JP2007019486A - スピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法 - Google Patents

スピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】接着特性が優秀な低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】構造式1を有する3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物。そして、前記多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記スピンオンガラス組成物を基板上に塗布してスピンオンガラス薄膜を形成した後、前記薄膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する。したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。

【選択図】図1

Description

本発明は、半導体製造工程の層間絶縁膜を製造するためのスピンオンガラス(Spin On Glass;SOG)組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法に関わり、より具体的には、本発明は、シルセスキオキサンオリゴマー(Silsesquioxane Oligomar)を含むスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いて半導体装置の多孔性シリコン酸化膜を製造する方法に関する。
近年、急速に成長する情報化社会において、多様な技術の発展と共に大量の情報をより早く処理するために半導体装置は高集積化している。したがって、LSI半導体装置、超高速SRAM装置、及びフラッシュメモリ装置などは、さらに多くの導電性パターンを半導体基板上に形成するために前記導電性パターンの間隔及び幅は益々狭くなる傾向にある。
前記半導体装置を製造する工程で形成されるパターンは、半導体基板に形成されるワードライン、ビットライン、及び各種金属配線などである。したがって、導電性パターン間の距離が減少し、導電性パターン間の寄生容量が増加すると、寄生容量の遅延(RC delay)及び/または相互信号妨害(cross−talk)が、半導体素子の演算中に発生する。前記寄生容量は、金属配線と金属配線との間隔が非常に近くなり、前記金属配線の配列がキャパシタと同様の構造を有することによって主として発生する。
したがって、前記寄生容量を減少させるためには、前記金属配線間に形成される層間絶縁膜を、低誘電率を有する絶縁物質として形成しなければならない。前記低誘電率を有する絶縁物質、即ち、低誘電膜は化学気相蒸着(Chemical vapor deposition、以下、「CVD」と称することがある)方法及びスピンオン方法で形成することができる。
前記スピンオン方法で形成される低誘電膜としては、例えば、水素シルセスキオキサン(HSQ)膜及びメチルシルセスキオキサン(MSQ)膜などを挙げることができる。しかし、前記水素シルセスキオキサン膜またはメチルシルセスキオサン膜は、誘電率がせいぜい3.0であり、高速動作が要求される半導体素子の金属配線間に発生する寄生容量を減少させるには限界を有している。したがって、最近では誘電率が2.5以下の多孔性低誘電膜が開発され、半導体素子の製造工程に適用されている。
前記多孔性低誘電膜の製造方法は、特許文献1、特許文献2、及び特許文献3に開示されている。
前記特許文献に開示された多孔性低誘電膜は、導電性配線の間に発生する寄生容量を減少させるために膜内に熱分解性物質を導入し、熱処理工程において、膜内から熱分解性物質を除去することで膜内に誘電率1.0である複数の気孔を形成することにより得られる。よって、当該多孔性低誘電膜の全体での誘電率は非常に低くなり、結果として、導電性パターン間の寄生容量はかなり減少する。
前記多孔性低誘電膜としては、例えば、水素シルセスキオキサン膜、メチルシルセスキオキサン膜などに気孔が導入された形態である多孔性水素シルセスオキサン(P−HSQ)膜、多孔性メチルシルセスキオキサン(P−MSQ)膜などを挙げることができる。
しかし、前記水素シルセスキオキサン膜の場合、フォトレジストパターンを除去するストリップ工程時、アミン系有機溶液によって水素シルセスキオキサン膜内のSi−H結合がSi−OH結合に容易に置換される。Si−OH結合を有する前記水素シルセスキオキサン膜は容易に吸湿するため、誘電率が増加し、さらには、エッチング工程において、過剰エッチングされるという問題点を有する。また、前記メチルシルセスキオキサン膜のSi−CH結合は、酸素プラズマを用いるアッシング(Ashing)工程時、前記水素シルセスキオキサン膜のSi−H結合よりさらに切れやすい性質を有するので、メチルシルセスキオキサン膜は、後続工程において、より容易に過剰エッチングされるかまたは変形され、上部膜との接着特性が弱化するという問題点を有する。
特に、多孔性水素シルセスキオキサン(P−HSQ)膜及び多孔性メチルシルセスキオキサン(P−MSQ)膜は、複数の気孔を含んでいるので、水素シルセスキオキサン膜または多孔性メチルシルセスキオキサン膜に比して後続工程による影響がさらに深刻に表れ、下部及び上部酸化膜との接着特性が低下するといる問題点を有する。
韓国特許出願2005−5004号公開公報 特開2004−311532号公報 米国特許出願第6,780,499号公開公報
したがって、本発明の目的は、接着特性が優秀であり、過剰エッチングが発生しない多孔性低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、シルセスキオキサンオリゴマーを含むスピンオンガラス組成物の製造方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、前記スピンオンガラス組成物を用いて、接着特性が優秀であり、後続工程で過剰エッチングが発生しない、半導体装置における多孔性シリコン酸化膜の製造方法を提供することにある。
前述した本発明の目的を達成するための一実施例によるスピンオンガラス組成物は、構造式1を有する、3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含む:
前記構造式1において、Y及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基であり、n及びmはそれぞれ独立的に1〜9の整数である。
前述した本発明の他の目的を達成するための一実施例によるスピンオンガラス組成物は、前記構造式1を有する、シルセスキオキサンオリゴマーを形成した後、前記シルセスキオキサンオリゴマー3〜20質量%、気孔生成剤3〜20質量%、及び溶媒60〜94質量%を混合することにより製造される。
前述した本発明のまた他の目的を達成するための一実施例による多孔性シリコン酸化膜の製造方法は、まず基板上に、前記の構造式1を有する、3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物を塗布してスピンオンガラス膜を形成した後、前記スピンオンガラス膜を硬化することにより製造される。
本発明の多様な実施例によると、前記シルセスキオキサンオリゴマーを含むスピンオンガラス組成物を用いることで実質的に下部膜及び上部膜に対する接着特性が優秀であり、低誘電率を有する多孔性シリコン酸化膜を形成することができる。また、フォトリソグラフィパターンを除去するためのアッシング工程及び/またはストリップ工程時、多孔性シリコン酸化膜の損傷及び変形を減少することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の望ましい一実施態様におけるスピンオンガラス組成物、その製造方法、及び前記スピンオンガラス組成物を用いた、半導体装置における絶縁膜である多孔性シリコン酸化膜を製造する方法をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の一実施態様によって何ら制限されるものではない。
スピンオンガラス組成物
本発明のスピンオンガラス組成物は、シルセスキオキサンオリゴマー、気孔生成剤、及び残余の溶媒を含む。より具体的には、スピンオンガラス組成物は、3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含む。
前記スピンオンガラス組成物は、半導体基板に形成された導電性パターン間の寄生容量が減少し、以後の熱処理工程時、上部膜及び下部膜との接着特性が優秀であり、2.5以下の低誘電率を有する多孔性シリコン酸化膜を形成するために適用される。以下、本発明のスピンオンガラス組成物を用いて製造された多孔性シリコン酸化膜を、アルキル水素シルセスキオキサン膜と称することがある。
前記アルキル水素シルセスキオキサン膜を製造するためのスピンオンガラス組成物に含まれるシルセスキオキサンオリゴマーは下記の構造式1を有する。
前記構造式1において、Y及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基であり、n及びmはそれぞれ独立的に1〜9の整数であり、n及びmの比は、1:0.4〜1:2.4である。また、前記Y及びYがそれぞれ独立的に表すアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などを挙げることができる。前記Rが表す低級アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等を挙げることができ、これらの中でも、メチル基であることが望ましい。
前記シルセスキオキサンオリゴマーは、下記の構造式2を有する第1単量体と下記の構造式3を有する第2単量体を所定の割合で縮合反応させることで製造することができる。
前記構造式2において、Y、Y、及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基である。前記Y、Y、及びYがそれぞれ独立的に表すアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などを挙げることができる。
前記構造式3において、Y、Y、及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基である。前記Y、Y、及びYがそれぞれ独立的に表すアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基などを挙げることができる。前記Rが表す低級アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などを挙げることができ、これらの中でも、メチル基であることが望ましい。
具体的に、前記シルセスキオキサンオリゴマーを形成するために適用される第1単量体は、水素シルセスキオキサンの単量体であり、前記第2単量体は、例えば、メチルシルセスキオキサン、エチルシルセスキオキサン、プロピルシルセスキオキサン、ブチルシルセスキオキサンなどのアルキルシルセスキオキサンの単量体である。
また、前記シルセスキオキサンオリゴマーは、前記第1単量体と前記第2単量体を、1:0.4〜1:2.4のモル比で、望ましくは1:0.6〜1:1.5で縮合反応させることにより製造することができる。特に、第2単量体の低級アルキル基がメチル基である場合、第1単量体と第2単量体のモル比は、1:1であることが望ましい。
前記シルセスキオキサンオリゴマーを製造するための前記第1単量体と前記第2単量体のモル比が1:0.4未満である場合、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜の誘電率が増加し、上部膜との接着特性が低下するという問題点を有する。一方、前記シルセスキオキサンオリゴマーを形成するための第1単量体と第2単量体のモル比が1:2.4を超過する場合、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜の誘電率は減少するものの、エッチング耐性が低下し、アミン系エッチング溶液によって過剰エッチングされるという問題点を有する。
前記シルセスキオキサンオリゴマーは、Si−H結合のみを含む従来の水素シルセスキオキサン(HSQ)膜の問題点と、Si−CH結合のみを含む従来のメチルシルセスキオキサン(MSQ)膜の問題点を補完しうるアルキル水素シルセスキオキサン膜を形成するために適用される。
具体的に、前記水素シルセスキオキサン(HSQ)膜は、吸水性が高くエッチング工程時、アミン系エッチング溶液によって過剰エッチングされるという問題点を有している。また、前記メチルシルセスキオキサン(MSQ)膜のSi−CH結合は、酸素アッシング工程時、水素シルセスキオキサンのSi−H結合に比して切断されやすいという特性を有している。したがって、水素シルセスキオキサン及びメチルシルセスキオキサンは、後続工程時、膜の損傷及び変形が生じて上部膜との接着特性がよくないという問題点を有する。
反面、前記シルセスキオキサンオリゴマーを含むスピンオンガラス組成物を用いて製造されたアルキル水素シルセスキオキサン膜は、エッチング工程及び/または洗浄工程時、アミン系エッチング溶液により過剰エッチングされない。また、アッシング工程時、膜の損傷及び変形が抑制されるので、アルキル水素シルセスキオキサン膜と、上部膜及び/または下部膜との接着特性に優れる。
本発明のスピンオンガラス組成物におけるシルセスキオキサンオリゴマーの含有量は、3〜20質量%の範囲内であり、望ましくは、4〜12質量%の範囲内であり、より望ましくは4〜10質量%の範囲内である。前記スピンオンガラス組成物に含まれるシルセスキオキサンオリゴマーが3質量%未満であれば、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜の厚さの調節が困難となるという問題点を有する。反面、前記スピンオンガラス組成物に含まれるシルセスキオキサンオリゴマーが20質量%を超過すると、前記組成物に含まれているシルセスキオキサンオリゴマーが不安定になり、製造されるアルキル水素シルセスキオキサン膜にクラックが発生するという問題点を有する。
前記スピンオンガラス組成物に使用する気孔生成剤としては、例えば、ポリアルキレングリコール、ポリエチレングリコールジメチルエーテルなどの熱分解性有機高分子などを挙げることができる。これらは単独でまたは二種以上を混合して用いることができる。ここで、前記ポリアルキレングリコールの例としては、例えば、ポリメチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどを挙げることができる。これらは、単独でまたは二種以上を混合して用いることができる。
前記気孔生成剤の分子量は、100〜2000であり、望ましくは150〜1000の範囲内であり、特に望ましくは200〜600の範囲内である。前記気孔生成剤の分子量が100未満である場合、前記スピンオンガラス組成物を用いて形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜に含まれる気孔の大きさが小さいので、誘電率が大きくなるという問題点を有する。一方、前記分子量が2000を超過する場合、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜に含まれる気孔の大きさが大きいため、エッチング工程、洗浄工程などの後続工程において、前記アルキル水素シルセスキオキシサン膜が過剰エッチングされるという問題を有する。また、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜の物理的特性が低下するという問題点を有する。
また、スピンオンガラス組成物に含まれる気孔生成剤の量は、3〜20質量%の範囲内であり、望ましくは、約4〜12質量%の範囲内であり、特に望ましくは、4〜10質量%の範囲内である。スピンオンガラス組成物に含まれる気孔生成剤の量が、3質量%未満である場合、形成される前記アルキル水素シルセスキオキサン膜に含まれる気孔の量が少なく、前記アルキル水素シルセスキオキサン膜の誘電率が大きくなるという問題点を有する。一方、前記スピンオンガラス組成物に含まれる気孔生成剤の量が、20質量%を超過する場合、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜に含まれる気孔の量が多すぎるため、後続工程で前記アルキル水素シルセスキオキサン膜が過剰エッチングされたり、損傷するという問題点を有する。
本発明のスピンオンガラス組成物に使用する溶媒としては、例えば、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、アミド系溶媒などを挙げることができる。これらは単独でまたは二種以上を混合して用いてもよい。特に、前記溶媒として、プロピレングリコールジメチルエーテルを用いるのが望ましい。
前記スピンオンガラス組成物に含まれる溶媒の量は、60〜94質量%の範囲内であり、望ましくは76〜94質量%の範囲内であり、より望ましくは80〜90質量%の範囲内である。前記スピンオンガラス組成物に含まれる溶媒の量が、60質量%未満であれば、前記組成物に含まれているシルセスキオキサンオリゴマーの重合が不安定になり、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜にクラックが発生するようになるという問題点を有する。一方、溶媒が94質量%を超過すると、形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜の厚さの調節を容易に行えなくなるという問題点を有する。
本発明のスピンオンガラス組成物は、シルセスキオキサンオリゴマー、気孔生成剤、及び溶媒に加え、さらに添加剤を含有していてもよく、かかる添加剤の含有量は、10〜300ppmの範囲内であり、望ましくは50〜200ppmの範囲である。添加剤の含有量が増加するほど形成されるアルキル水素シルセスキオキサン膜の誘電率は減少するものの、当該膜の安定性が低下する傾向にあり望ましくない。
前記添加剤としては、上部膜及び/または下部膜に対するアルキル水素シルセスキオキサン膜の接着特性を改善する観点から、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどを挙げることができる。これらは単独でまたは二種以上を混合して使用してもよい。
前述したスピンオンガラス組成物は、平坦でない表面を有する基板、例えば、導電性配線が形成された半導体基板上に、スピンコーティング方法によって塗布されることが望ましい。特に、スピンコーティング方法は、平坦なスピンオンガラス膜を形成するのに有用である。前記基板の表面が平坦でないことは導電性パターンに起因する可能性がある。特に、前記スピンオンガラス膜は、金属配線間に発生する寄生容量を減少させるための低誘電率を有する多孔性シリコン酸化膜を形成するために適用される。
本発明のスピンオンガラス組成物は、シルセスキオキサンオリゴマーを含むので、所望の誘電率を有する多孔性シリコン酸化膜を形成することができると同時に、実質的に下部膜及び上部膜に対して接着特性が優秀な多孔性シリコン酸化膜を製造することができる。また、アミン系エッチング溶液を用いたエッチング工程時、多孔性シリコン酸化膜のエッチング損傷が減少し、酸素アッシング工程で変形が生じない多孔性シリコン酸化膜を製造することができる。
スピンオンガラス組成物の製造方法
スピンオンガラス組成物は、前記シルセスキオキサンオリゴマーを製造した後、得ようとする組成物の総質量に対して、前記シルセスキオキサンオリゴマー3〜20質量%、気孔生成剤3〜20質量%、及び溶媒60〜94質量%、さらに必要に応じて添加剤を混合することにより製造することができる。
当該製造方法により、低誘電率を有する多孔性シリコン酸化膜を製造可能であると同時に、実質的に下部膜及び上部膜に対して接着特性が優秀な多孔性シリコン酸化膜を製造可能な、シルセスキオキサンオリゴマーを含むスピンオンガラス組成物を製造することができる。
多孔性シリコン酸化膜の形成方法
図1は、本発明の一実施態様における、スピンオンガラス組成物を用いて多孔性シリコン酸化膜を製造する方法を示すフローチャートである。
図1に示すとおり、S110工程で、基板上に、シルセスキオキサンオリゴマー、気孔生成剤、及び溶媒、さらに必要に応じて添加剤を含むスピンオンガラス組成物を塗布してスピンオンガラス膜を形成した後、S120、S130、及びS140工程において、前記スピンオンガラス膜を硬化することで多孔性酸化膜を製造することができる。
前記基板は、導電性パターンが形成された半導体基板などの平坦でない表面を含んでいてもよい。前記導電性パターンとしては、例えば、ゲート電極、ビットライン電極、パッド、金属配線などを挙げることができる。前記スピンオンガラス膜は、基板上に形成された導電性パターンを絶縁するための低誘電率を有する層間絶縁膜(多孔性シリコン酸化膜)を形成するために用いることができる。
その後、前記S120、S130、及びS140工程において、前記スピンオンガラス膜を硬化させて多孔性シリコン酸化膜に転換する。
前記多孔性シリコン酸化膜は、多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜である。前記多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜は、2.5以下の誘電率を有し、Si−H結合及びSi−R結合(Rは低級アルキル基である)のモル比が、1:0.4〜1:2.4の範囲内である。
以下、スピンオンガラス膜の硬化方法を詳細に説明する。
前記方法によって製造したスピンオンガラス膜は、熱処理により硬化され平坦な表面を有する多孔性シリコン酸化膜に転換される。前記硬化は二段階で構成される予備ベイキング工程(S120及びS130)と一段階で構成される主ベイキング工程(S140)により行う。
前記予備ベイキング工程(S120及びS130)は、前記スピンオンガラス膜に含まれる溶媒を除去し、前記スピンオンガラス膜中において、前記シルセスキオキサンオリゴマーを共重合させ、前記気孔生成剤を熱分解させるための工程であり、70〜350℃の範囲内の温度にて3〜15分間行う。特に、前記予備ベイキング工程は、前記スピンオンガラス膜が酸化されないように酸素を含まない工程ガスの雰囲気下で行う。具体的には、前記予備ベイキング工程は、窒素、アルゴンなどの不活性ガスの雰囲気下で第1予備ベイキング工程(S120)及び第2予備ベイキング工程(S130)により行う。
前記第1予備ベイキング工程(S120)は、70〜150℃の範囲内の温度で、基板に、熱応力を付加することなく前記スピンオンガラス膜に含まれる溶媒の一部を除去するために行うものであり、前記第2予備ベイキング工程(S130)は、150〜350℃の範囲内の温度で、前記気孔生成剤を熱分解させると同時に、前記スピンオンガラス組成物を、多孔性シリコン酸化物に部分的に転換するために行う。
前記予備ベイキング工程(S120及びS130)を70℃未満の温度で行うと、前記スピンオンガラス膜からの溶媒の除去が容易でなく、一方、予備ベイキング工程を350℃を超える温度で行うと、後続の主ベイキング工程において、前記スピンオンガラス膜を多孔性シリコン酸化物に完全に転換することができず、また前記膜表面において前記シルセスキオキサンオリゴマーが多孔性シリコン酸化物に急速に転換されてクラックが発生するようになり望ましくない。
前記主ベイキング工程(S140)は、シルセスキオキサンオリゴマーを共重合体して多孔性シリコン酸化物に転換させると同時に、転換された多孔性シリコン酸化物の組織を緻密にする工程であり、前記予備ベイキング工程に比べて高温にて長時間行う。具体的には、前記主ベイキング工程(S140)は、350〜550℃の範囲内の温度にて行う。
前記主ベイキング工程(S140)の温度が350℃未満である場合、スピンオンガラス膜の硬化が不十分であり、前記スピンオンガラス膜を多孔性シリコン酸化物に完全に転換することができず、前記多孔性シリコン酸化物の組織が緻密にならないという問題点を有する。これらはいずれも、多孔性シリコン酸化膜の特性低下を示すため望ましくない。一方、主ベイキング工程の温度が550℃より高い場合には、得られる多孔性シリコン酸化膜にクラックが発生するだけでなく、基板に形成された導電性パターンの劣化を招く。前記導電性パターンの劣化は、前記基板に対する多孔性シリコン酸化膜の接着特性の劣化を発生させるため望ましくない。
特に、前記主ベイキング工程(S140)が行われる半導体基板上に、複数の金属配線が形成されている場合、前記主ベイキング工程の温度は350℃〜550℃の範囲内であり、望ましくは400℃〜450℃の範囲内である。
前記主ベイキング工程時間は、10〜100分の範囲内であり、望ましくは20分〜60分間である。主ベイキング工程時間が10分より短い場合には、シルセスキオキサンオリゴマーの共重合が完全には行われないという問題点を有する。一方、主ベイキング工程時間が100分を超過する場合には、生成される多孔性シリコン酸化膜内の応力が増加し、クラックが発生する。
特に、主ベイキング工程(S140)は、多孔性シリコン酸化物の製造に適した雰囲気である不活性ガスの雰囲気下で行う。特に、窒素またはアルゴンの雰囲気下で行うことが望ましい。
前記スピンオンガラス組成物を用いて製造された多孔性シリコン酸化膜は、半導体装置の製造において、金属配線を絶縁させるかまたはビアを満たすために用いることができる。
半導体素子の製造方法
図2〜図10は、本発明のスピンオンガラス組成物を用いて半導体素子を製造する方法を示す断面図である。
図2は、半導体基板100上にゲート構造物130及びコンタクト領域135及び140を形成する工程を説明するための断面図である。
図2に示すとおり、シャロウトレンチ素子分離(STI)工程などの分離工程により、半導体基板100上に素子分離膜105を形成して半導体基板100をアクティブ領域及びフィールド領域に区分する。その後、酸化物を用いて、半導体基板100上に酸化膜であるゲート絶縁膜を形成する。その後、前記ゲート絶縁膜上に第1導電膜(図示せず)及びゲートマスク120を順次形成する。前記第1導電膜は、不純物でドープされたポリシリコンを用いて形成され、ドープされたポリシリコン膜上に、ドープされたポリシリコン膜及び金属ケイ素化合物膜を有する積層構造を有する。その後、前記第1導電膜をパターニングして、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極115が形成する。
その後、前記ゲートマスク120をエッチングマスクとして用いて前記第1導電膜及び前記ゲート絶縁膜を順次パターニングする。これによって、半導体基板100上には、それぞれゲート絶縁膜パターン110、ゲート電極115、及びゲートマスク120を含むゲート構造物130が形成される。その後、ゲート構造物130の両側面にゲートスペーサ125を形成する。こうして、半導体基板100上には、並行に配置された複数のワードラインが形成される。
その後、ゲート構造物130をイオン注入マスクとして用いて、ゲート構造物130の間に露出した半導体基板100の表面下に不純物を注入する。この後、熱処理工程を行い、半導体基板100に、ソース/ドレイン領域に該当する第1コンタクト領域135及び第2コンタクト領域140を形成する。前記第1コンタクト領域135及び第2コンタクト領域140は、キャパシタコンタクト領域及びビットラインコンタクト領域にも相当する。
図3は、ゲート構造物130及びコンタクト領域が形成された半導体基板100上に、第1パッド150、第2パッド155、及び第1層間絶縁膜145を形成する方法を示す断面図である。
図3に示すとおり、半導体基板100上に第1層間絶縁膜145を形成する。その後、前記ゲート構造物130の上面が露出するまで化学機械研磨(CMP)工程またはエッチバック工程を行うことで平坦化した上面を有する第1層間絶縁膜145を形成する。その後、前記平坦化された第1層間絶縁膜145上に第1フォトレジストパターン(図示せず)を形成した後、エッチングマスクとして前記第1フォトレジストパターンを用いて、第1層間絶縁膜145を選択的に異方性エッチングすることにより、前記第1層間絶縁膜内に前記半導体基板の第1コンタクト領域135及び第2コンタクト領域140をそれぞれ露出させる第1コンタクトホール(図示せず)が形成される。
ここで、前記第1ゲートマスク125は、前記第1層間絶縁膜145に対して高いエッチング選択性を有する。このため、前記第1コンタクトホールは、ゲート構造物130に対して自己整列(self−alignment)方式で形成される。前記第1コンタクトホールのうち、一部はキャパシタコンタクト領域に相当する第1コンタクト領域135を露出させ、前記第1コンタクトホールのうち、他の部分はビットラインコンタクト領域に相当する第2コンタクト領域140を露出させる。
この後、前記第1フォトレジストパターンをアッシング及び/またはストリップ工程によって除去する。次いで、第1コンタクト領域135及び第2コンタクト領域140を露出させる前記第1コンタクトホールを満たすように第1層間絶縁膜145上に第2導電膜を形成する。前記第2導電膜は、高濃度の不純物でドープされたポリシリコンやタングステン、アルミニウム、銅などのような金属を用いて形成される。
その後、第1層間絶縁膜145の上面が露出するまで化学機械研磨工程もしくはエッチバック工程またはこれらの組み合わせにより、前記第1コンタクトホール内に形成される自己整列コンタクト(SAC)パッドである第1パッド150及び第2パッド155が形成される。第1パッド150は、キャパシタコンタクト領域に相当する第1コンタクト領域135上に形成され、第2パッド155は、ビットラインコンタクト領域に相当する第2コンタクト領域140上に形成される。
図4は、半導体基板上に第2層間絶縁膜及び第3層間絶縁膜と、第3パッド及び第4パッドを形成する方法を示す断面図である。
図4に示すとおり、第1パッド150、第2パッド155、及び第1層間絶縁膜145上に第2層間絶縁膜160を形成する。第2層間絶縁膜160は、ビットライン(図示せず)と第1パッド150を電気的に絶縁させる機能を果たす。その後、第2層間絶縁膜160上に第2フォトレジストパターン(図示せず)を形成した後、前記第2フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて第2層間絶縁膜160を選択的にエッチングすることで、第2層間絶縁膜160に第2パッド155を露出させる第2コンタクトホール(図示せず)を形成する。前記第2コンタクトホール内には、ビットラインと第2パッド155を互いに連結するための第3パッド(図示せず)が形成される。
第2フォトレジストパターンをアッシング工程及び/またはストリップ工程により除去した後、前記第2コンタクトホールを満たすよう第2層間絶縁膜160上に、タングステンなどの金属膜を用いて第3導電膜(図示せず)を形成し、前記第3導電膜上にビットラインマスク(図示せず)を形成する。
その後、エッチングマスクとしてビットラインマスクを用いて、第3導電膜をパターニングして、前記第2コンタクトホールを満たし、かつビットライン電極(図示せず)に相当する前記第3パッドを形成する。結果として、第2層間絶縁膜160及び第2パッド155上に、第3パッド及びビットラインマスクを含む前記ビットラインが形成される。
第2層間絶縁膜160及び前記ビットライン上に窒化膜を形成した後、これを異方性エッチングして各ビットラインの両側面にビットラインスペーサ(図示せず)を形成する。前記ビットラインスペーサは、後続して第4パッド170を形成する間、前記ビットラインを保護する役割を果たす。
その後、前記ビットラインスペーサが形成されたビットラインを覆うように、第2層間絶縁膜160上に第3層間絶縁膜165を形成する。次いで、前記ビットラインの上面が露出されるまで化学機械研磨工程を行って平坦化した上面を有する第3層間絶縁膜165を形成する。第3層間絶縁膜165上に第3フォトレジストパターン(図示せず)を形成した後、エッチングマスクとして前記第3フォトレジストパターンを用いて、第3層間絶縁膜165及び第2層間絶縁膜160を選択的に異方性エッチングすることにより、第1パッド150を露出させる第3コンタクトホール(図示せず)を形成する。ここで、前記第3コンタクトホールは、前記ビットラインスペーサを具備する前記ビットラインに対して自己整列方式で形成される。
その後、前記第3コンタクトホールを満たすように第3層間絶縁膜165上に第4導電膜を形成する。その後、第3層間絶縁膜165及び前記ビットラインの上面が露出されるまで前記第4導電膜を化学機械研磨する。その結果、前記第3コンタクトホール内には、第4パッド170が形成される。第1コンタクト領域135上に形成された第1パッド150に接触される第4パッド170は、不純物でドープされたポリシリコンまたは金属からなる。第4パッド170は、第1パッド150と後続して形成される下部電極を電気的に互いに連結させる。
図5は、前記第3層間絶縁膜165及び前記第4パッド170上に、エッチング防止膜175及び開口215を含むモールド膜210を形成する工程を説明するための断面図である。
図5に示すとおり、第4パッド170、第3層間絶縁膜165、及び前記ビットライン上にエッチング防止膜175を形成する。例えば、前記エッチング防止膜175は、後で前記モールド膜210に開口215を形成するために前記モールド膜210を選択的にエッチングする工程を行う際、前記第4パッド170のエッチング損傷を防止する役割を果たす。前記エッチング防止膜175は、1〜30nm(10〜300Å)程度の厚さに形成され、前記モールド膜210に対してエッチング率が低い窒化物や金属酸化物などで構成される。
その後、前記エッチング防止膜175上に酸化物を蒸着してモールド膜210を形成する。次いで、前記モールド膜210に対するエッチング選択性を有する物質からなるマスクパターン(図示せず)を前記モールド膜210上に形成する。その後、エッチングマスクとしてマスクパターンを用いて、モールド膜210を選択的に異方性エッチングしてモールド膜210に前記エッチング防止膜175の表面を露出させる開口215を形成する。その後、前記開口215に露出したエッチング防止膜175を選択的に除去するエッチング工程を行い、第4コンタクト170を露出させる。
図6は、前記開口215における下部電極220を形成する工程を説明するための断面図である。
図6に示すとおり、前記開口215に露出されたモールド膜210の側面、第4コンタクト170の上面、及びマスクパターンの上面に、下部電極膜(図示せず)を連続的に形成する。前記下部電極膜は、例えば、金属を含む導電性物質であるチタン窒化物、不純物でドープされたポリシリコンなどを蒸着することにより形成することができる。特に、前記下部電極膜は、30〜50nm(300〜500Å)の厚さに形成することができる。
その後、前記下部電極膜上に開口215を満たすように犠牲膜を形成することができる。前記犠牲膜は、例えば、酸化物またはフォトレジストを塗布して形成することができる。その後、化学機械研磨工程もしくはエッチバック工程またはこれらの組み合わせにより、前記モールド膜210の上面が露出するまでエッチングすることで開口215内に下部電極220を形成する。
これと同時に、前記下部電極220が形成された開口215内に犠牲用フォトレジストパターン230が形成される。前記犠牲用フォトレジストパターン230は、下部電極220を形成するための下部電極膜のノード分離工程及び後続のモールド膜210のエッチング工程時、前記下部電極220の損傷を防止する役割を果たす。
図7は、前記モールド膜210及び前記犠牲用フォトレジストパターン230を除去する工程を説明するための断面図である。
図7に示すとおり、前記モールド膜210及び前記犠牲フォトレジストパターン230を順次除去することで前記第4パッド170と電気的に連結される下部電極220が形成される。前記下部電極220は、側壁と底面を有するシリンダー形状を有する。
図8は、前記下部電極220上に、高誘電膜240及び上部電極250を形成する工程を説明するための断面図である。
図8に示すとおり、原子層蒸着(ALD)工程または化学気相蒸着(CVD)工程を行い、前記下部電極220上に高誘電膜240を形成する。前記高誘電膜240の形成は、特に、前記原子層蒸着工程により行い、アルミニウム酸化物を含有するアルミニウム酸化物またはハフニウム酸化物などの高誘電率を有する物質を用いるのが望ましい。その後、前記高誘電膜240上に上部電極250を形成する。前記上部電極250は、前記下部電極220と同様にドープされたポリシリコン、金属、または窒化チタン(TiN)などの金属窒化物で形成することができる。また、前記上部電極250も化学気相蒸着工程を行って形成するこができる。これによって、下部電極220、高誘電膜240、及び上部電極250で構成されるキャパシタが、前記第4パッド170及び前記第3層間絶縁膜165上に形成される。
図9は、下部構造物上に第4金属層間絶縁膜255、第5金属層間絶縁膜265、及び第1金属配線260を形成する工程を説明するための断面図である。
図9に示すとおり、前記半導体基板100上に形成された下部構造物上に第4金属層間絶縁膜255が形成する。前記下部構造物は、ゲート構造物130、第1〜第4パッド、ビットライン及びキャパシタなどを含む。第4層間絶縁膜255は酸化物を用いて形成される。第1金属配線260は第4層間絶縁膜255上に形成される。第1金属配線260は、アルミニウム、タングステン、銅などの金属を用いて形成され、例えば、アルミニウムを蒸着させることなどによりアルミニウム膜を形成した後、フォトレジストパターンを用いるエッチング工程を行ってアルミニウム金属配線を形成することができる。
その後、前記第1金属配線260が形成された第4金属層間絶縁膜255上に前記第1金属配線260の間の空間を満たすように第1金属配線260を覆う第5層間絶縁膜265を形成する。図面に示していないが、第5金属層間絶縁膜265の形成前に、第5金属層間絶縁膜265の埋没特性及び接着特性を向上させるために化学気相蒸着工程を行い別途の酸化薄膜(図示せず)をさらに形成することができる。
第5金属層間絶縁膜265は、本発明のスピンオンガラス組成物を用いて形成される低誘電膜であって、第2金属配線を絶縁させる機能を果たす、アルキル水素シルセスキオキサン膜であってもよい。当該膜としては、例えば、Si−H結合とSi−R結合を1:0.8〜1:1.2のモル比でそれぞれ含み、誘電率が2.5以下である多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜を用いることができる。
前記多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜を形成するためには、まず前記構造式1を有する、3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒、さらに必要に応じて添加物を含む組成物を準備する。その後、前記組成物を前記第1金属配線260が形成された第4層間絶縁膜255上にスピンコーティングしてスピンオンガラス膜を形成する。ここで、前記スピンオンガラス膜は、前記第1金属配線260を完全に覆うように形成される。
その後、形成されたスピンオンガラス膜を80〜150℃(例えば、100℃)の温度にて第1予備ベイキングを6分間行い、150〜350℃(例えば、300℃)の温度にて第2予備ベイキングを3分間行う。その後、350〜550℃(例えば、400℃)の温度にて主ベイキングを35分間行う。ここで、予備ベイキング工程は、酸素を含まない雰囲気下にて行い、前記主ベイキング工程は、酸素雰囲気下、水蒸気雰囲気下、窒素雰囲気下、及び酸素、水蒸気、窒素を組み合わせて得られる混合ガスのいずれか一つの雰囲気下、並びに窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下において行うことができるが、これらの中でも、不活性ガス雰囲気下で行うのが望ましい。
前述した硬化工程を通じて、前記スピンオンガラス膜は、Si−H結合とSi−R結合(例えば、Si−CH結合)を1:0.8〜1:1.2のモル比で含む多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜に転換される。前記の方法で形成された金属層間絶縁膜である多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜は、下部金属配線と接着特性が優秀であるだけでなく、後のコンタクトホールを形成する工程時、過剰エッチングを受けない。その後、図面には示していないが、前記第5金属層間絶縁膜265の上部を平坦化させる工程を行った後、化学気相蒸着工程を行って前記第5層間絶縁膜265上に酸化薄膜(図示せず)をさらに形成することができる。
図10は、第5金属層間絶縁膜265上に、第2金属配線270及び第6金属層間絶縁膜275を形成する工程を説明するための断面図である。
図10に示すとおり、前記第5金属層間絶縁膜265上に第2金属配線270を形成する。前記第2金属配線270は、アルミニウム、タングステン、銅などの金属を用いて形成されていてもよく、例えば、アルミニウムを用いて形成される。前記第1金属配線260と前記第2金属配線270との間には、誘電率2.5以下を有する第5金属層間絶縁膜265(多孔性アルキル水素シルセスキオキサン膜)が形成されているので、前記第1金属配線260の間の寄生容量だけでなく、前記第1金属配線260と第2金属配線270との寄生容量も効果的に減少させることができる。前記第5層間絶縁膜265上に、第2金属配線260を覆うように前記第6層間絶縁膜275が形成される。前記第6層間絶縁膜275は、前記第5層間絶縁膜265の場合と同様の工程により、本発明のスピンオンガラス組成物を用いて形成されていてもよい。
その後、通常の半導体製造工程を経て半導体素子を製造した。LSI半導体素子、超高速SRAM素子、及びフラッシュメモリ素子などの半導体素子もまた、本発明のスピンオンガラス組成物を用いて製造される。当業者は、本発明によるスピンオンガラス組成物及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の製造方法を用いて多様な実施例を通じて半導体素子を製造することができるだろう。
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例等により何ら制限されるものではない。
<実施例A> スピンオンガラス組成物の調製
<実施例1>
前記構造式1を有する、6質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、6質量%の気孔生成剤、100ppmの添加剤、及び残余の溶媒を混合することにより、スピンオンガラス組成物を調製した。前記構造式1において、Rはメチル基であり、nとmの比は1:1である。前記シルセスキオキサンオリゴマーは、トリエトキシシランとトリエトキシメチルシランを1:1のモル比で縮合反応させることにより調製した。前記気孔生成剤としては、ポリアルキレングリコールを用い、前記添加剤としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用い、前記溶媒としては、プロピレングリコールジメチルエーテルを用いた。
<実施例2>
実施例1に記載の方法において、シルセスキオキサンオリゴマーの含量を3質量%に変更した以外は実施例1と同様にして、スピンオンガラス組成物を調製した。
<実施例3>
実施例1に記載の方法において、シルセスキオキサンオリゴマーの含量を10質量%に変更した以外は実施例1と同様にして、スピンオンガラス組成物を調製した。
<実施例4>
実施例1に記載の方法において、シルセスキオキサンオリゴマーの含量を20質量%に変更した以外は実施例1と同様にして、スピンオンガラス組成物を調製した。
<比較例1>
6質量%のトリエトキシシラン、6質量%の気孔生成剤、100ppmの添加剤、及び残余の溶媒を混合することにより、スピンオンガラス組成物を調製した。前記気孔生成剤としては、ポリアルキレングリコールを用いた。
<比較例2>
6質量%のトリエトキシメチルシラン、6質量%の気孔生成剤、100ppmの添加剤、及び残余の溶媒を混合することにより、スピンオンガラス組成物を調製した。前記気孔生成剤としては、ポリアルキレングリコールを用いた。
<実施例B> シルセスキオキサンオリゴマーの含量による厚さの変化
図11は、スピンオンガラス組成物中のシルセスキオキサンオリゴマーの含量変化によって形成される多孔性シリコン酸化膜の厚さの変化を示すグラフである。
スピンオンガラス組成物中の前記シルセスキオキサンオリゴマーの含量の変化による多孔性シリコン酸化膜の厚さの変化を測定するために、実施例2〜4で調製した各スピンオンガラス組成物を、ベアウエハ上に2000rpmでスピンコーティングしてスピンオンガラス膜をそれぞれ形成した。
図11に示すとおり、シルセスキオキサンオリゴマーを3質量%含むスピンオンガラス組成物を基板上にスピンコーティングした場合、150nm(1500Å)以下の厚さを有するスピンオンガラス膜が形成され、シルセスキオキサンオリゴマーを10質量%含むスピンオンガラス組成物を基板上にスピンコーティングした場合、450nm(4500Å)の厚さを有するスピンオンガラス膜が形成された。また、シルセスキオキサンオリゴマーを20質量%含むスピンオンガラス組成物を、基板上にスピンコーティングした場合の1000nm(10000Å)の厚さを有するスピンオンガラス膜が形成された。
したがって、前記スピンオンガラス組成物において、シルセスキオキサンオリゴマーの濃度が3質量%以下である場合、150nm(1500Å)以下の厚さを有する多孔性シリコン酸化膜が形成されるので、デバイスの適用時、寄生容量の減少によるデバイス速度の向上効果を期待することができない。また、シルセスキオキサンオリゴマーの濃度が20質量%を超過する場合、1000nm(10000Å)以上の厚さを有する多孔性シリコン酸化膜が形成されるので、膜質クラックが誘発される可能性がある。
<実施例C> 熱処理温度による炭化水素ガスの生成度評価
図12は、スピンオンガラス膜の熱処理温度による炭化水素ガスの生成を示すグラフである。
多孔性シリコン酸化膜を形成するためのスピンオンガラス膜の熱処理温度による炭化水素ガスの生成度を評価するために、実施例1で調製したスピンオンガラス組成物を用いて基板上に形成されたスピンオンガラス膜を、70℃〜150℃にて1次予備ベイキングし、150℃〜350℃にて2次ベイキングして多孔性シリコン酸化膜を形成した。これと共に前記第1予備ベイキング及び第2予ベイキングの工程時、溶媒及び気孔形成剤が熱分解されて生じる炭化水素ガスの生成度を、20℃〜400℃の温度範囲において、質量分析計により測定した。前記質量分析は、大気圧イオン化質量分析計(APIMS)を用いて行なった。
図12に示すとおり、炭化水素ガスの生成度は、約80℃と約250℃において増加した。前記約80℃部分で生成する炭化水素ガスは、スピンオンガラス膜に含まれる溶媒が揮発して生じたものであり、約250℃の部分で生成する炭化水素ガスは、気孔形成剤の熱分解により生じたものであることがわかった。
<実施例D> 第2予備ベイキング工程の温度変化による誘電率変化の評価
図13は、第2予備ベイキング工程の温度変化による多孔性シリコン酸化膜の誘電率の変化を示すグラフである。
実施例1で調製したスピンオンガラス組成物を用いて得られたスピンオンガラス膜に、前記第2予備ベイキング温度を200℃から350℃まで変化させながら熱処理工程をそれぞれ行った。この後、さらに400℃にて30分間主ベイキングを行い、多孔性シリコン酸化膜を形成した後、前記多孔性シリコン酸化膜の誘電率を測定した。その結果を図13に示した。
図13に示すとおり、前記スピンオンガラス膜の第2予備ベイキング工程の温度が250℃未満である場合、誘電率が2.3以上である多孔性シリコン酸化膜が形成され、一方、第2予備ベイキング工程の温度が250℃以上である場合、誘電率が2.2である多孔性シリコン酸化膜が形成されることがわかった。
<実施例E> 多孔性シリコン酸化膜のエッチング量の評価
以下の第1、第2、及び第3多孔性シリコン酸化膜のそれぞれにつきエッチング量を評価した。前記第1多孔性シリコン酸化膜は、実施例1において調製したスピンオンガラス組成物を用いて形成した多孔性メチル水素シルセスキオキサン(P−MHSQ)膜に相当し、前記第2多孔性シリコン酸化膜は、従来の多孔性水素シルセスキオキサン(P−HSQ)膜に相当し、第3多孔性シリコン酸化膜は、従来の多孔性メチルシルセスキオキサン(P−MSQ)膜に相当する。
前記第1多孔性シリコン酸化膜を形成するために、実施例1で調製した第1スピンオンガラス組成物をベアウエハ上に塗布して第1スピンオンガラス膜を形成した。前記第1スピンオンガラス膜が形成された基板を80〜150℃の温度にて6分間、第1予備ベイキングし、300℃の温度にて3分間、第2予備ベイキングをした後、400℃の温度にて30分間、主ベイキングを行った。ここで、第1及び第2予備ベイキング工程並びに主ベイキング工程は、窒素ガス雰囲気下にて実施した。前記ベイキング工程により、スピンオンガラス膜は、Si−H結合とSi−CH結合を1:1のモル比で含む多孔性メチル水素シルセスキオキサン膜に転換された。得られた多孔性メチル水素シルセスキオキサン(P−MHSQ)膜は、2.25の誘電率を有し、その厚さは500nm(5000Å)であった。
前記第2多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記比較例1で調製した第2スピンオンガラス組成物をベアウエハ上に塗布して第2スピンオンガラス膜を形成した。前記第2スピンオンガラス膜が形成された基板を100〜300℃の温度にて10分間、予備ベイキングした後、400℃の温度にて30分間、主ベイキングを行った。ここで、予備ベイキング及び主ベイキングは、窒素、酸素、及び水蒸気の雰囲気下にて実施した。前記ベイキング工程により、スピンオンガラス膜は、多孔性水素シルセスキオキサン膜に転換された。得られた多孔性水素シルセスキオキサン(P−HSQ)膜は、2.5の誘電率を有し、その厚さは500nm(5000Å)であった。
前記第3多孔性シリコン酸化膜は、前記第2多孔性シリコン酸化膜の形成方法において、比較例1で調製したスピンオンガラス組成物に代えて、比較例2で調製したスピンオンガラス組成物を用いた以外は同様の方法により形成された、第3多孔性シリコン酸化膜である多孔性メチルシルセスキオキサン(P−MSQ)膜は、2.3の誘電率を有し、その厚さは500nm(5000Å)であった。
その後、前記第1、第2、及び第3多孔性シリコン酸化膜にアッシング工程及びストリップ工程をそれぞれを行い、前記第1、第2、及び第3多孔性シリコン酸化膜のエッチング量を測定した。この結果を図14に示す。前記アッシング工程は、280℃にて酸素プラズマを用いて2分間行った。前記ストリップ工程は、アミンを含む有機洗浄液(商品名;EKC245、DuPont Elctronic Technology社製、米国)を用いて20分間行った。
図14は、アッシング工程及びストリップ工程による多孔性シリコン酸化膜のエッチング量を示すグラフである。
図14に示すとおり、前記第2多孔性シリコン酸化膜は、酸素プラズマアッシング工程において第1及び第3多孔性シリコン酸化膜より著しく低いエッチング量を示す反面、前記有機洗浄液を用いたストリップ工程においては前記第1及び第3多孔性シリコン酸化膜より高いエッチング量を示した。したがって、前記第2多孔性シリコン酸化膜は、フォトレジストパターンを除去するためのストリップ工程において過剰エッチングされるという問題点を有する。
前記第3多孔性シリコン酸化膜は、前記有機洗浄液を用いたストリップ工程において、第1及び第2多孔性シリコン酸化膜より著しく低いエッチング量を示す反面、酸素プラズマアッシング工程において、第1及び第2多孔性シリコン酸化膜より顕著に高いエッチング量を示した。したがって、前記第3多孔性シリコン酸化膜は、フォトレジストパターンを除去するためのアッシング工程において過剰エッチングされるという問題点を有する。
これに対し、前記第1多孔性シリコン酸化膜は、酸素プラズマアッシング工程では、第3多孔性シリコン酸化膜より低いエッチング量を示し、前記有機洗浄液を用いたストリップ工程では、前記第2多孔性シリコン酸化膜より低いエッチング量を示すことがわかった。即ち、前記第1多孔性シリコン酸化膜は、第2多孔性シリコン酸化膜のアッシング耐性と第3多孔性シリコン酸化膜のストリップ工程の耐性の双方を具備していることがわかる。
したがって、本発明による第1多孔性シリコン酸化膜は、2.5以下の誘電率を有すると共に、フォトレジストパターンを除去するためのアッシング工程及びストリップ工程において過剰エッチングされないという特性を有する。
<実施例F> 多孔性シリコン酸化膜の吸光度の評価
前記エッチング量の評価に用いたものと同様にして得られた第1〜第3多孔性シリコン酸化膜をストリップ洗浄した後、それぞれの膜に対して吸光度の評価を行なった。その結果を図15に示す。前記吸光度の測定は、FT−IRを用いて行なった。
前記ストリップ工程は、アミンを含む有機洗浄液(商品名;EKC245、DuPont Elctronic Technology社製、米国)を用いて20分間行った。ここで、前記第1多孔性シリコン酸化膜(P−MHSQ)は、Si−O結合、Si−H結合、及びSi−CH結合を含み、前記第2多孔性シリコン酸化膜(P−HSQ)は、Si−O結合及びSi−H結合を含み、前記第3多孔性シリコン酸化膜(P−MSQ)は、Si−O結合及びSi−CH結合を含む。
図15は、ストリップ工程が行われた多孔性シリコン酸化膜の吸光度を示すFT−IRスペクトルである。前記FT−TRスペクトルは、波数(cm−1)による吸光度(a.u.)を示したグラフである。
図15に示すとおり、前記ストリップ工程が行われた第2多孔性シリコン酸化膜においては、Si−O結合、Si−OH結合、及びH−OH結合に対応するピークが観察され、前記ストリップ工程が行われた第1多孔性シリコン酸化膜においても、Si−O結合、Si−OH結合、及びH−OH結合に対応するピークが観察された。
即ち、前記第1及び第2多孔性シリコン酸化膜は、ストリップ工程後、2250cm−1付近のSi−H結合のピークが全てなくなり、3000〜3700cm−1付近のSi−OH及びH−OH結合のピークが生成されることがわかった。前記Si−OH及びH−OH結合のピークの生成は、前記有機洗浄液中のアミンが前記Si−OH結合を攻撃し、前記膜が水分を吸収したことを示す。
しかし、前記第1多孔性シリコン酸化膜は、Si−H結合を消失したものの、今なおSi−CH結合を有するため、前記ストリップ工程で、第2多孔性シリコン酸化膜に比してエッチング耐性に優れるという特性を有する。
<実施例G> 第1多孔性シリコン酸化膜の接着特性の評価
基板のセル領域と周辺回路領域に形成されたアルミニウム金属配線上に化学気相蒸着工程を行い、第1シリコン酸化膜を形成した。その後、前記金属配線を覆う第1多孔性シリコン酸化膜を形成した。その後、化学気相蒸着工程を行い、第2シリコン酸化膜を形成した。この結果を図16及び図17に示す。前記第1多孔性シリコン酸化膜としては、前記エッチング量評価に適用したものと同様にして得られた多孔性メチル水素シルセスキオキサン(P−MHSQ)膜を用いた。
図16は、基板のセル領域における第1多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真であり、図17は、基板の周辺回路領域における第1多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。
図16に示すとおり、第1多孔性シリコン酸化膜は、基板のセル領域のアルミニウム配線の側面及び上面に対して接着特性が高いことがわかる。即ち、前記セル領域のアルミニウム配線の側面及び上面に形成された第1多孔性シリコン酸化膜に対して接着特性が高いことがわかった。図17に示すとおり、第1多孔性シリコン酸化膜は、基板の周辺回路領域のアルミニウム配線の側面及び上面に対して接着特性が高いことがわかる。特に、前記周辺回路領域のアルミニウム配線の側面及び上面に形成された第2シリコン酸化膜との接着特性に優れることがわかった。
<実施例H> 第2多孔性シリコン酸化膜の接着特性の評価
基板のセル領域と周辺回路領域に形成されたアルミニウム配線上に化学気相蒸着工程を行い、第1シリコン酸化膜を形成した。その後、前記アルミニウム配線を覆う第2多孔性シリコン酸化膜を形成した。その後、化学気相蒸着工程を行って第2シリコン酸化膜を形成した。この結果を図18及び図19に示す。前記第2多孔性シリコン酸化膜としては、前記エッチング量評価に適用したものと同様にして得られた多孔性水素シルセスキオキサン(P−HSQ)膜を用いた。
図18は、基板のセル領域における第2多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真であり、図19は、基板の周辺回路領域における第2多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。
図18に示すとおり、前記第2多孔性シリコン酸化膜と基板のセル領域に形成されたアルミニウム配線の側面の間にヴォイド(V)が形成されている。図19に示すとおり、前記第2多孔性シリコン酸化膜と基板の周辺回路領域に形成されたアルミニウム配線の側面との間にヴォイド(V)が形成されている。したがって、前記第2多孔性シリコン酸化膜は、アルミニウム配線の側面に形成された第1シリコン酸化膜に対して接着特性が不良であることがわかる。
<実施例I> 第3多孔性シリコン酸化膜の接着特性の評価
基板のセル領域と周辺回路領域に形成されたアルミニウム配線上に化学気相蒸着工程を行い、第1シリコン酸化膜を形成した。その後、前記アルミニウム配線を覆う第3多孔性シリコン酸化膜を形成した。その後、化学気相蒸着工程を行い第2シリコン酸化膜を形成した。この結果を図20に示した。前記第3多孔性シリコン酸化膜としては、前記エッチング量の評価に適用したものと同様にして得られた多孔性メチルシルセスキオキサン(P−MSQ)膜を用いた。
図20は、基板の周辺回路領域における第3多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。
図20に示すとおり、第3多孔性シリコン酸化膜と基板の周辺回路領域に形成されたアルミニウム配線の側面及び上面との間に、ヴォイド(V)が形成されている。したがって、前記第3多孔性シリコン酸化膜は、アルミニウム配線の側面に形成された第1シリコン酸化膜に対して接着特性が不良であり、前記アルミニウム配線の上面に形成された第2シリコン酸化膜とも接着特性が不良であることがわかった。
本発明のスピンオンガラス組成物は、シルセスキオキサンオリゴマーを含んでいるため、所望の低誘電率を有する多孔性シリコン酸化膜を形成することができると同時に、実質的に下部膜及び上部膜に対して接着特性が優秀な多孔性シリコン酸化膜を形成することができる。
また、本発明の多孔性シリコン酸化膜は、Si−H結合及びS−R結合を1:0.8〜1:1.2のモル比で含んでいるので、アミン系エッチング溶液を用いたエッチング工程時、エッチング損傷が減少し、酸素アッシング工程時の変形を受けない。
また、前記多孔性シリコン酸化膜は、第1及び第2予備ベイキング工程並びに主ベイキング工程を、酸素を含まない不活性ガス雰囲気下にて行うことにより、形成される膜質の急激な収縮が発生しないため、下部膜と上部膜との接着特性が優秀である。また、前記多孔性シリコン酸化膜は、平坦性及び熱安定性に優れた特性を有する。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
本発明の一実施態様によるスピンオンガラス組成物を用いて多孔性シリコン酸化膜を形成する方法を示すフローチャートである。 図1のスピンオンガラス組成物が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 図1の多孔性シリコン酸化膜が適用される半導体素子の製造方法を示す断面図である。 スピンオンガラス組成物中におけるシルセスキオキサンオリゴマーの濃度変化によって形成される多孔性シリコン酸化膜の厚さの変化を示すグラフである。 スピンオンガラス膜の熱処理温度による炭化水素ガスの生成を示すグラフである。 第2予備ベイキング温度変化による多孔性酸化膜の誘電率の変化を示すグラフである。 アッシング工程及びストリップ工程による多孔性シリコン酸化膜のエッチング量を示すグラフである。 ストリップ工程の後、多孔性シリコン酸化膜のFT−IR結果を示したグラフである。 基板のセル領域における第1多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。 基板の周辺回路領域における第1多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。 基板のセル領域における第2多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。 基板の周辺回路領域における第2多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。 基板の周辺回路領域における第3多孔性シリコン酸化膜の接着特性を示すSEM写真である。
符号の説明
100 半導体基板、
210 モールド膜、
220 下部電極、
230 犠牲フォトレジストパターン、
240 高誘電膜、
250 上部電極、
255 第4金属層間絶縁膜、
260 第1金属配線、
265 第5金属層間絶縁膜、
270 第2金属配線。

Claims (26)

  1. 下記の構造式1を有する、3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物:
    前記構造式1において、Y及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基であり、n及びmはそれぞれ独立的に1〜9の整数である。
  2. 前記構造式1において、nとmの比が、1:0.4〜1:2.4であることを特徴とする請求項1記載のスピンオンガラス組成物。
  3. 前記アルコキシ基が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及びブトキシ基からなる群より選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項1または2記載のスピンオンガラス組成物。
  4. 前記低級アルキル基が、メチル基、エチル基、プロピル基、及びブチル基からなる群より選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物。
  5. 前記シルセスキオキサンオリゴマーが、下記の構造式2を有する第1単量体と下記の構造式3を有する第2単量体を縮合反応させることにより製造されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物:
    前記構造式2において、Y、Y、及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基である、
    前記構造式3において、Y、Y、及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基である。
  6. 前記第1単量体と前記第2単量体のモル比が、1:0.4〜1:2.4であることを特徴とする請求項5記載のスピンオンガラス組成物。
  7. 前記構造式2及び前記構造式3における、Y、Y、及びYが、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及びブトキシ基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記Rはメチル基であることを特徴とする請求項5または6記載のスピンオンガラス組成物。
  8. 前記気孔生成剤が、ポリアルキレングリコール、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、またはこれらの混合物であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物。
  9. 前記気孔生成剤の分子量が、100〜2000であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物。
  10. さらに、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、及びヘキサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドからなる群より選択される少なくとも一つの添加剤を、10〜300ppm含むことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物。
  11. 前記溶媒が、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、アルコール系溶媒、及びアミド系溶媒からなる群より選択される少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物。
  12. 4〜12質量%の前記シルセスキオキサンオリゴマー、4〜12質量%の前記気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むことを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項記載のスピンオンガラス組成物。
  13. 下記の構造式1を有するシルセスキオキサンオリゴマーを形成する工程、並びに
    前記シルセスキオキサンオリゴマー3〜20質量%、気孔生成剤3〜20質量%、及び溶媒60〜94質量%を混合する工程、
    を含むスピンオンガラス組成物の製造方法:
    前記構造式1において、Y及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基であり、n及びmはそれぞれ独立的に1〜9の整数である。
  14. 前記構造式1において、nとmの比が、1:0.4〜1:2.4であることを特徴とする請求項13記載のスピンオンガラス組成物の製造方法。
  15. 前記シルセスキオキサンオリゴマーが、下記の構造式2を有する第1単量体と下記の構造式3を有する第2単量体を、1:0.4〜1:2.4のモル比で縮合反応させることにより製造されることを特徴とする請求項13または14記載のスピンオンガラスの製造方法:
    前記構造式2において、Y、Y、及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基である、
    前記の構造式3において、Y、Y、及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基である。
  16. 基板上に、下記の構造式1を有する、3〜20質量%のシルセスキオキサンオリゴマー、3〜20質量%の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物を塗布してスピンオンガラス膜を形成する工程、並びに
    前記スピンオンガラス膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する工程、
    を含む多孔性シリコン酸化膜の製造方法:
    前記構造式1において、Y及びYはそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Rは低級アルキル基であり、n及びmはそれぞれ独立的に1〜9の整数である。
  17. 前記構造式1において、nとmの比が、1:0.4〜1:2.4であることを特徴とする請求項16記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  18. 前記アルコキシ基が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及びブトキシ基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記低級アルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、及びブチル基からなる群より選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項16または17記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  19. 前記基板上に化学気相蒸着工程を行って酸化膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  20. 前記基板上に導電性パターンを形成する段階を、さらに含むことを特徴とする請求項16〜19のいずれか1項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  21. 前記スピンオンガラス組成物が、4〜12質量%の前記シルセスキオキサンオリゴマー、4〜12質量%の前記気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むことを特徴とする請求項16〜20のいずれか1項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  22. 前記スピンオンガラス膜を硬化させる工程が、
    前記スピンオンガラス膜に含まれる溶媒の除去、及び気孔生成剤の熱分解のために、前記基板を70〜350℃の温度にて予備ベイキングする工程、並びに
    前記予備ベイキングしたスピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換するために、前記基板を350〜550℃の温度にて主ベイキングする工程、
    を含むことを特徴とする請求項16〜21のいずれか1項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  23. 前記予備ベイキング工程が、不活性ガスの雰囲気下にて3〜15分間行われることを特徴とする請求項22記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  24. 前記予備ベイキング工程が、
    70〜150℃の温度にて前記溶媒を除去するための第1予備ベイキング工程、及び
    150〜350℃の温度にて前記気孔生成剤を熱分解させるための第2予備ベイキング工程、
    を含むことを特徴とする請求項22または23記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  25. 前記主ベイキング工程が、不活性ガスの雰囲気下にて10〜100分間行われることを特徴とする請求項22〜24のいずれか1項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
  26. 前記多孔性シリコン酸化膜が、Si−H結合及びSi−R結合(Rは低級アルキル基である)を、1:0.4〜1:2.4のモル比で含むことを特徴とする請求項16〜25のいずれか1項記載の多孔性シリコン酸化膜の形成方法。
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