合切断層5の厚さは、読み出
し層3および読み出し補助層4と、記録層6とが、交換
結合することを回避するために充分な厚さである一原子
層以上100〔Å〕以下に形成する。なお、交換結合切
断層5は、100〔Å〕よりも厚く形成しても、切断層
としての効果には変化がなく、かえって生産性が悪くな
るので、100〔Å〕以下に形成する。
【0027】記録層6は、情報を記録保持する機能を有
する層であり、例えば、TbFeCo層を、交換結合切
断層5上に、直流スパッタリングなどによって例えば5
00Å程度の厚さに形成する。
する層であり、例えば、TbFeCo層を、交換結合切
断層5上に、直流スパッタリングなどによって例えば5
00Å程度の厚さに形成する。
【0028】熱拡散層8は、冷却時における読み出し層
3と記録層6との温度変化に明確な差を付与するために
設けられるものであり、例えば直流スパッタリング等に
よって、Al合金膜を成膜することにより、形成され
る。
3と記録層6との温度変化に明確な差を付与するために
設けられるものであり、例えば直流スパッタリング等に
よって、Al合金膜を成膜することにより、形成され
る。
【0029】図1に示した本発明の光磁気記録媒体10
の例においては、光透過性基板1上に、第1の誘電体層
2、読み出し層3、読み出し補助層4、交換結合切断層
5、記録層6、第2の誘電体層7および熱拡散層8が積
層された構成のものについて説明したが、本発明の光磁
気記録媒体は、上記の図1に示した例に限定されるもの
ではなく、図2に示すように、読み出し補助層4を形成
しない構成のものについても適用することができる。
の例においては、光透過性基板1上に、第1の誘電体層
2、読み出し層3、読み出し補助層4、交換結合切断層
5、記録層6、第2の誘電体層7および熱拡散層8が積
層された構成のものについて説明したが、本発明の光磁
気記録媒体は、上記の図1に示した例に限定されるもの
ではなく、図2に示すように、読み出し補助層4を形成
しない構成のものについても適用することができる。
【0030】すなわち、図2に示す光磁気記録媒体20
においては、光透過性基板1上に、第1の誘電体層2、
読み出し層3、交換結合切断層5、記録層6、第2の誘
電体層7および熱拡散層8が積層された構成を有するも
のであり、読み出し層3と、記録層6との間に交換結合
切断層5が形成されてなり、交換結合切断層5は、Gd
FeCo、TbFeCoのいずれかの窒化物層からなる
ものとする。
においては、光透過性基板1上に、第1の誘電体層2、
読み出し層3、交換結合切断層5、記録層6、第2の誘
電体層7および熱拡散層8が積層された構成を有するも
のであり、読み出し層3と、記録層6との間に交換結合
切断層5が形成されてなり、交換結合切断層5は、Gd
FeCo、TbFeCoのいずれかの窒化物層からなる
ものとする。
【0031】この交換結合切断層5を形成する一手法と
しては、例えばGdFeCo層である読み出し層3を形
成する工程において、工程終了直前に、N2 を、少なく
とも一原子層以上の厚さのGdFeCoの窒化物を形成
するように導入することによって行う。この場合、交換
結合切断層5は、読み出し層3形成用のチャンバーと同
一のチャンバー内で形成することができる。また、交換
結合切断層5を形成する他の手法としては、例えば記録
層6としてTbFeCo層を形成するスパッタリング工
程において、工程開始直後に、N2を、少なくとも一原
子層以上の厚さのTbFeCoの窒化物層を形成するよ
うに導入することによって行うことができる。この場
合、交換結合切断層5の形成は、記録層形成用のチャン
バーと同一のチャンバーによって行うことができる。
しては、例えばGdFeCo層である読み出し層3を形
成する工程において、工程終了直前に、N2 を、少なく
とも一原子層以上の厚さのGdFeCoの窒化物を形成
するように導入することによって行う。この場合、交換
結合切断層5は、読み出し層3形成用のチャンバーと同
一のチャンバー内で形成することができる。また、交換
結合切断層5を形成する他の手法としては、例えば記録
層6としてTbFeCo層を形成するスパッタリング工
程において、工程開始直後に、N2を、少なくとも一原
子層以上の厚さのTbFeCoの窒化物層を形成するよ
うに導入することによって行うことができる。この場
合、交換結合切断層5の形成は、記録層形成用のチャン
バーと同一のチャンバーによって行うことができる。
【0032】次に、本発明の光磁気記録媒体10の製造
方法、および本発明方法に用いるスパッタリング装置に
ついて説明する。図3に、インラインタイプのスパッタ
リング装置50の概略図を示す。このスパッタリング装
置50は、独立したスパッタリング用真空チャンバー5
2〜58が結合された構成を有する。それぞれのチャン
バー間には、チャンバー内の雰囲気を遮断するためのゲ
ートバルブ(図示せず)が設けられており、これにより
各々のチャンバー内の雰囲気は完全に独立したものとさ
れている。
方法、および本発明方法に用いるスパッタリング装置に
ついて説明する。図3に、インラインタイプのスパッタ
リング装置50の概略図を示す。このスパッタリング装
置50は、独立したスパッタリング用真空チャンバー5
2〜58が結合された構成を有する。それぞれのチャン
バー間には、チャンバー内の雰囲気を遮断するためのゲ
ートバルブ(図示せず)が設けられており、これにより
各々のチャンバー内の雰囲気は完全に独立したものとさ
れている。
【0033】これらの真空チャンバー内を、少なくとも
一枚以上の光透過性基板1が設置されたパレット(図示
せず)が、所定の方向のみに移動して、光透過性基板1
上に、第1の誘電体層2、読み出し層3、読み出し補助
層4、交換結合切断層5、記録層6、第2の誘電体層
7、および熱拡散層8を順次積層形成する。
一枚以上の光透過性基板1が設置されたパレット(図示
せず)が、所定の方向のみに移動して、光透過性基板1
上に、第1の誘電体層2、読み出し層3、読み出し補助
層4、交換結合切断層5、記録層6、第2の誘電体層
7、および熱拡散層8を順次積層形成する。
【0034】スパッタリング装置50においては、光透
過性基板1が設置されたパレットは、少なくともスパッ
タリングチャンバー間の移動時には、大気暴露されない
ように移動することができるようになされている。
過性基板1が設置されたパレットは、少なくともスパッ
タリングチャンバー間の移動時には、大気暴露されない
ように移動することができるようになされている。
【0035】図3に示したスパッタリング装置50は、
生産能力が高い一方において、通常、多層膜を積層形成
する場合には、一層毎に独立したスパッタリング用真空
チャンバーを使用して成膜を行うので、多層膜を形成す
るためには、基本的に形成する層の数の分だけのスパッ
タリング用真空チャンバーが必要になる。従って、その
層の数に応じて製造設備を設置したり、また整備したり
する必要が生じ、層数の増加に伴って製造コスト高を招
来していた。
生産能力が高い一方において、通常、多層膜を積層形成
する場合には、一層毎に独立したスパッタリング用真空
チャンバーを使用して成膜を行うので、多層膜を形成す
るためには、基本的に形成する層の数の分だけのスパッ
タリング用真空チャンバーが必要になる。従って、その
層の数に応じて製造設備を設置したり、また整備したり
する必要が生じ、層数の増加に伴って製造コスト高を招
来していた。
【0036】上述した点に鑑みて、本発明の光磁気記録
媒体の製造方法においては、交換結合切断層5を成膜す
るための真空スパッタリングチャンバーを独立して設け
ることなく、交換結合切断層5の成膜を、読み出し層用
チャンバー53、読み出し補助層用チャンバー54、あ
るいは記録層用チャンバー56のいずれかと同一のチャ
ンバー内で行うことものとし、製造設備の簡略化を図り
製造コストの低減化を図ったものである。
媒体の製造方法においては、交換結合切断層5を成膜す
るための真空スパッタリングチャンバーを独立して設け
ることなく、交換結合切断層5の成膜を、読み出し層用
チャンバー53、読み出し補助層用チャンバー54、あ
るいは記録層用チャンバー56のいずれかと同一のチャ
ンバー内で行うことものとし、製造設備の簡略化を図り
製造コストの低減化を図ったものである。
【0037】第1の製造方法としては、図1に示すよう
に、読み出し補助層4を有する光磁気記録媒体10を作
製する場合に、光透過性基板1上に、第1の誘電体層
2、読み出し層3、読み出し補助層4を、それぞれの層
を成膜するチャンバー内において形成した後、読み出し
補助層4上に、GdFeの窒化物層からなる交換結合切
断層5を形成するものとする。この交換結合切断層5の
成膜は、読み出し補助層4を形成するスパッタリング工
程において、工程終了直前に、N2 を、少なくとも一原
子層以上の厚さのGdFeの窒化物層を形成するよう
に、読み出し補助層用チャンバー54内に導入すること
によって行うものとする。そして、その後、順次記録層
6、第2の誘電体層7、熱拡散層8をそれぞれのチャン
バー内において成膜する。
に、読み出し補助層4を有する光磁気記録媒体10を作
製する場合に、光透過性基板1上に、第1の誘電体層
2、読み出し層3、読み出し補助層4を、それぞれの層
を成膜するチャンバー内において形成した後、読み出し
補助層4上に、GdFeの窒化物層からなる交換結合切
断層5を形成するものとする。この交換結合切断層5の
成膜は、読み出し補助層4を形成するスパッタリング工
程において、工程終了直前に、N2 を、少なくとも一原
子層以上の厚さのGdFeの窒化物層を形成するよう
に、読み出し補助層用チャンバー54内に導入すること
によって行うものとする。そして、その後、順次記録層
6、第2の誘電体層7、熱拡散層8をそれぞれのチャン
バー内において成膜する。
【0038】第2の製造方法としては、図1に示すよう
に、読み出し補助層4を有する光磁気記録媒体10を作
製する場合に、光透過性基板1上に、第1の誘電体層
2、読み出し層3、読み出し補助層4を、それぞれの層
を成膜するチャンバー内において形成した後、読み出し
補助層4上に、TbFeCoの窒化物層からなる交換結
合切断層5を形成する。そして、この交換結合切断層5
の成膜は、記録層6を形成するスパッタリング工程にお
いて、工程開始直後に、N2 を、少なくとも一原子層以
上の厚さのTbFeCoの窒化物層を形成するように導
入することによって行い、記録層用チャンバー56内に
おいて行うものとする。そして、その後、窒素ガスの導
入を停止し、アルゴンガスの雰囲気としたのち、順次記
録層6、第2の誘電体層7、熱拡散層8をそれぞれのチ
ャンバー内において成膜する。
に、読み出し補助層4を有する光磁気記録媒体10を作
製する場合に、光透過性基板1上に、第1の誘電体層
2、読み出し層3、読み出し補助層4を、それぞれの層
を成膜するチャンバー内において形成した後、読み出し
補助層4上に、TbFeCoの窒化物層からなる交換結
合切断層5を形成する。そして、この交換結合切断層5
の成膜は、記録層6を形成するスパッタリング工程にお
いて、工程開始直後に、N2 を、少なくとも一原子層以
上の厚さのTbFeCoの窒化物層を形成するように導
入することによって行い、記録層用チャンバー56内に
おいて行うものとする。そして、その後、窒素ガスの導
入を停止し、アルゴンガスの雰囲気としたのち、順次記
録層6、第2の誘電体層7、熱拡散層8をそれぞれのチ
ャンバー内において成膜する。
【0039】第3の製造方法としては、図2に示すよう
に、読み出し補助層4を有さない構成の光磁気記録媒体
20を作製する場合に、光透過性基板1上に、第1の誘
電体層2、読み出し層3を、それぞれの層を成膜するチ
ャンバー内において形成した後、読み出し層3上に、G
dFeCoの窒化物層からなる交換結合切断層5を形成
するものとする。そして、この交換結合切断層5の成膜
は、読み出し層3を形成するスパッタリング工程におい
て、工程終了直前に、N2 を、少なくとも一原子層以上
の厚さのGdFeCoの窒化物を形成するように導入す
ることによって行い、読み出し層用チャンバー53内に
おいて行う。そして、その後、順次記録層6、第2の誘
電体層7、熱拡散層8をそれぞれのチャンバー内におい
て成膜する。
に、読み出し補助層4を有さない構成の光磁気記録媒体
20を作製する場合に、光透過性基板1上に、第1の誘
電体層2、読み出し層3を、それぞれの層を成膜するチ
ャンバー内において形成した後、読み出し層3上に、G
dFeCoの窒化物層からなる交換結合切断層5を形成
するものとする。そして、この交換結合切断層5の成膜
は、読み出し層3を形成するスパッタリング工程におい
て、工程終了直前に、N2 を、少なくとも一原子層以上
の厚さのGdFeCoの窒化物を形成するように導入す
ることによって行い、読み出し層用チャンバー53内に
おいて行う。そして、その後、順次記録層6、第2の誘
電体層7、熱拡散層8をそれぞれのチャンバー内におい
て成膜する。
【0040】なお、図1および図2に示した光磁気記録
媒体10、20においては、基板1上に従来公知の材料
によりトップコート層を形成してもよく、また、熱拡散
層8上に、例えば紫外線硬化性樹脂等により保護層を形
成してもよい。
媒体10、20においては、基板1上に従来公知の材料
によりトップコート層を形成してもよく、また、熱拡散
層8上に、例えば紫外線硬化性樹脂等により保護層を形
成してもよい。
【0041】次に、本発明の光磁気記録媒体について、
具体的な〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明する
が、本発明は、以下に示す例に限定されるものではな
い。
具体的な〔実施例〕および〔比較例〕を挙げて説明する
が、本発明は、以下に示す例に限定されるものではな
い。
【0042】〔実施例1〕以下のようにして、光磁気記
録媒体を作製した。光透過性基板1として、ポリカーボ
ネート樹脂により、厚さ1.2〔mm〕のディスク状基
板を作製する。この光透過性基板1を射出成形する際に
は、グルーブに対応した凹凸パターンを有するスタンパ
ーを用いて、光透過性基板1にグルーブがスパイラル状
に形成されるようにした。
録媒体を作製した。光透過性基板1として、ポリカーボ
ネート樹脂により、厚さ1.2〔mm〕のディスク状基
板を作製する。この光透過性基板1を射出成形する際に
は、グルーブに対応した凹凸パターンを有するスタンパ
ーを用いて、光透過性基板1にグルーブがスパイラル状
に形成されるようにした。
【0043】続いて、高周波スパッタリングによって、
膜厚が90nmのSiN膜を成膜して第1の誘電体層2
を形成した。次に、直流スパッタリングによって、第1
の誘電体層2上に膜厚が20nmのGd31Fe54Co15
のアモルファス薄膜を成膜して読み出し層3を形成し
た。さらにこの読み出し層3上に、直流スパッタリング
によって、膜厚が10nmのGd11Fe89のアモルファ
ス薄膜を形成し、読み出し補助層4とした。
膜厚が90nmのSiN膜を成膜して第1の誘電体層2
を形成した。次に、直流スパッタリングによって、第1
の誘電体層2上に膜厚が20nmのGd31Fe54Co15
のアモルファス薄膜を成膜して読み出し層3を形成し
た。さらにこの読み出し層3上に、直流スパッタリング
によって、膜厚が10nmのGd11Fe89のアモルファ
ス薄膜を形成し、読み出し補助層4とした。
【0044】続いて、読み出し補助層4上に、GdFe
の窒化物層からなる交換結合切断層5を形成する。この
交換結合切断層5を形成する際には、読み出し補助層4
を形成するスパッタリング工程において用いたチャンバ
ーと同一のチャンバー内に、読み出し補助層形成工程の
終了直前に、アルゴンガスおよび窒素ガスを、それぞれ
200〔SCCM〕、50〔SCCM〕導入し、10
〔mTorr〕のアルゴン、窒素の混合ガス雰囲気を作
った。この条件下でGd11Fe89合金ターゲットに、1
〔kW〕の電力を投入し、窒化されたGdFe膜を約
2.5〔nm〕の厚さに形成し、これを交換結合切断層
5とした。
の窒化物層からなる交換結合切断層5を形成する。この
交換結合切断層5を形成する際には、読み出し補助層4
を形成するスパッタリング工程において用いたチャンバ
ーと同一のチャンバー内に、読み出し補助層形成工程の
終了直前に、アルゴンガスおよび窒素ガスを、それぞれ
200〔SCCM〕、50〔SCCM〕導入し、10
〔mTorr〕のアルゴン、窒素の混合ガス雰囲気を作
った。この条件下でGd11Fe89合金ターゲットに、1
〔kW〕の電力を投入し、窒化されたGdFe膜を約
2.5〔nm〕の厚さに形成し、これを交換結合切断層
5とした。
【0045】上記交換結合切断層5上に、直流スパッタ
リングにより、Tb19Fe66Co15アモルファス薄膜を
約40〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層6とし
た。
リングにより、Tb19Fe66Co15アモルファス薄膜を
約40〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層6とし
た。
【0046】次に、高周波スパッタリングによって、記
録層6上に、膜厚が25〔nm〕のSiN膜を形成し、
第2の誘電体層7とした。そして、この第2の誘電体層
7上に、直流スパッタリングにより膜厚が40〔nm〕
のAl合金膜を形成し、熱拡散層8とした。上述のよう
にして作製した光磁気記録媒体は、トラックピッチが
0.65〔μm〕であるとし、グルーブが形成された部
分と、隣接するグルーブ間に形成されているランド部分
との双方に、情報が書き込まれる、いわゆるランドグル
ーブ基板に対応した光学記録媒体とする。
録層6上に、膜厚が25〔nm〕のSiN膜を形成し、
第2の誘電体層7とした。そして、この第2の誘電体層
7上に、直流スパッタリングにより膜厚が40〔nm〕
のAl合金膜を形成し、熱拡散層8とした。上述のよう
にして作製した光磁気記録媒体は、トラックピッチが
0.65〔μm〕であるとし、グルーブが形成された部
分と、隣接するグルーブ間に形成されているランド部分
との双方に、情報が書き込まれる、いわゆるランドグル
ーブ基板に対応した光学記録媒体とする。
【0047】〔実施例2〕上記〔実施例1〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3、
読み出し補助層4を形成する。その後、積層基板を記録
層6形成用のチャンバーに移動し、このチャンバー内に
おいて、交換結合切断層5を形成する。すなわち、先
ず、記録層6形成用のチャンバー内に、アルゴンガスお
よび窒素ガスを、それぞれ200〔SCCM〕、50
〔SCCM〕導入し、10〔mTorr〕のアルゴン、
窒素の混合ガス雰囲気を作った。この条件下でTb19F
e66Co15の合金ターゲットに、1〔kW〕の電力を投
入し、窒化されたTbFeCo膜を、約2.5〔nm〕
の厚さに形成し、これを交換結合切断層5とした。その
後、同一チャンバー内において、直流スパッタリングに
より、Tb19Fe 66Co15アモルファス薄膜を約40
〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層6とし、記録層
6上に、上記〔実施例1〕と同様に第2の誘電体層7、
および熱拡散層8を形成し、光磁気記録媒体を作製し
た。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3、
読み出し補助層4を形成する。その後、積層基板を記録
層6形成用のチャンバーに移動し、このチャンバー内に
おいて、交換結合切断層5を形成する。すなわち、先
ず、記録層6形成用のチャンバー内に、アルゴンガスお
よび窒素ガスを、それぞれ200〔SCCM〕、50
〔SCCM〕導入し、10〔mTorr〕のアルゴン、
窒素の混合ガス雰囲気を作った。この条件下でTb19F
e66Co15の合金ターゲットに、1〔kW〕の電力を投
入し、窒化されたTbFeCo膜を、約2.5〔nm〕
の厚さに形成し、これを交換結合切断層5とした。その
後、同一チャンバー内において、直流スパッタリングに
より、Tb19Fe 66Co15アモルファス薄膜を約40
〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層6とし、記録層
6上に、上記〔実施例1〕と同様に第2の誘電体層7、
および熱拡散層8を形成し、光磁気記録媒体を作製し
た。
【0048】〔実施例3〕上記〔実施例1〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、続いて、読み出し層3上に、交換結
合切断層5を形成する。この交換結合切断層5を形成す
る際には、読み出し層4を形成するスパッタリング工程
において用いたチャンバーと同一のチャンバー内に、読
み出し層形成工程の終了直前に、アルゴンガスおよび窒
素ガスを、それぞれ200〔SCCM〕、50〔SCC
M〕導入し、10〔mTorr〕のアルゴン、窒素の混
合ガス雰囲気を作った。この条件下でGd30Fe55Co
15の合金ターゲットに、1〔kW〕の電力を投入し、窒
化されたGdFeCo膜を約2.5〔nm〕の厚さに形
成し、これを交換結合切断層5とした。その後、同一チ
ャンバー内において、直流スパッタリングにより、Tb
19Fe 66Co15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の厚
さに形成し、これを記録層6とし、記録層6上に、上記
〔実施例1〕と同様に第2の誘電体層7、および熱拡散
層8を形成し、光磁気記録媒体を作製した。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、続いて、読み出し層3上に、交換結
合切断層5を形成する。この交換結合切断層5を形成す
る際には、読み出し層4を形成するスパッタリング工程
において用いたチャンバーと同一のチャンバー内に、読
み出し層形成工程の終了直前に、アルゴンガスおよび窒
素ガスを、それぞれ200〔SCCM〕、50〔SCC
M〕導入し、10〔mTorr〕のアルゴン、窒素の混
合ガス雰囲気を作った。この条件下でGd30Fe55Co
15の合金ターゲットに、1〔kW〕の電力を投入し、窒
化されたGdFeCo膜を約2.5〔nm〕の厚さに形
成し、これを交換結合切断層5とした。その後、同一チ
ャンバー内において、直流スパッタリングにより、Tb
19Fe 66Co15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の厚
さに形成し、これを記録層6とし、記録層6上に、上記
〔実施例1〕と同様に第2の誘電体層7、および熱拡散
層8を形成し、光磁気記録媒体を作製した。
【0049】〔実施例4〕上記〔実施例3〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、積層基板を記録層6形成用のチャン
バーに移動し、このチャンバー内において、交換結合切
断層5を形成する。すなわち、先ず、記録層6形成用の
チャンバー内に、アルゴンガスおよび窒素ガスを、それ
ぞれ200〔SCCM〕、50〔SCCM〕導入し、1
0〔mTorr〕のアルゴン、窒素の混合ガス雰囲気を
作った。この条件下でTb19Fe66Co15の合金ターゲ
ットに、1〔kW〕の電力を投入し、窒化されたTbF
eCo膜を、約2.5〔nm〕の厚さに形成し、これを
交換結合切断層5とした。その後、同一チャンバー内に
おいて、直流スパッタリングにより、Tb19Fe 66Co
15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の厚さに形成し、
これを記録層6とし、記録層6上に、上記〔実施例1〕
と同様に第2の誘電体層7、および熱拡散層8を形成
し、光磁気記録媒体を作製した。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、積層基板を記録層6形成用のチャン
バーに移動し、このチャンバー内において、交換結合切
断層5を形成する。すなわち、先ず、記録層6形成用の
チャンバー内に、アルゴンガスおよび窒素ガスを、それ
ぞれ200〔SCCM〕、50〔SCCM〕導入し、1
0〔mTorr〕のアルゴン、窒素の混合ガス雰囲気を
作った。この条件下でTb19Fe66Co15の合金ターゲ
ットに、1〔kW〕の電力を投入し、窒化されたTbF
eCo膜を、約2.5〔nm〕の厚さに形成し、これを
交換結合切断層5とした。その後、同一チャンバー内に
おいて、直流スパッタリングにより、Tb19Fe 66Co
15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の厚さに形成し、
これを記録層6とし、記録層6上に、上記〔実施例1〕
と同様に第2の誘電体層7、および熱拡散層8を形成
し、光磁気記録媒体を作製した。
【0050】〔比較例1〕上記〔実施例1〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3、
読み出し補助層4を形成する。その後、交換結合切断層
5を形成せずに、記録層形成用チャンバーへ搬入し、記
録層の形成を行う。すなわち記録層6形成用のチャンバ
ー内において、直流スパッタリングにより、Tb19Fe
66Co15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の厚さに形
成し、これを記録層6とし、記録層6上に、上記〔実施
例1〕と同様に第2の誘電体層7、および熱拡散層8を
形成し、光磁気記録媒体を作製した。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3、
読み出し補助層4を形成する。その後、交換結合切断層
5を形成せずに、記録層形成用チャンバーへ搬入し、記
録層の形成を行う。すなわち記録層6形成用のチャンバ
ー内において、直流スパッタリングにより、Tb19Fe
66Co15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の厚さに形
成し、これを記録層6とし、記録層6上に、上記〔実施
例1〕と同様に第2の誘電体層7、および熱拡散層8を
形成し、光磁気記録媒体を作製した。
【0051】〔比較例2〕上記〔実施例1〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3、
読み出し補助層4を形成する。その後、積層基板を交換
結合切断層5形成用のチャンバーに移動し、高周波スパ
ッタリングにより、読み出し補助層4上に膜厚が2.5
〔nm〕のSiN層を形成、交換結合切断層5とした。
その後、記録層6形成用チャンバーに移動して、直流ス
パッタリングにより、Tb19Fe66Co15アモルファス
薄膜を約40〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層6
とし、記録層6上に、上記〔実施例1〕と同様に第2の
誘電体層7、および熱拡散層8を形成し、光磁気記録媒
体を作製した。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3、
読み出し補助層4を形成する。その後、積層基板を交換
結合切断層5形成用のチャンバーに移動し、高周波スパ
ッタリングにより、読み出し補助層4上に膜厚が2.5
〔nm〕のSiN層を形成、交換結合切断層5とした。
その後、記録層6形成用チャンバーに移動して、直流ス
パッタリングにより、Tb19Fe66Co15アモルファス
薄膜を約40〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層6
とし、記録層6上に、上記〔実施例1〕と同様に第2の
誘電体層7、および熱拡散層8を形成し、光磁気記録媒
体を作製した。
【0052】〔比較例3〕上記〔実施例3〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、積層基板を交換結合切断層5形成用
のチャンバーに移動し、高周波スパッタリングにより、
読み出し層3上に膜厚が2.5〔nm〕のSiN層を形
成、交換結合切断層5とした。その後、記録層6形成用
チャンバーに移動して、直流スパッタリングにより、T
b19Fe66Co15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の
厚さに形成し、これを記録層6とし、記録層6上に、上
記〔実施例1〕と同様に第2の誘電体層7、および熱拡
散層8を形成し、光磁気記録媒体を作製した。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、積層基板を交換結合切断層5形成用
のチャンバーに移動し、高周波スパッタリングにより、
読み出し層3上に膜厚が2.5〔nm〕のSiN層を形
成、交換結合切断層5とした。その後、記録層6形成用
チャンバーに移動して、直流スパッタリングにより、T
b19Fe66Co15アモルファス薄膜を約40〔nm〕の
厚さに形成し、これを記録層6とし、記録層6上に、上
記〔実施例1〕と同様に第2の誘電体層7、および熱拡
散層8を形成し、光磁気記録媒体を作製した。
【0053】〔比較例4〕上記〔実施例3〕と同様に、
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、交換結合切断層5を形成せずに、記
録層形成用チャンバーへ搬入し、記録層の形成を行う。
すなわち記録層6形成用のチャンバー内において、直流
スパッタリングにより、Tb19Fe66Co15アモルファ
ス薄膜を約40〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層
6とし、記録層6上に、上記〔実施例1〕と同様に第2
の誘電体層7、および熱拡散層8を形成し、光磁気記録
媒体を作製した。
光透過性基板1上に第1の誘電体層2、読み出し層3を
形成する。その後、交換結合切断層5を形成せずに、記
録層形成用チャンバーへ搬入し、記録層の形成を行う。
すなわち記録層6形成用のチャンバー内において、直流
スパッタリングにより、Tb19Fe66Co15アモルファ
ス薄膜を約40〔nm〕の厚さに形成し、これを記録層
6とし、記録層6上に、上記〔実施例1〕と同様に第2
の誘電体層7、および熱拡散層8を形成し、光磁気記録
媒体を作製した。
【0054】上述のようにして作製した〔実施例1〕〜
〔実施例4〕および〔比較例1〕〜〔比較例4〕の光磁
気記録媒体について、以下のようにして記録再生特性の
評価を行った。
〔実施例4〕および〔比較例1〕〜〔比較例4〕の光磁
気記録媒体について、以下のようにして記録再生特性の
評価を行った。
【0055】上記各光磁気記録媒体を、線速度が9.5
〔m/s〕となるように回転操作して、−24〔kA/
m〕の記録磁界を印加しながら、ランドの部分にピット
長を0.4〔μm〕、ピットのピッチを0.8〔μm〕
として、単一繰り返しパターンを記録した。そして、こ
れらの〔実施例1〕〜〔実施例4〕および〔比較例1〕
〜〔比較例4〕の光磁気記録媒体を、同様の線速度で回
転操作して、+8〔kA/m〕の再生磁界を印加しなが
ら記録された信号を再生し、CNR〔dB〕を測定し
た。なお、再生および記録LDパワーは、CNRが最大
になるように調整した。
〔m/s〕となるように回転操作して、−24〔kA/
m〕の記録磁界を印加しながら、ランドの部分にピット
長を0.4〔μm〕、ピットのピッチを0.8〔μm〕
として、単一繰り返しパターンを記録した。そして、こ
れらの〔実施例1〕〜〔実施例4〕および〔比較例1〕
〜〔比較例4〕の光磁気記録媒体を、同様の線速度で回
転操作して、+8〔kA/m〕の再生磁界を印加しなが
ら記録された信号を再生し、CNR〔dB〕を測定し
た。なお、再生および記録LDパワーは、CNRが最大
になるように調整した。
【0056】上記〔実施例1〕〜〔実施例4〕、および
〔比較例1〕〜〔比較例4〕の各光磁気記録媒体の評価
結果について、下記の〔表1〕に示す。また、下記〔表
1〕には、各光磁気記録媒体において測定されたノイズ
の値〔dBm〕も示す。
〔比較例1〕〜〔比較例4〕の各光磁気記録媒体の評価
結果について、下記の〔表1〕に示す。また、下記〔表
1〕には、各光磁気記録媒体において測定されたノイズ
の値〔dBm〕も示す。
【0057】
【表1】
【0058】上記〔表1〕に示すように、読み出し補助
層4を有し、かつ交換結合切断層5として窒化されたG
dFe膜を有する構成の〔実施例1〕と、同じく読み出
し補助層4を有し、かつ交換結合切断層5として窒化さ
れたTbFeCo膜を有する構成の〔実施例2〕の光磁
気記録媒体は、交換結合切断層5としてSiN層を有す
る従来構造の光磁気記録媒体の〔比較例2〕と比較して
も特性的に何ら劣ることなく、いずれもディスク周内で
の記録再生信号振幅の一様性に優れ、CNR値も実用的
に充分な値となった。すなわち、本発明の〔実施例1〕
および〔実施例2〕においては、交換結合切断層5の形
成工程において、独立したチャンバー内で成膜を行わな
くてもよく、光磁気記録媒体の作業工程を簡略化するこ
とができ、かつ実用的に充分なCNR値を有するもので
あることが明らかになった。
層4を有し、かつ交換結合切断層5として窒化されたG
dFe膜を有する構成の〔実施例1〕と、同じく読み出
し補助層4を有し、かつ交換結合切断層5として窒化さ
れたTbFeCo膜を有する構成の〔実施例2〕の光磁
気記録媒体は、交換結合切断層5としてSiN層を有す
る従来構造の光磁気記録媒体の〔比較例2〕と比較して
も特性的に何ら劣ることなく、いずれもディスク周内で
の記録再生信号振幅の一様性に優れ、CNR値も実用的
に充分な値となった。すなわち、本発明の〔実施例1〕
および〔実施例2〕においては、交換結合切断層5の形
成工程において、独立したチャンバー内で成膜を行わな
くてもよく、光磁気記録媒体の作業工程を簡略化するこ
とができ、かつ実用的に充分なCNR値を有するもので
あることが明らかになった。
【0059】また、上記〔表1〕に示すように、読み出
し補助層4を有さず、かつ交換結合切断層5として窒化
されたGdFeCo膜を有する構成の〔実施例3〕の光
磁気記録媒体と、同じく読み出し補助層4を有さず、か
つ交換結合切断層5として窒化されたTbFeCo膜を
有する構成の〔実施例4〕の光磁気記録媒体は、読み出
し補助層4を有さず、かつ交換結合切断層5としてSi
N層を有する従来構造の光磁気記録媒体の〔比較例3〕
と比較しても特性的に何ら劣ることがなかった。これに
より〔実施例3〕および〔実施例4〕の光磁気記録媒体
においては、交換結合切断層5の形成工程において、独
立したチャンバー内で成膜を行わなくてもよく、光磁気
記録媒体の作業工程を簡略化することができることが明
らかになった。
し補助層4を有さず、かつ交換結合切断層5として窒化
されたGdFeCo膜を有する構成の〔実施例3〕の光
磁気記録媒体と、同じく読み出し補助層4を有さず、か
つ交換結合切断層5として窒化されたTbFeCo膜を
有する構成の〔実施例4〕の光磁気記録媒体は、読み出
し補助層4を有さず、かつ交換結合切断層5としてSi
N層を有する従来構造の光磁気記録媒体の〔比較例3〕
と比較しても特性的に何ら劣ることがなかった。これに
より〔実施例3〕および〔実施例4〕の光磁気記録媒体
においては、交換結合切断層5の形成工程において、独
立したチャンバー内で成膜を行わなくてもよく、光磁気
記録媒体の作業工程を簡略化することができることが明
らかになった。
【0060】また、読み出し補助層4を形成したが、交
換結合切断層5を設けなかった〔比較例1〕の光磁気記
録媒体においては、読み出し補助層4の一部が交換結合
切断層としての役割を果たす部分もあるので、一部分に
おいては、優れた信号特性を得ることができるが、その
他大部分においては信号の転写の状態が悪く、ノイズが
上昇してしまい、CNR値が低いものとなった。
換結合切断層5を設けなかった〔比較例1〕の光磁気記
録媒体においては、読み出し補助層4の一部が交換結合
切断層としての役割を果たす部分もあるので、一部分に
おいては、優れた信号特性を得ることができるが、その
他大部分においては信号の転写の状態が悪く、ノイズが
上昇してしまい、CNR値が低いものとなった。
【0061】また、読み出し補助層4および交換結合切
断層5のいずれも設けなかった〔比較例4〕の光磁気記
録媒体においては、充分な信号特性が得られず、かつノ
イズが上昇してしまい、CNR値が著しく低いものとな
った。
断層5のいずれも設けなかった〔比較例4〕の光磁気記
録媒体においては、充分な信号特性が得られず、かつノ
イズが上昇してしまい、CNR値が著しく低いものとな
った。
【0062】上述したように、本発明においては、交換
結合切断層としてSiN層が形成された従来構造の、静
磁結合CAD光磁気ディスクと比較して、遜色のない信
号特性を有し、かつその製造工程を簡略化することので
きる光磁気記録媒体を提供することができた。これによ
り、従来の静磁結合CAD光磁気ディスクと同等の信号
特性を有する光磁気ディスクを安価に製造することがで
き、製造コストの低減化を図ることができた。
結合切断層としてSiN層が形成された従来構造の、静
磁結合CAD光磁気ディスクと比較して、遜色のない信
号特性を有し、かつその製造工程を簡略化することので
きる光磁気記録媒体を提供することができた。これによ
り、従来の静磁結合CAD光磁気ディスクと同等の信号
特性を有する光磁気ディスクを安価に製造することがで
き、製造コストの低減化を図ることができた。
【0063】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体によれば、交換
結合切断層としてSiN層が形成された従来構造の静磁
結合CAD光磁気ディスクと比較して、遜色のない信号
特性を有し、かつその製造工程を簡略化し、コストの低
減化を図ることができた。
結合切断層としてSiN層が形成された従来構造の静磁
結合CAD光磁気ディスクと比較して、遜色のない信号
特性を有し、かつその製造工程を簡略化し、コストの低
減化を図ることができた。
【0064】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
によれば、従来の静磁結合CAD光磁気ディスクと同等
の信号特性を有する光磁気ディスクを、従来よりも簡易
化した製造装置および製造工程により、安価に製造する
ことができ、製造コストの低減化を図ることができた。
によれば、従来の静磁結合CAD光磁気ディスクと同等
の信号特性を有する光磁気ディスクを、従来よりも簡易
化した製造装置および製造工程により、安価に製造する
ことができ、製造コストの低減化を図ることができた。
【図1】本発明の光磁気記録媒体の一例の概略断面図を
示す。
示す。
【図2】本発明の光磁気記録媒体の他の一例の概略断面
図を示す。
図を示す。
【図3】本発明の光磁気記録媒体の製造方法に適用する
スパッタリング装置の概略構成図を示す。
スパッタリング装置の概略構成図を示す。
1 光透過性基板、2 第1の誘電体層、3 読み出し
層、4 読み出し補助層、5 交換結合切断層、6 記
録層、7 第2の誘電体層、8 熱拡散層、10 光磁
気記録媒体、52 第1の誘電体層用チャンバー、53
読み出し層用チャンバー、54 読み出し補助層用チ
ャンバー、56 記録層用チャンバー、57 第2の誘
電体層用チャンバー、58 熱拡散層用チャンバー
層、4 読み出し補助層、5 交換結合切断層、6 記
録層、7 第2の誘電体層、8 熱拡散層、10 光磁
気記録媒体、52 第1の誘電体層用チャンバー、53
読み出し層用チャンバー、54 読み出し補助層用チ
ャンバー、56 記録層用チャンバー、57 第2の誘
電体層用チャンバー、58 熱拡散層用チャンバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 11/105 546 G11B 11/105 546C 5/02 5/02 T
Claims (7)
- 【請求項1】 光透過性基板上に、少なくとも情報を記
録保持する記録層と、該記録層に保持されている情報の
再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層とを有
する磁気超解像型の光磁気記録媒体であって、 上記記録層と、読み出し層との間に、交換結合切断層を
有し、 上記交換結合切断層は、GdFeCo、TbFeCoの
いずれかの窒化物層からなることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項2】 光透過性基板上に、少なくとも情報を記
録保持する記録層と、該記録層に保持されている情報の
再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層と、読
み出し補助層とを有する磁気超解像型の光磁気記録媒体
であって、 上記読み出し補助層と、上記記録層との間に、交換結合
切断層を有し、 上記交換結合切断層は、GdFe、TbFeCoのいず
れかの窒化物層からなることを特徴とする光磁気記録媒
体。 - 【請求項3】 上記交換結合切断層の厚さが、一原子層
以上100〔Å〕以下であることを特徴とする請求項1
に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項4】 上記交換結合切断層の厚さが、一原子層
以上100〔Å〕以下であることを特徴とする請求項2
に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項5】 光透過性基板上に、少なくとも情報を記
録保持する記録層と、該記録層に保持されている情報の
再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層とを有
する磁気超解像型の光磁気記録媒体の製造方法であっ
て、 上記読み出し層を形成する工程と、 上記読み出し層上に、GdFeCoの窒化物層からなる
交換結合切断層を形成するスパッタリング工程と、 上記交換結合切断層上に、上記記録層を形成する工程と
を有し、 上記交換結合切断層の形成工程は、上記読み出し層を形
成する工程において、工程終了直前に、N2 を、少なく
とも一原子層以上の厚さのGdFeCoの窒化物を形成
するように導入することによって行い、上記読み出し層
形成用のチャンバーと同一のチャンバーによって行うこ
とを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項6】 光透過性基板上に、少なくとも情報を記
録保持する記録層と、該記録層に保持されている情報の
再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層と、読
み出し補助層とを有する磁気超解像型の光磁気記録媒体
の製造方法であって、 上記読み出し層を形成する工程と、 上記読み出し補助層を形成するスパッタリング工程と、 上記読み出し補助層上に、GdFeの窒化物層からなる
交換結合切断層を形成するスパッタリング工程と、 上記交換結合切断層上に、上記記録層を形成する工程と
を有し、 上記交換結合切断層の形成は、上記読み出し補助層を形
成するスパッタリング工程において、工程終了直前に、
N2 を、少なくとも一原子層以上の厚さのGdFeの窒
化物層を形成するように導入することによって行い、上
記読み出し補助層形成用のチャンバーと同一のチャンバ
ーによって行うことを特徴とする光磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項7】 光透過性基板上に、少なくとも情報を記
録保持する記録層と、該記録層に保持されている情報の
再生の際に、その情報がコピーされる読み出し層と、読
み出し補助層とを有する磁気超解像型の光磁気記録媒体
の製造方法であって、 上記読み出し層を形成する工程と、 上記読み出し補助層を形成するスパッタリング工程と、 上記読み出し補助層上に、TbFeCoの窒化物層から
なる交換結合切断層を形成するスパッタリング工程と、 上記交換結合切断層上に、上記記録層を形成する工程と
を有し、 上記交換結合切断層の形成は、上記記録層を形成するス
パッタリング工程において、工程開始直後に、N2 を、
少なくとも一原子層以上の厚さのTbFeCoの窒化物
層を形成するように導入することによって行い、上記記
録層形成用のチャンバーと同一のチャンバーによって行
うことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000202682A JP2002025135A (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 光磁気記録媒体および光磁気記録媒体の製造方法 |
EP01114999A EP1170742A2 (en) | 2000-07-04 | 2001-06-20 | Magneto-optical recording medium and process for manufacturing a magneto-optical recording medium |
US09/893,248 US20020022154A1 (en) | 2000-07-04 | 2001-06-27 | Magneto-optical recording medium and process for manufacturing a magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
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