TWI464805B - 低介電常數介電質之整合方法 - Google Patents

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Description

低介電常數介電質之整合方法 【相關專利及申請案之參照】
本申請案主張於西元2010年3月29日申請之美國臨時專利申請案第61/318,719號之優先權，其所有內容係合併於此做為參考文獻。
本發明關於低介電常數(low-k)介電膜的製備方法、低介電常數介電膜的圖案化方法、及低介電常數介電膜與後續形成的金屬內連線的整合方法。
如半導體技術領域者所習知，在想要改善積體電路(IC)的速度及效能時，互連延遲是主要的限制因子。一個減少互連延遲的方法是減少互連電容，其係藉由使用低介電常數(low-k)材料做為IC元件中的金屬線的絕緣介電質。因此，近年來，低介電常數材料已經被發展以取代介電常數相當高的絕緣材料，例如二氧化矽。具體而言，在半導體元件中，低介電常數膜被使用於金屬線之間的層間及層內介電層。此外，為了進一步減少絕緣材料的介電常數，材料膜被形成為具有孔洞，亦即，多孔性低介電常數介電膜。利用類似於光阻施加的旋塗式介電質(SOD)法、或利用化學氣相沉積法(CVD)，可沉積此類的低介電常數膜。因此，低介電常數材料的使用相當適合於現行的半導體製造程序。
和較傳統的二氧化矽比較，低介電常數材料是較不堅實的，多孔性的引入更進一步使機械強度下降。在電漿處理時，多孔性低介電常數膜可能輕易地被損壞，因而使得機械強化處理是想要的。應當了解，為了多孔性低介電常數介電質的成功整合，增加它們的材料強度是必要的。為了機械強化的目的，替代的固化技術正被探究，以使多孔性低介電常數膜更為堅實及適合整合。
聚合物的固化包括一處理，藉此，例如利用旋塗或氣相沉積(例如化學氣相沉積CVD)技術而加以沉積的薄膜被處理，以便造成該膜內的交聯。在固化處理中，自由基聚合被認為是交聯的主要途徑。當聚合物鏈交聯時，機械性質(例如楊氏模數)、膜硬度、裂面粗糙度及界面附著性被改善，因而改善了低介電常數膜的製造堅固性。
因為有許多對策以形成具有超低介電常數的多孔性介電膜，所以沉積後處理(固化)的目的可能隨著膜而改變，例如包括溼氣的移除、溶劑的移除、用來在多孔性介電膜中形成孔洞的致孔劑的燒除、此類膜的機械性質的改善等等。
對於CVD膜，習知地，低介電常數(low-k)材料在300℃至400℃的溫度範圍中被熱固化。在某些例子中，爐固化已經足以產生介電常數大於約2.5、堅固且緻密的低介電常數膜。然而，當處理具有高度多孔性的多孔性介電膜(例如超低介電常數膜)時，利用熱處理(或熱固化)可達成的交聯程度不再足以產生適當強度的膜以用於堅實的內連結構。
在熱固化時，適當量的能量被傳送至介電膜，且不損壞該介電膜。然而，在感興趣的溫度範圍內，只能產生少量的自由基。由於在熱耦合至基板中所損失的熱能以及在周圍環境中的熱損失，只有少量的熱能可以實際被吸收在待固化的低介電常數膜中。因此，典型的低介電常數爐固化需要高溫及長的固化時間。但是，甚至有高的熱預算，在熱固化中缺乏起始物產生、及在沉積低介電常數膜中大量甲基終止的存在，可能使得達成想要的交聯程度變得困難。
本發明關於基板上的介電膜的處理方法及系統，具體而言，關於低介電常數介電膜與隨後形成的金屬內連線的整合方法。本發明更關於低介電常數介電膜的清潔方法。
根據一實施例，基板上的介電膜的整合方法被描述。該方法包括在基板上製備介電膜，其中該介電膜是低介電常數介電膜，具有小於或等於4的介電常數值。該方法更包括在介電膜上實施初步固化處理，使用微影製程及蝕刻製程在介電膜中形成圖案，從基板移除不想要的殘留物，及在介電膜上實施最終固化處理，其中該最終固化處理包括以紫外線(UV)輻射照射基板。
根據另一實施例，基板上的介電膜的清潔方法被描述。該方法包括以紅外線(IR)輻射及選擇性的紫外線(UV)輻射照射包含一或多層或結構的基板上的一區域，以從該一或多層或結構移除材料或不想要的殘留物。該方法可選擇性地包括使該區域的至少一部分暴露至由氣體噴嘴沿著噴射軸、在朝向基板的方向上所發射出的蒸氣噴出物或氣體。
根據另一實施例，用於處理基板的處理模組被描述。該處理模組包括處理腔室、及耦接至處理腔室並且用於支托基板的基板支座。此外，處理模組包括輻射源，耦接至處理腔室，及用於使基板暴露至電磁(EM)輻射，其中輻射源包括紅外線(IR)源，經配置以產生IR輻射束，其在基板上產生一射束點。再者，處理模組包括氣體注入系統，具有耦接至處理腔室的氣體噴嘴，並且用於產生氣體或蒸氣噴出物，該氣體或蒸氣噴出物係由氣體噴嘴沿著噴射軸、在朝向基板的方向上所發射出，並且與射束點相交。
根據另一實施例，用於處理基板的處理模組被描述。該處理模組包括處理腔室；耦接至處理腔室的基板支座，用於支托基板；及耦接至處理腔室的輻射源，用於使介電膜暴露至電磁(EM)輻射。該輻射源包括UV源，其中該UV源具有UV燈、以及用於將來自UV燈的被反射UV輻射導向基板的反射器。該反射器具有分色反射體及非吸收反射體，非吸收反射體係配置在UV燈與基板之間，用於將來自UV燈的UV輻射反射朝向分色反射體，其中該非吸收反射體實質上防止來自UV燈的UV輻射直接到達基板。
使用電磁(EM)輻射以整合、圖案化、處理、固化及清潔基板上的介電層(包括低介電常數介電膜)的方法被描述在數個實施例中。熟悉此相關技藝者當可瞭解，即使缺少一個以上的特定細節、或利用其它替代物及/或額外的方法、材料、或成分，所述數個實施例仍可實行。在其它例子中，習知的結構、材料、或操作並未詳細地顯示或描述，以避免模糊了本發明的數個實施例的觀點。類似地，為解釋的目的，特定的數量、材料、以及組態被提出以提供對於本發明的徹底了解。然而，即使缺少特定細節，本發明仍可實行。此外，當可瞭解，在圖中所示的數個實施例是例示性的說明，並非按照比例畫出。
本說明書中所提到的「一實施例」或「實施例」，表示與實施例有關之所述特定的特徵、結構、材料、或特性是包含在本發明的至少一實施例中，但並不表示它們存在於每一個實施例中。因此，在本說明書中不同地方出現的「在一實施例中」或「在實施例中」詞組並不必然表示本發明的相同實施例。此外，特定的特徵、結構、材料、或特性可以任何合適的方式、在一個以上的實施例中加以結合。在其它實施例中，可能包含各種額外的層及/或結構、及/或可能省略所述的特徵。
根據本發明，本文中所使用的「基板」一詞通常與處理中的主體有關。舉例而言，基板可能包含元件的任何材料部分或結構，尤其是半導體或其他電子元件，並且可能是，例如，底基板結構(例如半導體晶圓)、或是位在底基板結構上的一層(例如薄膜)。因此，基板不應被限制於任何特定的底結構、下層或上層、圖案化或未圖案化，而是考慮到包含任何此類的層或底結構、與任何層及/或底結構之組合。以下描述可能參考特定類型之基板，但此僅用於說明，而非做為限制。
本案發明人了解，其它用於處理基板(具體而言，處理具有低介電常數介電膜的基板)的方法對付某些習知的固化(例如熱固化)方法、及習知的清潔(例如電漿灰化及溼式清潔)方法的缺點。例如，相較於習知的方法，其它用於固化及清潔此類膜的方法在能量轉移上是更有效率的，且在高能粒子(例如被加速的電子、離子、或中子)形式或高能光子形式中發現的較高能量位準可輕易地激發低介電常數介電膜中的電子，因而有效地打斷化學鍵及使側基團分離。這些方法可促進交聯起始物(自由基)的產生，並且可改善實際交聯所需的能量轉移。因此，可以在較低的熱預算下增加交聯的程度。
此外，本案發明人明白，當膜強度變為低介電常數及超低介電常數(ULK)介電膜(介電常數小於約2.5)的整合的較大問題時，其它用於固化及清潔此類膜的方法可改善此類膜的機械性質。例如，為了改善機械強度，電子束(EB)、紫外線(UV)輻射、紅外線(IR)輻射及微波(MW)輻射可被使用於固化低介電常數膜及ULK膜，同時不犧牲介電性質及膜疏水性。
然而，雖然EB、UV、IR及MW固化皆具有它們本身的優點，但這些技術也有限制。例如EB及UV的高能固化源可提供高能量位準，以產生大於足夠的交聯起始物(自由基)用於交聯，其在配合的基板加熱下導致更為改善的機械性質。另一方面，電子及UV光子可能造成無區別的化學鍵解離，其可能不利地使膜的想要的物性及電性劣化，例如疏水性的降低、增加的殘留膜應力、孔洞結構的崩塌、膜緻密化及增加的介電常數。此外，例如MW固化的低能固化源可能主要在熱轉移效率提供顯著的改善，但同時具有副效應，例如電弧或電晶體損壞。
因此，根據各種實施例，使用EM輻射以整合、圖案化、處理、固化及清潔基板上的介電層(包括低介電常數介電膜)的方法被揭示。參考圖式，其中類似的元件符號表示在全部的數個圖中的對應部分。根據一實施例，圖1提出一流程圖，說明基板上的介電膜的整合方法。此外，基板上的介電膜的整合方法的繪示圖20係說明於圖2中。
流程圖1所述的方法開始在步驟11(繪示圖21)，其製備介電膜32在基板30上，其中介電膜32是低介電常數膜，具有小於或等於4的介電常數。基板30可能是半導體、金屬導體、或任何介電膜32將被形成於其上的其它基板。
介電膜32的介電常數值(在乾燥及/或固化之前、或在乾燥及/或固化之後、或兩者)可能小於SiO2 的介電常數，其大約為4(例如，熱二氧化矽的介電常數可能從約3.8至3.9)。在本發明的各種實施例中，介電膜32的介電常數(在乾燥及/或固化之前、或在乾燥及/或固化之後、或兩者)可能小於約3.0、小於約2.5、小於約2.2、或小於約1.7。
介電膜32可能被描述為低介電常數(low-k)膜或超低介電常數膜。介電膜32可包括有機、無機、及無機-有機混成材料的至少一者。此外，介電膜32可能是多孔性或非多孔性的。
介電膜32可能，例如，包括單相或雙相多孔性低介電常數膜，其包括結構形成材料及孔洞產生材料。結構形成材料可能包括由結構形成前驅物所衍生出的分子裂片、分子、或原子。孔洞產生材料可能包括由孔洞產生前驅物(例如致孔劑)所衍生出的分子裂片、分子、或原子。單相或雙相多孔性低介電常數膜的介電常數，在移除孔洞產生材料之前可能高於在移除孔洞產生材料之後。
單相多孔性低介電常數膜的形成可包括，使結構形成分子沈積在基板的表面上，該結構形成分子具有弱鍵結至結構形成分子的孔洞產生分子側基團。例如，單相材料可包括矽氧化物基的基材，其具有末端有機側基團，在固化處理時抑制交聯以產生小空隙(或孔洞)。此外，雙相多孔性低介電常數膜的形成可包括使結構形成分子及孔洞產生分子共聚合在基板的表面上。例如，雙相材料可包括矽氧化物基的基材，其具有有機材料(例如致孔劑)的內含物，在固化處理時分解及揮發。
此外，介電膜32可能具有溼氣、水、溶劑、及/或其它污染物，造成介電常數在乾燥及/或固化之前高於在乾燥及/或固化之後。
介電膜32的形成可使用化學氣相沉積(CVD)技術、或旋塗式介電質(SOD)技術，例如由購自於東京威力科創有限公司(TEL)的Clean Track ACT 8 SOD及ACT 12 SOD塗佈系統所提供的技術。Clean Track ACT 8(200mm)及ACT 12(300mm)塗佈系統提供SOD材料的塗佈、烘烤、及固化工具。該軌道系統可用於處理100 mm、200 mm、300 mm或更大的基板尺寸。熟悉旋塗式介電質技術及CVD介電質技術兩者的人所習知的在基板上形成膜的其它系統及方法也適用於本發明。
在步驟12及繪示圖22中，在介電膜32上實施初步固化處理，以至少部分地固化介電膜32，而產生軟固化介電膜32A。初步固化處理可能在任何介電膜32的圖案化之前，且可能包括熱固化處理、紅外線(IR)固化處理、或紫外線(UV)固化處理、或其二者以上之任何組合。此外，初步固化處理可能在第一基板溫度下實施。例如，初步固化處理可能造成初步的交聯，以協助在後續的固化步驟中減輕介電膜32的應力。此外，例如，初步固化處理可能減少在後續藉由蝕刻處理及/或清潔處理的圖案化過程中所導致的損壞。
在一實施例中，初步固化處理包括軟固化介電膜32，其係使用UV輻射及選擇性的IR輻射、及選擇性的熱量加熱。
在初步固化處理時，UV曝光可包括複數UV曝光，其中每一UV曝光可能或可能不包括不同的強度、功率、功率密度、曝光時間、或波長範圍、或其兩者以上的任何組合。此外，IR曝光可包括複數IR曝光，其中每一IR曝光可能或可能不包括不同的強度、功率、功率密度、曝光時間、或波長範圍、或其兩者以上的任何組合。再者，UV曝光及IR曝光可能相繼地或並行地實施。
在UV曝光、或IR曝光、或兩者時，藉由提高基板30的基板溫度至第一基板溫度可加熱介電膜32，其中第一基板溫度的範圍是從約100度C(攝氏、或攝氏度數)至約600度C。或者，第一基板溫度的範圍是從約100度C至約500度C。或者，第一基板溫度的範圍是從約100度C至約300度C。藉由傳導加熱、對流加熱、或輻射加熱、或其兩者以上的任何組合，可實施基板的熱量加熱。例如，藉由提高與基板30接觸的基板支座的溫度，可增加基板溫度。
此外，基板30的熱量加熱可發生在UV曝光之前、在UV曝光時、或在UV曝光之後、或其兩者以上的任何組合。再者，熱量加熱可發生在IR曝光之前、在IR曝光時、或在IR曝光之後、或其兩者以上的任何組合。熱量加熱可藉由傳導加熱、對流加熱、或輻射加熱、或其兩者以上的任何組合加以實施。
在UV及/或IR曝光之前，可實施乾燥處理，以移除、或部分移除介電膜32中的一或多個污染物，包括溼氣、水、溶劑、孔洞產生材料、殘留孔洞產生材料、孔洞產生分子、孔洞產生分子的裂片、或任何其它可能妨礙初步固化處理的污染物。
介電膜32的曝光至UV輻射可包括使介電膜32暴露至來自一或多個UV燈、一或多個UV LED(發光二極體)、或一或多個UV雷射、或其兩者以上的組合的UV輻射。UV輻射可能是連續式或脈衝式。UV輻射可能是寬頻帶或窄頻帶。UV輻射可能包括波長範圍從約100奈米(nm)至約600 nm的UV放射。或者，UV輻射的波長範圍可能從約150 nm至約400 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約200 nm至約350 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約150 nm至約250 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約170 nm至約240 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約200 nm至約250 nm。
介電膜32的曝光至IR輻射可包括使介電膜32暴露至來自一或多個IR燈、一或多個IR LED(發光二極體)、或一或多個IR雷射、或其兩者以上的組合的IR輻射。IR輻射可能是連續式或脈衝式。IR輻射可能是寬頻帶或窄頻帶。例如，IR輻射可能包含具有窄頻帶波長的實質上單色電磁(EM)輻射。IR輻射可能包括波長範圍從約1微米至約25微米的IR放射。或者，IR輻射的波長範圍可能從約2微米至約20微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約8微米至約14微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約8微米至約12微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約9微米至約10微米。
發明人已經了解，在初步固化處理的不同階段時，被傳送的能量位準(hv)可能被改變。初步固化處理可包括用於溼氣及/或污染物的移除、孔洞產生材料的移除、孔洞產生材料的分解、交聯起始物的產生、介電膜的交聯、及交聯起始物的擴散的歷程。每一歷程可能需要不同的能量位準、以及能量被傳送至介電膜的速率。
例如，在移除孔洞產生材料時，IR波長的光子吸收可能有助於該移除處理。本案發明人已經發現，IR曝光比熱量加熱或UV曝光更有效地促進孔洞產生材料的移除。
此外，例如，在移除孔洞產生材料時，孔洞產生材料的分解可能有助於移除處理。該移除處理可能包括配合著UV曝光的IR曝光。本案發明人已經發現，藉由使孔洞產生材料(例如，孔洞產生分子及/或孔洞產生分子裂片)與結構形成材料之間的鍵結分離，UV曝光可促進具有IR曝光的移除處理。例如，UV波長(例如，約300 nm至約450 nm)的光子吸收可促進移除及/或分解處理。
此外，例如，在產生交聯起始物時，利用結構形成材料內的光子及聲子誘發的鍵結解離，可能有助於起始物產生處理。本案發明人已經發現，UV曝光可能有助於起始物產生處理。例如，鍵結解離可能需要波長小於或等於約300至400 nm的能量位準。
再者，例如，在交聯時，足以用於鍵結形成及重組的熱能可能有助於交聯處理。本案發明人已經發現，IR曝光或熱量加熱或兩者可能有助於交聯。例如，鍵結形成及重組可能需要波長大約9微米的能量位準，其，例如，對應至矽氧烷基有機矽酸鹽低介電常數材料中的主吸收峰。
在步驟13及繪示圖23中，使用微影處理及蝕刻處理在軟固化介電膜32A中形成一圖案。微影處理包括，使用影像曝光及顯影順序，在一輻射感光材料(例如光阻)層中製備該圖案。例如，該圖案可能包括溝渠或線圖案、或介層窗或孔洞圖案、或其組合。該圖案被轉移至下方的硬遮罩層或蓋層34，且於之後利用一或多個蝕刻處理被轉移至軟固化介電膜32A。該一或多個蝕刻處理可能包括乾式及/或溼式蝕刻處理。例如，該一或多個蝕刻處理可能包括乾式電漿及/或乾式非電漿蝕刻處理。
在步驟14及繪示圖24中，從基板30移除不想要的殘留物，例如表面殘留物35，以在軟固化介電膜32A的露出表面上產生縮小殘留物35A。具有縮小殘留物35A的該露出表面可能也呈現降低的損壞。例如，不想要的殘留物可能包括表面吸附物、微粒、溼氣、蝕刻殘留物、不想要的含碳殘留物、含非晶碳的殘留物、含碳氫化物的殘留物、含氟碳化物的殘留物、含鹵素的殘留物、或含聚合物的殘留物、或其兩者以上的組合。
在包括超低介電常數介電膜(亦即，介電常數k小於或等於2.5的介電膜)的介電膜32或軟固化介電膜32A的圖案化時，被用於實施介電膜32的圖案化的一或多個蝕刻處理可能對介電膜32或軟固化介電膜32A造成損壞，包括介電膜32的介電常數k、表面粗糙度及疏水性的劣化等等。此外，在使用灰化處理(例如電漿灰化處理)及/或溼式清潔處理以將用於介電膜32或軟固化介電膜32A的圖案化的一或多個遮罩層去除時，可能導致額外的劣化及/或損壞。再者，在製備低介電常數k的介電膜30或軟固化介電膜32A時，增加的碳含量是想要的。然而，當使用電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)處理以增加碳含量時，具有相對高介電常數k的非預期非晶碳殘留物繼續存在，其是不易移除的。此含非晶碳的殘留物防止介電常數k的進一步降低。
因此，不想要的殘留物的移除可能包括：(1)剝除使用於介電膜32或軟固化介電膜32A的圖案化中的一或多個遮罩層，例如光阻或光阻殘留物；(2)清潔介電膜32或軟固化介電膜32A的一或多個露出表面，以移除任何上述的不想要殘留物或表面吸附物，包括溼氣、蝕刻殘留物、含鹵素殘留物、含氟碳化物的殘留物、含碳氫化物的殘留物等等；(3)乾燥介電膜32或軟固化介電膜32A的一或多個露出表面；(4)移除非預期的含非晶碳的殘留物，以降低介電膜32或軟固化介電膜32A的介電常數k；(5)實施一或多個剝除及/或清潔處理，不使介電膜32或軟固化介電膜32A劣化及/或進一步損壞；(6)實施其二或多者的任何結合。
在一實施例中，使用乾式EM輻射清潔處理可移除不想要的殘留物，其係利用IR輻射及選擇性的UV輻射以照射包含介電膜32或軟固化介電32A的圖案的基板30。如下文中的更詳細討論，不想要的殘留物可從基板30被移除，其係藉由以IR輻射束結合著選擇性的UV輻射曝光及/或由噴嘴沿著噴射軸、在朝向基板的方向上所發射出的氣體或蒸氣噴出物之選擇性暴露以進行基板30的照射，其中氣體或蒸氣噴出物與基板可能是反應性或非反應性的。此外，不想要的殘留物的移除可能包括將基板30加熱至範圍從約20度C至約250度C的基板溫度。
本案發明人認為，IR輻射(例如遠紅外線放射)可能大大地被吸收在圖案化的介電膜中、及/或典型的表面吸附物(例如含碳氫化物材料及含氟碳化物材料)中。此外，本案發明人認為，來自EM輻射的溫度梯度所造成的熱泳力可能促進表面吸附物及微粒的移除。此外，本案發明人認為，UV輻射可能促進在表面吸附物(例如光阻、含碳氫化物材料、及含氟碳化物材料)中典型的化學鍵的切斷，因此有助於脫附處理。
在另一實施例中，利用結合著減弱的灰化處理(例如減弱的電漿灰化處理)的乾式EM輻射清潔處理，可移除不想要的殘留物。減弱的灰化處理可被用於至少部分地移除不想要的殘留物。例如，減弱的灰化處理可能包括造成介電膜32或軟固化介電膜32A的降低損壞的處理條件，例如電漿處理條件。該處理條件可能包括減少的灰化時間、減少的電漿功率、減弱的化學品(例如，較低攻擊性的化學品、或較不有害的化學品)、或其組合。
在又一實施例中，使用灰化處理、或溼式清潔處理、或兩者，可移除不想要的殘留物。例如，灰化處理可包括乾式電漿灰化處理。此外，例如，溼式清潔處理可包括使基板30浸沒在溼式清潔溶液中，例如HF水溶液。
在繪示圖25中，在步驟14(繪示圖24)的不想要殘留物的移除之後、且在產生矽烷化表面層35B的最終固化處理之前，可實施選擇性的矽烷化處理。矽烷化處理包括將矽烷基引入至介電膜32或軟固化介電膜32A，以做為介電膜32或軟固化介電膜32A的露出表面的平坦化、治療、及/或密封的保護基。
在一實施例中，矽烷化處理可包括引入矽烷化合物、矽氮烷化合物、HMDS、或TMCS、或其兩者以上之組合。矽烷化可進一步包括維持基板30在從約200度C至約400度C之間的基板溫度。在另一實施例中，矽烷化處理可進一步包括以UV輻射照射基板30。
在步驟15及繪示圖26中，在介電膜32或軟固化介電膜32A上實施最終固化處理，以至少額外地固化介電膜32而產生硬固化介電膜32B。最終固化處理可包括熱固化處理、及IR固化處理、或UV固化處理、或其兩者以上之任何組合。此外，最終固化處理可在第二基板溫度下實施。在一實施例中，第二基板溫度高於第一基板溫度。例如，最終固化處理可能造成介電膜32或軟固化介電膜32A的實質完全交聯，以產生增強的膜性質，例如包括機械性質。
在一實施例中，最終固化處理包括使用具有選擇性IR輻射及選擇性熱量加熱的UV輻射，以使介電膜32硬固化。
在最終固化處理時，UV曝光可包括複數UV曝光，其中每一UV曝光可能或可能不包括不同的強度、功率、功率密度、曝光時間、或波長範圍、或其兩者以上的任何組合。此外，IR曝光可包括複數IR曝光，其中每一IR曝光可能或可能不包括不同的強度、功率、功率密度、曝光時間、或波長範圍、或其兩者以上的任何組合。再者，UV曝光及IR曝光可能相繼地或並行地實施。
在UV曝光、或IR曝光、或兩者時，藉由提高基板30的基板溫度至第一基板溫度，介電膜32或軟固化介電膜32A可被加熱，其中第一基板溫度的範圍是從約100度C至約600度C。或者，第一基板溫度的範圍是從約100度C至約500度C。或者，第一基板溫度的範圍是從約100度C至約300度C。藉由傳導加熱、對流加熱、或輻射加熱、或其兩者以上的任何組合，可實施基板的熱量加熱。例如，藉由提高與基板30接觸的基板支座的溫度，可增加基板溫度。
此外，基板30的熱量加熱可發生在UV曝光之前、在UV曝光時、或在UV曝光之後、或其兩者以上的任何組合。再者，熱量加熱可發生在IR曝光之前、在IR曝光時、或在IR曝光之後、或其兩者以上的任何組合。熱量加熱可藉由傳導加熱、對流加熱、或輻射加熱、或其兩者以上的任何組合加以實施。
在UV及/或IR曝光之前，可實施乾燥處理，以移除或部分移除介電膜32或軟固化介電膜32A中的一或多個污染物，包括溼氣、水、溶劑、孔洞產生材料、殘留孔洞產生材料、孔洞產生分子、孔洞產生分子的裂片、或任何其它可能妨礙最終固化處理的污染物。
介電膜32或軟固化介電膜32A的曝光至UV輻射可包括使介電膜32或軟固化介電膜32A暴露至來自一或多個UV燈、一或多個UV LED(發光二極體)、或一或多個UV雷射、或其兩者以上的組合的UV輻射。UV輻射可能是連續式或脈衝式。UV輻射可能是寬頻帶或窄頻帶。UV輻射可能包括波長範圍從約100奈米(nm)至約600 nm的UV放射。或者，UV輻射的波長範圍可能從約150 nm至約400 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約200 nm至約350 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約150 nm至約250 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約170 nm至約240 nm。或者，UV輻射的波長範圍可能從約200 nm至約250 nm。
介電膜32或軟固化介電膜32A的曝光至IR輻射可包括使介電膜32或軟固化介電膜32A暴露至來自一或多個IR燈、一或多個IR LED(發光二極體)、或一或多個IR雷射、或其兩者以上的組合的IR輻射。IR輻射可能是連續式或脈衝式。IR輻射可能是寬頻帶或窄頻帶。例如，IR輻射可能包含具有窄頻帶波長的實質上單色電磁(EM)輻射。IR輻射可能包括波長範圍從約1微米至約25微米的IR放射。或者，IR輻射的波長範圍可能從約2微米至約20微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約8微米至約14微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約8微米至約12微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約9微米至約10微米。
發明人已經了解，在最終固化處理的不同階段時，被傳送的能量位準(hv)可能被改變。最終固化處理可包括用於溼氣及/或污染物的移除、孔洞產生材料的移除、孔洞產生材料的分解、交聯起始物的產生、介電膜的交聯、及交聯起始物的擴散的歷程。每一歷程可能需要不同的能量位準、以及能量被傳送至介電膜的速率。
例如，在移除孔洞產生材料時，IR波長的光子吸收可能有助於該移除處理。本案發明人已經發現，IR曝光比熱量加熱或UV曝光更有效地促進孔洞產生材料的移除。
此外，例如，在移除孔洞產生材料時，孔洞產生材料的分解可能有助於移除處理。該移除處理可能包括配合著UV曝光的IR曝光。本案發明人已經發現，藉由使孔洞產生材料(例如，孔洞產生分子及/或孔洞產生分子裂片)與結構形成材料之間的鍵結分離，UV曝光可促進具有IR曝光的移除處理。例如，UV波長(例如，約300 nm至約450 nm)的光子吸收可促進移除及/或分解處理。
此外，例如，在產生交聯起始物時，利用結構形成材料內的光子及聲子誘發的鍵結解離，可能有助於起始物產生處理。本案發明人已經發現，UV曝光可能有助於起始物產生處理。例如，鍵結解離可能需要波長小於或等於約300至400 nm的能量位準。
再者，例如，在交聯時，足以用於鍵結形成及重組的熱能可能有助於交聯處理。本案發明人已經發現，IR曝光或熱量加熱或兩者可能有助於交聯。例如，鍵結形成及重組可能需要波長大約9微米的能量位準，其，例如，對應至矽氧烷基有機矽酸鹽低介電常數材料中的主吸收峰。
此外，在用以改質硬固化介電膜32B的後處理系統中，圖案化的硬固化介電膜32B可以選擇性地進行後處理。例如，後處理可能包括熱量加熱該硬固化介電膜32B。或者，例如，後處理可能包括旋轉塗佈或氣相沉積另一膜在該硬固化介電膜32B上，以便促進後續膜的附著性或改善疏水性。或者，例如，稍微利用離子衝擊硬固化介電膜32B，以在後處理系統中達到附著性提升。此外，後處理可能包括實施沉積另一膜在硬固化介電膜32B上、清潔硬固化介電膜32B、或暴露硬固化介電膜32B至電漿的一或多者。
現在參考圖3，根據一實施例提出一流程圖4，其說明基板的清潔方法。此外，基板的清潔系統及方法係說明在圖4A、4B、及5A至5D。
如圖3、4A、4B及5A至5D所示，流程圖4所述的方法在步驟41開始，其以紅外線(IR)輻射及選擇性的紫外線(UV)輻射照射包含一或多層或結構60A至60D的基板50上的區域62，以從該一或多個層或結構60A至60D移除材料或不想要的殘留物65A至65D。例如，不想要的殘留物可能包括表面吸附物、微粒、溼氣、蝕刻殘留物、不想要的含碳殘留物、含非晶碳的殘留物、含碳氫化物的殘留物、含氟碳化物的殘留物、含鹵素的殘留物、或含聚合物的殘留物、或其兩者以上的組合。
該一或多個層或結構60A至60D可能包括低介電常數層、超低介電常數層、光阻層、抗反射塗佈(ARC)層、有機平坦化層(OPL)、軟遮罩層、或硬遮罩層、或其兩者以上之任何組合。此外，該一或多個層或結構60A至60D可能包括未圖案化、空白的層或結構，或者，該一或多個層或結構60A至60D可能包括圖案化的層或結構，如圖5A至5D所示。例如，圖案化的層或結構可利用微影及/或蝕刻處理加以形成。再者，例如，圖案化的層或結構可利用圖案化遮罩層及蝕刻處理加以形成。
IR輻射可能包括由IR源51發射出的IR輻射束52，其在基板50上產生一射束點53。IR源可能包括一或多個IR燈、一或多個IRLED(發光二極體)、或一或多個IR雷射、或其兩者以上的組合。IR輻射可能是連續式或脈衝式。IR輻射可能是寬頻帶或窄頻帶。例如，IR輻射可能包含具有窄頻帶波長的實質上單色電磁(EM)輻射。IR輻射可能包括波長範圍從約1微米至約25微米的IR放射。或者，IR輻射的波長範圍可能從約2微米至約20微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約8微米至約14微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約8微米至約12微米。或者，IR輻射的波長範圍可能從約9微米至約10微米。IR輻射的光譜內容可以被選擇，以造成該一或多層或結構60A至60D的殘餘物的至少一部分、或待移除的不想要殘留物或材料的至少一部分的吸收。
UV源(未顯示)可能包括一或多個UV燈、一或多個UV LED(發光二極體)、或一或多個UV雷射、或其兩者以上的組合的UV輻射。UV輻射可能是連續式或脈衝式。UV輻射可能是寬頻帶或窄頻帶。UV輻射可能包括波長範圍從約100奈米(nm)至約600 nm的UV放射。或者，UV輻射的波長範圍可能大於約250 nm。
IR曝光及UV曝光可能相繼地或並行地實施。例如，該照射可能包括IR輻射，其係與UV輻射同時、在UV輻射之後、或UV輻射之前、或其兩者以上的任何組合。
在IR曝光、或UV曝光、或兩者時，藉由提高基板50的基板溫度至範圍從約20度C至約250度C的溫度，該一或多個層或結構60A至60D可被加熱。例如，藉由提高與基板50接觸的基板支座的溫度，可增加基板溫度。
此外，基板50的熱量加熱可發生在IR曝光之前、在IR曝光時、或在IR曝光之後、或其兩者以上的任何組合。再者，熱量加熱可發生在UV曝光之前、在UV曝光時、或在UV曝光之後、或其兩者以上的任何組合。熱量加熱可藉由傳導加熱、對流加熱、或輻射加熱、或其兩者以上的任何組合加以實施。
在步驟42中，該區域62的至少一部分係暴露至由氣體噴嘴55沿著噴射軸(57、57’)、在朝向基板50的方向上所發射出的氣體或蒸氣噴出物(56、56’)。例如，噴射軸(57、57’)可能與基板50上的射束點53相交。氣體或蒸氣噴出物(56、56’)可選擇為與該區域62的至少一部分為反應性或非反應性的。此外，氣體或蒸氣噴出物(56、56’)可包含He、Ne、Ar、Kr、Xe、N2 、H2 、NH3 、CO、CO2 、或O2 、或其兩者以上之任何組合。例如，含氧氣體可與碳結合，以產生揮發性副產物，例如CO或CO2 。
在一例中，清潔處理被概要地描繪在圖5A中。清潔處理包括，使用由UV輻射68所輔助的IR輻射67，以照射包含圖案化的低介電常數介電材料63的一或多個層或結構60A，以移除在圖案化的低介電常數介電材料63的側壁上的光阻層64A及光阻殘留物65A。因此，清潔處理產生一或多個已清潔層或結構61A，其具有減少的光阻66A及/或光阻相關的損壞。本案發明人認為，具有大於約300 nm(雖然未限制於此波長範圍) UV放射的UV輻射可能在低基板溫度下選擇性地產生聚合物吸附物，然而IR輻射的吸收可能促進在低介電常數介電材料的露出表面上的揮發性聚合物的脫附。如上所述，清潔處理可進一步與減弱的(例如，較低攻擊性的)灰化處理相結合。
在另一實施例中，清潔處理被概要地描繪在圖5B中。清潔處理包括，使用由UV輻射68所輔助的IR輻射67，以照射包含圖案化的低介電常數介電材料63及圖案化的硬遮罩/蓋層材料64B的一或多個層或結構60B，以移除圖案化的低介電常數介電材料63的側壁上的光阻殘留物65B。因此，清潔處理產生一或多個已清潔層或結構61B，其具有減少的光阻66B及/或光阻相關的損壞。本案發明人認為，具有大於約300 nm(雖然未限制於此波長範圍)UV放射的UV輻射可能在低基板溫度下選擇性地產生聚合物吸附物，然而IR輻射的吸收可能促進在低介電常數介電材料的露出表面上的揮發性聚合物的脫附。如上所述，清潔處理可進一步與減弱的(例如，較低攻擊性的)灰化處理相結合。
在另一實施例中，清潔處理被概要地描繪在圖5C中。清潔處理包括，使用IR輻射67照射包含圖案化的低介電常數介電材料63及圖案化的硬遮罩/蓋層材料64C的一或多個層或結構60C，以移除圖案化的低介電常數介電材料63的側壁上的溼氣65C。因此，清潔處理產生一或多個已清潔層或結構61C，其具有減少的溼氣66C及/或溼氣相關的損壞。本案發明人認為，IR輻射可選擇性地加熱低介電常數介電材料以移除溼氣。
在另一實施例中，清潔處理被概要地描繪在圖5D中。清潔處理包括，使用IR輻射67照射包含圖案化的低介電常數介電材料63及圖案化的軟遮罩/硬遮罩/蓋層材料64D的一或多個層或結構60D，以移除圖案化的低介電常數介電材料63的側壁上的非晶碳65D。因此，清潔處理產生一或多個已清潔層或結構61D，其具有減少的非晶碳66D及/或非晶碳相關的損壞。或者或此外，清潔處理可包括UV輻射。本案發明人認為，IR及/或UV輻射可有效地移除非晶碳，以降低介電常數k。此外，本案發明人認為，在清潔處理中，接著的UV誘發的矽烷化更有效地被運用於IR及/或UV曝光之後。
根據一實施例，圖6及圖7個別地提供用於處理基板上介電膜的處理平台100的側視圖及俯視圖。處理平台100包括第一處理模組110及第二處理模組120。第一處理模組110可包括固化系統、清潔系統、表面改質系統、或乾燥系統。第二處理模組120可包括固化系統、清潔系統、表面改質系統、或乾燥系統。
乾燥系統可用於將介電膜中的一或多個污染物、孔洞產生材料、及/或交聯起始物(例如，包括溼氣、水、溶劑、污染物、孔洞產生材料、殘留的孔洞產生材料、弱鍵結至結構形成材料的側基團、孔洞產生分子、孔洞產生分的裂片、交聯起始物、交聯起始物的裂片、或任何其它可能對在固化系統中所實施的固化處理造成妨礙的污染物)移除或減少至足夠的程度。
例如，從乾燥處理之前至乾燥處理之後，存在於介電膜內的特定污染物的足夠減少可能包括減少大約10%至大約100%的特定污染物。污染物減少的程度可以使用傅立葉轉換紅外線(FTIR)光譜、或質譜加以量測。或者，例如，存在於介電膜內的特定污染物的足夠減少可能在大約50%至大約100%的範圍內。或者，例如，存在於介電膜內的特定污染物的足夠減少可能在大約80%至大約100%的範圍內。
仍參考圖6，固化系統可用於實施初步固化處理、或最終固化處理、或兩者。此外，藉由引起或部分引起介電膜內的交聯，固化系統可用於固化介電膜，以便，例如，改善介電膜的機械性質。再者，藉由引起或部分引起交聯起始、孔洞產生材料的移除、孔洞產生材料的分解等等，固化系統可用於固化介電膜。固化系統可包括一或多個輻射源，用於使具有介電膜的基板暴露至多個EM波長的EM輻射。例如，該一或多個輻射源可能包括IR輻射源及UV輻射源。使基板暴露至UV輻射及IR輻射可能同時地、相繼地、或彼此部分重疊地實施。在相繼暴露時，使基板暴露至UV輻射可能，例如，在使基板暴露至IR輻射之前、在使基板暴露至IR輻射之後、或兩者。此外，在相繼暴露時，使基板暴露至IR輻射可能，例如，在使基板暴露至UV輻射之前、在使基板暴露至UV輻射之後、或兩者。
例如，IR輻射可能包括在從大約1微米至大約25微米的範圍中的IR輻射源。此外，例如，IR輻射可能在從大約2微米至大約20微米、或從大約8微米至大約14微米、或從大約8微米至大約12微米、或從大約9微米至大約10微米的範圍中。此外，例如，UV輻射可能包括產生從大約100奈米(nm)至大約600 nm範圍的輻射的UV波段源。再者，例如，UV輻射可能在從大約150 nm至大約400 nm、或從大約150 nm至大約300 nm、或從大約170至大約240 nm、或從大約200 nm至大約240 nm的範圍中。
或者，第一處理模組110可包括用於使基板暴露至UV輻射的第一固化系統，第二處理模組120可包括用於使基板暴露至IR輻射的第二固化系統。
基板的IR曝光可在第一處理模組110、或第二處理模組120、或不同的處理模組(未顯示)中實施。
仍參考圖6，清潔系統可用於實施不想要殘留物的移除。例如，清潔系統可包括圖4A及4B中所述的系統的任一者。
而且，如圖6及圖7所示，傳送系統130可被耦接至第二處理模組120，以將基板傳進及傳出第一處理模組110及第二處理模組120，並且與多單元製造系統140交換基板。傳送系統130可將基板傳至及傳出第一處理模組110及第二處理模組120，同時維持真空環境。
第一及第二處理模組110、120及傳送系統130可能，例如，包括處理單元102，位於多單元製造系統140中。傳送系統130可包括專用的基板機械手臂160，用於在第一處理模組110、第二處理模組120及多單元製造系統140之間移動一或多個基板。例如，該專用基板機械手臂160用於傳送該一或多個基板在處理模組(第一處理模組110及第二處理模組120)與多單元製造系統140之間；然而，此實施例並非受限於此。
例如，多單元製造系統140可允許基板傳送至及傳出處理單元，例如，處理單元包括蝕刻系統、沉積系統、塗佈系統、圖案化系統、測量系統等的裝置。在一例子中，沉積系統可能包括一或多個氣相沉積系統，其每一者用於沉積一介電膜在基板上，其中該介電膜包括多孔性介電膜、非多孔性介電膜、低介電常數(low-k)膜、或超低介電常數膜。為了隔離在第一及第二系統中發生的處理，隔離組件150可被使用於連接每一系統。例如，隔離組件150可包括提供熱隔離的熱絕緣組件、及提供真空隔離的閘閥組件其中至少一者。第一及第二處理模組110及120、及傳送系統130可以任何順序加以放置。
圖7表示圖6所述的、用於處理一或多個基板的處理平台100的俯視圖。在此實施例中，基板142在第一及第二處理模組110、120中進行處理。雖然在圖7的每一處理系統中只有顯示一基板，二或多個基板可以並行地在每一處理模組中進行處理。
仍參考圖7，處理平台100可包括第一處理單元102及第二處理單元104，經配置為從多單元製造系統140伸出，而且彼此平行地運作。如圖6及圖7所示，第一處理單元102可包括第一處理模組110及第二處理模組120，其中傳送系統130使用專用的基板機械手臂160，以將基板142移入及移出第一處理單元102。
或者，根據另一實施例，圖8表示用於處理一或多個基板的處理平台200的側視圖。處理平台200可用於處理基板上的介電膜。
處理平台200包括第一處理模組210及第二處理模組220，其中第一處理模組210在垂直方向上被堆疊在第二處理模組220之上，如圖所示。第一處理模組210可包括固化系統，第二處理模組220可包括乾燥系統。或者，第一處理模組可包括用於使基板暴露至UV輻射的第一固化系統，第二處理模組220可包括用於使基板暴露至IR輻射的第二固化系統。
而且，如圖8所示，傳送系統230可被耦接至第一處理模組210，以將基板傳進及傳出第一處理模組210，且被耦接至第二處理模組220，以將基板傳進及傳出第二處理模組220。傳送系統230可包括專用的機械手臂260，用於在第一處理模組210、第二處理模組220及多單元製造系統240之間移動一或多個基板。該機械手臂260可能是專用的，以傳送基板在處理模組(第一處理模組210及第二處理模組220)與多單元製造系統240之間；然而，此實施例並非受限於此。
此外，傳送系統230可與一或多個基板匣(未顯示)交換基板。雖然只有兩個處理模組被繪製在圖8中，其它處理模組亦可使用傳送系統230或多單元製造系統240，例如，包括蝕刻系統、沉積系統、塗佈系統、圖案化系統、測量系統等的裝置。在一例子中，沉積系統可能包括一或多個氣相沉積系統，其每一者用於沉積一介電膜在基板上，其中該介電膜包括多孔性介電膜、非多孔性介電膜、低介電常數(loo-k)膜、或超低介電常數膜。為了隔離在第一及第二處理模組中發生的處理，隔離組件250可被使用於耦接每一系統。例如，隔離組件250可包括提供熱隔離的熱絕緣組件、及提供真空隔離的閘閥組件其中至少一者。此外，例如，傳送系統230可做為隔離組件250的一部分。
根據另一實施例，圖9表示用於處理複數基板342的處理平台300的俯視圖。處理平台300可用於處理基板上的介電膜。
處理平台300包括第一處理模組310、第二處理模組320、及選擇性的輔助處理模組370，輔助處理模組370係耦接至第一傳送系統330及選擇性的第二傳送系統330’。第一處理模組310可包括固化系統，第二處理模組320可包括乾燥系統。或者，第一處理模組310可包括用於使基板342暴露至UV輻射的第一固化系統，第二處理模組320可包括用於使基板342暴露至IR輻射的第二固化系統。
並且，如圖9所示，第一傳送系統330及選擇性的第二傳送系統330’係耦接至第一處理模組310及第二處理模組320，並且用於將一或多個基板342傳進及傳出第一處理模組310及第二處理模組320，並且也與多單元製造系統340交換一或多個基板342。多單元製造系統340可包括負載單元，使基板342匣能夠在大氣條件與低壓條件之間循環。
第一及第二處理系統310、320、第一及選擇性的第二傳送系統330、330’可能，例如，包括處理單元，位於多單元製造系統340中。傳送系統330可包括第一專用機械手臂360，選擇性的第二傳送系統330’包括選擇性的第二專用機械手臂360’，用於在第一處理模組310、第二處理模組320、選擇性的輔助處理模組370、及多單元製造系統340之間移動一或多個基板342。
在一實施例中，多單元製造系統340可允許基板342傳送至及傳出處理單元，例如，處理單元包括蝕刻系統、沉積系統、塗佈系統、圖案化系統、測量系統等的裝置。此外，多單元製造系統340可允許基板342傳送至及傳出輔助處理模組370，其中輔助處理模組370可包括蝕刻系統、沉積系統、塗佈系統、圖案化系統、測量系統等。在一例子中，沉積系統可能包括一或多個氣相沉積系統，其每一者用於沉積一介電膜在基板342上，其中該介電膜包括多孔性介電膜、非多孔性介電膜、低介電常數(low-k)膜、或超低介電常數膜。
為了隔離在第一及第二處理模組中發生的處理，隔離組件350可被使用於耦接每一處理模組。例如，隔離組件350可包括提供熱隔離的熱絕緣組件、及提供真空隔離的閘閥組件其中至少一者。當然，處理模組310及320、及傳送系統330及330’可以任何順序加以放置。
現在參考圖10，根據另一實施例，其顯示用於處理基板上介電膜的處理模組400。在一例子中，處理模組400可用於固化介電膜。在另一例子中，處理模組400可用於清潔介電膜。在又一例子中，處理模組400可用於改質介電膜的表面。處理模組400包括處理室410，用於產生乾淨、無污染物的環境，以用於被支托在基板支座420上的基板425的固化、清潔、及/或改質。處理模組400更包括輻射源440，用於使具有介電膜的基板425暴露至EM輻射。
EM輻射係專用於特定輻射波段，且在該特定輻射波段內包括單一、多重、窄頻帶、或寬頻帶EM波長。例如，輻射源440可包括IR輻射源，用於產生IR光譜中的EM輻射。或者，例如，輻射源440可包括UV輻射源，用於產生UV光譜中的EM輻射。在此實施例中，基板425的IR處理及UV處理可以在不同的處理模組中實施。
IR輻射源可包括寬頻帶IR源(例如，多色的)、或可包括窄頻帶IR源(例如，單色的)。IR輻射源可包括一或多個IR燈、一或多個IR LED、或一或多個IR雷射(連續波CW、可調式、或脈衝式)、或其任何組合。IR功率密度的範圍可能上至約20 W/cm2 。例如，IR功率密度的範圍可能從約1 W/cm2 至約20 W/cm2 。
根據其應用，IR輻射波長的範圍可能從約1微米至約25微米。或者，IR輻射波長的範圍可能從約8微米至約14微米。或者，IR輻射波長的範圍可能從約8微米至約12微米。或者，IR輻射波長的範圍可能從約9微米至約10微米。例如，IR輻射源可包括CO2 雷射系統。此外，例如，IR輻射源可能包括IR元件，例如陶瓷元件或碳化矽元件，具有範圍從約1微米至約25微米的光譜輸出；或者，IR輻射源可能包括具有光學參數放大的染料雷射、Ti：藍寶石、或離子、半導體雷射(二極體)。
UV輻射源可包括寬頻帶UV源(例如，多色的)、或可包括窄頻帶UV源(例如，單色的)。UV輻射源可包括一或多個UV燈、一或多個UV LED、或一或多個UV雷射(連續波CW、可調式、或脈衝式)、或其任何組合。UV輻射可由，例如，微波源、電弧放電、介電質障壁放電、或電子衝擊產生所產生。UV功率密度的範圍從約0.1 mW/cm2 至約2000 mW/cm2 。
根據其應用，UV波長的範圍可從約100奈米(nm)至約600 nm。或者，UV輻射的範圍可從約150 nm至約400 nm。或者，UV輻射的範圍可從約150 nm至約300 nm。或者，UV輻射的範圍可從約170 nm至約240 nm。或者，UV輻射的範圍可從約200 nm至約350 nm。或者，UV輻射的範圍可從約200 nm至約240 nm。例如，UV輻射源可包括直流(DC)或脈衝燈，例如氘(D2 )燈，具有從約180 nm至約500 nm範圍的光譜輸出；或者，UV輻射源可包括半導體雷射(二極體)、(氮)氣體雷射、三(或四)倍頻Nd:YAG雷射、或銅蒸氣雷射。
IR輻射源、或UV輻射源、或兩者可包括任何數目的光學元件，以調整輸出輻射的一或多個性質。例如，每一輻射源可進一步包括光纖、光學透鏡、射束擴展器、射束準直器等等。熟悉光學及EM波傳播技藝者所習知的此類光學操控元件係適用於本發明。
基板支座420可進一步包括溫度控制系統，其可用於提高及/或控制基板425的溫度。溫度控制系統可能是熱處理裝置430的一部分。基板支座420可包括一或多個傳導加熱元件，其埋置在耦接至功率源及溫度控制器的基板支座420之中。例如，每一加熱元件可包括電阻加熱元件，耦接至用於提供電功率的功率源。基板支座420可以選擇性地包括一或多個輻射加熱元件。根據其應用，基板425的溫度範圍可能，例如，從約20度C至約600度C，較佳地，溫度範圍可能從約100度C至約600度C。例如，基板425的溫度範圍可能從300度C至約500度C，或從約300度C至約450度C。或者，例如，基板425的溫度範圍可能從20度C至約300度C，或從約20度C至約250度C。
基板支座420可進一步包括傳動系統435，用於轉移、或旋轉、或轉移並且旋轉基板支座420，以相對於輻射源440移動基板425。
此外，基板支座420可能或可能不被用於箝制基板425。例如，基板支座420可能被用於以機械或電的方式箝制基板425。
雖然未顯示，基板支座420可能被用於支托複數基板。
再參考圖10，處理模組400可進一步包括氣體注入系統450，耦接至處理室410及用於引入與基板420為反應性或非反應性的處理氣體或清除氣體至處理室410。氣體注入系統450可包括氣體噴嘴452，用於產生沿著噴射軸且在朝向基板425的方向上的氣體或蒸氣噴出物454。氣體或蒸氣噴出物454可能與來自輻射源440的EM輻射442同時及/或相交。例如，清除氣體或處理氣體可包括惰性氣體，例如鈍氣或氮氣。或者，清除氣體可包括上列的其它氣體，例如O2 、N2 、NH3 、Cx Hy 、或其任何組合。此外，處理模組400可進一步包括真空抽氣系統455，耦接至處理室410及用於處理室410的抽真空。在固化處理時，基板425可能在或不在真空條件下承受清除氣體環境。
此外，如圖10所示，處理模組400可包括控制器460，耦接至處理室410、基板支座420、熱處理裝置430、傳動裝置435、輻射源440、氣體注入系統450、及真空抽氣系統455。控制器460包括微處理器、記憶體、及數位輸入輸出埠，能產生足以傳達及活化到達處理模組400的輸入及監控來自處理模組400的輸出的控制電壓。儲存在記憶體中的程式被使用，以根據已儲存的處理配方與處理模組400互動。控制器460可用於裝配任何數目的處理單元(410、420、430、435、440、450、或455)，且控制器460可收集、提供、處理、儲存、及顯示來自處理單元的資料。控制器460可包括數個應用程式，用於控制一或多個處理單元。例如，控制器460可包括圖形使用者介面(GUI)組件(未顯示)，其可提供易於使用的介面使得使用者能監控及/或控制一或多個處理單元。
現在參考圖11，根據另一實施例，其顯示用於處理基板上介電膜的處理模組500。在一例子中，處理模組500可用於固化介電膜。在另一例子中，處理模組500可用於清潔介電膜。在又一例子中，處理模組500可用於改質介電膜上的表面。處理模組500包括許多與圖10所繪出的元件相同的元件。處理模組500包括處理室410，用於產生乾淨、無污染物的環境，以用於被支托在基板支座420上的基板425的固化。處理模組500包括第一輻射源540，用於使具有介電膜的基板425暴露至EM輻射的第一輻射源群組。
處理模組500更包括第二輻射源545，用於使具有介電膜的基板425暴露至EM輻射的第二輻射源群組。EM輻射的每一群組係專用於特定輻射波段，且在該特定輻射波段內包括單一、多重、窄頻帶、或寬頻帶EM波長。例如，第一輻射源540可包括IR輻射源，用於產生IR光譜中的EM輻射。此外，例如，第二輻射源545可包括UV輻射源，用於產生UV光譜中的EM輻射。在此實施例中，基板425的IR處理及UV處理可以在單一處理模組中實施。
此外，氣體或蒸氣噴出物454可能與來自第一輻射源540的第一EM輻射542及/或來自第二輻射源545的第二EM輻射547同時及/或相交。
此外，如圖11所示，處理模組500可包括控制器560，耦接至處理室410、基板支座420、熱處理裝置430、傳動裝置435、第一輻射源540、第二輻射源545、氣體注入系統450、及真空抽氣系統455。控制器560包括微處理器、記憶體、及數位輸入輸出埠，能產生足以傳達及活化到達處理模組500的輸入及監控來自處理模組500的輸出的控制電壓。儲存在記憶體中的程式被使用，以根據已儲存的處理配方與處理模組500互動。控制器560可使用於裝配任何數目的處理單元(410、420、430、435、540、545、450、或455)，控制器560可收集、提供、處理、儲存、及顯示來自處理單元的資料。控制器460可包括數個應用程式，用於控制一或多個處理單元。例如，控制器560可包括圖形使用者介面(GUI)組件(未顯示)，其可提供易於使用的介面使得使用者能監控及/或控制一或多個處理單元。
各種EM輻射源的裝置及其光學系統可以在美國專利申請案第12/211,598號(其發明名稱為“DIELECTRIC TREATMENT SYSTEM AND METHOD OF OPERATING”、申請日期為2008年9月16日、美國專利公開號為2010/0065758)中找到，其全部內容被合併於此做為參考文獻。
現在參考圖12，根據一實施例，其呈現處理模組1200的概略圖。處理模組1200包括處理室1210，用於產生乾淨、無污染物的環境，以用於被支托在基板支座1220上的基板1225的固化、清潔、及/或改質。處理模組1200更包括輻射源1230，用於使基板1225暴露至EM輻射。
輻射源1230包括UV燈1240、及用於將來自UV燈1240的UV輻射1242導向基板1225的反射器1250。反射器1250具有分色反射體1254及非吸收反射體1252，非吸收反射體1252係配置在UV燈1240與基板1225之間。非吸收反射體1252係用於將來自UV燈1240的UV輻射1242反射朝向分色反射體1254，其中該非吸收反射體1252實質上防止來自UV燈1240的UV輻射1244直接到達基板1225。分色反射體1254可用於選擇由UV燈1240所放射出的UV輻射光譜的至少一部分。例如，輻射源1230可用於以UV輻射照射基板1225，該UV輻射包含從約250 nm至約450 nm、或從約200 nm至約300 nm、或約200 nm至約290 nm範圍內的放射，其係取決於分色塗層的種類。分色塗層可包括一或多個介電層。
在分色塗層上反射的濾波通常不影響由UV燈直接放射出的原始向前射束。因此，使用分色反射體的典型UV燈仍然放射出大量在想要波長範圍之外的放射物，造成基板的過熱及致孔劑移除的效率不佳。本案發明人建議，使用在具有分色塗層的反射器上的第二反射，以便獲得想要的放射光譜。
在一實施例中，非吸收反射體1252與UV燈1240是分開的，如圖12所示。在另一實施例中，非吸收反射體1252包括施加於UV燈1240的底側的一塗層。
非吸收反射體1252可包括凹面反射表面，其定位為面向分色反射體1254的凹面反射表面，且非吸收反射體1252可位於分色反射體1254與基板1225之間。此外，非吸收反射體1252的凹面反射表面的反射點及焦點與分色反射體1254的凹面反射表面的反射點及焦點可能是共線的。此外，非吸收反射體1252及/或分色反射體1254可包括具有圓形、橢圓形、拋物線、雙曲線的剖面的圓柱形或球面形幾何結構。非吸收反射體1252及/或分色反射體1254的形狀、方位、及/或位置可被調整，以提供基板1225的最理想照射。
處理模組1200可包括UV窗1260，配置在反射器1250與基板1225之間。
處理模組1200可進一步包括IR源，例如提供具有窄頻帶波長的實質上單色EM輻射的IR輻射，或IR雷射。此外，處理模組1200可進一步包括溫度控制系統，其係耦接至基板支座1220及用於控制基板1225的溫度。此外，處理模組1200可進一步包括傳動系統1212，其係耦接至基板支座1220及用於轉移、或旋轉、或轉移並且旋轉基板支座1220。再者，處理模組1200可進一步包括氣體供應系統，其係耦接至處理室1210及用於引入清除氣體及/或處理氣體至處理室1210。例如，氣體供應系統可包括噴嘴，用於產生沿著噴射軸且在朝向基板1225的方向上從噴嘴發射出的氣體或蒸氣噴出物。
現在參考圖13，根據一實施例，其呈現處理模組1300的概略圖。處理模組1300包括處理室1310，用於產生乾淨、無污染物的環境，以用於被支托在基板支座1320上的基板1325的固化、清潔、及/或改質。處理模組1300更包括輻射源1330，用於使基板1325暴露至EM輻射。
輻射源1330包括UV燈1340、及用於將來自UV燈1340的UV輻射1342導向基板1325的反射器1350。或者，輻射源1330可包括IR燈。反射器1350具有分色反射體1354及非吸收反射體1352，非吸收反射體1352係配置在UV燈1340與基板1325之間。非吸收反射體1352係用於將來自UV燈1340的UV輻射1342反射朝向分色反射體1354，其中該非吸收反射體1352實質上防止來自UV燈1340的UV輻射1344直接到達基板1325。分色反射體1354可用於選擇由UV燈1340所放射出的UV輻射光譜的至少一部分。例如，輻射源1330可用於以UV輻射照射基板1325，該UV輻射包含從約250 nm至約450 nm、或從約200 nm至約300 nm、或從約200 nm至約290 nm範圍內的放射，其係取決於分色塗層的種類。分色塗層可包括一或多個介電層。
如圖13所示，分色反射體1354包括複數分色反射元件，其係排列在與基板1325平行的第一平面1361中、並且位於基板1325之上；非吸收反射體1352包括複數非吸收反射元件，其係排列在與基板1325平行的第二平面1362中、並且位於基板1325之上及第一平面1361之下。此外，該複數非吸收反射元件及該複數分色反射元件係成對地排列，俾使在該複數非吸收反射元件每一者與該複數分色反射元件每一者之間存在一對一的關係。
非吸收反射體1352可包括凹面反射表面，其定位為面向分色反射體1354的凹面反射表面，且非吸收反射體1352可位於分色反射體1354與基板1325之間。處理模組1300可包括UV窗1360，配置在反射器1350與UV燈1340之間。
非吸收反射體1352及/或分色反射體1354的形狀、方位、及/或位置可被調整，以提供基板1325的最理想照射。
處理模組1300可進一步包括IR源，例如提供具有窄頻帶波長的實質上單色EM輻射的IR輻射，或IR雷射。此外，處理模組1300可進一步包括溫度控制系統，其係耦接至基板支座1320及用於控制基板1325的溫度。此外，處理模組1300可進一步包括傳動系統1312，其係耦接至基板支座1320及用於轉移、或旋轉、或轉移並且旋轉基板支座1320。再者，處理模組1300可進一步包括氣體供應系統，其係耦接至處理室1310及用於引入清除氣體及/或處理氣體至處理室1310。例如，氣體供應系統可包括噴嘴，用於產生沿著噴射軸且在朝向基板1325的方向上從噴嘴發射出的氣體或蒸氣噴出物。
雖然在上述細節中僅僅描述了本發明的某些實施例，熟悉此技藝者應當很容易了解，在未實質偏離本發明的新穎教示及優點下，實施例可能有許多的變化。因此，所有此類的變化應當包含於本發明的範圍內。
1．．．流程圖
4．．．流程圖
11,12,13,14,15．．．步驟
20．．．繪示圖
21,22,23,24,25,26．．．繪示圖
30．．．基板
32．．．介電膜
32A．．．軟固化介電膜
32B．．．硬固化介電膜
34．．．硬遮罩層或蓋層
35．．．表面殘留物
35A．．．縮小殘留物
35B．．．矽烷化表面層
41,42．．．步驟
50．．．基板
51．．．紅外線(IR)源
52．．．紅外線(IR)輻射束
53．．．射束點
55．．．氣體噴嘴
56,56’．．．氣體或蒸氣噴出物
57,57’．．．噴射軸
60A,60B,60C,60D．．．一或多個層或結構
61A,61B,61C,61D．．．一或多個已清潔層或結構
62．．．區域
63．．．低介電常數介電材料
64A．．．光阻層
64B,64C．．．硬遮罩/蓋層材料
64D．．．軟遮罩/硬遮罩/蓋層材料
65A,65B．．．光阻殘留物
65C．．．溼氣
65D．．．非晶碳
66A,66B．．．光阻
66C．．．溼氣
66D．．．非晶碳
67．．．IR輻射
68．．．UV輻射
100．．．處理平台
102．．．第一處理單元
104．．．第二處理單元
110．．．第一處理模組
120．．．第二處理模組
130．．．傳送系統
140．．．多單元製造系統
142．．．基板
150．．．隔離組件
160．．．基板機械手臂
200．．．處理平台
210．．．第一處理模組
220．．．第二處理模組
230．．．傳送系統
240．．．多單元製造系統
250．．．隔離組件
260．．．機械手臂
300．．．處理平台
310．．．第一處理模組
320．．．第二處理模組
330．．．第一傳送系統
330’．．．第二傳送系統
340．．．多單元製造系統
342．．．基板
350．．．隔離組件
360．．．第一專用機械手臂
360’．．．第二專用機械手臂
370．．．輔助處理模組
400．．．處理模組
410．．．處理室
420．．．基板支座
425．．．基板
430．．．熱處理裝置
435．．．傳動系統
440．．．輻射源
442．．．EM輻射
450．．．氣體注入系統
452．．．氣體噴嘴
454．．．氣體或蒸氣噴出物
455．．．真空抽氣系統
460．．．控制器
500．．．處理模組
540．．．第一輻射源
542．．．第一EM輻射
545．．．第二輻射源
547．．．第二EM輻射
560．．．控制器
1200．．．處理模組
1210．．．處理室
1212．．．傳動系統
1220．．．基板支座
1225．．．基板
1230．．．輻射源
1240．．．UV燈
1242．．．UV輻射
1244．．．UV輻射
1250．．．反射器
1252．．．非吸收反射體
1254．．．分色反射體
1260．．．UV窗
1300．．．處理模組
1310．．．處理室
1312．．．傳動系統
1320．．．基板支座
1325．．．基板
1330．．．輻射源
1340．．．UV燈
1342．．．UV輻射
1344．．．UV輻射
1350．．．反射器
1352．．．非吸收反射體
1354．．．分色反射體
1360．．．UV窗
1361．．．第一平面
1362．．．第二平面
圖1說明根據一實施例的基板上介電膜的整合方法。
圖2說明根據另一實施例的基板上介電膜的整合方法。
圖3說明根據一實施例的基板的清潔方法。
圖4A及4B提出根據額外實施例的基板的清潔方法及系統的概略圖。
圖5A至5D說明根據更額外實施例的基板的清潔方法。
圖6說明根據一實施例的用於處理系統的一例示性傳送系統的側視概略圖。
圖7說明圖6所述的傳送系統的俯視概略圖。
圖8說明根據另一實施例的用於處理系統的另一例示性傳送系統的側視概略圖。
圖9說明根據另一實施例的用於處理系統的再一例示性傳送系統的俯視概略圖。
圖10係根據另一實施例的處理模組的概要剖面圖。
圖11係根據另一實施例的處理模組的概要剖面圖。
圖12係根據另一實施例的處理模組的概要剖面圖。
圖13係根據另一實施例的處理模組的概要剖面圖。
1．．．流程圖
11,12,13,14,15．．．步驟

Claims (60)

  1. 一種在基板上之介電膜的整合方法，包括：在一基板上製備一介電膜，該介電膜係一低介電常數介電膜，具有小於或等於約4之介電常數值；在該介電膜上實施一初步固化處理；使用一微影處理及一蝕刻處理在該介電膜中形成一圖案；從該基板移除不想要的殘留物；及在該介電膜上實施一最終固化處理，該最終固化處理包括以紫外線(UV)輻射照射該基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該初步固化處理係在一第一基板溫度實施，及該最終固化處理係在大於該第一基板溫度之一第二基板溫度實施。
  3. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，該實施該初步固化處理包括以任何順序實施下列步驟之一或多者：以UV輻射照射該基板；以紅外線(IR)輻射照射該基板；藉由提高與該基板接觸之一基板支座之溫度以加熱該基板；及實施其二或多者之任何組合。
  4. 如申請專利範圍第3項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該UV輻射包括範圍在約200 nm(奈米)與約350 nm之間的UV放射。
  5. 如申請專利範圍第3項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該IR輻射包括範圍在約8微米與約12微米之間的IR放射。
  6. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該實施該最終固化處理包括以任何順序實施下列步驟之一或多者：以UV輻射照射該基板；以IR輻射照射該基板；藉由提高與該基板接觸之一基板支座之溫度以加熱該基板；及實施其二或多者之任何組合。
  7. 如申請專利範圍第6項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該UV輻射包括範圍在約200 nm(奈米)與約350 nm之間的UV放射。
  8. 如申請專利範圍第6項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該IR輻射包括範圍在約8微米與約12微米之間的IR放射。
  9. 如申請專利範圍第6項之在基板上之介電膜的整合方法，更包括：在該最終固化處理時，保持一基板溫度在約300度C與約450度C之間。
  10. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該移除不想要的殘留物包括：實施一灰化處理、或一溼式清潔處理、或兩者。
  11. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該移除不想要的殘留物包括：以IR輻射及選擇性的UV輻射對在該介電膜中包含該圖案之該基板進行照射。
  12. 如申請專利範圍第11項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該移除不想要的殘留物更包括：使該基板暴露至一氣體或蒸氣噴出物，該氣體或蒸氣噴出物係沿著一噴射軸且在朝向該基板的方向上從一噴嘴發射出。
  13. 如申請專利範圍第12項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該IR輻射包括一IR輻射束，該IR輻射束在該基板上產生一射束點，與該噴射軸相交。
  14. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該移除不想要的殘留物更包括：保持一基板溫度在約20度C與約250度C之間之溫度。
  15. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該不想要的殘留物包括表面吸附物、微粒、溼氣、蝕刻殘留物、不想要的含碳殘留物、含非晶碳之殘留物、含碳氫化物之殘留物、含氟碳化物之殘留物、含鹵素之殘留物、或含聚合物之殘留物、或其二或多者之任何組合。
  16. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，更包括：在該移除不想要的殘留物之後及在該實施該最終固化處理之前，實施一矽烷化處理。
  17. 如申請專利範圍第16項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該矽烷化處理更包括：以UV輻射照射該基板。
  18. 如申請專利範圍第16項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該矽烷化處理包括：引入一矽烷化合物、一矽氮烷化合物、HMDS、或TMCS、或其二或多者之任何組合。
  19. 如申請專利範圍第16項之在基板上之介電膜的整合方法，其中該矽烷化處理包括：保持一基板溫度在約200度C與約400度C之間。
  20. 如申請專利範圍第1項之在基板上之介電膜的整合方法，更包括：在該移除不想要的殘留物之後及在該實施該最終固化處理之前，乾燥該介電膜。
  21. 一種基板的清潔方法，包括：以紅外線(IR)輻射及選擇性的紫外線(UV)輻射照射包含一或多層或結構之一基板上之一區域，以從該一或多層或結構移除材料或不想要的殘留物。
  22. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，更包括：使該區域之至少一部分暴露至一氣體或蒸氣噴出物，該氣體或蒸氣噴出物係沿著一噴射軸且在朝向該基板的方向上從一氣體噴嘴發射出。
  23. 如申請專利範圍第22項之基板的清潔方法，其中該氣體或蒸氣噴出物係選擇為與該區域之至少一部分為具有反應性的。
  24. 如申請專利範圍第22項之基板的清潔方法，其中該氣體或蒸氣噴出物包括He、Ne、Ar、Kr、Xe、N2 、H2 、NH3 、CO、CO2 、或O2 、或其二或多者之任何組合。
  25. 如申請專利範圍第22項之基板的清潔方法，其中該IR輻射包括一IR射束，該IR射束具有在該基板上之一射束點，該IR射束與該噴射軸在該射束點處相交。
  26. 如申請專利範圍第22項之基板的清潔方法，其中該暴露在該照射之後、或該暴露與該照射係同時發生的。
  27. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該一或多層或結構包括一圖案化結構，該圖案化結構係使用一圖案化遮罩層及一蝕刻處理而形成。
  28. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該一或多層或結構包括一低介電常數層、一超低介電常數層、一光阻層、一抗反射塗佈(ARC)層、一有機平坦化層(OPL)、一軟遮罩層、或一硬遮罩層、或其二或多者之任何組合。
  29. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該照射包括IR照射，該IR照射與該選擇性的UV輻射同時發生、在該選擇性的UV輻射之後、或在該選擇性的UV輻射之後、或其二或多者之任何組合。
  30. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該IR輻射包括具有窄頻帶波長之實質單色電磁(EM)輻射。
  31. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該IR輻射包括一IR雷射。
  32. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，更包括：選擇該IR輻射之一光譜內容，所選的該光譜內容在該一或多層或結構之殘餘物之至少一部分、或待移除之該材料或不想要的殘留物之至少一部分中造成吸收。
  33. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該IR輻射包括範圍在約8微米與約12微米之間的IR放射。
  34. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，更包括：保持一基板溫度在約20度C與約250度C之間之溫度。
  35. 如申請專利範圍第21項之基板的清潔方法，其中該選擇性的UV輻射包括範圍在約200 nm(奈米)與約350 nm之間的UV放射。
  36. 一種用於處理基板的處理模組，包括：一處理室；一基板支座，耦接至該處理室及用於支托一基板；一輻射源，耦接至該處理室及用於使該基板暴露至電磁(EM)輻射，其中該輻射源包括一紅外線(IR)源，該IR源係配置以產生一IR射束，該IR射束具有在該基板上之一射束點；及一氣體注入系統，具有一氣體噴嘴，耦接至該處理室及用於產生一氣體或蒸氣噴出物，該氣體或蒸氣噴出物係沿著一噴射軸且在朝向該基板之方向上從該氣體噴嘴發射出、及與該射束點相交。
  37. 如申請專利範圍第36項之用於處理基板的處理模組，其中該輻射源更包括一紫外線(UV)輻射源。
  38. 如申請專利範圍第36項之用於處理基板的處理模組，其中該輻射源包括一IR雷射。
  39. 如申請專利範圍第36項之用於處理基板的處理模組，更包括：一輻射掃描裝置，耦接至該處理室，及用於掃描該IR射束遍及該基板各處。
  40. 如申請專利範圍第36項之用於處理基板的處理模組，更包括：一溫度控制系統，耦接至該基板支座及用於控制該基板之溫度。
  41. 一種用於處理基板上之介電膜的處理模組，包括：一處理室；一基板支座，耦接至該處理室及用於支托一基板；及一輻射源，耦接至該處理室及用於使該介電膜暴露至電磁(EM)輻射，其中該輻射源包括一紫外線(UV)源，該UV源包括：一UV燈；及一反射器，用於將來自該UV燈之經反射UV輻射導向該基板，該反射器具有一分色反射體及一非吸收反射體，該非吸收反射體係位於該UV燈與該基板之間及用於將來自該UV燈之UV輻射反射朝向該分色反射體，其中該非吸收反射體實質地防止來自該UV燈之直接UV輻射到達該基板。
  42. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該基板係暴露至該經反射UV輻射，該經反射UV輻射包括範圍從約200 nm(奈米)至約290 nm之放射波長。
  43. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該非吸收反射體與該UV燈係分開的。
  44. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該非吸收反射體包括施加於該UV燈之一底側之一塗層。
  45. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該非吸收反射體包括一凹面反射表面，定位於面向該分色反射體之至少一凹面反射表面。
  46. 如申請專利範圍第45項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該非吸收反射體係配置於該分色反射體與該基板之間。
  47. 如申請專利範圍第45項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該非吸收反射體之該凹面反射表面之一第一反射點及一第一焦點、與該分色反射體之該凹面反射表面之一第二反射點及一第二焦點係共線的。
  48. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該分色反射體包括一圓柱形或球面形幾何結構，該圓柱形或球面形幾何結構具有一圓形、橢圓形、拋物線、或雙曲線的橫剖面。
  49. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該非吸收反射體包括一圓柱形或球面形幾何結構，該圓柱形或球面形幾何結構具有一圓形、橢圓形、拋物線、或雙曲線的橫剖面。
  50. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該分色反射體包括複數分色反射元件，排列在與該基板平行的一第一平面中及位於該基板之上，及其中該非吸收反射體包括複數非吸收反射元件，排列在與該基板平行之一第二平面中及位於該基板之上及該第一平面之下。
  51. 如申請專利範圍第50項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該複數非吸收反射元件及該複數分色反射元件係成對地排列，其中在該等非吸收反射元件之每一者與該等分色反射元件之每一者之間存在一對一的關係。
  52. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該輻射源更包括一UV窗，配置在該反射器與該基板之間。
  53. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該輻射源更包括一UV窗，配置在該反射器與該UV燈之間。
  54. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該輻射源更包括一紅外線(IR)源。
  55. 如申請專利範圍第54項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該IR源提供具有一窄頻帶波長之實質單色電磁(EM)輻射。
  56. 如申請專利範圍第54項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該IR源包括一IR雷射。
  57. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，更包括：一溫度控制系統，耦接至該基板支座及用於控制該基板之溫度。
  58. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，更包括：一傳動系統，耦接至該基板支座，及用於轉移、或旋轉、或轉移並且旋轉該基板支座。
  59. 如申請專利範圍第41項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，更包括：一氣體供應系統，耦接至該處理室，及用於引入一處理氣體至該處理室。
  60. 如申請專利範圍第59項之用於處理基板上之介電膜的處理模組，其中該氣體供應系統包括一噴嘴，用於產生一氣體或蒸氣噴出物，該氣體或蒸氣噴出物沿著一噴射軸且在朝向該基板之方向上從該噴嘴發射出。
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Families Citing this family (332)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US8288271B2 (en) * 2009-11-02 2012-10-16 International Business Machines Corporation Method for reworking antireflective coating over semiconductor substrate
US20110232677A1 (en) * 2010-03-29 2011-09-29 Tokyo Electron Limited Method for cleaning low-k dielectrics
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8916054B2 (en) 2011-10-26 2014-12-23 International Business Machines Corporation High fidelity patterning employing a fluorohydrocarbon-containing polymer
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
KR101368818B1 (ko) 2012-05-03 2014-03-04 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치
TWI581331B (zh) * 2012-07-13 2017-05-01 應用材料股份有限公司 降低多孔低ｋ膜的介電常數之方法
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9029835B2 (en) * 2012-12-20 2015-05-12 Intel Corporation Epitaxial film on nanoscale structure
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
CN109390214B (zh) * 2013-08-21 2023-03-07 应用材料公司 半导体薄膜制造中的变频微波(vfm)工艺及应用
KR102394994B1 (ko) 2013-09-04 2022-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN103962346B (zh) * 2014-05-21 2016-08-24 深圳市华星光电技术有限公司 可调整紫外光照射能量的紫外光清洗基板的方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
KR20170056986A (ko) * 2015-11-16 2017-05-24 (주)쎄미시스코 연기 제거 광 소결장치
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
KR102342848B1 (ko) * 2017-04-21 2021-12-23 삼성전자주식회사 레이저 어닐링 장비
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10754067B2 (en) 2017-05-18 2020-08-25 GM Global Technology Operations LLC Textured self-cleaning film system and method of forming same
US10583428B2 (en) 2017-05-18 2020-03-10 GM Global Technology Operations LLC Self-cleaning film system and method of forming same
US10556231B2 (en) 2017-05-18 2020-02-11 GM Global Technology Operations LLC Self-cleaning film system and method of forming same
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10429641B2 (en) 2017-05-31 2019-10-01 GM Global Technology Operations LLC Light-enhanced self-cleaning film system and method of forming same
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102573280B1 (ko) * 2018-03-21 2023-09-01 삼성전자주식회사 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03125488A (ja) * 1989-10-11 1991-05-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JPH0912305A (ja) * 1995-06-26 1997-01-14 Murata Mfg Co Ltd ペロブスカイト構造を有する金属酸化物膜の製造方法、及び薄膜コンデンサの製造方法
JP2000306271A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Sony Corp 光学記録媒体およびその製造方法
JP2001160548A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nec Corp 半導体装置製造方法および半導体装置製造システム
US6303524B1 (en) * 2001-02-20 2001-10-16 Mattson Thermal Products Inc. High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques
TW466636B (en) * 1998-01-20 2001-12-01 Allied Signal Inc Nanoporous silica dielectric films modified by electron beam exposure and having low dielectric constant and low water content
US6649921B1 (en) * 2002-08-19 2003-11-18 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation
US6692903B2 (en) * 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
TW200522141A (en) * 2003-10-10 2005-07-01 Tokyo Electron Ltd Method and system for treating a dielectric film
TW200522809A (en) * 2003-12-19 2005-07-01 Ind Tech Res Inst Structure and fabricating method of a high-dielectric film formed on an organic substrate
TW200631096A (en) * 2005-02-18 2006-09-01 Tokyo Electron Ltd Method and system for treating a dielectric film
US7166963B2 (en) * 2004-09-10 2007-01-23 Axcelis Technologies, Inc. Electrodeless lamp for emitting ultraviolet and/or vacuum ultraviolet radiation
JP2007019486A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Samsung Electronics Co Ltd スピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法
US7223670B2 (en) * 2004-08-20 2007-05-29 International Business Machines Corporation DUV laser annealing and stabilization of SiCOH films
TW200721310A (en) * 2005-09-30 2007-06-01 Tokyo Electron Ltd Treatment of low dielectric constant films using a batch processing system
US7282458B2 (en) * 2004-01-16 2007-10-16 International Business Machines Corporation Low K and ultra low K SiCOH dielectric films and methods to form the same

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5024968A (en) * 1988-07-08 1991-06-18 Engelsberg Audrey C Removal of surface contaminants by irradiation from a high-energy source
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5705232A (en) * 1994-09-20 1998-01-06 Texas Instruments Incorporated In-situ coat, bake and cure of dielectric material processing system for semiconductor manufacturing
US5967156A (en) * 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US6413883B1 (en) * 1996-03-04 2002-07-02 Symetrix Corporation Method of liquid deposition by selection of liquid viscosity and other precursor properties
US6444037B1 (en) * 1996-11-13 2002-09-03 Applied Materials, Inc. Chamber liner for high temperature processing chamber
US6232248B1 (en) * 1998-07-03 2001-05-15 Tokyo Electron Limited Single-substrate-heat-processing method for performing reformation and crystallization
US6136729A (en) * 1998-08-12 2000-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Method for improving semiconductor dielectrics
US6734120B1 (en) * 1999-02-19 2004-05-11 Axcelis Technologies, Inc. Method of photoresist ash residue removal
US6509259B1 (en) * 1999-06-09 2003-01-21 Alliedsignal Inc. Process of using siloxane dielectric films in the integration of organic dielectric films in electronic devices
JP3769426B2 (ja) * 1999-09-22 2006-04-26 東京エレクトロン株式会社 絶縁膜形成装置
US6457478B1 (en) * 1999-11-12 2002-10-01 Michael J. Danese Method for treating an object using ultra-violet light
JP2001214127A (ja) * 2000-01-31 2001-08-07 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd 電気絶縁性薄膜形成性樹脂組成物、および電気絶縁性薄膜の形成方法
JP2004509468A (ja) * 2000-09-13 2004-03-25 シップレーカンパニー　エル　エル　シー 電子デバイスの製造
US6583048B2 (en) * 2001-01-17 2003-06-24 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
US6756085B2 (en) * 2001-09-14 2004-06-29 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing processes for advanced low-k materials
US20030054115A1 (en) * 2001-09-14 2003-03-20 Ralph Albano Ultraviolet curing process for porous low-K materials
US6991739B2 (en) * 2001-10-15 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Method of photoresist removal in the presence of a dielectric layer having a low k-value
US6689218B2 (en) * 2001-10-23 2004-02-10 General Electric Company Systems for the deposition and curing of coating compositions
US20030224544A1 (en) * 2001-12-06 2003-12-04 Shipley Company, L.L.C. Test method
JP4151579B2 (ja) * 2002-02-27 2008-09-17 日立化成工業株式会社 シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその製造方法、並びに電子部品
US6843855B2 (en) * 2002-03-12 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Methods for drying wafer
JP2003303799A (ja) * 2002-04-10 2003-10-24 Sony Corp 表面洗浄装置および表面洗浄方法
KR20030093721A (ko) * 2002-06-05 2003-12-11 삼성전자주식회사 금속간 절연막의 패턴을 형성하는 방법
US6818864B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-16 Asm America, Inc. LED heat lamp arrays for CVD heating
US7404990B2 (en) * 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
KR100541179B1 (ko) * 2003-02-03 2006-01-11 삼성전자주식회사 유전막 형성 장치 및 방법
US20040152296A1 (en) * 2003-02-04 2004-08-05 Texas Instruments Incorporated Hexamethyldisilazane treatment of low-k dielectric films
US7098149B2 (en) * 2003-03-04 2006-08-29 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
JP2004311958A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp 表面処理方法、表面処理装置、表面処理基板及び電気光学装置並びに電子機器
US6846748B2 (en) * 2003-05-01 2005-01-25 United Microeletronics Corp. Method for removing photoresist
US20040235299A1 (en) * 2003-05-22 2004-11-25 Axcelis Technologies, Inc. Plasma ashing apparatus and endpoint detection process
US20040253839A1 (en) * 2003-06-11 2004-12-16 Tokyo Electron Limited Semiconductor manufacturing apparatus and heat treatment method
US7622399B2 (en) * 2003-09-23 2009-11-24 Silecs Oy Method of forming low-k dielectrics using a rapid curing process
US6897162B2 (en) * 2003-10-20 2005-05-24 Wafermasters, Inc. Integrated ashing and implant annealing method
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
US7291550B2 (en) * 2004-02-13 2007-11-06 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method to form a contact hole
JP4364669B2 (ja) * 2004-02-20 2009-11-18 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ドライエッチング方法
US6962871B2 (en) * 2004-03-31 2005-11-08 Dielectric Systems, Inc. Composite polymer dielectric film
US20050272220A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-08 Carlo Waldfried Ultraviolet curing process for spin-on dielectric materials used in pre-metal and/or shallow trench isolation applications
US7629272B2 (en) * 2004-06-07 2009-12-08 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet assisted porogen removal and/or curing processes for forming porous low k dielectrics
US7709814B2 (en) * 2004-06-18 2010-05-04 Axcelis Technologies, Inc. Apparatus and process for treating dielectric materials
US20050284568A1 (en) * 2004-06-28 2005-12-29 International Business Machines Corporation Removing unwanted film from wafer edge region with reactive gas jet
US7081638B1 (en) * 2004-10-25 2006-07-25 Advanced Micro Devices, Inc. System and method to improve uniformity of ultraviolet energy application and method for making the same
US7202176B1 (en) * 2004-12-13 2007-04-10 Novellus Systems, Inc. Enhanced stripping of low-k films using downstream gas mixing
US20060165904A1 (en) * 2005-01-21 2006-07-27 Asm Japan K.K. Semiconductor-manufacturing apparatus provided with ultraviolet light-emitting mechanism and method of treating semiconductor substrate using ultraviolet light emission
US7166531B1 (en) * 2005-01-31 2007-01-23 Novellus Systems, Inc. VLSI fabrication processes for introducing pores into dielectric materials
US7202564B2 (en) * 2005-02-16 2007-04-10 International Business Machines Corporation Advanced low dielectric constant organosilicon plasma chemical vapor deposition films
US7265437B2 (en) * 2005-03-08 2007-09-04 International Business Machines Corporation Low k dielectric CVD film formation process with in-situ imbedded nanolayers to improve mechanical properties
US20060251827A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Tandem uv chamber for curing dielectric materials
US7777198B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for exposing a substrate to a rotating irradiance pattern of UV radiation
EP1941539A1 (en) * 2005-06-03 2008-07-09 Axcelis Technologies, Inc. Ultraviolet curing process for low k dielectric films
US7279427B2 (en) * 2005-08-03 2007-10-09 Tokyo Electron, Ltd. Damage-free ashing process and system for post low-k etch
US7893703B2 (en) * 2005-08-19 2011-02-22 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for controlling deposition of a charge on a wafer for measurement of one or more electrical properties of the wafer
US7405168B2 (en) * 2005-09-30 2008-07-29 Tokyo Electron Limited Plural treatment step process for treating dielectric films
US7622378B2 (en) * 2005-11-09 2009-11-24 Tokyo Electron Limited Multi-step system and method for curing a dielectric film
US7482265B2 (en) * 2006-01-10 2009-01-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. UV curing of low-k porous dielectrics
US7566891B2 (en) * 2006-03-17 2009-07-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for treating a substrate with UV radiation using primary and secondary reflectors
US7589336B2 (en) * 2006-03-17 2009-09-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation while monitoring deterioration of the UV source and reflectors
US7692171B2 (en) * 2006-03-17 2010-04-06 Andrzei Kaszuba Apparatus and method for exposing a substrate to UV radiation using asymmetric reflectors
US20070264786A1 (en) * 2006-05-11 2007-11-15 Neng-Kuo Chen Method of manufacturing metal oxide semiconductor transistor
JP5030478B2 (ja) * 2006-06-02 2012-09-19 株式会社アルバック 多孔質膜の前駆体組成物及びその調製方法、多孔質膜及びその作製方法、並びに半導体装置
US8956457B2 (en) * 2006-09-08 2015-02-17 Tokyo Electron Limited Thermal processing system for curing dielectric films
JP5076452B2 (ja) * 2006-11-13 2012-11-21 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置の製造方法
JP4800235B2 (ja) * 2007-02-14 2011-10-26 東京エレクトロン株式会社 処理方法
JP4922858B2 (ja) * 2007-07-30 2012-04-25 株式会社東芝 パターン形成方法及び洗浄装置
US20090075491A1 (en) * 2007-09-13 2009-03-19 Tokyo Electron Limited Method for curing a dielectric film
JP2009194072A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20090226694A1 (en) * 2008-03-06 2009-09-10 Tokyo Electron Limited POROUS SiCOH-CONTAINING DIELECTRIC FILM AND A METHOD OF PREPARING
CN102789975B (zh) * 2008-03-06 2015-10-14 东京毅力科创株式会社 用于固化多孔低介电常数电介质膜的方法
US7977256B2 (en) * 2008-03-06 2011-07-12 Tokyo Electron Limited Method for removing a pore-generating material from an uncured low-k dielectric film
US7858533B2 (en) * 2008-03-06 2010-12-28 Tokyo Electron Limited Method for curing a porous low dielectric constant dielectric film
US20090226695A1 (en) * 2008-03-06 2009-09-10 Tokyo Electron Limited Method for treating a dielectric film with infrared radiation
US20100068897A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment platform for dielectric film deposition and curing
US20100065758A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Dielectric material treatment system and method of operating
US8895942B2 (en) * 2008-09-16 2014-11-25 Tokyo Electron Limited Dielectric treatment module using scanning IR radiation source
US20100067886A1 (en) * 2008-09-16 2010-03-18 Tokyo Electron Limited Ir laser optics system for dielectric treatment module
TW201030469A (en) * 2008-12-25 2010-08-16 Jsr Corp Negative-tone radiation-sensitive composition, cured pattern forming method, and cured pattern
US20110232677A1 (en) * 2010-03-29 2011-09-29 Tokyo Electron Limited Method for cleaning low-k dielectrics

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03125488A (ja) * 1989-10-11 1991-05-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子およびその製造方法
JPH0912305A (ja) * 1995-06-26 1997-01-14 Murata Mfg Co Ltd ペロブスカイト構造を有する金属酸化物膜の製造方法、及び薄膜コンデンサの製造方法
TW466636B (en) * 1998-01-20 2001-12-01 Allied Signal Inc Nanoporous silica dielectric films modified by electron beam exposure and having low dielectric constant and low water content
JP2000306271A (ja) * 1999-04-22 2000-11-02 Sony Corp 光学記録媒体およびその製造方法
JP2001160548A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Nec Corp 半導体装置製造方法および半導体装置製造システム
US6692903B2 (en) * 2000-12-13 2004-02-17 Applied Materials, Inc Substrate cleaning apparatus and method
US6303524B1 (en) * 2001-02-20 2001-10-16 Mattson Thermal Products Inc. High temperature short time curing of low dielectric constant materials using rapid thermal processing techniques
US6649921B1 (en) * 2002-08-19 2003-11-18 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation
TW200522141A (en) * 2003-10-10 2005-07-01 Tokyo Electron Ltd Method and system for treating a dielectric film
TW200522809A (en) * 2003-12-19 2005-07-01 Ind Tech Res Inst Structure and fabricating method of a high-dielectric film formed on an organic substrate
US7282458B2 (en) * 2004-01-16 2007-10-16 International Business Machines Corporation Low K and ultra low K SiCOH dielectric films and methods to form the same
US7223670B2 (en) * 2004-08-20 2007-05-29 International Business Machines Corporation DUV laser annealing and stabilization of SiCOH films
US7166963B2 (en) * 2004-09-10 2007-01-23 Axcelis Technologies, Inc. Electrodeless lamp for emitting ultraviolet and/or vacuum ultraviolet radiation
TW200631096A (en) * 2005-02-18 2006-09-01 Tokyo Electron Ltd Method and system for treating a dielectric film
JP2007019486A (ja) * 2005-06-07 2007-01-25 Samsung Electronics Co Ltd スピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法
TW200721310A (en) * 2005-09-30 2007-06-01 Tokyo Electron Ltd Treatment of low dielectric constant films using a batch processing system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130014554A (ko) 2013-02-07
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US20110233430A1 (en) 2011-09-29
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US20090226695A1 (en) Method for treating a dielectric film with infrared radiation
US20090226694A1 (en) POROUS SiCOH-CONTAINING DIELECTRIC FILM AND A METHOD OF PREPARING

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